KR20150103641A - 증발 셀의 재장착 방법 - Google Patents

증발 셀의 재장착 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150103641A
KR20150103641A KR1020150029787A KR20150029787A KR20150103641A KR 20150103641 A KR20150103641 A KR 20150103641A KR 1020150029787 A KR1020150029787 A KR 1020150029787A KR 20150029787 A KR20150029787 A KR 20150029787A KR 20150103641 A KR20150103641 A KR 20150103641A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
evaporation
chamber
crucible
loading
cell
Prior art date
Application number
KR1020150029787A
Other languages
English (en)
Inventor
데이비드 에스티브
프랑크 스뗌멜렌
크리스토프 디 올리베이라
Original Assignee
리베르
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 리베르 filed Critical 리베르
Publication of KR20150103641A publication Critical patent/KR20150103641A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/243—Crucibles for source material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02631—Physical deposition at reduced pressure, e.g. MBE, sputtering, evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/02—Pretreatment of the material to be coated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/26—Vacuum evaporation by resistance or inductive heating of the source
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/54—Controlling or regulating the coating process
    • C23C14/542—Controlling the film thickness or evaporation rate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/564—Means for minimising impurities in the coating chamber such as dust, moisture, residual gases
    • H01L21/203—

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)

Abstract

본 발명은 진공 증착 챔버에 배치된 기판상으로 물질(7)을 증발시키는 증발 셀(10)을 재장전하는 방법에 관한 것으로서, 증발 물질이 들어있는 제1 도가니(110)는 증발 셀의 증발 챔버(100)에 결합되고, 증발 물질의 증기 흐름(116)이 생성되도록 제1 도가니를 증발 조건에 놓이게 하는 증발 수단들(101, 131, 132)이 제공된다.재장전 방법은 증발 챔버로부터 미리 격리된 인접한 장전 챔버(200)에 증발 물질이 들어있는 제2 도가니(120)를 장전하는 단계(여기서, 장전 챔버의 압력은 진공 증착 챔버의 압력보다 실질적으로 더 높다); 제1 도가니의 증발 동안에 장전 챔버 내부의 압력을 증발 챔버의 압력과 비슷한 수준으로 되돌리기 위한 폐쇄 단계; 해체 단계(해체 단계 동안에 제1 도가니가 장전 챔버로 이동한다), 제2 도가니를 증발 챔버에 결합하는 단계 및 제2 도가니를 증발 조건에 놓이게 하는 단계를 포함한다.

