KR20150089338A - 발광 소자 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 93
- 230000000903 blocking effect Effects 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 239000000463 material Substances 0.000 description 13
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 8
- -1 Group 3-Group 5 Chemical class 0.000 description 7
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 5
- 238000004088 simulation Methods 0.000 description 5
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 4
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 description 4
- 229920000515 polycarbonate Polymers 0.000 description 4
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 4
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 4
- 229910002704 AlGaN Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 3
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 229910019897 RuOx Inorganic materials 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N dialuminum;dizinc;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3].[Zn+2].[Zn+2] JAONJTDQXUSBGG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005286 illumination Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 2
- VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L iron(ii) gluconate Chemical compound [Fe+2].OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O.OC[C@@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O VRIVJOXICYMTAG-IYEMJOQQSA-L 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- 229910005191 Ga 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] Chemical compound [O--].[O--].[O--].[O--].[Al+3].[Zn++].[In+3] DZLPZFLXRVRDAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000071 blow moulding Methods 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 239000011162 core material Substances 0.000 description 1
- 239000012777 electrically insulating material Substances 0.000 description 1
- YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N gallium tin Chemical compound [Ga].[Sn] YZZNJYQZJKSEER-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021476 group 6 element Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000002952 polymeric resin Substances 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 230000006798 recombination Effects 0.000 description 1
- 238000005215 recombination Methods 0.000 description 1
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) tin(4+) Chemical compound [O-2].[Zn+2].[Sn+4].[In+3] TYHJXGDMRRJCRY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/02—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
- H01L33/14—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
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- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
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Abstract
실시 예는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물, 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극, 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전도층, 상기 제1 전도층 상에 배치되는 제2 전극, 및 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전도층 사이에 배치되는 제1 전류 차단층을 포함하며, 상기 제1 전류 차단층은 상기 제2 전극 및 상기 제1 전극 각각에 수직 방향으로 비오버랩되고, 상기 수직 방향은 제1 도전형 반도체층으로부터 상기 제2 도전형 반도체층으로 향하는 방향이다.
Description
실시 예는 발광 소자에 관한 것이다.
GaN 등의 Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체는, 우수한 물리적, 화학적 특성으로 인해 발광 다이오드(LED), 레이저 다이오드(LD), 태양 전지 등의 반도체 광소자의 핵심 소재로 각광을 받고 있다.
Ⅲ-Ⅴ족 질화물 반도체 광소자는 청색 및 녹색광 대역을 포함하며, 큰 휘도와 높은 신뢰성을 가질 수 있어, 발광 소자의 구성 물질로 각광을 받고 있다.
발광 소자의 광 효율은 내부양자효율(internal quantum efficiency)과 광추출효율(light extraction efficiency, "외부양자효율"이라고도 함)로 결정될 수 있다.
광 효율을 향상시키기 위하여 발광 소자는 발광 구조물과 전극 또는 ITO(Indium Tin Oxide)와 같은 전도층) 사이에 삽입되어, 전류 분산을 시키기는 역할을 하는 전류 차단층(Current Blocking Layer, CBL)을 포함할 수 있다.
실시 예는 발광 효율을 향상시킬 수 있는 발광 소자를 제공한다.
실시 예는 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물; 상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극; 상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전도층; 상기 제1 전도층 상에 배치되는 제2 전극; 및 상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전도층 사이에 배치되는 제1 전류 차단층을 포함하며, 상기 제1 전류 차단층은 상기 제2 전극 및 상기 제1 전극 각각에 수직 방향으로 비오버랩되고, 상기 수직 방향은 제1 도전형 반도체층으로부터 상기 제2 도전형 반도체층으로 향하는 방향이다.
상기 제1 전류 차단층은 서로 이격하는 복수의 부분들을 포함하며, 상기 복수의 부분들 각각은 상기 제2 전극, 및 상기 제1 전극 각각에 수직 방향으로 비오버랩될 수 있다.
상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층의 일 영역을 노출하는 노출 영역을 가지며, 상기 제1 전극은 상기 노출 영역 상에 배치되고, 상기 제1 전류 차단층은 제2 도전형 반도체층 상부면의 제1 영역 상에 배치되고, 상기 제1 영역은 기설정된 제1 폭을 가지며, 상기 노출 영역에 인접하는 발광 구조물의 측벽으로부터 이격되는 영역일 수 있다.
상기 제1 전류 차단층은 상기 제1 전극 주위를 둘러싸도록 상기 제2 도전형 반도체층의 상부면 상에 배치되는 하나의 선(line) 형상일 수 있다.
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전도층 상에 배치되고, 상기 제2 전극과 상기 수직 방향으로 오버랩되는 제2 전류 차단층을 더 포함할 수 있다.
실시 예는 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 5는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 6은 전류 차단층을 구비하지 않은 발광 소자의 광 출력 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7은 전류 차단층을 구비하는 발광 소자의 광 출력 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
도 2는 도 1에 도시된 발광 소자의 AB 방향의 단면도를 나타낸다.
도 3은 도 1에 도시된 발광 소자의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 단면도를 나타낸다.
