KR20150084095A - 유기전계 발광 표시장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치는, 제 1방향으로 배열되는 복수의 데이터선들 및 제 2방향으로 배열되는 복수의 주사선들과, 상기 데이터선들 및 주사선들의 교차영역에 배열되는 복수의 화소들을 포함하는 화상 표시부와; 상기 각 화소들에 화소전원으로서의 제 1전원을 제공하는 복수의 주 전원선들 및 상기 주 전원선들과 교차되는 방향으로 배열되는 복수의 보조 전원선들과; 상기 화소들 내에 각각 형성된 차등 저항이 포함되며, 상기 보조 전원선들은 상기 각 화소 내에 구비된 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속된다.

Description

유기전계 발광 표시장치{Organic Light Emitting Display device}
본 발명은 표시장치에 관한 것으로, 특히 유기전계 발광 표시장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관과 비교하여 무게가 가볍고 부피가 작은 각종 평판 표시장치(Flat Panel Display Device)들이 개발되고 있다.
평판 표시장치들 중 특히 유기전계 발광 표시장치(Organic Light Emitting Display Device)는 자발광소자인 유기발광다이오드를 이용하여 영상을 표시함으로써, 휘도 및 색순도가 뛰어나 차세대 표시장치로 주목받고 있다.
이와 같은 유기전계 발광 표시장치는 유기발광다이오드를 구동하는 방식에 따라, 패시브 매트릭스형 유기전계 발광 표시장치(PMOLED)와, 액티브 매트릭스형 유기전계발광 표시장치(AMOLED)로 나뉜다.
이 중 액티브 매트릭스형 유기전계 발광 표시장치는 복수의 화소들이 복수의 주사선들 및 데이터선들의 교차에 의해 구현되는 매트릭스 형태로 배열되고, 상기 주사선들 및 데이터선들과 각각 연결된 각 화소들은 그 내부의 박막트랜지스터들 및 캐패시터를 이용하여 상기 각 화소에 구비된 유기발광소자의 발광을 제어한다.
이 때, 상기 유기발광소자의 제 1전극(애노드 전극)에는 화소전원으로서의 제 1전원(ELVDD)이 인가되고, 유기발광소자의 제 2전극(캐소드 전극)에는 제 2전원(ELVSS)가 인가되며, 상기 유기 발광소자의 제 1전극에서 제 2전극으로 흐르는 전류의 양에 따라 각 화소의 휘도가 결정된다.
상기 제 1전원(ELVDD)은 상기 복수의 화소들에 일정한 전압을 공급하는 역할을 수행하는 것으로, 이는 상기 각 화소들과 연결되는 복수의 전원선들을 통해 인가되나, 상기 전원선에서 발생하는 전압강하(IR Drop)에 의해 화소의 위치별로 일정한 제 1전원이 인가되지 못할 수 있다.
즉, 상기 제 1전원이 인가되는 표시 패널 내의 패드부와 가까운 화소들에 비해 상기 패드부에서 먼 위치에 있는 화소들의 휘도가 낮게 되어, 표시 패널 전체의 휘도가 불균일해지는 단점이 있다.
특히 유기전계 발광 표시장치가 대형화될수록 상기 전원선의 길이가 길어지게 되어 상기 전원선의 전압강하에 따른 휘도 불균일 문제는 더 증대될 수 있다.
본 발명의 실시예는 각 화소들에 화소전원으로서의 제 1전원을 제공하는 주 전원선들 및 상기 주 전원선들과 교차되는 방향으로 배열되는 보조 전원선들로 구성되는 메쉬 타입 구조의 전원선들에 있어서, 상기 전원선들과 접속되는 각 화소들 내에 차등 저항이 형성되고, 상기 보조 전원선들이 상기 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속되도록 형성됨으로써, 전원선에 대한 전압강하 문제를 극복하는 유기전계 발광 표시장치를 제공함에 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위하여 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치는, 제 1방향으로 배열되는 복수의 데이터선들 및 제 2방향으로 배열되는 복수의 주사선들과, 상기 데이터선들 및 주사선들의 교차영역에 배열되는 복수의 화소들을 포함하는 화상 표시부와; 상기 각 화소들에 화소전원으로서의 제 1전원을 제공하는 복수의 주 전원선들 및 상기 주 전원선들과 교차되는 방향으로 배열되는 복수의 보조 전원선들과; 상기 화소들 내에 각각 형성된 차등 저항이 포함되며, 상기 보조 전원선들은 상기 각 화소 내에 구비된 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속된다.
