KR20150137219A - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치는 기판이 반입되는 입구 및 상기 기판이 반출되는 출구가 형성되고, 제 1 배출구 및 상기 제 1 배출구보다 상기 출구에 더 인접한 제 2 배출구가 형성된 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 반송 유닛 상의 기판을 향해 기판을 처리하는 액을 공급하는 액 공급 유닛, 그리고 상기 챔버 내에서 기판 처리 후의 액이 수용되는 공간을 상기 제 1 배출구를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 2 배출구를 포함하는 제 2 영역으로 분할하는 격벽을 포함한다.
기판 처리 방법은 제 1 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 1 위치에 고정시키고, 제 2 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 2 위치에 고정시키되,
상기 제 1 위치는 상기 제 2 위치보다 입구에 더 가깝게 위치하는 것을 포함한다.

Description

기판 처리 장치 및 방법 {Apparatus and method for processing substrate}
본 발명은 세정액을 이용하여 기판을 세정하는 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것이다.
기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 평판 표시 패널의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 평판 표시 패널를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬 처리공정, 린스공정 및 건조공정을 포함한다. 케미컬 처리공정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 것이다. 린스공정은 순수(deionized water)를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 것이다. 건조공정은 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 것이다.
린스 공정은 일반적으로, 복수의 챔버에서 연속적으로 수행되며, 상류에 배치되는 챔버 내에서 사용된 순수는 모두 폐기되고, 하류에 배치되는 챔버 내에서 사용된 순수는 모두 회수되었다. 이에 따라, 상류에 배치되는 챔버에서 순수가 다량 소비되는 문제가 발생하였다.
본 발명의 일 기술적 과제는 세정 처리를 효율적으로 수행할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명의 일 기술적 과제는 세정에 사용된 액의 사용량을 절감할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제시하고자 한다.
본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 상기 기판 처리 장치는 기판이 반입되는 입구 및 상기 기판이 반출되는 출구가 형성되고, 제 1 배출구 및 상기 제 1 배출구보다 상기 출구에 더 인접한 제 2 배출구가 형성된 챔버, 상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛, 상기 반송 유닛 상의 기판을 향해 기판을 처리하는 액을 공급하는 액 공급 유닛 그리고 상기 챔버 내에서 기판 처리 후의 액이 수용되는 공간을 상기 제 1 배출구를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 2 배출구를 포함하는 제 2 영역으로 분할하는 격벽을 포함한다.
일 예에 의하여, 상기 격벽은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 체적이 변경 가능하도록 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에서 그 위치가 조절 가능하게 제공될 수 있다.
일 예에 의하여, 상기 제 1 배출구와 연결되는 폐액라인 및 상기 제 2 배출구와 연결되는 회수라인을 더 포함할 수 있다.
일 예에 의하여, 상기 챔버에는 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에 상기 제 1 방향으로 복수개가 제공되고 상기 격벽의 가장자리부가 삽입되는 슬릿이 형성될 수 있다.
다른 예에 의하여, 상기 챔버는 그 내부 공간으로 돌출되는 복수의 블럭을 더 구비하고, 상기 슬릿은 상기 블록에 형성될 수 있다. 상기 슬릿은 상기 챔버의 바닥 면에 형성될 수 있다.
일 예에 의하여, 상기 격벽과 상기 슬릿을 형성하는 면 사이에 상기 제 1 공간과 상기 제 2 공간을 실링하는 실링부재가 제공될 수 있다. 상기 실링부재는 고무재질을 포함한다. 상기 실링부재는 상기 격벽과 상기 슬릿 중 어느 하나에 고정설치 될 수 있다.
일 예에 의하여, 상기 챔버의 바닥 면은 제 1부분 및 제 2 부분으로 구분되고, 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분은 상부에서 볼 때 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향을 향해 순차적으로 위치하고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 경사도가 더 크고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 높게 위치되고, 상기 제 1 배출구 및 상기 제 2 배출구는 상기 제 1 부분에 형성될 수 있다. 상기 제 1 부분은 수평면으로 제공될 수 있다. 상기 격벽은 상기 제 1 부분에 설치될 수 있다.
