KR20150128650A - 무선 주파수 단극 쌍투형 스위치의 분리 및 삽입 손실 최적화 - Google Patents

무선 주파수 단극 쌍투형 스위치의 분리 및 삽입 손실 최적화 Download PDF

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KR20150128650A
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욘-린 콕
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마이크로칩 테크놀로지 인코포레이티드
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Abstract

단극 쌍투형(SPDT) 스위치(200)는 집적 회로(IC) 상에 제조되고, 그리고 두 개의 무선 주파수(RF) 스위칭 디바이스들(112, 114)을 포함할 수 있으며, 이들 두 개의 RF 스위칭 디바이스들 각각은 각각의 RF 스위칭 디바이스들과 공통 노드(102) 사이에 결합된 별도의 DC 차단 커패시터를 갖는다. 얇은 전기 전도성 라인(224)을 사용하여 상기 두 개의 RF 스위칭 디바이스들 사이에 DC 연결이 제공된다. 이 얇은 전기 전도성 라인은 상기 두 개의 RF 스위칭 디바이스들 사이의 증가된 분리, 및 감소된 삽입 손실을 제공한다. 상기 증가된 분리 및/또는 감소된 삽입 손실은 임피던스 매칭 조건들이 충족될 때 라인의 특성 임피던스를 통해 상기 얇은 전기 전도성 라인을 조정함으로써 달성된다. 상기 SPDT 스위치 내의 원치 않는 회로 공진(들)은, 상기 얇은 전기 전도성 라인(들)의 인덕턴스를 추가로 감소시키는 두 개 이상의 얇은 전기 전도성 라인들을 사용함으로써 실질적으로 감소될 수 있다.

Description

무선 주파수 단극 쌍투형 스위치의 분리 및 삽입 손실 최적화{OPTIMIZING ISOLATION AND INSERTION LOSS OF A RADIO FREQUENCY SINGLE-POLE-DOUBLE-THROW SWITCH}
본 개시는 무선 주파수(RF) 디바이스들에 관한 것으로, 특히, RF 디바이스의 집적 회로 RF 프론트 엔드 모듈(front end module; FEM)에 사용된 무선 주파수 단극 쌍투형 스위치의 분리 및 삽입 손실을 최적화하는 방법에 관한 것이다.
단극 쌍투형(SPDT) 스위치를 위한 RF 집적 회로(IC) 설계의 소형화에 의해 IC 상에 제조된 RF 스위치의 양호한 분리와 낮은 삽입 손실 둘 다를 유지하는 것이 어렵게 된다. 도 1을 보면, 집적 회로(IC) 상에 제조된 종래 기술의 단극 쌍투형(SPDT) RF 스위치가 도시되어 있다. 이 종래 기술의 SPDT RF 스위치는 제 1 노드(102), 제 2 노드(104) 및 제 3 노드(106)를 포함한다. 노드들(102 및 104) 또는 노드들(102 및 106) 사이의 스위칭 동작들은 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) RF 스위치들(112 및 114)을 사용하여 수행될 수 있다. MOSFET RF 스위치들에는 DC 차단 커패시터들(110, 116 및 118)에 의해 각각 노드들(102, 104 및 106)로부터의 직류(DC) 전압이 차단된다.
DC 차단 커패시터(110)는 MOSFET RF 스위치들(112 및 114) 둘 다에 의해 공유되고, 여기서 두 개의 MOSFET RF 스위치들(112 및 114) 사이의 DC 연결이 커패시터(110)의 판에 의해 제공된다. 이 유형의 DC 물리적 연결은 MOSFET RF 스위치들(112 및 114) 사이에 열악한 RF 신호 분리를 초래하여, 결과적으로 노드들(104 및 106) 사이에 열악한 RF 신호 분리를 일으킨다.
따라서, 집적 회로 다이 상에 제조된 RF 스위치의 노드들 사이에 RF 신호 분리를 향상시키기 위한 방법이 필요하다.
하나의 실시예에 따르면, 무선 주파수(RF) 단극 쌍투형(SPDT) 스위치는: 제 1 노드; 제 1 RF 스위칭 디바이스; 제 2 RF 스위칭 디바이스; 상기 제 1 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 직류(DC) 차단 커패시터; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 DC 차단 커패시터; 제 2 노드; 상기 제 2 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 3 DC 차단 커패시터; 제 3 노드; 상기 제 3 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 4 DC 차단 커패시터; 및 상기 제 1 DC 차단 커패시터와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 엔드, 및 상기 제 2 DC 차단 커패시터와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 엔드를 갖는 얇은 전기 전도성 라인을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 얇은 전기 전도성 라인은 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 DC 경로를 제공한다.
