JP2008160032A - Light-emitting device - Google Patents

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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a light-emitting device which efficiently emits light in an emission direction, by preventing the light from a package from leaking, while using a diffuse-reflecting surface. <P>SOLUTION: The light-emitting device includes a package having a resin or ceramic where a recessed part is formed, and a light-emitting element provided in the recessed part. A reflecting film is provided on an outer wall surface of the resin or ceramic. The device includes the package having the resin or ceramic wherein a recessed part is formed on its top surface, and the light-emitting element provided in the recessed part, and the reflecting film is provided on a side surface that adjoins the top surface. <P>COPYRIGHT: (C)2008,JPO&INPIT

Description

本発明は、発光装置に関し、具体的にはパッケージの凹部の中に発光素子を収容した発光装置に関する。   The present invention relates to a light emitting device, and more particularly to a light emitting device in which a light emitting element is accommodated in a recess of a package.

照明や各種の表示、光通信、あるいは液晶表示装置（Liquid Crystal Display：ＬＣＤ）のバックライトなどに用いられる発光装置のうちで、樹脂やセラミックなどからなるパッケージの凹部の中にＬＥＤ（Light Emitting Diode）などの発光素子を収容した構造のものがある。その一例としては、例えば表面実装型（Surface Mount Type：ＳＭＤ）の発光装置を挙げることができる。   Among light-emitting devices used for lighting, various displays, optical communications, or backlights of liquid crystal displays (LCDs), LEDs (Light Emitting Diodes) are placed in the recesses of packages made of resin or ceramic. ) And the like. As an example, for example, a surface mount type (SMD) light emitting device can be given.

このような発光装置として、例えば、セラミックのパッケージの凹部の中に発光素子をマウントし、凹部の内側面に金属層を被覆した発光素子収納用パッケージが開示されている（特許文献１）。また、セラミックのパッケージの凹部の中に発光素子をマウントし、発光素子を取り囲むように金属製のリングをロウ付けして、このリングを反射鏡として用いる発光ダイオードパッケージが開示されている（特許文献２）。
特開２００２−２３２０１７号公報 特開２００５−２４３６５８号公報 As such a light-emitting device, for example, a light-emitting element storage package in which a light-emitting element is mounted in a concave portion of a ceramic package and a metal layer is coated on the inner side surface of the concave portion is disclosed (Patent Document 1). Further, a light emitting diode package is disclosed in which a light emitting element is mounted in a recess of a ceramic package, a metal ring is brazed so as to surround the light emitting element, and the ring is used as a reflecting mirror (Patent Document). 2).
Japanese Patent Laid-Open No. 2002-232017 JP 2005-243658 A

ところで、発光装置から放出される光の配光特性を考慮すると、反射層として金属を用いた場合には光は正反射に近い条件で反射されるために反射光が特定の方向に偏ってしまい、均一性の点で不十分となることがある。より均一な配光を得るためには、金属ではなく、樹脂やセラミックの反射面で得られる拡散反射を利用することが望ましい。   By the way, considering the light distribution characteristics of the light emitted from the light emitting device, when a metal is used as the reflective layer, the reflected light is biased in a specific direction because the light is reflected under conditions close to regular reflection. The uniformity may be insufficient. In order to obtain a more uniform light distribution, it is desirable to use diffuse reflection obtained by a resin or ceramic reflecting surface instead of metal.

ところが、樹脂やセラミックは、発光素子から放出された光を、例えば２０〜３０パーセント程度透過してしまう。つまり、発光素子を取り囲む凹部の内側壁において反射されず、出射方向の光強度が低下する。特に、最近では発光装置の小型化が進み、凹部の内側壁から発光装置の外壁までの厚みが薄くなりつつある。本来は、凹部の出射方向だけに光を取り出すべきであるが、この厚みが薄くなることにより、発光装置の横方向にも光が漏れてしまうという問題も起きつつある。   However, the resin or the ceramic transmits light emitted from the light emitting element, for example, about 20 to 30 percent. That is, the light is not reflected on the inner wall of the recess surrounding the light emitting element, and the light intensity in the emission direction is reduced. In particular, the light emitting device has recently been miniaturized, and the thickness from the inner wall of the recess to the outer wall of the light emitting device is becoming thinner. Originally, the light should be extracted only in the emission direction of the concave portion. However, since the thickness is reduced, there is a problem that the light leaks in the lateral direction of the light emitting device.

本発明は、かかる課題の認識に基づいてなされたものであり、拡散反射面を用いつつ、パッケージからの光の漏れだしを防止して出射方向へ効率よく光を放出可能とした発光装置を提供する。   The present invention has been made based on recognition of such a problem, and provides a light-emitting device that can efficiently emit light in the emission direction by using a diffusive reflecting surface and preventing leakage of light from the package. To do.

本発明の一態様によれば、凹部が形成された樹脂またはセラミックを有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた発光素子と、を備え、前記樹脂またはセラミックの外壁面に、反射膜が設けられたことを特徴とする発光装置が提供される。   According to one aspect of the present invention, a package including a resin or ceramic in which a recess is formed and a light emitting element provided in the recess, and a reflective film is provided on an outer wall surface of the resin or ceramic. A light emitting device is provided.

また、本発明の他の一態様によれば、上面に凹部が形成された樹脂またはセラミックを有するパッケージと、前記凹部の中に設けられた発光素子と、を備え、前記上面に隣接する側面に、反射膜が設けられたことを特徴とする発光装置が提供される。   According to another aspect of the present invention, a package having a resin or ceramic with a recess formed on the upper surface, and a light emitting element provided in the recess, the side surface adjacent to the upper surface is provided. There is provided a light emitting device provided with a reflective film.