또한, 상기 화소들 각각은, 게이트가 제 1노드에 연결되고, 소스가 제 2노드에 연결되며, 드레인이 유기발광소자의 애노드 전극에 연결되는 제 1트랜지스터와; 게이트가 주사선에 연결되고, 소스가 데이터선에 연결되며, 드레인이 상기 제 1노드와 연결되는 제 2트랜지스터와; 상기 제 2노드 및 상기 화소에 제 1전원을 전달하는 주 전원선 사이에 형성되는 차등 저항을 포함한다.
또한, 상기 제 1노드 및 제 2노드 사이에 접속되는 캐패시터 또는 상기 제 1노드 및 주 전원선 사이에 접속되는 캐패시터가 더 포함된다.
또한, 상기 보조 전원선들은 이와 대응되는 각 수평라인에 배열된 화소들의 제 2노드와 접속되도록 배열된다.
또한, 상기 보조 전원선들은 각 수평라인 별로 배열된 화소들 내의 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속된다.
또한, 상기 차등 저항은 수평라인 별로 서로 다른 저항값을 갖으며, 상기 차등 저항의 저항값은 제 1전원이 인가되는 화상 표시부의 패드부와의 거리에 따라 상이하게 설정된다.
또한, 상기 패드부와의 거리가 가까운 수평라인일수록 상기 차등 저항의 저항값을 크게 설계한다.
또한, 상기 차등 저항은 박막트랜지스터로 구현될 수 있으며, 상기 박막트랜지스터 액티브층의 너비/ 길이의 비를 조절하여 차등 저항의 저항값을 설정한다.
또한, 동일 수평라인에 배열된 화소들에 구비된 차등 저항의 저항값은 동일하다.
이와 같은 본 발명에 의하면, 각 화소에 차등 저항을 삽입하여 상기 각 화소에 제 1전원을 제공하는 주 전원선들의 전압 강하를 보상하고, 보조 전원선들이 상기 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속되도록 형성됨으로써, 상기 차등 저항의 편차에 의한 화상 표시부 전체의 휘도 불균일 문제를 극복하는 장점이 있다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치의 개략적인 구성 블록도.
도 2는 도 1에 도시된 화소들의 제 1실시예에 대한 구성을 나타내는 회로도.
도 3은 도 1에 도시된 화소들의 제 2실시예에 대한 구성을 나타내는 회로도.
도 4는 도 1에 도시된 화소들의 제 3실시예에 대한 구성을 나타내는 회로도.
이하, 첨부된 도면을 참고하여 본 발명의 실시예를 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 1은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치의 개략적인 구성 블록도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명의 실시예에 의한 유기 전계발광 표시장치는 화상을 표현하는 화상표시부(100), 데이터신호를 전달하는 데이터구동부(200) 및 주사 신호를 전달하는 주사구동부(300)를 포함하여 구성된다.
상기 화상표시부(100)는, 행 방향으로 배열된 복수의 주사선(S1,S2,...Sn-1,Sn), 열 방향으로 배열된 복수의 데이터선(D1, D2,....Dm-1, Dm), 상기 데이터선들 및 주사선들의 교차영역에 배열되며, 발광소자와 화소회로로 이루어지는 복수의 화소들(110) 및 상기 복수의 화소 각각에 화소 전원으로서의 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 복수의 주 전원선(410)을 포함하며, 상기 화상표시부(100)에는 상기 제 1전원(ELVDD) 보다 낮은 전위를 갖는 제 2전원(ELVSS)가 인가된다.
또한, 상기 주 전원선(410)에 제 1전원(ELVDD)을 제공하는 전원공급부(400)가 더 포함된다.
