KR20150092004A - Light emitting apparatus and method for manufacturing the same - Google Patents

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Abstract

Provided are a light emitting apparatus which suppresses Ag ion migration by a simple configuration and can be mounted with light emitting diode (LED) chips at high density, and a method for manufacturing the same. The light emitting apparatus comprises: a substrate; a pattern part which has conductivity and is formed on the surface of the substrate; and an LED chip which is mounted on the surface of the pattern part and emits light generated from the light emitting layer from a light exiting surface. A first concave part which has a first opening part which is slightly larger than the light exiting surface of the LED chip, is formed on the surface of the pattern part. The LED chip is received in the first concave part, and is attached to the bottom surface of the first concave part through a die bonder including at least Ag element.

Description

발광 장치 및 그 제조 방법{LIGHT EMITTING APPARATUS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME}TECHNICAL FIELD [0001] The present invention relates to a light emitting device,

본 발명은 자외광 조사 장치 등에 탑재되는 발광 장치와 그 제조 방법에 관한 것으로, 특히 LED(Light Emitting Diode) 등의 발광 소자를 사용한 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a light emitting device mounted on an ultraviolet irradiating device or the like, and a manufacturing method thereof, and more particularly to a light emitting device using a light emitting device such as an LED (Light Emitting Diode) and a method of manufacturing the same.

종래, FPD(Flat Panel Display) 둘레의 접착제로서 사용되는 자외선 경화 수지나, 오프셋 매엽 인쇄용의 잉크로서 사용되는 자외선 경화형 잉크를 경화시키기 위해서, 자외광 조사 장치가 사용되고 있다.BACKGROUND ART [0002] Ultraviolet light irradiation devices have been used to cure an ultraviolet curable resin used as an adhesive around an FPD (Flat Panel Display) or an ultraviolet curable ink used as an ink for offset sheet laminating printing.

자외광 조사 장치로서는 종래 고압 수은 램프나 수은 제논 램프 등을 광원으로 하는 램프형 조사 장치가 알려져 있지만, 최근 소비 전력의 삭감, 장수명화, 장치 사이즈의 컴팩트화의 요청으로부터, 종래의 방전 램프 대신에 LED(Light Emitting Diode)를 광원으로서 이용한 자외광 조사 장치가 개발되고 있다(예를 들면, 특허문헌 1).A lamp-type irradiating device using a high-pressure mercury lamp or a mercury-xenon lamp as a light source is known as the ultraviolet irradiating device. However, recently, in response to a demand for reduction in power consumption, longevity, and compactness of the device size, An ultraviolet light irradiation apparatus using LED (Light Emitting Diode) as a light source has been developed (for example, Patent Document 1).

특허문헌 1에 기재된 자외광 조사 장치는 라인 형상으로 늘어놓은 복수의 LED 모듈을 구비하고 있다. 각 LED 모듈은 자외 영역에 피크 파장을 가지는 LED칩(일반적으로, 「다이」나 「LED」라고 호칭되는 경우도 있음), 서브마운트 기판, 프레임체 등에 의해 구성되어 있고, LED칩은 다이본드제에 의해 서브마운트 기판 상에 접착 고정되어 있다.The ultraviolet light irradiation device described in Patent Document 1 has a plurality of LED modules arranged in a line shape. Each LED module is constituted by an LED chip (generally referred to as a "die" or an "LED") having a peak wavelength in the ultraviolet region, a submount substrate, a frame member, On the sub-mount substrate.

다이본드제는 LED칩을 기판 등에 고착화시키기 위해서 사용되는 접합 재료이며, 일반적으로 실리콘계의 다이본드제, 에폭시계의 다이본드제, 금속 접착제, 은(Ag) 페이스트 등이 사용되고 있는데(예를 들면, 특허문헌 2), 저렴하며, 내열성·내습성이 높고, 땜납보다 탄성률이 낮은 등의 이유로부터, Ag 에폭시계, Ag 폴리이미드계의, 소위 Ag 페이스트가 사용되는 일이 많다. 그러나, Ag 페이스트에 의해 LED칩 등의 광반도체 소자를 고착하면, 소위 Ag 이온 마이그레이션에 의해 신뢰성이 저하되는 것이 지적되고 있다(예를 들면, 비특허문헌 1).BACKGROUND ART A die bonding agent is a bonding material used for fixing an LED chip to a substrate or the like. In general, a silicon die bond agent, an epoxy die bond agent, a metal adhesive agent, or an Ag paste is used (for example, Patent Document 2), Ag epoxy-based, Ag polyimide-based, so-called Ag paste is often used because it is inexpensive, has high heat resistance and moisture resistance, and has a lower elastic modulus than solder. However, it has been pointed out that reliability is deteriorated by so-called Ag ion migration when an optical semiconductor element such as an LED chip is fixed by Ag paste (for example, Non-Patent Document 1).

비특허문헌 1에 기재되어 있는 바와 같이, Ag 이온 마이그레이션은 금속의 전기 화학적인 이동 현상의 일종이며, 전기 분해 작용에 의해 Ag이 얼룩 형상 또는 수지 형상으로 이동하여 성장하는 현상이다. 이와 같이 Ag이 이온화하여 성장하면, 최종적으로는 LED칩의 전극이나 본딩 와이어와 접촉하고, 최악의 경우, LED칩의 전극간(즉, 애노드와 캐소드간)을 쇼트(단락)시키게 된다. 그리고, LED칩의 전극간이 쇼트하면, LED칩이 불점등이 되거나, 파괴되게 된다.As described in Non-Patent Document 1, Ag ion migration is a kind of electrochemical migration phenomenon of a metal, and is a phenomenon in which Ag migrates and grows in an irregular shape or a resin shape by an electrolytic action. When Ag is ionized and grown in this manner, it finally comes into contact with the electrode of the LED chip or the bonding wire, and in the worst case, the electrode between the LED chip (that is, between the anode and the cathode) is short-circuited. When the electrodes of the LED chip are short-circuited, the LED chip is lit or destroyed.

이와 같이, Ag 이온 마이그레이션은 Ag의 이온화에 기인하는 바, 특히 광을 발하는 LED칩 등의 광반도체 소자에 있어서는, 표면 플라즈몬에 의해 Ag이 이온화되어버리는 것이 우려된다(예를 들면, 특허문헌 3). 특허문헌 3에 기재되어 있는 바와 같이, 금속 입자에 광이 조사되면, 표면 플라즈몬이 발생하고, 그 부분의 전계 강도가 국소적으로 증가하여, 금속 입자가 이온화한다. 즉, LED칩 등의 광반도체 소자를 Ag 페이스트에 의해 고착하는 구성의 경우, LED칩으로부터의 광이 Ag 페이스트에 입사함으로써 표면 플라즈몬이 발생하고, Ag 페이스트에 포함되는 Ag이 이온화한다. 그리고, Ag의 이온화에 의해 Ag이 얼룩 형상 또는 수지 형상으로 성장하면, 최종적으로는 LED칩의 전극간을 쇼트시켜, LED칩이 불점등이 되거나, 파괴되거나 하는 문제가 발생한다.As described above, Ag ion migration is caused by ionization of Ag, and in particular, in optical semiconductor devices such as LED chips emitting light, Ag is likely to be ionized by surface plasmon (for example, Patent Document 3) . As described in Patent Document 3, when light is irradiated to metal particles, surface plasmon is generated, and the electric field strength of the portion is locally increased to ionize the metal particles. That is, in the case of a configuration in which an optical semiconductor element such as an LED chip is fixed by Ag paste, a light from an LED chip is incident on the Ag paste to generate a surface plasmon, and Ag contained in the Ag paste is ionized. If Ag is grown in a speckle shape or a resin shape by ionization of Ag, there is a problem that the LED chip is short-circuited between the electrodes of the LED chip finally, and the LED chip is lit or destroyed.

일본 공개특허공보 2011-146646호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2011-146646 일본 공개특허공보 2013-243316호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2013-243316 일본 공개특허공보 2008-070187호Japanese Laid-Open Patent Publication No. 2008-070187

「신뢰성 핸드북」, 가부시키가이샤 르네사스테크놀로지, Rev-1.01, 2008년 11월 28일, p.(4-25)-(4-27)"Reliability Handbook", Renesas Technology Corporation, Rev. 1.01, November 28, 2008, p. (4-25) - (4-27)

이와 같은 Ag 이온 마이그레이션의 문제를 해소하기 위해서는, 미리 Ag 이온 마이그레이션에 의한 Ag이 발생했을 때의 Ag의 이동 거리를 길게 설정하거나, 패턴간의 전계 강도를 낮추는 것이 유효하기 때문에, 일반적으로 Ag 페이스트와, 그것에 근접하는 LED칩의 각 전극이나 본딩 와이어 사이에 충분한 절연 거리를 확보한다는 대책이 채용된다. 그러나, 특허문헌 1에 기재된 구성과 같이, LED칩을 고밀도로 늘어놓는 구성(즉, LED 모듈)의 경우에는, 배치상의 제약으로부터, 충분한 절연 거리를 확보하는 것은 어렵다.In order to solve such a problem of Ag ion migration, it is effective to set a long moving distance of Ag when Ag is generated by Ag ion migration in advance and to lower the electric field intensity between patterns. Therefore, A measure is taken to secure a sufficient insulation distance between each electrode of the LED chip and the bonding wire in proximity thereto. However, in the case of a configuration in which the LED chips are arranged at a high density (i.e., an LED module) as in the configuration described in Patent Document 1, it is difficult to secure a sufficient insulation distance from the restriction of arrangement.

또, Ag 이온 마이그레이션은 Ag 페이스트에 포함되는 Ag이 LED칩으로부터의 광에 의해 이온화함으로써 유기되기 때문에, LED칩으로부터의 광이 Ag 페이스트에 입사하지 않도록(즉, 표면 플라즈몬의 발생을 억제하기 위해서), Ag 페이스트 상에 LED칩으로부터의 광을 차단하는 코팅 등을 시행하는 것도 생각되지만, LED칩을 기판 상에 접착 고정한 후에 코팅 등을 시행하는 것은 매우 곤란하다.In addition, since the Ag ions included in the Ag paste are ionized by the light from the LED chip, the Ag ion migration causes the light from the LED chip to not enter the Ag paste (i.e., to suppress the generation of the surface plasmon) , A coating for blocking light from the LED chip on the Ag paste, or the like may be carried out. However, it is very difficult to perform the coating after the LED chip is adhered and fixed on the substrate.