추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 제 1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 제 2 MOSFET를 포함한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 MOSFET 및 상기 제 2 MOSFET는 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) MOSFET들을 포함한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 기가(giga)헤르츠 주파수들에서 동작한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 얇은 전기 전도성 라인의 폭은 약 4 마이크로미터일 수 있다. 추가 실시예에 따르면, 상기 얇은 전기 전도성 라인의 길이는 상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이의 최상의(best) 분리를 위해 조정될 수 있다. 추가 실시예에 따르면, 상기 얇은 전기 전도성 라인의 길이는 상기 제 1 및 제 2 노드들과 상기 제 1 및 제 3 노드들 사이의 감소된 삽입 손실을 위해 조정될 수 있다. 추가 실시예에 따르면, 상기 RF SPDT 스위치는 집적 회로 다이 상에 제조될 수 있다.
또 하나의 실시예에 따르면, 무선 주파수(RF) 단극 쌍투형(SPDT) 스위치는: 제 1 노드; 제 1 RF 스위칭 디바이스; 제 2 RF 스위칭 디바이스; 상기 제 1 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 직류(DC) 차단 커패시터; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 DC 차단 커패시터; 제 2 노드; 상기 제 2 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 3 DC 차단 커패시터; 제 3 노드; 상기 제 3 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 4 DC 차단 커패시터; 및 상기 제 1 DC 차단 커패시터와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 엔드들, 및 상기 제 2 DC 차단 커패시터와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 엔드들을 갖는 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들은 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 DC 경로를 제공한다.
추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 제 1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 제 2 MOSFET를 포함한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 MOSFET 및 상기 제 2 MOSFET는 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) MOSFET들을 포함한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 기가헤르츠 주파수들에서 동작한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들의 각각의 폭은 약 4 마이크로미터일 수 있다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들의 길이들은 상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이의 최상의 분리를 위해, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해, 그리고 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해 조정될 수 있다. 추가 실시예에 따르면, 상기 RF SPDT 스위치는 집적 회로 다이 상에 제조될 수 있다.
다른 또 하나의 실시예에 따르면, 무선 주파수(RF) 단극 쌍투형(SPDT) 스위치는: 제 1 노드; 제 1 RF 스위칭 디바이스; 제 2 RF 스위칭 디바이스; 상기 제 1 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 직류(DC) 차단 커패시터; 상기 제 1 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 DC 차단 커패시터; 제 2 노드; 상기 제 2 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 3 DC 차단 커패시터; 제 3 노드; 상기 제 3 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 4 DC 차단 커패시터; 및 상기 제 1 DC 차단 커패시터와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 엔드들, 및 상기 제 2 DC 차단 커패시터와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 엔드들을 갖는 복수의 얇은 전기 전도성 라인들을 포함할 수 있으며, 여기서 상기 복수의 얇은 전기 전도성 라인들은 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 DC 경로를 제공한다.
추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 제 1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 제 2 MOSFET를 포함한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 MOSFET 및 상기 제 2 MOSFET는 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) MOSFET들을 포함한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 기가헤르츠 주파수들에서 동작한다. 추가 실시예에 따르면, 상기 복수의 얇은 전기 전도성 라인들의 각각의 폭은 약 4 마이크로미터일 수 있다. 추가 실시예에 따르면, 상기 복수의 얇은 전기 전도성 라인들의 길이들은 상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이의 최상의 분리를 위해, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해, 그리고 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해 조정될 수 있다. 추가 실시예에 따르면, 상기 RF SPDT 스위치는 집적 회로 다이 상에 제조될 수 있다.
본 발명에 따르면, 집적 회로 다이 상에 제조된 RF 스위치의 노드들 사이에 RF 신호 분리를 향상시키기 위한 방법이 제공된다.
본 개시는 첨부 도면들과 함께 이하의 설명을 참조하면 보다 완전하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 집적 회로(IC) 상에 제조된 종래 기술의 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 개략도이다.
도 2는 본 개시의 특정 예시의 실시예에 따른, 집적 회로(IC) 상에 제조된 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 개략도이다.
도 3은 본 개시의 또 하나의 특정 예시의 실시예에 따른, 집적 회로(IC) 상에 제조된 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 개략도이다.
