CN116232300A - 一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关及其控制方法 - Google Patents

Abstract

本申请涉及一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关及其控制方法，该射频开关包括双掷开关模块，双掷开关模块包括输入连接端、第一输出连接端、第二输出连接端、第一控制回路和第二控制回路；第一输出连接端与第一控制回路之间设置有用于给第一控制回路匹配关断通路端口阻抗的第一阻抗匹配模块，第二输出连接端与第二控制回路之间设置有用于给第二控制回路匹配关断通路端口阻抗的第二阻抗匹配模块。该射频开关通过第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给对应关断回路的第一控制回路或第二控制回路端口阻抗进行匹配，使得关断回路的输出端口阻抗匹配到与特性阻抗值，也能够减小泄露到输出端的功率，从而提高该射频开关的隔离度。

Description

一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关及其控制方法

技术领域

本申请涉及射频开关技术领域，尤其涉及一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关及其控制方法。

背景技术

射频开关是实现了控制微波信号通道转换作用。射频开关包括一个RF(射频)和微波开关是一个设备来路由高频通过传输路径的信号。如6所示，目前的射频开关的电路是以串并联结构的双掷开关模块，该双掷开关模块包括一个输入端In1、第一输出端Out1、第二输出端Out、第一晶体管101、第二晶体管102、第三晶体管103和第四晶体管104，在第一晶体管101与第四晶体管104之间设置有信号控制端VG1，在第二晶体管102与第三晶体管103之间设置有信号控制端VG2。该双掷开关模块的工作原理是：信号控制端VG1和信号控制端VG2输出的控制信号在同一时刻保持其中之一为高电平，另外一个为低电平。即当信号控制端VG1输出的控制信号为高电平，信号控制端VG2输出的控制信号为低电平，则第一晶体管101和第四晶体管104导通且其对应的电路为导通回路，第二晶体管102和第三晶体管103截止且其对应的电路为关断回路；当信号控制端VG1输出的控制信号为低电平，信号控制端VG2输出的控制信号为高电平，则第一晶体管101和第四晶体管104截止且其对应的电路为关断回路，第二晶体管102和第三晶体管103导通且其对应的电路为导通回路。该双掷开关模块的关断通路的端口阻抗存在严重失配的问题，严重偏离特征阻抗为50Ω，并且该双掷开关模块的射频开关的隔离度较差。

发明内容

本申请实施例提供了一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关及其控制方法，用于解决现有双掷开关模块的射频开关的端口阻抗存在偏离，且其隔离度较差的技术问题。

为了实现上述目的，本申请实施例提供如下技术方案：

一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，包括双掷开关模块，所述双掷开关模块包括输入连接端、第一输出连接端和第二输出连接端，所述输入连接端与所述第一输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第一控制回路，所述输入连接端与所述第二输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第二控制回路；所述第一输出连接端与所述第一控制回路之间设置有用于给所述第一控制回路匹配关断通路端口阻抗的第一阻抗匹配模块，所述第二输出连接端与所述第二控制回路之间设置有用于给所述第二控制回路匹配关断通路端口阻抗的第二阻抗匹配模块。

优选地，所述第一阻抗匹配模块包括第一开关管、第一电阻、第二电阻和第一电容，所述第一控制回路包括第一信号控制端、第一连接端和第四连接端，所述第二控制回路包括第二信号控制端、第二连接端和第三连接端，所述第一电阻并联连接在所述第一开关管的第一端和第二端，所述第一开关管的第二端与所述第一连接端连接，所述第一开关管的第一端与所述第一输出连接端连接，所述第一开关管的第三端与所述第一信号控制端连接，所述第二电阻与所述第一电容并联连接后分别与所述第一连接端和所述第二连接端连接。