本発明により、拡散反射面を用いつつ、パッケージからの光の漏れだしを防止して出射方向へ効率よく光を放出可能とした発光装置が提供される。   According to the present invention, there is provided a light emitting device that uses a diffuse reflection surface and prevents light from leaking from a package and can efficiently emit light in an emission direction.

以下、図面を参照しつつ本発明の実施の形態について説明する。
図１は、本発明の実施の形態にかかる発光装置を表す模式斜視図である。すなわち、図１（ａ）は発光装置を光取り出し面の側から眺めた斜視図であり、図１（ｂ）は発光装置を光取り出し面とは反対側から眺めた斜視図である。
また、図２は、図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。 Hereinafter, embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings.
FIG. 1 is a schematic perspective view showing a light emitting device according to an embodiment of the present invention. That is, FIG. 1A is a perspective view of the light emitting device viewed from the light extraction surface side, and FIG. 1B is a perspective view of the light emitting device viewed from the side opposite to the light extraction surface.
FIG. 2 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG.

本実施形態の発光装置は、上面に凹部１ａが設けられた略直方体状のパッケージ１と、凹部１ａの中に設けれた半導体発光素子３と、を有する。凹部１ａの底面には、リード電極５ａ、５ｂが設けられている。ＬＥＤなどの発光素子３は、リード電極５ａの上にマウントされている。また、半導体発光素子３の上面に設けられた電極（図示せず）と、リード電極５ｂと、はボンディングワイヤ４により接続されている。そして、凹部１ａは、エポキシやシリコーンなどの透光性の樹脂１６により封止されている。なお、樹脂１６に蛍光体を分散させ、発光素子３から放出される光を波長変換して白色光などを得ることもできる。また、このような蛍光体を樹脂１６に分散させる代わりに、発光素子３の上面または周囲に被覆してもよい。なお、図１は、図示の便宜上、樹脂１６を取り除いた状態を表す。   The light emitting device of the present embodiment includes a substantially rectangular parallelepiped package 1 having a recess 1a provided on the upper surface, and a semiconductor light emitting element 3 provided in the recess 1a. Lead electrodes 5a and 5b are provided on the bottom surface of the recess 1a. The light emitting element 3 such as an LED is mounted on the lead electrode 5a. In addition, an electrode (not shown) provided on the upper surface of the semiconductor light emitting element 3 and the lead electrode 5 b are connected by a bonding wire 4. The recess 1a is sealed with a light-transmitting resin 16 such as epoxy or silicone. It is also possible to obtain white light or the like by dispersing the phosphor in the resin 16 and converting the wavelength of light emitted from the light emitting element 3. Further, instead of dispersing such a phosphor in the resin 16, the upper surface or the periphery of the light emitting element 3 may be covered. FIG. 1 shows a state where the resin 16 is removed for convenience of illustration.

略直方体状のパッケージ１の裏面側には、一対の実装電極（給電電極面）２ａ、２ｂが設けられ、これら実装電極２ａ、２ｂの間には、半導体発光素子３からの放熱を促進するためのヒートシンク用金属９が設けられている。   A pair of mounting electrodes (feeding electrode surfaces) 2a and 2b are provided on the back surface side of the substantially rectangular parallelepiped package 1, and between the mounting electrodes 2a and 2b, heat dissipation from the semiconductor light emitting element 3 is promoted. The heat sink metal 9 is provided.

図２に表したように、パッケージ１は、基板２０と、その上に設けられた枠体２１と、を有する。基板２０及び枠体２１は、それぞれアルミナ系やムライト系などのセラミックやガラスセラミック、ガラスエポキシ、紙エポキシ、紙フェノール、熱硬化性樹脂、ＵＶ（紫外線）硬化性樹脂、熱可塑性樹脂などにより形成することができる。基板２０は略板状であり、枠体２１には孔が形成されている。これら基板２０と枠体２１とが積層されて、凹部１ａが形成される。なお、樹脂により形成する場合には、基板２０と枠体２１とは必ずしも別体である必要はなく、一体的に成型してもよい。   As illustrated in FIG. 2, the package 1 includes a substrate 20 and a frame body 21 provided thereon. The substrate 20 and the frame body 21 are respectively formed of ceramics such as alumina and mullite, glass ceramics, glass epoxy, paper epoxy, paper phenol, thermosetting resin, UV (ultraviolet) curable resin, thermoplastic resin, and the like. be able to. The substrate 20 is substantially plate-shaped, and a hole is formed in the frame body 21. The substrate 20 and the frame body 21 are laminated to form the recess 1a. In addition, when forming with resin, the board | substrate 20 and the frame 21 do not necessarily need to be a different body, and you may shape | mold integrally.

