KR102510123B1 - Thermoelectric element - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 69
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 63
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 18
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 8
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 7
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 6
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 5
- JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N bismuth atom Chemical compound [Bi] JCXGWMGPZLAOME-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 description 4
- 229910016339 Bi—Sb—Te Inorganic materials 0.000 description 3
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000005679 Peltier effect Effects 0.000 description 3
- 229910018110 Se—Te Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 3
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 3
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005678 Seebeck effect Effects 0.000 description 2
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000010248 power generation Methods 0.000 description 2
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 2
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 2
- XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N telluride(2-) Chemical compound [Te-2] XSOKHXFFCGXDJZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N Selenium Chemical compound [Se] BUGBHKTXTAQXES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Zno Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N antimony atom Chemical compound [Sb] WATWJIUSRGPENY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 229910052593 corundum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001845 yogo sapphire Inorganic materials 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/10—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects operating with only the Peltier or Seebeck effects
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- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
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- H10N10/80—Constructional details
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Abstract
본 발명에 따른 열전소자는 제1 기판; 상기 제1 기판의 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 복수의 반도체 소자; 상기 반도체 소자 상 배치된 제2 전극; 및 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 기판;을 포함하고, 상기 반도체 소자와 상기 제2 기판 사이에 배치되고 상기 제2 기판의 측면까지 연장되어 배치된 터미널 전극을 포함하는 열A thermoelectric element according to the present invention includes a first substrate; a first electrode disposed on the first substrate; a plurality of semiconductor elements disposed on the first electrode; a second electrode disposed on the semiconductor element; and a second substrate disposed on the second electrode, including a terminal electrode disposed between the semiconductor element and the second substrate and extending to a side surface of the second substrate.
Description
본 발명은 열전소자에 관한 것으로, 보다 상세하게는 열전효율을 향상시킬 수 있는 열전소자에 관한 것이다. The present invention relates to a thermoelectric device, and more particularly, to a thermoelectric device capable of improving thermoelectric efficiency.
일반적으로, 열전 변환 소자를 포함하는 열전 소자는 P형 열전 재료와 N형 열전 재료를 금속 전극들 사이에 접합시킴으로써, PN 접합 쌍을 형성하는 구조이다. 이러한 PN 접합 쌍 사이에 온도 차이를 부여하게 되면, 제벡(Seeback) 효과에 의해 전력이 발생됨으로써 열전 소자는 발전 장치로서 기능 할 수 있다. 또한, PN 접합 쌍의어느 한쪽은 냉각되고 다른 한쪽은 발열 되는 펠티어(Peltier) 효과에 의해, 열전 소자는 온도 제어 장치로서 이용될 수도 있다.In general, a thermoelectric element including a thermoelectric conversion element has a structure in which a PN junction pair is formed by bonding a P-type thermoelectric material and an N-type thermoelectric material between metal electrodes. When a temperature difference is provided between the PN junction pair, power is generated by a Seebeck effect, so that the thermoelectric element can function as a power generation device. In addition, the thermoelectric element may be used as a temperature control device due to a Peltier effect in which one side of the PN junction pair is cooled and the other side is heated.
여기서, 상기 펠티어(Peltier) 효과는 외부에서 DC 전압을 가해주었을 때 p타입(p-type) 재료의 정공과 n타입(n-type) 재료의 전자가 이동함으로써 재료 양단에 발열과 흡열을 일으키는 현상이다. 상기 제벡(Seeback) 효과는 외부 열원에서 열을 공급받을 때 전자와 정공이 이동하면서 재료에 전류의 흐름이 생겨 발전(發電)을 일으키는 현상을 말한다.Here, the Peltier effect is caused by the movement of holes of p-type material and electrons of n-type material when a DC voltage is applied from the outside, causing heat generation and absorption of heat at both ends of the material am. The Seebeck effect refers to a phenomenon in which an electric current flows through a material while electrons and holes move when heat is supplied from an external heat source, causing power generation.