일 예에 의하여, 상기 반송 유닛은 상기 기판이 상기 제 2 방향을 따라 경사지게 반송하되, 상기 기판에서 상기 제 2 부분과 대향되는 영역을 상기 제 1 부분과 대향되는 영역보다 높게 위치시킬 수 있다.
또한 본 발명은 기판 처리 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시 예에 따른 상기 기판 처리 방법에 의하면, 제 1 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 1 위치에 고정시키고, 제 2 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 2 위치에 고정시키되, 상기 제 1 위치는 상기 제 2 위치보다 입구에 더 가깝게 위치한다. 상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 오염도가 큰 기판일 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 세정시 사용되는 액의 사용량을 절감할 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 따르면, 하나의 챔버에서 기판의 오염도에 따라 회수되는 액의 양을 조절할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치를 나타낸 단면도이다.
도 2는 도 1의 챔버 내의 반송 유닛을 나타낸 단면도이다.
도 3은 도 1의 챔버의 내부를 나타낸 사시도이다.
도 4는 도 1의 챔버의 내부를 보여주는 다른 예를 나타낸 사시도이다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기판 처리 장치를 사용하는 방법을 보여주는 단면도이다.
도 7은 반송 유닛의 다른 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 8은 각각의 격벽이 챔버에 고정되는 구조의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 9은 각각의 격벽이 챔버에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 10은 각각의 격벽이 챔버에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시 예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 수 있으며, 단지 본 실시 예는 본 발명의 개시가 완전하도록 하고, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전문에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 기판 처리 장치(1)를 나타내는 단면도이고, 도 2는 도 1의 챔버(100) 내의 반송 유닛(200)을 나타낸 단면도이고, 도 3은 도 1의 챔버의 내부를 나타낸 사시도이다.
도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 공정 챔버(100), 반송 유닛(200), 액 공급 유닛(400) 및 격벽(500)을 포함한다.
공정 챔버(100)는 기판(S)을 처리하기 위한 공간을 제공한다. 일 예로, 공정 챔버는 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)를 포함할 수 있다. 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)는 제 1 방향(12)을 따라 순차적으로 배열된다. 에칭 챔버(102), 세정 챔버(104) 및 건조 챔버(106)는 각각 하나 또는 복수개가 제공될 수 있다. 제 1 방향은 기판(S)의 이동방향이다. 에칭 챔버(102)는 기판(S)에 케미컬을 공급하여 식각 공정을 진행한다. 세정 챔버(104)는 에칭 공정이 완료된 기판(S) 상에 순수를 공급하여 케미컬을 제거한다. 건조 챔버(106)는 기판(S) 표면에 잔류하는 케미컬 또는 순수를 건조시킨다.
공정 챔버(100)들 내에는 반송 유닛(200)이 제공된다. 반송 유닛(200)은 공정 챔버 (100) 들 간에, 그리고 챔버(100) 내에서 기판(S)을 제 1 방향으로 이동시킨다. 도 2를 참조하면, 반송 유닛(200)은 복수의 샤프트들(220), 롤러들(240), 그리고 구동부(260)를 가진다. 복수의 샤프트들(220)은 제1방향(12)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(220)는 그 길이 방향이 제2방향(16)으로 제공된다. 샤프트들(220)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(220)은 기판 유입구(110)와 인접한 위치에서부터 기판 유출구(120)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(220)에는 그 길이방향을 따라 복수의 롤러들(240)이 고정 결합된다. 샤프트들(220)은 그 중심축을 기준으로 구동부(260)에 의해 회전된다. 구동부(260)는 풀리들(262), 벨트들(264), 그리고 모터(266)를 가진다. 풀리들(262)은 각각의 샤프트(220)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(220)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(262)은 벨트(264)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(262) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(266)가 결합된다. 상술한, 풀리(262), 벨트(264), 그리고 모터(266)의 조립체에 의해 샤프트들(220)과 롤러들(240)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러에 접촉된 상태로 샤프트들(220)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(220)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다.