凹部１ａの内壁面Ｓは、光反射面とすることができる。すなわち、枠体２１を構成するセラミックや樹脂の無垢の材料表面を内壁面Ｓとし、半導体発光素子３から放出された光を内壁面Ｓにおいて反射させることができる。この場合には、光は乱反射されるので、均一な拡散反射面を形成することができる。こうすることにより、凹部１ａから放射される光の配光特性に偏りがなくなり、均一な配光分布が得られる。
リード電極５ａ、５ｂは、互いに絶縁されつつ、基板２０と枠体２１との間に設けられている。そして、リード電極５ａ、５ｂは、接続ビア５ｃ、５ｄを介して、パッケージ１の裏面に延在し、パッケージ１の裏面に設けられた実装電極２ａ、２ｂとそれぞれ接続されている。つまり、パッケージ１の裏面の実装電極２ａ、２ｂは、リード電極５ａ、５ｂを介して、半導体発光素子３の２つの電極と接続されている。 The inner wall surface S of the recess 1a can be a light reflecting surface. That is, a solid material surface of ceramic or resin constituting the frame body 21 can be used as the inner wall surface S, and light emitted from the semiconductor light emitting element 3 can be reflected on the inner wall surface S. In this case, since the light is irregularly reflected, a uniform diffuse reflection surface can be formed. By doing so, there is no bias in the light distribution characteristics of the light emitted from the recess 1a, and a uniform light distribution is obtained.
The lead electrodes 5a and 5b are provided between the substrate 20 and the frame body 21 while being insulated from each other. The lead electrodes 5a and 5b extend to the back surface of the package 1 via connection vias 5c and 5d, and are connected to mounting electrodes 2a and 2b provided on the back surface of the package 1, respectively. That is, the mounting electrodes 2a and 2b on the back surface of the package 1 are connected to the two electrodes of the semiconductor light emitting element 3 via the lead electrodes 5a and 5b.

そして、本実施形態においては、パッケージの外壁面が反射膜１０により覆われている。すなわち、図１及び図２に表した具体例においては、パッケージの上面と側面が反射膜１０により覆われている。発光素子３から放出された光は、凹部１ａの内壁面Ｓにおいて反射され、上方（凹部１ａの開口方向）に取り出される。しかし、樹脂やセラミックの内壁面Ｓは、発光素子３から放出された光に対する反射率が１００パーセントではない。特に、最近では、発光装置の小型化が進められており、内壁面Ｓからパッケージ１の外壁面（側面）までの厚みが薄くなりつつある。例えばアルミナ系のセラミックの場合、厚みが１ミリメータ程度であれば、その反射率は８０パーセント以上に達するが、厚みが０．２ミリメータでは反射率は６０パーセント程度にまで低下し、上方への光の取り出し効率に２０パーセント程度の損失が生ずる。反射されなかった光は、パッケージ１の外壁面（側面など）から外部に漏れ出すこととなる。またさらに、このように本来必要のない方向への光の漏れだしは発光装置の配光特性を劣化させ、発光装置を搭載する機器の性能に影響を与えることも懸念される。   In this embodiment, the outer wall surface of the package is covered with the reflective film 10. That is, in the specific example shown in FIGS. 1 and 2, the upper surface and the side surface of the package are covered with the reflective film 10. The light emitted from the light emitting element 3 is reflected on the inner wall surface S of the recess 1a and taken out upward (in the opening direction of the recess 1a). However, the inner wall surface S of resin or ceramic has a reflectance of 100% with respect to the light emitted from the light emitting element 3. In particular, the light emitting device has recently been downsized, and the thickness from the inner wall surface S to the outer wall surface (side surface) of the package 1 is becoming thinner. For example, in the case of an alumina-based ceramic, if the thickness is about 1 mm, the reflectance reaches 80% or more, but if the thickness is 0.2 mm, the reflectance decreases to about 60%, and the upward light As a result, a loss of about 20% occurs in the extraction efficiency. The light that has not been reflected leaks out from the outer wall surface (side surface, etc.) of the package 1. Furthermore, there is a concern that the leakage of light in such a direction that is not necessary originally deteriorates the light distribution characteristics of the light-emitting device and affects the performance of the device on which the light-emitting device is mounted.

これに対して、本実施形態によれば、パッケージ１の外壁面を反射膜１０で覆うことにより、内壁面Ｓを透過して枠体２１や基板２０の中に侵入した光を反射し、凹部１ａに戻して外部に放射させることが可能となる。その結果として、発光装置を小型化した場合でも、パッケージ１の外壁面からの光の漏れだしを防止し、凹部１ａから高い効率で光を取り出すことができる。具体的には、例えば、発光装置のサイズを１ミリメータ以下としたような微小なパッケージの場合でも、凹部１ａ以外の外壁面からの光の漏れ出しを防止し、凹部１ａから高い輝度で光を取り出すことができる。その結果として、小型で高輝度で所望の配光特性が維持された高性能の発光装置を実現できる。   On the other hand, according to the present embodiment, the outer wall surface of the package 1 is covered with the reflective film 10 to reflect the light that has penetrated the inner wall surface S and entered the frame body 21 or the substrate 20, and It becomes possible to return to 1a and to radiate outside. As a result, even when the light emitting device is downsized, light leakage from the outer wall surface of the package 1 can be prevented and light can be extracted from the recess 1a with high efficiency. Specifically, for example, even in the case of a small package in which the size of the light emitting device is 1 mm or less, light leakage from the outer wall surface other than the recess 1a is prevented, and light is emitted from the recess 1a with high luminance. It can be taken out. As a result, a high-performance light-emitting device that is small, has high brightness, and maintains desired light distribution characteristics can be realized.

反射膜１０は、必ずしもパッケージ１の外壁面に密着している必要はなく、外壁面に併設させてもよい。また、反射膜１０の材料は、被覆する基板２０や枠体２１よりも反射率が高い材料であることが望ましい。具体的には、反射膜１０は、例えば、銀、金、アルミニウム、パラジウム、白金などの金属により形成することができる。また、金属以外にも、酸化チタンや酸化マグネシウムなどの酸化物の微粒子を樹脂などに分散させたものでもよい。またさらに、レンズなどに被覆される光学用反射膜と同様に、金属酸化膜などの誘電体からなる多層膜を反射膜１０として用いることもできる。   The reflective film 10 does not necessarily need to be in close contact with the outer wall surface of the package 1 and may be provided on the outer wall surface. The material of the reflective film 10 is desirably a material having a higher reflectance than the substrate 20 or the frame body 21 to be coated. Specifically, the reflective film 10 can be formed of a metal such as silver, gold, aluminum, palladium, or platinum. In addition to metals, oxide fine particles such as titanium oxide and magnesium oxide may be dispersed in a resin or the like. Furthermore, a multilayer film made of a dielectric material such as a metal oxide film can be used as the reflection film 10 as in the case of the optical reflection film coated on the lens or the like.