Description

증발 셀의 재장전 방법{Method for reloading an evaporation cell}
본 발명은 기판상에 물질을 증발 및 진공 증착시키는 분야에 관한 것이다.
더욱 상세하게는, 본 발명은 진공 증착 챔버에 배치된 기판상에 물질을 증착시키기 위해서, 물질을 증발시키기 위한 증발 셀을 재장전하는 방법에 관한 것이다.
진공 증착 장치는 증발 챔버 안에서 증발되는 반도체 물질 또는 화합물(예를 들면: 실리콘, 비화 갈륨(gallium arsenide), 인화 인듐(indium phosphide) 등), 무기물(예를 들면: 셀레늄(selenium), 안티몬(antimony), 인(phosphorus)), 또는 유기물(예를 들면: 트리스(8-히드록시퀴놀린)알루미늄(tris(8-hydroxyquinoline)aluminum) (Ⅲ) or Alq3, ...)과 같은 물질을 진공 상태로 유지된 증착 챔버에 배치된 기판상에 증착할 수 있다.
상기 장치는 특히 물질을 증발시키기 위한 증발 셀, 증발 물질이 들어 있으며 상기 증발 셀의 증발 챔버에 결합되어 있는 제1 도가니, 증발 챔버의 출구를 통한 물질의 증기 흐름을 생성하기 위해 제1 도가니를 증발 조건에 놓이게 하는 증발 수단을 포함하고, 상기 출구는 진공 증착 챔버 안으로 증기가 주입되도록 인젝터와 연결된다.
거의 연속적인 생산을 보장하기 위해, 많은 양의 증발 물질이 들어있는 고용량 도가니를 사용한 증발 셀을 활용하는 것이 가능하여, 다수의 연속 기판들 상에 물질을 증착하는 것이 가능하다.
그러나, 고용량의 도가니들을 이용하는 경우, 도가니들의 교체를 위해서는, 고온의 도가니를 꺼내고 저온의 도가니를 증발 챔버에 도입함으로 인해 증발 챔버의 열 안전성(thermal stability)의 방해가 일어나지 않도록, 증발 셀을 재장전하기 전에 도가니들이 냉각되기를 기다릴 필요가 있다.
이런 이유로, 증발 셀로부터 제1 도가니를 완전히 해체하기 전에는 증발을 위해 새로운 도가니를 준비할 수 없기 때문에, 증발 셀의 재장전으로 인해 긴 생산 중단이 초래된다.
도가니들의 크기의 함수에 따라 몇 시간에서 여러 날이 될 수 있는 이러한 생산의 중단은 생산율을 감소시키고 기판상에 물질을 증착하는 작업의 비용을 증가시킨다.
연속적인 생산을 보장하기 위해, 2개의 별개의 증발 셀들을 포함하는, 문헌 WO 2006/001205에 기술된 진공 증착 장치가 이용될 수도 있다.
그럼에도 불구하고, 동일한 진공 증착 장치에 여러 증발 셀들을 통합하는 것은 복잡하고 비용이 많이 든다.
종래기술의 전술한 문제점을 개선하기 위해, 본 발명은 이러한 증발 셀을 이용한 진공 증착 장치에 의해 실행되는 증착 방법에서 정지시간을 감소시키거나 심지어 없앨 수 있는 증발 셀을 재장전하는 방법을 제시한다.
이러한 목적을 위해, 본 발명은 진공 상태로 유지된 증착 챔버에 배치된 기판상에 물질을 증착시키기 위해서, 물질을 증발시키기 위한 증발 셀을 재장전하는 방법에 관한 것으로서, 상기 증발 물질이 들어있는 제1 도가니는 상기 증발 셀의 증발 챔버에 결합되고, 상기 증발 챔버의 출구를 통해 물질의 증기 흐름이 생성되도록 상기 제1 도가니를 증발 조건에 놓이게 하는 증발 수단이 제공되고, 상기 출구는 상기 증기를 상기 진공 증착 챔버에 주입하기 위해 인젝터에 연결되고, 상기 재장전 방법은:
- 상기 인접한 증발 챔버로부터 미리 격리된 장전 챔버에 증발 물질이 들어있는 제2 도가니를 장전하는 단계(여기서, 상기 장전 챔버 내부의 압력은 진공 증착 챔버의 내부의 압력보다 실질적으로 더 높다),
- 상기 도입 단계 이후에, 상기 제1 도가니의 증발 동안에 상기 장전 챔버 내부의 압력을 상기 증발 챔버의 압력과 비슷한 수준으로 되돌리기 위해 상기 장전 챔버를 폐쇄하는 단계,
- 상기 폐쇄 단계 이후에, 상기 증발 챔버로부터 상기 제1 도가니를 해체하는 단계(여기서, 해체 단계 동안에 상기 제1 도가니는 상기 증발 챔버로부터 상기 장전 챔버로 이동한다),
- 제1 도가니를 해체하는 상기 단계 이후에, 상기 증발 챔버에 상기 제2 도가니를 결합하는 단계, 및
- 상기 제2 도가니를 결합하는 상기 단계 이후에, 증발 챔버의 상기 출구를 통해 물질의 증기 흐름이 생성되도록 상기 제2 도가니를 증발 조건에 놓이게 하는 단계를 포함한다.
본 발명에 따르면, 상기 제2 도가니를 결합하는 상기 단계 동안에, 상기 장전 챔버는 상기 증발 챔버로부터 그리고 상기 진공 흡착 챔버로부터 격리된다.
제1 도가니와 증발 챔버의 결합에 의해 얻어진 격리로 인해, 본 발명에 따른 재장전 방법은 하나의 증발 챔버 및 하나의 장전 챔버를 가지고 증착 방법의 긴 중단없이 도가니의 신속한 교체를 수행할 수 있게 한다.
실제로, 상기 증발 챔버로부터 미리 격리된 상기 장전 챔버로 인해, 제1 도가니의 해체 단계 이전에, 제1 도가니가 증발 셀에서 증발되는 동안 제2 도가니를 준비하는 것이 가능하다.
장전 방법은 특히 도가니의 빈번한 교체를 요구하는 작은 부피의 도가니들이 사용되는 경우에 적합하다.
뿐만 아니라, 본 발명에 따른 방법의 다른 유리하고 제한적이지 않은 특징들은 다음과 같다:
- 상기 제2 도가니의 장전 단계 동안에, 상기 장전 챔버의 트랩 도어가 개방되고, 상기 제2 도가니는 상기 트랩 도어를 통해 상기 증발 셀의 외부로부터 상기 장전 챔버로 도입된다;
- 상기 폐쇄 단계 동안에, 상기 트랩 도어는 상기 증발 셀의 외부에 대해서 밀폐되고, 상기 장전 챔버 내부에 펌핑이 수행된다;
- 제1 도가니의 상기 해체 단계 동안에, 상기 제1 도가니는 상기 장전 챔버와 상기 증발 챔버를 서로 연통시키는 삽입 개구를 통과하여 상기 증발 챔버로부터 꺼내어지고, 상기 제2 도가니의 상기 결합 단계 동안에, 상기 제2 도가니는 상기 삽입 개구를 통과하여 상기 증발 챔버에 삽입되며, 상기 삽입 개구는 상기 장전 챔버를 상기 증발 챔버로부터 격리시키기 위해 밀폐된다;
- 상기 장전 단계는, 상기 제2 도가니를 상기 증발 챔버에 결합하는 상기 단계 이전에, 상기 제2 도가니를 증발 조건에 놓이게 하는 상기 단계의 시간을 줄이기 위해서 상기 제2 도가니를 상기 장전 챔버에 준비하는 단계를 포함한다;
- 상기 준비 단계는 상기 장전 챔버의 상기 제2 도가니를 소정의 예열 온도까지 예열하는 단계를 포함한다.
본 발명의 실시예들은 도면들을 참조하여 상세하게 기술될 것이다.
도 1은 증발 셀과 진공 증착 챔버를 포함하는 본 발명의 일 실시예에 따른 진공 증착 장치의 전체를 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 2a는 가득 차있는 제1 도가니가 결합된 증발 챔버 및 비어있는 도가니를 구비한 인접한 장전 챔버를 포함하는 증발 셀의 제1 예를 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 2b는 도 2a의 영역 Ⅱ를 도시한 상세도이다.
도 3은 장전 챔버를 가득 차있는 제2 도가니로 초기 장전시, 도 2a의 증발 셀을 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 4는 제1 도가니에서 증발이 이루어지는 동안, 도 2a의 증발 셀을 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 5는 비어있는 제1 도가니를 진공 챔버에서 해체하기 전에, 도 2a의 증발 셀을 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 6은 비어있는 제1 도가니를 증발 챔버에서 해체한 후에, 도 2a의 증발 셀을 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 7은 가득 차있는 제2 도가니를 증발 챔버에 결합하기 전에, 도 2a의 증발 셀을 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 8은 제2 도가니를 조정하는 단계 동안에, 제2 도가니를 증발 챔버에 결합 후에, 도 2a의 증발 셀을 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 9a는 증발 셀의 제2 예를 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
도 9b는 도 9a의 증발 셀의 증발 챔버와 장전 챔버 사이의 삽입 개구를 폐쇄하는 수단을 나타내는, 도 9a의 영역 Ⅸ를 도시한 상세도이다.
도 10은 증발 챔버와 인젝터 사이의 기밀 밸브를 포함하는 증발 셀의 제3 예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 11은 증발 챔버의 외피가 진공 증착 챔버와 격리되어 있는 도 10의 증발 셀의 제3 예에 대한 변형 예를 개략적으로 도시한 도면이다.
도 12는 2개의 별개의 증발 챔버들을 포함하는 증발 셀의 제4 예를 개략적으로 도시한 도면이다.
다음의 개시에서, "최상부(top)" 및 "최하부(bottom)"라는 용어는 진공 증착 장치가 설치되는 공간에 관하여 수직방향과 관련되어 사용될 것이고, 최상부는 공간의 천장에 향해진 측을 나타내고 최하부는 바닥에 향해진 측을 나타낸다. 마찬가지로, "하부(lower)" 및 "상부(upper)"라는 용어는 각각 최하부 및 최상부에 향해진 측을 나타낼 것이다.