세정 챔버(104)에는 제 1 배출구(810)와 제 2 배출구(820)가 제공된다. 세정 챔버(104)의 양 측벽에는 기판(S)이 유입 또는 유출될 수 있는 기판 출입구(110,120)가 형성된다. 기판(S)은 기판 유출입구(110,120)를 통해 공정 챔버(100)들 간에 이송된다. 세정 챔버(104)의 하면은 제 1부분(152)과 제 2 부분(154)으로 구분될 수 있다. 제 1 부분(152) 및 제 2 부분(154)은 상부에서 볼 때 제 1 방향(12)과 수직하는 제 2 방향(16)을 향해 순차적으로 위치한다. 제 2 부분(154)은 제 1 부분(152)보다 경사도가 더 크다. 제 2 부분(154)은 제 1 부분(152)보다 높게 위치된다. 제 1 배출구(810) 및 제 2 배출구(820)는 제 1 부분(152)에 형성될 수 있다. 제 1 부분(152)은 수평일 수 있다.
제 1 배출구(810)는 제 1 영역(130)에 위치하고, 제 2 배출구(820)는 제 2 영역(140)에 위치한다. 제 1 영역(130)은 제 2 영역(140)보다 입구 쪽에 위치되고, 제 2 영역(140)은 제 1 영역(130)보다 출구 쪽에 위치된다. 제 1 영역(130)과 제 2 영역(140)은 후술되는 격벽(500)에 의해 구분될 수 있다.
탱크(700)는 제 2 배출구(820)를 통해 배수된 순수를 저장한다. 회수라인(620)은 탱크(700)와 제 2 배출구(820)를 연결한다. 탱크(700)에 저장되는 순수는 상대적으로 오염물의 함유량이 적은 순수일 수 있다. 제 2 배출구(820)를 통해 배수된 순수는 공급 라인(630)을 통해 액 공급 유닛(400)으로 이동된다. 제 1 배출구(810)를 통해 배수된 순수는 폐기될 수 있다. 폐액라인(610)을 통해 배수되는 순수는 상대적으로 오염물의 함유량이 높은 순수일 수 있다.
공급 라인(630)은 탱크(700)와 액 공급 유닛(400)을 서로 연결한다. 탱크(700)에 저장된 순수를 재사용하기 위해, 순수가 공급 라인(630)을 통해 액 공급 유닛(400)으로 이동된다. 도면에 도시하지는 않았지만, 공급 라인(630)에는 공급 라인(630)을 통해 이동하는 순수를 필터링하기 위한 필터가 더 설치될 수 있다. 공급 라인(630)에는 순수의 유량을 체크하기 위한 유량계 및 순수를 펌핑하기 위한 펌프 등이 설치될 수 있다.
액 공급 유닛(400)은 세정 챔버(104) 내에 위치한다. 액 공급 유닛(400)은 반송 유닛(200)의 상부에 위치한다. 예를 들어, 액 공급 유닛(400)은 노즐 등을 포함한다. 노즐에서 공급되는 액은 케미컬, 순수(deionized water, DIW) 또는 건조가스를 포함할 수 있다. 본 발명에서는 일 실시 예로, 액은 순수인 경우로 설명한다. 액 공급 유닛(400)은 기판(S) 상에 순수를 공급하여 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬들을 제거한다.
격벽(500)은 세정 챔버(104)의 바닥 면으로부터 수직하게 연장될 수 있다. 격벽(500)은 제 1 영역(130)과 제 2 영역(140)의 체적이 변경 가능하도록 제 1 배출구(810)와 제 2 배출구(820) 사이에서 그 위치가 조절 가능하게 제공된다. 격벽(500)은 제 1 부분(152)에 설치될 수 있다. 이와 달리, 격벽(1500)은 도 4와 같이 제 1 부분(152)에서 제 2 부분(154)까지 연장되어 형성될 수 있다.
세정 챔버(104) 내의 격벽(500)은 기판의 상태에 따라 위치가 조절될 수 있다. 일 실시 예로, 격벽(500)은 제 1 위치(310), 제 2 위치(320) 및 제 3 위치(330) 중 선택적으로 어느 하나에 위치할 수 있다. 예를 들어, 격벽(500)이 제 1 위치(310)에 위치하는 경우 제 2 영역(140)이 제 1 영역(130)보다 크다. 격벽(500)이 제 2 위치(320)에 위치하는 경우 제 1 영역(130)과 제 2 영역(140)의 크기는 같다. 격벽(500)이 제 3 위치(330)에 위치하는 경우 제 1 영역(130)이 제 2 영역(140)보다 크다. 격벽(500)의 위치에 따라 회수되는 순수와 폐기되는 순수의 양을 조절할 수 있다.