도 4는 본 개시의 특정 예시의 실시예들에 따른 2G 및 5G 단극 쌍투형(SPDT) 스위치들 및 2G/5G 다이플렉서(diplexer)의 개략적인 블록도이다.
도 5는 본 개시의 특정 예시의 실시예들에 따른, 도 4에 도시된 2G 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 보다 상세한 개략도이다.
도 6은 본 개시의 특정 예시의 실시예들에 따른, 도 4에 도시된 5G 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 보다 상세한 개략도이다.
본 개시는 다양한 변형들 및 대안의 형태들을 허용하지만, 그의 특정 예시의 실시예들이 도면들에 도시되었고 본 명세서에서 상세히 설명된다. 하지만, 그 특정 예시의 실시예들에 대한 여기에서의 설명은 본 개시를 여기에서 개시된 특정 형태들로 한정하고자 하는 것이 아니고, 오히려, 본 개시는 부속 특허청구범위에 의해 정의되는 모든 변형들 및 균등물들을 포괄하는 것을 목적으로 한다.
두 개의 RF 스위칭 디바이스들, 예컨대 MOSFET RF 스위치들의 각각에는 공통 노드에 결합된 별도의 관련 차단 커패시터가 제공된다. 얇은 전기 전도성 라인을 사용하여 두 개의 RF 스위칭 디바이스들 사이에는 DC 연결이 제공된다. 이에 따라, 두 개의 RF 스위칭 디바이스들 사이의 분리가 증가될 수 있고, 그리고 두 개의 RF 스위칭 디바이스들과 관련된 삽입 손실은 임피던스 매칭 조건들이 충족될 때 라인의 특성 임피던스를 통해 이 얇은 전기 전도성 라인을 조정(tuning)함으로써 감소될 수 있다. 원치 않는 회로 공진(들)은, 얇은 전기 전도성 라인(들)의 인덕턴스를 추가로 감소시키는 두 개 이상의 얇은 전기 전도성 라인들을 사용함으로써 실질적으로 감소될 수 있다.
이제 도면들을 보면, 특정 예시적인 실시예들의 세부사항들이 개략적으로 도시되어 있다. 도면들에서 같은 요소들은 같은 숫자들로 나타내어지며, 유사한 요소들은 같은 숫자들에 다른 소문자 첨자를 붙여서 나타내어질 것이다.
도 2를 보면, 본 개시의 특정 예시의 실시예에 따른, 집적 회로(IC) 상에 제조된 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 개략도가 도시되어 있다. 전반적으로 숫자(200)으로 표시된 SPDT RF 스위치는 제 1 노드(102), 제 2 노드(104) 및 제 3 노드(106)를 포함할 수 있다. 노드들(102 및 104) 또는 노드들(102 및 106) 사이의 스위칭 동작들은 각각 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(예컨대, MOSFET RF 스위치들)(114 및 112)을 사용하여 수행될 수 있다. 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114)의 각각에는 공통 노드(102)에 결합된 별도의 관련 DC 차단 커패시터가 제공된다. MOSFET RF 스위칭 디바이스(112)에는, DC 차단 커패시터(220)에 의해 노드(102)로부터의 DC 전압이 차단되고 그리고 DC 전압 차단 커패시터(118)에 의해 노드(106)로부터의 DC 전압이 차단된다. MOSFET RF 스위칭 디바이스(114)는, DC 전압 차단 커패시터(222)에 의해 노드(102)로부터의 DC 전압이 차단되고 그리고 DC 전압 차단 커패시터(116)에 의해 노드(104)로부터의 DC 전압이 차단된다.
