KR20150123055A - Device using thermoelectric moudule - Google Patents

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KR20150123055A
KR20150123055A KR1020140049443A KR20140049443A KR20150123055A KR 20150123055 A KR20150123055 A KR 20150123055A KR 1020140049443 A KR1020140049443 A KR 1020140049443A KR 20140049443 A KR20140049443 A KR 20140049443A KR 20150123055 A KR20150123055 A KR 20150123055A
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thermoelectric
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조용상
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엘지이노텍 주식회사
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    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10NELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10N10/00Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
    • H10N10/10Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
    • H10N10/13Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects characterised by the heat-exchanging means at the junction

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Abstract

Embodiments of the present invention relate to a heat conversion apparatus including a thermoelectric element. Provided is the heat conversion apparatus which arranges a heat conversion member which is in surface contact with the air, and increases the heat conversion efficiency by maximizing a contact area with the air by applying the heat conversion member having a folded structure by forming a plurality of flow paths with a folding structure.

Description

열전환장치{DEVICE USING THERMOELECTRIC MOUDULE}{DEVICE USING THERMOELECTRIC MOUDULE}

본 발명의 실시예들은 열전소자를 포함하는 열전환장치에 대한 것이다.Embodiments of the present invention are directed to a thermal conversion device comprising a thermoelectric device.

일반적으로, 열전 변환 소자를 포함하는 열전 소자는 P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시킴으로써, PN 접합 쌍을 형성하는 구조이다. 이러한 PN 접합 쌍 사이에 온도 차이를 부여하게 되면, 제벡(Seeback) 효과에 의해 전력이 발생함으로써 열전 소자는 발전 장치로서 기능 할 수 있다. 또한, PN 접합 쌍의 어느 한쪽은 냉각되고 다른 한쪽은 발열 되는 펠티어(Peltier) 효과에 의해, 열전 소자는 온도 제어 장치로서 이용될 수도 있다.Generally, a thermoelectric element including a thermoelectric conversion element is a structure that forms a PN junction pair by bonding a P-type thermoelectric material and an N-type thermoelectric material between metal electrodes. When the temperature difference is given between the PN junction pairs, the thermoelectric element can function as a power generation device by generating power by the Seeback effect. Further, the thermoelectric element may be used as a temperature control device by a Peltier effect in which one of the PN junction pair is cooled and the other is heated.

이러한 온도 제어장치에서는 열전소자의 발열부와 흡열부와 연결되는 방열핀 구조의 구조물을 이용하여 열전소자의 발열 및 흡열로 인한 열전달 작용을 구현하고 있으나, 방열핀 구조를 이용하는 온도 제어 장치의 경우 방열핀 구조 자체의 비표면적이 적어 열교환효율이 떨어지는 문제가 있으며, 열교환효율을 높이기 위해 방열 핀의 밀도나 크기를 증가시키는 경우에는 장비 자체의 부피가 증가하여 온도제어장치를 필요로 하는 디바이스에 장착이 어려운 문제를 초래하게 된다.In such a temperature control device, a heat transfer function due to the heat generation and the heat absorption of the thermoelectric element is realized by using the structure of the heat dissipation fin structure connected to the heat generation portion and the heat absorption portion of the thermoelectric element. However, in the case of the temperature control device using the heat dissipation fin structure, There is a problem that the heat exchanging efficiency is lowered. When increasing the density or size of the heat-dissipating fins to increase the heat-exchanging efficiency, the volume of the equipment itself increases and it is difficult to mount the device in a device requiring the temperature control device .

본 발명의 실시예들은 이러한 문제를 해소하기 위하여 안출된 것으로, 특히 공기와 면 접촉을 하는 열전환부재를 배치하되, 폴딩(folding) 구조로 다수의 유로를 형성하면서 접히는 구조의 열전환부재를 적용하여 공기와의 접촉면적을 극대화하여 열변환 효율을 향상시킬 수 있는 열전환장치를 제공할 수 있도록 한다.Embodiments of the present invention have been devised in order to solve such a problem, and in particular, a heat converting member having a structure that folds while forming a plurality of flow paths by a folding structure is disposed To thereby provide a heat conversion device capable of maximizing the contact area with air and improving the heat conversion efficiency.

상술한 과제를 해결하기 위한 수단으로서, 본 발명의 실시예에서는 상호 대향하는 제1기판 및 제2기판 사이에 열전반도체소자를 포함하는 열전모듈 및 상기 제1기판 및 제2기판에 접촉하여 열변환을 수행하는 열전환부재를 포함하는 열변환모듈을 포함하는 열전환장치를 제공한다. 특히 이 경우 상기 열전환부재는, 기재의 표면에 유체의 유로를 형성하는 유로패턴을 포함하는 구조로 구현하는 것을 특징으로 한다.As a means for solving the above-mentioned problems, in an embodiment of the present invention, there is provided a thermoelectric module including a thermoelectric semiconductor element between a first substrate and a second substrate facing each other, And a thermal conversion module including a thermal conversion module for performing thermal conversion of the thermal conversion module. Particularly, in this case, the heat conversion member is characterized by including a flow path pattern for forming a fluid flow path on the surface of the substrate.

본 발명의 실시예에 따르면, 공기와 면 접촉을 하는 열전환부재를 배치하되, 폴딩(folding) 구조로 다수의 유로를 형성하면서 접히는 구조의 열전환부재를 적용하여 공기와의 접촉면적을 극대화하여 열변환 효율을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.According to an embodiment of the present invention, a heat conversion member having a structure of folding while forming a plurality of flow paths by a folding structure is disposed to maximize the contact area with air, The heat conversion efficiency can be improved.

또한, 폴딩 구조의 열전환부재로 인해 제한적인 열교환 장치의 면적에도 고효율의 열전환장치를 형성할 수 있으며, 제품 자체의 부피를 얇게 형성하여 범용적인 설계배치를 구현할 수 있는 효과도 있다.In addition, due to the thermal conversion member of the folding structure, a highly efficient thermal conversion device can be formed in a limited area of the heat exchange device, and the product itself can be formed in a small volume, realizing a general design layout.