본 발명은 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는 Ag 페이스트 상에 코팅 등을 시행하지 않고, 간단한 구성으로 Ag 이온 마이그레이션을 억제함과 아울러, 고밀도로 실장 가능한 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공하는 것이다.SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of such circumstances, and an object thereof is to provide a light emitting device capable of suppressing migration of Ag ions with a simple structure without coating or the like on an Ag paste, .

상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 발광 장치는 기판과, 기판의 표면에 형성된 도전성을 가지는 패턴부와, 패턴부의 표면에 재치(載置)되고, 발광층으로부터의 광을 출사면으로부터 출사하는 LED칩을 구비하고, 패턴부의 표면에는 LED칩의 출사면보다 약간 큰 제1 개구부를 가지는 제1 오목부가 형성되어 있고, LED칩은 제1 오목부 내에 수용되고, 적어도 은의 성분을 포함하는 다이본드제를 통하여 제1 오목부의 바닥면에 접합되어 있다.In order to achieve the above object, the light emitting device of the present invention comprises a substrate, a pattern portion having conductivity formed on the surface of the substrate, an LED (light emitting portion) mounted on the surface of the pattern portion, And a first recessed portion having a first opening slightly larger than the emitting surface of the LED chip is formed on the surface of the pattern portion, the LED chip is accommodated in the first recessed portion, and a die bonding agent containing at least silver component To the bottom surface of the first concave portion.

이러한 구성에 의하면, LED칩으로부터 출사된 자외광의 일부가 귀환광으로서 되돌아왔다고 해도, LED칩의 주위 및 다이본드제의 주위는 약간 간극을 두고 설치된 제1 오목부의 벽면에 의해 둘러싸여 있기 때문에, 다이본드제에 도달하는 귀환광은 거의 없어, Ag 이온 마이그레이션의 발생이 억제된다. Ag 이온 마이그레이션의 문제를 해소하기 위해서, 다이본드제와, 그것에 근접하는 LED칩의 각 전극이나 본딩 와이어 사이에 충분한 절연 거리를 확보한다는 대책을 채용할 필요가 없고, LED칩을 고밀도로 실장 가능하게 된다.According to such a configuration, even if a part of the ultraviolet light emitted from the LED chip is returned as return light, since the periphery of the LED chip and the periphery of the die bond are surrounded by the wall surface of the first recess provided with a slight gap, There is almost no return light reaching the bond agent, and the occurrence of Ag ion migration is suppressed. In order to solve the problem of Ag ion migration, it is not necessary to adopt a measure for ensuring a sufficient insulation distance between the die bonding agent and each electrode or bonding wire of the LED chip adjacent to the die bonding agent, and the LED chip can be mounted with high density do.

또, LED칩의 출사면 및 제1 개구부는 직사각형 형상이며, 제1 개구부의 각 변은 LED칩의 출사면의 각 변보다 5~20% 크게 구성하는 것이 바람직하다.It is preferable that the emitting surface and the first opening of the LED chip have a rectangular shape and that each side of the first opening is 5 to 20% larger than each side of the emitting surface of the LED chip.

또, 제1 오목부의 깊이를 d라고 하고, 발광층으로부터 제1 오목부의 바닥면까지의 거리를 t1이라고 하고, 다이본드제의 막두께를 t2로 했을 때,When the depth of the first concave portion is d and the distance from the light emitting layer to the bottom surface of the first concave portion is t1 and the thickness of the die bond material is t2,

t2<d<t1t2 <d <t1

의 관계를 만족하고 있는 것이 바람직하다.Is satisfied.

또, 기판의 표면에는 제1 개구부보다 약간 큰 제2 개구부를 가지는 제2 오목부가 형성되어 있고, 제1 오목부가 제2 오목부의 내부에 형성되도록 구성할 수 있다.A second concave portion having a second opening slightly larger than the first opening may be formed on the surface of the substrate, and the first concave portion may be formed inside the second concave portion.

또, 제1 오목부와 LED칩과의 간극에 적어도 LED칩으로부터 출사되는 광의 파장역에 있어서 투과율이 낮은 차광 수단이 설치되어 있는 것이 바람직하다.It is preferable that a light shielding means having a low transmittance is provided in a gap between the first concave portion and the LED chip at least in a wavelength range of light emitted from the LED chip.

또, 제1 개구부의 가장자리부로부터 LED칩을 향하여 돌출하도록 형성되고, 적어도 광의 파장역에 있어서 광을 차광하는 차광 부재를 더욱 구비하는 구성으로 할 수도 있다. 또, 이 경우, 차광 부재는 패턴부와 일체적으로 형성되도록 구성할 수 있다.It is also possible to further comprise a light shielding member which is formed so as to protrude from the edge portion of the first opening toward the LED chip and shields light at least in the wavelength range of light. In this case, the light shielding member can be formed integrally with the pattern portion.

또, 제1 오목부의 바닥면에는 LED칩의 출사면보다 작은 제3 개구부를 가지는 제3 오목부가 형성되어 있고, 다이본드제가 제3 오목부에 수용되는 구성으로 할 수 있다. 이러한 구성에 의하면, 귀환광이 다이본드제에 도달하는 것을 확실하게 방지할 수 있기 때문에, Ag 이온 마이그레이션의 발생을 확실하게 억제할 수 있다.A third recessed portion having a third opening smaller than the emitting surface of the LED chip is formed on the bottom surface of the first recessed portion, and the die bonding agent is accommodated in the third recessed portion. According to this configuration, it is possible to reliably prevent the return light from reaching the die-bonding agent, so that occurrence of Ag ion migration can be surely suppressed.

또, LED칩은 출사면측에 캐소드 단자 및 애노드 단자를 가지고, 기판은 도전성을 가지는 금속 기판이며, 패턴부가 금속 기판과 일체적으로 형성되도록 구성할 수 있다.The LED chip may have a cathode terminal and an anode terminal on the emission surface side, the substrate may be a metal substrate having conductivity, and the pattern portion may be formed integrally with the metal substrate.

또, LED칩은 출사면측에 캐소드 단자 및 애노드 단자를 가지고, 기판은 절연성을 가지도록 구성할 수 있다.In addition, the LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side, and the substrate can be configured to have insulating property.

또, LED칩은 출사면측에 캐소드 단자 또는 애노드 단자의 어느 일방을 가지고, 제1 오목부의 바닥면측에 어느 타방을 가지고, 기판은 절연성을 가지도록 구성할 수 있다.The LED chip may have either the cathode terminal or the anode terminal on the emitting surface side and the other surface on the bottom surface side of the first concave portion so that the substrate has an insulating property.

또, LED칩은 출사면측에 캐소드 단자 또는 애노드 단자의 어느 일방을 가지고, 제1 오목부의 바닥면측에 어느 타방을 가지고, 기판은 도전성을 가지는 금속 기판이며, 금속 기판은 패턴부와의 사이를 전기적으로 절연하는 절연층을 구비하도록 구성할 수 있다.The LED chip has either one of the cathode terminal and the anode terminal on the emission face side and has the other one on the bottom face side of the first recess, the substrate is a metal substrate having conductivity, and the metal substrate is electrically connected And an insulating layer which is insulated by the insulating layer.

또, LED칩으로부터 출사되는 광이 자외선 파장역의 광을 포함하는 것이 바람직하다.It is also preferable that the light emitted from the LED chip contains light in the ultraviolet wavelength range.

또, 다른 관점에서는 본 발명의 발광 장치는 기판과, 기판의 표면에 형성된 도전성을 가지는 패턴부와, 패턴부의 표면에 재치되고, 발광층으로부터의 광을 출사면으로부터 출사하는 LED칩을 구비하고, 패턴부의 표면에는 LED칩의 출사면보다 작은 개구부를 가지는 제1 오목부가 형성되어 있고, LED칩은 제1 오목부 내에 충전된 적어도 은의 성분을 포함하는 다이본드제를 통하여 패턴부에 접합되어 있다.In another aspect of the present invention, there is provided a light emitting device comprising a substrate, a pattern portion having conductivity formed on a surface of the substrate, and an LED chip mounted on the surface of the pattern portion and emitting light from the light emitting layer from the emitting surface, A first concave portion having a smaller opening than the emitting surface of the LED chip is formed on the surface of the portion and the LED chip is bonded to the pattern portion through a die bonding agent containing at least a silver component filled in the first concave portion.

이러한 구성에 의하면, LED칩으로부터 출사된 자외광의 일부가 귀환광으로서 되돌아왔다고 해도, 다이본드제에 도달하지 않아, Ag 이온 마이그레이션의 발생이 확실하게 억제된다.According to such a configuration, even if a part of the ultraviolet light emitted from the LED chip is returned as return light, the die bonding agent is not reached, and the occurrence of Ag ion migration is surely suppressed.

또한, 다른 관점에서는 본 발명의 발광 장치의 제조 방법은 기판과, 이 기판 상에 재치되고, 발광층으로부터의 광을 출사면으로부터 출사하는 LED칩을 구비한 발광 장치의 제조 방법으로서, 기판 상에 도전성의 패턴부를 생성하는 공정과, 패턴부의 표면에 LED칩의 출사면보다 약간 큰 개구부를 가지는 오목부를 형성하는 공정과, 오목부의 바닥면에 적어도 은의 성분을 포함하는 다이본드제를 도포하는 공정과, LED칩을 오목부 내에 수용하고, LED칩과 오목부의 바닥면을 다이본드제에 의해 접합하는 공정을 포함한다. 또, 이 경우, LED칩은 출사면측에 적어도 1개의 전극을 구비하고, 전극에 와이어를 본딩하는 공정을 더욱 포함할 수 있다.According to another aspect of the present invention, there is provided a method of manufacturing a light emitting device including a substrate and an LED chip mounted on the substrate and emitting light from the light emitting layer from the emitting surface, A step of forming a concave portion having an opening slightly larger than the outgoing surface of the LED chip on the surface of the pattern portion; a step of applying a die bonding agent containing at least a silver component to the bottom surface of the concave portion; And a step of accommodating the chip in the concave portion and bonding the bottom surface of the LED chip and the concave portion by a die bonding agent. In this case, the LED chip may further include at least one electrode on the emitting surface side, and bonding the wire to the electrode.

이상과 같이, 본 발명에 의하면, Ag 페이스트 상에 코팅 등을 시행하지 않고, 간단한 구성으로 Ag 이온 마이그레이션을 억제함과 아울러, 고밀도로 실장 가능한 발광 장치 및 그 제조 방법이 실현된다.INDUSTRIAL APPLICABILITY As described above, according to the present invention, a light emitting device capable of suppressing migration of Ag ions and having a high density and a manufacturing method thereof can be realized with a simple structure without coating or the like on Ag paste.