反射膜１０を金属などの導電性の材料で形成する場合は、実装電極２ａ、２ｂのいずれとも短絡しないように形成することが望ましい。実装電極２ａ及び２ｂのいずれか一方のみと短絡する場合には、使用することが可能であるが、実装電極２ａ及び２ｂの両方と短絡すると使用不能となる。   When the reflective film 10 is formed of a conductive material such as metal, it is desirable that the reflective film 10 be formed so as not to be short-circuited with any of the mounting electrodes 2a and 2b. Although it can be used when short-circuited with only one of the mounting electrodes 2a and 2b, it becomes unusable when short-circuited with both the mounting electrodes 2a and 2b.

一方、反射膜１０を絶縁体により形成する場合には、電気的な短絡などの問題がないので、図１及び図２に表したようにパッケージ１の外壁面のうちで上面と側面のすべてを覆うように設けることができる。   On the other hand, when the reflective film 10 is formed of an insulator, there is no problem such as an electrical short circuit. Therefore, as shown in FIG. 1 and FIG. It can be provided to cover.

また、反射膜１０の形成方法としては、例えば、金属や金属酸化物を含有したペーストを塗布して焼成したり、金属や誘電体多層膜を蒸着やスパッタリングなどの方法で堆積させる方法を挙げることができる。またさらに、金属や金属酸化物の微粒子を含む樹脂を密着させたり、金属箔や、金属または金属酸化物の微粒子を含む樹脂フィルムなどを貼り付ける方法も挙げることができる。   Examples of the method for forming the reflective film 10 include a method in which a paste containing metal or metal oxide is applied and fired, or a metal or dielectric multilayer film is deposited by a method such as vapor deposition or sputtering. Can do. Furthermore, a method in which a resin containing fine particles of metal or metal oxide is adhered, or a metal foil, a resin film containing fine particles of metal or metal oxide, or the like can be used.

図３は、本実施態の第２の具体例としての発光装置を表す模式斜視図である。すなわち、図３（ａ）は発光装置を光取り出し面の側から眺めた斜視図であり、図３（ｂ）は発光装置を光取り出し面とは反対側から眺めた斜視図である。
また、図４は、図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。なお、図３以降の図については、既出の図に表したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。 FIG. 3 is a schematic perspective view showing a light emitting device as a second specific example of the present embodiment. 3A is a perspective view of the light emitting device viewed from the light extraction surface side, and FIG. 3B is a perspective view of the light emitting device viewed from the side opposite to the light extraction surface.
FIG. 4 is a cross-sectional view taken along line AA in FIG. 3 and the subsequent drawings, the same reference numerals are given to the same elements as those shown in the previous drawings, and the detailed description will be omitted as appropriate.

本具体例においては、パッケージ１の側面のうちでマウント面に近い側に反射膜１０が被覆されていない露出部１ｅが設けられている。例えば、反射膜１０を金属などの導電性の材料により形成する場合、反射膜１０をパッケージ１のマウント面に近接させると、発光装置を図示しない実装基板などにマウントした時に、実装基板のマウント電極と反射膜１０とが電気的に短絡してしまうこともあり得る。特に、発光装置を実装基板にマウントする際に、半田や導電性接着剤などが発光装置の周囲にはみ出すと、側面に被覆された反射膜１０と接触しやすくなる。このようにして、もし実装電極２ａと２ｂとが反射膜１０を介して短絡すると、動作不能となる。   In this specific example, an exposed portion 1e that is not covered with the reflective film 10 is provided on the side of the package 1 that is close to the mount surface. For example, when the reflective film 10 is formed of a conductive material such as a metal, when the reflective film 10 is brought close to the mounting surface of the package 1, the mount electrode of the mounting substrate is mounted when the light emitting device is mounted on a mounting substrate (not shown). And the reflective film 10 may be electrically short-circuited. In particular, when the light emitting device is mounted on the mounting substrate, if solder, a conductive adhesive, or the like protrudes around the light emitting device, it easily comes into contact with the reflective film 10 covered on the side surface. In this way, if the mounting electrodes 2a and 2b are short-circuited via the reflective film 10, the operation becomes impossible.

これに対して、本具体例によれば、パッケージ１の側面のうちでマウント面に近い側には反射膜１０を設けない。このようにすれば、発光装置をマウントした時に半田や導電性接着剤などが発光装置の周囲にはみ出した場合でも、電気的な短絡を防止できる。   On the other hand, according to this example, the reflective film 10 is not provided on the side of the package 1 that is close to the mount surface. In this way, even when solder or a conductive adhesive or the like protrudes around the light emitting device when the light emitting device is mounted, an electrical short circuit can be prevented.

また、図４から分かるように、発光素子３は、通常は、パッケージ１の比較的上方に配置されている。つまり、発光素子３から放出され、内壁面Ｓから枠体２１、基板２０の中に侵入した光のうちで、露出部１ｅから漏れ出す成分はごく僅かでありその殆どを反射膜１０より反射して凹部１ａに戻すことが可能である。   Further, as can be seen from FIG. 4, the light emitting element 3 is usually disposed relatively above the package 1. That is, of the light emitted from the light emitting element 3 and entering the frame body 21 and the substrate 20 from the inner wall surface S, there is very little component leaking from the exposed portion 1e, and most of it is reflected from the reflective film 10. It is possible to return to the recess 1a.