특히, 본 발명의 실시예에 따른 열전환부재의 구조로 인해 발열부의 온도 상승 및 흡열부의 온도 감소 효과가 극대화됨은 물론, 폴딩구조로 인해 알루미늄 등의 열전달부재의 체적이 동일 부피 공간 대비 50% 이상 감소하기 때문에 제품 자체의 두께를 감소시킬 수 있다.Particularly, due to the structure of the heat conversion member according to the embodiment of the present invention, the temperature rise of the heat generating unit and the temperature reduction effect of the heat absorbing unit are maximized, and the volume of the heat transfer member such as aluminum is 50% The thickness of the product itself can be reduced.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 열전환장치의 사시개념도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1의 측면도를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 열변환모듈 내에 포함되는 열전환부재의 구조의 일실시예를 도시한 것이다.
도 4는 상기 열전환부재에서 하나의 유로패턴이 형성된 구조의 확대개념도이다.
도 5는 상술한 열전달부재의 유로패턴의 구현예를 다양하게 도시한 개념도이다.
도 6은 본 발명의 다른 실시형태에 따른 열전환장치를 도시한 것이며, 도 7은 도 6에 배치되는 열전모듈의 평면 배치개념도를 도시한 것이다.
도 8은 상술한 본 발명의 실시예에서 제1모듈과 제2모듈과 접촉하는 열전소자를 포함하는 열전모듈의 단위 셀의 구조를 도시한 것이며, 도 9는 도 8의 구조를 다수 배치한 구조의 열전모듈을 예시한 것이다.
FIG. 1 is a perspective view of a thermal conversion apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of FIG. 1.
FIG. 3 illustrates an embodiment of a structure of a thermal conversion member included in a thermal conversion module according to an embodiment of the present invention.
4 is an enlarged conceptual view of a structure in which one flow path pattern is formed in the heat conversion member.
5 is a conceptual diagram showing various embodiments of the flow path pattern of the heat transfer member.
Fig. 6 shows a thermal conversion apparatus according to another embodiment of the present invention, and Fig. 7 shows a planar arrangement concept of a thermoelectric module disposed in Fig.
8 is a view showing a structure of a unit cell of a thermoelectric module including a thermoelectric element in contact with a first module and a second module in the embodiment of the present invention. The thermoelectric module of FIG.

이하에서는 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 구성 및 작용을 구체적으로 설명한다. 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어, 도면 부호에 관계없이 동일한 구성요소는 동일한 참조부여를 부여하고, 이에 대한 중복설명은 생략하기로 한다. 제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
Hereinafter, the configuration and operation according to the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS In the following description with reference to the accompanying drawings, the same reference numerals denote the same elements regardless of the reference numerals, and redundant description thereof will be omitted. The terms first, second, etc. may be used to describe various components, but the components should not be limited by the terms. The terms are used only for the purpose of distinguishing one component from another.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 열전환장치의 사시개념도를 도시한 것이며, 도 2는 도 1의 측면도를 도시한 것이다.FIG. 1 is a perspective view of a thermal conversion apparatus according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a side view of FIG. 1.

도 1 및 도 2를 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 열전환장치는 상호 대향 하는 제1기판(140) 및 제2기판(150) 사이에 열전반도체소자(120)를 포함하는 열전모듈(100) 및 상기 제1기판(140) 및 제2기판(150)에 접촉하여 열변환을 수행하는 열전환부재(220, 320)를 포함하는 열변환모듈(200, 300)을 포함하여 구성되며, 특히 이 경우 상기 열전환부재(220, 320)는, 기재의 표면에 유체의 유로를 형성하는 유로패턴을 포함하여 구성될 수 있다. 즉, 도 1 및 도 2에 도시된 본 발명의 실시예에 따른 열전환장치는 상기 열전모듈(100)의 상부 및 하부에 열변환모듈(200, 300)이 각각 배치되는 구조를 예로 설명하나, 필요에 따라 발열부 또는 흡열부의 어느 한쪽만을 이용하는 구조로 구현하는 것도 가능함은 물론이다. 아울러, 도시된 것과 같이, 상기 열전환부재(220, 320)는 별도의 수용모듈(210, 310)의 내에 배치되는 구조로 형성될 수 있다.1 and 2, a thermal conversion apparatus according to an embodiment of the present invention includes a thermoelectric module (not shown) including a thermoelectric semiconductor element 120 between a first substrate 140 and a second substrate 150, And a thermal conversion module (200, 300) including a thermal conversion member (220, 320) for performing thermal conversion in contact with the first substrate (140) and the second substrate (150) In this case, the heat exchanging members 220 and 320 may include a flow path pattern for forming a fluid flow path on the surface of the substrate. In other words, the thermal conversion device according to the embodiment of the present invention shown in FIGS. 1 and 2 will be described with reference to the structure in which the thermal conversion modules 200 and 300 are disposed on the upper and lower sides of the thermoelectric module 100, respectively, It is needless to say that it is possible to use a structure in which only one of the heat generating portion and the heat absorbing portion is used. In addition, as shown, the thermal conversion members 220 and 320 may be formed in a structure that is disposed in a separate receiving module 210 or 310.

상기 열전모듈(100)은 상호 대향 하는 한 쌍의 기판(140, 150) 상이에 서로 전기적으로 연결되는 열전반도체소자(120)가 배치되는 구조로, 상기 열전 반도체소자는 P형 반도체 와 N형 반도체가 쌍을 이루며 배치되며, 전류의 인가 시 펠티어 효과에 의해 상술한 한 쌍의 기판에 흡열부와 발열부를 구현하게 된다. 본 발명의 실시예에서는 도 1 및 도 2의 구조에서 제1기판(140) 쪽에서 흡열영역이 형성되며, 제2기판(150) 쪽에서 발열영역이 형성되는 것을 예로 하여 설명하기로 한다.The thermoelectric module 100 has a structure in which thermoelectric semiconductor elements 120 electrically connected to each other are disposed on a pair of mutually opposing substrates 140 and 150. The thermoelectric semiconductor element includes a P- And a heat absorbing portion and a heat generating portion are realized on the pair of substrates by the Peltier effect when a current is applied. In the embodiment of the present invention, a heat absorbing region is formed on the first substrate 140 side and a heat generating region is formed on the second substrate 150 side in the structures of FIGS. 1 and 2.

