KR20150080587A - 투명 도전성 필름 - Google Patents

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KR20150080587A
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도모타케 나시키
모토키 하이시
도모노리 노구치
구니아키 이시바시
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

결정성이 우수하고, 작은 표면 저항값을 실현할 수 있는 투명 도전성 필름을 제공한다.
투명 도전성 필름 (1) 은, 필름 기재 (2) 의 양면에 형성된 투명 도전체층 (3, 4) 을 갖는다. 투명 도전체층 (3) 은, 필름 기재 (2) 의 면 (2a) 측으로부터, 인듐주석 산화물층 (5) 과, 인듐주석 산화물층 (6) 과, 인듐주석 산화물층 (7) 이 이 순서로 적층되어 이루어진다. 투명 도전체층 (4) 은, 필름 기재 (2) 의 면 (2b) 측으로부터, 인듐주석 산화물층 (8) 과, 인듐주석 산화물층 (9) 과, 인듐주석 산화물층 (10) 이 이 순서로 적층되어 이루어진다. 인듐주석 산화물층 (6) 의 산화주석 함유량은, 인듐주석 산화물층 (5) 의 산화주석 함유량 및 인듐주석 산화물층 (7) 의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크다. 인듐주석 산화물층 (9) 의 산화주석 함유량은, 인듐주석 산화물층 (8) 의 산화주석 함유량 및 인듐주석 산화물층 (10) 의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크다.