図５（ａ）及び（ｂ）は、本実施態の第３及び第４の具体例としての発光装置をそれぞれ表す模式斜視図である。   FIGS. 5A and 5B are schematic perspective views showing light emitting devices as third and fourth specific examples of the present embodiment, respectively.

図５（ａ）に表した第３具体例においては、パッケージ１の外壁面のうちの側面には反射膜１０が設けられ、上面には反射膜１０が設けられず露出部１ｅとされている。このようにしても、横方向への光の漏れだしを防止でき、上方すなわち凹部１ａが設けられた方向のみに光を取り出すことが可能である。   In the third specific example shown in FIG. 5A, the reflective film 10 is provided on the side surface of the outer wall surface of the package 1, and the reflective film 10 is not provided on the upper surface to be the exposed portion 1e. . Even in this case, it is possible to prevent light from leaking in the lateral direction, and it is possible to extract light only upward, that is, in the direction in which the recess 1a is provided.

また、図５（ｂ）に表した第４具体例においては、やはりパッケージ１の上面は反射膜１０が設けられない露出部１ｅとされ、またさらに、側面のうちでマウント面に近い側にも露出部１ｅが設けられている。このようにすれば、第２具体例に関して前述したように、発光装置をマウントする際にも短絡を防止できる。   Further, in the fourth specific example shown in FIG. 5B, the upper surface of the package 1 is also an exposed portion 1e where the reflective film 10 is not provided, and further, on the side closer to the mounting surface among the side surfaces. An exposed portion 1e is provided. In this way, as described above with respect to the second specific example, a short circuit can be prevented even when the light emitting device is mounted.

図６（ａ）、本実施態の第５の具体例としての発光装置を表す模式斜視図であり、図６（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。   FIG. 6A is a schematic perspective view showing a light emitting device as a fifth specific example of the present embodiment, and FIG. 6B is a cross-sectional view taken along line AA.

本具体例においては、実装電極２ａ、２ｂがパッケージ１の側面から突出している。このようなパッケージ１は、例えばリードフレームに形成された実装電極２ａ、２ｂを樹脂からなる母体に埋め込み成形することにより形成することができる。
この構造の場合、反射膜１０を金属などの導電性材料で形成する時には、本具体例のように実装電極２ａ、２ｂに近接した部分には反射膜１０を設けずに露出部１ｅとすると、実装電極２ａ、２ｂの短絡を防止できる。また、本具体例においては、実装電極２ａ、２ｂが突出した側面と直交する側面においては、露出部１ｅを設けず、その全面に反射膜１０を被覆している。ただし、この発光装置をマウントする実装基板などの電極パターンがこれら側面の反射膜１０と短絡するおそれがある場合には、図５（ｂ）に表したように、マウント面の近傍には反射膜１０を設けず、露出部１ｅを形成すればよい。 In this specific example, the mounting electrodes 2 a and 2 b protrude from the side surface of the package 1. Such a package 1 can be formed, for example, by embedding mounting electrodes 2a and 2b formed on a lead frame in a base made of resin.
In the case of this structure, when the reflective film 10 is formed of a conductive material such as a metal, if the reflective film 10 is not provided in the portion adjacent to the mounting electrodes 2a and 2b as in this specific example, the exposed portion 1e is A short circuit of the mounting electrodes 2a and 2b can be prevented. In this specific example, the exposed portion 1e is not provided on the side surface orthogonal to the side surface from which the mounting electrodes 2a and 2b protrude, and the entire surface is covered with the reflective film 10. However, when there is a possibility that an electrode pattern such as a mounting substrate for mounting the light emitting device may be short-circuited with the reflective film 10 on these side surfaces, as shown in FIG. The exposed portion 1 e may be formed without providing 10.

図７は、本実施態の第６の具体例としての発光装置を表す模式斜視図である。すなわち、図７（ａ）は発光装置を光取り出し面の側から眺めた斜視図であり、図７（ｂ）は発光装置を光取り出し面とは反対側から眺めた斜視図である。
本具体例においては、略直方体のパッケージ１の長手方向の両端において、実装電極２ａ、２ｂがパッケージ１の周囲を取り囲むように設けられいる。これら実装電極２ａ、２ｂは、偏平な開口形状を有する凹部１ａの底に設けられたリード電極５ａ、５ｂとそれぞれ接続されている。そして、パッケージ１の外壁面のうち、凹部１ａが設けられた面及びこれに直交する面に反射膜１０が設けられている。一方、凹部１ａが設けられた面の裏側には、放熱用のヒートシンク用金属９が設けられている。本具体例においても、反射膜１０を設けることにより、発光素子３から放出され、内壁面Ｓからパッケージ１の中に侵入した光を反射膜１０で反射して凹部１ａに戻すことができる。その結果として、小型化した場合でも、凹部１ａ以外からの光の漏れだしを防止し、凹部１ａから高い輝度で光を取り出すことができる。 FIG. 7 is a schematic perspective view showing a light emitting device as a sixth specific example of the present embodiment. 7A is a perspective view of the light emitting device viewed from the light extraction surface side, and FIG. 7B is a perspective view of the light emitting device viewed from the side opposite to the light extraction surface.
In this specific example, mounting electrodes 2 a and 2 b are provided so as to surround the package 1 at both ends in the longitudinal direction of the substantially rectangular parallelepiped package 1. These mounting electrodes 2a and 2b are respectively connected to lead electrodes 5a and 5b provided at the bottom of the recess 1a having a flat opening shape. And the reflective film 10 is provided in the surface in which the recessed part 1a was provided among the outer wall surfaces of the package 1, and the surface orthogonal to this. On the other hand, a heat sink metal 9 for heat dissipation is provided on the back side of the surface provided with the recess 1a. Also in this specific example, by providing the reflective film 10, the light emitted from the light emitting element 3 and entering the package 1 from the inner wall surface S can be reflected by the reflective film 10 and returned to the recess 1 a. As a result, even when the size is reduced, leakage of light from other than the recess 1a can be prevented, and light can be extracted from the recess 1a with high luminance.