이러한 열전소자는 간단한 조작으로 정밀하고 신속한 온도 조절 및 냉각/가열 전환이 가능하여, 고정밀 냉각기/항온기, 광부품 소자, 광학 센서 및 정밀 전자제품에 적용되고 있다. 또한, 열전 모듈은 직류전원의 극성을 바꾸어 줌으로써 하나의 모듈에서 냉각과 가열을 동시에 구현할 수 있기 때문에, 공조장치(Air Handling Unit) 등에도 효과적으로 활용될 수 있다. 그 밖에 예컨대 소형 냉장기, 화장품냉장고, 와인 냉장기, 냉온정수기, 차량용 냉방시트, 반도체 설비, 정밀 항온조 등의 냉각/항온 장치로 이용될 수 있다.These thermoelectric elements enable precise and rapid temperature control and cooling/heating switching with simple manipulation, and are applied to high-precision coolers/thermostats, optical component elements, optical sensors, and precision electronic products. In addition, since the thermoelectric module can simultaneously realize cooling and heating in one module by changing the polarity of DC power, it can be effectively used in an air handling unit or the like. In addition, for example, it can be used as a cooling/constant temperature device such as a small refrigerator, a cosmetic refrigerator, a wine refrigerator, a hot and cold water purifier, a cooling seat for a vehicle, a semiconductor facility, and a precision thermostat.
그리고 열전소자의 전극층에는 터미널 와이어가 본딩으로 연결된다. A terminal wire is connected to the electrode layer of the thermoelectric element by bonding.
하지만 열전소자가 소형화될수록 터미널 와이어 연결로 인한 불량이 발생하기 쉽다. However, as the thermoelectric element is miniaturized, defects due to terminal wire connection are likely to occur.
불량 문제를 해소하기 위해 터미널 와이어 대신 기판에 터미널 패드 부분을 넓게 형성하여 외부 회로와 납땜으로 연결하는 방법이 이용되기도 한다. 하지만 이러한 경우 외부 기판을 넓게 형성해야 하기 때문에 소자의 총 면적이 넓어지고, 면적 대비 성능이 낮아지는 문제점이 있다. In order to solve the defect problem, a method of forming a wide terminal pad portion on a board instead of a terminal wire and connecting it to an external circuit by soldering is sometimes used. However, in this case, since the external substrate must be formed widely, the total area of the device is widened and the area-to-area performance is lowered.
또한, 이러한 문제점을 해결하기 위해 터미널 와이어 대신 포스트(post, 금속 기둥)을 세우 외부 전원에서 와이어 본딩을 연결하는 방법이 이용되기도 한다. In addition, in order to solve this problem, a method of connecting wire bonding from an external power source by erecting a post (metal pillar) instead of a terminal wire is sometimes used.
하지만, 이러한 경우에도 하부 기판이 상부 기판보다 넓게 형성해야 하기 때문에 면적 대비 성능이 낮아지는 문제점이 있다. However, even in this case, since the lower substrate has to be formed wider than the upper substrate, there is a problem in that performance versus area is lowered.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 소형화에 되더라도 터미널 와이어 본딩 불량을 방지할 수 있는 열전소자를 제공하는 것이다.The problem to be solved by the present invention is to provide a thermoelectric element capable of preventing terminal wire bonding failure even if it is miniaturized.
본 발명이 해결하고자 하는 과제는 효율을 향상시킬 수 있는 열전소자를 제공하는 것이다. An object to be solved by the present invention is to provide a thermoelectric element capable of improving efficiency.
본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자는 제1 기판; 상기 제1 기판의 상에 배치된 제1 전극; 상기 제1 전극 상에 배치된 복수의 반도체 소자; 상기 반도체 소자 상 배치된 제2 전극; 상기 제2 전극 상에 배치된 제2 기판; 및 상기 반도체 소자와 상기 제2 기판 사이에 배치되고 상기 제2 기판의 측면까지 연장되어 배치된 터미널 전극;을 포함할 수 있다. A thermoelectric element according to an embodiment of the present invention includes a first substrate; a first electrode disposed on the first substrate; a plurality of semiconductor elements disposed on the first electrode; a second electrode disposed on the semiconductor element; a second substrate disposed on the second electrode; and a terminal electrode disposed between the semiconductor element and the second substrate and extending to a side surface of the second substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자에서, 상기 터미널 전극은 상기 반도체 소자 중 최외곽에 배치된 반도체 소자의 일면에 배치된 전극이 연장될 수 있다. Also, in the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention, the terminal electrode may extend from an electrode disposed on one surface of an outermost semiconductor element among the semiconductor elements.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자에서, 상기 터미널 전극은 "ㄴ"자 형상일 수 있다.Also, in the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention, the terminal electrode may have an “L” shape.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자에서, 상기 터미널 전극은 상기 제1 전극 또는 제2 전극 중 적어도 어느 하나와 동일한 물질을 포함할 수 있다. Also, in the thermoelectric device according to an embodiment of the present invention, the terminal electrode may include the same material as at least one of the first electrode and the second electrode.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자에서, 상기 터미널 전극은 상기 제2 기판의 상면까지 연장될 수 있다. Also, in the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention, the terminal electrode may extend to an upper surface of the second substrate.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자에서, 상기 터미널 전극은 "ㄷ"자 형상일 수 있다. Also, in the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention, the terminal electrode may have a “c” shape.
