KR102484383B1 - 유기발광다이오드 표시패널 및 이의 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명의 실시예는 유기발광다이오드 구동을 위한 제1 내지 제3 화소 구동 회로 및 상기 제1 내지 제3 화소 구동 회로 각각에 연결된 제1 내지 제3 화소전극을 포함하는 화소영역이 복수 개 구비된 유기발광다이오드 표시패널로서, 상기 복수 개의 화소영역 중 제1 화소영역의 제1 및 제2 화소 구동 회로는 상기 제1 화소영역을 지나는 제1 전원공급라인을 공유하고, 상기 제1 화소영역의 제3 화소 구동 회로는 상기 제1 화소영역과 인접한 제2 화소영역의 제1 화소 구동 회로와 상기 제1 및 제2 화소영역의 경계 영역에 배치된 제2 전원공급라인을 공유하고, 상기 화소영역의 제2 및 제3 화소전극은 서로 수직 방향으로 배치되고, 상기 제1 화소전극은 상기 제2 및 제3 화소전극과 서로 수평 방향으로 배치된 유기발광다이오드 표시패널.
Description
본 발명은 유기발광다이오드 표시패널 및 이의 표시장치에 관한 것이다.
최근, 음극선관(Cathode Ray Tube)의 단점인 무게와 부피를 줄일 수 있는 각종 평판 표시장치들(Flat Panel Display, FPD)이 개발되고 있다. 이러한 평판 표시장치는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display: 이하"LCD"라 한다), 전계 방출 표시장치(Field Emission Display: FED), 플라즈마 디스플레이 패널(Plasma Display Panel: 이하 "PDP"라 한다) 및 전계발광소자(Electroluminescence Device) 등이 있다.
PDP는 구조와 제조공정이 단순하기 때문에 경박 단소하면서도 대화면화에 가장 유리한 표시장치로 주목 받고 있지만 발광효율과 휘도가 낮고 소비전력이 큰 단점이 있다. 스위칭 소자로 박막 트랜지스터(Thin Film Transistor: 이하 "TFT" 라 함)가 적용된 TFT LCD는 가장 널리 사용되고 있는 평판표시소자이지만 발광소자이기 때문에 시야 각이 좁고 응답속도가 낮은 문제점이 있다. 이에 비하여, 전계발광소자는 발광층의 재료에 따라 무기발광 다이오드 표시장치와 유기발광다이오드 표시장치로 대별되며 특히, 유기발광다이오드 표시장치는 스스로 발광하는 자발광소자를 이용함으로써 응답속도가 빠르고 발광효율, 휘도 및 시야각이 큰 장점이 있다.
유기발광다이오드 표시장치는 구동 트랜지스터의 게이트 단자와 소스 단자 사이의 전압을 제어하여 구동 트랜지스터의 드레인에서 소스로 흐르는 전류를 제어한다. 구동 트랜지스터의 드레인에서 소스로 흐르는 전류는 유기발광다이오드로 흐르면서 발광을 하게 되고, 전류의 양을 조절하여 발광 정도를 조절할 수 있다.
한편 최근 고 해상도 디스플레이에 대한 요구가 증가하고 있다. 그러나 표시패널을 구성하는 화소 수의 증가에 따라 개구율이 저하되는 문제가 있었고, 신호라인들 간의 간격이 좁아지면서 신호라인들 간의 데이터 간섭 현상이 증가하여 색재현성이 떨어지는 문제가 있었다.
본 발명에 따른 실시예는 개구율을 증가할 수 있는 유기발광다이오드 표시패널 및 이의 표시장치를 제공할 수 있다.
또한 본 발명에 따른 실시예는 신호 라인들 간의 간섭 현상을 최소화하여 색 재현성을 높일 수 있는 유기발광다이오드 표시패널 및 이의 표시장치를 제공할 수도 있다.
또한 본 발명에 따른 실시예는 전원공급라인의 공유 구조를 통해 화소의 밀도를 높일 수 있는 유기발광다이오드 표시패널 및 이의 표시장치를 제공할 수도 있다.
본 발명의 실시예는 유기발광다이오드 구동을 위한 제1 내지 제3 화소 구동 회로 및 상기 제1 내지 제3 화소 구동 회로 각각에 연결된 제1 내지 제3 화소전극을 포함하는 화소영역이 복수 개 구비된 유기발광다이오드 표시패널로서, 상기 복수 개의 화소영역 중 제1 화소영역의 제1 및 제2 화소 구동 회로는 상기 제1 화소영역을 지나는 제1 전원공급라인을 공유하고, 상기 제1 화소영역의 제3 화소 구동 회로는 상기 제1 화소영역과 인접한 제2 화소영역의 제1 화소 구동 회로와 상기 제1 및 제2 화소영역의 경계 영역에 배치된 제2 전원공급라인을 공유하고, 상기 제1 화소전극은 상기 제2 및 제3 화소전극과 제1 방향으로 배치되고, 상기 제2 및 제3 화소전극은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배치되는 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 화소영역의 제2 화소 구동 회로에 연결된 제2 데이터 라인과 제1 화소영역의 제3 화소 구동 회로에 연결된 제3 데이터 라인은 상기 제1 화소영역의 제2 및 제3 화소전극과 중첩하여 배치된 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 화소영역의 제2 및 제3 화소 구동 회로는 상기 제2 화소영역을 지나는 제3 전원공급라인을 공유하는 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제3 전원공급라인은 상기 제2 화소영역의 제2 및 제3 화소전극과 중첩하여 배치된 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 화소전극은 블루(Blue) 서브화소에 대응되고, 상기 제2 화소전극은 그린(Green) 서브화소에 대응하며, 상기 제3 화소전극은 레드(Red) 서브화소에 대응하는 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예는 유기발광다이오드 구동을 위한 제1 내지 제3 화소 구동 회로 및 상기 제1 내지 제3 화소 구동 회로 각각에 연결된 제1 내지 제3 화소전극을 포함하는 화소영역이 복수 개 구비된 유기발광다이오드 표시패널로서, 상기 복수개의 화소영역 중 제2 화소영역의 제1 화소 구동 회로는 상기 제2 화소영역과 인접한 제1 화소영역의 제3 화소 구동 회로와 제1 전원공급라인을 공유하고, 상기 제2 화소영역의 제3 화소 구동 회로는 상기 제2 화소영역과 인접한 제3 화소영역의 제1 화소 구동 회로와 제3 전원공급라인을 공유하고, 상기 제2 화소영역의 제2 화소 구동 회로는 제2 전원전원공급라인에 연결된 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제3 전원공급라인은 상기 제2 화소영역과 제3 화소영역의 경계 영역에 배치된 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 화소영역의 제3 화소 구동 회로와 연결된 제1 데이터 라인과 상기 제3 화소영역의 제1 화소 구동 회로에 연결된 제2 데이터 라인은 상기 제2 화소영역과 제3 화소영역의 경계영역에 배치되고, 상기 제3 전원공급라인은 상기 제1 및 제2 데이터 라인 사이에 배치된 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 화소전극은 상기 제2 및 제3 화소전극과 제1 방향으로 배치되고, 상기 제2 및 제3 화소전극은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배치되는 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 화소영역의 제1 화소 구동 회로와 연결된 제1 데이터 라인은 제1 및 제2 화소영역의 경계영역에 배치되고,