상기 제 1전원(ELVDD)은 상기 복수의 화소들(100)에 인가되는 고 전위 전압으로서, 이는 상기 각 화소들과 연결되는 복수의 주 전원선들(410)을 통해 인가되나, 상기 주 전원선(410)에서 발생하는 전압강하(IR Drop)에 의해 화소의 위치별로 일정한 제 1전원이 인가되지 못할 수 있다.
일 예로 상기 전원공급부(400)에서 제공하는 제 1전원이 화상 표시부(100) 상부에 위치한 패드부(미도시)를 통해 인가되는 경우 상기 패드부와 가까운 화상 표시부 상단에 위치한 화소들에 비해 상기 패드부에서 먼 위치에 있는 화소들의 휘도가 낮게 되어, 화상표시부 전체의 휘도가 불균일해지는 단점이 있다.
즉, 상기 제 1전원이 인가되는 패드부와 멀리 위치한 화소들은 패드부와 가깝게 위치한 화소들에 비해 전원선의 전압강하 영향을 크게 받아 제 1전원의 크기가 상대적으로 낮아지므로 각 화소의 유기발광소자(OLED)에 인가되는 전류 편차가 발생되며, 이는 결과적으로 화소별 휘도 편차를 야기한다.
본 발명의 실시예는 이와 같은 단점을 극복하기 위해 상기 주 전원선들(410) 외에 상기 주 전원선들(410)과 전기적으로 연결되는 보조 전원선들(420)이 더 구비된다.
또한, 도 1에 도시된 실시예의 경우 상기 전원공급부(400)가 하나로 구현됨이 도시되어 있으나, 이는 복수 개로 구현될 수 있으며, 복수 개의 전원공급부(400)를 통해 동일한 제 1전원(ELVDD)을 화상표시부의 여러 측면에서 상기 주 전원선들(410)로 제공하거나, 상기 주 전원선들(410) 및 보조 전원선들(420)에 각각 분리하여 제공할 수도 있다.
즉, 본 발명의 실시예는 화상표시부(100)에 제 1전원(ELVDD)를 인가하는 전원선(410, 420)이 메쉬 타입(mesh type) 구조로 구현됨을 특징으로 하며, 상기 메쉬 타입 구조는 도시된 바와 같이 제 1방향(일 예로 열 방향)으로 배열된 주 전원선들(410) 및 상기 주 전원선들(410)과 전기적으로 연결되고, 이와 교차하는 제 2방향(일 예로 행 방향)으로 배열되는 보조 전원선들(420)로 구성되는 것을 말한다.
도 1에 도시된 실시예의 경우 상기 주 전원선(410)은 데이터선(D)과 평행하게 배열되고, 보조 전원선(420)은 주사선(S)와 평행하게 배열된다.
다만, 상기 주 전원선(410)은 상기 데이터선(D)과 동일한 층에 동일한 금속 재질로 형성되고, 상기 보조 전원선(420)은 주사선과 동일한 층에 동일한 금속 재질로 형성될 수 있는데, 일반적으로 상기 주사선을 구현하는 금속 물질의 저항이 상기 데이터선을 구현하는 금속 물질의 저항보다 높아 보조 전원선(420)이 배열된 제 2방향의 저항이 커지므로, 인가되는 제 1전원(ELVDD)의 전류 흐름이 주 전원선(410)이 배열된 제 1방향에 비해 균일하게 흐르지 않아 상기 메쉬 타입 구조로 전원선들을 구성하더라도 전원선들에 대한 전압강하를 크게 줄이지 못할 수 있다.
특히 상기 화소들이 기본적인 화소회로 즉, 2개의 트랜지스터와 1개의 캐패시터로 구성되는 디지털 구동 방식으로 동작할 경우, 상기 화소 전원으로서의 제 1전원이 직접 각 화소에 구비된 유기발광소자(OLED)에 인가되어 해당 화소의 휘도가 결정되므로 상기 전압강하에 의한 전압의 차이는 화소별 휘도 편차로 그대로 반영되는 문제가 있다.