도 1은 한편에는 증발 셀(10)을 다른 한편에는 진공 증착 챔버(20)를 포함하는 진공 증착 장치(1)의 전체를 개략적으로 도시한 수직면에서의 단면도이다.
일반적으로, 진공 증착 장치(1)의 증발 셀(10)은 진공 증착 챔버(20)에, 여기서는 진공 증착 챔버의 최하부(23)에 배치된 기판(2) 상에 물질을 증착시키기 위해, 물질을 증발시키기 위한 것이다.
이하에서 증발 셀(10)이 상기 물질의 상류의 증기 흐름(3)을 생성하도록 구성되고, 상류의 증기 흐름(3)은 인젝션 덕트(14)에 의해 증발 셀(10)로부터 진공 증착 챔버(20)의 최상부(22)에 위치한 인젝터(13)로 이송된다는 것을 알 수 있다.
증발 셀(10)과 진공 증착 챔버(20)는 인젝션 덕트(14)가 통과하는 관형 커넥터(5)에 의해 서로 연결된다.
증발 셀(10)의 인젝터(13)는 인젝션 덕트(14)에 의해 이송된 물질의 증기를, 기판(2)을 향하여 하방을 향하고 있는 하류의 증기 흐름(4)을 따라 진공 증착 챔버(20)로 주입하여, 물질이 인젝터(13)를 향하는 기판(2)의 상부면(2A) 상에 증착된다.
인젝터(13)는 기판(2)을 향하는 하류의 증기 흐름(4)의 특징들을, 예를 들면 하류의 증기 흐름의 유량(flow rate) 또는 공간 분포(spatial distribution)를 최적화하도록 구성되어, 기판(2)의 상부면(2A)에 증착된 물질의 층은 의도된 적용(application) 함수에 따라 두께, 표면의 상태, 전도성 등과 같은 요구 특성들을 갖는다.
인젝터(13)의 내부에는 인젝터(13) 내부의 물질의 증기가 응축되는 것을 방지하기 위해, 인젝터의 양호한 작동과 타협할 수 있는 특정의 가열 수단(미도시)이 제공된다.
진공 증착 챔버(20)의 내부에 진공을 만들고 유지하기 위해, 진공 증착 장치(1)는 진공 증착 챔버(20)와 연결된 펌핑 수단(6)을 포함하고, 펌핑 수단의 펌핌 용량은 진공 증착 챔버(20)의 내부 부피(29)의 함수에 따라 조절된다.
여기서 이 펌핑 수단(6)은 진공 증착 챔버(20) 내부의 압력 수준을 10-3 ~ 10-8 Torr로 떨어뜨리는 터보 분자 펌프(turbo molecular pump) 또는 저온 펌프(cryogenic pump)를 포함한다.
인젝터(13)를 향하여 상류의 증기 흐름(3)을 생성하기 위한 증발 셀(10)의 제1 예가 도 2 내지 9b를 참조하여 기술될 것이다. 준 연속으로, 즉, 상류의 증기 흐름(3)의 생산 정지시간을 제한하여, 이 증발 셀(10)을 활용 가능하게 하는 본 발명에 따른 재장전 방법이 또한 기술될 것이다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 먼저 진공 증착 장치(1)의 증발 셀(10)은, 여기서는 대체로 원통 형상이고 측벽(11A), 상부 벽(11B)(또는 "지붕") 및 하부 벽(11C)(또는 "바닥")을 구비한 외피(11)를 포함한다.
물질의 증기가 증발 셀(10)의 차가운 부분들에서 응축되는 것을 방지하기 위해, 외피(11)의 측벽(11A) 및 상부 벽(11B)의, 그리고 또한 관형 커넥터(5)의 내면들에는, 가열 요소들이, 예를 들면 외피(11)의 내부 공간(19)을, 특히 인젝션 덕트(14)를 실질적으로 균일하게 가열하기 위한 가열 저항들(16)이 제공된다.
측벽(11A), 상부 벽(11B), 그리고 또한 관형 커넥터(5)의 외면들에는 냉각 요소들(미도시)이, 예를 들면 냉수 코일들이 제공되어, 증발 셀(10)의 외피(11)가 외측에서 내측까지 냉각된다.
가열 요소들(16)과 냉각 요소들 사이에는, 예를 들면 내화물로 만들어진 복사 차폐물(radiative shield)이 삽입되어, 가열 및 냉각이 각각 독립적으로 이루어져 효율적이다.
측벽(11A)은 개구(11D)를 포함하고, 증발 셀(10)과 진공 증착 장치(1)의 진공 증착 챔버(20)를 연결하기 위해 관형 커넥터(5)가 상기 개구로부터 외측으로 연장된다.
(도 1 내지 10, 12에 공통된) 이러한 구성에서, 외피(11)와 진공 증착 챔버(20)는 서로 연통되고 동일한 진공을 공유하여, 진공 증착 챔버(20) 내부에 진공이 형성될 때, 증발 셀(10)의 외피(11)의 내부에도 역시 진공이 형성된다. 이에 따라, 외피(11)의 압력 수준은 진공 증착 챔버(20)의 압력 수준과 같다.
변형 예로서, 도 11에 도시된 바와 같이, 증발 셀(10)의 관형 커넥터(5)와 인젝션 덕트(14) 사이에 기밀 용접부(18)가 제공될 수 있어, 증발 셀(10)의 외피(11)는 진공 증착 챔버(20)와 동일한 진공을 공유하지 않는다. 이 경우에, 증발 셀(10)은 외피(11)의 내부 공간(19)을 펌핑하여 10-2 ~ 10-3 Torr 범위의 수준으로 압력을 떨어뜨리기 위한 전용의 밀폐 펌프(19A; enclosure pump)를 포함한다.
도 2a 및 2b에서 볼 수 있는 바와 같이, 이하에서 삽입 개구(12)라 불리는 개구는 외피(11)의 하부 벽(11C)에서 절개된다.
이 삽입 개구(12)는 내측 엣지(12A)를 구비하며, 이 내측 엣지는 여기서는 원형이고 외피(11)의 내부로, 증발 셀(10)의 증발 챔버(100)를 향하여 삽입 개구 위로 연장된다.
증발 챔버(100)는 기밀 벽에 의해 범위가 정해지고, 기밀 벽은 한편으로는 삽입 개구(12)와 동축인 원통형 몸체(101)를 포함하고 다른 한편으로는 증발 챔버(100)의 출구(103)까지 몸체(101)와 이어지는 원뿔대 형상의 목부(neck)(102)를 포함한다.
증발 챔버(100)의 이 몸체(101)는 삽입 개구(12)의 내측 엣지(12A)를 따라 막힘없이 연장된 하부 엣지(101A)를 구비한다. 하부 엣지(101A)는 증발 셀(10)의 외피(11)의 하부 벽(11C)에 밀폐 고정되어, 증발 셀(10)의 외피(11)의 내부 공간(19)은 증발 챔버(100)의 내부 공간(104)과 연통되지 않는다.
증발 챔버(100)의 출구(103)는, 여기서 상기 출구(103)에 굴곡부(14A)를 형성하는, 증발 셀(10)의 인젝션 덕트(14)와 기밀하게 연결된다. 기밀 연결은 예를 들면 용접을 통해 만들어질 수 있다.
증발 셀(10)의 증발 챔버(100)는 제1 도가니(110)(도 2a 참조)와 제2 도가니(120)(도 3 참조)와 같은 도가니를 수용하기 위한 것이다. 이 도가니들(110, 120)은 증발 챔버(100)에 수용될 수 있도록 조정된 형상들과 크기들을 가진다.
바람직하게는, 도가니들(110, 120)은 1리터(L)보다 작은, 바람직하게는 0.5L보다 작은, 예를 들면 0.33L와 동일한 작은 부피 용량(volume capacity)을 가진다.
도가니들은 대체로 병 모양이고, 바닥(115, 125)에 의해 하방이 폐쇄되고 도가니(110, 120)의 개구(113, 123)의 범위를 정하는 목부(112, 122)에서 상방으로 좁아지는 측벽(111, 121)을 포함한다.
도가니들(110, 120)은 바람직하게는 양호한 적외선 투과성 및 고온 저항성을 갖는 소재로부터 단일 부품으로 만들어진다. 도가니들(110, 120)은, 예를 들면 열분해성 질화 붕소(pyrolytic boron nitride) 또는 PBN과 같은 세라믹 소재, 또는 석영과 같은 유리 형태의 소재로 만들어질 수 있다.
도가니들은 증발 물질(7)을 채우기 위한 것이고, 여기서 물질(7)은 액체 형채, 분말 형태, 또는 심지어 주괴(ingot) 형태일 수 있다.
도가니(도 3의 제1 도가니(110)의 경우, 도 8의 제2 도가니(120)의 경우)가 증발 챔버와 결합될 때, 즉 도가니가 증발 챔버(100)의 내부 공간(104) 안에 수용될 때, 도가니의 측벽(111, 121)은 증발 챔버(100)의 몸체(101)와 대면한다.
증발 챔버(100)와 결합된 도가니(110, 120)가 증발 상태에 놓이도록 하기 위해, 증발 셀은 또한 상기 도가니(110, 120)를 수용하는 증발 챔버(100)의 주변에 배치된 증발 수단을 포함한다.
도 2 내지 12에 기술된 모든 예들에서, 이 증발 수단은 먼저, 증발 챔버(100)를 둘러싸고 외피(11)의 바닥(11C)으로부터 연장되며 증발 챔버의 목부(102)까지 증발 챔버(100)의 몸체(101)와 실질적으로 평행한 전기 저항들(131)을 포함한다.
이 전기 저항들(131)은 전원이 공급되고 고온으로 가열되어 근본적으로 적외선과 같은 열을 방사한다.
변형 예로서, 증발 수단은 증발 챔버에 결합된 도가니를 직접 조사하도록 증발 챔버의 몸체 측으로 증발 챔버의 내부 공간에 바로 배치된 적외선 램프들을 포함할 수 있다.
증발 수단은 또한 외피(11) 내부에 위치하고 증발 챔버(100)의 몸체(101)와 전기 저항들(131) 사이에 개재된 열 차폐물(132)을 포함한다.
도 9b에 잘 도시된 바와 같이, 열 차폐물(132)은 "망원경(telescopic)" 형태이고, 여기서는 원통 형상이고 서로 동축을 갖는 5개의 이동 요소들(132A, 132B, 132C, 132D, 132E)을 포함하고, 이동 요소들은 서로 끼워져서 열 차폐물(132)의 높이가 자유롭게 조절될 수 있다.