도 5는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자의 평면도를 나타낸다.
도 6은 전류 차단층을 구비하지 않은 발광 소자의 광 출력 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 7은 전류 차단층을 구비하는 발광 소자의 광 출력 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프를 나타낸다.
이하, 실시 예들은 첨부된 도면 및 실시 예들에 대한 설명을 통하여 명백하게 드러나게 될 것이다. 실시 예의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 "상/위(on)"에 또는 "하/아래(under)"에 형성되는 것으로 기재되는 경우에 있어, "상/위(on)"와 "하/아래(under)"는 "직접(directly)" 또는 "다른 층을 개재하여 (indirectly)" 형성되는 것을 모두 포함한다. 또한 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다.
도면에서 크기는 설명의 편의 및 명확성을 위하여 과장되거나 생략되거나 또는 개략적으로 도시되었다. 또한 각 구성요소의 크기는 실제크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. 또한 동일한 참조번호는 도면의 설명을 통하여 동일한 요소를 나타낸다. 이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시 예에 따른 발광 소자를 설명한다.
도 1은 실시 예에 따른 발광 소자(100)의 평면도를 나타내고, 도 2는 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 AB 방향의 단면도를 나타내고, 도 3은 도 1에 도시된 발광 소자(100)의 CD 방향의 단면도를 나타낸다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 발광 소자(100)는 기판(110), 버퍼층(115), 발광 구조물(120), 제1 전류 차단층(140a), 전도층(150), 제1 전극(160), 및 제2 전극(170)을 포함한다.
기판(110)은 반도체 물질 성장에 적합한 물질, 캐리어 웨이퍼로 형성될 수 있다. 또한 기판(110)은 열전도성이 뛰어난 물질로 형성될 수 있으며, 전도성 기판 또는 절연성 기판일 수 있다.
예를 들어 기판(110)은 사파이어(Al203), GaN, SiC, ZnO, Si, GaP, InP, Ga203, GaAs 중 적어도 하나를 포함하는 물질일 수 있다. 이러한 기판(110)의 상면에는 광 추출을 위하여 요철(미도시)이 형성될 수 있다.
버퍼층(115)은 기판(110)과 발광 구조물(120) 간의 격자 상수의 차이를 줄이기 위하여 기판(110)과 발광 구조물(120) 사이에 배치될 수 있으며, 2족 내지 6족 원소의 화합물 반도체로 이루어질 수 있다. 다른 실시 예에서 버퍼층(115)은 생략될 수 있다.
발광 구조물(120)은 버퍼층(115) 상에 배치될 수 있으며, 제1 도전형 반도체층(122), 활성층(124), 및 제2 도전형 반도체층(126)을 포함할 수 있고, 빛을 발생할 수 있다. 버퍼층(115)이 생략되는 다른 실시 예에서 발광 구조물(120)은 기판(110) 상에 배치될 수 있다.
활성층(124)과 제1 도전형 반도체층(122) 사이, 또는 활성층(124)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에는 도전형 클래드층(clad layer)이 배치될 수도 있으며, 도전형 클래드층은 질화물 반도체(예컨대, AlGaN, GaN, 또는 InAlGaN)일 수 있다.
다른 실시 예에서 발광 구조물(120)은 제2 도전형 반도체층(126)과 제1 및 제2 전도층들(130, 150) 사이에 제3 반도체층(미도시)을 더 포함할 수 있으며, 제3 반도체층은 제2 도전형 반도체층(126)과 반대의 극성을 가질 수 있다.
또한 다른 실시 예에서 제1 도전형 반도체층(122)은 p형 반도체층으로, 제2 도전형 반도체층(126)은 n형 반도체층으로 구현될 수 있고, 이에 따라 발광 구조물(120)은 N-P 접합, P-N 접합, N-P-N 접합, 또는 P-N-P 접합 구조 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 기판(110) 상에 배치될 수 있으며, 3족-5족, 2족-6족 등의 화합물 반도체일 수 있고, 제1 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제1 도전형 반도체층(122)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있다. 예컨대, 제1 도전형 반도체층(122)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, n형 도펀트(예: Si, Ge, Se, Te 등)가 도핑될 수 있다.
활성층(124)은 제1 도전형 반도체층(122)과 제2 도전형 반도체층(126) 사이에 배치될 수 있고, 제1 도전형 반도체층(122) 및 제2 도전형 반도체층(126)으로부터 제공되는 전자(electron)와 정공(hole)의 재결합(recombination) 과정에서 발생하는 에너지에 의해 광을 생성할 수 있다.
활성층(124)은 반도체 화합물, 예컨대, 3족-5족, 2족-6족의 화합물 반도체일 수 있으며, 단일 우물 구조, 다중 우물 구조, 양자 선(Quantum-Wire) 구조, 또는 양자 점(Quantum Dot) 구조일 수 있다.