이에 본 발명의 실시예는 상기 각 화소들 내에 차등 저항을 삽입하여 화상 표시부 위치에 따른 각 화소의 유기발광소자(OLED)에 인가되는 전류 편차를 최소화함을 특징으로 하며, 이에 대해서는 이후 도 2 내지 도 4의 실시예를 통해 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 2는 도 1에 도시된 화소들의 제 1실시예에 대한 구성을 나타내는 회로도이다.
도 2는 도 1에 도시된 화소들 중 제 1수평라인 및 제 2수평라인에 배열된 화소들 일부이며, 상기 각 화소들은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치가 디지털 구동 방식으로 동작할 때 사용하는 화소 구조를 그 예로 설명하는 것이나, 본 발명의 실시예에 의한 화소의 구성이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
도 2를 참조하면, 상기 화소들은 주사선들 및 데이터선들에 각각 접속되며, 상기 화소들 각각에 화소 전원으로서의 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선들(410) 및 상기 주 전원선들(410)과 전기적으로 연결되는 보조 전원선들(420)은 메쉬 타입 구조로 형성된다.
상기 메쉬 타입 구조는 도시된 바와 같이 제 1방향(일 예로 열 방향)으로 배열된 주 전원선들(410) 및 상기 주 전원선들(410)과 전기적으로 연결되고, 이와 교차하는 제 2방향(일 예로 행 방향)으로 배열되는 보조 전원선들(420)로 구성되는 것을 말한다.
상기 화소들 각각은 도 2에 도시된 바와 같이 화소회로 및 유기발광소자(OLED)를 포함하며, 상기 화소회로는 제 1 트랜지스터(M1), 제 2 트랜지스터(M2) 및 캐패시터(C1)로 구성되고, 상기 제 1 트랜지스터(M1)와 제 2 트랜지스터(M2)는 소스, 드레인 및 게이트를 포함하며 캐패시터(C1)는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함한다.
단, 도 2에 도시된 실시예는 상기 각 화소들 내에 차등 저항이 더 형성됨을 특징으로 한다.
상기 제 1트랜지스터(M1)는 게이트가 제 1노드(N1)에 연결되고, 소스가 제 2노드(N2)에 연결되며, 드레인이 유기발광소자(OLED)의 애노드 전극에 연결된다.
이 때, 상기 제 2노드(N2) 및 상기 화소에 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선(410) 사이에 차등 저항이 형성된다. 즉, 상기 제 1트랜지스터(M1)의 소스는 상기 차등 저항을 경유하여 상기 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선과 전기적으로 연결된다. 또한, 상기 제 1 노드(N1)는 제 2 트랜지스터(M2)의 드레인과 연결된다.
상기 제 1트랜지스터(M1)는 데이터 신호에 대응되는 전류를 유기발광소자(OLED)에 공급하는 기능을 수행한다. 여기서, 상기 유기발광소자(OLED)의 캐소드 전극에는 제 2전원(ELVSS)이 연결된다.
또한, 상기 제 2 트랜지스터(M2)는 소스가 데이터선(D)에 연결되고 드레인이 제 1 노드(N1)와 연결되며 게이트는 주사선(S)과 연결된다. 그리고, 게이트에 인가되는 주사신호에 따라 데이터 신호를 제 1 노드(N1)에 전달한다.
상기 캐패시터(C1)는 상기 제 1노드(N1)와 제 2노드(N2) 사이에 접속된다.
즉, 상기 캐패시터(C1)의 제 1전극은 구동 트랜지스터로 동작하는 제 1트랜지스터(M1)의 게이트에 접속되고, 캐패시터(C1)의 제 2전극은 상기 제 2노드(N2)에 접속됨으로써, 상기 차등 저항을 경유하여 상기 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선과 전기적으로 연결된다.
이와 같은 상기 캐패시터(C1)은 상기 화소에 인가되는 데이터 신호에 따른 전하를 충전하며, 충전된 전하에 의해 한 프레임의 시간 동안 제 1 트랜지스터(M1)의 게이트에 신호를 인가하게 되어 제 1 트랜지스터(M1)의 동작을 한 프레임의 시간 동안 유지시킨다.
그러나, 앞서 언급한 바와 같이 메쉬 타입 구조로 전원선들을 구성하더라도 전원선들에 대한 전압강하의 영향을 크게 줄이지 못할 수 있다.