아울러, 상기 열변환모듈(200, 300)은 한 쌍의 제1기판(140) 및 제2기판(150) 상에 배치되는 구성으로, 도시된 구조에서는 열전환부재(220, 320)가 제1기판(140) 및 제2기판(150)의 표면과 직접 접촉하는 구조를 예시하였으나, 제1기판(140) 및 제2기판(150)과 열전환부재 사이에 중간부재를 포함하는 구조로 구현하는 것도 가능하다. 제1기판(140) 및 제2기판(150)의 표면과 직접 접촉하는 구조는 열전모듈의 발열 및 흡열의 작용을 직접 전달하게 되는바 열전달효율이 좋아지게 되며, 중간부재가 게재되는 구조에서는 장비 자체의 안정성이 좋아지게 되는 장점이 있다.The thermal conversion modules 200 and 300 are disposed on a pair of the first substrate 140 and the second substrate 150. In the illustrated structure, The first substrate 140 and the second substrate 150 are in direct contact with the surfaces of the first substrate 140 and the second substrate 150. However, It is also possible. The structure in which the first substrate 140 and the second substrate 150 are in direct contact with each other directly transmits heat and endothermic effect of the thermoelectric module to improve heat transfer efficiency. There is an advantage that the stability of the self is improved.

또한, 본 발명의 실시예에 따른 열전환장치는 상기 제1기판(140) 및 제2기판(150)에 접촉하여 열변환을 수행하는 열전환부(220, 320)의 구조가 공기, 액체 등과 접촉하는 면을 구비하되, 접촉면적을 극대화할 수 있는 구조로 유로 홈을 구비하는 구조로 구현할 수 있다.The thermal conversion apparatus according to the embodiment of the present invention may be configured such that the structure of the heat exchanging units 220 and 320 that contact the first substrate 140 and the second substrate 150 to perform thermal conversion is in contact with air, And a channel groove is provided in a structure that maximizes the contact area.

도 3은 본 발명의 실시예에 따른 열변환모듈 내에 포함되는 열전환부재(220)의 구조의 일실시예를 도시한 것이며, 도 4는 상기 열전환부재(220)에서 하나의 유로패턴(220A)이 형성된 구조의 확대개념도이다.FIG. 3 illustrates an embodiment of the structure of the thermal conversion member 220 included in the thermal conversion module according to the embodiment of the present invention. FIG. 4 illustrates one structure of the thermal conversion member 220, ) Is formed.

도시된 것과 같이, 상기 열전환부재(220)는 공기와 면접촉을 수행할 수 있도록 제1평면(221)과 상기 제1평면(221)의 반대 면인 제2평면(222)의 평판형상의 기재에 일정한 공기의 이동로인 공기 유로(C 1)를 형성하는 적어도 하나의 유로패턴(220A)이 구현되는 구조로 형성될 수 있다.As shown in the figure, the thermal conversion member 220 includes a first plane 221 and a second plane 222, which are opposite to the first plane 221, so as to perform surface contact with air, And at least one flow path pattern 220A for forming an air flow path C 1, which is a constant path of air flow, is implemented.

상기 유로패턴(220A)은 도 4에 도시된 것과 같이, 일정한 피치(P 1, P 2)와 높이(T 1)를 가지는 곡률 패턴이 형성되도록 기재를 폴딩(folding) 구조, 즉 접는 구조로 형성하는 방식으로 구현하는 것도 가능하며, 이러한 유로패턴은 도 4에 도시된 구조뿐 아니라 도 5에 도시된 것과 같이 다양한 변형형태로 형성될 수 있다.4, the flow path pattern 220A is formed into a folding structure, that is, a folding structure so that a curvature pattern having a constant pitch P 1, P 2 and a height T 1 is formed. However, such a flow path pattern may be formed in various modifications as shown in FIG. 5 as well as the structure shown in FIG.

즉, 본 발명의 실시예에 따른 열전환부재(220, 320)는 공기가 면 접촉하는 평면을 2면을 구비하고, 접촉하는 표면적을 극대화하기 위한 유로패턴을 형성되는 구조로 구현될 수 있다. That is, the heat conversion members 220 and 320 according to the embodiment of the present invention may have a structure in which two surfaces are plane-contacted by air, and a flow path pattern is formed to maximize the contact surface area.

도 4에 도시된 구조에서는, 공기가 유입되는 유입부의 유로(C 1)방향에서 유입되는 경우, 상술한 제1평면(221)과 상기 제1평면(221)의 반대 면인 제2평면(222)과 공기가 고르게 접촉하며 이동하여 유로의 말단(C 2)방향으로 진행될 수 있도록 하는바, 단순한 평판형상과의 접촉 면보다 동일 공간에서 훨씬 많은 공기와의 접촉을 유도할 수 있게 되는바, 흡열이나 발열의 효과가 더욱 증진되게 된다.4, the first plane 221 and the second plane 222, which are opposite to the first plane 221, flow in the direction of the flow path C 1 of the inflow portion into which the air flows, So that the air can be moved evenly in contact with the end portion (C 2) of the flow path. As a result, much more air can be brought into contact with the air in the same space than the contact surface with the simple flat plate shape. The effect of the present invention is further enhanced.

