KR20150086831A - 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치 - Google Patents

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Abstract

이중벽 챔버 구조를 가지고 반도체 웨이퍼의 처리 시 용이하게 공정을 실행하기 위한 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치로서, 비금속재로 구성되고, 반도체 처리용 제1 가스를 대기압보다는 높은 제1 압력으로 유지하는 내부챔버, 상기 내부챔버의 하단에 개폐 가능하게 설치되는 내부챔버 도어, 금속재로 구성되고, 상기 내부챔버의 외부에서 제2 가스를 상기 제1 압력과 동일하거나 유사한 압력으로 유지하는 외부챔버, 상기 외부챔버의 하단에 개폐 가능하게 설치되고 가장자리부에 제1 걸림돌기가 형성된 외부챔버 도어 및 상기 외부챔버의 외주 하단부 둘레에 회전 가능하게 설치되고, 상기 제1 걸림돌기와 대응되는 제2 걸림돌기가 그 내측 가장자리에 형성되어 상기 외부챔버 도어를 개폐가 가능하게 하는 회전체결링을 포함하는을 포함하는 구성을 마련하여 외부챔버를 용이하고 긴밀하게 체결할 수 있다.

Description

반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치{Opening and closing apparatus for semiconductor substrate processing chamber}
본 발명은 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 이중벽 챔버 구조를 가지고 반도체 웨이퍼의 처리 시 용이하게 공정을 실행하기 위한 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자의 제조공정이 진행되는 동안에는 반도체 웨이퍼에 다양한 열처리를 행한다. 그 예로서 효과적인 공정을 달성하기 위해 산화, 질화, 실리사이드, 이온 주입 및 화학기상증착(CVD:Chemical vapor Deposition)공정이 반도체 웨이퍼에 수행된다.
이에 따라, 웨이퍼를 직접적으로 가공하는 대부분의 반도체 공정들은 외부와 밀폐된 공간(챔버)에서 수행된다. 이러한 공정들은 많은 공정 변수들로부터 공정 안정성에 대한 영향을 받게 되는데, 그중 하나가 공정 챔버의 밀폐도이다.
또한, 반도체 기술과 장치의 구조가 나노미터 크기에 접근함에 따라 제한된 열 이력(Hermal budget)의 요구량은 공정 가스의 더 낮은 처리온도와 더 높은 농도를 요구한다.
그러나 가스농도를 높이고 처리온도를 낮추는 것은 고농도 가스에 의해 초래된 안전성 문제뿐만 아니라 더 낮은 온도에서의 효율성 문제 때문에 그 자체의 제한을 가진다.
이러한 문제점을 해결하기 위한 기술의 일 예가 하기 특허문헌에 개시되어 있다.
하기 특허문헌 1은 본 출원인이 "고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치"로 출원한 것으로서, 비금속재로 만들어지고, 100% 순 농도의 수소, 증수소, 불소, 염소 및 암모니아 중 적어도 하나를 포함하고 첫 번째 가스의 압력을 유지하는 내부챔버와, 금속재로 만들어지고 내부챔버를 포함하는 두 번째 가스 압력을 유지하는 고압가스 열처리를 위한 방법 및 장치에 대해 개시되어 있다.
또한, 하기 특허문헌 2에는 하부 챔버, 상부 챔버, 잠금 링 및 초임계 유체 공급부를 포함하고 완전하게 밀폐된 공간을 형성하여 초임계 유체의 상태 변화를 방지하는 초임계 유체를 이용한 기판 처리장치에 대해 개시되어 있다.
대한민국 공개특허공보 제10-0766303호(2007. 10 .11 등록) 대한민국 공개특허공보 제10-1099592호(2011. 12 .28 등록)
그러나, 상술한 바와 같은 종래의 기술에는 반도체 웨이퍼를 처리하기 위해 웨이퍼 보트를 지지하는 금속재의 하부면이 수직 이동하여 공정챔버에 장착되므로 석영재질의 공정챔버의 장착 시 생기는 미세한 충격에도 균열이나 파손이 일어날 수 있는 문제가 있었다.