이에 도 2의 실시예는 도시된 바와 같이 제 1트랜지스터(M1)의 소스 즉, 제 2노드(N2)가 상기 화소에 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선(410)과 직접 접속되는 것이 아니라, 상기 제 2노드(N2)와 주 전원선(410) 사이에 차등 저항이 형성됨을 특징으로 하며, 이를 통해 화상 표시부 위치에 따른 각 화소의 유기발광소자(OLED)에 인가되는 전류 편차를 줄일 수 있다.
이 때, 상기 차등 저항은 상기 주 전원선(410)의 전압강하를 보상하는 역할을 수행하는 것으로서, 이를 위해 상기 차등 저항은 수평라인 별로 서로 다른 저항값을 갖는다.
일 예로 제 1전원이 화상표시부의 상단에 구비된 패드부(미도시)를 통해 제공됨을 가정하면, 상기 주 전원선(410)의 전압강하 영향이 가장 작은 제 1수평라인에 형성된 화소들에 구비되는 제 1차등 저항의 저항값(R1)은 이후의 수평라인에 형성된 화소들에 구비되는 차등 저항의 저항값보다 크게 형성(R1>R2>R3>…) 한다.
이와 같이 상기 차등 저항의 저항값이 수평라인 별로 차등하게 설계함을 통해 화상표시부의 각 화소들에 구비된 구동 트랜지스터(M1)에 인가되는 제 1전원을 동일하게 유지할 수 있으며, 이를 통해 상기 주 전원선의 길이가 길어질수록 커지는 전압 강하 분을 각 화소 별로 보상할 수 있게 된다.
상기 차등 저항은 폴리실리콘(Poly-Si), 투명도전막(일 예로 ITO), 금속, 박막트랜지스터(TFT) 등을 사용하여 형성할 수 있다.
단, 위와 같이 차등 저항을 이용하여 전압 강하를 보상하기 위해서는 각 수평라인 별로 구비되는 차등 저항은 동일한 저항값을 가져야 한다.
즉, 상기 제 1차등 저항의 저항값 R1은 제 1수평라인에 배열된 화소들에 모두 동일해야 하며, 제 2차등 저항의 저항값 R2는 상기 R1보다 작은 저항값을 가지고, 제 2수평라인에 배열된 화소들에 모두 동일해야 한다.
그러나, 상기 화소 내부에 형성되는 저항은 공정 및 사용하는 물질에 따른 편차에 의해 그 저항값이 상이해질 수 있다는 문제가 있다.
일 예로 폴리실리콘(Poly-Si)을 이용할 경우, 상기 폴리실리콘을 배선의 형상으로 구현하여 차등 저항을 형성하나, 이와 같이 폴리실리콘을 배선으로 사용하게 되면 약 10 내지 25% 정도의 편차가 발생될 수 있다.
이와 같은 차등 저항의 편차는 동일 수평라인에 형성된 화소들 간의 전압차이를 발생시키고, 이는 각 화소의 유기발광소자(OLED)에 인가되는 전류 편차를 유발하여 결과적으로 화상표시부 전체의 휘도가 불균일해질 수 있다.
본 발명의 다른 실시예는 상기 단점을 극복하기 위하여 메쉬 타입 구조로 형성되는 주 전원선들 및 보조 전원선들에 있어서, 상기 전원선들과 접속되는 각 화소들 내에 차등 저항이 형성되고, 상기 보조 전원선들이 상기 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속되도록 형성됨을 특징으로 하며, 이는 이하 도 3 및 도 4의 실시예를 통해 보다 상세히 설명하도록 한다.
도 3은 도 1에 도시된 화소들의 제 2실시예에 대한 구성을 나타내는 회로도이고, 도 4는 도 1에 도시된 화소들의 제 3실시예에 대한 구성을 나타내는 회로도이다.
도 3 및 도 4는 도 1에 도시된 화소들 중 제 1수평라인 및 제 2수평라인에 배열된 화소들 일부이며, 상기 각 화소들은 본 발명의 실시예에 의한 유기전계 발광 표시장치가 디지털 구동 방식으로 동작할 때 사용하는 화소 구조를 그 예로 설명하는 것이나, 본 발명의 실시예에 의한 화소의 구성이 반드시 이에 한정되는 것은 아니다.