특히, 공기의 접촉면적을 더욱 증대하기 위해서, 본 발명의 실시예에 따른 열전환부재(220)는 도 3 및 도 4에 도시된 것과 같이, 기재의 표면에 저항패턴(223)을 포함하여 구성될 수 있다. 상기 저항패턴(223)은 단위 유로패턴을 고려할 때, 제1곡면(B1) 및 제2곡면(B2)에 각각 형성될 수 있다. 상기 저항패턴은 제1평면과 상기 제1평면에 대향 하는 제2평면 중 어느 하나의 방향으로 돌출되는 구조로 구현될 수 있다. Particularly, in order to further increase the contact area of the air, the heat conversion member 220 according to the embodiment of the present invention includes the resistance pattern 223 on the surface of the substrate as shown in FIG. 3 and FIG. . The resistance pattern 223 may be formed on the first curved surface B1 and the second curved surface B2, respectively, in consideration of the unit flow path pattern. The resistance pattern may be formed in a structure that protrudes in either one of a first plane and a second plane opposite to the first plane.

나아가, 상기 열전환부재(220)에는 상기 기재의 표면을 관통하는 다수의 유체 유동 홈(224)을 더 포함할 수 있으며, 이를 통해 열전환부재(240)의 제1평면과 제2평면 사이에 공기 접촉과 이동을 더욱 자유롭게 구현할 수 있도록 할 수 있다.Further, the heat exchanging member 220 may further include a plurality of fluid flow grooves 224 passing through the surface of the substrate, through which the heat exchanging member 220 is inserted between the first plane and the second plane So that air contact and movement can be implemented more freely.

특히, 도 4의 부분 확대도와 같이, 상기 저항패턴(224)은 공기가 진입하는 방향으로 경사각(θ)을 가지도록 기울어진 돌출구조물로 형성되어 공기와의 마찰을 극대화하는 할 수 있도록 하여 접촉면적이나 접촉효율을 더욱 높일 수 있도록 한다. 상기 경사각(θ)은 상기 저항패턴 표면의 수평연장선과 상기 기재의 표면의 연장선이 예각을 이루도록 함이 더욱 바람직하며, 이는 직각이나 둔각일 경우 저항의 효과가 절감되기 때문이다. 4, the resistance pattern 224 is formed as a protruding structure inclined so as to have an inclination angle &thetas; in the direction in which air enters, so as to maximize friction with air, So that the contact efficiency can be further increased. It is more preferable that the angle of inclination (θ) is an acute angle between a horizontal extension line of the resist pattern surface and an extension line of the surface of the base material, because the effect of resistance is reduced when the angle is a right angle or an obtuse angle.

아울러, 상술한 유동홈(224)의 배치를 저항패턴과 상기 기재의 연결부에 배치되도록 하여 공기 등의 유체의 저항을 높게 함과 동시에 반대 면으로 이동을 효율화할 수 있도록 할 수 있다. 구체적으로, 상기 저항패턴(223)의 앞 부분의 기재 면에 유동 홈(224)을 형성하여, 상기 저항패턴(223)과 접촉하는 공기의 일부를 기재의 전면과 후면을 통과하여 접촉의 빈도나 면적을 더욱 높일 수 있도록 할 수 있다.In addition, the arrangement of the above-described flow grooves 224 may be disposed at the connection portion between the resistance pattern and the base material, thereby increasing the resistance of the fluid such as air and improving the movement to the opposite surface. Specifically, a flow groove 224 is formed in the front surface of the resist pattern 223 to allow a part of the air that comes in contact with the resistance pattern 223 to pass through the front and back surfaces of the substrate, So that the area can be further increased.

도 5는 상술한 열전환부재의 유로패턴의 구현예를 다양하게 도시한 개념도이다.FIG. 5 is a conceptual diagram showing various embodiments of the flow path pattern of the heat conversion member.

도 5에 도시된 것과 같이, (a) 일정한 피치(P 1)로 곡률을 가지는 패턴을 반복적으로 형성하거나, (b) 유로패턴의 단위패턴이 첨부를 가지는 패턴 구조의 반복구조로 구현하거나, (c) 및 (d)에 도시된 것과 같이 단위패턴이 다각형 구조의 단면을 가지도록 다양하게 변화시킬 수 있다. 이상이 유로패턴은 패턴의 표면(B1, B2)에 도 4에서 상술한 저항패턴이 구비될 수 있음은 물론이다.(A) repeatedly forming a pattern having a curvature at a constant pitch (P 1), (b) implementing a repetitive structure of a pattern structure in which a unit pattern of a flow path pattern has an attachment, or c) and (d) so that the unit pattern has a cross section of a polygonal structure. It is needless to say that the above-described resist pattern described in Fig. 4 may be provided on the surface B1, B2 of the pattern.

도 5에서 도시된 것은 유로패턴이 일정한 피치를 가지는 구조로 일정한 주기를 가지도록 형성한 것이지만, 이와는 달리 단위패턴의 피치를 균일하게 하지 않고, 패턴의 주기 역시 불균일하게 구현하도록 변형할 수 있으며, 나아가 각 단위패턴의 높이(T 1) 역시 불균일하게 변형할 수 있음은 물론이다.
5 shows that the flow path pattern is formed to have a constant pitch with a constant pitch. Alternatively, the pitch of the unit pattern may not be made uniform and the period of the pattern may be unevenly implemented. Further, It goes without saying that the height (T 1) of each unit pattern can also be varied nonuniformly.

도 1 및 도 2에서 본 발명의 실시예에 따른 열전달장치에서 열변환모듈 내에 포함되는 열전환부재가 1 개가 포함되는 구조를 설명하였으나, 다른 실시예로서는 하나의 열전달모듈 내에 다수의 열전환부재가 적층되는 구조로 구현될 수 있다. 이를 통해 공기 등과의 접촉표면적을 더욱 극대화할 수 있으며, 이러한 구조는 폴딩 구조로 형성되는 본 발명의 열전환부재의 특수성 상 좁은 면적에 많은 접촉 면을 구현할 수 있는 구조로 구현되는바, 동일 체적에 더욱 많은 수의 열전환부재를 배치할 수 있다. 물론, 이 경우 각각 적층되는 열전환부재 사이에는 제2중간부재 등의 지지기판이 더 배치될 수도 있다. 나아가 본 발명의 또 다른 실시예에서는 2개 이상의 열전모듈을 구비하는 구조로 구현하는 것도 가능하다.1 and 2 illustrate a structure in which one heat conversion member included in the thermal conversion module is included in the heat transfer device according to the embodiment of the present invention. However, in another embodiment, when a plurality of heat conversion members are stacked in one heat transfer module . ≪ / RTI > In this way, the surface area of contact with the air or the like can be further maximized. This structure is realized by a structure capable of realizing many contact surfaces in a narrow area on the specific property of the heat conversion member of the present invention formed by a folding structure, A larger number of heat conversion members can be disposed. Of course, in this case, a supporting substrate such as a second intermediate member may be further disposed between the heat converting members stacked. Further, in another embodiment of the present invention, it is also possible to implement a structure having two or more thermoelectric modules.