상기 제2 화소영역의 제2 화소 구동 회로와 연결된 제2 데이터 라인은 상기 제2 화소영역에 배치되고, 상기 제2 화소영역의 제3 화소 구동 회로와 연결된 제3 데이터 라인 및 상기 제3 화소영역의 제1 화소 구동 회로에 연결된 제4 데이터 라인은 상기 제2 화소영역과 제3 화소영역의 경계영역에 배치되고, 상기 제1 화소전극은 상기 제1 데이터라인과 상기 제2 전원공급라인 사이의 영역에 배치되고 상기 제1 데이터라인 및 상기 제2 전원공급라인과 미 중첩되고, 상기 제2 및 제3 화소전극은 상기 제2 데이터라인과 상기 제3 데이터라인 사이에 배치되고 상기 제2 데이터라인 및 상기 제3 데이터라인과 미 중첩되는 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제2 화소영역의 제2 화소 구동 회로에 연결된 데이터 라인과 상기 제2 전원공급라인은 상기 제1 및 제2 화소 전극 사이 영역에 배치된 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명의 실시예에서, 상기 제1 화소전극은 블루(Blue) 서브화소에 대응되고, 상기 제2 화소전극은 그린(Green) 서브화소에 대응하며, 상기 제3 화소전극은 레드(Red) 서브화소에 대응하는 유기발광다이오드 표시패널.
본 발명에 따른 실시예는 전원공급라인의 공유 구조를 통해 화소의 밀도를 높여 적정 수준의 개구율을 확보하면서도 고 해상도를 실현할 수 있고, 신호 라인들 사이에 배치되는 고정 전압을 가진 전원공급라인을 이용하여 신호간의 간섭 현상을 최소화할 수 있는 유기발광다이오드 표시패널 및 이의 표시장치를 제공할 수 있다.
도 1은 유기발광다이오드의 구조를 나타낸 도면이다.
도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소 구동 회로를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 설계 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 5는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극 그리고 화소 구동 회로의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 화소 구동 회로를 구체화한 도면이다.
도 7은 도 4에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 설계 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 9는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극 그리고 화소 구동 회로의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8의 화소 구동 회로를 구체화한 도면이다.
도 11은 도 8에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소 구동 회로를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 설계 구조를 나타낸 도면이다.
도 4는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 5는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극 그리고 화소 구동 회로의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 6은 도 5의 화소 구동 회로를 구체화한 도면이다.
도 7은 도 4에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 설계 구조를 나타낸 도면이다.
도 8은 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 9는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극 그리고 화소 구동 회로의 배치관계를 나타낸 도면이다.
도 10은 도 8의 화소 구동 회로를 구체화한 도면이다.
도 11은 도 8에 따른 표시패널의 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시예에 의한 유기발광다이오드 표시패널 및 이의 표시장치의 도면을 참고하여 상세하게 설명한다. 다음에 소개되는 실시 예들은 당업자에게 본 발명의 사상이 충분히 전달될 수 있도록 하기 위해 예로서 제공되는 것이다. 따라서, 본 발명은 이하 설명되는 실시 예들에 한정되지 않고 다른 형태로 구체화될 수도 있다. 그리고, 도면들에 있어서, 장치의 크기 및 두께 등은 편의를 위하여 과장되어 표현될 수도 있다. 명세서 전체에 걸쳐서 동일한 참조 번호들은 동일한 구성요소들을 나타낸다.
<유기발광다이오드의 구조>
도 1은 유기발광다이오드의 구조를 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 유기발광다이오드는 애노드전극과 캐소드전극 사이에 형성된 유기 화합물층(HIL, HTL, EML, ETL, EIL)을 구비할 수 있다. 유기 화합물층은 정공주입층(Hole Injection layer, HIL), 정공수송층(Hole transport layer, HTL), 발광층(Emission layer, EML), 전자수송층(Electron transport layer, ETL) 및 전자주입층(Electron Injection layer, EIL)을 포함할 수 있다. 발광원리로서 애노드전극과 캐소드전극에 구동전압이 인가되면 정공수송층(HTL)을 통과한 정공과 전자수송층(ETL)을 통과한 전자가 발광층(EML)으로 이동되어 여기자를 형성하고, 그 결과 발광층(EML)이 가시광을 발생하게 된다. 유기발광다이오드 표시장치는 이와 같은 유기발광다이오드가 포함된 화소를 매트릭스 형태로 배열하고 스캔펄스에 의해 선택된 화소들의 밝기를 디지털 비디오 데이터의 계조에 따라 제어한다. 이와 같은 유기발광다이오드 표시장치는 수동 매트릭스(passive matrix) 방식과, 스위칭소자로써 TFT를 이용하는 액티브 매트릭스(active matrix) 방식으로 나뉘어진다. 이 중 액티브 매트릭스 방식은 능동소자인 TFT를 선택적으로 턴-온시켜 화소를 선택하고 스토리지 커패시터(Storgage Capacitor)에 유지되는 전압으로 화소의 발광을 유지한다.