도 5 및 도 6은 본 발명의 기판 처리 장치(도 5의 2,도 6의 3)를 사용하는 방법을 보여주는 단면도이다. 제 1기판(S1)과 같이 기판의 오염도가 낮은 경우, 도 5와 같이 격벽(2500)을 제 1위치(2310)에 위치시킨다. 이 때, 제 2 배출구(820)로 회수되는 순수의 양이 증가한다. 제 1 기판(S1)을 세정한 순수는 케미컬의 농도가 낮아 재사용할 수 있다. 제 1 배출구(810)로 흐르는 순수는 폐기되고, 제 2 배출구(820)로 흐르는 순수는 회수되고, 재사용된다. 제 2 기판(S2)과 같이 기판의 오염도가 높은 경우, 도 6과 같이 격벽(3500)을 제 2 위치(3320)에 위치시킨다. 제 1 배출구(810)로 흘러 폐기되는 순수의 양이 증가한다. 제 2 기판을 세정한 순수는 상대적으로 케미컬의 농도가 높아 재사용할 수 있는 순수의 양이 적다. 제 1 배출구(810)는 폐액라인(3610)과 연결된다. 제 1 배출구(810)로 흐르는 순수는 폐기되고, 제 2 배출구(820)로 흐르는 순수는 회수되고, 재사용된다.
도 7은 반송 유닛(4200)의 다른 실시 예를 나타낸 사시도이다.
도 7을 참조하면, 반송 유닛(4200)은 기판이 제 2 방향(16)을 따라 경사지게 반송한다. 기판을 제 2 부분(4154)과 대향되는 영역을 제 1 부분(4152)과 대향되는 영역보다 높게 위치시킨다. 각각의 샤프트(도 2의 220)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.
도 8은 각각의 격벽(500)이 챔버(100)에 고정되는 구조의 일 예를 보여주는 사시도이다.
도 8를 참조하면, 복수개의 슬릿(900)이 세정 챔버(104)의 바닥 면에 제공된다. 일 실시 예로, 세정 챔버(104) 바닥 면에서 위로 돌출되는 블록(300)을 가진다. 슬릿(900)은 블록(300)의 상면에 형성된다. 격벽(500) 하부의 옆면에는 격벽(500)을 고정시키기 위한 홀(340)이 생성된다. 홀(340)은 복수개가 제공되고, 세정 챔버(104) 상부에서 볼 때 제 1 방향(12)과 수직인 제 2 방향(16)을 따라 형성된다. 블록(300)에도 제 2 방향(16)으로 홀(340)이 생성된다. 격벽(500)을 슬릿(900)에 끼우고 볼트(350) 등을 이용하여 격벽(500)을 세정 챔버(104) 바닥 면에 고정시킬 수 있다.
도 9은 각각의 격벽(5500)이 세정 챔버(5100)에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
도 9를 참조하면, 복수개의 슬릿(5900)이 세정 챔버(5100)의 하면에 제공된다. 일 실시 예로, 복수개의 슬릿(5900)은 세정 챔버(5100)의 바닥 면을 향해 함몰된 홈(5130)에 의해 형성될 수 있다. 격벽(5500)을 홈(5130)에 의해 형성된 슬릿(5900)에 끼워서 세정 챔버(5100) 바닥 면에 고정할 수 있다.
도 10은 각각의 격벽(6500)이 챔버(6100)에 고정되는 구조의 다른 예를 보여주는 사시도이다.
실링부재(6900)는 격벽(6500)과 슬릿(6320)을 형성하는 면 사이에 제 1 영역(도 1의 130)과 제 2 영역(도 1의 140)을 실링하기 위해 제공된다. 예를 들어, 실링부재(6900)는 고무재질을 포함할 수 있다. 격벽(6500)과 슬릿(6320) 중 어느 하나에 실링부재(6900)가 고정설치 될 수 있다.