优选地，所述第一开关管的第三端与所述第一信号控制端之间串联有第三电阻。

优选地，所述第一开关管为三极管、场效应管、晶闸管或IGBT管。

优选地，所述第二阻抗匹配模块包括第二开关管、第四电阻、第五电阻和第二电容，所述第四电阻并联连接在所述第二开关管的第一端和第二端，所述第二开关管的第一端与所述第三连接端连接，所述第二开关管的第二端与所述第二输出连接端连接，所述第二开关管的第三端与所述第二信号控制端连接，所述第五电阻与所述第二电容并联连接后分别与所述第三连接端和所述第四连接端连接。

优选地，所述第二开关管的第三端与所述第二信号控制端之间串联有第六电阻。

优选地，所述第二开关管为三极管、场效应管、晶闸管或IGBT管。

本申请还提供一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法，应用于上述所述基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关上，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法包括以下步骤：

获取第一控制回路的第一信号控制端和第二控制回路的第二信号控制端的控制信号；

根据所述控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断回路匹配等效阻抗。

优选地，根据所述控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断通路匹配等效阻抗包括：

若第一控制回路的第一信号控制端的控制信号为低电平信号，第二控制回路的第二信号控制端的控制信号为高电平信号，则所述第二控制回路为导通回路，所述第一控制回路为关断回路；

采用所述第一阻抗匹配模块的第一电阻和第二电阻给所述第一控制回路匹配等效阻抗，以使关断回路的阻抗与特性阻抗匹配。

优选地，根据所述控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断通路匹配等效阻抗包括：

若第二控制回路的第二信号控制端的控制信号为低电平信号，第一控制回路的第一信号控制端的控制信号为高电平信号，则所述第一控制回路为导通回路，所述第二控制回路为关断回路；

采用所述第二阻抗匹配模块的第四电阻和第五电阻给所述第二控制回路匹配等效阻抗，以使关断回路的阻抗与特性阻抗匹配。

从以上技术方案可以看出，本申请实施例具有以下优点：该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关及其控制方法，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关包括双掷开关模块，双掷开关模块包括输入连接端、第一输出连接端和第二输出连接端，输入连接端与第一输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第一控制回路，输入连接端与第二输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第二控制回路；第一输出连接端与第一控制回路之间设置有用于给第一控制回路匹配关断通路端口阻抗的第一阻抗匹配模块，第二输出连接端与第二控制回路之间设置有用于给第二控制回路匹配关断通路端口阻抗的第二阻抗匹配模块。该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关通过第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给对应关断回路的第一控制回路或第二控制回路端口阻抗进行匹配，使得关断回路的输出端口阻抗匹配到与特性阻抗值，并且因为增加了阻抗匹配模块能够也能够减小泄露到输出端的功率，从而提高该射频开关的隔离度，解决了现有双掷开关模块的射频开关的端口阻抗存在偏离，且其隔离度较差的技术问题。

附图说明

为了更清楚地说明本申请实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其它的附图。

图1为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的框架示意图；

图2为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的电路原理示意图；

图3为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中关断回路的隔离度曲线图；

图4为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中关断回路的端口匹配度增益曲线对比图；

图5为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中关断回路的端口匹配度Smith圆图对比图；

图6为现有射频开关的电路原理图。

具体实施方式

为使得本申请的发明目的、特征、优点能够更加的明显和易懂，下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，下面所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而非全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本申请保护的范围。

本申请的术语解释：

隔离度为在射频开关电路的关断回路中，泄露到输出端的功率与输入功率之差，是一个负的增益值，且该增益值的绝对值越大，射频开关的隔离度越好。

本申请提出一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关及其控制方法，用于解决了现有双掷开关模块的射频开关的端口阻抗存在偏离，且其隔离度较差的技术问题。在本实施例中，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的结构不仅可适用于GaAs工艺应用场景，也适用于SOI CMOS等工艺的应用场景。

实施例一：

图1为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的框架示意图，图2为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的电路原理示意图。