<액티브 매트릭스 방식의 화소 구동 회로의 등가 회로도>
도 2는 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치에 있어서 하나의 화소 구동 회로를 등가적으로 나타내는 회로도이다.
도 2를 참조하면, 액티브 매트릭스 방식의 유기발광다이오드 표시장치의 화소 구동 회로는 유기발광다이오드(OLED), 서로 교차하는 데이터라인(D) 및 게이트라인(G), 데이터를 화소에 순차적으로 전달하기 위한 스위칭 TFT(SW), 구동 TFT(DR) 및 데이터를 저장하여 일정 시간 동안 유지하기 위한 스토리지 커패시터(Cst)를 구비할 수 있다.
도 2에 따르면 모든 화소의 유기발광다이오드(OLED)가 공통의 캐소드 전극에 연결되는 Cathode common 연결구조를 가질 수 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 또한 일 예로 스위칭 TFT(SW)와 구동 TFT(DR)는 N-타입 MOS-FET으로 이루어질 수 있다. 이 경우 구동 TFT(DR)는 LTPS, Oxide TFT, a-Si TFT 타입일 수 있다. 이와 달리 P-타입 MOS-FET으로 이루어진 경우 LTPS TFT 타입일 수 있다. 이하 N-타입을 기준으로 설명하지만 이에 한정되는 것은 아니다.
이와 같이 두 개의 트랜지스터(SW, DR)와 한 개의 커패시터(Cst)로 구성된 구조를 간단히 2T-1C 구조라고 할 수 있다.
화소 구동 회로의 동작 원리를 설명하면, 스위칭 TFT(SW)는 게이트라인(G)으로부터의 스캔펄스(SP)에 응답하여 턴 온됨으로써 자신의 소스전극과 드레인전극 사이의 전류패스를 도통시킨다.
이 스위칭 TFT(SW)의 온 타임 기간 동안 데이터라인(D)으로부터의 데이터전압은 스위칭 TFT(SW)의 소스전극과 드레인전극을 경유하여 구동 TFT(DR)의 게이트전극과 스토리지 커패시터(Cst)에 인가된다.
구동 TFT(DR)는 자신의 게이트전극과 소스전극 간의 차 전압(Vgs)에 따라 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 제어한다.
스토리지 커패시터(Cst)는 자신의 일측 전극에 인가된 데이터전압을 저장함으로써 구동 TFT(DR)의 게이트전극에 공급되는 전압을 한 프레임 기간 동안 일정하게 유지시킨다.
도 1과 같은 구조로 구현되는 유기발광다이오드(OLED)는 구동 TFT(DR)의 소스전극과 저전위전원(VSS) 사이에 접속될 수 있다.
유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류는 화소의 밝기에 비례하고, 이것은 구동 TFT(DR)의 게이트-소스 간 전압(Vgs)에 의해 결정된다.
화소의 밝기는 아래의 수학식 1과 같이 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류에 비례한다.
수학식 1
여기서, 'Vgs'는 구동 TFT(DR)의 게이트전압(Vg)과 소스전압(Vs) 사이의 차 전압, 'Vdata'는 데이터전압, 'Vinit'는 초기화 전압, 'Ioled'는 구동전류, 'Vth'는 구동 TFT(DR)의 문턱전압, 'β'는 구동 TFT(DR)의 이동도 및 기생용량에 의해 결정되는 상수 값을 각각 의미한다.
수학식 1과 같이, 유기발광다이오드(OLED)의 전류(Ioled)는 구동 TFT(DR)의 문턱전압(Vth)에 크게 영향 받는다는 것을 알 수 있다. 따라서 전체 영상 이미지의 균일도는 구동 TFT(DR)의 특성 편차, 즉 문턱전압의 편차에 의해 좌우될 수 있다.
이와 같이 구동 TFT(DR)의 특성의 편차를 보상하기 위한 방식으로 내부 보상 방식 및 외부 보상 방식이 있고, 내부 및 외부 보상 방식에 따라서 2T-1C 구조에 추가적인 트랜지스터 및 커패시터가 연결될 수 있다.
<유기발광다이오드 표시장치의 블록도>
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치를 나타내는 블럭도이다.
도 3을 참조하면, 본 발명의 실시예에 따른 유기발광다이오드 표시장치는 표시패널(100), 데이터 드라이버(200), 게이트 드라이버(300) 및 타이밍 컨트롤러(400)를 구비할 수 있다.
표시패널(100)은 서로 일대일로 대응되어 m개의 쌍을 이루는 m개의 데이터라인들(D1 내지 Dm), k 개의 센싱 라인(S1 내지 Sk)과, n개의 게이트라인들(G1 내지 Gn) 및 j개의 센싱 제어 라인(SC1 내지 SCj)의 교차 영역에 형성된 m×n 개의 화소 구동 회로(110)들을 구비할 수 있다. 수평 라인 상의 모든 화소는 센싱 제어 라인(SC)를 서로 공유할 수 있다.
