CN112135921A - 静态蒸发源、真空处理腔室以及在基板上沉积材料的方法 - Google Patents
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Abstract
描述了一种用于在真空中将材料沉积在设置在沉积区域(A)中的基板(101)上的静态蒸发源(100)。所述静态蒸发源(100)包括：蒸发坩埚(110)，所述蒸发坩埚(110)被配置为蒸发至少一种材料；多个出口(120)，所述多个出口(120)被配置为在真空中朝向设置在沉积区域(A)中的基板(101)发出至少一种所蒸发的材料，所述多个出口(120)具有相应多个主蒸发方向(D)，所述多个主蒸发方向(D)中的至少两个主蒸发方向(D1、D2、D3)彼此不同；和分配系统(130)，所述分配系统(130)被配置为在所述蒸发坩埚(110)与所述多个出口(120)之间提供流体连通。
Description
技术领域
本公开内容的实施方式涉及静态蒸发源、真空处理腔室以及在基板上沉积材料的方法。本公开内容的实施方式具体地涉及用于将有机材料沉积在不移动的基板上的静态蒸发源和对应的真空处理腔室，并且涉及一种相关方法。
背景技术
已知若干用于在基板上沉积材料的方法。例如，可通过使用蒸发工艺、物理气相沉积(PVD)工艺(诸如溅射工艺、喷涂工艺等)或化学气相沉积(CVD)工艺来涂覆基板。可在待涂覆的基板所在的沉积设备的处理腔室中执行工艺。沉积材料被提供在处理腔室中。多种材料(诸如有机材料、分子、金属、氧化物、氮化物和碳化物)都可用于在基板上进行沉积。另外，可在处理腔室中进行其他工艺，如蚀刻、结构化、退火或类似工艺。
举例而言，例如在显示器制造技术中，对于大面积基板，可考虑涂覆工艺。所涂覆的基板可用于若干应用和若干技术领域。例如，一种应用可为有机发光二极管(OLED)面板。另外的应用包括绝缘面板、微电子装置，诸如半导体装置、具有薄膜晶体管(TFT)的基板、滤色器或类似者。OLED是由(有机)分子薄膜组成的固态装置，其通过被施加电力来产生光。作为一个示例，与例如液晶显示器(LCD)相比，OLED显示器可在电子装置上提供亮显示并减少使用功率。在处理腔室中，产生(例如，蒸发、溅射或喷射等)有机分子并使其在基板上沉积成层。颗粒可例如穿过具有边界或具体图案的掩模，以在基板上的预期位置处沉积材料，例如，以在基板上形成OLED图案。
普通沉积系统采用线性蒸发源，所述线性蒸发源沿着基板移动或基板在线性蒸发源上移动。然而，在基板或线性蒸发源移动期间发生磨蚀，引起真空腔室的污染。
鉴于上述，需要可提供更清洁的处理环境的方法、设备和系统。
发明内容
鉴于上述，提供了一种静态或固定蒸发源、一种真空处理腔室和一种将材料沉积在基板上的方法。本公开内容的另外的方面、益处和特征从权利要求书、说明书和附图中显而易见。
根据一个实施方式，提供了一种静态蒸发源，所述静态蒸发源用于在真空中将材料沉积在设置在沉积区域中的基板上。所述静态蒸发源包括：蒸发坩埚，所述蒸发坩埚被配置为蒸发至少一种材料；多个出口，所述多个出口被配置为在真空中朝向设置在沉积区域中的基板发出至少一种所蒸发的材料，所述多个出口具有相应多个主蒸发方向，所述多个主蒸发方向中的至少两个主蒸发方向彼此不同；和分配系统，所述分配系统被配置为在所述蒸发坩埚与所述多个出口之间提供流体连通。
根据一个实施方式，提供了一种真空处理腔室。所述真空处理腔室包括静态蒸发源，所述静态蒸发源用于将材料沉积在设置在沉积区域中的基板上。所述静态蒸发源包括：蒸发坩埚，所述蒸发坩埚被配置为蒸发至少一种材料；多个出口，所述多个出口被配置为在真空中朝向设置在沉积区域中的基板发出至少一种所蒸发的材料，所述多个出口具有相应多个主蒸发方向，所述多个主蒸发方向中的至少两个主蒸发方向彼此不同；和分配系统，所述分配系统被配置为在所述蒸发坩埚与所述多个出口之间提供流体连通。
根据一个实施方式，提供了一种在真空中将材料沉积在基板上的方法。所述方法包括：在真空中将基板运输到沉积区域；使材料通过蒸发源的多个出口沉积在所述基板上，所述多个出口具有相应多个主蒸发方向，所述多个主蒸发方向中的至少两个主蒸发方向彼此不同；和在所述材料沉积在所述基板上时保持所述基板静止。
附图说明
为了可详细地理解上述特征的方式，可通过参考实施方式来进行上文简要地概述的更具体的描述。附图涉及实施方式并描述如下：