예를 들면, 도 2A는 모든 이동 요소들(132A, 132B, 132C, 132D, 132E)이 연장된 경우에 최대 높이의 열 차폐물(132)을 나타낸다. 도 6은 모든 이동 요소들(132A, 132B, 132C, 132D, 132E)이 서로 끼워진 경우에 열 차폐물(132, 230)을 나타낸다.
이동 요소들(132A, 132B, 132C, 132D, 132E)은 여기서는 같은 소재로, 예를 들면 스틸이나 알루미늄과 같은 금속 소재로 만들어진 원통으로 형성된다.
변형 예로서, 이동 요소들은 예를 들면 석영, 유리 또는 실리카로 만들어진 원통들로 구성될 수 있고, 전기 저항들을 마주하는 원통들의 외면은 전기 저항들에 의해 방출된 열 복사를 반사하는 층으로, 예를 들면 은, 알루미늄 또는 금 층과 같은 금속 층으로 코팅된다.
증발 수단은 또한 열 차폐물(132)의 높이를 조절하기 위해 이동 요소들(132A, 132B, 132C, 132D, 132E)을 서로에 대해 슬라이딩시키는 작동 수단을 포함한다.
도 2 내지 12에서 이동 요소들(132A, 132B, 132C, 132D, 132E)은 5개이고 모두 동일한 높이를 갖지만, 변형 예로서, 증발 수단은 더 많거나 더 적은 수의 이동 요소들을 포함하고 이동 요소들은 서로 다른 높이들인 것이 고려될 수 있다. 이것은 특히 열 차폐물의 높이를 증발 챔버의 높이에 맞추고 이 높이를 거의 정확하게 조절하는데 유리할 수 있다.
마지막으로 증발 수단은 여기서는, 전기 저항들(131)에 의해 방출된 적외선을 전달하도록 선택된 투명 벽을 갖는, 증발 챔버(100)의 원통형 몸체(101)를 포함한다.
외피(11) 내부의 압력 상태에서는, 외피(11) 내부의 진공으로 인해 대류 열교환이 심하게 제한되기 때문에, 전기 저항들(131)과, 증발 챔버(100)와 결합된 도가니(110, 120)의 몸체(111, 121) 사이의 열교환이 본질적으로 복사에 의해 일어난다.
투명 벽은, 가능하다면 투명 벽의 적외선 전달을 향상시키는 층으로 코팅된, 예를 들면 석영, 유리 또는 실리카로 만들어진 중공의 원통체로 형성될 수 있다.
따라서, 전기 저항들(131)과, 증발 챔버(100)의 몸체(101)의 이 투명 벽 사이에 배열된 열 차폐물(132)은 전기 저항들(131)에 의해 증발 챔버(100)에 위치한 도가니(110, 120)의 몸체(111, 121) 쪽으로 조사된 적외선을 위한 거울로서 역할을 할 수 있다.
따라서, 열 차폐물(132)로 인해, 전기 저항들(131)의 전부 또는 일부가 개방될 수 있어, 도가니들(110, 120)의 상부(114, 124)에 들어있는 물질(7)의 일부만이 전기 저항들에 의해 방출된 복사를 받게 되고, 증발 챔버의 압력의 함수에 따라 가열되어, 물질을 증발시킬 수 있는 가열 온도로 된다.
또한, 이동 요소들(132A, 132B, 132C, 132D, 132E)을 슬라이딩시키는 작동 수단으로 인해, 도가니들(110, 120)의 개구들(113, 123)을 통한 증기 흐름(116, 126)(도 4 및 8 참조)을 실시간으로 조절하기 위해 열 차폐물(132)의 높이를 정교하게 조절할 수 있다.
특히, 도가니들(110, 120)에 들어있는 물질(7)의 증발 내내 증기 흐름(116, 126)이 실질적으로 일정한 증발 조건을 얻는 것이 가능하다. 이것은 진공 증착 챔버(20)에 배치된 기판(2) 상에 균일한 층을 증착하는데 특히 유리한 것으로 밝혀졌다.
증발 챔버(100)에 위치된 도가니들(110, 120)을 가열하는 증발 수단들(131, 132, 101)로 인해 발생한 물질(7)의 증기 흐름(116, 126)은 증발 챔버(100)의 출구(103)를 통과하고, 그리고 나서 증발 셀(10)의 인젝션 덕트(14)를 따라 인젝터(13)까지 이송되며, 앞에서 알 수 있는 바와 같이 상기 인젝터(13)는 진공 증착 챔버(20)에 배치된 기판(2)을 향하여 상류의 증기 흐름(4)을 생성한다.
도 2 내지 12에 도시된 바와 같이, 증발 셀(10)은 또한 증발 챔버(100)에 인접하고 여기에서는 증발 셀(10)의 외피(11) 아래에 위치한 장전 챔버(200)를 포함한다.
이 장전 챔버(200)는 폐쇄 외피(202)에 의해 범위가 정해지고, 트랩 도어(201)(trap door)를 포함하며, 트랩 도어는:
- 개방 위치에서는, 장전 챔버(200)의 내부 공간(209)이 증발 셀(10)의 외부와, 예를 들면 진공 증착 장치(1)가 저장된 공간과 연통되도록 하고, 그리고
- 폐쇄 위치에서는, 장전 챔버(200)의 내부 공간(209)을 증발 셀(10)의 외부와 격리되도록 한다.
유리하게는, 증발 셀은 장전 챔버의 상류측에 장전 챔버에 인접하게 제공될 수 있고, 락 챔버(lock chamber)는 예를 들면 대기에 가까운 압력의 불활성 가스를 통해 중성 대기(neutral atmosphere)하에 놓여진다. 이 락 챔버는 장전 챔버에 도입되기 위한 도가니들을, 예를 들면 유기물과 같이 자유 공기에 의해 산화된 물질로 채울 수 있게 한다.
증발 셀(10)의 외피(11)에 관해서 말하면, 폐쇄 외피(202)의 내면들에는, 도가니들(110, 120) 등을 포함할 수 있는 장전 외피의 내부 공간(209)을 실질적으로 균일하게 가열하기 위한 가열 요소들이, 예를 들면 가열 저항들(206)이, 특히 서로 다른 요소들이 제공된다.
장전 챔버(200)의 폐쇄 외피(202)는 상부 벽에, 증발 챔버(100)를 구비한 삽입 개구(12)의 맞은편에 위치한 개구를 포함하여, 장전 챔버(200)는 삽입 개구가 폐쇄되지 않은 경우에 이 삽입 개구(12)를 통해 증발 챔버(100)와 연통된다.
또한 장전 챔버(200)는, 예를 들면 장전 챔버가 트랩 도어(201)의 개구를 통해 다시 공기가 통하게 되었을 때, 상기 장전 챔버(200)를 진공으로 만들기 위해 펌핑 덕트(221)를 통해 폐쇄 외피(202)에 연결된 추가 펌프(222)를 포함한다.
또한 장전 챔버(200)에는, 여기에서는 캐러셀(carrousel) 및 피스톤(piston) 시스템인 도가니 장전 및 재장전 수단(110, 120)이 제공된다.
더 상세하게는, 먼저 장전 챔버(200)는 피스톤(212A)을 구비하고, 피스톤의 상단에는 제1 도가니(100) 또는 제2 도가니(120)를 수용하기 위한 플레이트(212)가 고정된다.
피스톤(212A)은 수직방향으로 병진 이동하여, 플레이트(211)는:
- 플레이트(212)가 폐쇄 외피(202)의 하부 벽에 가까이 있는 ""최하부" 위치(도 2, 6 및 7의 경우), 및
- 플레이트(212)가 증발 셀(10)의 삽입 개구(12)에 위치하는 "최상부" 위치(도 3, 4, 5, 8, 10, 11 및 12의 경우) 사이에서, 피스톤(212A)의 축을 따라 상하로 이동할 수 있다.
최하부 위치는 도가니(110, 120)를 구비한 플레이트(212)의 장전 및 재장전을 가능하게 한다.
일단 도가니(110, 120)가 플레이트(212) 상의 적소에 배치되면, 플레이트는 피스톤(212A)에 의해 수직방향으로 올라갈 수 있고, 따라서 플레이트는 도가니(110, 120)가 증발 셀(10)의 삽입 개구(12)를 통과하여 증발 챔버(100)에 결합되도록 한다.
또한 장전 챔버(200)는 회전축(211A)에 장착된 회전판(211)을 포함하고, 회전축(211A)은 회전판(211)이 회전되도록 한다.
이 회전판(211)은 플레이트(212) 상에 도가니를 장전하고 플레이트로부터 도가니를 꺼내기 위해서 도가니(110, 120)를 수용하기 위한 것이다.
회전판(211)과 플레이트(212)의 시스템은 주어진 수의 도가니들에 대하여 감소된 크기를 제공하기 때문에 특히 바람직하다. 따라서, 장전 챔버(200)의 크기 및 장전 챔버(200)에 연결된 추가 펌프(222)의 펌핑 용량이 제한될 수 있다.
도 2B에 도시된 바와 같이, 증발 셀(10)과 장전 챔버(200) 사이에 배치된 열 차폐 수단이 제공된다.
더 자세하게는, 열 차폐 수단은 여기에서는 외피(11)의 하부 벽(11C)을 장전 챔버(200)의 상부 벽에 부착 가능하게 하는 연결 플랜지(17)를 포함한다. 이 연결 플랜지(17)는 삽입 개구(12)와 동축인 연결 개구(17A)를 구비하고, 냉각액(물, 질소 등...)을 순환시키는 코일망(17B)을 포함한다.
이 연결 플랜지(17)는 특히 증발 챔버(100)를 장전 챔버(200)로부터 열적으로 격리시키고, 증발 셀(10)의 서로 다른 가열 수단들(16)에 의해 방출된 열이 장전 챔버(200)에 배치된 도가니(110, 120)에 부정적인 영향을 주는 것을 피할 수 있게 하고, 그리고 반대로 또한 증발 중에 도가니(110, 120)의 온도 구배(thermal gradient)를 불안정하게 하지 않도록 한다.
이와 같이, 도가니가 고온일 때, 도가니의 냉각되는 것을 기다리지 않고 "고온 상태하에서" 증발 챔버(100)로부터 도가니(110)를 꺼내는 것이 가능하다. 그리고나서, 제2 도가니(120)는 제1 도가니(110)가 꺼내진 후에 바로 증발 챔버(100)로 도입될 수 있고, 이 제2 도가니(120)가 일정 온도가 된 후에 바로 증발이 재개될 수 있다.