또, 상술한 바와 같이 특허문헌 2에는 밀폐공간을 형성하기에는 적합할 수 있으나 지속적인 사용 시 기어치형의 마모로 인해 밀폐공간의 미세한 균열을 만들 수 있으며, 그로 인해, 이물질이 유입되어 반도체 품질의 저하와 가스누출로 인한 큰 사고를 초래할 수 있는 문제점도 있었다.
또한, 상술한 바와 같은 종래의 기술에서는 챔버의 밀폐를 위한 구조가 복잡하여 반도체 기판의 처리시간이 지연된다는 문제도 있었다.
본 발명의 목적은 상술한 바와 같은 문제점을 해결하기 위해 이루어진 것으로서, 외부챔버를 용이하고 긴밀하게 체결하여 내부에 이물질의 유입이나 외부로의 가스누출을 방지하고 안전하게 작업이 가능한 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 이중벽 챔버 구조를 가지고 반도체 공정 시 웨이퍼를 보호하여 안전하게 실행하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 석영 재질로 제작되는 공정 챔버에 수직 이동하고 웨이퍼 홀더를 지지하는 금속재로 제작된 내부챔버 도어의 하부면에 장착 시 생기는 미세한 충격을 완화할 수 있는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치는 비금속재로 구성되고 반도체 처리용 제1 가스를 대기압보다는 높은 제1 압력으로 유지하는 내부챔버, 상기 내부챔버의 하단에 개폐 가능하게 설치되는 내부챔버 도어, 금속재로 구성되고 상기 내부챔버의 외부에서 제2 가스를 상기 제1 압력과 동일하거나 유사한 압력으로 유지하는 외부챔버, 상기 외부챔버의 하단에 개폐 가능하게 설치되어 가장자리부에 제1 걸림돌기가 형성된 외부챔버 도어 및 상기 외부챔버의 외주 하단부 둘레에 회전 가능하게 설치되고, 상기 제1 걸림돌기와 대응되는 제2 걸림돌기가 그 내측 가장자리에 형성되어 상기 외부챔버 도어를 개폐가 가능하도록 회전체결링을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 회전체결링은 상기 외부챔버의 외주 하단부 둘레에 마련된 회전가이드홈에 회전 가능하게 삽입 결합되는 개폐부를 포함하고, 상기 제2 걸림돌기는 상기 개폐부의 하단에 마련되고, 일정 간격을 두고 내측 가장자리로부터 일정 길이 연장 형성되어 상기 외부챔버 도어를 개폐 가능하도록 하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 외부챔버 도어에 상기 내부챔버 도어를 지지하면서 상기 내부챔버 도어가 상하 방향으로 이동 가능하도록 하는 완충지지수단을 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 완충지지수단은 상기 외부챔버 도어와 상기 내부챔버 도어 사이에 마련되고, 수평 방향으로의 이동은 최소화하면서 수직 방향으로의 이동을 허용하는 적어도 하나 이상의 탄성체를 갖는 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 지지부재는 상기 내부챔버 도어의 하부와 상기 외부챔버 도어 상부 사이에 적어도 1개 이상이 마련되고, 상기 탄성체는 코일 스프링, 판상 스프링, 유압 또는 공압 탄성체, 내열성 탄성 수지 중의 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 비금속재는 석영을 포함하고, 상기 금속재는 스테인레스강을 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 완충지지수단에는 복수의 지지부재를 지지하도록 구비되는 보조지지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 내부챔버 도어에 장착되어 있으며, 상기 내부챔버의 복수의 반도체 웨이퍼를 장착하고 일정간격 유지할 수 있게 형성된 홀더를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 있어서, 상기 회전체결링에는 상기 회전가이드홈과 결합되는 밑면의 사이에 장착되어 회전운동 가능하게 하는 회전부재를 더 포함하는 것을 특징으로 한다.
상술한 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 의하면, 외부챔버 도어에 회전 결합되는 회전체결링을 형성함으로써, 외부챔버의 내부에 이물질의 유입이나 외부로 가스의 누출을 용이하게 방지하여 안전하게 작업을 수행할 수 있다는 효과가 얻어진다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 의하면, 내부챔버의 압력에 대해 균일한 밀폐구조로, 장력으로 인한 내부챔버의 용이하고 안전하게 지지할 수 있다는 효과를 얻을 수 있다.
또, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 의하면, 반도체 공정 과정에서 이중으로 챔버를 구비하여 안전성을 향상시킬 수 있다는 효과가 얻어진다.
또한, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 의하면, 석영으로 제작되는 내부챔버에 대한 완충구조로 인한 물리적인 외력을 저하시킴으로 균열이나 파손을 방지할 수 있는 효과도 얻어진다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치의 전체 구성도,
도 2는 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치의 도어 구조의 상태를 나타내는 사시도,
도 3은 본 발명에 따른 챔버와 도어의 결합 상태를 나타내는 사시도,
도 4는 본 발명에 따른 개폐부의 개폐상태를 설명하기 위한 일부 확대 단면도,
도 5는 본 발명의 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 마련된 결합홈을 설명하기 위한 사시도,
도 6은 본 발명의 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 마련된 보조지지부재를 설명하기 위한 사시도.
본 발명의 상기 및 그 밖의 목적과 새로운 특징은 본 명세서의 기술 및 첨부 도면에 의해 더욱 명확하게 될 것이다.
이하, 본 발명의 구성을 도면에 따라서 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치의 구성을 나타내는 구성도이고, 도 2는 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치의 도어구조의 상태를 나타내는 사시도 이며, 도 3은 본 발명에 따른 챔버와 도어의 결합 상태를 나타내는 사시도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치의 열처리 챔버는 외부챔버(5)와 내부챔버(6)를 포함한 이중벽 챔버 구조를 채용한다.
본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치는 비금속재로 구성되고, 반도체 처리용 제1 가스를 대기압보다는 높은 제1 압력으로 유지하는 내부챔버(6), 상기 내부챔버(6)의 하단에 개폐 가능하게 설치되는 내부챔버 도어(8), 금속재로 구성되고 상기 내부챔버(6)의 외부에서 제2 가스를 상기 제1 압력과 동일하거나 유사한 압력으로 유지하는 외부챔버(5), 상기 외부챔버(5)의 하단에 개폐 가능하게 설치되는 외부챔버 도어(9) 및 상기 외부챔버(5)의 하단에 개폐 가능하게 설치되어 가장자리부에 제1 걸림돌기(22)가 형성된 외부챔버 도어(9) 및 상기 외부챔버(5)의 외주 하단부 둘레에 회전 가능하게 설치되고, 상기 제1 걸림돌기(22)와 대응되는 제2 걸림돌기(23)가 그 내측 가장자리에 형성되어 상기 외부챔버 도어(9)를 개폐가 가능하게 하는 회전체결링(20)을 포함한다.
상기 내부챔버(6)의 내부는 가연성이고 유해한 활성 가스로 충전되고, 외부챔버(5)의 내부에 장착되어 보호된다. 그로 인해, 외부챔버(5)는 내부챔버(6)로부터 누출된 잠재적으로 위험한 가스를 희석 시키고, 누출된 가스가 대기 중으로 직접 방출되는 것을 막는다.
또한, 이중벽 챔버 설계에서, 외부챔버(5)와 내부챔버(6)에 있는 가스 압력은 동일 압력에 의해 제어된다. 예를 들어 내부챔버(6) 벽을 가로지르는 압력 차는 미리 결정된 사전설정 값의 범위 내에 남아 있도록 하기 위해 내부챔버(6)의 가스압력이 높아지거나 낮아질 때, 외부챔버(5)에 있는 가스양은 증가되거나 줄어든다. 일정한 값보다 더 높은 압력 차는 내부챔버(6)의 일체성에 영향을 미칠 수 있으며, 이는 외부챔버(5)보다 압력 차에 의해 초래된 힘에 대한 저항이나 강도가 더 낮을 수 있다.
상기 내부챔버(6)의 비금속재는 고온과 고압의 작업환경에서 오염을 감소시키기 위해 석영과 같은 비금속계의 기재로 제작되기 때문에 가장 높은 응력 포인트의 하나를 가진다. 또, 상기 외부챔버(5)는 고압력에 대해 고 응축 점을 가지는 316계열의 스테인레스강 소재로 제작하는 것이 바람직하다.