상술한 예와 달리, 세정 챔버(104)의 측벽에 홈이 형성될 수 있다. 복수개의 슬릿(900)은 세정 챔버(104)의 측벽에 제공될 수 있다. 선택적으로 세정 챔버(104)의 측벽에 슬릿(900)이 형성되어 블록(300)이 제공된다. 형성될 수 있다. 이 경우, 도 8과 같이 볼트(350) 등을 이용하여 격벽(500)을 고정시킬 수 있다.
상술한 예에서는 기판 처리 장치가 위치 조절이 가능한 격벽을 가지는 경우를 설명하였지만, 격벽의 위치는 특정 위치에 고정 설치될 수 있다.
상술한 예들에서는 세정 챔버에 격벽이 제공되는 경우를 설명하였으나, 에칭 챔버 및 건조 챔버에도 격벽이 제공되어 사용될 수 있다.

Claims (15)

  1. 기판 처리 장치에 있어서,
    기판이 반입되는 입구 및 상기 기판이 반출되는 출구가 형성되고, 제 1 배출구 및 상기 제 1 배출구보다 상기 출구에 더 인접한 제 2 배출구가 형성된 챔버;
    상기 챔버 내에 배치되며 기판을 제 1 방향을 따라 반송하는 반송 유닛;
    상기 반송 유닛 상의 기판을 향해 기판을 처리하는 액을 공급하는 액 공급 유닛; 그리고
    상기 챔버 내에서 기판 처리 후의 액이 수용되는 공간을 상기 제 1 배출구를 포함하는 제 1 영역과, 상기 제 2 배출구를 포함하는 제 2 영역으로 분할하는 격벽을 가지는 기판 처리 장치.
  2. 제 1항에 있어서.
    상기 격벽은 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 체적이 변경 가능하도록 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에서 그 위치가 조절 가능하게 제공되는 기판 처리 장치.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 제 1 배출구와 연결되는 폐액라인 및 상기 제 2 배출구와 연결되는 회수라인을 더 포함하는 기판 처리 장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 챔버에는 상기 제 1 배출구와 상기 제 2 배출구 사이에 상기 제 1 방향으로 복수개가 제공되고 상기 격벽의 가장자리부가 삽입되는 슬릿이 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 제 4항에 있어서,
    상기 챔버는 그 내부 공간으로 돌출되는 복수의 블럭을 더 구비하고, 상기 슬릿은 상기 블록에 형성되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  6. 제 4항에 있어서,
    상기 슬릿은 상기 챔버의 바닥 면에 형성되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제 4항에 있어서,
    상기 격벽과 상기 슬릿을 형성하는 면 사이에 상기 제 1 공간과 상기 제 2 공간을 실링하는 실링부재가 제공되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 실링부재는 고무재질을 포함하는 기판 처리 장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 실링부재는 상기 격벽과 상기 슬릿 중 어느 하나에 고정설치 되는 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  10. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 챔버의 바닥 면은 제 1부분 및 제 2 부분으로 구분되고, 상기 제 1 부분 및 상기 제 2 부분은 상부에서 볼 때 상기 제 1 방향과 수직하는 제 2 방향을 향해 순차적으로 위치하고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 경사도가 더 크고, 상기 제 2 부분은 상기 제 1 부분보다 높게 위치되고, 상기 제 1 배출구 및 상기 제 2 배출구는 상기 제 1 부분에 형성되는 기판 처리 장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 제 1 부분은 수평면인 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  12. 제 10항에 있어서,
    상기 제 1 부분은 수평면인 것을 포함하는 기판 처리 장치.
  13. 제 10항에 있어서,
    상기 반송 유닛은 상기 기판이 상기 제 2 방향을 따라 경사지게 반송하되, 상기 기판을 상기 제 2 부분과 대향되는 영역을 상기 제 1 부분과 대향되는 영역보다 높게 위치시키는 기판 처리 장치.
  14. 제 2항의 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 있어서,
    제 1 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 1 위치에 고정시키고, 제 2 기판을 처리하는 경우 상기 격벽을 제 2 위치에 고정시키되,
    상기 제 1 위치는 상기 제 2 위치보다 입구에 더 가깝게 위치하는 기판 처리 방법.
  15. 제 14항에 있어서,
    상기 제 2 기판은 상기 제 1 기판보다 오염도가 큰 기판인 기판 처리 방법


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