얇은 전기 전도성 라인(224)을 사용하여 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114) 사이에 DC 연결이 제공된다. 물리적 특성들, 예컨대 길이 및 폭은 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114) 사이의 최상의(best) 분리를 위해, 그리고 임피던스 매칭 조건들이 충족될 때 라인의 특성 임피던스를 통해 이 얇은 전기 전도성 라인을 조정함으로써 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114)을 통한 삽입 손실의 감소를 위해, 최적화될 수 있다. 상기 얇은 전기 전도성 라인(224)은 예를 들어, 폭이 약 4 마이크로미터일 수 있으며 그리고 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114)의 요소들 - 예컨대 소스/드레인 - 사이에 결합될 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 3을 보면, 본 개시의 또 하나의 특정 예시의 실시예에 따른, 집적 회로(IC) 상에 제조된 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 개략도가 도시되어 있다. 전반적으로 숫자(300)로 표시된 SPDT RF 스위치는 제 1 노드(102), 제 2 노드(104) 및 제 3 노드(106)를 포함할 수 있다. 도 3에 도시된 SPDT 스위치 회로는, 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114) 사이에 DC 연결을 추가로 제공하는 제 2 얇은 전기 전도성 라인(326)이 부가된 것 말고는, 도 2에 도시된 SPDT 스위치 회로와 실질적으로 동일한 방식으로 기능한다. 이 제 2 얇은 전기 전도성 라인(326)은 또한, 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114) 사이의 DC 연결들의 인덕턴스를 감소시키고, 이에 따라 두 개의 얇은 전기 전도성 라인들(224 및 326)을 사용함으로써 원치 않는 회로 공진(들)이 감소될 수 있다. 복수의 얇은 전기 전도성 라인들이 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(112 및 114) 사이의 DC 연결의 인덕턴스를 감소시키는데 사용될 수 있음은 예상될 수 있으며 본 개시의 범위 내에 있다.
전술한 SPDT 스위치들(200 및 300)은 RF 프론트 엔드 모듈(FEM)(도시되지 않음)의 다른 구성요소들과 함께 접적 회로 다이(들) 상에 제조될 수 있고, 그리고 집적 회로 패키지(도시되지 않음)에 패키징될 수 있다. SPDT 스위치들(200 및 300)은 예를 들어, 공통 소스 입력단 및 분리된 독립 드레인 출력단들, 또는 공통 드레인 입력단 및 분리된 독립 소스 출력단들로 배열될 수 있는 두 개의 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) RF 스위칭 디바이스들(112 및 114)일 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다. 이 MOSFET RF 스위칭 디바이스들(112 및 114)은 마이크로웨이브 주파수들, 예컨대 2 내지 6 GHz에서 동작할 수 있다. MOSFET RF 스위칭 디바이스들(112 및 114)은 단일 게이트, 이중 게이트, 삼중 게이트 등의 트랜지스터들일 수 있다. MOSFET RF 스위칭 디바이스들(112 및 114)은 또한 상보성 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(CMOS FET) 스위치들로 구성될 수 있다. MOSFET RF 스위칭 디바이스들(112 및 114) 각각은 게이트들(230 및 232)을 통해 각각 제어될 수 있다.
도 4를 보면, 본 개시의 특정 예시의 실시예들에 따른 2G 및 5G 단극 쌍투형(SPDT) 스위치들 및 2G/5G 다이플렉서의 개략적인 블록도가 도시되어 있다. 2G 스위치(800a)는 2G/5G 다이플렉서(830)와 2G 송신 및 수신 포트들(106a 및 104a) 사이에 각각 결합된다. 5G 스위치(800b)는 2G/5G 다이플렉서(830)와 5G 송신 및 수신 포트들(106b 및 104b) 사이에 각각 결합된다. 2G/5G 다이플렉서(830)는 듀얼 밴드 안테나 포트(102)에 추가로 결합된다.
도 5를 보면, 본 개시의 특정 예시의 실시예들에 따른, 도 4에 도시된 2G 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 보다 상세한 개략도가 도시되어 있다. 전반적으로 숫자(800a)로 표시된 2G SPDT RF 스위치는 제 1 노드(102a), 제 2 노드(104a) 및 제 3 노드(106a)를 포함할 수 있다. 노드들(102a 및 104a) 또는 노드들(102a 및 106a) 사이의 스위칭 동작들은 각각 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(예컨대, MOSFET RF 스위치들)(914a 및 912a)을 사용하여 수행될 수 있다. 두 개의 RF 스위칭 디바이스들(912a 및 914a)의 각각에는 공통 노드(102a)에 결합된 별도의 관련 DC 차단 커패시터가 제공된다. MOSFET RF 스위칭 디바이스(912a)에는, DC 차단 커패시터(220a)에 의해 노드(102a)로부터의 DC 전압이 차단되고 그리고 DC 전압 차단 커패시터(918a)에 의해 노드(106a)로부터의 DC 전압이 차단된다. MOSFET RF 스위칭 디바이스(914a)에는, DC 전압 차단 커패시터(222a)에 의해 노드(102a)로부터의 DC 전압이 차단되고 그리고 DC 전압 차단 커패시터(916a)에 의해 노드(104a)로부터의 DC 전압이 차단된다. 추가 MOSFET RF 스위칭 디바이스(932a)는 2G 송신기(도시되지 않음)가 노드(106a)에 송신하고 있을 때 수신 노드(104a)에 대한 손상을 방지하는데 사용될 수 있다. MOSFET RF 스위칭 디바이스(932a)는 DC 차단 커패시터(934a)에 의해 DC 전압이 차단될 수 있다. 얇은 전도체(들)(224a(및 326a))는 전술한 바와 같이 기능한다.