또한, 반도체 웨이퍼 처리 시 도 3에 도시된 바와 같이, 외부챔버(5)와 내부챔버(6)를 폐쇄하기 위해 내부챔버 도어(8) 및 외부챔버 도어(9)는 상하 수직 방향으로 이동한다. 그로 인해, 외부챔버(5)와 외부챔버 도어(9) 및 내부챔버(6)와 내부 챔버 도어(8)는 각각의 일측이 일정한 외력에 의해 접촉하게 되고, 수직 운동에 의한 일정한 외력이 가압되어 긴밀하게 결합 되도록 한다. 이때, 상기 완충지지수단(15)은 내부챔버(6)와 내부챔버 도어(8)의 접촉에 의해 석영재질로 제작되는 내부챔버(6)가 파손되지 않도록 일정한 외력에 따라 하향된다.
상기 완충지지수단(15)은 도 2에 도시된 바와 같이, 내부챔버 도어(8)와 외부챔버 도어(9) 사이에 마련되고, 수평 방향으로의 이동은 최소화하면서 수직 방향으로의 이동을 허용하는 적어도 하나 이상의 탄성체를 갖는 지지부재(16)를 포함한다.
또한, 상기 지지부재(16)는 탄성력을 가지는 코일 스프링, 판상 스프링, 유압 또는 공압 탄성체, 내열성 탄성 수지 중의 어느 하나를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 지지부재(16)는 탄성체로 제작됨에 따라 상술한 바와 같이 내부챔버(6)와 내부챔버 도어(8)의 결합 시 발생하는 외력을 탄성력에 의해 내부챔버 도어(8)에 연결되는 외부챔버 도어(9) 간의 간격을 유지시켜주고, 내부챔버(6)의 결합 시 완충 역할이 가능하다. 그로 인해, 내부챔버(6)의 파손을 방지할 수 있으며 안전하고 용이하게 작업이 가능하다.
아울러 상기 지지부재(16)는 상기 내부챔버 도어(8)의 하부와 상기 외부챔버 도어(9)의 상부 사이에 적어도 1개 이상을 마련하여 지속적인 외력 또는 일정 이상의 외력에도 파손되지 않도록 한다. 또한, 각각의 지지부재(16)는 일정 거리를 유지하도록 균일하게 이격하여 장착하는 것이 바람직하다. 예를 들어 도 1에 도시된 바와 같이 상기 지지부재(16)는 3개가 마련될 수 있다.
또 본 발명에 따르면, 도 2에 도시된 바와 같이, 상기 내부챔버 도어(8)에 장착되며, 상기 내부챔버(6)의 내부에서 복수의 반도체 웨이퍼를 장착하고 일정간격 유지할 수 있게 형성된 홀더(12)를 더 포함한다.
상기 홀더(12)는 반도체 웨이퍼를 장착하거나 지지가 가능하며, 상황에 따라 블록의 형상이나 원통형의 형상으로 제작되어 층을 형성하고 복수의 웨이퍼를 지지하여 작업의 효율성을 증대할 수 있다. 또한, 상기 홀더(12)는 상기 내부챔버(6)와 같은 비금속재로 고온과 고압의 작업환경에서 오염을 감소시키기 위해 석영과 같은 비금속계의 기재로 제작하는 것이 바람직하다.
다음에 본 발명에 따른 내부챔버 도어(8)와 외부챔버 도어(9)의 장착상태를 설명하기 위해 도 2 내지 도 4에 따라 설명한다.
도 4는 본 발명에 따른 회전체결링(20)의 개폐상태를 설명하기 위한 일부 확대 단면도이다.
상기 회전체결링(20)은 상기 외부챔버(5)의 외주 하단부 둘레에 마련된 회전가이드홈(25)에 회전 가능하게 삽입 결합되는 개폐부(21)와 상기 개폐부(21)의 하단에 마련되고, 일정 간격을 두고 내측 가장자리로부터 일정 길이 연장 형성되어 상기 외부챔버 도어(9)를 개폐 가능하도록 상기 제2 걸림돌기(23)를 포함한다.
상기 회전가이드홈(25)에는 상기 개폐부(21)과 결합되는 밑면의 사이에 장착되어 회동 가능하도록 회전부재(27)를 더 포함한다.