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발광 장치의 평면도이다.
도 2는 도 1의 A부의 확대 단면도이다.
도 3은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발광 장치의 LED칩과 오목부의 관계를 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발광 장치의 제조 공정을 설명하는 플로우차트이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 8은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 9는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제7 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 11은 본 발명의 제8 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 12는 본 발명의 제9 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 13은 본 발명의 제10 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 14는 본 발명의 제11 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 15는 본 발명의 제12 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.
도 16은 본 발명의 제13 실시형태에 따른 발광 장치의 단면도이다.1 is a plan view of a light emitting device according to a first embodiment of the present invention.
2 is an enlarged cross-sectional view of part A of Fig.
Fig. 3 is a view for explaining the relationship between the LED chip and the concave portion of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention. Fig.
4 is a flowchart for explaining the manufacturing process of the light emitting device according to the first embodiment of the present invention.
5 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a second embodiment of the present invention.
6 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a third embodiment of the present invention.
7 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fourth embodiment of the present invention.
8 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a fifth embodiment of the present invention.
9 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a sixth embodiment of the present invention.
10 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a seventh embodiment of the present invention.
11 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an eighth embodiment of the present invention.
12 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a ninth embodiment of the present invention.
13 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a tenth embodiment of the present invention.
14 is a cross-sectional view of a light emitting device according to an eleventh embodiment of the present invention.
15 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a twelfth embodiment of the present invention.
16 is a cross-sectional view of a light emitting device according to a thirteenth embodiment of the present invention.

이하, 본 발명의 실시형태에 대해서 도면을 참조하여 상세하게 설명한다. 또한, 도면 중 동일 또는 상당 부분에는 동일한 부호를 붙이고 그 설명은 반복하지 않는다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. In the drawings, the same or corresponding parts are denoted by the same reference numerals, and description thereof is not repeated.

(제1 실시형태)(First Embodiment)

도 1은 본 발명의 제1 실시형태에 따른 발광 장치(100)의 평면도이다. 또, 도 2는 도 1의 A부의 확대 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(100)는 자외광 조사 장치에 탑재되어 자외광을 발하는 장치이며, 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(101) 상에 복수(도 1에 있어서는 10개)의 LED칩(110) 등을 구비하고 있다.1 is a plan view of a light emitting device 100 according to a first embodiment of the present invention. 2 is an enlarged cross-sectional view of part A of Fig. The light emitting device 100 of the present embodiment is a device mounted on an ultraviolet light irradiating device and emitting ultraviolet light. As shown in Fig. 1, a plurality of (ten in Fig. 1) LED chips 110, and the like.

기판(101)은 절연성을 가지는 기재(예를 들면, 세라믹(질화알루미늄, 알루미나, 질화규소, 탄화규소 등))으로 구성된, 소위 배선 기판이다. 도 1에 나타내는 바와 같이, 기판(101)의 표면에는 도전성을 가지는 금속 재료(예를 들면, 구리, 알루미늄)로 이루어지는 10개의 직사각형 형상의 패턴부(112)와, 1개의 정극 단자(102)와, 1개의 부극 단자(103)가 형성되어 있다. 또, 도 2에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 패턴부(112)의 표면 중앙부에는 LED칩(110)의 출사면(110a)보다 약간 큰 직사각형 형상의 개구부(112a)(제1 개구부)를 가지는 오목부(112b)(제1 오목부)가 형성되어 있고, 오목부(112b)의 주위(즉, 패턴부(112) 표면의 외주 가장자리부측)에는 본딩 와이어(114)를 두드리기 위한 평탄부(112c)가 형성되어 있다.The substrate 101 is a so-called wiring substrate composed of a substrate having an insulating property (for example, ceramic (aluminum nitride, alumina, silicon nitride, silicon carbide, etc.)). As shown in Fig. 1, on the surface of the substrate 101, ten rectangular pattern portions 112 made of a conductive metal material (e.g., copper, aluminum), one positive electrode terminal 102 And one negative electrode terminal 103 are formed. 2, a rectangular opening 112a (first opening), which is slightly larger than the emitting surface 110a of the LED chip 110, is provided at the center of the surface of the pattern portion 112 of the present embodiment A flat portion 112c (first concave portion) for tapping the bonding wire 114 is formed on the periphery of the concave portion 112b (i.e., on the outer peripheral edge side of the surface of the pattern portion 112) Is formed.

LED칩(110)은 사각기둥 형상을 나타내고 있고, 표면(즉, 출사면(110a))에 캐소드 단자(110b)를 구비하고, 하면에 애노드 단자(110c)를 구비하고 있다. 그리고, 애노드 단자(110c)와 캐소드 단자(110b)간에 전류를 인가하면, 발광층(110d)에 있어서 자외광(예를 들면, 파장 385nm의 광)이 발생하여, 출사면(110a)으로부터 출사된다. 본 실시형태에 있어서는, LED칩(110)은 오목부(112b)에 수용되고, 오목부(112b)의 바닥면과 LED칩(110)의 하면(즉, 애노드 단자(110c))이 다이본드제(116)를 통하여 접합되어 있다.The LED chip 110 has a square pillar shape and includes a cathode terminal 110b on a surface (that is, an emitting surface 110a) and an anode terminal 110c on a bottom surface. When a current is applied between the anode terminal 110c and the cathode terminal 110b, ultraviolet light (e.g., light having a wavelength of 385 nm) is generated in the light emitting layer 110d and is emitted from the emitting surface 110a. The LED chip 110 is accommodated in the concave portion 112b and the bottom surface of the concave portion 112b and the lower surface of the LED chip 110 (i.e., the anode terminal 110c) (Not shown).

다이본드제(116)는 LED칩(110)과 패턴부(112)를 기계적 및 전기적으로 접합하기 위한 부재이며, 본 실시형태에 있어서는, 도전성을 가지는 은(Ag) 페이스트가 사용되고 있다.The die bonding agent 116 is a member for mechanically and electrically bonding the LED chip 110 and the pattern portion 112. In this embodiment, silver (Ag) paste having conductivity is used.

각 LED칩(110)의 캐소드 단자(110b)는 LED칩(110)의 일방측(도 1 및 도 2에 있어서 우측)에 인접하는 LED칩(110)이 접합된 패턴부(112)의 평탄부(112c)와 본딩 와이어(114)를 통하여 접속되어 있고, 인접하는 LED칩(110)은 각각 직렬 접속되어 있다. 또, 도 1 중, 가장 좌측에 위치하는 LED칩(110)이 접합된 패턴부(112)는 기판(101)에 형성된 정극 단자(102)와 본딩 와이어(114)를 통하여 접속되어 있고, 가장 우측에 위치하는 LED칩(110)의 캐소드 단자(110b)는 기판(101)에 형성된 부극 단자(103)와 본딩 와이어(114)를 통하여 접속되어 있다. 정극 단자(102) 및 부극 단자(103)는 도시하지 않는 전원 장치에 접속되어 있고, 전원 장치에 의해 정극 단자(102)와 부극 단자(103) 사이에 전류를 인가함으로써, 정극 단자(102)와 부극 단자(103) 사이에 직렬 접속된 복수의 LED칩(110)에 전류가 흐르고, 각 LED칩(110)으로부터 자외광이 출사된다. 그리고, 각 LED칩(110)으로부터 출사된 자외광은 LED칩(110)의 상방(즉, 광로 중)에 배치된 도시하지 않는 커버 유리를 통과하여, 조사 대상물(도시하지 않음)을 향하여 조사된다.The cathode terminal 110b of each LED chip 110 is connected to the flat portion of the pattern portion 112 to which the LED chip 110 adjacent to one side (the right side in Figs. 1 and 2) And the bonding wires 114. The adjacent LED chips 110 are connected in series. 1, the pattern portion 112 to which the LED chip 110 located at the leftmost position is bonded is connected to the positive electrode terminal 102 formed on the substrate 101 via the bonding wire 114, The cathode terminal 110b of the LED chip 110 located on the substrate 101 is connected to the negative electrode terminal 103 formed on the substrate 101 via the bonding wire 114. [ The positive electrode terminal 102 and the negative electrode terminal 103 are connected to a power supply device not shown and the current is applied between the positive electrode terminal 102 and the negative electrode terminal 103 by the power source device, A current flows through a plurality of LED chips 110 connected in series between the negative electrode terminals 103 and ultraviolet light is emitted from each of the LED chips 110. [ The ultraviolet light emitted from each of the LED chips 110 passes through a cover glass (not shown) disposed above the LED chip 110 (i.e., in the optical path) to be irradiated toward an object to be irradiated .

이와 같이, 본 실시형태의 각 LED칩(110)으로부터 출사된 자외광은 커버 유리를 통과하여, 조사 대상물에 도달하는데, 자외광이 커버 유리를 통과할 때, 그 일부가 커버 유리의 입사면 및 출사면에서 반사되어, LED칩(110)측으로 되돌아와버린다는 문제가 있다. 또, 각 LED칩(110)으로부터 출사된 자외광이 조사 대상물에 의해 반사되어, LED칩(110)측으로 되돌아와버린다는 문제도 있다. 이와 같이, 각 LED칩(110)으로부터 출사된 자외광이 LED칩(110)측으로 되돌아와버리면(이하, LED칩(110)측으로 되돌아온 광을 「귀환광」이라고 칭함), 귀환광이 다이본드제(116)에 입사하고, 다이본드제(116)에 포함되는 Ag이 이온화하고, Ag 이온 마이그레이션이 유기(誘起)되게 된다. 그래서, 본 실시형태에 있어서는, 귀환광이 다이본드제(116)에 입사하는 것을 억제하기 위해서, LED칩(110)의 주위를 둘러싸도록 오목부(112b)가 형성되어 있다.As described above, the ultraviolet light emitted from each LED chip 110 according to the present embodiment passes through the cover glass and reaches the object to be irradiated. When ultraviolet light passes through the cover glass, There is a problem that the light is reflected by the emitting surface and returns to the LED chip 110 side. There is also a problem that ultraviolet light emitted from each LED chip 110 is reflected by the object to be irradiated and returned to the LED chip 110 side. When the ultraviolet light emitted from each LED chip 110 is returned to the LED chip 110 side (hereinafter, light returned to the LED chip 110 is referred to as "return light"), (116), Ag contained in the die bonding material (116) is ionized, and the Ag ion migration is induced (induced). Therefore, in this embodiment, the recess 112b is formed so as to surround the periphery of the LED chip 110 in order to suppress the return light from being incident on the die-bonding material 116. [