도 6을 참조하면, 도 6은 열전모듈(100, 400)을 2개 구비하고, 각 열전모듈의 발열부와 흡열부를 형성하는 기판상에 다수의 적층구조를 가지는 열전환부재를 구비하는 열변환모듈(200, 500)을 구현한 것을 예시한 것이다. 특히, 이러한 구조에서 각각 인접하는 열전모듈(100, 400)의 사이 공간에는 동일한 기능을 구현하는 열변환모듈을 배치하여 발열이나 흡열 성능을 극대화할 수 있도록 한다. 즉 도 6에 도시된 것과 같이, 발열부를 2개의 열전모듈(100, 400) 사이(X영역)에 배치하여 발열의 특성을 강화하거나, 또는 X영역에 흡열부를 배치하여 흡열의 특성을 강화할 수도 있다.6 is a cross-sectional view of a thermoelectric module 100 including two thermoelectric modules 100 and 400 and a thermal conversion member having a heat conversion member having a plurality of lamination structures on a substrate forming a heat- Modules 200 and 500 are implemented. In particular, in this structure, a thermal conversion module that implements the same function is disposed in the space between adjacent thermoelectric modules 100 and 400 to maximize heat generation and endothermic performance. That is, as shown in FIG. 6, the heat generating portion may be disposed between the two thermoelectric modules 100 and 400 (X region) to enhance the heat generating characteristic, or the heat absorbing portion may be disposed in the X region to enhance the heat absorbing characteristic .

또한, 도 6에 도시된 것과 같이, 발열부를 형성하는 열전모듈(X영역)의 열전환부재의 피치와 흡열부를 형성하는 열전모듈(100, 400)의 열전환부재의 피치를 서로 상이하게 형성하는 것도 가능하다. 이 경우 특히, 발열부를 형성하는 열변환모듈 내의 열전환부재의 유로패턴의 피치가 흡열부를 형성하는 열변환모듈 내의 열전환부재의 유로패턴의 피치치 이상으로 형성될 수 있다. 이 경우 발열부와 흡열부를 형성하는 열전환부재의 피치의 비율은 (1~1.4):1의 범위에서 형성될 수 있다.6, the pitch of the heat conversion members of the thermoelectric module (X region) forming the heat generating portion and the pitch of the heat conversion members of the thermoelectric modules 100 and 400 forming the heat absorption portion are formed to be different from each other It is also possible. In this case, in particular, the pitch of the flow path pattern of the heat conversion member in the heat conversion module forming the heat generation portion may be formed to be equal to or larger than the pitch value of the flow path pattern of the heat conversion member in the heat conversion module forming the heat absorption portion. In this case, the ratio of the pitch of the heat conversion member forming the heat generating portion and the heat absorbing portion may be formed in the range of (1 to 1.4): 1.

유로패턴을 형성하는 본 발명의 실시예에 따른 열전환부재의 구조는 평판형 구조의 열전환부재나 기존이 방열핀 구조보다 동일한 체적 내에 훨씬 많은 접촉면적을 구현할 수 있는바, 평판구조의 열전환부재 대비 50% 이상의 공기 접촉면적의 증대를 가져올 수 있으며, 이에 따라 모듈의 크기도 대폭 절감할 수 있게 된다. 아울러, 이러한 열전환부재는 알루미늄과 같은 열전달효율이 높은 금속재질, 합성수지 등 다양한 부재를 적용할 수 있다.The structure of the heat conversion member according to the embodiment of the present invention for forming the flow path pattern can realize a much larger contact area within the same volume than the thermal conversion member having the flat plate structure or the conventional heat dissipation fin structure, It is possible to increase the air contact area of 50% or more compared to the conventional air conditioner, thereby greatly reducing the size of the module. In addition, various members such as a metal material or a synthetic resin having high heat transfer efficiency such as aluminum can be applied to such a heat conversion member.

도 7은 도 6의 구조에서 열전모듈(100, 400)의 배치 구조를 예시한 평면 개념도이다. 즉, 본 발명의 실시형태에서는 상기 열전모듈(100, 400)의 배치를 하나의 열전모듈을 배치하는 것도 가능하나, 다수의 단위 열전모듈(100a, 100b, 100c)을 별도의 방열기판(101)을 포함하여 배치하는 것도 가능하다.FIG. 7 is a schematic plan view illustrating the arrangement structure of the thermoelectric modules 100 and 400 in the structure of FIG. That is, in the embodiment of the present invention, although one thermoelectric module can be disposed for the thermoelectric modules 100 and 400, the plurality of thermoelectric modules 100a, 100b, and 100c may be disposed on a separate radiator plate 101, As shown in Fig.

도 8은 상술한 본 발명의 실시예에서 제1모듈과 제2모듈과 접촉하는 열전소자를 포함하는 열전모듈의 단위 셀의 구조를 도시한 것이며, 도 9는 도 8의 구조를 다수 배치한 구조의 열전모듈을 예시한 것이다.8 is a view showing a structure of a unit cell of a thermoelectric module including a thermoelectric element in contact with a first module and a second module in the embodiment of the present invention. The thermoelectric module of FIG.