상기 회전체결링(20)의 개폐부(21)를 상기 회전가이드홈(25)에 장착하고, 일정 방향으로 회전 시 상기 회전체결링(20)과 회전가이드홈(25)의 결합되는 밑면의 사이에 마련된 회전부재(27)에 의해 회동 된다.
또한, 상기 회전부재(27)는 상기 외부챔버 도어(9)의 회전가이드홈(25)에 일체화로 제작이 가능할 뿐만 아니라 상기 회전체결링(20)에도 일체화로 제작이 가능하다. 아울러 상기 회전부재(27)는 통상적으로 사용되는 스러스트 베어링을 사용하는 것이 바람직하지만, 반드시 이에 국한되는 것은 아니다.
동작에 있어서, 도 2에 도시된 바와 같이 내부챔버 도어(8)를 장착하는 외부챔버 도어(9)가 상향 수직 이동하여 외부챔버(5)의 외주 하단부 둘레에 장착된 개폐부(20)의 내측에 형성된 체결면(29)을 지나도록 삽입된다. 이때, 내부챔버 도어(8)에 형성된 제1 걸림돌기(22)와 회전체결링(20))의 내측 가장자리에 형성된 제2 걸림돌기(23)의 접촉이 없도록 어긋나게 형성하여 수직 이동 시 접촉을 방지하는 것이 바람직하다.
그로 인해, 도 2 내지 도 3에 도시된 바와 같이 수직 이동에 의해 내부챔버 도어(8)와 내부챔버(6)의 일측이 맞닿아 결합되고, 외부챔버 도어(9)와 외부챔버(5)에 맞닿아 결합되는 것이다. 이때, 외부챔버 도어(9)상에 장착된 내부챔버 도어(8)는 챔버와 도어의 장착 시에 생기는 미세한 충격을 상술한 완충지지수단(15)에 의해 완화시킬 수 있다.
도 4(a)에 도시된 바와 같이 외부챔버 도어(9)의 가장자리에 형성된 제1 걸림돌기(22)와 회전체결링(20)의 내측 가장자리에 형성된 제2 걸림돌기(23)는 서로 어긋난 상태로 삽입되고, 도 4(b)에 도시된 바와 같이 상술한 외부챔버(5)의 회전가이드홈(25)에 장착된 개폐부(21)에 의해 일정 회전하여 제2 걸림돌기(23)상에 제1 걸림돌기(22)가 장착되어 지지되는 것이다.
그로 인해, 회전체결링(20)을 일정방향으로 회전 시키는 간단한 동작만으로 외부챔버(5)와 내부챔버(6)는 긴밀하게 밀폐되고, 반도체 웨이퍼 처리 시 발생할 수 있는 가스누출이나 이물질 유입을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 따른 결합홈의 구조에 대해 도 5에 따라 설명한다.
도 5는 본 발명의 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 마련된 결합홈(10)을 설명하기 위한 사시도이다.
도 5에 도시된 바와 같이, 상기 내부챔버 도어(8)에는 내부챔버(6)와 접촉하는 면 상에 결합홈(10)이 형성된다. 상기 결합홈(10)은 내부챔버(6)와 긴밀한 결합이 가능하도록 일정 간격의 홈을 형성된다.
그에 따라, 내부챔버(6)의 내부 상의 가스가 외부로 누출됨을 방지하고 고압이나 장치 자체의 미세한 진동에도 내부챔버(6)가 흔들리지 않도록 고정되기 때문에 보다 안전한 작업이 가능하다.
본 발명에 따른 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치의 지지부재(16)에 장착되는 보조지지부재(17)를 도 8에 따라 설명한다.
도 8은 본 발명의 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치에 적용되는 보조지지부재(17)를 설명하기 위한 사시도이다.
상기 완충지지수단(15)에는 복수의 지지부재(16)를 각각 지지하도록 구비되는 보조지지부재(17)를 더 포함한다.