또한, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자에서, 상기 터미널 전극은 상기 제2 기판의 최외곽 일측에 배치된 제1 터미널 전극와 상기 제2 기판의 최외곽 다른 일측에 배치된 제2 터미널 전극을 포함할 수 있다. In addition, in the thermoelectric element according to an embodiment of the present invention, the terminal electrode includes a first terminal electrode disposed on one outermost side of the second substrate and a second terminal electrode disposed on the other outermost side of the second substrate. can include
본 발명의 실시예에 따르면, 열전소자가 소형화되는 경우에도 터미널 전극을 용이하게 형성할 수 있다. According to an embodiment of the present invention, the terminal electrode can be easily formed even when the thermoelectric element is miniaturized.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 와이어 위치에 반도체 소자를 최소 2개 더 실장할 수 있어 열전 소자의 효율을 향상시킬 수 있다. 대략 3% 정도의 성능을 개선할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, at least two more semiconductor elements can be mounted on the wire, so that the efficiency of the thermoelectric element can be improved. It can improve performance by about 3%.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 상부 기판이 하부 기판의 면적만큼 늘어나고 반도체 소자가 1열 또는 그 이상 실장 될 수 있으므로 소자 면적 대비 냉각 성능 및 효율을 개선할 수 있다. In addition, according to an embodiment of the present invention, since the upper substrate is increased by the area of the lower substrate and semiconductor devices can be mounted in one row or more, cooling performance and efficiency compared to the area of the device can be improved.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자의 평면도를 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자의 사시도를 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 열전소자의 단면도를 나타낸 것이다.
도 5는 종래의 열전소자에서 터미널 와이어 본딩 불량이 발생한 것을 나타낸 것이다.
도 6는 종래의 열전소자의 사시도를 나타낸 것이다.1 is a cross-sectional view of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention.
2 is a plan view of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention.
3 is a perspective view of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention.
4 is a cross-sectional view of a thermoelectric element according to another embodiment of the present invention.
5 shows that a terminal wire bonding defect occurs in a conventional thermoelectric element.
6 is a perspective view of a conventional thermoelectric element.
본 발명은 다양한 변경을 가할 수 있고 여러가지 실시예를 가질 수 있는바, 특정 실시예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.Since the present invention can make various changes and have various embodiments, specific embodiments will be illustrated in the drawings and described in detail in the detailed description. However, this is not intended to limit the present invention to specific embodiments, and should be understood to include all modifications, equivalents, or substitutes included in the spirit and technical scope of the present invention.
제1, 제2 등과 같이 서수를 포함하는 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되지는 않는다.Terms including ordinal numbers, such as first and second, may be used to describe various components, but the components are not limited by the terms.