이러한 표시패널(100)에는 각각의 화소 구동 회로(110)에 유기발광다이오드(OLED)에 흐르는 전류를 구동하기 위한 전류구동용 전원인 고전위전원(VDD)을 공급하는 신호배선들, 저전위전원(VSS)을 공급하는 신호배선들이 형성될 수 있다. 여기서, 고전위전원(VDD) 및 저전위전원(VSS)은 전원발생부(600)의 고전위 구동전압원(VDD_S) 및 저전위 구동전압원(VSS_S)로부터 발생될 수 있다. 그리고 상기 전원발생부(600)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 출력되는 전원제어신호(VCS; Voltage Control Signal)에 의하여 전원 크기의 레벨이 변경된 고전위전원(VDD) 또는 저전위전원(VSS)을 공급할 수 있다.
게이트 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터의 게이트 제어신호(GDC)에 응답하여 스캔펄스(SP)를 발생하여 게이트라인들(G1 내지 Gn)에 순차적으로 공급할 수 있다. 또한 게이트 드라이버(300)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터의 제어되어 센싱 제어 신호(SCS)를 출력할 수 있고, 상기 센싱 제어 신호(SCS)에 의하여 각 화소 내의 센싱 TFT(ST)가 제어될 수 있다.
상기 게이트 드라이버(300)가 스캔펄스(SP)와 센싱 제어 신호(SCS)를 모두 출력하는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 타이밍 컨트롤러(400)에 의하여 제어되어 센싱 제어 신호(SCS)를 출력할 수 있는 별로의 센싱 TFT 제어 드라이버를 구비할 수도 있다.
데이터 드라이버(200)는 타이밍 컨트롤러(400)로부터 데이터 제어신호(DDC)에 의하여 제어될 수 있고, 데이터 라인(D1 내지 Dm)으로 데이터 전압과 센싱 라인(S1 내지 Sk)으로 센싱 전압을 출력할 수 있다. 각 데이터 라인(D1 내지 Dm)은 각 화소 구동 회로(110)에 각각 연결되어 화소 구동 회로 (110) 각각에 데이터 전압을 인가할 수 있다.
한편 유기발광다이오드의 휘도 불균일을 유발하는 구동 TFT(DR)의 보상 방식에 따라서 내부 보상 및 외부 보상 방식으로 구분할 수 있다. 내부 보상 방식의 경우, 센싱 라인(S1 내지 Sk)으로부터 제공되는 센싱 제어 신호(SCS)에 동기하여 각 센싱 라인(S1 내지 Sk)에는 기준 전압이 공급될 수 있다. 그리고 외부 보상 방식의 경우, 각 센싱 라인(S1 내지 Sk)을 통해 화소 구동 회로 (110)에 센싱 전압을 공급할 수 있고, 센싱 라인(S1 내지 Sk) 상의 센싱 전압을 측정할 수 있다. 구체적으로 하나의 센싱 라인(S1 내지 Sk)을 이용하여 초기화 전압을 공급함으로써 초기화 전압으로 충전과 플로팅(floating)을 이용한 센싱 전압을 검출을 할 수 있다.
상기 데이터 드라이버(200)가 데이터 전압과 센싱 전압을 출력 또는 검출할 수 있는 것으로 설명하였으나, 이에 한정되는 것은 아니고, 센싱 전압을 출력하거나 검출할 수 있는 별도의 드라이버를 구비할 수도 있다.
<제1 실시예에 따른 화소 설계 구조>
도 4 내지 도 6은 본 발명의 제1 실시예에 따른 화소 설계 구조를 나타낸 도면이다. 도 4는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극의 배치관계를 나타낸 도면이고, 도 5는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극 그리고 화소 구동 회로의 배치관계를 나타낸 도면이고, 도 6은 도 5의 화소 구동 회로를 구체화한 도면이다. 그리고 도 7은 도 4에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 4 및 도 7을 참조하면, 제1 실시예에 따른 표시패널(100)의 표시영역(101)에는 복수개의 화소영역(101a, 101b)이 정의되고, 수평방향으로 제1 화소영역(101a) 및 제2 화소영역(101b)을 정의할 수 있다. 도 4에서는 표시영역(101)에 제1 화소영역(101a) 및 제2 화소영역(101b)만 배치된 것으로 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 동일 형태로 수직 및 수평 방향으로 반복 배치될 수 있다.
제1 및 제2 화소영역(101a, 101b) 각각에는 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503)이 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각은 도 1에서 설명한 애노드 전극이 될 수 있고, 도 2에서 설명한 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극이 될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각은 화소 구동 회로(110) 내의 구동 TFT(DR)의 소스 단자에 연결될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각은 R(Red), G(Greem) 및 B(Blue) 서브 화소 중 어느 하나에 대응하는 화소전극이 될 수 있다. 구체적으로 상기 제1 화소전극(501)은 B 서브 화소에 대응할 수 있고, 상기 제2 화소전극(502)은 G 서브 화소에 대응할 수 있으며, 상기 제3 화소전극(503)은 R 서브 화소에 대응할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각 면적은 서로 상이할 수 있고, 도시된 면적에 한정되지 않고 컬러 별 휘도 및 특성에 따라서 결정될 수 있다.
데이터라인과 전원공급라인의 배치관계를 살펴보면, 화소영역의 제1 내지 제3 데이터라인(Data(1)1, Data(1)2, Data(1)3, Data(2)1, Data(2)2, Data(2)3) 중 어느 하나는 서로 인접하여 배치될 수 있다. 그리고 제1 내지 제3 전원공급라인(VDD1, VDD2, VDD3) 중 어느 두 개의 전원공급라인 사이 영역에는 두 개의 데이터 라인이 배치될 수 있다.