도 8 및 도 9에 도시된 것과 같이, 본 발명의 실시예에 따른 열전소자를 포함하는 열전모듈은 상호 대향 하는 제1기판(140) 및 제2기판(150)과 상기 제1기판(140) 및 제2기판(150) 사이에 제1반도체소자(120)와 전기적으로 연결되는 제2반도체소자(130)를 포함하는 단위 셀을 적어도 1 이상 포함하는 구조로 형성될 수 있다. 상기 제1기판(140) 및 상기 제2기판(150)은 절연기판, 이를테면 알루미나 기판을 사용할 수 있으며, 또는 다른 실시형태의 경우 금속기판을 사용하여 흡열 및 발열효율 및 박형화를 구현할 수 있도록 할 수 있다. 물론, 제1기판(140) 및 제2기판(150) 금속기판으로 형성하는 경우에는 도 8에 도시된 것과 같이 제1기판 및 제2기판(140, 150)에 형성되는 전극층(160a, 160b)과의 사이에 유전체층(170a, 170b)을 더 포함하여 형성됨이 바람직하다. 이는 도 1에서 상술한 구조에서 제1모듈(200)과 제2모듈(300)의 제3기판(210A) 및 제4기판(310B)와 상기 제1기판 및 제2기판과 일체형 구조로 구현되는 경우, 알루미나, Cu, Cu 합금 등의 소재를 적용할 수 있다.8 and 9, a thermoelectric module including a thermoelectric module according to an embodiment of the present invention includes a first substrate 140 and a second substrate 150 facing each other, a first substrate 140, And a second semiconductor element 130 electrically connected to the first semiconductor element 120 between the first substrate 110 and the second substrate 150. In this case, An insulating substrate such as an alumina substrate may be used for the first substrate 140 and the second substrate 150. In another embodiment, a metal substrate may be used to achieve endothermic efficiency and heat generation efficiency and thinness. have. When the first substrate 140 and the second substrate 150 are formed of a metal substrate, the electrode layers 160a and 160b formed on the first and second substrates 140 and 150, as shown in FIG. 8, The dielectric layer 170a and the dielectric layer 170b are formed between the dielectric layer 170a and the dielectric layer 170b. In the structure described above with reference to FIG. 1, the third module 210A and the fourth module 310B of the first module 200 and the second module 300, and the first and second substrates 300 and 310 are integrated with each other Materials such as alumina, Cu, and Cu alloys can be used.

금속기판의 경우, Cu 또는 Cu 합금을 적용할 수 있으며, 박형화가 가능한 두께는 0.1mm~0.5mm 범위로 형성이 가능하다. 금속기판의 두께가 0.1mm 보나 얇은 경우나 0.5mm를 초과하는 두께에서는 방열 특성이 지나치게 높거나 열전도율이 너무 높아 열전모듈의 신뢰성이 크게 저하되게 된다. 또한, 상기 유전체층(170a, 170b)의 경우 고방열 성능을 가지는 유전소재로서 냉각용 열전모듈의 열전도도를 고려하면 5~10W/K의 열전도도를 가지는 물질을 사용하며, 두께는 0.01mm~0.15mm의 범위에서 형성될 수 있다. 이 경우, 두께가 0.01mm 미만에서는 절연효율(혹은 내전압 특성)이 크게 저하되며, 0.15mm를 초과하는 경우에는 열전전도도가 낮아져 방열효율이 떨어지게 된다. 상기 전극층(160a, 160b)은 Cu, Ag, Ni 등의 전극재료를 이용하여 제1반도체 소자 및 제2반도체 소자를 전기적으로 연결하며, 도시된 단위 셀이 다수 연결되는 경우, 도 9에 도시된 것과 같이 인접하는 단위 셀과 전기적으로 연결을 형성하게 된다. 상기 전극층의 두께는 0.01mm~0.3mm의 범위에서 형성될 수 있다. 전극 층의 두께가 0.01mm 미만에서는 전극으로서 기능이 떨어져 전기 전도율이 불량하게 되며, 0.3mm를 초과하는 경우에도 저항의 증가로 전도효율이 낮아지게 된다.In the case of a metal substrate, Cu or a Cu alloy can be used, and a thin thickness can be formed in a range of 0.1 mm to 0.5 mm. When the thickness of the metal substrate is 0.1 mm or less, or when the thickness exceeds 0.5 mm, the heat radiation characteristic is excessively high or the thermal conductivity is too high, thereby greatly reducing the reliability of the thermoelectric module. In the case of the dielectric layers 170a and 170b, a material having thermal conductivity of 5 to 10 W / K is used as a dielectric material having high heat dissipation performance, considering the thermal conductivity of the thermoelectric module for cooling, and the thickness is 0.01 mm to 0.15 mm. < / RTI > In this case, the insulation efficiency (or withstand voltage characteristics) is significantly lowered when the thickness is less than 0.01 mm, and when the thickness exceeds 0.15 mm, the thermal conductivity is lowered and the heat radiation efficiency is lowered. The electrode layers 160a and 160b electrically connect the first semiconductor element and the second semiconductor element using an electrode material such as Cu, Ag, or Ni, and when a plurality of unit cells shown in FIG. 9 are connected, Thereby forming an electrical connection with adjacent unit cells. The thickness of the electrode layer may be in the range of 0.01 mm to 0.3 mm. When the thickness of the electrode layer is less than 0.01 mm, the function as an electrode is deteriorated and the electrical conductivity becomes poor. When the thickness of the electrode layer is more than 0.3 mm, the conduction efficiency is lowered due to an increase in resistance.

특히, 이 경우 단위 셀을 이루는 열전소자는 본 발명의 실시형태에 따른 적층형 구조의 단위소자를 포함하는 열전소자를 적용할 수 있으며, 이 경우 한쪽은 제1반도체소자(120)로서 P형 반도체 와 제2반도체소자(130)로서 N형 반도체로 구성될 수 있으며, 상기 제1반도체 및 상기 제2반도체는 금속 전극 (160a, 160b)과 연결되며, 이러한 구조가 다수 형성되며 상기 반도체 소자에 전극을 매개로 전류가 공급되는 회로선(181, 182)에 의해 펠티어 효과를 구현하게 된다. In this case, a thermoelectric element including a unit element of a layered structure according to an embodiment of the present invention can be applied to the thermoelectric element constituting the unit cell. In this case, The first semiconductor and the second semiconductor may be connected to the metal electrodes 160a and 160b. A plurality of such structures may be formed, and electrodes may be formed on the semiconductor elements. The Peltier effect is realized by the circuit lines 181 and 182 supplied with the intermediate current.