또한, 열 차폐 수단(17)으로 인해, 제1 도가니(110)를 가열하는 증발 수단들(131, 132)에 의해 방출된 열에도 불구하고, 제1 도가니(110)가 증발되는 중에 제2 도가니(120)를 장전 챔버(200)에 장전하는 것이 가능하다. 방출된 이 열은 장전 챔버(200)에 위치한 제2 도가니(120)에 현저하지 않고 유해하지 않은 영향을 미친다. 특히, 도가니(120)에 있는 증발 물질(7)의 온도는 물질(7)의 증발 온도보다 낮은 상태에 있다.
본 발명에 따른 장전 방법을 수행하기 위해, 마지막으로 증발 셀(10)의 삽입 개구(12)를 폐쇄하는 수단이 존재하고, 이 수단은 유리하게는 도가니(110, 120)가 증발 챔버와 결합될 때 작동된다.
도 2 내지 8, 10 내지 12에 도시된 예시적인 실시예들에서, 이 폐쇄 수단은 도가니(110, 120)의 바닥(115, 125)에 인접한 도가니의 하부에서 도가니들(110, 120)의 측벽(111, 212)을 따라 고정된 오링 조인트(117, 127)를 포함한다.
조인트(117, 127)의 외경은, 도가니(110, 120)가 장전 챔버(200)의 피스톤(212A)과 플레이트(212)를 이용하여 증발 챔버(100)에 삽입될 때, 조인트(117, 127)가 증발 챔버(100)의 몸체(101)에 접촉하도록 선택된다.
이와 같이, 도가니(110, 120)가 증발 챔버(100) 내부에 장전될 때, 조인트(117, 127)는 장전 챔버(200)에 대하여 증발 챔버(100)의 기밀이 보장될 수 있게 한다.
다시 말하면, 도가니들(110, 120)에 제공된 조인트(117, 127)로 인해, 도가니(110, 120)가 증발 챔버(100)와 결합될 때, 증발 챔버(100)에 대해서 장전 챔버(200)를 격리시키는 것이 가능하다.
도 9a 및 9b에 도시된 또 다른 예시적인 실시예에서, 폐쇄 수단은 플레이트(212)의 주변 엣지에 부착된 조인트(212B)를 포함한다.
앞에서와 같은 방식으로, 조인트(212B)의 외경은, 도가니(도 9a 및 9b의 경우 제1 도가니(110))가 장전 챔버(200)의 피스톤(212A)과 플레이트(212)를 이용하여 증발 챔버(100)에 삽입될 때, 조인트(212B)는 증발 셀(10)의 삽입 개구(12)를 밀폐하기 위해 증발 챔버(100)의 몸체(101)와 접촉하도록 선택된다.
도 10에 도시된 바와 같이, 증발 셀(10)의 인젝션 덕트(14)에 배치된 밸브(17)가 또한 제공될 수 있다.
유리하게는, 이 밸브(17)는 예를 들면 2개의 개방 및 폐쇄 위치를 갖는 "완전 개방 또는 완전 폐쇄(all or nothing)" 밸브일 수 있고, 이 밸브는 폐쇄 위치에서, 증발 챔버(100)가 비어있을 때, 저온의 증기 흐름이 증발 챔버를 향하여 되돌아와서 장전 챔버(200)를 향하여 이동함으로써 장전 외피(202)의 하부 벽에 응축되는 것을 방지할 수 있게 한다.
변형 예로서, 인젝션 덕트에 직렬로 배치된 2개의 밸브들: "완전 개방 및 완전 폐쇄" 형태의 제1 기밀 밸브 및 제1 기밀 밸브의 하류측에 있는 제2 조정 밸브가 제공될 수 있다.
증발 챔버의 출구에서의 증기 흐름의 유량이 증발 수단에 의해 조절되지만, 이 조정 밸브가 또한 물질(7)의 증기 유량을 더욱 정교하게 조절할 수 있게 한다.
바람직하게는, 이 밸브들은, 밸브들의 응축 문제를 방지하기 위해 증발 셀의 사용 중에 가열되도록 증발 셀(10)의 외피(11) 안에 배치된다.
진공 증착 장치(1)의 증발 셀(10)을 장전하는 방법의 실행 예가 도 2 내지 8을 참조하여 기술될 것이다.
이하의 설명은 진공 증착 장치(1)의 정지시간을 줄이는 상기 장전 방법의 이점을 이해할 수 있게 할 것이다.
여기에서는, 도 2a에 도시된 바와 같이, 진공 증착 장치(1)가 작동 중이고,
- 제1 도가니(110)가 증발 셀(10)의 증발 챔버(100)와 결합되고 증발 수단들(131, 132)에 의해 가열되어, 증발 챔버(100)의 출구(103)를 통해 증기 흐름(116)이 생성되며, 그리고
- 내용물이 이미 증발된 이전의 도가니(130)가 장전 챔버(200)의 내부에 있는 것을 착안할 수 있다.
이때, 앞에서 설명한 바와 같이, 진공 증착 챔버(20), 진공 증착 챔버(20)와 직접 연통하는 외피(11) 및 증발 챔버(100)는 10-3 ~ 10-8 Torr를 포함하는 진공 수준에 가까운, 실질적으로 같은 압력이다.
증발 셀(10)의 증발 챔버(100)와 결합된 제1 도가니(110)는 조인트(117)에 의해, 장전 챔버(200)가 인접한 증발 챔버(100) 및 진공 증착 챔버(20)에 대해서 격리되도록 한다.
따라서, 진공 증착 챔버(20)의 진공에 영향을 주지 않고 장전 챔버(200)에 다시 공기를 통하게 하는 것이 가능하다.
이러한 이유로, 방법의 장전 단계에서, 장전 챔버(200)의 트랩 도어(201)는 앞서 비어있는 도가니(130)를 꺼내기 위해 개방된다. 그러면, 장전 챔버(200)의 압력은 전형적으로 1기압에 가까운 진공 증착 챔버(20) 내부의 압력보다 실질적으로 더 높다.
그리고나서, 증발 셀(10)의 외측으로부터, 가능하다면 일반적으로 "글로브 박스(glove box)"라고 불리는 락 챔버로부터, 중성 대기하에서 트랩 도어(201)를 통해 장전 챔버(200) 내부에 제2 도가니(120)가 도입되고, 이 제2 도가니(120)는 장전 챔버(200)의 회전판(211) 상에 배치된다.
제2 도가니(120)를 장전 챔버(200)에 도입하는 단계 이후에, 장전 챔버(200)를 폐쇄하는 단계가 수행된다.
폐쇄 단계(confinement step)는 제1 도가니(110)의 증발 중에 장전 챔버(200) 내부의 압력을 증발 챔버(100)의 압력과 비슷한 수준으로, 즉 대략 10-3 ~ 10-8 Torr로 되돌리기 위한 것이다.
이 폐쇄 단계 동안에, 장전 챔버의 트랩 도어(201)는 증발 셀(10)의 외부에 대해서 밀폐되고, 추가 펌프(222)로 인해, 장전 챔버(200)의 내부는 앞에서 언급한 압력 수준에 도달하도록 펌핑된다.
장전 챔버(200) 및 증발 챔버(100)의 압력 수준들은 비슷하여, 제1 도가니(110)를 지지하는 플레이트(212)는 큼 힘을 들이지 않고 파손의 위험 없이 꺼내어질 수 있다.
장전 및 폐쇄 단계 동안에, 전기 저항들(131) 및 열 차폐물(132)로 가열된 제1 도가니(110)에 의해 생성된 증기 흐름(116)은 멈추지 않고, 따라서 제1 도가니(110) 안에 있는 물질(7)의 높이는 제1 도가니(110)가 비어있을 때(도 5의 경우)까지 또는 제1 도가니(110)에 있는 물질(7)의 높이가 소정의 최소 한계선보다 아래가 될 때까지 낮아진다(도 3 및 4의 경우).
그리고나서 제1 도가니(110)는, 제1 도가니(110)가 증발 챔버(100)로부터 장전 챔버(200)를 향하여 이동할 수 있게 하는 피스톤(212A)의 하방 작동에 의해 증발 챔버(100)로부터 해체될 수 있다.
즉, 해체 단계 동안에, 제1 도가니(110)는, 장전 챔버(200)를 증발 챔버(100)와 연통시키는 증발 셀(10)의 삽입 개구(12)를 통과함에 따라 증발 챔버(100)로부터 꺼내어진다.
이 상황은 도 6에 도시되고, 여기서 플레이트(212)에 지지된 비어있는 제1 도가니(110)는 최하부 위치에 있고, 가득 차있는 제2 도가니(120)는 장전 회전판(211) 상에 있다.
회전판(211)의 회전에 의해(도 7 참조), 제1 도가니(110)와 제2 도가니(120)의 위치를 바꾸는 것이 가능하여, 제2 도가니(120)는 장전 챔버(200)의 플레이트(212) 상에 위치된다.
그러면 제2 도가니(120)는 피스톤(212A)의 상방 작동에 의해 증발 챔버(100)와 결합될 수 있다.
그리고나서 제2 도가니(120)는 삽입 개구(12)를 통해 증발 챔버(100)에 삽입된다(도 8 참조).
여기서, 제2 도가니(120)의 몸체(121)에 부착된 조인트(127)로 인해, 제2 도가니의 결합 단계는 삽입 개구(12)를 밀폐시켜, 이 결합 단계에 의해 증발 셀의 증발 챔버(100)에 대해서 그리고 또한 진공 증착 장치(1)의 진공 증착 챔버(20)에 대해서 장전 챔버(200)를 격리되게 한다는 것을 알 수 있을 것이다.
제1 도가니(110)에 대해서 전술한 바와 같이, 제2 도가니(120)의 결합에 의해 격리가 이루어지면, 증발 셀(20)을 재장전하기 위해, 장전 챔버(200)에서 제1 도가니(110)를 꺼내고, 예를 들면 하나 또는 여러 개의 가득 차있는 새 도가니를 도입하는 것이 가능하다.
일단 증발 챔버(100)가 결합되면(도 8 참조), 제2 도가니(120)는 증발 수단으로 인해 증발 상태에 놓여, 증발 챔버(100)의 출구를 통해 물질의 증기 흐름(126)이 생성될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 재장전 방법은 물질의 증기 흐름이 중단되는 시간을 줄일 수 있게 한다는 것이 이해된다. 실제로, 이 중단은 제1 도가니(110)의 해체, 제2 도가니(120)의 결합 및 제2 도가니를 증발 상태에 놓이게 하는 작업들에 의해 시간상 제약이 있다. 도가니들(110, 120)이 작은 부피를 가지기 때문에, 이 도가니들을 증발 조건에 놓이게 하는 것은 가열될 물질(7)의 양이 제한됨에 따라 빨라질 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 증발 셀(10)의 재장전 방법은 진공 증착 장치(1)가 준 연속적인 생산 체제로 작동되도록 한다는 것이 고려될 수 있다.