또한 제1 전원공급라인(VDD1)은 제1 화소영역(101a) 내에 배치되고, 제2 전원공급라인(VDD2)은 제1 화소영역(101a)과 제2 화소영역(101b)의 경계 영역에 배치될 수 있고, 제3 전원공급라인(VDD3)은 제2 화소영역(101b) 내에 배치될 수 있다. 그리고 제1 화소영역의 제1 데이터라인(Data(1)1)은 제1 화소영역(101a)과 수평 방향으로 상기 제1 화소영역(101a)의 이전 화소 영역과의 경계 영역(다만 도면에는 제1 화소 영역이 첫번째 화소 이므로 제1 화소영역의 제1 데이터라인(Data(1)1)은 표시영역의 가장자리 영역에 배치될 수 있다)에 배치될 수 있고, 제2 화소영역의 제3 데이터라인(Data(2)3)은 제2 화소영역(101b)와 수평 방향으로 상기 제2 화소영역(101b)의 다음 화소영역과의 경계 영역에 배치될 수 있다.
제1 화소영역(101a)에서 제1 화소전극(501)은 제1 화소영역의 제1 데이터라인(Data(1)1)과 제1 전원공급라인(VDD1) 사이에 배치될 수 있다. 그리고 제1 화소영역(101a)에서 제2 및 제3 화소전극(502, 503) 각각은 제1 전원공급라인(VDD1) 및 제2 전원공급라인(VDD2) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 및 제3 화소전극(502, 503)은 제1 화소영역의 제2 및 제3 데이터라인(Data(1)2, Data(1)3)과 중첩하여 배치될 수 있다.
또한 제2 화소영역(101b)에서 제1 화소전극(501)은 제2 전원공급라인(VDD2)와 제2 화소영역의 제1 데이터라인(Data(2)1) 사이에 배치될 수 있고 도면 상으로 제1 화소전극(501)은 제2 화소영역의 제2 데이터라인(Data(2)1)과 중첩되어 배치된 것으로 도시되어 있으나 이에 한정되는 것은 아니다. 그리고 제2 화소영역(101b)에서 제2 및 제3 화소전극(502, 503) 각각은 제2 화소영역의 제2 및 제3 데이터라인(Data(2)2, Data(2)3) 사이에 배치될 수 있고, 상기 제2 화소영역의 제2 및 제3 화소전극(502, 503)은 제3 전원공급라인(VDD3)과 중첩하여 배치될 수 있다.
또한 상기 제2 화소전극(502) 및 제3 화소전극(503)은 제1 화소전극(501)과 제1 방향으로 배치될 수 있고, 상기 제2 화소전극(502)과 제3 화소전극(503)은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배치될 수 있다. 도 5를 참조하면, 표시패널(100)은 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503)을 구동하는 화소 구동 회로들(111, 112, 113)을 포함할 수 있고, 상기 제1 화소전극(501)을 구동하는 제1 화소 구동 회로(111)와 제2 화소전극(502)을 구동하는 제2 화소 구동 회로(112) 및 제3 화소전극(503)을 구동하는 제3 화소 구동 회로(113)을 포함할 수 있다.
하나의 화소 영역 내에 배치된 화소 구동 회로(111, 112, 113) 중 두 개의 화소 구동 회로는 하나의 전원공급라인을 공유할 수 있고, 나머지 하나의 화소 구동 회로는 인접한 화소 영역 내의 하나의 화소 구동 회로와 함께 하나의 전원공급라인을 공유할 수 있다. 그리하여 모든 화소 구동 회로는 두 개의 화소 구동 회로가 한 쌍으로 정의되어 하나의 전원공급라인을 공유할 수 있다. 구체적으로 제1 화소영역(101a)의 제1 화소구동회로(111) 및 제2 화소구동회로(112)는 제1 전원공급라인(VDD1)을 공유할 수 있고, 제1 화소영역(101a)의 제3 화소 구동 회로(113)와 제2 화소영역(102b)의 제1 화소 구동 회로(111)는 제2 전원공급라인(VDD2)을 공유할 수 있으며, 제2 화소영역(101b)의 제2 및 제3 화소 구동 회로(112, 113)은 제3 전원공급라인(VDD3)을 공유할 수 있다.
도 6을 참조하면, 상기 제1 화소 구동 회로(111)는 제1 화소영역의 제1 데이터라인(Data(1)1)으로부터의 데이터신호(Data)가 스캔펄스(SP)에 의하여 도통된 스위치 TFT(SW)를 통해 구동 TFT(DR)의 게이트 단자(G)에 공급된다. 그리고 제1 전원공급라인(VDD1) 상의 전원(VDD)이 구동 TFT(DR)의 드레인 단자(D)에 공급됨으로써 상기 데이터신호(Data) 및 전원(VDD)에 의해 결정된 구동 TFT(DR)에 흐르는 구동 전류(Ids)는 구동 TFT(DR)의 소스 전극(S)과 연결된 제1 화소영역(101a)의 제1 화소전극(501)으로 인가됨으로써 유기발광다이오드(OLED)는 발광할 수 있다. 그리고 이러한 동작 방식은 다른 서브 화소 영역에 포함된 화소 구동 회로의 동작에서도 동일하게 설명될 수 있다.