또한, 도 3에 도시된 실시예는 도 2에 도시된 실시예와 비교할 때 보조 전원선의 연결이 상이한 점 이외에는 동일하고, 도 4에 도시된 실시예는 도 3에 도시된 실시예와 비교할 때 캐패시터의 연결이 상이한 점 이외에는 동일하므로 동일한 구성요소에 대해서는 동일한 도면부호를 사용하고 이에 대한 상세한 설명은 생략하기로 한다.
도 3 및 도 4를 참조하면, 상기 화소들은 주사선들 및 데이터선들에 각각 접속되며, 상기 화소들 각각에 화소 전원으로서의 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선들(410) 및 상기 주 전원선들(410)과 전기적으로 연결되는 보조 전원선들(422)은 메쉬 타입 구조로 형성된다.
상기 메쉬 타입 구조는 도시된 바와 같이 제 1방향(일 예로 열 방향)으로 배열된 주 전원선들(410) 및 상기 주 전원선들(410)과 전기적으로 연결되고, 이와 교차하는 제 2방향(일 예로 행 방향)으로 배열되는 보조 전원선들(422)로 구성되는 것을 말한다.
단, 도 3 및 도 4의 실시예는 상기 메쉬 타입 구조를 이루는 보조 전원선들(422)이 직접 주 전원선들(410)과 접속되는 것이 아니라, 각 화소 내에 구비된 차등 저항(500)을 경유하여 상기 주 전원선들(410)과 접속된다.
상기 화소들 각각은 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이 화소회로 및 유기발광소자(OLED)를 포함하며, 상기 화소회로는 제 1 트랜지스터(M1), 제 2 트랜지스터(M2) 및 캐패시터(C1)로 구성되고, 상기 제 1 트랜지스터(M1)와 제 2 트랜지스터(M2)는 소스, 드레인 및 게이트를 포함하며 캐패시터(C1 또는 C2)는 제 1 전극 및 제 2 전극을 포함한다.
상기 제 1트랜지스터(M1)는 게이트가 제 1노드(N1)에 연결되고, 소스가 제 2노드(N2)에 연결되며, 드레인이 유기발광소자(OLED)의 애노드 전극에 연결된다.
이 때, 상기 제 2노드(N2) 및 상기 화소에 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선(410) 사이에 차등 저항이 형성된다. 즉, 상기 제 1트랜지스터(M1)의 소스는 상기 차등 저항을 경유하여 상기 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선과 전기적으로 연결된다.
상기 제 1트랜지스터(M1)는 데이터 신호에 대응되는 전류를 유기발광소자(OLED)에 공급하는 기능을 수행한다. 여기서, 상기 유기발광소자(OLED)의 캐소드 전극에는 제 2전원(ELVSS)이 연결된다.
또한, 상기 제 2 트랜지스터(M2)는 소스가 데이터선(D)에 연결되고 드레인이 제 1 노드(N1)와 연결되며 게이트는 주사선(S)과 연결된다. 그리고, 게이트에 인가되는 주사신호에 따라 데이터 신호를 제 1 노드(N1)에 전달한다.
상기 캐패시터(C1 또는 C2)는 상기 제 1노드(N1)와 제 2노드(N2) 사이에 접속되거나, 상기 제 1노드(N2)와 주 전원선 사이에 접속될 수 있다.
도 3의 실시예의 경우 상기 캐패시터(C1)의 제 1전극은 구동 트랜지스터로 동작하는 제 1트랜지스터(M1)의 게이트에 접속되고, 캐패시터(C1)의 제 2전극은 상기 제 2노드(N2)에 접속됨으로써, 상기 차등 저항을 경유하여 상기 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선과 전기적으로 연결된다.
이에 반해 도 4의 실시예의 경우 상기 캐패시터(C2)의 제 1전극은 구동 트랜지스터로 동작하는 제 1트랜지스터(M1)의 게이트에 접속되고, 캐패시터(C2)의 제 2전극은 상기 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선과 직접 접속된다.