상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다. 예를 들어, 본 발명의 권리 범위를 벗어나지 않으면서 제2 구성요소는 제1구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제1 구성요소도 제2 구성요소로 명명될 수 있다. 및/또는 이라는 용어는 복수의 관련된 기재된 항목들의 조합 또는 복수의 관련된 기재된 항목들 중의 어느 항목을 포함한다.These terms are only used for the purpose of distinguishing one component from another. For example, a second element may be termed a first element, and similarly, a first element may be termed a second element, without departing from the scope of the present invention. The terms and/or include any combination of a plurality of related recited items or any of a plurality of related recited items.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다.It is understood that when an element is referred to as being "connected" or "connected" to another element, it may be directly connected or connected to the other element, but other elements may exist in the middle. It should be. On the other hand, when an element is referred to as “directly connected” or “directly connected” to another element, it should be understood that no other element exists in the middle.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.Terms used in this application are only used to describe specific embodiments, and are not intended to limit the present invention. Singular expressions include plural expressions unless the context clearly dictates otherwise. In this application, the terms "include" or "have" are intended to designate that there is a feature, number, step, operation, component, part, or combination thereof described in the specification, but one or more other features It should be understood that the presence or addition of numbers, steps, operations, components, parts, or combinations thereof is not precluded.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 출원에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.Unless defined otherwise, all terms used herein, including technical or scientific terms, have the same meaning as commonly understood by one of ordinary skill in the art to which the present invention belongs. Terms such as those defined in commonly used dictionaries should be interpreted as having a meaning consistent with the meaning in the context of the related art, and unless explicitly defined in this application, it should not be interpreted in an ideal or excessively formal meaning. don't
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예를 상세히 설명하되, 도면 부호에 관계없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조 번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.Hereinafter, the embodiments will be described in detail with reference to the accompanying drawings, but the same or corresponding components regardless of reference numerals are given the same reference numerals, and overlapping descriptions thereof will be omitted.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자의 단면도를 나타낸 것이고, 도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자의 평면도를 나타낸 것이다. 도 3은 본 발명의 일 실시예에 따은 열전소자의 사시도를 나타낸 것이다. 1 is a cross-sectional view of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention, and FIG. 2 is a plan view of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention. 3 is a perspective view of a thermoelectric element according to an embodiment of the present invention.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 본 발명의 일 실시예에 따른 열전소자는 제1 기판(10), 제1전극(20), 반도체 소자(30), 및, 제2 전극(40) 및 제2 기판(50)을 포함할 수 있다. 1 to 3, a thermoelectric device according to an embodiment of the present invention includes a