한편 제1 화소영역(101a)에서 제2 화소구동회로(112)가 제1 전원공급라인(VDD1)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제2 전원공급라인(VDD2)에 연결되는 것으로 도면에 도시하고, 이에 따라 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 화소영역(101a)에서 제2 화소구동회로(112)가 제2 전원공급라인(VDD2)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제1 전원공급라인(VDD1)에 연결될 수도 있다. 또한 제2 화소영역(101b)에서 제2 화소구동회로(112)가 제2 화소영역의 제2 데이터라인(Data(2)2)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제2 화소영역의 제3 데이터라인(Data(2)3)에 연결되는 것으로 도면에 도시하고, 이에 따라 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 제2 화소영역(101b)에서 제2 화소구동회로(112)가 제2 화소영역의 제3 데이터라인(Data(2)3)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제2 화소영역의 제2 데이터라인(Data(2)2)에 연결될 수도 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 표시패널(100)은 두 개의 서브 화소에 대응하는 화소 구동 회로가 하나의 전원 공급 라인을 공유하도록 함으로써 개구율을 향상시킬 수 있다. 특히 두 개의 전원공급라인 사이에 인접한 두 개의 데이터라인을 배치하고, 하나의 화소영역 내의 세 개의 화소 전극 중에서 두 개의 화소 전극을 제1 방향으로 배치하고, 상기 제1 방향으로 배치된 두 개의 화소 전극과 나머지 하나의 화소 전극을 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배치함으로써 화소의 밀도를 높일 수 있고 그에 따라 개구율을 향상시킴과 동시에 고해상도를 유지할 수 있다.
<제2 실시예에 따른 화소 설계 구조>
도 8 내지 도 10은 본 발명의 제2 실시예에 따른 화소 설계 구조를 나타낸 도면이다. 도 8은 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극의 배치관계를 나타낸 도면이고, 도 9는 데이터라인 및 전원공급라인과 화소전극 그리고 화소 구동 회로의 배치관계를 나타낸 도면이고, 도 10은 도 8의 화소 구동 회로를 구체화한 도면이다. 그리고 도 11은 도 8에 따른 표시패널의 단면도이다.
도 8 및 도 11을 참조하면, 제2 실시예에 따른 표시패널(100)의 표시영역(101)에는 복수개의 화소영역(101a, 101b)이 정의되고, 수평방향으로 제1 화소영역(101a) 및 제2 화소영역(101b)을 정의할 수 있다. 도 7에서는 표시영역(101)에 제1 화소영역(101a) 및 제2 화소영역(101b)만 배치된 것으로 도시하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 화소영역(101a) 및 제2 화소영역(101b)과 동일 형태로 수직 및 수평 방향으로 반복 배치될 수 있다.
제1 및 제2 화소영역(101a, 101b) 각각에는 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503)이 배치될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각은 도 1에서 설명한 애노드 전극이 될 수 있고, 도 2에서 설명한 유기발광다이오드(OLED)의 애노드 전극이 될 수 있다. 상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각은 화소 구동 회로(110) 내의 구동 TFT(DR)의 소스 단자에 연결될 수 있다.
상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각은 R(Red), G(Greem) 및 B(Blue) 서브 화소 중 어느 하나에 대응하는 화소전극이 될 수 있다. 구체적으로 상기 제1 화소전극(501)은 B 서브 화소에 대응할 수 있고, 상기 제2 화소전극(502)은 G 서브 화소에 대응할 수 있으며, 상기 제3 화소전극(503)은 R 서브 화소에 대응할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503) 각각 면적은 서로 상이할 수 있고, 도시된 면적에 한정되지 않고 컬러 별 휘도 및 특성에 따라서 결정될 수 있다.
데이터라인과 전원공급라인의 배치관계를 살펴보면, 화소영역의 제1 내지 제3 데이터라인(Data(1)1, Data(1)2, Data(1)3, Data(2)1, Data(2)2, Data(2)3) 중 어느 하나는 서로 인접하여 배치될 수 있다. 그리고 상기 인접하게 배치되는 데이터라인은 인접한 화소 영역들 사이의 영역인 화소 영역들 간의 경계 영역에 배치될 수 있다. 또한 상기 인접한 데이터 라인 사이에는 제1 내지 제4 전원공급라인(VDD1, VDD2, VDD3, VDD4) 중 어느 하나가 배치될 수 있다. 그리고 제2 전원공급라인(VDD2)은 제1 화소 영역(101a)을 가로 지르며 배치되고, 제1 및 제3 전원공급라인(VDD1, VDD3) 각각은 인접한 화소영역의 경계 영역에 각각 배치될 수 있다.
제1 화소영역(101a)에서 제1 화소전극(501)은 제1 화소영역의 제1 데이터라인(Data(1)1)과 제2 전원공급라인(VDD2) 사이에 배치될 수 있다. 그리고 제1 화소영역(101a)에서 제2 및 제3 화소전극(502, 503) 각각은 제1 화소영역의 제2 데이터라인(Data(1)2)과 제1 화소영역의 제3 데이터라인(Data(1)3) 사이에 배치될 수 있다. 또한 제2 화소영역(101b)에서 제1 화소전극(501)은 제2 화소영역의 제1 데이터라인(Data(2)1)과 제4 전원공급라인(VDD4) 사이에 배치될 수 있다. 그리고 제2 화소영역(101b)에서 제2 및 제3 화소전극(502, 503) 각각은 제2 화소영역의 제2 데이터라인(Data(2)2)과 제2 화소영역의 제3 데이터라인(Data(2)3) 사이에 배치될 수 있다.
또한 상기 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503)는 데이터라인 및 전원공급라인과 미 중첩되도록 배치될 수 있다.
또한 상기 제2 화소전극(502)와 제3 화소전극(503)은 화소영역 상에 상 하로 배치될 수 있고, 상 하로 배치된 상기 제2 화소전극(502) 및 제3 화소전극(503)은 제1 화소전극(501)과 함께 화소영역 상에서 좌 우로 배치될 수 있다.
도 9를 참조하면, 표시패널(100)은 제1 내지 제3 화소전극(501, 502, 503)을 구동하는 화소 구동 회로들(111, 112, 113)을 포함할 수 있고, 상기 제1 화소전극(501)을 구동하는 제1 화소 구동 회로(111)와 제2 화소전극(502)을 구동하는 제2 화소 구동 회로(112) 및 제3 화소전극(503)을 구동하는 제3 화소 구동 회로(113)을 포함할 수 있다.