如图1所示，本申请提供一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，包括双掷开关模块10，双掷开关模块10包括输入连接端In1、第一输出连接端Out1和第二输出连接端Out2，输入连接端In1与第一输出连接端Out1之间设置有用于控制回路导通或关断的第一控制回路20，输入连接端In1与第二输出连接端Out2之间设置有用于控制回路导通或关断的第二控制回路30；第一输出连接端Out1与第一控制回路20之间设置有用于给第一控制回路匹配关断通路端口阻抗的第一阻抗匹配模块40，第二输出连接端Out2与第二控制回路30之间设置有用于给第二控制回路30匹配关断通路端口阻抗的第二阻抗匹配模块50。

需要说明的是，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关根据第一控制回路20和第二控制回路30的工作状态确定第一阻抗匹配模块40或第二阻抗匹配模块50运行，实现对该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中关断回路进行匹配阻抗，使得关断回路的输出端口阻抗匹配到与特性阻抗值，并且因为增加了阻抗匹配模块能够也能够减小泄露到输出端的功率，从而提高该射频开关的隔离度。在本实施例中，第一控制回路20和第二控制回路30的工作状态包括导通回路的工作和关断回路的停止工作。其中，双掷开关模块10可以由第一控制回路20和第二控制回路30构成的单刀多掷开关，也可以由第一控制回路20和第二控制回路30构成的多刀多掷开关。单刀多掷开关包含有单刀双掷开关、单刀八掷开关、单刀十四掷开关等，多刀多掷开关包含有双刀双掷开关和四刀十掷开关等。在本实施例中，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关是以单刀双掷开关作为案例说明的。特性阻抗值是该功率放大器中传输线传输信号阻力的特性阻抗值，特性阻抗是传输线理论中的一个概念，是有传输线的材料属性决定的一个值，是高频信号在传输过程中遇到的阻力称之为特性阻抗。

本申请提供的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，包括双掷开关模块，双掷开关模块包括输入连接端、第一输出连接端和第二输出连接端，输入连接端与第一输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第一控制回路，输入连接端与第二输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第二控制回路；第一输出连接端与第一控制回路之间设置有用于给第一控制回路匹配关断通路端口阻抗的第一阻抗匹配模块，第二输出连接端与第二控制回路之间设置有用于给第二控制回路匹配关断通路端口阻抗的第二阻抗匹配模块。该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关通过第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给对应关断回路的第一控制回路或第二控制回路端口阻抗进行匹配，使得关断回路的输出端口阻抗匹配到与特性阻抗值，并且因为增加了阻抗匹配模块能够也能够减小泄露到输出端的功率，从而提高该射频开关的隔离度，解决了现有双掷开关模块的射频开关的端口阻抗存在偏离，且其隔离度较差的技术问题。

如图2所示，在本申请的一个实施例中，第一阻抗匹配模块40包括第一开关管201、第一电阻207、第二电阻223和第一电容221，第一控制回路20包括第一信号控制端VG1、第一连接端301和第四连接端304，第二控制回路30包括第二信号控制端VG2、第二连接端302和第三连接端303，第一电阻207并联连接在第一开关管201的第一端和第二端，第一开关管201的第二端与第一连接端301连接，第一开关管201的第一端与第一输出连接端Out1连接，第一开关管201的第三端与第一信号控制端VG1连接，第二电阻223与第一电容221并联连接后分别与第一连接端301和第二连接端302连接。其中，第一开关管201的第三端与第一信号控制端VG1之间串联有第三电阻211。

需要说明的是，第一控制回路20还包括第三开关管202、第七电阻208、第八电阻212、第九电阻218、第四开关管206和第十电阻216，第七电阻208并联在第三开关管202的第一端和第二端上，第三开关管202的第一端与第一连接端301连接，第三开关管202的第二端与输入连接端In1连接，第三开关管202的第三端串联第八电阻212后与第一信号控制端VG1连接，第一信号控制端VG1串联第九电阻218后与第四开关管206的第三端连接，第四开关管206的第一端和第二端与第十电阻216并联后与第四连接端304连接，第四开关管206的第二端还接地。