도 3은 도 2의 부분 확대도이며, LED칩(110)과 오목부(112b)의 관계를 설명하는 도면이다. 도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 LED칩(110)의 상면 및 하면은 1변의 길이가 a1(예를 들면, 약1,000μm)의 정사각형의 형상을 나타내고 있고, 오목부(112b)의 개구부(112b)는 1변의 길이가 a2의 정사각형의 형상을 나타내고 있다. 그리고, 개구부(112b)의 1변의 길이 a2는 LED칩(110)의 1변의 길이 a1보다 약간 크고, 본 실시형태에 있어서는, LED칩(110)의 사이즈의 공차를 고려하여, LED칩(110)의 1변의 길이 a1에 대하여 5~20% 크게 되도록 설정되어 있다. 또한, LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극을 빠져나와 다이본드제(116)를 향하는 귀환광은 LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극이 좁으면 좁을수록 감소하기 때문에, 개구부(112b)의 1변의 길이 a2는 LED칩(110)의 1변의 길이 a1에 대하여 5~10% 크게 되도록 설정되는 것이 더욱 바람직하다.Fig. 3 is a partially enlarged view of Fig. 2, illustrating the relationship between the LED chip 110 and the recess 112b. 3, the top and bottom surfaces of the LED chip 110 according to the present embodiment have a square shape having a length of one side (for example, about 1,000 袖 m) on one side, (112b) has a square shape with a side length of a2. The length a2 of one side of the opening 112b is slightly larger than the length a1 of one side of the LED chip 110. In this embodiment, Is set to be 5 to 20% larger than the length a1 of one side of the side wall. The return light that exits the gap between the LED chip 110 and the concave portion 112b and goes toward the die bonding material 116 decreases as the gap between the LED chip 110 and the concave portion 112b becomes narrower , And the length a2 of one side of the opening 112b is set to be 5% to 10% larger than the length a1 of one side of the LED chip 110. [

또, 본 실시형태에 있어서는, 발광층(110d)으로부터의 자외광이 LED칩(110)의 측면으로부터 출사된 경우에(소위 「측면 발광」이 있는 경우에), 당해 자외광이 LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극으로 들어가, 다이본드제(116)에 입사하는 것을 억제하기 위해서, 평탄부(112c)가 다이본드제(116)보다 높고, 또한 발광층(110d)보다 낮은 위치에 위치하도록 구성되어 있다. 즉, 오목부(112b)의 깊이를 d라고 하고, LED칩(110)의 발광층(110d)으로부터 오목부(112b)의 바닥면까지의 거리를 t1이라고 하고, 다이본드제(116)의 두께를 t2로 했을 때, 이하의 조건식(1)을 만족하도록 구성되어 있다.In the present embodiment, when the ultraviolet light from the light emitting layer 110d is emitted from the side surface of the LED chip 110 (so-called &quot; side light emission &quot; The flat portion 112c is positioned at a position higher than the die bonding material 116 and lower than the light emitting layer 110d so as to enter the gap between the light emitting layer 110d and the concave portion 112b and to prevent the light from entering the die bonding material 116. [ . That is, the depth of the concave portion 112b is d and the distance from the light emitting layer 110d of the LED chip 110 to the bottom surface of the concave portion 112b is t1 and the thickness of the die bonding material 116 is t2, the following conditional expression (1) is satisfied.

t2<d<t1…(1)t2 <d <t1 ... (One)

이와 같이, 조건식(1)을 만족하는 경우, 발광층(110d)이 오목부(112b)의 외측(즉, 평탄부(112c)보다 상측)에 배치되기 때문에, 발광층(110d)에서 발광한 자외광의 거의 전부가 LED칩(110)의 상방에 배치된 조사 대상물(도시하지 않음)을 향하여 출사된다. 그리고, LED칩(110)으로부터 출사된 자외광의 일부는 상기 서술한 바와 같이, 조사 대상물 등에서 반사하여 되돌아오지만, LED칩(110)의 주위 및 다이본드제(116)의 주위는 약간 간극을 두고 설치된 오목부(112b)의 벽면에 의해 둘러싸여 있기 때문에, LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극을 빠져나와 다이본드제(116)를 향하는 귀환광은 거의 없어, Ag 이온 마이그레이션의 발생이 억제되도록 되어 있다. 이와 같이, 본 실시형태의 오목부(112b)는 다이본드제(116)를 향하는 귀환광을 차광하는 일종의 차광 부재로서 기능하고, 이것에 의해 Ag 이온 마이그레이션의 발생을 억제하고 있다. 따라서, 본 실시형태의 구성에 의하면, 종래와 같이, Ag 이온 마이그레이션의 문제를 해소하기 위해서, 다이본드제(116)와, 그것에 근접하는 LED칩의 각 전극(즉, 캐소드 단자(110b) 및 애노드 단자(110c))이나 본딩 와이어(114) 사이에 충분한 절연 거리를 확보한다는 대책을 채용할 필요가 없고, LED칩(110)을 기판(101) 상에 고밀도로 실장하는 것이 가능하게 된다.When the condition (1) is satisfied, since the light emitting layer 110d is disposed outside the concave portion 112b (that is, above the flat portion 112c), the light of the ultraviolet light emitted from the light emitting layer 110d Almost all of the light is emitted toward an object to be irradiated (not shown) disposed above the LED chip 110. A part of the ultraviolet light emitted from the LED chip 110 is reflected by the object to be illuminated and returned as described above. However, the periphery of the LED chip 110 and the periphery of the die bonding material 116 are slightly spaced There is almost no return light directed to the die bond member 116 through the gap between the LED chip 110 and the concave portion 112b and the occurrence of the Ag ion migration Respectively. As described above, the concave portion 112b of the present embodiment functions as a kind of light shielding member shielding the return light directed toward the die-bonding material 116, thereby suppressing the occurrence of Ag ion migration. Thus, according to the configuration of the present embodiment, in order to solve the problem of Ag ion migration as in the prior art, the die bond agent 116 and the respective electrodes of the LED chip (that is, the cathode terminal 110b and the anode It is possible to mount the LED chip 110 on the substrate 101 with high density without taking measures to secure a sufficient insulation distance between the bonding wire 114 and the terminal 110c.

(발광 장치(100)의 제조 방법)(Manufacturing method of light emitting device 100)

다음에, 본 실시형태의 발광 장치(100)의 제조 방법에 대해서 설명한다. 도 4는 본 실시형태의 발광 장치(100)의 제조 공정을 설명하는 플로우차트이다.Next, a method of manufacturing the light emitting device 100 of the present embodiment will be described. 4 is a flowchart for explaining a manufacturing process of the light emitting device 100 of the present embodiment.

(패턴부 형성 공정)(Pattern part forming step)

우선, 소정의 사이즈로 커트된 기판(101)을 준비하고, 그 표면에 주지의 도금법, 후막법, 박막법, DBC(Direct Bonded Copper), AMC(Active Metal Brazed Copper)에 의해 패턴부(112)를 형성한다. 패턴부(112)를 형성한다.First, a substrate 101 cut to a predetermined size is prepared and a pattern portion 112 is formed on the surface of the substrate 101 by a known plating method, a thick film method, a thin film method, a DBC (Direct Bonded Copper), an AMC (Active Metal Brazed Copper) . The pattern portion 112 is formed.

(오목부 형성 공정)(Recess forming process)

다음에, 패턴부(112)의 표면 중앙부를 주지의 에칭, 샌드 블라스트, 기계 가공 등에 의해 깎아, 오목부(112b)를 형성한다. 또한, 다른 실시형태로서는 패턴부(112)의 오목부(112b)의 주위(즉, 평탄부(112c))를 주지의 마스크 도금, 증착, 스퍼터, 스크린 인쇄 등으로 성장시켜, 패턴부(112)의 중앙부에 오목부(112b)를 형성할 수도 있다.Next, the central portion of the surface of the pattern portion 112 is cut away by well-known etching, sandblasting, machining, or the like to form the concave portion 112b. In another embodiment, the periphery of the concave portion 112b of the pattern portion 112 (i.e., the flat portion 112c) is grown by a known mask plating, vapor deposition, sputtering, screen printing, The concave portion 112b may be formed at the center of the concave portion 112b.

(다이본드제 도포 공정)(Die bonding agent application step)

다음에, 오목부(112b)의 바닥면의 대략 중심부에 디스펜서나 전사 핀을 사용하여, 소정량의 다이본드제(116)를 도포한다.Next, a predetermined amount of the die bonding material 116 is applied to the substantially central portion of the bottom surface of the concave portion 112b using a dispenser or a transfer pin.

(접합 공정)(Bonding step)

다음에, 다이본더나 마운터 등을 사용하여, LED칩(110)을 오목부(112b)의 대략 중심부에 실장하고, LED칩(110)의 하면과 오목부(112b)의 바닥면을 다이본드제(116)에 의해 접합한다.Next, the LED chip 110 is mounted on the approximate center of the concave portion 112b by using a die-bore or a mount, and the bottom surface of the LED chip 110 and the bottom surface of the concave portion 112b are connected to a die- (116).

(와이어 본드 공정)(Wire bond process)

그리고, 마지막으로 와이어본더 등을 사용하여, 각 LED칩(110)의 캐소드 단자(110b)와, 인접하는 LED칩(110)이 접합된 패턴부(112)의 평탄부(112c)를 본딩 와이어(114)로 접속하고, 도 1 중, 가장 좌측에 위치하는 LED칩(110)이 접합된 패턴부(112)와, 기판(101)에 형성된 정극 단자(102)를 본딩 와이어(114)로 접속하고, 가장 우측에 위치하는 LED칩(110)의 캐소드 단자(110b)와, 기판(101)에 형성된 부극 단자(103)를 본딩 와이어(114)로 접속하여, 본 실시형태의 발광 장치(100)가 완성된다.Finally, the cathode terminal 110b of each LED chip 110 and the flat portion 112c of the pattern portion 112 to which the adjacent LED chip 110 is bonded are bonded to the bonding wires The pattern portion 112 to which the LED chip 110 located at the leftmost position in FIG. 1 is bonded and the positive electrode terminal 102 formed on the substrate 101 are connected by the bonding wire 114 The cathode terminal 110b of the LED chip 110 located on the rightmost side and the anode terminal 103 formed on the substrate 101 are connected by the bonding wire 114 so that the light emitting device 100 of the present embodiment Is completed.

이상이 본 발명의 실시형태의 설명인데, 본 발명은 상기한 실시형태의 구성에 한정되는 것은 아니며, 그 기술적 사상의 범위 내에서 다양한 변형이 가능하다.The present invention is not limited to the above-described embodiment, and various modifications are possible within the scope of the technical idea of the present invention.