상기 보조지지부재(17)는 지지부재(16)가 반도체 웨이퍼 처리 시 이루어지는 내부챔버(6) 내부에서 고온과 고압에 의해 파손이 일어날 경우 큰 사고를 초래할 수 있다. 그에 따라, 지지부재(16)가 고정되는 내부챔버 도어(8)의 밑면과 외부챔버 도어(9)의 상부면에 각각 지지부재(16)를 지지하는 보조지지부재(17)를 형성하여 보다 안전하게 내부챔버 도어(8)가 상하 운동이 가능하도록 한다.
또한, 상기 지지부재(16)와 동일한 금속재의 소재로 제작되며 상기 지지부재(16)의 체결부(미도시)와 일체화로 제작하거나 따로 제작하여 장착되어 지지하도록 하는 것이 바람직하다.
이상 본 발명자의 의해서 이루어진 발명을 상기 실시 예에 따라 구체적으로 설명하였지만, 본 발명은 상기 실시 예에 한정되는 것은 아니고 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러 가지로 변경 가능한 것은 물론이다.
본 발명에 따른 반도체 웨이퍼 처리 시 외부챔버와 내부챔버의 이중벽 챔버에 적용하여, 외부챔버를 용이하고 긴밀하게 체결할 수 있다.
5: 외부챔버
6: 내부챔버
8: 내부챔버 도어
9: 외부챔버 도어
10: 결합홈
12: 홀더
15: 완충지지수단
16: 지지부재
17: 보조지지부재
20: 회전체결링
21: 개폐부
22: 제1 걸림돌기
23: 제2 걸림돌기
25: 회전가이드홈
27: 회전부재
29: 체결면

Claims (9)

  1. 비금속재로 구성되고, 반도체 처리용 제1 가스를 대기압보다는 높은 제1 압력으로 유지하는 내부챔버;
    상기 내부챔버의 하단에 개폐 가능하게 설치되는 내부챔버 도어;
    금속재로 구성되고, 상기 내부챔버의 외부에서 제2 가스를 상기 제1 압력과 동일하거나 유사한 압력으로 유지하는 외부챔버;
    상기 외부챔버의 하단에 개폐 가능하게 설치되고 가장자리부에 제1 걸림돌기가 형성된 외부챔버 도어; 및
    상기 외부챔버의 외주 하단부 둘레에 회전 가능하게 설치되고, 상기 제1 걸림돌기와 대응되는 제2 걸림돌기가 그 내측 가장자리에 형성되어 상기 외부챔버 도어를 개폐가 가능하게 하는 회전체결링을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 회전체결링은 상기 외부챔버의 외주 하단부 둘레에 마련된 회전가이드홈에 회전 가능하게 삽입 결합되는 개폐부를 포함하고,
    상기 제2 걸림돌기는 상기 개폐부의 하단에 마련되고, 일정 간격을 두고 내측 가장자리로부터 일정 길이 연장 형성되어 상기 외부챔버 도어를 개폐 가능하도록 하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 외부챔버 도어에 상기 내부챔버 도어를 지지하면서 상기 내부챔버 도어가 상하 방향으로 이동 가능하도록 하는 완충지지수단을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 완충지지수단은 상기 외부챔버 도어와 상기 내부챔버 도어 사이에 마련되고, 수평 방향으로의 이동은 최소화하면서 수직 방향으로의 이동을 허용하는 적어도 하나 이상의 탄성체를 갖는 지지부재를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 지지부재는 상기 내부챔버 도어의 하부와 상기 외부챔버 도어 상부 사이에 적어도 1개 이상이 마련되고, 상기 탄성체는 코일 스프링, 판상 스프링, 유압 또는 공압 탄성체, 내열성 탄성 수지 중의 어느 하나를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 비금속재는 석영을 포함하고, 상기 금속재는 스테인레스강을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  7. 제5항에 있어서,
    상기 완충지지수단에는 복수의 지지부재를 지지하도록 구비되는 보조지지부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 내부챔버 도어에 장착되어 있으며, 상기 내부챔버의 복수의 반도체 웨이퍼를 장착하고 일정간격 유지할 수 있게 형성된 홀더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 회전체결링에는 상기 회전가이드홈과 결합되는 밑면의 사이에 장착되어 회전운동 가능하게 하는 회전부재를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판 처리용 챔버 개폐장치.
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