图1示出了根据本文中描述的实施方式的真空处理腔室的示意图；
图2示出了根据本文中描述的实施方式的静态蒸发源的示意图；
图3示出了根据本文中描述的实施方式的静态蒸发源的示意图；和
图4示出了根据本文中描述的实施方式的用于说明在真空中将材料沉积在基板上的方法的流程图。
具体实施方式
现在将详细地参考本公开内容的各种实施方式，这些实施方式的一个或多个示例示于图中。在附图的以下描述中，相同的附图标记是指相同的部件。一般来讲，只描述了相对于各个实施方式的差异。每个示例以解释本公开内容的方式提供，而不意在作为本公开内容的限制。另外，被示出或描述为一个实施方式的部分的特征可在其他实施方式上或结合其他实施方式使用，以产生又进一步的实施方式。说明书意图包括这样的修改和变化。
图1示出了根据本文中描述的实施方式的真空处理腔室200。
真空处理腔室200可包括静态或固定蒸发源100。静态蒸发源100可被配置为用于将材料沉积在设置在沉积区域A中的基板101上。另外，静态蒸发源100可被配置为用于在真空中沉积材料。
静态蒸发源100可包括蒸发坩埚110。蒸发坩埚110可被配置为蒸发至少一种材料。根据本文中描述的实施方式，可提供多于一个蒸发坩埚110。例如，可提供两个、三个、四个或更多个蒸发坩埚110。图1的示例示出了三个蒸发坩埚110，但不限于此。
另外，静态蒸发源100可包括多个出口120。多个出口120可被配置为朝向基板101发出至少一种所蒸发的材料。因此，多个出口120可连接到蒸发坩埚110。具体地，多个出口120可与蒸发坩埚110流体连通。基板101可设置在沉积区域A中。
至少一种所蒸发的材料可在真空中被发出。如本公开内容的全文中使用的术语“真空”可理解为具有小于例如10毫巴(mbar)的真空压力的技术真空。真空腔室中的压力可在10-5mbar与约10-8mbar之间，具体地在10-5mbar与10-7mbar之间，并且更具体地在约10- 6mbar与约10-7mbar之间。可提供连接到真空腔室以在真空腔室内产生真空的一个或多个真空泵，诸如涡轮泵和/或低温泵。
多个出口120可具有相应多个主蒸发方向D。在本申请的上下文中，主蒸发方向，诸如主蒸发方向D，可被理解为蒸发分布具有最大值的方向和/或蒸发分布居中所围绕的方向。具体地，多个出口120各自可被设计为具有特定主蒸发方向，其中围绕主蒸发方向具有特定分布。
多个主蒸发方向D中的至少两个主蒸发方向D1、D2、D3可彼此不同。即，静态蒸发源100可沿着至少两个主蒸发方向D发出所蒸发的材料。沿着至少两个主蒸发方向发出的所蒸发的材料的叠加可在设置在沉积区域A中、具体地保持固定的基板101上形成层或膜。
静态蒸发源100可进一步包括分配系统130。分配系统130可被配置为在蒸发坩埚110与多个出口120之间提供流体连通。
因此，本申请可提供一种系统，其中基板和蒸发源可相对于彼此是静态或固定的，具体是在沉积材料期间如此。根据本文中描述的实施方式，在沉积材料期间，基板可在沉积区域中保持固定。即，在沉积材料期间，在基板与蒸发源之间不会发生移动。一般来讲，零件的移动可能被认为是劣化的根源，因为在移动期间，材料可能会磨蚀。材料的磨蚀可能会产生污染基板并对涂层和产品品质有负面影响的颗粒。通过本申请就可减少在真空处理腔室中的移动量。当实践实施方式时，可改善待形成的层的真空条件和/或性质。
根据本文中描述的实施方式，待蒸发的材料可为有机材料。具体地，待蒸发的材料可为用于制造OLED装置的有机材料。例如，静态蒸发源100可为用于将一种或多种有机材料沉积在基板101上以形成OLED装置的层的蒸发源。
有机材料，具体是用于制造OLED装置的有机材料，已知易受水、压力和碳氢化合物的影响。塑料和所含的增塑剂，诸如用于密封件、橡胶以及可移动零件的连接的那种，典型地包括碳氢化合物。当实践实施方式时，可提供用于沉积材料、具体是有机材料的改善的环境。此外，本申请实现了更高的清洁度和更低的真空度，即，可提供更低的接近零的压力。
根据本文中描述的实施方式，真空处理腔室200可包括第一腔室210或第一子腔室210。蒸发坩埚110可布置在第一腔室210中。例如，第一腔室210可为蒸发腔室或子腔室，即，材料在其中蒸发的腔室。