また、本具体例は、ヒートシンク用金属９をマウント面として基板などに実装してもよいが、それ以外にも、いわゆる「サイドビュー型」の発光装置として用いることも可能である。
図８は、本具体例の発光装置をサイドビュー型として用いる場合の実装状態を表した模式図である。 In this specific example, the heat sink metal 9 may be mounted on a substrate or the like as a mounting surface, but other than that, it can also be used as a so-called “side view type” light emitting device.
FIG. 8 is a schematic view showing a mounting state when the light emitting device of this example is used as a side view type.

本具体例の発光装置をサイドビュー型として用いる場合には、実装基板などの実装部材１００の上に、凹部１ａを横に向けた状態で、実装電極２ａ、２ｂを半田１２０によりマウントすることができる。例えば、液晶ディスプレイのバックライトとして用いる場合、このようにマウントされた発光装置の正面（凹部１ａが設けられている面に対向する）に導光板を隣接して併設し、発光装置から放出された光を導光板の側面に高い効率で入射させることができる。こうすれば、導光板と発光装置の高さＨをいずれも１ミリメートル以下とした超薄型で高輝度のバックライトを実現できる。しかも、本具体例においては、発光装置の高さＨをこのように非常に小さくした場合でも、反射膜１０を設けることにより、凹部１ａ以外の部分からの光の漏れだしを防止し、凹部１ａから高い輝度の発光を得ることができる。   When the light emitting device of this specific example is used as a side view type, the mounting electrodes 2a and 2b may be mounted on the mounting member 100 such as a mounting substrate with the solder 120 with the concave portion 1a facing sideways. it can. For example, when used as a backlight of a liquid crystal display, a light guide plate is provided adjacent to the front surface of the light-emitting device mounted in this manner (opposite the surface on which the recess 1a is provided) and emitted from the light-emitting device. Light can be incident on the side surface of the light guide plate with high efficiency. By doing so, it is possible to realize an ultra-thin and high-brightness backlight in which the height H of the light guide plate and the light-emitting device are both 1 mm or less. In addition, in this specific example, even when the height H of the light emitting device is made very small in this way, by providing the reflective film 10, leakage of light from portions other than the recess 1a is prevented, and the recess 1a. Therefore, light emission with high luminance can be obtained.

なお、このように実装部材１００の上に発光装置をマウントした状態で、凹部１ａとは反対側に設けられたヒートシンク用金属９に図示しないヒートシンクなどを接続することにより、半導体発光素子３から放出された熱を、そのすぐ裏側に設けられた広いヒートシンク用金属９を介して外部に効率よく放出させることができる。   In the state where the light emitting device is mounted on the mounting member 100 as described above, a heat sink or the like (not shown) is connected to the heat sink metal 9 provided on the side opposite to the concave portion 1a to emit from the semiconductor light emitting element 3. The generated heat can be efficiently released to the outside through the wide heat sink metal 9 provided on the back side.

図９は、本実施態の第７の具体例としての発光装置を表す模式斜視図である。
本具体例は、図７及び図８に関して前述した第６具体例と類似した構造を有するが、凹部１ａが設けられた面に反射膜１０が形成されず、露出部１ｅとされている点が異なる。このようにしても、凹部１ａが形成された面に対して横方向の光の漏れだしを防止でき、凹部１ａが形成された面から高い効率で光を取り出すことが可能である。 FIG. 9 is a schematic perspective view showing a light emitting device as a seventh specific example of the present embodiment.
This specific example has a structure similar to that of the sixth specific example described above with reference to FIGS. 7 and 8, except that the reflective film 10 is not formed on the surface provided with the recess 1a, and the exposed portion 1e is formed. Different. Even if it does in this way, the leakage of the light of a horizontal direction can be prevented with respect to the surface in which the recessed part 1a was formed, and it is possible to extract light from the surface in which the recessed part 1a was formed with high efficiency.