如图2所示，在本申请的一个实施例中，第二阻抗匹配模块50包括第二开关管204、第四电阻210、第五电阻214和第二电容222，第四电阻210并联连接在第二开关管204的第一端和第二端，第二开关管204的第一端与第三连接端303连接，第二开关管204的第二端与第二输出连接端Out2连接，第二开关管204的第三端与第二信号控制端VG2连接，第五电阻214与第二电容222并联连接后分别与第三连接端303和第四连接端304连接。其中，第二开关管204的第三端与第二信号控制端VG2之间串联有第六电阻214。

需要说明的是，第二控制回路30还包括第五开关管203、第十一电阻209、第十二电阻213、第十三电阻217、第六开关管205和第十四电阻215，第十一电阻209并联在第五开关管203的第一端和第二端上，第五开关管203的第二端与第三连接端303连接，第五开关管203的第一端与输入连接端In1连接，第五开关管203的第三端串联第十二电阻213后与第二信号控制端VG2连接，第二信号控制端VG2串联第十三电阻217后与第六开关管205的第三端连接，第六开关管205的第一端和第二端与第十四电阻215并联后与第二连接端302连接，第六开关管205的第二端还接地。在本实施例中，第一开关管201、第二开关管204、第三开关管202、第四开关管206、第五开关管203和第六开关管205均可以选为三极管、场效应管、晶闸管或IGBT管等晶体管。若开关管为晶体管，开关管的第一端可以为晶体管的源极或漏极，对应的开关管的第二端可以为晶体管的漏极或源极，开关管的第三端为栅极；所有晶体管的源极和漏极是可以互换的。

在本申请实施例中，第一信号控制端VG1和第二信号控制端VG2输出的信号值，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中所有电阻和所有电容的元件数值以及所有晶体管的尺寸值，都需要根据该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的具体情况来设计，一般来说，第一电阻207、第四电阻210、第二电阻223和第五电阻224的电阻值为几十欧姆的小电阻，其余电阻为几千欧姆的大电阻。第三开关管202、第五开关管203、第六开关管205和第四开关管206可以是1个晶体管，也可以根据该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关所需要承受的射频功率的大小，第三开关管202、第五开关管203、第六开关管205和第四开关管206也可以是多个串联晶体管堆叠组成的，具体需要数量，同样需要根据具体应用中所需要承受的射频功率来决定。

图3为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中关断回路的隔离度曲线图，图4为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中关断回路的端口匹配度增益曲线对比图，图5为本申请实施例所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关中关断回路的端口匹配度Smith圆图对比图。在图3至图5中，粗线代表该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，细线代表现有射频开关。

在本申请实施例中，第一信号控制端VG1和第二信号控制端VG2输出的控制信号在同一时刻保持其中之一为高电平，另一个为低电平；即若第一信号控制端VG1输出的控制信号为高电平，则第二信号控制端VG2输出的控制信号为低电平；若第一信号控制端VG1输出的控制信号为低电平，则第二信号控制端VG2输出的控制信号为高电平。该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的工作原理是：通过第一电阻207、第三电阻210、第二电阻223、第四电阻224、第一电容221、第二电容222、第一开关管201和第二开关管204对关断回路的端口阻抗进行阻抗匹配。当第一信号控制端VG1输出的控制信号为高电平、第二信号控制端VG2输出的控制信号为低电平时，第一开关管201和第三开关管202的栅极均处于高电势，第一开关管201和第三开关管202的源极和漏极均处于低电势，所以第一开关管201和第三开关管202导通，而第五开关管203和第二开关管204的栅极均处于低电势，第五开关管203和第二开关管204的源极和漏极均处于高电势，所以第五开关管203和第二开关管204截止。开关管导通时可等效为电阻，开关管截止时可等效为电容，关断回路的等效阻抗主要由第四电阻210和第五电阻224决定，且第一电容221起到提高该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关隔离度的作用；当第一信号控制端VG1输出的控制信号为低电平、第二信号控制端VG2输出的控制信号为高电平时，第一开关管201和第三开关管202的栅极处于均低电势，第一开关管201和第三开关管202的源极和漏极均处于高电势，所以第一开关管201和第三开关管202截止，而第五开关管203和第二开关管204的栅极均处于高电势，第五开关管203和第二开关管204的源极和漏极均处于低电势，所以第五开关管203和第二开关管204导通，则关断回路的等效阻抗主要由第一电阻207和第二电阻223决定，且第二电容222起到提高该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关隔离度的作用。