아울러, 도 8 및 도 9에서 열전모듈 내의 반도체소자는 P 형 반도체 또는 N 형 반도체 재료를 적용할 수 있다. 이러한 P 형 반도체 또는 N 형 반도체 재료는 상기 N형 반도체소자는, 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In)을 포함한 비스무트텔룰라이드계(BiTe계)로 이루어지는 주원료물질과, 상기 주원료물질의 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 Bi 또는 Te이 혼합된 혼합물을 이용하여 형성할 수 있다. 이를테면, 상기 주원료물질은 Bi-Se-Te 물질로 하고, 여기에 Bi 또는 Te를 Bi-Se-Te 전체 중량의 00.001~1.0wt%에 해당하는 중량을 더 추가하여 형성할 수 있다. 즉, Bi-Se-Te의 중량이 100g이 투입되는 경우, 추가로 혼합되는 Bi 또는 Te는 0.001g~1.0g의 범위에서 투입하는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 상술한 주원료물질에 추가되는 물질의 중량범위는 0.001wt%~0.1wt% 범위 외에서는 열전도도가 낮아지지 않고 전기전도도는 하락하여 ZT값의 향상을 기대할 수 없다는 점에서 의의를 가진다.8 and 9, a P-type semiconductor or an N-type semiconductor material can be applied to the semiconductor device in the thermoelectric module. The p-type semiconductor or the n-type semiconductor material is characterized in that the n-type semiconductor element is at least one selected from the group consisting of Se, Ni, Al, Cu, Ag, Pb, (BiTe-based) including gallium (Ga), tellurium (Te), bismuth (Bi), and indium (In), and a bismuth telluride system (BiTe system) containing 0.001 to 1.0 wt% May be formed using a mixture of Bi or Te. For example, the main raw material may be a Bi-Se-Te material, and Bi or Te may be added to the Bi-Se-Te by adding a weight corresponding to 0.001 to 1.0 wt% of the total weight of Bi-Se-Te. That is, when 100 g of Bi-Se-Te is added, it is preferable to add Bi or Te to be added in the range of 0.001 g to 1.0 g. As described above, since the weight range of the substance added to the above-described raw material is not in the range of 0.001 wt% to 0.1 wt%, the thermal conductivity is not lowered and the electric conductivity is lowered, so that the improvement of the ZT value can not be expected. I have.

상기 P형 반도체 재료는, 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In)을 포함한 비스무트텔룰라이드계(BiTe계)로 이루어지는 주원료물질과, 상기 주원료물질의 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 Bi 또는 Te이 혼합된 혼합물을 이용하여 형성함이 바람직하다. 이를 테면, 상기 주원료물질은 Bi-Sb-Te 물질로 하고, 여기에 Bi 또는 Te를 Bi-Sb-Te 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 중량을 더 추가하여 형성할 수 있다. 즉, Bi-Sb-Te의 중량이 100g이 투입되는 경우, 추가로 혼합되는 Bi 또는 Te는 0.001g~1g의 범위에서 투입될 수 있다. 상술한 주원료물질에 추가되는 물질의 중량범위는 0.001wt%~0.1wt% 범위 외에서는 열전도도가 낮아지지 않고 전기전도도는 하락하여 ZT값의 향상을 기대할 수 없다는 점에서 의의를 가진다.The P-type semiconductor material may be at least one selected from the group consisting of antimony (Sb), nickel (Ni), aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), gallium (BiTe-based) including Bi, Te, Bi, and In, and a mixture of Bi or Te corresponding to 0.001 to 1.0 wt% of the total weight of the main raw material It is preferable to form it by using. For example, the main raw material may be a Bi-Sb-Te material, and Bi or Te may be added to the Bi-Sb-Te to a weight corresponding to 0.001 to 1.0 wt% of the total weight of Bi-Sb-Te. That is, when 100 g of Bi-Sb-Te is added, Bi or Te to be added may be added in the range of 0.001 g to 1 g. The weight range of the substance added to the above-described main raw material is not inferior to the range of 0.001 wt% to 0.1 wt%, and the electrical conductivity is lowered, so that improvement of the ZT value can not be expected.

단위 셀을 이루며 상호 대향 하는 제1반도체소자 및 제2반도체소자의 형상 및 크기는 동일하게 이루어지나, 이 경우 P 형 반도체소자의 전기전도도와 N 형 반도체 소자의 전기전도도 특성이 서로 달라 냉각효율을 저해하는 요소로 작용하게 되는 점을 고려하여, 어느 한쪽의 체적을 상호 대향 하는 다른 반도체소자의 체적과는 상이하게 형성하여 냉각성능을 개선할 수 있도록 하는 것도 가능하다. In this case, the electric conductivity of the P-type semiconductor device and the electrical conductivity of the N-type semiconductor device are different from each other, It is possible to improve the cooling performance by forming one of the volumes to be different from the volume of the other semiconductor elements facing each other.

즉, 상호 대향 하여 배치되는 단위 셀의 반도체 소자의 체적을 상이하게 형성하는 것은, 크게 전체적인 형상을 다르게 형성하거나, 동일한 높이를 가지는 반도체소자에서 어느 한쪽의 단면의 직경을 넓게 형성하거나, 동일한 형상의 반도체 소자에서 높이나 단면의 직경을 다르게 하는 방법으로 구현하는 것이 가능하다. 특히 N형 반도체소자의 직경을 P형 반도체소자보다 더 크게 형성하여 체적을 증가시켜 열전효율을 개선할 수 있도록 한다.
That is, the different sizes of the semiconductor elements of the unit cells arranged in mutually opposite directions may be formed by forming the entire shape differently, or by forming the diameter of one of the semiconductor elements wide in the semiconductor element having the same height, It is possible to realize a method of making the height or cross-section diameter of the semiconductor device different. In particular, the diameter of the N-type semiconductor device is formed larger than that of the P-type semiconductor device so that the volume can be increased to improve the thermoelectric efficiency.