根据本文中描述的实施方式，真空处理腔室200可包括第二腔室220或第二子腔室220。多个出口120可布置在第二腔室220中。另外，基板101可布置在第二腔室220中。例如，第二腔室220可为沉积腔室或子腔室，即，沉积在其中执行的腔室。
在本文中描述的实施方式中，可提供分离构件230。分离构件230可将第一腔室210和第二腔室220彼此密封。具体地，分离构件230可在第一腔室210和第二腔室220之间提供真空密闭密封。例如，分离构件230可为密封板。
此外，分配系统130可穿过分离构件230。具体地，分配系统130可在不破坏密封的情况下穿过分离构件230。例如，可提供附加密封元件以为分配系统130提供穿过分离构件230的真空密闭通道。
因此，可将多个出口120和/或基板101与真空处理腔室200中的蒸发坩埚110和/或另外元件屏蔽。具体地，第二腔室220可仅包括与实际沉积工艺有关的元件。可将所有其他元件放置在单独腔室中，诸如放置在第一腔室210中。因此，可将可潜在地导致工艺环境恶化的元件放置在单独腔室中。当实践实施方式时，可进一步提高清洁度。
根据本文中描述的实施方式，第一腔室210可具有第一真空压力水平。第二腔室220可具有第二真空压力水平。第二真空压力水平可比第一真空压力水平小。即，第二腔室220可具有比第一腔室210低的压力，即，第二腔室220可比第一腔室210更接近绝对真空水平。因此，可在其中形成沉积工艺的腔室提供增加的真空水平。真空水平的增加可通过在单独腔室中提供沉积不直接地需要的元件来进一步实现。
如图1所示，坩埚110可连接到坩埚电子装置112。坩埚电子装置112可被配置为用于控制坩埚110，具体是控制坩埚110中的蒸发工艺以及向分配系统130的供应。另外，坩埚电子装置112可设置在第一腔室210中。第一腔室210中的较低压力水平可促成提供坩埚电子装置112和第一腔室220。具体地，由于第一腔室210甚至可被提供通常对于沉积工艺而言不足的压力水平，因此较低压力水平可使得能够在第一腔室210中提供原本可能不会被提供来安装在其中的部件。
根据本文中描述的实施方式，可提供掩模150。掩模可具有多个沉积开口152。即，掩模150可为精细金属掩模(FMM)。掩模150可布置在静态蒸发源100与基板101之间。具体地，掩模150可布置在第二腔室220中。多个沉积开口152可被配置为用于使材料通过多个沉积开口152沉积在基板101上。掩模150可包括数百万个沉积开口以用于产生数百万个像素。例如，在掩模150上可存在1亿个或更多个沉积开口。根据本文中描述的实施方式，掩模150可为具有超过100000个沉积开口152的精细金属掩模。根据本文中描述的实施方式，开口152可各自对应于将由例如移动电话或智能手表的显示装置(诸如OLED)形成的像素。例如，像素可具有10μm至20μm的尺寸，诸如直径。掩模150可具有约6μm的厚度。
根据本文中描述的实施方式，可利用具体地包括掩模150的静态蒸发源100来制造高分辨率显示器。根据一个实施方式，掩模150可具有约750mm×650mm的尺寸。这种尺寸的掩模150，诸如精细金属掩模，可为在二维上张紧的整张板材(sheet)(750mm×650mm)。或者，这种尺寸的掩模150，诸如精细金属掩模，可为一系列条带，这些条带在一维上张紧以覆盖750mm×650mm的区域。较大掩模，诸如精细金属掩模，尺寸包括约920mm×约730mm，GEN 6切半(约1500mm×约900mm)、GEN 6(约1500mm×约1800mm)、GEN 8.5(约2200mm×约2500mm)和GEN 10(约2800mm×约3200mm)。在至少较小尺寸中，在掩模150的开口152之间的间距公差可为每160mm长度约+/-3μm。
根据本文中描述的实施方式，可提供被配置为用于以实质上竖直的取向保持或支撑基板和掩模的载体。如本公开内容的全文所使用的，“实质上竖直的”具体是在提到基板取向时可理解为允许与竖直方向或取向有±20°或更小的(例如，±10°或更小的)的偏差。该偏差可例如因与竖直取向有一定偏差的基板支撑件可能带来更稳定的基板位置而提供。另外，当基板向前倾斜时，更少颗粒可到达基板表面。然而，例如在真空沉积工艺期间，基板取向可认为是实质上竖直的，它被认为是与水平基板取向不同，水平基板取向可认为是与水平方向有±20°或更小的偏差。