需要说明的是，由于隔离度的增益值的绝对值越大越好，由图3可知，采用该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的隔离度比现有射频开关好，提高了射频开关的隔离度。由于Smith圆图的圆心为阻抗为特性阻抗的点，所以越靠近圆心则说明匹配程度越高，由图4和图5可知，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关能够改善关断回路的端口匹配度。

实施例二：

本申请还提供一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法，应用于上述基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关上，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法包括以下步骤：

获取第一控制回路的第一信号控制端和第二控制回路的第二信号控制端的控制信号；

根据控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断回路匹配等效阻抗。

需要说明的是，控制信号包括高电平信号和低电平信号。在本实施例中，实施例二中基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的内容已经实施例一中阐述了，此实施例二中不再对基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的内容再次阐述。根据控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断回路匹配等效阻抗，使得关断回路的输出端口阻抗匹配到与特性阻抗值，并且因为增加了阻抗匹配模块能够也能够减小泄露到输出端的功率，从而提高该射频开关的隔离度，解决了现有双掷开关模块的射频开关的端口阻抗存在偏离，且其隔离度较差的技术问题。

在本申请实施例中，根据控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断通路匹配等效阻抗包括：

若第一控制回路的第一信号控制端的控制信号为低电平信号，第二控制回路的第二信号控制端的控制信号为高电平信号，则第二控制回路为导通回路，第一控制回路为关断回路；采用第一阻抗匹配模块的第一电阻和第二电阻给第一控制回路匹配等效阻抗，以使关断回路的阻抗与特性阻抗匹配；

若第二控制回路的第二信号控制端的控制信号为低电平信号，第一控制回路的第一信号控制端的控制信号为高电平信号，则第一控制回路为导通回路，第二控制回路为关断回路；采用第二阻抗匹配模块的第四电阻和第五电阻给第二控制回路匹配等效阻抗，以使关断回路的阻抗与特性阻抗匹配。

实施例三：

本申请还提供一种终端设备，包括处理器和存储器；

存储器，用于存储程序代码，并将程序代码传输给处理器；

处理器，用于根据程序代码中的指令执行上述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法。

所属领域的技术人员可以清楚地了解到，为描述的方便和简洁，上述描述的系统，装置和单元的具体工作过程，可以参考前述方法实施例中的对应过程，在此不再赘述。

在本申请所提供的几个实施例中，应该理解到，所揭露的系统，装置和方法，可以通过其它的方式实现。例如，以上所描述的装置实施例仅仅是示意性的，例如，所述单元的划分，仅仅为一种逻辑功能划分，实际实现时可以有另外的划分方式，例如多个单元或组件可以结合或者可以集成到另一个系统，或一些特征可以忽略，或不执行。另一点，所显示或讨论的相互之间的耦合或直接耦合或通信连接可以是通过一些接口，装置或单元的间接耦合或通信连接，可以是电性，机械或其它的形式。

所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部单元来实现本实施例方案的目的。

另外，在本申请各个实施例中的各功能单元可以集成在一个处理单元中，也可以是各个单元单独物理存在，也可以两个或两个以上单元集成在一个单元中。上述集成的单元既可以采用硬件的形式实现，也可以采用软件功能单元的形式实现。

所述集成的单元如果以软件功能单元的形式实现并作为独立的产品销售或使用时，可以存储在一个计算机可读取存储介质中。基于这样的理解，本申请的技术方案本质上或者说对现有技术做出贡献的部分或者该技术方案的全部或部分可以以软件产品的形式体现出来，该计算机软件产品存储在一个存储介质中，包括若干指令用以使得一台计算机设备(可以是个人计算机，服务器，或者网络设备等)执行本申请各个实施例所述方法的全部或部分步骤。而前述的存储介质包括：U盘、移动硬盘、只读存储器(ROM，Read-OnlyMemory)、随机存取存储器(RAM，Random Access Memory)、磁碟或者光盘等各种可以存储程序代码的介质。