상기 차등 저항은 상기 주 전원선(410)의 전압강하를 보상하는 역할을 수행하는 것으로서, 이를 위해 상기 차등 저항은 수평라인 별로 서로 다른 저항값을 갖는다.
일 예로 제 1전원이 화상표시부의 상단에 구비된 패드부(미도시)를 통해 제공됨을 가정하면, 상기 주 전원선(410)의 전압강하 영향이 가장 작은 제 1수평라인에 형성된 화소들에 구비되는 제 1차등 저항의 저항값(R1)은 이후의 수평라인에 형성된 화소들에 구비되는 차등 저항의 저항값보다 크게 형성(R1>R2>R3>…)한다.
이와 같이 상기 차등 저항의 저항값이 수평라인 별로 차등하게 설계함을 통해 화상표시부의 각 화소들에 구비된 구동 트랜지스터(M1)에 인가되는 제 1전원을 동일하게 유지할 수 있으며, 이를 통해 상기 주 전원선의 길이가 길어질수록 커지는 전압 강하 분을 각 화소 별로 보상할 수 있게 된다.
상기 차등 저항은 폴리실리콘(Poly-Si), 투명도전막(일 예로 ITO), 금속, 박막트랜지스터(TFT) 등을 사용하여 형성할 수 있다. 특히 박막트랜지스터를 사용할 경우 상기 박막트랜지스터 액티브층의 너비(W)/길이(L)의 비를 조절하여 차등 저항의 저항값을 설정할 수 있다.
단, 위와 같이 차등 저항을 이용하여 전압 강하를 보상하기 위해서는 각 수평라인 별로 구비되는 차등 저항은 동일한 저항값을 가져야 한다.
즉, 상기 제 1차등 저항의 저항값 R1은 제 1수평라인에 배열된 화소들에 모두 동일해야 하며, 제 2차등 저항의 저항값 R2는 상기 R1보다 작은 저항값을 가지고, 제 2수평라인에 배열된 화소들에 모두 동일해야 한다.
그러나, 상기 화소 내부에 형성되는 저항은 공정 및 사용하는 물질에 따른 편차에 의해 그 저항값이 상이해질 수 있으며, 이와 같은 차등 저항의 편차는 동일 수평라인에 형성된 화소들 간의 전압차이를 발생시키는 단점이 있다.
이에 도 3 및 도 4의 실시예는 이러한 단점을 극복하기 위해 상기 메쉬 타입 구조를 이루는 보조 전원선들(422)이 직접 주 전원선들(410)과 접속되는 것이 아니라, 각 화소 내에 구비된 차등 저항(500)을 경유하여 상기 주 전원선들(410)과 접속됨을 특징으로 한다.
즉, 도 3 및 도 4의 실시예는 도시된 바와 같이 상기 보조 전원선들(422)은 이와 대응되는 수평라인들에 배열된 화소들의 제 2노드(N2) 즉, 제 1트랜지스터(M1)의 소스와 접속되도록 배열된다.
일 예로 제 1주사선(S1)과 평행하게 배열되는 제 1보조 전원선은 제 1수평라인에 배열된 화소들의 제 2노드(N2)와 접속되고, 제 2주사선(S2)과 평행하게 배열되는 제 2보조 전원선은 제 2수평라인에 배열된 화소들의 제 2노드(N2)와 접속된다.
또한, 상기 각 화소의 제 2노드(N2) 및 각 화소에 제 1전원(ELVDD)을 전달하는 주 전원선(410) 사이에 차등 저항이 형성되어 있으므로, 상기 보조 전원선들(422)은 각 수평라인 별로 배열된 화소들 내에 구비된 차등 저항(500)을 경유하여 상기 주 전원선들(410)과 접속된다.
상기 보조 전원선들(422)이 각 수평라인 별로 배열된 화소들에 모두 연결되도록 구성되므로, 동일 수평라인에 배열된 화소들 내에 구비된 차등 저항 간에 편차가 있더라도 이를 보상할 수 있게 된다.