유리하게는, 제2 도가니(120)를 증발 챔버(100)에 결합하기 전에, 증기 흐름이 중단되는 시간을 더욱 줄이기 위해 장전 챔버(200)에 배치된 제2 도가니(120)를 준비하는 것이 또한 가능하다.
이 준비 단계는 제2 도가니(120)를 증발 상태에 놓이게 하는 단계의 시간을 줄이기 위한 것이다.
이러한 이유로, 더 구체적으로, 여기에서는, 장전 챔버(200)의 가열 수단(206)으로 인해, 소정의 예열 온도까지 제2 도가니(120)의 예열이 수행된다.
바람직하게는, 가열 수단의 전력은 물질(7)의 증발이 시작되는 것을 방지하기 위해 예열 온도가 제2 도가니(120)에 들어있는 물질(7)의 증발 온도보다 낮도록 조절된다.
본 발명에 따른 재장전 방법은 장전 챔버 안에 하나의 도가니만이 대기하는 것으로 기술되어 있지만, 이 방법은 여러 개의 도가니들을 가지고 쉽게 수행될 수 있다.
예를 들면, 재장전 단계 동안에, 회전판이 수용할 만큼의 다수의 도가니들을 도입하는 것이 가능하다. 이 경우, 장전 챔버의 트랩 도어의 개방과 추가 펌프의 사용 빈도가 적어지고, 장전 챔버의 온도 및 압력 조건이 더욱 안정된다. 비어있는 도가니의 각각의 교체시에, 회전판에 남아있는 가득 차있는 도가니들 중 하나가 삽입된다. 모든 도가니들이 회전판에 있을 때는, 챔버(증발 챔버에서 증발 과정에 있는 도가니)는 비어있게 된다.
또한, 도 12에 도시된 바와 같이, 2개의 증발 챔버(100, 300)를 갖는 증발 셀(10)을 구비한 진공 증착 장치(1)에 대해서 본 발명에 따른 재장전 방법이 수행될 수 있다.
이하의 설명으로부터 증발 셀에 의해 연속적인 물질의 증기 생산이 가능하다는 것이 이해될 수 있다.
여기에 기술된 예에서, 이 2개의 증발 챔버들(100, 300)은 전술한 증발 챔버(100)(도 2 내지 11 참조)와 동일하고, 각각의 증발 수단들(131, 132, 311, 312) 역시 동일하다. 증발 챔버들(100, 300)은 각각 상기 증발 챔버들(100, 300)의 출구들(103, 303)에 연결된 덕트부들(141, 142)로 인해 인젝션 덕트(14)에 평행하게 장착된다.
증발 셀(10) 안의 2개의 증발 챔버들(100, 300) 사이에는, 이 2개의 증발 챔버(100, 300)가 열적으로 서로 독립적이 되도록 알루미늄과 같은 내화물로 만들어진 열 차폐물이 배치된다.
증발 셀(10)의 외피(11)는 도가니들의 결합 및 해체를 가능하게 하는 2개의 삽입 개구들(12, 12B)을 포함한다.
상대적으로, 장전 챔버(200)의 폐쇄 외피(202)는 상부 벽에, 이 삽입 개구들(12, 12B)과 대면하여 위치한 2개의 개구들을 포함하여, 장전 챔버(200)는 삽입 개구들이 폐쇄되지 않은 경우에 제1 삽입 개구(12) 및 제2 삽입 개구(12B)를 통해 제1 증발 챔버(100) 및 제2 증발 챔버(300)와 각각 연통된다.
또한, 장전 챔버(200)는 회전판(211) 및 제1 플레이트(212)에 더하여, 피스톤(213A)과 연계된 제2 플레이트(213)를 포함하고, 제2 플레이트는 제2 증발 챔버(300)에서 도가니를 해체하거나 삽입하는 것을 가능하게 한다. 회전판(211)은 플레이트들(212, 213) 중 어느 하나에 도가니가 배치될 수 있도록 장전 챔버(200) 안에 배열된다.
본 발명에 따른 재장전 방법 및 연속적인 생산을 가능하게 하는 방식이 이하에 기술될 것이다.
여기에서는 도 12에 도시된 다음과 같은 증발 셀의 초기 상황이 고려된다:
- 제1 증발 챔버(100)에 배치된 거의 비어있는 제1 도가니(110)는 증발 중에 있고 출구(103)를 통해 물질(7)의 증기 흐름을 생성하고, 그리고 나서 이 증기 흐름(116)은 덕트부(141)와 인젝션 덕트(14)를 통해 인젝터(13; 미도시)에 도달한다.
- 추가 펌프(222)를 이용하여 진공 상태에 있는 장전 챔버(200)에 배치된 가득 차있는 제2 도가니(120)는 회전판(211) 상에 대기중이고 장전 챔버(200)의 가열 수단(203)에 의해 예열된다.
- 제2 증발 챔버(300)에 결합된 가득 차있는 제3 도가니(330)는 열 차폐물(312)과 증발 챔버(300)의 몸체(301)를 통해 제3 도가니(330)를 가열하는 전기 저항들(311)로 인해 점차 증발 조건에 놓인다.
유리하게는, 인젝션 덕트(14) 안에서 인젝터(13)로 이동하는 물질의 흐름이 일정한 유량으로 유지되도록 하기 위해, 제1 도가니(110)에 남아있는 증발 물질(7)의 양이 소정의 최소 한계선보다 낮은 경우에 제2 증발 챔버(300)와 결합된 제3 도가니(330)는 증발이 시작될 수 있다.
또한, 인젝션 덕트 내부의 증기 흐름을 제어하거나 증발 챔버들 중 하나로부터 나오는 증기 흐름이 다른 증발 챔버를 오염시키는 것을 방지하기 위해, 인젝션 덕트(14)의 덕트부들(141, 142)에 "완전 개방 또는 완전 폐쇄" 형태의 기밀 밸브들 및/또는 조정 밸브들을 장착할 수 있다.
제1 도가니(110)가 비어있는 경우 또는 제1 도가니(110)에 남아있는 증발 물질(7)의 양이 소정의 하한보다 낮은 경우(이 하한은 이전의 최소 한계선보다 낮음), 제1 도가니는 증발 셀(10)의 재장전에 의해 대체될 수 있다. 이때, 제2 증발 챔버(300)는, 제3 도가니(330)에 의해 생성되고 인젝터(13)를 향하는 증기 흐름을 인계받아, 진공 증착 챔버(20)에 주입된 증기의 유량이 중단되지 않는다.
이 재장전 동안에, 제1 도가니(110)는 플레이트(212)를 이용하여 제1 삽입 개구(12)를 통과하여 제1 증발 챔버(100)로부터 해체된다.
그리고나서, 제1 도가니(110)는 플레이트(212)로부터 회전판(211) 상에 내려지고, 회전판(211)의 제2 도가니(120)는 플레이트(212)에 장전된다.
그리고나서, 제2 도가니(120)는 제1 증발 챔버(100)에 결합되고, 제2 증발 챔버(300)에서의 증발 과정에 있는 제3 도가니(330)에 남아있는 증발 물질(7)의 양이 소정의 최소 한계선보다 낮아졌을 때, 제2 도가니는 점차 증발 조건에 놓인다.
일단 제2 도가니(120)가 제1 증발 챔버(100)에 결합되면, 장전 챔버(200)는 2개의 증발 챔버들(100, 300)로부터 그리고 또한 진공 증착 챔버(20)로부터 격리된다.
그리고 나서, 제1 도가니(110)를 꺼내고 공기가 다시 들어간 장전 챔버(200)에 제4 도가니(미도시)를 도입하기 위해 장전 챔버(200)의 트랩 도어(201)가 개방될 시간이 되고, 이때 장전 챔버(200)의 압력은 진공 증착 챔버(20)의 압력보다 실질적으로 더 높다.
마지막으로, 이 장전 챔버(200) 내부의 압력을 증발 챔버들(100, 300)의 압력과 비슷한 수준으로 되돌리기 위해 장전 챔버(200)를 폐쇄하는 단계가 진행될 수 있다.
제3 도가니(330)가 비게 되면, 본 발명에 따른 재장전 방법에 따라, 제3 도가니(330)를 해체하고, 제4 도가니를 제2 증발 챔버(300)에 결합하고, 제2 증발 챔버(300)에 결합된 제4 도가니를 증발 조건에 놓이게 하는 단계들이 진행될 수 있다.
따라서, 적어도 2개의 증발 챔버들 및 상기 증발 챔버들에 인접한 장전 챔버를 포함하는 증발 셀을 이용하여 본 발명에 따른 재장전 방법을 수행함에 따라, 인젝터까지 이송된 물질의 증기 흐름이 진공 증착 장치의 진공 증착 챔버 내로 주입되는 것이 결코 중단될 수 없다. 따라서, 상기 인젝터와 대면하는 기판들의 스트리밍(streaming)을 통해 연속적인 생산을 제공하는 것이 가능하다.
증발 셀의 재장전율을 제한하기 위해, 유리하게는 증발 셀의 외피에 많은 수의 증발 챔버들을 구비한 베럴(barrel)이 제공될 수 있고, 증발 챔버들 각각은 자체의 증발 수단을 구비하고 가능하다면 상기 챔버들의 출구에 자체의 밸브 시스템을 구비한다.
이 베럴은 증발 챔버들의 수와 대응되는 수의 도가니들을 수집하는 "장전 수단(loader)"을 이용하여 단 한 번에 장전될 수 있고, 장전 수단의 제공은 각각의 증발 챔버에 도가니들을 모두 동시에 결합시킬 수 있게 한다.
증발 셀의 재장전 방법은:
- 베럴에 인접한 상기 증발 챔버들로부터 미리 격리된 장전 챔버 안으로, 증발 물질이 각각 들어있는 복수의 도가니들을 모으는 제2 장전 수단을 장전하는 단계(여기서, 상기 장전 챔버의 압력은 진공 증착 챔버 내부의 압력보다 실질적으로 더 높다),
- 상기 도입 단계 이후에, 상기 장전 챔버 내부의 압력을 베럴의 증발 챔버들의 압력과 비슷한 수준으로 되돌리기 위해 상기 장전 챔버를 폐쇄하는 단계,
- 상기 폐쇄 단계 이후에, 상기 베럴로부터 상기 제1 장전 수단를 해체하는 단계(여기서, 해체 단계 동안에 상기 제1 장전 수단이 상기 베럴로부터 상기 장전 챔버를 향하여 이동한다),
- 상기 제1 장전 수단을 해체하는 단계 이후에, 증발 챔버들의 상기 베럴에 상기 제2 장전 수단을 결합하는 단계, 및
- 상기 제2 도가니를 결합하는 단계 이후에, 상기 제2 장전 수단의 상기 도가니들을 증발 조건에 놓이게 하는 단계를 포함한다.