상기 제1 기판(10)과 제2 기판(50)은 서로 마주보며 이격되도록 배치될 수 있다. The
제1 기판(10) 및 제2 기판(50)은 반도체 소자(30)와 제1 전극(20)및 제2 전극(40)을 지지하는 역할을 할 수 있다. 더욱이, 반도체 소자(30)가 다수 개로 구비될 경우, 제1 기판(10) 및 제2 기판(50)은 다수 개의 반도체 소자(30)들을 연결하는 역할을 수행할 수 있다.The
또한, 제1 기판(10) 및 제2 기판(50)은 외부장치와 접합되어 반도체소자(30)의 열교환을 통해 외부로부터 열을 흡열시키거나 외부로 열을 방열시키는 역할을 할 수 있다. 즉, 제1 기판(10) 및 제2 기판(50)은 외부장치와 반도체 소자(30) 간의 열전달을 수행하는 역할을 할 수 있다. 이에 따라, 열전소자의 효율은 기판(10, 50)의 열전도율에 의한 영향을 받을 수 있다. 기판(10, 50)은 열전도율이 높은 세라믹으로 이루어질 수 있다. In addition, the
기판(10, 50)은 우수한 열전도율을 갖는 금속으로 이루어질 수 있다. 예컨대, 기판(10, 50)은 알루미늄 및 구리 등으로 이루어질 수 있다. 금속기판을 사용하여 흡열 및 발열효율 및 박형화를 구현할 수 있도록 할 수 있다. 물론, 제1 기판(10) 및 제2 기판(50)을 금속기판으로 형성하는 경우에는 제1 기판(10) 및 제2 기판(50)에 형성되는 전극층(20, 40)과의 사이에 유전체층(미도시)를 더 포함하여 형성됨이 바람직하다. 상기 유전체층은 열전 소자를 형성하는 공정을 견딜 수 있는 내구성을 갖는 재질로 이루어질 수 있다. 예컨대 유전체층은 Si2, Al2O3, TiO2, Zno, NiO 및 Y2O3 중 어느 하나로 형성될 수 있다. The
금속기판의 경우, Cu 또는 Cu 합금을 적용할 수 있으며, 박형화가 가능한 두께는 0.1mm~0.5mm 범위로 형성이 가능하다. 금속기판의 두께가 0.1mm 보나 얇은 경우나 0.5mm를 초과하는 두께에서는 방열 특성이 지나치게 높거나 열전도율이 너무 높아 열전모듈의 신뢰성이 크게 저하되게 된다. 상기 유전체층의 경우 고방열 성능을 가지는 유전소재로서 냉각용 열전모듈의 열전도도를 고려하면 5~10W/K의 열전도도를 가지는 물질을 사용하며, 두께는 0.01mm~0.15mm의 범위에서 형성될 수 있다. 이 경우, 두께가 0.01mm 미만에서는 절연효율(혹은 내전압 특성)이 크게 저하되며, 0.15mm를 초과하는 경우에는 열전전도도가 낮아져 방열효율이 떨어지게 된다. In the case of the metal substrate, Cu or Cu alloy can be applied, and the thickness that can be thinned can be formed in the range of 0.1 mm to 0.5 mm. When the thickness of the metal substrate is less than 0.1 mm, or when the thickness exceeds 0.5 mm, heat dissipation characteristics are too high or thermal conductivity is too high, so the reliability of the thermoelectric module is greatly reduced. In the case of the dielectric layer, as a dielectric material having high heat dissipation performance, considering the thermal conductivity of the thermoelectric module for cooling, a material having a thermal conductivity of 5 to 10 W/K is used, and the thickness may be formed in the range of 0.01 mm to 0.15 mm. there is. In this case, when the thickness is less than 0.01 mm, insulation efficiency (or withstand voltage characteristics) is greatly reduced, and when the thickness exceeds 0.15 mm, thermal conductivity is lowered and heat dissipation efficiency is lowered.
상기 제1 기판(10)과 제2 기판(50)의 내측면에는 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)이 배치될 수 있다. A
즉, 제1 기판(10)의 상부에는 제1 전극(20)이 배치되고, 제2 기판(50)의 하부에는 제2 전극(40)이 배치될 수 있다. That is, the
상기 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)은 Cu, Ag, Ni 등의 전극재료를 이용하여 반도체 소자(30)를 전기적으로 연결하며, 도시된 단위셀이 다수 연결되는 경우, 도 3에 도시된 것과 같이 인접하는 단위셀과 전기적으로 연결을 형성하게 된다. 제1 전극 및 제2 전극의 두께는 0.01mm~0.3mm의 범위에서 형성될 수 있다. 전극층의 두께가 0.01mm 미만에서는 전극으로서 기능이 떨어져 전기 전도율이 불량하게 되며, 0.3mm를 초과하는 경우에도 저항의 증가로 전도효율이 낮아지게 된다.The
상기 제1 전극(20)과 제2 전극(40)은 지그재그 형태로 배치되어 제1 반도체 소자(31)와 제2 반도체 소자(32)가 직렬 형태로 연결될 수 있도록 한다. The
이때 상기 제1 전극(20)과 제2 전극(40) 중 어느 하나의 전극은 연장되어 기판의 외측면까지 배치될 수 있다. 본 실시예에서는 제2 전극(40)이 연장된 경우를 나타내었다. At this time, any one of the
도시된 바와 같이, 기판(10, 50) 사이에는 다수의 반도체 소자(30)가 배치될 수 있으며, 다수의 반도체 소자는 제1 반도체 소자(31)와 제2 반도체 소자(32)가 쌍을 이루도록 전극이 반도체 소자의 상부 또는 하부에 배치될 수 있다. As shown, a plurality of
즉, 도 3에 도시된 것과 같이 다수의 전극이 분리되어 배치되어 있다. That is, as shown in FIG. 3, a plurality of electrodes are separated and disposed.