활성층(124)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가질 수 있다. 활성층(124)이 양자우물구조인 경우, 활성층(122)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 갖는 우물층(미도시) 및 InaAlbGa1 -a- bN(0≤a≤1, 0≤b≤1, 0≤a+b≤1)의 조성식을 갖는 장벽층(미도시)을 포함할 수 있다.
우물층 및 장벽층은 적어도 1회 이상 교대로 적층될 수 있으며, 우물층의 에너지 밴드 갭은 장벽층의 에너지 밴드 갭보다 작을 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 활성층(124) 상에 배치될 수 있고, 3족-5족, 2족-6족 등의 반도체 화합물일 수 있고, 제2 도전형 도펀트가 도핑될 수 있다.
제2 도전형 반도체층(126)은 InxAlyGa1 -x- yN(0≤x≤1, 0≤y≤1, 0≤x+y≤1)의 조성식을 가지는 반도체일 수 있다. 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126)은 InAlGaN, GaN, AlGaN, InGaN, AlN, InN 중 어느 하나를 포함할 수 있으며, p형 도펀트(예: Mg, Zn, Ca,Sr, Ba)가 도핑될 수 있다.
발광 구조물(120)은 제1 도전형 반도체층(122)의 일 영역(122-1)을 노출하는 노출 영역(122-1)을 가질 수 있다. 이때 제1 도전형 반도체층(122)의 노출 영역(122-1)은 제1 전극(160)을 배치시키기 위한 공간일 수 있다.
전도층(150)은 발광 구조물(120), 예컨대, 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치된다.
전도층(150)은 투명 전도성 산화물, 예컨대, ITO(Indium Tin Oxide), TO(Tin Oxide), IZO(Indium Zinc Oxide), ITZO(Indium Tin Zinc Oxide), IAZO(Indium Aluminum Zinc Oxide), IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide), IGTO(Indium Gallium Tin Oxide), AZO(Aluminum Zinc Oxide), ATO(Antimony tin Oxide), GZO(Gallium Zinc Oxide), IrOx, RuOx,RuOx/ITO, Ni, Ag, Ni/IrOx/Au, 또는 Ni/IrOx/Au/ITO 중 하나 이상을 이용하여 단층 또는 다층으로 이루어질 수 있다.
제1 전극(160)은 노출되는 제1 도전형 반도체층(122)의 일 영역(122-1) 상에 배치될 수 있으며, 노출되는 제1 도전형 반도체층(122)의 일 영역과 접촉(예컨대, 오믹 접촉)할 수 있다.
제1 전극(160)은 와이어가 본딩되는 제1 패드부(162), 및 전류 분산을 위하여 제1 패드부(162)로부터 확장되는 적어도 하나의 제1 가지 전극(164)을 포함할 수 있다.
도 1에는 제1 패드부(162)로부터 확장되는 제2 가지 전극의 수가 1개이지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
다른 실시 예에서 제1 전극(160)은 복수 개의 가지 전극들을 포함할 수 있다.
제2 전극(170)은 전도층(150) 상에 배치될 수 있으며, 전도층(150)과 접촉할 수 있다. 제2 전극(170)은 와이어가 본딩되는 제2 패드부(172), 및 전류 분산을 위하여 제2 패드부(172)로부터 확장되는 적어도 하나의 제2 가지 전극(174-1, 174-2)을 포함할 수 있다.
제2 전극(170)은 수직 방향(101)으로 제1 전극(160)과 비오랩될 수 있다.
여기서 수직 방향(101)은 제1 도전형 반도체층(122)으로부터 제2 도전형 반도체층(126)으로 향하는 방향일 수 있다.
제1 전류 차단층(140a)은 발광 구조물(120)과 전도층(150) 사이에 배치되며, 제2 전극(170)으로부터 발광 구조물(120)을 통과하여 제1 전극(160)으로 흐르는 전류가 발광 구조물(120) 내에서 분산되도록 하는 역할을 한다.
제1 전류 차단층(140a)은 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면 상에 배치될 수 있으며, 전도층(150)은 제1 전류 차단층(140a)과 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면 상에 배치될 수 있다.
예컨대, 전도층(150)은 제1 전류 차단층(140a)의 상부면과 측면, 및 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면과 접촉할 수 있다.
제1 전류 차단층(140a)은 제1 전극(160)과 제2 전극(170) 사이에 위치하는 제2 도전형 반도체층(126)의 제1 영역(S1) 상에 배치될 수 있다.
예컨대, 제1 전류 차단층(140a)은 제1 전극(160)의 제1 가지 전극(164)과 제2 전극(170)의 제2 가지 전극(177-1,174-2) 사이에 위치하는 제2 도전형 반도체층(126) 상부면의 제1 영역(S1) 상에 배치될 수 있다.
제1 영역(S1)은 제1 전류 차단층(140a)은 기설정된 제1 폭 또는 제1 직경(W1)을 가지며, 발광 구조물(120)의 노출 영역(122-1)에 인접하는 발광 구조물(120)의 제1 측벽(129)으로부터 기설정된 거리(d3) 만큼 이격되는 제2 도전형 반도체층(126) 상부면의 일 영역일 수 있다.