术语“竖直取向”或“竖直方向”可理解为区分于“水平方向”或“水平取向”。即，“竖直方向”或“竖直取向”可涉及例如基板和/或掩模的实质上竖直的取向，其中与严格竖直方向或竖直取向有几度偏差(例如，高达10°或甚至高达20°)仍可被认为是“实质上竖直的方向”或“实质上竖直的取向”。竖直方向可实质上平行于重力。对于术语“基本上竖直的(方向)”和/或“基本上水平的(方向)”，用法也是如此或类似。
基板101可设置在沉积区域A中。根据本文中描述的实施方式，静态蒸发源100可被配置为将材料沉积在沉积区域A中。沉积区域可实质上对应于设置在沉积区域A中的基板101的尺寸。具体地，沉积区域A可为材料可以增加的均匀性沉积在基板上的区域。例如，沉积在基板101上的层或膜的厚度的标准偏差可等于或小于平均厚度的10％，具体是等于或小于平均厚度的5％。另外，掩模150可设置在沉积区域A中。
根据本文中描述的实施方式，分配系统130可包括多个管道132。管道132可分别连接到多个出口120。具体地，每个管道132可连接到多个出口120中的相应一者。根据本文中描述的实施方式，管道132可连接到坩埚110。具体地，在多个坩埚110的情况下，管道132可分别连接到多个坩埚110。
在提供比坩埚更多的出口的情况下，管道132可包括分叉以将材料从坩埚110分配到多个出口120。例如，每个坩埚可连接到管道132中的相应一者。
图2示出了根据本文中描述的实施方式的静态蒸发源100的示意图。
如图2所示，多个出口120可包括中心出口120a。中心出口120a可具有主蒸发方向D1。中心出口120a的主蒸发方向D1可正交于基板101的表面。如本文中概述的，出口可围绕主蒸发方向具有特定分布。具体地，出口120、120a，特别是出口120、120a中的每一者，可发出具有围绕主蒸发方向D成角分布的材料。沿着主蒸发方向D发出的材料量可能最高。另外，所发出的材料量可随着与主蒸发方向D所成的角度的增大而减少。在图2中，描绘了虚线，其可表示角位置，在该角位置处，所发出的材料量下降到低于特定下限阈值。角位置可对应于角度α。具体地，围绕主蒸发方向D可有两个角位置α1、α2，例如α1＝-α2。角位置可与基板101的边界重合。另外，所发出的材料量可在角位置α1、α2之间恒定。主蒸发方向B可在角位置α1、α2之间，特别是在这两者中间。
根据本文中描述的实施方式，可通过叠加由多个出口120发出的材料来形成在基板101上的层或膜。例如，多个出口120可具有不同的主蒸发方向D1、D2、D3，并且因此可朝向不同的基板区域发出材料，所述层或膜可通过叠加由具有主蒸发方向D1、D2、D3的多个出口120发出的材料来形成在基板101上。当实践实施方式时，层均匀性可提高。
此外，由于多个主蒸发方向D中的至少两个主蒸发方向D1、D2、D3彼此不同，因此由多个出口120发出的材料可以不同角度入射在基板101上。因此，在提供掩模150，诸如精细金属掩模的情况下，可以不同角度撞击掩模150和/或开口152。因此，材料可以不同角度横穿开口152。当实践实施方式时，掩模的阴影效应可减小。
根据本文中描述的实施方式，角位置α1、α2可对应于+/-60°的角度。例如，多个出口可以+/-60°的角度发出材料。因此，待沉积的材料可以高达30°的入射角撞击基板101和/或掩模150。由于由掩模150形成的阴影是伴随于入射角的切线，因此掩模150可产生对应于厚度的约60％的阴影。当入射角变大时，阴影就会增加。根据本文中描述的实施方式，多个出口120，具体是多个出口120的发出分布，可被配置为在角度和/或角位置α1、α2下发出材料，使得入射角等于或小于45°，具体地等于或小于30°。
根据本文中描述的实施方式，多个主蒸发方向D中的至少两个主蒸发方向D1、D2、D3可与垂直于基板的平面的方向形成实质上+/-30°的角度，诸如最大入射角。
根据本文中描述的实施方式，管道132可包括相应远侧部分132a。远侧部分132a可分别与多个出口120中的相应一者连接。如图2所示，远侧部分132a可分别与多个主蒸发方向D中的相应一者对准。即，远侧部分132a可指向与对应主蒸发方向D相同的方向和/或远侧部分132a的轴线可与对应主蒸发方向D对准。