즉, 상기 보조 전원선들(422)은 수평 라인 별로 각 화소들의 제 2노드(N2)를 연결하고 동일 수평 라인에 배열된 각 화소의 제 1트랜지스터(M1)의 소스는 상기 제 2노드(N2)에 접속되므로, 상기 각 화소의 제 1트랜지스터(M1)의 소스 전압을 상기 차등 저항 간 편차에 상관없이 동일하게 유지할 수 있게 된다.
따라서, 도 3 및 도 4에 도시된 실시예에 의할 경우 각 화소에 차등 저항을 삽입하여 상기 각 화소에 제 1전원을 제공하는 주 전원선들의 전압 강하를 보상할 수 있을 뿐 아니라, 이와 동시에 상기 보조 전원선들이 동일 수평라인에 배열된 각 화소의 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속되도록 형성됨으로써, 상기 차등 저항의 편차에 의한 화상 표시부 전체의 휘도 불균일 문제를 극복할 수 있는 것이다.
이상, 본 발명을 바람직한 실시 예를 사용하여 상세히 설명하였으나, 본 발명의 범위는 특정 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 첨부된 특허 청구범위에 의하여 해석되어야 할 것이다. 또한, 이 기술분야에서 통상의 지식을 습득한 자라면, 본 발명의 범위에서 벗어나지 않으면서도 많은 수정과 변형이 가능함을 이해하여야 할 것이다.
100: 화상 표시부 110: 화소
410: 주 전원선 420, 422: 보조 전원선
500: 차등 저항

Claims (12)

  1. 제 1방향으로 배열되는 복수의 데이터선들 및 제 2방향으로 배열되는 복수의 주사선들과, 상기 데이터선들 및 주사선들의 교차영역에 배열되는 복수의 화소들을 포함하는 화상 표시부와;
    상기 각 화소들에 화소전원으로서의 제 1전원을 제공하는 복수의 주 전원선들 및 상기 주 전원선들과 교차되는 방향으로 배열되는 복수의 보조 전원선들과;
    상기 화소들 내에 각각 형성된 차등 저항이 포함되며,
    상기 보조 전원선들은 상기 각 화소 내에 구비된 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 화소들 각각은,
    게이트가 제 1노드에 연결되고, 소스가 제 2노드에 연결되며, 드레인이 유기발광소자의 애노드 전극에 연결되는 제 1트랜지스터와;
    게이트가 주사선에 연결되고, 소스가 데이터선에 연결되며, 드레인이 상기 제 1노드와 연결되는 제 2트랜지스터와;
    상기 제 2노드 및 상기 화소에 제 1전원을 전달하는 주 전원선 사이에 형성되는 차등 저항을 포함함을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  3. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1노드 및 제 2노드 사이에 접속되는 캐패시터가 더 포함됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  4. 제 2항에 있어서,
    상기 제 1노드 및 주 전원선 사이에 접속되는 캐패시터가 더 포함됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  5. 제 2항에 있어서,
    상기 보조 전원선들은 이와 대응되는 각 수평라인에 배열된 화소들의 제 2노드와 접속되도록 배열됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  6. 제 5항에 있어서,
    상기 보조 전원선들은 각 수평라인 별로 배열된 화소들 내의 차등 저항을 경유하여 상기 주 전원선들과 접속됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  7. 제 2항에 있어서,
    상기 차등 저항은 수평라인 별로 서로 다른 저항값을 갖음을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 차등 저항의 저항값은 제 1전원이 인가되는 화상 표시부의 패드부와의 거리에 따라 상이하게 설정됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  9. 제 8항에 있어서,
    상기 패드부와의 거리가 가까운 수평라인일수록 상기 차등 저항의 저항값을 크게 설계함을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  10. 제 1항에 있어서,
    상기 차등 저항은 박막트랜지스터로 구현됨을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  11. 제 10항에 있어서,
    상기 박막트랜지스터 액티브층의 너비/ 길이의 비를 조절하여 차등 저항의 저항값을 설정함을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
  12. 제 7항에 있어서,
    동일 수평라인에 배열된 화소들에 구비된 차등 저항의 저항값은 동일함을 특징으로 하는 유기전계 발광 표시장치.
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