예를 들면, 본 실시형태에 있어서는, LED칩(110)의 상면 및 하면은 정사각형 형상이며, 또 오목부(112b)의 개구부(112b)도 정사각형 형상인 것으로 했지만, 오목부(112b)의 개구부(112b)의 형상이 LED칩(110)의 상면 및 하면과 상사형(相似形)이면 어떠한 형상이어도 되고, 이 경우도 오목부(112b)의 개구부(112b)가 LED칩(110)의 상면 및 하면(즉, 외형)에 대하여 5~20%, 바람직하게는 5~10% 크게 되도록 설정되어 있는 것이 바람직하다.For example, in the present embodiment, the top and bottom surfaces of the LED chip 110 are square and the opening 112b of the recess 112b is also square. However, the opening 112b of the recess 112b The opening 112b of the concave portion 112b may be formed on the upper surface and the lower surface of the LED chip 110. In this case, Is set to be 5 to 20%, preferably 5 to 10% larger than the outer diameter (i.e., the outer diameter).

또, 본 실시형태에 있어서는, LED칩(110)은 파장 385nm의 광을 발하는 것으로서 설명했지만, 다른 자외역의 파장의 광을 발하는 것이어도 되고, 가시역 또는 적외역의 파장의 광을 발하는 것이어도 된다.In the present embodiment, the LED chip 110 is described as emitting light having a wavelength of 385 nm. Alternatively, the LED chip 110 may emit light having a wavelength of a different ultraviolet region, or may emit light having a wavelength of visible or infrared do.

(제2 실시형태)(Second Embodiment)

도 5는 본 발명의 제2 실시형태에 따른 발광 장치(200)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(200)는 기판(201)이 도전성을 가지는 기재(예를 들면 구리나 알루미늄 등의 메탈 기판)로 구성되어 있고, 기판(201)의 표면에(즉, 기판(201)과 패턴부(112) 사이에) 절연성을 가지는 절연층(201a)이 형성되어 있다는 점에서, 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.5 is a cross-sectional view of a light emitting device 200 according to a second embodiment of the present invention. The light emitting device 200 of the present embodiment is a light emitting device in which the substrate 201 is made of a conductive substrate (for example, a metal substrate such as copper or aluminum) Emitting device 100 of the first embodiment in that an insulating layer 201a having insulating properties is formed between the light emitting device 100 and the pattern portion 112. [

본 실시형태의 기판(201)으로서는, 예를 들면 구리나 알루미늄 등의 메탈 기판을 적용 가능하며, 절연층(201a)으로서는 예를 들면 SiO2, Al2O3, TiO2, ZrO2, ZnO2, Nb2O5, MgO, TaO2, HfO, Y2O3 등의 산화물이나, SiN, AlN, AlON 등의 질화물, MgF2 등의 불화물을 주성분으로 하는 박막이나, 세라믹, 유리 에폭시, 폴리이미드, PEEK(polyetheretherketone), 유니레이트 등의 수지를 적용 가능하다. 본 실시형태의 절연층(201a)은 패턴부 형성 공정에 앞서 스퍼터법, 증착법 등에 의해 성막(형성)된다.As the substrate 201 of the present embodiment, for example, can be applied to metal substrates such as copper or aluminum, and, for example, as an insulating layer (201a) SiO 2, Al 2 O 3, TiO 2, ZrO 2, ZnO 2 , Nb 2 O 5 , MgO, TaO 2 , HfO and Y 2 O 3 , nitrides such as SiN, AlN and AlON, fluorides such as MgF 2 , and ceramics, glass epoxies and polyimides , PEEK (polyetheretherketone), and Uniate. The insulating layer 201a of this embodiment is formed (formed) by a sputtering method, a vapor deposition method, or the like prior to the pattern portion forming step.

이와 같이, 기판(201)과 패턴부(112) 사이에 절연성을 가지는 절연층(201a)을 형성하면, 도전성을 가지는 기판(201)을 본 발명에 적용하는 것이 가능하게 된다. 또한, LED칩(110)에서 발생하는 열을 효율적으로 기판(201)에 전도하는 관점에서, 절연층(201a)을 열전도율이 높은 재료로 구성하거나, 얇게 구성하거나 하는 등, 절연층(201)의 열저항을 낮게 하는 것이 바람직하다.As described above, when the insulating layer 201a having an insulating property is formed between the substrate 201 and the pattern portion 112, it becomes possible to apply the substrate 201 having conductivity to the present invention. The insulating layer 201a may be made of a material having a high thermal conductivity or may be made thin so that the heat generated from the LED chip 110 can be efficiently conducted to the substrate 201. [ It is preferable to lower the thermal resistance.

(제3 실시형태)(Third Embodiment)

도 6은 본 발명의 제3 실시형태에 따른 발광 장치(300)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(300)는 절연층(201a)이 기판(201)의 표면에 부분적으로(즉, 패턴부(112)의 바로 아래에만) 형성되어 있다는 점에서, 제2 실시형태의 발광 장치(200)와 상이하다.6 is a cross-sectional view of a light emitting device 300 according to a third embodiment of the present invention. The light emitting device 300 of the present embodiment is different from the light emitting device 200 of the second embodiment in that the insulating layer 201a is partially formed on the surface of the substrate 201 (that is, just below the pattern portion 112) Device 200 as shown in FIG.

이와 같이, 절연층(201a)을 패턴부(112)의 바로 아래에만 형성해도, 제2 실시형태와 마찬가지로 도전성을 가지는 기판(201)을 본 발명에 적용하는 것이 가능하게 된다.Thus, even if the insulating layer 201a is formed just below the pattern portion 112, the substrate 201 having conductivity as in the second embodiment can be applied to the present invention.

(제4 실시형태)(Fourth Embodiment)

도 7은 본 발명의 제4 실시형태에 따른 발광 장치(400)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(400)는 기판(401)의 표면에 직사각형 형상의 오목부(401b)(제2 오목부)가 형성되어 있고, 패턴부(412)가 오목부(401b)를 덮도록 형성되어 있는 점에서, 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.7 is a cross-sectional view of a light emitting device 400 according to a fourth embodiment of the present invention. The light emitting device 400 of the present embodiment has a rectangular recess 401b (second recess) formed on the surface of the substrate 401 so that the pattern portion 412 covers the recess 401b And is different from the light emitting device 100 of the first embodiment in that the light emitting device 100 is formed.

도 7에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 패턴부(412)는 오목부(412b)(제1 오목부)에 있어서의 두께와, 평탄부(412c)에 있어서의 두께가 대략 동일하게 되는 것 같은 박막으로 형성되고, 기판(401)의 오목부(401b)는 패턴부(412)에 형성되는 오목부(412b)의 개구부(412a)(제1 개구부)보다 약간 큰 개구부(401a)(제2 개구부)를 가지고 있고, 오목부(412b)가 오목부(401b)의 내부에 형성되어 있다. 또한, 본 실시형태의 오목부(401b)는 패턴부 형성 공정에 앞서 샌드 블라스트, 레이저 가공 등에 의해 형성된다. 또, 다른 실시형태로서는 제2 및 제3 실시형태와 같이, 기판(401)을 도전성을 가지는 기재(예를 들면 구리나 알루미늄 등의 메탈 기판)로 구성하고, 기판(401)과 패턴부(412) 사이에 절연층을 형성하는 구성으로 할 수도 있다.As shown in Fig. 7, the pattern portion 412 of the present embodiment has the same thickness as the concave portion 412b (first concave portion) and the flat portion 412c And the concave portion 401b of the substrate 401 has an opening 401a slightly larger than the opening portion 412a (first opening portion) of the concave portion 412b formed in the pattern portion 412 And the concave portion 412b is formed inside the concave portion 401b. The concave portion 401b of the present embodiment is formed by sand blasting, laser machining, or the like before the pattern portion forming step. In another embodiment, as in the second and third embodiments, the substrate 401 is made of a conductive substrate (e.g., a metal substrate such as copper or aluminum), and the substrate 401 and the pattern units 412 The insulating layer may be formed between the insulating layer and the insulating layer.

이와 같이, 기판(401)의 표면과 패턴부(412)의 표면을 양쪽이 함몰된 구성으로 해도, 상기한 조건식(1)을 만족하는 한, 제1 실시형태와 마찬가지로 Ag 이온 마이그레이션의 발생이 억제된다.Even if the surface of the substrate 401 and the surface of the pattern portion 412 are both recessed as described above, as long as the above conditional formula (1) is satisfied, generation of Ag ion migration is suppressed as in the first embodiment do.

(제5 실시형태)(Fifth Embodiment)

도 8은 본 발명의 제5 실시형태에 따른 발광 장치(500)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(500)는 LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극에 자외광의 투과율이 낮은 차광 재료(513)(차광 수단)가 충전되어 있다는 점에서 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.8 is a cross-sectional view of a light emitting device 500 according to a fifth embodiment of the present invention. The light emitting device 500 of the present embodiment is different from the light emitting device 500 of the first embodiment in that a gap between the LED chip 110 and the recess 112b is filled with a light shielding material 513 (light shielding means) And is different from the light emitting device 100.

차광 재료(513)로서는 유동성이 있는 재료가 적합하며, 예를 들면, 불소 수지, 실리콘 수지, UV 경화 수지, 땜납, 알루미늄 등을 사용할 수 있다. 또, 불소 수지, 실리콘 수지, UV 경화 수지 등에 자외광을 흡수하는 첨가물을 함유한 것이나, 자외광을 반사하는 첨가물을 함유한 것을 적용할 수도 있다. 또한, 본 실시형태의 차광 재료(513)는 접합 공정 후에 LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극에 충전된다.As the light shielding material 513, a material having fluidity is suitable, and for example, fluororesin, silicone resin, UV curable resin, solder, aluminum and the like can be used. It is also possible to use a fluororesin, a silicone resin, a UV curable resin or the like containing an additive that absorbs ultraviolet light or an additive that reflects ultraviolet light. Further, the light-shielding material 513 of the present embodiment is filled in the gap between the LED chip 110 and the concave portion 112b after the bonding process.

이와 같이, LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극에 차광 재료(513)를 충전하면, 차광 재료(513)에 의해 귀환광이 흡수되기 때문에, 다이본드제(116)에 도달하는 귀환광은 거의 없어져, Ag 이온 마이그레이션의 발생이 더욱 억제된다.When the light shielding material 513 is filled in the gap between the LED chip 110 and the concave portion 112b as described above, the return light is absorbed by the light shielding material 513, so that the return light reaches the die bonding material 116 Almost no light is emitted, and generation of Ag ion migration is further suppressed.