전술한 바와 같은 본 발명의 상세한 설명에서는 구체적인 실시예에 관해 설명하였다. 그러나 본 발명의 범주에서 벗어나지 않는 한도 내에서는 여러 가지 변형이 가능하다. 본 발명의 기술적 사상은 본 발명의 전술한 실시예에 국한되어 정해져서는 안 되며, 특허청구범위뿐만 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
In the foregoing detailed description of the present invention, specific examples have been described. However, various modifications are possible within the scope of the present invention. The technical spirit of the present invention should not be limited to the above-described embodiments of the present invention, but should be determined by the claims and equivalents thereof.

100, 400: 열전모듈
120: 열전소자
130: 열전소자
140: 제1기판
150: 제2기판
200, 300: 열변환모듈
210, 310: 열변환모듈 하우징
220, 320: 열전환부재
100, 400: thermoelectric module
120: thermoelectric element
130: thermoelectric element
140: first substrate
150: second substrate
200, 300: thermal conversion module
210, 310: housing of thermal conversion module
220, 320: heat conversion member

Claims (15)

상호 대향 하는 제1기판 및 제2기판 사이에 열전반도체소자를 포함하는 열전모듈; 및
상기 제1기판 및 제2기판에 접촉하여 열변환을 수행하는 열전환부재를 포함하는 열변환모듈; 을 포함하며,
상기 열전환부재는, 기재의 표면에 유체의 유로를 형성하는 유로패턴을 포함하는 열전환장치.
A thermoelectric module including a thermoelectric semiconductor element between mutually opposing first and second substrates; And
A thermal conversion module including a thermal conversion member that contacts the first substrate and the second substrate to perform thermal conversion; / RTI >
Wherein the heat conversion member includes a flow path pattern for forming a fluid flow path on a surface of the substrate.
청구항 1에 있어서,
상기 유로패턴은,
상기 기재의 길이방향으로 피치를 가지는 곡률 패턴인 열전환장치.
The method according to claim 1,
The above-
And a curvature pattern having a pitch in the longitudinal direction of the substrate.
청구항 2에 있어서,
상기 유로패턴의 피치는 균일 또는 불균일한 열전환장치.
The method of claim 2,
Wherein pitches of the flow path patterns are uniform or non-uniform.
청구항 2에 있어서,
상기 유로패턴의 표면에 상기 기재의 표면에서 돌출되는 저항패턴; 을 더 포함하는 열전환장치.
The method of claim 2,
A resistance pattern protruding from the surface of the substrate on the surface of the flow path pattern; Further comprising a heat exchanger.
청구항 4에 있어서,
상기 기재의 표면을 관통하는 다수의 유체 유동 홈을 더 포함하는 열전환장치.
The method of claim 4,
And a plurality of fluid flow grooves passing through the surface of the substrate.
청구항 5에 있어서,
상기 유동 홈은,
상기 저항패턴과 상기 기재의 연결부에 배치되는 열전환장치.
The method of claim 5,
The flow-
And a heat conversion device disposed at a connection portion between the resistance pattern and the substrate.
청구항 6에 있어서,
상기 저항패턴은,
상기 저항패턴 표면의 수평연장선과 상기 기재의 표면의 연장선이 예각인 열전환장치.
The method of claim 6,
The resistance pattern
Wherein a horizontal extension line of the resist pattern surface and an extension line of the surface of the substrate are acute angles.
청구항 4에 있어서,
상기 저항패턴은,
제1평면과 상기 제1평면에 대향 하는 제2평면 중 어느 하나의 방향으로 돌출되는 열전환장치.
The method of claim 4,
The resistance pattern
And protruding in either one of a first plane and a second plane opposed to the first plane.
청구항 1 내지 청구항 8중 어느 한 항에 있어서,
상기 열변환모듈은,
상기 기판상에 열전환부재가 2 이상 적층되는 열전환장치.
The method according to any one of claims 1 to 8,
The thermal conversion module includes:
Wherein two or more heat conversion members are stacked on the substrate.
청구항 9에 있어서,
상기 제1기판 및 상기 제2기판과 상기 열전환부재 사이에 중간부재를 더 포함하는 열전환장치.
The method of claim 9,
Further comprising an intermediate member between the first substrate and the second substrate and the heat conversion member.
청구항 9에 있어서,
상기 제1기판 및 상기 제2기판과 상기 열전환부재가 직접 접촉하는 열전환장치.
The method of claim 9,
Wherein the first substrate and the second substrate are in direct contact with the thermal conversion member.
청구항 9에 있어서,
상기 적층되는 열전환부재들 사이에 제2중간부재를 더 포함하는 열전환장치.
The method of claim 9,
Further comprising a second intermediate member between the stacked thermal conversion members.
청구항 9에 있어서,
상기 열전모듈을 적어도 2 이상 포함하는 열전환장치.
The method of claim 9,
And at least two thermoelectric modules.
청구항 9에 있어서,
상기 제1기판 및 상기 제2기판 상이 열변환모듈에 포함되는 열전환부재의 유로패턴의 피치가 서로 상이한 열전환장치.
The method of claim 9,
Wherein pitches of the flow path patterns of the thermal conversion members included in the thermal conversion module on the first substrate and the second substrate are different from each other.
청구항 9의 열전환장치를 적어도 2 이상 포함하며,
각 열전환장치의 발열부 및 흡열부 중 어느 하나가 마주하도록 상기 열변환모듈이 배치되는 구조의 열전환장치.
A heat exchanger comprising at least two thermal conversion devices according to claim 9,
Wherein the thermal conversion module is disposed such that any one of the heat generating portion and the heat absorbing portion of each thermal converting device faces each other.
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