화소 구동 회로(111, 112, 113) 중 두 개의 화소 구동 회로들 각각은 인접한 화소영역 사이 영역인 경계영역에 배치된 전원공급라인과 연결될 수 있고, 나머지 하나의 화소 구동 회로는 화소영역을 가로 지르며 배치된 전원공급라인과 연결될 수 있다.
구체적으로 제1 화소영역(101a)에서 제1 화소 구동 회로(111)는 제1 전원공급라인(VDD1)과 연결되고, 제3 화소 구동 회로(113)는 제3 전원공급라인(VDD3)과 연결되고, 제2 화소 구동 회로(112)는 제2 전원공급라인(VDD2)과 연결될 수 있다. 상기 제1 화소영역(101a)과 마찬가지로 제2 화소영역(101b)에서도 제1 화소 구동 회로(111)는 제3 전원공급라인(VDD3)과 연결되고, 제3 화소 구동 회로(113)는 제2 화소영역(101b)과 수평 방향으로 상기 제2 화소영역(101b)의 다음 번 화소 영역(미도시)의 사이 영역인 경계 영역에 형성된 전원공급라인(미도시)과 연결되고, 제2 화소 구동 회로(112)는 제4 전원공급라인(VDD4)과 연결될 수 있다.
또한 제1 화소영역(101a)에서 제1 화소 구동 회로(111)는 제1 전원공급라인(VDD1)과 인접한 제1 화소영역의 제1 데이터라인(Data(1)1)과 연결되고, 제3 화소 구동 회로(113)는 제3 전원공급라인(VDD3)과 인접한 제1 화소영역의 제3 데이터라인(Data(1)3)과 연결되고, 제2 화소 구동 회로(112)는 제2 전원공급라인(VDD2)과 인접한 제1 화소영역의 제2 데이터라인(Data(1)2)과 연결될 수 있다. 상기 제1 화소영역(101a)과 마찬가지로 제2 화소영역(101b)에서도 제1 화소 구동 회로(111)는 제3 전원공급라인(VDD3)과 인접한 제2 화소영역의 제1 데이터라인(Data(2)1)과 연결되고, 제3 화소 구동 회로(113)는 제2 화소영역(101b)과 수평 방향으로 상기 제2 화소영역(101b)의 다음 번 화소 영역(미도시) 사이 영역인 경계 영역에 형성된 전원공급라인(미도시)과 인접한 제2 화소영역의 제3 데이터라인(Data(2)3)과 연결되고, 제2 화소 구동 회로(112)는 제4 전원공급라인(VDD4)과 인접한 제2 화소영역의 제2 데이터라인(Data(2)2)과 연결될 수 있다.
도 10을 참조하면, 상기 제1 화소 구동 회로(111)는 제1 화소영역의 제1 데이터라인(Data(1)1)으로부터의 데이터신호(Data)가 스캔펄스(SP)에 의하여 도통된 스위치 TFT(SW)를 통해 구동 TFT(DR)의 게이트 단자(G)에 공급되고, 제1 전원공급라인(VDD1) 상의 전원(VDD)이 구동 TFT(DR)의 드레인 단자(D)에 공급됨으로써 상기 데이터신호(Data) 및 전원(VDD)에 의해 결정된 구동 TFT(DR)에 흐르는 구동 전류(Ids)는 구동 TFT(DR)의 소스 전극(S)과 연결된 제1 화소영역(101a)의 제1 화소전극(501)으로 인가됨으로써 유기발광다이오드(OLED)는 발광할 수 있고, 이러한 동작 방식은 다른 서브 화소 영역에서 동일하게 설명될 수 있다.
한편 제1 화소영역(101a)에서 제2 화소구동회로(112)가 제2 전원공급라인(VDD2)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제3 전원공급라인(VDD3)에 연결되는 것으로 도면에 도시하고, 이에 따라 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 제1 화소영역(101a)에서 제2 화소구동회로(112)가 제3 전원공급라인(VDD3)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제2 전원공급라인(VDD2)에 연결될 수도 있다. 또한 제2 화소영역(101b)에서 제2 화소구동회로(112)가 제2 화소영역의 제2 데이터라인(Data(2)2)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제2 화소영역의 제3 데이터라인(Data(2)3)에 연결되는 것으로 도면에 도시하고, 이에 따라 설명하였으나 이에 한정되는 것은 아니고, 제2 화소영역(101b)에서 제2 화소구동회로(112)가 제2 화소영역의 제3 데이터라인(Data(2)3)에 연결되고 제3 화소구동회로(113)가 제2 화소영역의 제2 데이터라인(Data(2)2)에 연결될 수도 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 표시패널(100)은 하나의 화소영역을 이루는 세 개의 서브 화소 중에서 두 개의 서브 화소에 대응하는 화소 구동 회로가 하나의 전원 공급 라인을 공유하도록 함으로써 개구율을 향상시킬 수 있다. 특히 두 개의 데이터라인 사이에 전원공급라인을 형성함으로써 인접 데이터라인간의 데이터 간섭을 최소화할 수 있다. 즉, 서로 다른 데이터신호가 제공될 수 있는 인접한 두 개의 데이터 라인 사이에 고정된 전압이 공급되는 전원공급라인을 배치함으로써 데이터라인 주변의 자계 필드를 고정시켜 데이터신호의 가변에 따른 자계 필드의 변화를 차폐하는 역할을 할 수 있다. 또한 인접한 데이터 라인 사이에 전원공급라인이 배치됨으로써 상기 인접한 데이터 라인 사이의 간격을 좁일 수 있고, 그에 따라 화소의 밀도를 높여 고 해상도 실현 및 색 재현성을 높일 수 있다. 또한 데이터라인과 화소전극이 미 중첩되도록 함으로써 기생 커패시턴스(Capacitance)를 최소화하여 커패시턴스에 따른 신호 간섭을 해소할 수 있다. 화소영역들 사이의 경계 영역에 인접한 서로 인접한 두 개의 데이터라인을 배치하고, 하나의 화소영역 내의 세 개의 화소 전극 중에서 두 개의 화소 전극 각각을 화소영역 상에 상 하 관계가 되도록 배치되도록 할 수 있고, 상 하 관계가 되도록 배치된 두 개의 화소 전극과 나머지 하나의 화소 전극을 좌 우 관계가 되도록 배치함으로써 화소영역의 밀도를 높여 고해상도를 유지하면서 개구율을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명의 상세한 설명에서는 본 발명의 바람직한 실시 예를 참조하여 설명하였지만, 해당 기술 분야의 숙련된 당업자 또는 해당 기술분야에 통상의 지식을 갖는 자라면 후술할 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 기술 영역으로부터 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 이해할 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 범위는 명세서의 상세한 설명에 기재된 내용으로 한정되는 것이 아니라 특허청구범위에 의해 정하여져야만 할 것이다.