제1 전류 차단층(140a)은 제1 측벽(129)을 따라서 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치될 수 있다.
제1 전류 차단층(140a)은 제2 전극(170) 및 제1 전극(160) 각각에 수직 방향(101)으로 비오버랩될 수 있다.
제1 전류 차단층(140a)은 제2 도전형 반도체층(126)의 제1 영역(S1)에 정렬되도록 제2 도전형 반도체층(126) 상에 배치될 수 있다.
제1 전극(160)과 제1 전류 차단층(140a) 간의 수평 방향(102)의 이격 거리(d2)는 제2 전극(170)과 제1 전류 차단층(140a) 간의 수평 방향(102)으로의 이격 거리(d1)보다 짧거나 같을 수 있다(d2≤d1).
제1 전류 차단층(140a)은 제2 전극(170)으로부터 수평 방향(102)으로 기설정된 제1 거리(d1)만큼 이격될 수 있고, 제1 전극(160)으로부터 기설정된 제2 거리(d2)만큼 이격될 수 있다. 제2 거리(d2)는 제1 거리(d1)보다 길 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전류 차단층(140a)은 서로 이격하는 복수의 부분들(141-1 내지 141-n, n>1인 자연수)을 포함할 수 있으며, 복수의 부분들(141-1 내지 141-n, n>1인 자연수)은 제2 도전형 반도체층(126)의 제1 영역(S1) 상에 서로 이격하여 배치될 수 있다.
복수의 부분들(141-1 내지 141-n, n>1인 자연수)은 제2 도전형 반도체층(126)의 제1 영역(S1)에 정렬될 수 있다.
복수의 부분들(141-1 내지 141-n, n>1인 자연수)은 제2 전극(170), 및 제1 전극(160) 각각에 수직 방향(101)으로 비오버랩될 수 있다.
복수의 부분들(141-1 내지 141-n, n>1인 자연수)의 전체적인 형상은 도 1에 도시된 바일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
복수의 부분들(141 내지 141-n, n>1인 자연수)은 도트(dot) 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
제1 전류 차단층(140a)은 전기 절연 물질, 예컨대, ZnO, SiO2, SiON, Si3N4, Al2O3 , TiO2, 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
도 6은 전류 차단층을 구비하지 않은 발광 소자의 광 출력 시뮬레이션 결과를 나타내고, 도 7은 전류 차단층을 구비하는 발광 소자의 광 출력 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 6 및 도 7에서 전류 차단층의 유무를 제외하고는, 양자는 동일한 시뮬레이션 조건, 예컨대, 동일한 발광 구조물, 및 동일한 동작 전압 또는 전류 등을 가질 수 있다.
도 6 및 도 7을 참조하면, 도 6에 비하여, 도 7에서는 제1 전류 차단층(140a)이 전류의 흐름을 차단하는 역할을 할 수 있고, 이로 인하여 발광 구조물(120) 내부를 흐르는 전류는 제1 전류 차단층(140a)을 통과하지 못하고 제1 전류 차단층(140a) 주위로 우회하여 흐를 수 있다. 이로 인하여 실시 예는 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 제1 전류 차단층(140a)은 도트 형상이기 때문에, 전류 분산 효과를 향상시킬 수 있다.
도 4는 다른 실시 예에 따른 발광 소자(200)의 단면도를 나타낸다.
도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 중복을 피하기 위하여 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 4를 참조하면, 발광 소자(200)는 도 2에 도시된 실시 예(100)에 제2 전류 차단층(140b)을 더 포함할 수 있다.
제2 전류 차단층(140b)는 제1 전류 차단층(140a)은 발광 구조물(120)과 전도층(150) 사이에 배치된다.
제2 전류 차단층(140b)은 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면 상에 배치될 수 있으며, 전도층(150)은 제2 전류 차단층(140b)과 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면 상에 배치될 수 있다.
예컨대, 전도층(150)은 제2 전류 차단층(140b)의 상부면과 측면, 및 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면과 접촉할 수 있다.
제2 전류 차단층(140b)은 제2 전극(170)에 수직 방향으로 정렬될 수 있다.
예컨대, 제2 전류 차단층(140b)은 제2 전극(170)과 수직 방향으로 정렬되는 제2 도전형 반도체층(126)의 제2 영역(S2) 상에 배치될 수 있다.
제2 전류 차단층(140b)은 제1 전류 차단층(140a)과 서로 이격하여 위치할 수 있다.
제2 전류 차단층(140b)은 제2 전극(170)과 일치하는 형상일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5는 또 다른 실시 예에 따른 발광 소자(300)의 평면도를 나타낸다.
도 1 및 도 2와 동일한 도면 부호는 동일한 구성을 나타내며, 동일한 구성에 대해서는 중복을 피하기 위하여 설명을 간략하게 하거나 생략한다.
도 5를 참조하면, 발광 소자(300)는 기판(110), 버퍼층(115), 발광 구조물(120), 제1 전류 차단층(140'), 전도층(150), 제1 전극(160), 및 제2 전극(170)을 포함할 수 있다.