次に、反射膜１０の形成方法について説明する。
図１０は、パッケージ１の側面に反射膜１０を形成する方法を例示する工程図である。 まず、図１０（ａ）に表したように、複数のパッケージ１を反射膜１０が形成される面を特定の方向に向けて並べる。
そして、図１０（ｂ）に表したように、これらパッケージ１を治具などで固定し、反射膜１０となる材料Ｍをこの面に供給する。その方法としては、例えば、印刷機を用いて銀ペーストなどを塗布し、その後焼成して樹脂成分を蒸発させて、図１０（ｃ）に表したように、銀の反射膜１０を形成する方法を挙げることができる。
または、この治具に固定した状態で真空チャンバ内に載置し、図１０（ｂ）に表したように、蒸着やスパッタリングなどの方法で銀などの材料Ｍを堆積することにより、図１０（ｃ）に表したように反射膜１０を形成することができる。
または、アルミニウムなどの金属箔を接着剤などで貼り付けてもよい。なお、この時に金属箔をある程度薄くしておけば、図１０（ｃ）に表したように貼り付けた後に、治具を取り外して個々のパッケージ１に分離する際に、金属箔がそれぞれのパッケージ１に付着したままパッケージ１同士のつなぎ目で切断することができる。
なお、パッケージ１の他の面に反射膜１０を形成する際には、パッケージ１を並べ直して、図１０に関して前述した工程を繰り返せばよい。このように工程を繰り返すことにより、必要とする外壁面の全てに反射膜１０を設けることができる。 Next, a method for forming the reflective film 10 will be described.
FIG. 10 is a process diagram illustrating a method of forming the reflective film 10 on the side surface of the package 1. First, as shown in FIG. 10A, a plurality of packages 1 are arranged with the surface on which the reflective film 10 is formed facing a specific direction.
Then, as shown in FIG. 10B, the package 1 is fixed with a jig or the like, and the material M to be the reflective film 10 is supplied to this surface. As the method, for example, a silver paste or the like is applied using a printing machine, and then fired to evaporate the resin component, thereby forming the silver reflective film 10 as shown in FIG. Can be mentioned.
Alternatively, it is placed in a vacuum chamber in a state of being fixed to the jig, and as shown in FIG. 10B, a material M such as silver is deposited by a method such as vapor deposition or sputtering. As shown in c), the reflective film 10 can be formed.
Alternatively, a metal foil such as aluminum may be attached with an adhesive or the like. If the metal foil is thinned to a certain extent at this time, the metal foil is attached to each package when the jig is removed and separated into individual packages 1 after being attached as shown in FIG. The package 1 can be cut at the joint between the packages 1 while attached to the plate 1.
When the reflective film 10 is formed on the other surface of the package 1, the packages 1 may be rearranged and the steps described above with reference to FIG. By repeating the process in this manner, the reflective film 10 can be provided on all the required outer wall surfaces.

図１１は、マスクを用いる方法を表す工程図である。なお、図１１（ａ）及び（ｃ）はパッケージ１の上面側を表し、図１１（ｂ）はパッケージ１の裏面側を表す。
まず、図１１（ａ）及び（ｂ）に表したように、パッケージ１の表面のうちで、反射膜１０を形成しない部分に予めフォトレジストなどによりマスク５０を形成する。そして、真空チャンバの中に載置し、例えば傾斜させつつ自公転させながら蒸着やスパッタリングにより銀などの反射膜１０をパッケージ１の上面及び側面に堆積する。その後、フォトレジスト・リムーバーなどでマスク５０を除去することにより、その上に堆積した反射膜１０をリフトオフして、図１１（ｃ）に表したように反射膜１０を所定のパターンに形成できる。 FIG. 11 is a process diagram showing a method using a mask. 11A and 11C show the upper surface side of the package 1, and FIG. 11B shows the back surface side of the package 1.
First, as shown in FIGS. 11A and 11B, a mask 50 is formed in advance on a portion of the surface of the package 1 where the reflective film 10 is not formed using a photoresist or the like. Then, it is placed in a vacuum chamber, and a reflective film 10 such as silver is deposited on the upper surface and side surfaces of the package 1 by vapor deposition or sputtering while being rotated and revolved, for example. Thereafter, by removing the mask 50 with a photoresist remover or the like, the reflective film 10 deposited thereon is lifted off, and the reflective film 10 can be formed in a predetermined pattern as shown in FIG.

あるいは、フッ素樹脂系の材料などで図１１（ａ）及び（ｂ）に表したようにマスク５０を形成し、銀ペーストの中にディップする。マスク５０の上では銀ペーストははじかれて塗布されない。その後、マスク５０を除去し、焼成すれば、図１１（ｃ）に表したように反射膜１０を所定のパターンに形成できる。   Alternatively, a mask 50 is formed as shown in FIGS. 11A and 11B using a fluororesin-based material and the like, and dipped in a silver paste. On the mask 50, the silver paste is repelled and not applied. Thereafter, when the mask 50 is removed and baked, the reflective film 10 can be formed in a predetermined pattern as shown in FIG.

以上、具体例を参照しつつ本発明の実施の形態について説明した。しかし、本発明はこれら具体例に限定されるものではない。例えば、本発明の発光装置を構成する基板、枠体、凹部、発光素子、リード電極、実装電極、ヒートシンク用金属、ワイヤ、樹脂などについては、当業者が適宜設計変更を加えたものであっても、本発明の要旨を有する限りにおいて本発明の範囲に包含される。   The embodiments of the present invention have been described above with reference to specific examples. However, the present invention is not limited to these specific examples. For example, a person skilled in the art has appropriately changed the design of the substrate, frame, recess, light emitting element, lead electrode, mounting electrode, heat sink metal, wire, resin, etc. constituting the light emitting device of the present invention. Are included in the scope of the present invention as long as they have the gist of the present invention.

また、各具体例及び各変型例を技術的に可能な範囲で組み合わせたものについても、本発明の範囲に包含される。   Moreover, what combined each specific example and each modification in the technically possible range is also included in the scope of the present invention.