도 6을 보면, 본 개시의 특정 예시의 실시예들에 따른, 도 4에 도시된 5G 단극 쌍투형(SPDT) 스위치의 보다 상세한 개략도가 도시되어 있다. 전반적으로 숫자(800b)로 표시된 5G SPDT RF 스위치는 제 1 노드(102b), 제 2 노드(104b) 및 제 3 노드(106b)를 포함할 수 있다. 노드들(102b 및 104b) 사이의 스위칭 동작은 RF 스위칭 디바이스(예컨대, MOSFET RF 스위치)(914b)를 사용하여 수행될 수 있다. 노드들(102b 및 106b) 사이의 스위칭 동작은 직렬 연결된 RF 스위칭 디바이스들(예컨대, MOSFET RF 스위치들)(912b 및 1013)을 사용하여 수행될 수 있다. RF 스위칭 디바이스들(912a) 및 직렬 연결된 RF 스위칭 디바이스들(914a 및 1013)에는 공통 노드(102a)에 결합된 별도의 관련 DC 차단 커패시터들이 제공된다. MOSFET RF 스위칭 디바이스들(912a 및 1013)은, DC 차단 커패시터(220b)에 의해 노드(102b)로부터의 DC 전압이 차단되고 그리고 DC 전압 차단 커패시터(918b)에 의해 노드(106b)로부터의 DC 전압이 차단된다. MOSFET RF 스위칭 디바이스(914b)는, DC 전압 차단 커패시터(222b)에 의해 노드(102b)로부터의 DC 전압이 차단되고 그리고 DC 전압 차단 커패시터(916b)에 의해 노드(104b)로부터의 DC 전압이 차단된다. 추가 MOSFET RF 스위칭 디바이스(932b)는 5G 송신기(도시되지 않음)가 노드(106b)에 송신하고 있을 때 수신 노드(104b)에 대한 손상을 방지하는데 사용될 수 있다. MOSFET RF 스위칭 디바이스(932b)에는 DC 차단 커패시터(934b)에 의해 DC 전압이 차단될 수 있다. 얇은 전도체(들)(224a(및 326a))는 전술한 바와 같이 기능한다.
본 개시의 실시예들은 본 개시의 예시적인 실시예들을 참조하여 특별히 도시되고 설명되고 정의되었지만, 이러한 참조는 본 개시의 한정을 의미하지 않고 이러한 한정이 추정되지도 않는다. 개시된 본 발명은 이 기술분야에 통상의 기술을 가지고 본 개시의 혜택을 갖는 사람들에게는 형태와 기능에 있어서 상당한 수정, 대체, 및 균등물들이 가능하다. 본 개시의 도시되고 설명된 실시예들은 단지 예로서, 본 개시의 범위를 한정하지 않는다.

Claims (22)

  1. 무선 주파수(RF) 단극 쌍투형(SPDT) 스위치로서,
    제 1 노드;
    제 1 RF 스위칭 디바이스;
    제 2 RF 스위칭 디바이스;
    상기 제 1 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 직류(DC) 차단 커패시터;
    상기 제 1 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 DC 차단 커패시터;
    제 2 노드;
    상기 제 2 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 3 DC 차단 커패시터;
    제 3 노드;
    상기 제 3 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 4 DC 차단 커패시터; 및
    상기 제 1 DC 차단 커패시터와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 엔드, 및 상기 제 2 DC 차단 커패시터와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 엔드를 갖는 얇은 전기 전도성 라인을 포함하고,
    상기 얇은 전기 전도성 라인은 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 DC 경로를 제공하는, RF SPDT 스위치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 제 1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 제 2 MOSFET를 포함하는, RF SPDT 스위치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 제 1 MOSFET 및 상기 제 2 MOSFET는 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) MOSFET들을 포함하는, RF SPDT 스위치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 기가(giga)헤르츠 주파수들에서 동작하는, RF SPDT 스위치.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 얇은 전기 전도성 라인의 폭은 약 4 마이크로미터인, RF SPDT 스위치.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 얇은 전기 전도성 라인의 길이는 상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이의 최상의(best) 분리를 위해 조정되는, RF SPDT 스위치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 얇은 전기 전도성 라인의 길이는 상기 제 1 및 제 2 노드들과 상기 제 1 및 제 3 노드들 사이의 감소된 삽입 손실을 위해 조정되는, RF SPDT 스위치.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 RF SPDT 스위치는 집적 회로 다이 상에 제조되는, RF SPDT 스위치.