以上所述，以上实施例仅用以说明本申请的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本申请进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本申请各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (10)

1.一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，包括双掷开关模块，所述双掷开关模块包括输入连接端、第一输出连接端和第二输出连接端，所述输入连接端与所述第一输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第一控制回路，所述输入连接端与所述第二输出连接端之间设置有用于控制回路导通或关断的第二控制回路；其特征在于，所述第一输出连接端与所述第一控制回路之间设置有用于给所述第一控制回路匹配关断通路端口阻抗的第一阻抗匹配模块，所述第二输出连接端与所述第二控制回路之间设置有用于给所述第二控制回路匹配关断通路端口阻抗的第二阻抗匹配模块。

2.根据权利要求1所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，其特征在于，所述第一阻抗匹配模块包括第一开关管、第一电阻、第二电阻和第一电容，所述第一控制回路包括第一信号控制端、第一连接端和第四连接端，所述第二控制回路包括第二信号控制端、第二连接端和第三连接端，所述第一电阻并联连接在所述第一开关管的第一端和第二端，所述第一开关管的第二端与所述第一连接端连接，所述第一开关管的第一端与所述第一输出连接端连接，所述第一开关管的第三端与所述第一信号控制端连接，所述第二电阻与所述第一电容并联连接后分别与所述第一连接端和所述第二连接端连接。

3.根据权利要求2所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，其特征在于，所述第一开关管的第三端与所述第一信号控制端之间串联有第三电阻。

4.根据权利要求2所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，其特征在于，所述第一开关管为三极管、场效应管、晶闸管或IGBT管。

5.根据权利要求2所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，其特征在于，所述第二阻抗匹配模块包括第二开关管、第四电阻、第五电阻和第二电容，所述第四电阻并联连接在所述第二开关管的第一端和第二端，所述第二开关管的第一端与所述第三连接端连接，所述第二开关管的第二端与所述第二输出连接端连接，所述第二开关管的第三端与所述第二信号控制端连接，所述第五电阻与所述第二电容并联连接后分别与所述第三连接端和所述第四连接端连接。

6.根据权利要求5所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，其特征在于，所述第二开关管的第三端与所述第二信号控制端之间串联有第六电阻。

7.根据权利要求5所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关，其特征在于，所述第二开关管为三极管、场效应管、晶闸管或IGBT管。

8.一种基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法，其特征在于，应用于如权利要求1-7任意一项所述基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关上，该基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法包括以下步骤：

获取第一控制回路的第一信号控制端和第二控制回路的第二信号控制端的控制信号；

根据所述控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断回路匹配等效阻抗。

9.根据权利要求8所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法，其特征在于，根据所述控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断通路匹配等效阻抗包括：

若第一控制回路的第一信号控制端的控制信号为低电平信号，第二控制回路的第二信号控制端的控制信号为高电平信号，则所述第二控制回路为导通回路，所述第一控制回路为关断回路；

采用所述第一阻抗匹配模块的第一电阻和第二电阻给所述第一控制回路匹配等效阻抗，以使关断回路的阻抗与特性阻抗匹配。

10.根据权利要求8所述的基于关断回路端口阻抗匹配的射频开关的控制方法，其特征在于，根据所述控制信号确定采用第一阻抗匹配模块或第二阻抗匹配模块给射频开关的关断通路匹配等效阻抗包括：

若第二控制回路的第二信号控制端的控制信号为低电平信号，第一控制回路的第一信号控制端的控制信号为高电平信号，则所述第一控制回路为导通回路，所述第二控制回路为关断回路；

采用所述第二阻抗匹配模块的第四电阻和第五电阻给所述第二控制回路匹配等效阻抗，以使关断回路的阻抗与特性阻抗匹配。

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