本発明の実施の形態にかかる発光装置を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the light-emitting device concerning embodiment of this invention. 図１（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。It is the sectional view on the AA line of Fig.1 (a). 本実施態の第２の具体例としての発光装置を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the light-emitting device as the 2nd specific example of this embodiment. 図３（ａ）のＡ−Ａ線断面図である。It is an AA line sectional view of Drawing 3 (a). （ａ）及び（ｂ）は、本実施態の第３及び第４の具体例としての発光装置をそれぞれ表す模式斜視図である。(A) And (b) is a model perspective view showing the light-emitting device as the 3rd and 4th specific example of this embodiment, respectively. 本実施態の第５の具体例としての発光装置を表す模式斜視図であり、図６（ｂ）はそのＡ−Ａ線断面図である。It is a model perspective view showing the light-emitting device as the 5th example of this embodiment, and FIG.6 (b) is the AA sectional view. 本実施態の第６の具体例としての発光装置を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the light-emitting device as a 6th specific example of this embodiment. 本具体例の発光装置をサイドビュー型として用いる場合の実装状態を表した模式図である。It is the schematic diagram showing the mounting state in case the light-emitting device of this example is used as a side view type. 本実施態の第７の具体例としての発光装置を表す模式斜視図である。It is a model perspective view showing the light-emitting device as a 7th example of this embodiment. パッケージ１の側面に反射膜１０を形成する方法を例示する工程図である。3 is a process diagram illustrating a method of forming a reflective film 10 on the side surface of the package 1; FIG. マスクを用いる方法を表す工程図である。It is process drawing showing the method using a mask.

符号の説明Explanation of symbols

１ パッケージ、 １ａ 凹部、 １ｅ 露出部、 ２ａ、２ｂ 実装電極、 ３ 発光素子、 ４ ボンディングワイヤ、 ５ａ、５ｂ リード電極、 ５ｃ 接続ビア、 ９ ヒートシンク用金属、 １０ 反射膜、 １６ 樹脂、 ２０ 基板、 ２１ 枠体、 ５０ マスク、１００ 実装部材、１２０ 半田  DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Package, 1a Recessed part, 1e Exposed part, 2a, 2b Mounting electrode, 3 Light emitting element, 4 Bonding wire, 5a, 5b Lead electrode, 5c Connection via, 9 Metal for heat sink, 10 Reflective film, 16 Resin, 20 Substrate, 21 Frame, 50 mask, 100 mounting member, 120 solder

Claims (4)

凹部が形成された樹脂またはセラミックを有するパッケージと、
前記凹部の中に設けられた発光素子と、
を備え、
前記樹脂またはセラミックの外壁面に、反射膜が設けられたことを特徴とする発光装置。 A package having a resin or ceramic in which a recess is formed;
A light emitting device provided in the recess;
With
A light-emitting device, wherein a reflective film is provided on an outer wall surface of the resin or ceramic. 上面に凹部が形成された樹脂またはセラミックを有するパッケージと、
前記凹部の中に設けられた発光素子と、
を備え、
前記上面に隣接する側面に、反射膜が設けられたことを特徴とする発光装置。 A package having a resin or ceramic with a recess formed on the upper surface;
A light emitting device provided in the recess;
With
A light-emitting device, wherein a reflective film is provided on a side surface adjacent to the upper surface. 前記上面にも反射膜が設けられたことを特徴とする請求項２記載の発光装置。   The light emitting device according to claim 2, wherein a reflective film is also provided on the upper surface. 前記反射膜は、金属膜、金属酸化物の微粒子を含む膜及び誘電体からなる多層膜よりなる群から選択されたいずれかであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載の発光装置。

The reflective film is any one selected from the group consisting of a metal film, a film containing metal oxide fine particles, and a multilayer film made of a dielectric. The light-emitting device of description.

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199253A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
WO2016136733A1 (en) * 2015-02-25 2016-09-01 京セラ株式会社 Light-emitting element mounting package, light-emitting device, and light-emitting module
JP2016207964A (en) * 2015-04-28 2016-12-08 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device, package and manufacturing method thereof
US9698324B2 (en) 2014-10-24 2017-07-04 Nichia Corporation Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same
US9865779B2 (en) 2015-09-30 2018-01-09 Nichia Corporation Methods of manufacturing the package and light-emitting device

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093601A (en) * 2003-09-16 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light emitting device

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2005093601A (en) * 2003-09-16 2005-04-07 Stanley Electric Co Ltd Semiconductor light emitting device

Cited By (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2010199253A (en) * 2009-02-25 2010-09-09 Nichia Corp Optical semiconductor device and method of manufacturing the same
US9847466B2 (en) 2014-10-24 2017-12-19 Nichia Corporation Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same
US9698324B2 (en) 2014-10-24 2017-07-04 Nichia Corporation Light emitting device, package, and methods of manufacturing the same
CN107251245A (en) * 2015-02-25 2017-10-13 京瓷株式会社 Light-emitting component package for mounting body, light-emitting device and light emitting module
JPWO2016136733A1 (en) * 2015-02-25 2017-11-16 京セラ株式会社 Light emitting element mounting package, light emitting device, and light emitting module
WO2016136733A1 (en) * 2015-02-25 2016-09-01 京セラ株式会社 Light-emitting element mounting package, light-emitting device, and light-emitting module
US10263159B2 (en) 2015-02-25 2019-04-16 Kyocera Corporation Light-emitter mounting package, light-emitting device, and light-emitting module
CN110943151A (en) * 2015-02-25 2020-03-31 京瓷株式会社 Package for mounting light-emitting element, light-emitting device, and light-emitting module
JP2016207964A (en) * 2015-04-28 2016-12-08 日亜化学工業株式会社 Light-emitting device, package and manufacturing method thereof
US10181552B2 (en) 2015-04-28 2019-01-15 Nichia Corporation Light emitting device, package, and method for manufacturing these
US10804449B2 (en) 2015-04-28 2020-10-13 Nichia Corporation Method for manufacturing package, and method for manufacturing light emitting device
US9865779B2 (en) 2015-09-30 2018-01-09 Nichia Corporation Methods of manufacturing the package and light-emitting device
US10367121B2 (en) 2015-09-30 2019-07-30 Nichia Corporation Package and light-emitting device

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