(제6 실시형태)(Sixth Embodiment)

도 9는 본 발명의 제6 실시형태에 따른 발광 장치(600)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(600)는 LED칩(110)과 오목부(412b)와의 간극에 자외광의 투과율이 낮은 차광 재료(613)(차광 수단)가 충전되어 있는 점에서 제4 실시형태의 발광 장치(400)와 상이하다.9 is a cross-sectional view of a light emitting device 600 according to a sixth embodiment of the present invention. The light emitting device 600 of the present embodiment is different from the light emitting device 600 of the fourth embodiment in that a gap between the LED chip 110 and the recess 412b is filled with a light shielding material 613 (light shielding means) And is different from the light emitting device 400.

이와 같이, 제4 실시형태의 발광 장치(400)에 있어서도, 제5 실시형태와 마찬가지로 LED칩(110)과 오목부(412b)와의 간극에 차광 재료(613)를 충전함으로써, Ag 이온 마이그레이션의 발생을 더욱 억제할 수 있다.As described above, in the light emitting device 400 of the fourth embodiment, the light shielding material 613 is filled in the gap between the LED chip 110 and the concave portion 412b as in the fifth embodiment, Can be further suppressed.

(제7 실시형태)(Seventh Embodiment)

도 10은 본 발명의 제7 실시형태에 따른 발광 장치(700)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(700)는 패턴부(112)의 평탄부(112c)로부터 LED칩(110)을 향하여 연장되는 판 형상의 차광 부재(715)(차광 수단)가 설치되어 있는 점에서 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.10 is a cross-sectional view of a light emitting device 700 according to a seventh embodiment of the present invention. The light emitting device 700 of the present embodiment is provided with the plate-shaped light shielding member 715 (light shielding means) extending from the flat portion 112c of the pattern portion 112 toward the LED chip 110, Emitting device 100 of the first embodiment.

차광 부재(715)로서는 내UV성을 가지는 재료가 적합하며, 예를 들면, 테프론(등록상표) 수지, 폴리이미드, PEEK, 자외선 컷트 유리, ND 필터 등의 컬러 유리, 판 형상의 금속(예를 들면, 알루미늄, 구리, 스테인레스강) 등을 사용할 수 있다. 또한, 본 실시형태의 차광 부재(715)는 접합 공정 후에 LED칩(110)과 오목부(112b)(즉, 개구부(112a))와의 간극을 메우도록 배치되고, 납땜이나 내열성 접착제에 의해 평탄부(112c) 상에 고착된다.As the light shielding member 715, a material having an anti-UV property is suitable. For example, a color glass such as Teflon (registered trademark) resin, polyimide, PEEK, ultraviolet cut glass, ND filter, Aluminum, copper, stainless steel), or the like can be used. The light shielding member 715 of the present embodiment is disposed so as to fill the gap between the LED chip 110 and the recess 112b (i.e., the opening 112a) after the bonding process and is made of solder or a heat- (112c).

이와 같이, LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극을 메우도록 차광 부재(715)를 배치하면, 제5 및 제6 실시형태와 마찬가지로, 차광 부재(715)에 의해 귀환광이 차광되기 때문에, 다이본드제(116)에 도달하는 귀환광은 거의 없어져, Ag 이온 마이그레이션의 발생이 더욱 억제된다.When the light shielding member 715 is disposed so as to fill the gap between the LED chip 110 and the concave portion 112b as described above, the return light is shielded by the light shielding member 715 as in the fifth and sixth embodiments Therefore, almost no return light reaching the die bonding agent 116 occurs, and the occurrence of Ag ion migration is further suppressed.

(제8 실시형태)(Eighth embodiment)

도 11은 본 발명의 제8 실시형태에 따른 발광 장치(800)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(800)는 패턴부(112)의 평탄부(112cM)가 LED칩(110)을 향하여 돌출하도록(즉, 개구부(112aM)가 오므라들도록) 오목부(112bM)가 형성되어 있는 점에서 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.11 is a cross-sectional view of a light emitting device 800 according to an eighth embodiment of the present invention. The light emitting device 800 of the present embodiment is formed with the concave portion 112bM so that the flat portion 112cM of the pattern portion 112 protrudes toward the LED chip 110 (that is, the opening 112aM is closed) And is different from the light emitting device 100 of the first embodiment.

이와 같이, 패턴부(112)의 평탄부(112cM)가 LED칩(110)을 향하여 돌출하도록(즉, 개구부(112aM)가 오므라들도록) 구성하면, 평탄부(112cM)가 일종의 차광 부재로서 기능하기 때문에, 제7 실시형태와 마찬가지로 다이본드제(116)에 도달하는 귀환광은 거의 없어져, Ag 이온 마이그레이션의 발생이 더욱 억제된다.When the flat portion 112cM of the pattern portion 112 protrudes toward the LED chip 110 (that is, the opening portion 112aM is closed), the flat portion 112cM functions as a kind of light shielding member Therefore, as in the seventh embodiment, almost no return light reaching the die bonding material 116 occurs, and the occurrence of Ag ion migration is further suppressed.

(제9 실시형태)(Ninth embodiment)

도 12는 본 발명의 제9 실시형태에 따른 발광 장치(900)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(900)는 기판(901)이 도전성을 가지는 기재(예를 들면 구리나 알루미늄 등의 메탈 기판)로 이루어지고, 도전성을 가지는 패턴부(112)가 기판(901)과 일체적으로 형성되어 있는 점에서 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다. 또, LED칩(910)이 상면(즉, 출사면(910a))에 캐소드 단자(910b) 및 애노드 단자(910c)를 구비하고 있는 점에서 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.12 is a cross-sectional view of a light emitting device 900 according to a ninth embodiment of the present invention. The light emitting device 900 of the present embodiment is configured such that the substrate 901 is made of a conductive substrate (for example, a metal substrate such as copper or aluminum), and the conductive pattern portion 112 is formed integrally with the substrate 901 Emitting device 100 of the first embodiment in that the light-emitting device 100 is formed as a unit. The LED chip 910 is different from the light emitting device 100 of the first embodiment in that a cathode terminal 910b and an anode terminal 910c are provided on an upper surface (that is, an emitting surface 910a).

본 실시형태의 LED칩(910)은 자외광을 투과하는 절연성 기판(예를 들면, 사파이어 기판)의 표면에 GaN 등의 에피택셜층을 결정 성장하여 형성한 LED칩이며, LED칩(910)의 상면에는 캐소드 단자(910b) 및 애노드 단자(910c)가 형성되어 있다. 또, LED칩(910)의 하면은 절연성을 가지는 사파이어 기판으로 되어 있다. 각 LED칩(910)의 캐소드 단자(910b)는 LED칩(910)의 일방측(도 12에 있어서 우측)에 인접하는 LED칩(910)의 애노드 단자(910c)와 본딩 와이어(114)를 통하여 접속되어 있고, 인접하는 LED칩(910)은 각각 직렬 접속되어 있다.The LED chip 910 of the present embodiment is an LED chip formed by crystal growth of an epitaxial layer of GaN or the like on the surface of an insulating substrate (for example, a sapphire substrate) through which ultraviolet light is transmitted, And a cathode terminal 910b and an anode terminal 910c are formed on the upper surface. The lower surface of the LED chip 910 is a sapphire substrate having an insulating property. The cathode terminal 910b of each LED chip 910 is connected to the anode terminal 910c of the LED chip 910 adjacent to one side (right side in Fig. 12) of the LED chip 910 and the bonding wire 114 And adjacent LED chips 910 are connected in series.

이와 같이, 도전성을 가지는 기판(901)을 사용하고, 상면(즉, 출사면(910a))에 캐소드 단자(910b) 및 애노드 단자(910c)를 구비한 LED칩(910)을 본 발명에 적용할 수도 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서는, 패턴부(112)에 본딩 와이어(114)가 접속되지 않기 때문에, 패턴부(112)는 전기적으로 떠 있지만, 패턴부(112)는 기판(901)과 일체적으로 형성되어 있어, LED칩(910)에서 발생한 열을 기판(901)에 효율적으로 전도하는 열전도 부재로서 기능하고 있다.As described above, the LED chip 910 having the cathode terminal 910b and the anode terminal 910c on the upper surface (that is, the emitting surface 910a) using the substrate 901 having conductivity is applied to the present invention It is possible. In the present embodiment, since the bonding wire 114 is not connected to the pattern portion 112, the pattern portion 112 is electrically floated, but the pattern portion 112 is formed integrally with the substrate 901 And functions as a heat conduction member for efficiently conducting heat generated by the LED chip 910 to the substrate 901. [

(제10 실시형태)(Tenth Embodiment)

도 13은 본 발명의 제10 실시형태에 따른 발광 장치(1000)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(1000)는 기판(1001)이 도전성을 가지는 기재(예를 들면 구리나 알루미늄 등의 메탈 기판)로 이루어지고, 기판(1001)이 패턴부(412)를 겸하도록 구성되어 있는(즉, 기판(1001)이 패턴부(412)와 일체적으로 형성되어 있는) 점에서 제4 실시형태의 발광 장치(400)와 상이하다. 또, 제9 실시형태와 마찬가지로 LED칩(910)이 상면(즉, 출사면(910a))에 캐소드 단자(910b) 및 애노드 단자(910c)를 구비하고 있는 점에서 제4 실시형태의 발광 장치(400)와 상이하다.13 is a cross-sectional view of a light emitting device 1000 according to a tenth embodiment of the present invention. The light emitting device 1000 of the present embodiment is configured such that the substrate 1001 is made of a conductive substrate (for example, a metal substrate such as copper or aluminum) and the substrate 1001 is also used as the pattern portion 412 (In other words, the substrate 1001 is formed integrally with the pattern portion 412). The light emitting device 400 according to the fourth embodiment is different from the light emitting device 400 according to the fourth embodiment. The LED chip 910 includes the cathode terminal 910b and the anode terminal 910c on the upper surface (that is, the emitting surface 910a) in the same manner as the ninth embodiment, 400).