도 1에 도시된 제1 전류 차단층(140a)는 도트 형상의 복수의 부분들(140-1 내지 140-n,n>1인 자연수)을 포함하지만, 도 5에 도시된 제1 전류 차단층(140')은 제1 전극(160) 주위를 둘러싸도록 제2 도전형 반도체층(126)의 상부면 상에 배치되는 연속적인 하나의 선(line) 형상을 가질 수 있다.
제1 전류 차단층(140')은 제1 전극(160)에 인접하는 제2 도전형 반도체층(126)의 제1 영역(S1) 상에 배치될 수 있다. 제1 전류 차단층(140')은 제2 전극(170) 및 제1 전극(160) 각각에 수직 방향(101)으로 비오버랩될 수 있다.
또 다른 실시 예에서 발광 소자(300)는 제2 도전형 반도체층의 제2 영역(S2) 상에 배치되는 제2 전류 차단층(140b)을 더 포함할 수 있다.
제1 전극(160) 및 제2 전극(170)과 비오버랩되는 전류 차단층을 구비함으로써, 실시 예는 제1 전극(160) 및 제2 전극(170) 주위에 전류 집중을 방지하고 전류를 분산시킴으로써, 발광 효율을 향상시킬 수 있다.
도 8은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 나타낸다.
도 8을 참조하면, 발광 소자 패키지는 패키지 몸체(510), 제1 도전층(512), 제2 도전층(514), 발광 소자(520), 반사판(530), 와이어(530), 및 수지층(540)을 포함한다.
패키지 몸체(510)는 실리콘 기반의 웨이퍼 레벨 패키지(wafer level package), 실리콘 기판, 실리콘 카바이드(SiC), 질화알루미늄(aluminum nitride, AlN) 등과 같이 절연성 또는 열전도도가 좋은 기판으로 형성될 수 있으며, 복수 개의 기판이 적층되는 구조일 수 있다. 실시 예는 상술한 몸체의 재질, 구조, 및 형상으로 한정되지 않는다.
패키지 몸체(510)는 상면의 일측 영역에 측면 및 바닥으로 이루어지는 캐비티(cavity)를 가질 수 있다. 이때 캐비티의 측벽은 경사지게 형성될 수 있다.
제1 도전층(512) 및 제2 도전층(514)은 열 배출이나 발광 소자의 장착을 고려하여 서로 전기적으로 분리되도록 패키지 몸체(510)의 표면에 배치된다.
와이어들(522,524)에 의하여 발광 소자(520)는 제1 도전층(512) 및 제2 도전층(514)과 전기적으로 연결될 수 있다. 이때 발광 소자(520)는 실시 예들(100 또는 200) 중 어느 하나일 수 있다.
반사판(530)은 발광 소자(520)에서 방출된 빛을 소정의 방향으로 지향하도록 패키지 몸체(510)의 캐비티 측벽에 배치될 수 있다. 반사판(530)은 광반사 물질로 이루어지며, 예컨대, 금속 코팅이거나 금속 박편일 수 있다.
수지층(540)은 패키지 몸체(510)의 캐비티 내에 위치하는 발광 소자(520)를 포위하여 발광 소자(520)를 외부 환경으로부터 보호한다. 수지층(540)은 에폭시 또는 실리콘과 같은 무색 투명한 고분자 수지 재질로 이루어질 수 있다. 수지층(540)은 발광 소자(520)에서 방출된 광의 파장을 변화시킬 수 있도록 형광체를 포함할 수 있다.
실시 예에 따른 발광 소자 패키지는 복수 개가 기판 상에 어레이될 수 있고, 발광 소자 패키지의 광 경로 상에 광학 부재인 도광판, 프리즘 시트, 확산 시트 등이 배치될 수 있다. 이러한 발광 소자 패키지, 기판, 광학 부재는 백라이트 유닛으로 기능할 수 있다.
또 다른 실시 예는 상술한 실시 예들에 기재된 발광 소자 또는 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치, 지시 장치, 조명 시스템으로 구현될 수 있으며, 예를 들어, 조명 시스템은 램프, 가로등을 포함할 수 있다.
도 9는 실시 예에 따른 발광 소자를 포함하는 조명 장치를 나타낸다.
도 9를 참조하면, 조명 장치는 커버(1100), 광원 모듈(1200), 방열체(1400), 전원 제공부(1600), 내부 케이스(1700), 및 소켓(1800)을 포함할 수 있다. 또한, 실시 예에 따른 조명 장치는 부재(1300)와 홀더(1500) 중 어느 하나 이상을 더 포함할 수 있다.
광원 모듈(1200)은 발광 소자(100, 또는 200), 또는 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함할 수 있다.
커버(1100)는 벌브(bulb) 또는 반구의 형상일 수 있으며, 속이 비어 있고, 일 부분이 개구된 형상일 수 있다. 커버(1100)는 광원 모듈(1200)과 광학적으로 결합될 수 있다. 예를 들어, 커버(1100)는 광원 모듈(1200)로부터 제공되는 빛을 확산, 산란 또는 여기시킬 수 있다. 커버(1100)는 일종의 광학 부재일 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합될 수 있다. 커버(1100)는 방열체(1400)와 결합하는 결합부를 가질 수 있다.