이때 다수의 제2 전극(40) 중 최외곽 반도체 소자 상에 배치된 터미널 전극(41)을 포함할 수 있다. 상기 터미널 전극(41)은 다수의 반도체 소자 중 최외곽에 배치된 반도체 소자의 상부에 배치될 수 있다. 그리고 도시된 것과 같이, 터미널 전극(41)은 기판의 일측 및 다른 일측 최외곽에 2개 배치될 수 있다. In this case, the
상기 터미널 전극(41)은 "ㄷ"자 형상일 수 있다. 제2 기판(50)의 하부에 배치된 전극이 연장되어 제2 기판(50)의 상부까지 연장배치될 수 있다. 즉, 제2 기판(50)의 표면을 따라 연장될 수 있다. The
또한 상기 터미널 전극(41)은 "ㄴ"자 형상일 수 있다. Also, the
도 4는 본 발명의 다른 일 실시예로써 터미널 전극(41)이 "ㄴ"자 형상인 경우를 나타낸 것이다. 4 shows a case in which the
도 4를 참조하면, 제2 기판(50)의 하부에 배치된 터미널 전극(41)이 연장되어 제2 기판(50)의 측면까지 연장배치되어 있는 것을 확인할 수 있다. 즉, 제2 기판(50)의 표면까지 연장될 수 있다. Referring to FIG. 4 , it can be seen that the
상기 터미널 전극(41)을 기판의 상부까지 연장하여 배치하는 경우 도 5과 같이 기존의 열전 소자에 배치된 터미널 전극의 위치에 1열 만큼의 열전소재(반도체 소자) 실장이 가능하여 더 큰 열전성능을 내는 열전소자를 구현할 수 있다. When the
상기 전극층(20, 40) 사이에는 반도체 소자(30)가 배치되고 반도체 소자는 솔더에 의해 접합될 수 있다. A
상기 반도체 소자(30)는 제1반도체 소자(31)로서 P형 반도체 와 제2 반도체 소자(32)로서 N형 반도체로 구성될 수 있으며, 상기 제1 반도체 소자(31) 및 상기 제2반도체 소자(32)는 제1 전극(20) 및 제2 전극(40)과 연결되며, 이러한 구조가 다수 형성되며 상기 반도체 소자에 전극을 매개로 전류가 공급되는 회로선(L1, L2)에 의해 펠티어 효과를 구현하게 된다. The
아울러, 열전소자 내의 반도체소자(40)는 P 형 반도체 또는 N 형 반도체 재료를 적용할 수 있다. 이러한 P 형 반도체 또는 N 형 반도체 재료는 상기 N형 반도체소자는, 셀레늄(Se), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In)을 포함한 비스무트텔룰라이드계(BiTe계)로 이루어지는 주원료물질과, 상기 주원료물질의 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 Bi 또는 Te이 혼합된 혼합물을 이용하여 형성할 수 있다. 이를테면, 상기 주원료물질은 Bi-Se-Te 물질로 하고, 여기에 Bi 또는 Te를 Bi-Se-Te 전체 중량의 00.001~1.0wt%에 해당하는 중량을 더 추가하여 형성할 수 있다.즉, Bi-Se-Te의 중량이 100g이 투입되는 경우, 추가로 혼합되는 Bi 또는 Te는 0.001g~1.0g의 범위에서 투입하는 것이 바람직하다. 상술한 바와 같이, 상술한 주원료물질에 추가되는 물질의 중량범위는 0.001wt%~0.1wt% 범위 외에서는 열전도도가 낮아지지 않고 전기전도도는 하락하여 ZT값의 향상을 기대할 수 없다는 점에서 의의를 가진다.In addition, a P-type semiconductor or N-type semiconductor material may be applied to the
상기 P형 반도체 재료는, 안티몬(Sb), 니켈(Ni), 알루미늄(Al), 구리(Cu), 은(Ag), 납(Pb), 붕소(B), 갈륨(Ga), 텔루륨(Te), 비스무트(Bi), 인듐(In)을 포함한 비스무트텔룰라이드계(BiTe계)로 이루어지는 주원료물질과, 상기 주원료물질의 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 Bi 또는 Te이 혼합된 혼합물을 이용하여 형성함이 바람직하다. 이를 테면, 상기 주원료물질은 Bi-Sb-Te 물질로 하고, 여기에 Bi 또는 Te를 Bi-Sb-Te 전체 중량의 0.001~1.0wt%에 해당하는 중량을 더 추가하여 형성할 수 있다. 즉, Bi-Sb-Te의 중량이 100g이 투입되는 경우, 추가로 혼합되는 Bi 또는 Te는 0.001g~1g의 범위에서 투입될 수 있다. 상술한 주원료물질에 추가되는 물질의 중량범위는 0.001wt%~0.1wt% 범위 외에서는 열전도도가 낮아지지 않고 전기전도도는 하락하여 ZT값의 향상을 기대할 수 없다는 점에서 의의를 가진다.The P-type semiconductor material is antimony (Sb), nickel (Ni), aluminum (Al), copper (Cu), silver (Ag), lead (Pb), boron (B), gallium (Ga), tellurium ( A mixture of a main raw material composed of bismuth telluride (BiTe) including Te), bismuth (Bi), and indium (In), and Bi or Te corresponding to 0.001 to 1.0 wt% of the total weight of the main raw material It is preferable to form using For example, the main raw material may be a Bi-Sb-Te material, and Bi or Te may be formed by adding a weight corresponding to 0.001 to 1.0 wt% of the total weight of Bi-Sb-Te. That is, when the weight of Bi-Sb-Te is 100 g, Bi or Te to be additionally mixed may be added in the range of 0.001 g to 1 g. The weight range of the material added to the above-described main raw material is meaningful in that, outside the range of 0.001wt% to 0.1wt%, the thermal conductivity does not decrease and the electrical conductivity decreases, so that an improvement in the ZT value cannot be expected.