或者，如图3所示，远侧部分132a可实质上平行于彼此布置。在这种情况下，多个出口120可相对于远侧部分132a倾斜，使得多个出口的倾斜使至少两个主蒸发方向D1、D2、D3彼此不同。具体地，多个出口120可相对于远侧部分132a中的相应一者倾斜，以与特定出口的对应主蒸发方向对准。
图4示出了在真空中将材料沉积在基板101上的方法300的流程图。可使用本文中描述的静态蒸发源100和/或真空处理腔室200来执行方法300。
在框310中，可在真空中将基板101运输到沉积区域A。即，基板运输可在真空条件下执行。在框320中，可使材料通过蒸发源100的多个出口120沉积在基板101上。多个出口120可具有相应多个主蒸发方向D。多个主蒸发方向D中的至少两个主蒸发方向D1、D2、D3可彼此不同。沉积可在真空条件下执行。根据框330，在材料沉积在基板101上时，可使基板101保持静止。另外，在材料沉积在基板101上时，可使静态蒸发源100保持静止。根据本文中描述的实施方式，在材料沉积在基板101上时，在基板101与静态蒸发源100之间实质上没有相对移动。
根据本文中描述的实施方式，可将具有多个沉积开口152的掩模150(诸如本文中描述的掩模150)运输到沉积区域A。可使材料通过多个沉积开口(152)沉积在基板101上。具体地，掩模150可在沉积开始之前和/或在基板被运输到沉积区域之后被运输到沉积区域。
尽管前述内容针对的是一些实施方式，但在不背离基本范围的情况下，可设想出其他和进一步的实施方式，并且范围由所附权利要求书确定。
Claims (15)
1.一种在真空中将材料沉积在设置在沉积区域(A)中的基板(101)上的静态蒸发源(100)，所述蒸发源(100)包括：
蒸发坩埚(110)，所述蒸发坩埚(110)被配置为蒸发至少一种材料；
多个出口(120)，所述多个出口(120)被配置为在真空中朝向设置在沉积区域(A)中的基板(101)发出至少一种所蒸发的材料，所述多个出口(120)具有相应多个主蒸发方向(D)，所述多个主蒸发方向(D)中的至少两个主蒸发方向(D1、D2、D3)彼此不同；和
分配系统(130)，所述分配系统(130)被配置为在所述蒸发坩埚(110)与所述多个出口(120)之间提供流体连通。
2.如权利要求1所述的静态蒸发源，其中在沉积所述材料期间，所述基板(101)在所述沉积区域(A)中保持固定。
3.如权利要求1或2所述的静态蒸发源，其中待蒸发的所述材料是有机材料。
4.如权利要求1至3中任一项所述的静态蒸发源，其中所述分配系统(130)包括分别连接到所述多个出口(120)的多个管道(132)。
5.如权利要求4所述的静态蒸发源，其中所述管道(132)包括与所述多个出口(120)中的对应一者连接的相应远侧部分(132a)，所述远侧部分(132a)分别与所述多个主蒸发方向(D)中的对应一者对准。
6.如权利要求4所述的静态蒸发源，其中所述管道(132)包括与所述多个出口(120)中的对应一者连接的相应远侧部分(132a)，所述远侧部分(132a)实质上平行于彼此布置。
7.如权利要求1至6中任一项所述的静态蒸发源，其中所述静态蒸发源(100)被配置为在与设置在沉积区域(A)中的所述基板(101)的尺寸实质上对应的所述沉积区域(A)中沉积材料。
8.如权利要求1至7中任一项所述的静态蒸发源，其中所述多个主蒸发方向(D)中的所述至少两个主蒸发方向(D1、D2、D3)与垂直于所述基板的平面的方向形成实质上+/-30°的角度(α)。
9.一种真空处理腔室(200)，包括如前述权利要求中任一项所述的静态蒸发源(100)。
10.如权利要求9所述的真空处理腔室，包括：
第一腔室(210)，所述蒸发坩埚(110)布置在所述第一腔室(210)中；
第二腔室(220)，所述多个出口(120)布置在所述第二腔室(220)中；和
分离构件(230)，所述分离构件(230)使所述第一腔室(210)和所述第二腔室(220)彼此密封，所述分配系统(130)穿过所述分离构件(230)。
11.如权利要求10所述的真空处理腔室，其中所述分离构件(230)是密封板。
12.如权利要求8至10中任一项所述的真空处理腔室，其中所述第一腔室(210)具有第一真空压力水平，和/或所述第二腔室(220)具有第二真空压力水平，所述第二真空压力水平比所述第一真空压力水平小。
13.如权利要求9至12中任一项所述的真空处理腔室，包括：