커버(1100)의 내면에는 유백색 도료가 코팅될 수 있다. 유백색의 도료는 빛을 확산시키는 확산재를 포함할 수 있다. 커버(1100)의 내면의 표면 거칠기는 커버(1100)의 외면의 표면 거칠기보다 크게 형성될 수 있다. 이는 광원 모듈(1200)로부터의 빛이 충분히 산란 및 확산되어 외부로 방출시키기 위함이다.
커버(1100)의 재질은 유리(glass), 플라스틱, 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리카보네이트(PC) 등일 수 있다. 여기서, 폴리카보네이트는 내광성, 내열성, 강도가 뛰어나다. 커버(1100)는 외부에서 광원 모듈(1200)이 보이도록 투명할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니고 불투명할 수 있다. 커버(1100)는 블로우(blow) 성형을 통해 형성될 수 있다.
광원 모듈(1200)은 방열체(1400)의 일 면에 배치될 수 있으며, 광원 모듈(1200)로부터 발생한 열은 방열체(1400)로 전도될 수 있다. 광원 모듈(1200)은 광원부(1210), 연결 플레이트(1230), 및 커넥터(1250)를 포함할 수 있다.
부재(1300)는 방열체(1400)의 상면 위에 배치될 수 있고, 복수의 광원부(1210)들과 커넥터(1250)가 삽입되는 가이드홈(1310)을 갖는다. 가이드홈(1310)은 광원부(1210)의 기판 및 커넥터(1250)와 대응 또는 정렬될 수 있다.
부재(1300)의 표면은 광 반사 물질로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다.
예를 들면, 부재(1300)의 표면은 백색의 도료로 도포 또는 코팅된 것일 수 있다. 이러한 부재(1300)는 커버(1100)의 내면에 반사되어 광원 모듈(1200)을 향하여 되돌아오는 빛을 다시 커버(1100) 방향으로 반사할 수 있다. 따라서, 실시 예에 따른 조명 장치의 광 효율을 향상시킬 수 있다.
부재(1300)는 예로서 절연 물질로 이루어질 수 있다. 광원 모듈(1200)의 연결 플레이트(1230)는 전기 전도성의 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 방열체(1400)와 연결 플레이트(1230) 사이에 전기적인 접촉이 이루어질 수 있다. 부재(1300)는 절연 물질로 구성되어 연결 플레이트(1230)와 방열체(1400)의 전기적 단락을 차단할 수 있다. 방열체(1400)는 광원 모듈(1200)로부터의 열과 전원 제공부(1600)로부터의 열을 전달받아 방열할 수 있다.
홀더(1500)는 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)의 수납홈(1719)을 막는다. 따라서, 내부 케이스(1700)의 절연부(1710)에 수납되는 전원 제공부(1600)는 밀폐될 수 있다. 홀더(1500)는 가이드 돌출부(1510)를 가질 수 있으며, 가이드 돌출부(1510)는 전원 제공부(1600)의 돌출부(1610)가 관통하는 홀을 가질 수 있다.
전원 제공부(1600)는 외부로부터 제공받은 전기적 신호를 처리 또는 변환하여 광원 모듈(1200)로 제공한다. 전원 제공부(1600)는 내부 케이스(1700)의 수납홈(1719)에 수납될 수 있고, 홀더(1500)에 의해 내부 케이스(1700)의 내부에 밀폐될 수 있다. 전원 제공부(1600)는 돌출부(1610), 가이드부(1630), 베이스(1650), 연장부(1670)를 포함할 수 있다.
가이드부(1630)는 베이스(1650)의 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 가이드부(1630)는 홀더(1500)에 삽입될 수 있다. 베이스(1650)의 일 면 위에는 다수의 부품이 배치될 수 있다. 다수의 부품은 예를 들어, 외부 전원으로부터 제공되는 교류 전원을 직류 전원으로 변환하는 직류변환장치, 광원 모듈(1200)의 구동을 제어하는 구동칩, 광원 모듈(1200)을 보호하기 위한 ESD(ElectroStatic discharge) 보호 소자 등을 포함할 수 있으나 이에 대해 한정하지는 않는다.
연장부(1670)는 베이스(1650)의 다른 일 측에서 외부로 돌출된 형상을 가질 수 있다. 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750) 내부에 삽입될 수 있고, 외부로부터의 전기적 신호를 제공받을 수 있다. 예컨대, 연장부(1670)는 내부 케이스(1700)의 연결부(1750)와 폭이 같거나 작을 수 있다. 연장부(1670)에는 "+ 전선"과 "- 전선"의 각 일 단이 전기적으로 연결될 수 있고, "+ 전선"과 "- 전선"의 다른 일 단은 소켓(1800)에 전기적으로 연결될 수 있다.