이와 같이, 패턴부(412)를 겸하도록 구성된 기판(1001)을 사용하는 것에 의해서도, 상면(즉, 출사면(910a))에 캐소드 단자(910b) 및 애노드 단자(910c)를 구비한 LED칩(910)을 본 발명에 적용할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 있어서도, 제9 실시형태와 마찬가지로 패턴부(412)(즉, 기판(1001))에 본딩 와이어(114)가 접속되지 않기 때문에, 패턴부(412)는 전기적으로 떠 있지만, 패턴부(412)는 기판(1001)과 일체적으로 형성되어 있기 때문에, LED칩(910)에서 발생한 열을 기판(901)에 효율적으로 전도할 수 있다.The use of the substrate 1001 configured to serve also as the pattern portion 412 can also be used to form the LED chip having the cathode terminal 910b and the anode terminal 910c on the upper surface (i.e., the emitting surface 910a) 910) can be applied to the present invention. Also in the present embodiment, since the bonding wire 114 is not connected to the pattern portion 412 (that is, the substrate 1001) as in the ninth embodiment, the pattern portion 412 is electrically floated, Since the pattern unit 412 is integrally formed with the substrate 1001, heat generated in the LED chip 910 can be efficiently conducted to the substrate 901. [

(제11 실시형태)(Eleventh Embodiment)

도 14는 본 발명의 제11 실시형태에 따른 발광 장치(1100)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(1100)는 패턴부(1112)의 오목부(1112b)(제1 오목부)의 바닥면에 LED칩(110)의 출사면(110a)보다 작은 직사각형 형상의 개구부(1112c)(제3 개구부)를 가지는 오목부(1112d)(제3 오목부)가 형성되어 있고, 다이본드제(116)가 오목부(1112d)에 수용되어 있는 점에서 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.14 is a cross-sectional view of a light emitting device 1100 according to an eleventh embodiment of the present invention. The light emitting device 1100 of the present embodiment has a rectangular opening 1112c (first concave portion) which is smaller than the emitting surface 110a of the LED chip 110 on the bottom surface of the concave portion 1112b (first concave portion) And the die bonding material 116 is accommodated in the concave portion 1112d, the light emitting device of the first embodiment (the third concave portion) 100).

이러한 구성에 의하면, 만일 귀환광이 LED칩(110)과 오목부(112b)와의 간극을 통과했다고 해도, 다이본드제(116)에 이르는 일은 없어, Ag 이온 마이그레이션의 발생을 확실하게 억제할 수 있다. 또한, 오목부(1112d)는 다이본드제 도포 공정에 앞서 주지의 에칭, 샌드 블라스트, 기계 가공 등을 행함으로써 형성할 수 있다.According to this configuration, even if the return light passes through the gap between the LED chip 110 and the concave portion 112b, the die bonding agent 116 does not reach, and the occurrence of the Ag ion migration can be reliably suppressed . The concave portion 1112d can be formed by performing well-known etching, sandblasting, machining, or the like prior to the step of applying the die bond.

(제12 실시형태)(Twelfth Embodiment)

도 15는 본 발명의 제12 실시형태에 따른 발광 장치(1200)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(1200)는 패턴부(1212)의 직사각형 형상의 개구부(1212a)(제1 개구부)가 LED칩(110)의 출사면(110a)보다 작게 형성되어 있는 점에서 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.15 is a cross-sectional view of a light emitting device 1200 according to a twelfth embodiment of the present invention. The light emitting device 1200 of the present embodiment is configured such that the rectangular opening 1212a (first opening portion) of the pattern portion 1212 is formed smaller than the emitting surface 110a of the LED chip 110, Type light emitting device 100 according to the first embodiment.

도 15에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 있어서는, 패턴부(1212)의 직사각형 형상의 개구부(1212a)(제1 개구부)가 LED칩(110)의 출사면(110a)보다 작고, 오목부(1212b)(제1 오목부)가 다이본드제(116)만을 수용하고, LED칩(110)의 하면이 평탄부(1212c)에 맞닿은 상태에서 고착되어 있다.15, in the present embodiment, the rectangular opening 1212a (first opening) of the pattern portion 1212 is smaller than the emitting surface 110a of the LED chip 110, and the concave portion 1212b (First recessed portion) accommodates only the die bonding material 116 and the bottom surface of the LED chip 110 is in contact with the flat portion 1212c.

이러한 구성에 의하면, 제11 실시형태와 마찬가지로 귀환광이 다이본드제(116)에 입사하는 것을 확실하게 방지할 수 있기 때문에, Ag 이온 마이그레이션의 발생을 확실하게 억제할 수 있다.With this configuration, it is possible to reliably prevent the return light from entering the die-bonding material 116 as in the eleventh embodiment, so that the occurrence of Ag ion migration can be reliably suppressed.

(제13 실시형태)(Thirteenth Embodiment)

도 16은 본 발명의 제13 실시형태에 따른 발광 장치(1300)의 단면도이다. 본 실시형태의 발광 장치(1300)는 기판(1301)의 표면에 LED칩(110)보다 약간 큰 직사각형 형상의 개구부(1301a)를 가지는 오목부(1301b)가 형성되어 있고, 패턴부(1312)가 오목부(1301b)의 바닥면에만 형성되어 있는 점에서, 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다. 또, 기판(1301)에는 기판(1301)의 표면으로부터 패턴부(1312)까지 기판(1301)의 내부에서 L자 형상으로 연장되는 도체부(1305)가 형성되어 있는 점에서, 제1 실시형태의 발광 장치(100)와 상이하다.16 is a cross-sectional view of a light emitting device 1300 according to a thirteenth embodiment of the present invention. The light emitting device 1300 of this embodiment is provided with a concave portion 1301b having a rectangular opening 1301a slightly larger than the LED chip 110 on the surface of the substrate 1301 and the pattern portion 1312 Emitting device 100 of the first embodiment in that it is formed only on the bottom surface of the concave portion 1301b. Since the conductor 1305 extending from the surface of the substrate 1301 to the pattern portion 1312 in an L-shape in the substrate 1301 is formed on the substrate 1301, And is different from the light emitting device 100.

본 실시형태의 기판(1301)은 제1 실시형태와 마찬가지로 절연성을 가지는 배선 기판이며, 도체부(1305)는 기판(1301)의 표면으로부터 오목부(1301b)의 벽면까지 L자 형상으로 연장되는 구멍을 천공하고, 이 구멍에 땜납 등의 도전성 재료를 흘려넣음으로써 형성된다. 그리고, 패턴부(1312)가 도체부(1305)와 전기적으로 접속하도록, 마스크 도금 등에 의해 오목부(1301b)의 바닥면에 형성된다. 또한, 다른 실시형태로서는 도체부(1305)는 기판(1301) 내에 비아를 삽입함으로써 형성해도 된다. 또, 기판(1301)을 다층 적층 기판으로 구성하면, 도체부(1305)는 다층 적층 기판의 배선 패턴과 바이어의 조합에 의해 형성할 수도 있다.The substrate 1301 according to the present embodiment is a wiring substrate having an insulation property similar to that of the first embodiment and the conductor portion 1305 has a hole extending from the surface of the substrate 1301 to the wall surface of the concave portion 1301b in an L- And then a conductive material such as solder is poured into the hole. The pattern portion 1312 is formed on the bottom surface of the concave portion 1301b by mask plating or the like so as to be electrically connected to the conductor portion 1305. [ In another embodiment, the conductor portion 1305 may be formed by inserting a via into the substrate 1301. [ When the substrate 1301 is formed of a multilayer laminate substrate, the conductor portion 1305 may be formed by a combination of a wiring pattern of a multilayer laminate substrate and a via.

본 실시형태에 있어서는, LED칩(110)은 오목부(1301b)에 수용되고, 패턴부(1312)와 LED칩(110)의 하면(즉, 애노드 단자(110c))이 다이본드제(116)를 통하여 접합되어 있다. 그리고, 각 LED칩(110)의 캐소드 단자(110b)는 LED칩(110)의 일방측(도 16에 있어서 우측)에 인접하는 LED칩(110)이 전기적으로 접속된 도체부(1305)와 본딩 와이어(114)를 통하여 접속되어 있고, 제1 실시형태와 마찬가지로 인접하는 LED칩(110)은 각각 직렬 접속되어 있다.The LED chip 110 is housed in the concave portion 1301b and the lower surface of the pattern portion 1312 and the LED chip 110 (i.e., the anode terminal 110c) Respectively. The cathode terminal 110b of each LED chip 110 is electrically connected to the conductor 1305 to which the LED chip 110 adjacent to one side (right side in FIG. 16) of the LED chip 110 is electrically connected, Wire 114, and adjacent LED chips 110 are connected in series as in the first embodiment.

이와 같이, 본 실시형태의 LED칩(110)의 주위 및 다이본드제(116)의 주위는 기판(1301)에 설치된 오목부(1301b)의 벽면에 의해 둘러싸여 있다. 이 때문에, 제1 실시형태와 마찬가지로 LED칩(110)과 오목부(1301b)와의 간극을 빠져나와 다이본드제(116)를 향하는 귀환광은 거의 없어, Ag 이온 마이그레이션의 발생이 억제된다.As described above, the periphery of the LED chip 110 and the periphery of the die bonding material 116 of the present embodiment are surrounded by the wall surface of the recess 1301b provided in the substrate 1301. As a result, like in the first embodiment, there is almost no return light that goes out of the gap between the LED chip 110 and the concave portion 1301b toward the die bonding material 116, and the occurrence of Ag ion migration is suppressed.

또한, 금회 개시된 실시형태는 모든 점에서 예시이며, 제한적인 것이 아니라고 생각되어야 한다. 본 발명의 범위는 상기한 설명이 아니라, 특허청구의 범위에 의해 표시되며, 특허청구의 범위와 균등한 의미 및 범위 내에서의 모든 변경이 포함되는 것이 의도된다.It is also to be understood that the embodiments disclosed herein are illustrative in all respects and are not restrictive. It is intended that the scope of the invention be indicated by the appended claims rather than the foregoing description, and that all changes that fall within the meaning and range of equivalency of the claims are intended to be embraced therein.