Claims (6)

  1. 진공 증착 챔버(20)에 배치된 기판(2) 상에 물질을 증착하기 위해서, 물질을 증발시키기 위한 증발 셀(10)의 재장전 방법으로서,
    상기 증발 물질(7)이 들어있는 제1 도가니(110)는 상기 증발 셀(10)의 증발 챔버(100)에 결합되고, 상기 증발 챔버(100)의 출구(103)를 통해 물질(7)의 증기 흐름(116)이 생성되도록 상기 제1 도가니(110)를 증발 조건에 놓이게 하는 증발 수단들(101, 131, 132)이 제공되고, 상기 출구(103)는 상기 증기를 상기 진공 증착 챔버(20)에 주입하기 위해 인젝터(13)와 연결되며,
    상기 재장전 방법은:
    - 상기 인접한 증발 챔버(100)로부터 미리 격리된 장전 챔버(200)에 증발 물질(7)이 들어있는 제2 도가니(120)를 장전하는 단계(여기서, 상기 장전 챔버(200) 내부의 압력은 진공 증착 챔버(20) 내부의 압력보다 실질적으로 더 높다),
    - 상기 도입 단계 이후에, 상기 제1 도가니(110)의 증발 동안에 상기 장전 챔버(200) 내부의 압력을 상기 증발 챔버(100)의 압력과 비슷한 수준으로 되돌리기 위해 상기 장전 챔버(200)를 폐쇄하는 단계,
    - 상기 폐쇄 단계 이후에, 상기 제1 도가니(110)를 상기 증발 챔버(100)로부터 해체하는 단계(여기서, 해체 단계 동안에 상기 제1 도가니(110)는 상기 증발 챔버(100)로부터 상기 장전 챔버(200)로 이동한다),
    - 제1 도가니(110)의 상기 해체 단계 이후에, 상기 제2 도가니(120)를 상기 증발 챔버(100)에 결합하는 단계, 및
    - 상기 제2 도가니(120)의 상기 결합 단계 이후에, 증발 챔버(100)의 상기 출구(103)를 통해 물질(7)의 증기 흐름(126)이 생성되도록 상기 제2 도가니(120)를 증발 조건에 놓이게 하는 단계를 포함하고,
    상기 제2 도가니(120)의 상기 결합 단계 동안에, 상기 장전 챔버(200)는 상기 증발 챔버(100)로부터 그리고 상기 진공 증착 챔버(20)로부터 격리되는 것을 특징으로 하는 재장전 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제2 도가니(120)의 상기 장전 단계 동안에, 상기 장전 챔버(200)의 트랩 도어(201)가 개방되고, 상기 제2 도가니(120)는 상기 트랩 도어(201)를 통해 상기 증발 셀(10)의 외부로부터 상기 장전 챔버(200)에 도입되는 재장전 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 폐쇄 단계 동안에, 트랩 도어(201)는 상기 증발 셀(10)의 외부에 대해서 밀폐되고, 상기 장전 챔버(200) 내부에 펌핑이 수행되는 재장전 방법.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    - 제1 도가니(110)의 상기 해체 단계 동안에, 상기 제1 도가니(110)는 상기 장전 챔버(200)와 상기 증발 챔버(100)를 연통시키는 삽입 개구(12)를 통과하여 상기 증발 챔버(100)로부터 꺼내어지고,
    - 상기 제2 도가니(120)의 상기 결합 단계 동안에, 상기 제2 도가니(120)는 상기 삽입 개구(12)를 통과하여 상기 증발 챔버(12)에 삽입되고, 상기 삽입 개구(12)는 상기 증발 챔버(100)의 상기 장전 챔버(200)를 격리시키기 위해 밀폐되는 재장전 방법.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 제2 도가니(120)를 상기 증발 챔버(100)에 결합하는 상기 단계 이전에, 상기 제2 도가니(120)를 증발 조건에 놓이게 하는 상기 단계의 시간을 줄이기 위해 상기 장전 챔버(200)에 상기 제2 도가니(120)를 준비하는 단계를 포함하는 재장전 방법.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 준비 단계는 상기 장전 챔버(200) 안에 있는 상기 제2 도가니(120)를 소정의 예열 온도까지 예열하는 단계를 포함하는 재장전 방법.
KR1020150029787A 2014-03-03 2015-03-03 증발 셀의 재장착 방법 KR20150103641A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
FR1451712A FR3018082B1 (fr) 2014-03-03 2014-03-03 Procede de rechargement d'une cellule d'evaporation
FR1451712 2014-03-03