내부 케이스(1700)는 내부에 전원 제공부(1600)와 함께 몰딩부를 포함할 수 있다. 몰딩부는 몰딩 액체가 굳어진 부분으로서, 전원 제공부(1600)가 내부 케이스(1700) 내부에 고정될 수 있도록 한다.
도 10은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 표시 장치를 나타낸다.
도 10을 참조하면, 표시 장치(800)는 바텀 커버(810)와, 바텀 커버(810) 상에 배치되는 반사판(820)과, 광을 방출하는 발광 모듈(830, 835)과, 반사판(820)의 전방에 배치되며 발광 모듈(830,835)에서 발산되는 빛을 표시 장치 전방으로 안내하는 도광판(840)과, 도광판(840)의 전방에 배치되는 프리즘 시트들(850,860)을 포함하는 광학 시트와, 광학 시트 전방에 배치되는 디스플레이 패널(870)과, 디스플레이 패널(870)과 연결되고 디스플레이 패널(870)에 화상 신호를 공급하는 화상 신호 출력 회로(872)와, 디스플레이 패널(870)의 전방에 배치되는 컬러 필터(880)를 포함할 수 있다. 여기서 바텀 커버(810), 반사판(820), 발광 모듈(830,835), 도광판(840), 및 광학 시트는 백라이트 유닛(Backlight Unit)을 이룰 수 있다.
발광 모듈은 기판(830) 상에 실장되는 발광 소자 패키지들(835)을 포함할 수 있다. 여기서, 기판(830)은 PCB 등이 사용될 수 있다. 발광 소자 패키지(835)는 도 8에 도시된 실시 예일 수 있다.
바텀 커버(810)는 표시 장치(800) 내의 구성 요소들을 수납할 수 있다. 그리고, 반사판(820)은 본 도면처럼 별도의 구성요소로 마련될 수도 있으며, 도광판(840)의 후면이나, 바텀 커버(810)의 전면에 반사도가 높은 물질로 코팅되는 형태로 마련되는 것도 가능하다.
여기서, 반사판(820)은 반사율이 높고 초박형으로 사용 가능한 소재를 사용할 수 있고, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PolyEthylene Terephtalate; PET)를 사용할 수 있다.
그리고, 도광판(830)은 폴리메틸메타크릴레이트(PolyMethylMethAcrylate; PMMA), 폴리카보네이트(PolyCarbonate; PC), 또는 폴리에틸렌(PolyEthylene; PE) 등으로 형성될 수 있다.
그리고, 제1 프리즘 시트(850)는 지지 필름의 일면에, 투광성이면서 탄성을 갖는 중합체 재료로 형성될 수 있으며, 중합체는 복수 개의 입체구조가 반복적으로 형성된 프리즘층을 가질 수 있다. 여기서, 복수 개의 패턴은 도시된 바와 같이 마루와 골이 반복적으로 스트라이프 타입으로 구비될 수 있다.
그리고, 제2 프리즘 시트(860)에서 지지 필름 일면의 마루와 골의 방향은, 제1 프리즘 시트(850) 내의 지지필름 일면의 마루와 골의 방향과 수직할 수 있다. 이는 발광 모듈과 반사 시트로부터 전달된 빛을 디스플레이 패널(1870)의 전면으로 고르게 분산하기 위함이다.
그리고, 도시되지는 않았으나, 도광판(840)과 제1 프리즘 시트(850) 사이에 확산 시트가 배치될 수 있다. 확산 시트는 폴리에스터와 폴리카보네이트 계열의 재료로 이루어질 수 있으며, 백라이트 유닛으로부터 입사된 빛을 굴절과 산란을 통하여 광 투사각을 최대로 넓힐 수 있다. 그리고, 확산 시트는 광확산제를 포함하는 지지층과, 광출사면(제1 프리즘 시트 방향)과 광입사면(반사시트 방향)에 형성되며 광확산제를 포함하지 않는 제1 레이어와 제2 레이어를 포함할 수 있다.
실시 예에서 확산 시트, 제1 프리즘시트(850), 및 제2 프리즘시트(860)가 광학 시트를 이루는데, 광학 시트는 다른 조합 예를 들어, 마이크로 렌즈 어레이로 이루어지거나 확산 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 또는 하나의 프리즘 시트와 마이크로 렌즈 어레이의 조합 등으로 이루어질 수 있다.
디스플레이 패널(870)은 액정 표시 패널(Liquid crystal display)가 배치될 수 있는데, 액정 표시 패널(860) 외에 광원을 필요로 하는 다른 종류의 표시 장치가 구비될 수 있다.
도 11은 실시 예에 따른 발광 소자 패키지를 포함하는 해드 램프(head lamp, 900)를 나타낸다. 도 11을 참조하면, 해드 램프(900)는 발광 모듈(901), 리플렉터(reflector, 902), 쉐이드(903), 및 렌즈(904)를 포함한다.
발광 모듈(901)은 기판(미도시) 상에 배치되는 복수의 발광 소자 패키지들(미도시)을 포함할 수 있다. 이때 발광 소자 패키지는 도 8에 도시된 실시 예일 수 있다.