掩模(150)，所述掩模(150)具有多个沉积开口(152)并且布置在所述静态蒸发源(100)与所述基板(101)之间，所述多个沉积开口(152)被配置为使所述材料通过所述多个沉积开口(152)沉积在所述基板(101)上。
14.一种在真空中在基板(101)上沉积材料的方法(300)，包括：
在真空中将基板(101)运输到沉积区域(A)；
使材料通过蒸发源(100)的多个出口(120)沉积在所述基板(101)上，所述多个出口(120)具有相应多个主蒸发方向(D)，所述多个主蒸发方向(D)中的至少两个主蒸发方向(D1、D2、D3)彼此不同；和
在所述材料沉积在所述基板(101)上时保持所述基板(101)静止。
15.如权利要求14所述的方法，包括：
将具有多个沉积开口(152)的掩模(150)运输到所述沉积区域(A)，所述材料通过所述多个沉积开口(152)沉积在所述基板(101)上。
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Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060124061A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | Tateo Saito | Molecule supply source for use in thin-film forming |
| US20120141674A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | Il-Soo Park | Evaporator and method for depositing organic material |
| CN103710682A (zh) * | 2012-10-09 | 2014-04-09 | 三星显示有限公司 | 沉积装置以及使用该装置制造有机发光显示器的方法 |
| CN104911545A (zh) * | 2014-03-03 | 2015-09-16 | 瑞必尔 | 用于蒸发单元的再加载方法 |
| CN107109624A (zh) * | 2014-12-17 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 材料沉积布置、真空沉积系统和沉积材料的方法 |
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Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20060124061A1 (en) * | 2004-12-13 | 2006-06-15 | Tateo Saito | Molecule supply source for use in thin-film forming |
| US20120141674A1 (en) * | 2010-12-03 | 2012-06-07 | Il-Soo Park | Evaporator and method for depositing organic material |
| CN103710682A (zh) * | 2012-10-09 | 2014-04-09 | 三星显示有限公司 | 沉积装置以及使用该装置制造有机发光显示器的方法 |
| US20140099740A1 (en) * | 2012-10-09 | 2014-04-10 | Sang-Shin Lee | Depositing apparatus and method for manufacturing organic light emitting diode display using the same |
| CN104911545A (zh) * | 2014-03-03 | 2015-09-16 | 瑞必尔 | 用于蒸发单元的再加载方法 |
| CN107109624A (zh) * | 2014-12-17 | 2017-08-29 | 应用材料公司 | 材料沉积布置、真空沉积系统和沉积材料的方法 |
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