단위셀을 이루며 상호 대향 하는 제1 반도체 소자(31) 및 제2 반도체 소자(32)의 형상 및 크기는 동일하게 이루어지나, 이 경우 P 형 반도체소자의 전기전도도와 N 형 반도체 소자의 전기전도도 특성이 서로 달라 냉각효율을 저해하는 요소로 작용하게 되는 점을 고려하여, 어느 한쪽의 체적을 상호 대향 하는 다른 반도체소자의 체적과는 상이하게 형성하여 냉각성능을 개선할 수 있도록 하는 것도 가능하다. The shape and size of the
즉, 상호 대향 하여 배치되는 단위셀의 반도체 소자의 체적을 상이하게 형성하는 것은, 크게 전체적인 형상을 다르게 형성하거나, 동일한 높이를 가지는 반도체소자에서 어느 한쪽의 단면의 직경을 넓게 형성하거나, 동일한 형상의 반도체 소자에서 높이나 단면의 직경을 다르게 하는 방법으로 구현하는 것이 가능하다. 특히 N형 반도체소자의 직경을 P형 반도체소자보다 더 크게 형성하여 체적을 증가시켜 열전효율을 개선할 수 있도록 한다.That is, forming different volumes of semiconductor elements of unit cells disposed facing each other is to form the overall shape differently, to form a wide diameter of either cross section in semiconductor elements having the same height, or to form the same shape In a semiconductor device, it is possible to implement a method in which a height or a diameter of a cross section is different. In particular, the diameter of the N-type semiconductor device is formed to be larger than that of the P-type semiconductor device to increase the volume, thereby improving thermoelectric efficiency.
도 5는 종래 열전소자에서 터미널 와이어에 의한 불량을 나타낸 것이다. 5 shows a defect due to a terminal wire in a conventional thermoelectric element.
A를 참조하며, 터미널 와이어가 레그(반도체 소자)에 연결되어 불량이 발생한 것을 확인할 수 있다. Referring to A, it can be confirmed that the terminal wire is connected to the leg (semiconductor element) and a defect has occurred.
특히, 최근에는 열전소자가 소형화되어 이러한 불량이 발생하기 쉽다. 예를 들어 광통신용 레이저 모듈의 경우 열전소자는 레이저 모듈의 중앙 영역에 배치되는데, 소자가 작아서 터미널 전극 연결이 쉽지 않다. 터미널 전극까지 와이어 본딩을 하려면 각종 부품이 실장되어 있어 와이어 본딩이 쉽지 않다. 이를 위해 종래에는 포스트를 형성하였으나, 포스트를 형성하게 되면 상부기판의 면적이 좁아지고 그 결과 실장될 수 있는 반도체 소자의 수도 줄어들게 된다. In particular, recently, as thermoelectric elements have been miniaturized, such defects are likely to occur. For example, in the case of a laser module for optical communication, a thermoelectric element is disposed in the central area of the laser module, but it is not easy to connect terminal electrodes because the element is small. In order to wire bond up to the terminal electrode, it is not easy to wire bond because various parts are mounted. To this end, posts have been conventionally formed, but when the posts are formed, the area of the upper substrate is narrowed, and as a result, the number of semiconductor elements that can be mounted is reduced.