  9. 무선 주파수(RF) 단극 쌍투형(SPDT) 스위치로서,
    제 1 노드;
    제 1 RF 스위칭 디바이스;
    제 2 RF 스위칭 디바이스;
    상기 제 1 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 직류(DC) 차단 커패시터;
    상기 제 1 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 DC 차단 커패시터;
    제 2 노드;
    상기 제 2 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 3 DC 차단 커패시터;
    제 3 노드;
    상기 제 3 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 4 DC 차단 커패시터; 및
    상기 제 1 DC 차단 커패시터와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 엔드들, 및 상기 제 2 DC 차단 커패시터와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 엔드들을 갖는 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들을 포함하고,
    상기 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들은 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 DC 경로를 제공하는, RF SPDT 스위치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 제 1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 제 2 MOSFET를 포함하는, RF SPDT 스위치.
  11. 제 10 항에 있어서,
    상기 제 1 MOSFET 및 상기 제 2 MOSFET는 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) MOSFET들을 포함하는, RF SPDT 스위치.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 기가헤르츠 주파수들에서 동작하는, RF SPDT 스위치.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들의 각각의 폭은 약 4 마이크로미터인, RF SPDT 스위치.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 제 1 및 제 2 얇은 전기 전도성 라인들의 길이들은 상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이의 최상의 분리를 위해, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해, 그리고 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해 조정되는, RF SPDT 스위치.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 RF SPDT 스위치는 집적 회로 다이 상에 제조되는, RF SPDT 스위치.
  16. 무선 주파수(RF) 단극 쌍투형(SPDT) 스위치로서,
    제 1 노드;
    제 1 RF 스위칭 디바이스;
    제 2 RF 스위칭 디바이스;
    상기 제 1 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 직류(DC) 차단 커패시터;
    상기 제 1 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 DC 차단 커패시터;
    제 2 노드;
    상기 제 2 노드와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 3 DC 차단 커패시터;
    제 3 노드;
    상기 제 3 노드와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 4 DC 차단 커패시터; 및
    상기 제 1 DC 차단 커패시터와 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 1 엔드들, 및 상기 제 2 DC 차단 커패시터와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 결합된 제 2 엔드들을 갖는 복수의 얇은 전기 전도성 라인들을 포함하고,
    상기 복수의 얇은 전기 전도성 라인들은 상기 제 1 RF 스위칭 디바이스와 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스 사이에 DC 경로를 제공하는, RF SPDT 스위치.
  17. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 제 1 금속 산화막 반도체 전계 효과 트랜지스터(MOSFET) 및 제 2 MOSFET를 포함하는, RF SPDT 스위치.
  18. 제 17 항에 있어서,
    상기 제 1 MOSFET 및 상기 제 2 MOSFET는 상보성 금속 산화막 반도체(CMOS) MOSFET들을 포함하는, RF SPDT 스위치.
  19. 제 16 항에 있어서,
    상기 제 1 RF 스위칭 디바이스 및 상기 제 2 RF 스위칭 디바이스는 기가헤르츠 주파수들에서 동작하는, RF SPDT 스위치.
  20. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수의 얇은 전기 전도성 라인들의 각각의 폭은 약 4 마이크로미터인, RF SPDT 스위치.
  21. 제 16 항에 있어서,
    상기 복수의 얇은 전기 전도성 라인들의 길이들은 상기 제 2 노드와 상기 제 3 노드 사이의 최상의 분리를 위해, 상기 제 1 노드와 상기 제 2 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해, 그리고 상기 제 1 노드와 상기 제 3 노드 사이의 감소된 삽입 손실을 위해 조정되는, RF SPDT 스위치.
  22. 제 16 항에 있어서,
    상기 RF SPDT 스위치는 집적 회로 다이 상에 제조되는, RF SPDT 스위치.
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