리플렉터(902)는 발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛(911)을 일정 방향, 예컨대, 전방(912)으로 반사시킨다.
쉐이드(903)는 리플렉터(902)와 렌즈(904) 사이에 배치되며, 리플렉터(902)에 의하여 반사되어 렌즈(904)로 향하는 빛의 일부분을 차단 또는 반사하여 설계자가 원하는 배광 패턴을 이루도록 하는 부재로서, 쉐이드(903)의 일측부(903-1)와 타측부(903-2)는 서로 높이가 다를 수 있다.
발광 모듈(901)로부터 조사되는 빛은 리플렉터(902) 및 쉐이드(903)에서 반사된 후 렌즈(904)를 투과하여 차체 전방을 향할 수 있다. 렌즈(904)는 리플렉터(902)에 의하여 반사된 빛을 전방으로 굴절시킬 수 있다.
이상에서 실시 예들에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시 예에 포함되며, 반드시 하나의 실시 예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시 예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시 예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의해 다른 실시 예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.
110: 기판 115: 버퍼층
120: 발광 구조물 140a: 제1 전류 차단층
150: 전도층 160: 제1 전극
170: 제2 전극.
120: 발광 구조물 140a: 제1 전류 차단층
150: 전도층 160: 제1 전극
170: 제2 전극.
Claims (5)
- 제1 도전형 반도체층, 활성층, 및 제2 도전형 반도체층을 포함하는 발광 구조물;
상기 제1 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전극;
상기 제2 도전형 반도체층 상에 배치되는 제1 전도층;
상기 제1 전도층 상에 배치되는 제2 전극; 및
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전도층 사이에 배치되는 제1 전류 차단층을 포함하며,
상기 제1 전류 차단층은,
상기 제2 전극 및 상기 제1 전극 각각에 수직 방향으로 비오버랩되고, 상기 수직 방향은 제1 도전형 반도체층으로부터 상기 제2 도전형 반도체층으로 향하는 방향인 발광 소자. - 제1항에 있어서, 상기 제1 전류 차단층은,
서로 이격하는 복수의 부분들을 포함하며, 상기 복수의 부분들 각각은 상기 제2 전극, 및 상기 제1 전극 각각에 수직 방향으로 비오버랩되는 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 발광 구조물은 상기 제1 도전형 반도체층의 일 영역을 노출하는 노출 영역을 가지며, 상기 제1 전극은 상기 노출 영역 상에 배치되고,
상기 제1 전류 차단층은 제2 도전형 반도체층 상부면의 제1 영역 상에 배치되고,
상기 제1 영역은 기설정된 제1 폭을 가지며, 상기 노출 영역에 인접하는 발광 구조물의 측벽으로부터 이격되는 영역인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제1 전류 차단층은 상기 제1 전극 주위를 둘러싸도록 상기 제2 도전형 반도체층의 상부면 상에 배치되는 하나의 선(line) 형상인 발광 소자. - 제1항에 있어서,
상기 제2 도전형 반도체층과 상기 제1 전도층 상에 배치되고, 상기 제2 전극과 상기 수직 방향으로 오버랩되는 제2 전류 차단층을 더 포함하는 발광 소자.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| KR1020140009829A KR102127444B1 (ko) | 2014-01-27 | 2014-01-27 | 발광 소자 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
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| KR20150089338A true KR20150089338A (ko) | 2015-08-05 |
| KR102127444B1 KR102127444B1 (ko) | 2020-06-26 |
Family
ID=53885803
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| KR1020140009829A KR102127444B1 (ko) | 2014-01-27 | 2014-01-27 | 발광 소자 |
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| KR (1) | KR102127444B1 (ko) |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090119258A (ko) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
| KR20120078381A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 갤럭시아포토닉스 주식회사 | 전류 저지층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지 |
| KR20120078377A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 갤럭시아포토닉스 주식회사 | 전류 저지 패턴을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지 |
| KR20120079330A (ko) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | 갤럭시아포토닉스 주식회사 | 복수의 전류차단 홀을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지 |
| JP2013048199A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-03-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | ＧａＮ系ＬＥＤ素子 |
-
2014
- 2014-01-27 KR KR1020140009829A patent/KR102127444B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20090119258A (ko) * | 2008-05-15 | 2009-11-19 | 주식회사 에피밸리 | 반도체 발광소자 |
| KR20120078381A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 갤럭시아포토닉스 주식회사 | 전류 저지층을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지 |
| KR20120078377A (ko) * | 2010-12-31 | 2012-07-10 | 갤럭시아포토닉스 주식회사 | 전류 저지 패턴을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지 |
| KR20120079330A (ko) * | 2011-01-04 | 2012-07-12 | 갤럭시아포토닉스 주식회사 | 복수의 전류차단 홀을 갖는 발광 다이오드 및 발광 다이오드 패키지 |
| JP2013048199A (ja) * | 2011-07-26 | 2013-03-07 | Mitsubishi Chemicals Corp | ＧａＮ系ＬＥＤ素子 |
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|---|---|
| KR102127444B1 (ko) | 2020-06-26 |
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