하지만, 본 발명에서와 같이 전극을 기판 상부까지 연장해서 배치하게 되면 이러한 문제를 해결할 수 있다. However, this problem can be solved by extending the electrode to the top of the substrate as in the present invention.
이상에서 본 발명에 따른 실시예들이 설명되었으나, 이는 예시적인 것에 불과하며, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 범위의 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 다음의 특허청구범위에 의해서 정해져야 할 것이다.Embodiments according to the present invention have been described above, but these are merely examples, and those skilled in the art will understand that various modifications and embodiments of equivalent range are possible therefrom. Therefore, the true technical protection scope of the present invention should be defined by the following claims.
10 : 제1 기판
20 : 제1 전극
30 : 반도체 소자
40 : 제2 전극
50 : 제2 기판10: first substrate
20: first electrode
30: semiconductor element
40: second electrode
50: second substrate
Claims (7)
상기 제1 기판의 상에 배치된 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 배치된 복수의 반도체 소자;
상기 반도체 소자 상 배치된 제2 전극;
상기 제2 전극 상에 배치된 제2 기판; 및
상기 반도체 소자와 상기 제2 기판 사이에 배치되고 상기 제2 기판의 측면을 덮고 상면까지 연장되어 배치된 터미널 전극;을 포함하는 열전소자.
a first substrate;
a first electrode disposed on the first substrate;
a plurality of semiconductor elements disposed on the first electrode;
a second electrode disposed on the semiconductor element;
a second substrate disposed on the second electrode; and
A thermoelectric element comprising: a terminal electrode disposed between the semiconductor element and the second substrate, covering a side surface of the second substrate, and extending to an upper surface of the second substrate.
상기 터미널 전극은 상기 반도체 소자 중 최외곽에 배치된 반도체 소자의 일면에 배치된 전극이 연장된 열전소자.
According to claim 1,
The terminal electrode is a thermoelectric element in which an electrode disposed on one surface of an outermost semiconductor element among the semiconductor elements is extended.
The thermoelectric element according to claim 1, wherein the terminal electrode has a "B" shape.
The thermoelectric device of claim 1 , wherein the terminal electrode includes the same material as at least one of the first electrode and the second electrode.
The thermoelectric element of claim 3 , wherein the terminal electrode extends to an upper surface of the second substrate.
The thermoelectric element according to claim 5, wherein the terminal electrode has a "c" shape.
The thermoelectric element of claim 1 , wherein the terminal electrode includes a first terminal electrode disposed on one side of an outermost side of the second substrate and a second terminal electrode disposed on an outermost side of the second substrate.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020160117270A KR102510123B1 (en) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Thermoelectric element |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020160117270A KR102510123B1 (en) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Thermoelectric element |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20180029409A KR20180029409A (en) | 2018-03-21 |
| KR102510123B1 true KR102510123B1 (en) | 2023-03-14 |
Family
ID=61900714
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020160117270A KR102510123B1 (en) | 2016-09-12 | 2016-09-12 | Thermoelectric element |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR102510123B1 (en) |
Families Citing this family (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN109028374B (en) * | 2016-04-22 | 2020-11-27 | 金华厚米健康科技有限公司 | Household air purification equipment |
| KR102611799B1 (en) * | 2018-06-28 | 2023-12-08 | 유한회사 엔텍코리아 | Smart distribution box for preventing an electric shock |
| KR102654388B1 (en) | 2023-10-27 | 2024-04-04 | 휴먼이엔티 주식회사 | Method for manufacturing lightweight soundproofing panels using waste resources |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110275165A1 (en) * | 2009-03-31 | 2011-11-10 | Fujitsu Limited | Thermoelectric conversion module and method of restoring the same |
-
2016
- 2016-09-12 KR KR1020160117270A patent/KR102510123B1/en active IP Right Grant
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20110275165A1 (en) * | 2009-03-31 | 2011-11-10 | Fujitsu Limited | Thermoelectric conversion module and method of restoring the same |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20180029409A (en) | 2018-03-21 |
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