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150103641A true KR20150103641A (ko) 2015-09-11

Family

ID=50829127

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020150029787A KR20150103641A (ko) 2014-03-03 2015-03-03 증발 셀의 재장착 방법

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20150247234A1 (ko)
EP (1) EP2915897A1 (ko)
JP (1) JP2015166492A (ko)
KR (1) KR20150103641A (ko)
CN (1) CN104911545A (ko)
FR (1) FR3018082B1 (ko)

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106637383A (zh) * 2016-11-17 2017-05-10 珠海鼎泰芯源晶体有限公司 可实现连续生产的晶体生长炉
CN107059126B (zh) * 2017-03-14 2023-10-27 内蒙古恒嘉晶体材料有限公司 蓝宝石长晶炉置换坩埚装置及方法
CN107893212B (zh) * 2017-12-18 2019-12-20 信利（惠州）智能显示有限公司 一种连续蒸镀设备
CN107955969A (zh) * 2017-12-28 2018-04-24 河北同光晶体有限公司 一种持续供料的SiC单晶生长系统
CN108048802B (zh) * 2018-01-19 2023-06-09 华东师范大学 一种用于大面积热蒸法沉积薄膜太阳能电池吸收层的真空镀膜机
CN112135921A (zh) * 2018-06-08 2020-12-25 应用材料公司 静态蒸发源、真空处理腔室以及在基板上沉积材料的方法
DE102019104988A1 (de) * 2019-02-27 2020-08-27 VON ARDENNE Asset GmbH & Co. KG Versorgungsvorrichtung, Verfahren und Prozessieranordnung
WO2021074953A1 (ja) * 2019-10-15 2021-04-22 学校法人東海大学 成膜方法及び成膜装置
CN112301427A (zh) * 2020-11-18 2021-02-02 阳光能源（青海）有限公司 一种单晶硅生产用石墨加热装置及其加热方法
CN113122812B (zh) * 2021-04-20 2023-06-09 郑州航空工业管理学院 一种物理气相沉积材料加工设备
CN117802575A (zh) * 2024-02-29 2024-04-02 深圳市美格真空科技有限公司 沉积炉、生产设备及气相沉积制备方法

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8123862B2 (en) * 2003-08-15 2012-02-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Deposition apparatus and manufacturing apparatus
JP4436664B2 (ja) * 2003-12-24 2010-03-24 日立造船株式会社 蒸着装置
JP4570403B2 (ja) * 2004-06-28 2010-10-27 日立造船株式会社 蒸発装置、蒸着装置および蒸着装置における蒸発装置の切替方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN104911545A (zh) 2015-09-16
JP2015166492A (ja) 2015-09-24
FR3018082A1 (fr) 2015-09-04
EP2915897A1 (fr) 2015-09-09
US20150247234A1 (en) 2015-09-03
FR3018082B1 (fr) 2016-03-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150103641A (ko) 증발 셀의 재장착 방법
KR101175165B1 (ko) 증발장치, 증착장치 및 증착장치에 있어서의 증발장치의전환방법
KR20150123174A (ko) 증발 셀
JP4974832B2 (ja) 蒸着源、蒸着装置
CN102859030B (zh) 涂层设备和带有护板的涂层设备的工作方法
WO2007135870A1 (ja) 有機蒸着材料用蒸着装置、有機薄膜の製造方法
KR101232910B1 (ko) 유기물 공급장치, 이를 이용한 유기물 증착장치 및 방법
EP2025773A1 (en) Vacuum evaporation apparatus for solid materials
US20090020070A1 (en) Vacuum evaporation apparatus for solid materials
US8192547B2 (en) Thermally isolated cryopanel for vacuum deposition systems
JP5414587B2 (ja) 蒸着装置
KR20120035788A (ko) 유기물 공급장치 및 이를 이용한 유기물 증착장치
JP5183310B2 (ja) 蒸着装置
CN117187960A (zh) 提高大尺寸晶体掺杂效率的坩埚及碳化硅晶体掺杂方法
CN114144540A (zh) 用于在基板上形成膜的蒸发器腔室
CN112823219A (zh) 自动替换坩锅的蒸发源及具有该蒸发源的蒸发沉积系统
KR100518147B1 (ko) 증착장치,유기증발원및유기박막제조방법
CN102046832B (zh) 基板镀膜设备
US20220243320A1 (en) Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus
JPH0680496A (ja) 低温用クヌ−ドセンセル
KR102329250B1 (ko) 증착 장치 및 이를 이용한 증착 방법
KR20120035789A (ko) 유기물 증착장치
WO2020260768A1 (en) Precursor source arrangement and atomic layer deposition apparatus