100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200, 1300…발광 장치
101, 201, 401, 901, 1001…기판
102…정극 단자
103…부극 단자
110, 910…LED칩
110a, 910a…출사면
110b, 910b…캐소드 단자
110c, 910c…애노드 단자
110d…발광층
112, 412, 1112, 1212,1312…패턴부
112a, 412a, 112aM, 1112a, 1212a, 1301a…개구부(제1 개구부)
112b, 412b, 112bM, 1112b, 1212b, 1301b…오목부(제1 오목부)
112c, 412c, 112cM, 1212c…평탄부
114…본딩 와이어
116…다이본드제
201a…절연층
401a…개구부(제2 개구부)
401b…오목부(제2 오목부)
513, 613…차광 재료
715…차광 부재
1112c…개구부(제3 개구부)
1112d…오목부(제3 오목부)
1305…도체부100, 200, 300, 400, 500, 600, 700, 800, 900, 1000, 1100, 1200, 1300 ... Light emitting device
101, 201, 401, 901, 1001 ... Board
102 ... Positive terminal
103 ... Negative pole terminal
110, 910 ... LED chip
110a, 910a ... Exit surface
110b, 910b ... Cathode terminal
110c, 910c ... Anode terminal
110d ... The light-
112, 412, 1112, 1212, 1312 ... Pattern portion
112a, 412a, 112aM, 1112a, 1212a, 1301a ... The opening (first opening)
112b, 412b, 112bM, 1112b, 1212b, 1301b ... The concave portion (first concave portion)
112c, 412c, 112cM, 1212c ... Flat part
114 ... Bonding wire
116 ... Die bond
201a ... Insulating layer
401a ... The opening (second opening)
401b ... The concave portion (second concave portion)
513, 613 ... Shading material
715 ... Shielding member
1112c ... The opening (third opening)
1112d ... The concave portion (third concave portion)
1305 ... Conductor portion

Claims (21)

기판과,
상기 기판의 표면에 형성된 도전성을 가지는 패턴부와,
상기 패턴부의 표면에 재치(載置)되고, 발광층으로부터의 광을 출사면으로부터 출사하는 LED(Light Emitting Diode)칩
을 구비하고,
상기 패턴부의 표면에는 상기 LED칩의 출사면보다 약간 큰 제1 개구부를 가지는 제1 오목부가 형성되어 있고,
상기 LED칩은 상기 제1 오목부 내에 수용되고, 적어도 은의 성분을 포함하는 다이본드제를 통하여 상기 제1 오목부의 바닥면에 접합되어 있는
것을 특징으로 하는 발광 장치.A substrate;
A conductive pattern portion formed on a surface of the substrate;
An LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the surface of the pattern portion and emitting light from the light emitting layer from the emitting surface,
And,
Wherein a first concave portion having a first opening slightly larger than a light emitting surface of the LED chip is formed on a surface of the pattern portion,
Wherein the LED chip is housed in the first recess and is bonded to the bottom surface of the first recess through a die bonding agent containing at least silver components
And a light emitting device. 제 1 항에 있어서, 상기 LED칩의 출사면 및 상기 제1 개구부는 직사각형 형상이며, 상기 제1 개구부의 각 변은 상기 LED칩의 출사면의 각 변보다 5~20% 큰 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to claim 1, wherein the emitting surface of the LED chip and the first opening are rectangular, and each side of the first opening is 5 to 20% larger than each side of the emitting surface of the LED chip Device. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서, 상기 제1 오목부의 깊이를 d라고 하고, 상기 발광층으로부터 상기 제1 오목부의 바닥면까지의 거리를 t1이라고 하고, 상기 다이본드제의 막두께를 t2로 했을 때,
t2<d<t1
의 관계를 만족하고 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to claim 1 or 2, wherein the depth of the first concave portion is d, the distance from the light emitting layer to the bottom surface of the first concave portion is t1, and the thickness of the die bonding material is t2 time,
t2 <d <t1
Of the light emitting device. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판의 표면에는 상기 제1 개구부보다 약간 큰 제2 개구부를 가지는 제2 오목부가 형성되어 있고,
상기 제1 오목부가 상기 제2 오목부의 내부에 형성되어 있는
것을 특징으로 하는 발광 장치.The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 3, wherein a second concave portion having a second opening slightly larger than the first opening is formed on a surface of the substrate,
Wherein the first concave portion is formed inside the second concave portion
And a light emitting device. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 오목부와 상기 LED칩과의 간극에 적어도 상기 광의 파장역에 있어서 투과율이 낮은 차광 수단이 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 4, wherein a light shielding means having a low transmittance at least in the wavelength range of the light is provided in a gap between the first concave portion and the LED chip. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 개구부의 가장자리부로부터 상기 LED칩을 향하여 돌출하도록 형성되고, 적어도 상기 광의 파장역에 있어서 광을 차광하는 차광 부재를 더욱 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 5, further comprising a light shielding member protruding from the edge portion of the first opening toward the LED chip and shielding light at least in a wavelength range of the light Emitting device. 제 6 항에 있어서, 상기 차광 부재는 상기 패턴부와 일체적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to claim 6, wherein the light shielding member is formed integrally with the pattern portion. 제 1 항 내지 제 7 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 제1 오목부의 바닥면에는 상기 LED칩의 출사면보다 작은 제3 개구부를 가지는 제3 오목부가 형성되어 있고,
상기 다이본드제가 상기 제3 오목부에 수용되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The LED package according to any one of claims 1 to 7, wherein a third concave portion having a third opening smaller than the emitting surface of the LED chip is formed on a bottom surface of the first concave portion,
And the die bonding agent is accommodated in the third concave portion. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 및 애노드 단자를 가지고,
상기 기판은 도전성을 가지는 금속 기판이며,
상기 패턴부가 상기 금속 기판과 일체적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.9. The LED chip according to any one of claims 1 to 8, wherein the LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side,
The substrate is a conductive metal substrate,
Wherein the pattern portion is integrally formed with the metal substrate. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 및 애노드 단자를 가지고,
상기 기판은 절연성을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.9. The LED chip according to any one of claims 1 to 8, wherein the LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side,
Wherein the substrate has an insulating property. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 또는 애노드 단자의 어느 일방을 가지고, 상기 제1 오목부의 바닥면측에 어느 타방을 가지고,
상기 기판은 절연성을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the LED chip has one of a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side, and the other of the cathode terminal and the anode terminal is provided on the bottom surface side of the first concave portion,
Wherein the substrate has an insulating property. 제 1 항 내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 또는 애노드 단자의 어느 일방을 가지고, 상기 제1 오목부의 바닥면측에 어느 타방을 가지고,
상기 기판은 도전성을 가지는 금속 기판이며,
상기 금속 기판은 상기 패턴부와의 사이를 전기적으로 절연하는 절연층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to any one of claims 1 to 8, wherein the LED chip has one of a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side, and the other of the cathode terminal and the anode terminal is provided on the bottom surface side of the first concave portion,
The substrate is a conductive metal substrate,
Wherein the metal substrate comprises an insulating layer electrically insulated from the pattern portion. 제 1 항 내지 제 12 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED칩으로부터 출사되는 광이 자외선 파장역의 광을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.13. The light emitting device according to any one of claims 1 to 12, wherein the light emitted from the LED chip includes light in the ultraviolet wavelength range. 기판과,
상기 기판의 표면에 형성된 도전성을 가지는 패턴부와,
상기 패턴부의 표면에 재치되고, 발광층으로부터의 광을 출사면으로부터 출사하는 LED(Light Emitting Diode)칩
을 구비하고,
상기 패턴부의 표면에는 상기 LED칩의 출사면보다 작은 개구부를 가지는 제1 오목부가 형성되어 있고,
상기 LED칩은 상기 제1 오목부 내에 충전된 적어도 은의 성분을 포함하는 다이본드제를 통하여 상기 패턴부에 접합되어 있는
것을 특징으로 하는 발광 장치.A substrate;
A conductive pattern portion formed on a surface of the substrate;
An LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the surface of the pattern portion and emitting light from the light emitting layer from the emitting surface
And,
Wherein a first concave portion having an opening smaller than an emission surface of the LED chip is formed on a surface of the pattern portion,
Wherein the LED chip is bonded to the pattern portion through a die bonding agent containing at least a silver component filled in the first concave portion
And a light emitting device. 제 14 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 및 애노드 단자를 가지고,
상기 기판은 도전성을 가지는 금속 기판이며,
상기 패턴부가 상기 금속 기판과 일체적으로 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to claim 14, wherein the LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side,
The substrate is a conductive metal substrate,
Wherein the pattern portion is integrally formed with the metal substrate. 제 14 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 및 애노드 단자를 가지고,
상기 기판은 절연성을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.The light emitting device according to claim 14, wherein the LED chip has a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side,
Wherein the substrate has an insulating property. 제 14 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 또는 애노드 단자의 어느 일방을 가지고, 상기 제1 오목부의 바닥면측에 어느 타방을 가지고,
상기 기판은 절연성을 가지는 것을 특징으로 하는 발광 장치.15. The light emitting device according to claim 14, wherein the LED chip has one of a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side, the other one of the LED chip has a bottom surface side of the first recess,
Wherein the substrate has an insulating property. 제 14 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 캐소드 단자 또는 애노드 단자의 어느 일방을 가지고, 상기 제1 오목부의 바닥면측에 어느 타방을 가지고,
상기 기판은 도전성을 가지는 금속 기판이며,
상기 금속 기판은 상기 패턴부와의 사이를 전기적으로 절연하는 절연층을 구비하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.15. The light emitting device according to claim 14, wherein the LED chip has one of a cathode terminal and an anode terminal on the emitting surface side, the other one of the LED chip has a bottom surface side of the first recess,
The substrate is a conductive metal substrate,
Wherein the metal substrate comprises an insulating layer electrically insulated from the pattern portion. 제 14 항 내지 제 18 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 LED칩으로부터 출사되는 광이 자외선 파장역의 광을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치.19. The light emitting device according to any one of claims 14 to 18, wherein the light emitted from the LED chip includes light in the ultraviolet wavelength range. 기판과, 이 기판 상에 재치되고, 발광층으로부터의 광을 출사면으로부터 출사하는 LED(Light Emitting Diode) 칩을 구비한 발광 장치의 제조 방법으로서,
기판 상에 도전성의 패턴부를 생성하는 공정과,
상기 패턴부의 표면에 상기 LED칩의 출사면보다 약간 큰 개구부를 가지는 오목부를 형성하는 공정과,
상기 오목부의 바닥면에 적어도 은의 성분을 포함하는 다이본드제를 도포하는 공정과,
상기 LED칩을 상기 오목부 내에 수용하고, 상기 LED칩과 상기 오목부의 바닥면을 상기 다이본드제에 의해 접합하는 공정
을 포함하는 발광 장치의 제조 방법.1. A manufacturing method of a light emitting device comprising a substrate and an LED (Light Emitting Diode) chip mounted on the substrate and emitting light from the light emitting layer from the emitting surface,
A step of forming a conductive pattern part on the substrate,
Forming a concave portion having an opening slightly larger than an emitting surface of the LED chip on a surface of the pattern portion;
Applying a die-bonding agent containing at least a silver component to the bottom surface of the concave portion;
A step of accommodating the LED chip in the concave portion and bonding the bottom surface of the LED chip and the concave portion by the die bonding agent
Emitting device. 제 20 항에 있어서, 상기 LED칩은 상기 출사면측에 적어도 1개의 전극을 구비하고,
상기 발광 장치의 제조 방법은 상기 전극에 와이어를 본딩하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 발광 장치의 제조 방법.21. The LED chip according to claim 20, wherein the LED chip has at least one electrode on the emitting surface side,
Wherein the manufacturing method of the light emitting device includes a step of bonding a wire to the electrode.
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