100 표시패널
101 표시영역
101a 제1 화소영역
101b 제2 화소영역
110 화소 구동 회로
111 제1 화소 구동 회로
112 제2 화소 구동 회로
113 제3 화소 구동 회로
200 게이트 드라이버
300 데이터 드라이버
400 타이밍 컨트롤러
501 제1 화소 전극
502 제2 화소 전극
503 제3 화소 전극
600 전원공급부
101 표시영역
101a 제1 화소영역
101b 제2 화소영역
110 화소 구동 회로
111 제1 화소 구동 회로
112 제2 화소 구동 회로
113 제3 화소 구동 회로
200 게이트 드라이버
300 데이터 드라이버
400 타이밍 컨트롤러
501 제1 화소 전극
502 제2 화소 전극
503 제3 화소 전극
600 전원공급부
Claims (12)
- 삭제
- 삭제
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- 유기발광다이오드 구동을 위한 제1 내지 제3 화소 구동 회로 및 상기 제1 내지 제3 화소 구동 회로 각각에 연결된 제1 내지 제3 화소전극을 포함하는 화소영역이 복수 개 구비된 유기발광다이오드 표시패널로서,
상기 복수개의 화소영역 중 제2 화소영역의 제1 화소 구동 회로는 상기 제2 화소영역과 인접한 제1 화소영역의 제3 화소 구동 회로와 제1 전원공급라인을 공유하고,
상기 제2 화소영역의 제3 화소 구동 회로는 상기 제2 화소영역과 인접한 제3 화소영역의 제1 화소 구동 회로와 제3 전원공급라인을 공유하고,
상기 제2 화소영역의 제2 화소 구동 회로는 제2 전원공급라인에 연결되고,
상기 제1 전원공급라인은 상기 제1 화소영역과 상기 제2 화소영역의 경계 영역에 배치되고,
상기 제3 전원공급라인은 상기 제2 화소영역과 상기 제3 화소영역의 경계 영역에 배치되고,
상기 제2 화소영역의 제1 화소 구동 회로와 상기 제1 화소영역의 제3 화소 구동 회로는 상기 제1 전원공급라인에 대하여 비대칭되고,
상기 제2 화소영역의 제3 화소 구동 회로와 제3 화소영역의 제1 화소 구동 회로는 상기 제3 전원공급라인에 대하여 비대칭되는 유기발광다이오드 표시패널. - 제7 항에 있어서,
상기 제2 화소영역의 제3 화소 구동 회로와 연결된 제1 데이터 라인과 상기 제3 화소영역의 제1 화소 구동 회로에 연결된 제2 데이터 라인은 상기 제2 화소영역과 제3 화소영역의 경계영역에 배치되고,
상기 제3 전원공급라인은 상기 제1 및 제2 데이터 라인 사이에 배치된 유기발광다이오드 표시패널. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 화소전극은 상기 제2 및 제3 화소전극과 제1 방향으로 배치되고,
상기 제2 및 제3 화소전극은 상기 제1 방향과 수직한 제2 방향으로 배치되는
유기발광다이오드 표시패널. - 제7 항에 있어서,
상기 제2 화소영역의 제1 화소 구동 회로와 연결된 제1 데이터 라인은 제1 및 제2 화소영역의 경계영역에 배치되고,
상기 제2 화소영역의 제2 화소 구동 회로와 연결된 제2 데이터 라인은 상기 제2 화소영역에 배치되고,
상기 제2 화소영역의 제3 화소 구동 회로와 연결된 제3 데이터 라인 및 상기 제3 화소영역의 제1 화소 구동 회로에 연결된 제4 데이터 라인은 상기 제2 화소영역과 제3 화소영역의 경계영역에 배치되고,
상기 제1 화소전극은 상기 제1 데이터 라인과 상기 제2 전원공급라인 사이의 영역에 배치되고 상기 제1 데이터 라인 및 상기 제2 전원공급라인과 미 중첩되고,
상기 제2 및 제3 화소전극은 상기 제2 데이터 라인과 상기 제3 데이터 라인 사이에 배치되고 상기 제2 데이터 라인 및 상기 제3 데이터 라인과 미 중첩되는 유기발광다이오드 표시패널. - 제7 항에 있어서,
상기 제2 화소영역의 제2 화소 구동 회로에 연결된 데이터 라인과 상기 제2 전원공급라인은 상기 제1 및 제2 화소 전극 사이 영역에 배치된 유기발광다이오드 표시패널. - 제7 항에 있어서,
상기 제1 화소전극은 블루(Blue) 서브화소에 대응되고, 상기 제2 화소전극은 그린(Green) 서브화소에 대응하며, 상기 제3 화소전극은 레드(Red) 서브화소에 대응하는 유기발광다이오드 표시패널.
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