Description

투명 도전성 필름{TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM}
본 발명은 손가락이나 스타일러스펜 등의 접촉에 의해 정보를 입력하는 것이 가능한 입력 표시 장치 등에 적용되는 투명 도전성 필름에 관한 것이다.
종래, 1 장의 필름 기재의 양면에 은염 감광 재료로 이루어지는 투명 도전체층이 형성된 투명 도전성 필름이 알려져 있다 (특허문헌 1). 이와 같은 양면에 투명 도전체층을 갖는 투명 도전성 필름은, 정전 용량 방식 터치 패널을 제조하는 경우에, 필름 기재의 편면에 투명 도전체층을 형성한 투명 도전성 필름을 2 장 적층할 필요가 없고, 또한 투명 도전체층을 패터닝 (patterning) 한 경우에, 패턴화 된 표리의 투명 도전체층의 위치 어긋남이 작은, 즉 상대적인 위치 정밀도가 우수하다는 이점이 있다.
일본 공개특허공보 2011-210579호
그러나, 투명 도전체층으로서 인듐주석 산화물을 사용하는 경우, 필름 기재의 편면에만 투명 도전체층을 형성하는 경우에는 아무런 문제가 없어도, 필름 기재의 양면에 투명 도전체층을 형성하면 인듐주석 산화물의 결정성이 극단적으로 나빠져, 표면 저항값이 작은 투명 도전성 필름을 얻을 수 없다는 문제가 있다.
본 발명의 목적은, 필름 기재의 양면에 인듐주석 산화물층으로 이루어지는 투명 도전층이 형성된 경우에도 결정성이 우수하고, 작은 표면 저항값을 실현할 수 있는 투명 도전성 필름을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서, 본 발명의 투명 도전성 필름은 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 필름 기재와, 그 필름 기재의 제 1 면측에 형성된 제 1 투명 도전체층과, 상기 필름 기재의 제 2 면측에 형성된 제 2 투명 도전체층을 포함하는 투명 도전성 필름으로서, 상기 제 1 투명 도전체층은, 상기 필름 기재의 제 1 면측으로부터 제 1 인듐주석 산화물층과, 제 2 인듐주석 산화물층과, 제 3 인듐주석 산화물층이 이 순서로 적층되어 이루어지고, 상기 제 2 투명 도전체층은, 상기 필름 기재의 제 2 면측으로부터 제 4 인듐주석 산화물층과, 제 5 인듐주석 산화물층과, 제 6 인듐주석 산화물층이 이 순서로 적층되어 이루어지고, 상기 제 2 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은, 제 1 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 및 제 3 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크고, 상기 제 5 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은, 제 4 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 및 제 6 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 큰 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 제 2 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 6 중량％ ∼ 15 중량％ 이고, 상기 제 1 인듐주석 산화물층 및 상기 제 3 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 각각 1 중량％ ∼ 5 중량％ 이다.
또 바람직하게는, 상기 제 5 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 6 중량％ ∼ 15 중량％ 이고, 상기 제 4 인듐주석 산화물층 및 상기 제 6 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 각각 1 중량％ ∼ 5 중량％ 이다.
또, 상기 제 2 인듐주석 산화물층의 두께는 상기 제 1 인듐주석 산화물층 및 상기 제 3 인듐주석 산화물층의 두께 중 어느 것보다 큰 것이 바람직하다.
보다 바람직하게는, 상기 제 2 인듐주석 산화물층의 두께는 5 ㎚ ∼ 20 ㎚ 이고, 상기 제 1 인듐주석 산화물층 및 상기 제 3 인듐주석 산화물층의 두께는 각각 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 이다.
또, 상기 제 5 인듐주석 산화물층의 두께는, 상기 제 4 인듐주석 산화물층 및 상기 제 6 인듐주석 산화물층의 두께 중 어느 것보다 큰 것이 바람직하다.
보다 바람직하게는, 상기 제 5 인듐주석 산화물층의 두께는 5 ㎚ ∼ 20 ㎚ 이고, 상기 제 4 인듐주석 산화물층 및 상기 제 6 인듐주석 산화물층의 두께는 각각 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 이다.
본 발명에 의하면, 필름 기재의 양면에 형성되는 제 1, 제 2 투명 도전체층의 쌍방을 3 층 구조로 하고, 제 1 투명 도전체층에 있어서의 제 2 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량이 제 1, 제 3 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크고, 또, 제 2 투명 도전체층에 있어서의 제 5 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량이 제 4, 제 6 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크다. 본 구성에 의하면, 필름 기재의 양면에 인듐주석 산화물층으로 이루어지는 투명 도전층이 형성된 경우에도 결정성이 우수하고, 표면 저항값이 작은 투명 도전성 필름을 제공할 수 있다.
도 1 은 본 발명의 실시형태에 관련된 투명 도전성 필름의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다.
도 2 는 도 1 에 있어서의 제 1 투명 도전체층의 구성을 나타내는 부분 확대 단면도이다.
도 3 은 도 1 에 있어서의 제 2 투명 도전체층의 구성을 나타내는 부분 확대 단면도이다.
이하, 본 발명의 실시형태를 도면을 참조하면서 상세하게 설명한다.
도 1 은, 본 실시형태에 관련된 투명 도전성 필름의 구성을 개략적으로 나타내는 단면도이다. 또한, 도 1 에 있어서의 각 층의 두께는 그 일례를 나타내는 것이고, 본 발명의 필름 센서에 있어서의 각 층의 두께는 도 1 의 것에 한정되지 않는 것으로 한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 투명 도전성 필름 (1) 은, 면 (2a) (제 1 면) 및 면 (2b) (제 2 면) 을 갖는 필름 기재 (2) 와, 필름 기재 (2) 의 면 (2a) 측에 형성된 투명 도전체층 (3) (제 1 투명 도전체층) 과, 필름 기재 (2) 의 면 (2b) 측에 형성된 투명 도전체층 (4) (제 2 투명 도전체층) 을 포함하고 있다.
투명 도전체층 (3) 은, 필름 기재 (2) 의 면 (2a) 측으로부터 인듐주석 산화물층 (5) (제 1 인듐주석 산화물층) 과, 인듐주석 산화물층 (6) (제 2 인듐주석 산화물층) 과, 인듐주석 산화물층 (7) (제 3 인듐주석 산화물층) 이 이 순서로 적층되어 이루어진다. 또, 투명 도전체층 (4) 은, 필름 기재 (2) 의 면 (2b) 측으로부터 인듐주석 산화물층 (8) (제 4 인듐주석 산화물층) 과, 인듐주석 산화물층 (9) (제 5 인듐주석 산화물층) 과, 인듐주석 산화물층 (10) (제 6 인듐주석 산화물층) 이 이 순서로 적층되어 이루어진다.
그리고, 인듐주석 산화물층 (6) 의 산화주석 함유량은, 인듐주석 산화물층 (5) 의 산화주석 함유량 및 인듐주석 산화물층 (7) 의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크다. 또, 인듐주석 산화물층 (9) 의 산화주석 함유량은, 인듐주석 산화물층 (8) 의 산화주석 함유량 및 인듐주석 산화물층 (10) 의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크다.
이와 같이 본 발명에서는, 필름 기재 (2) 의 면 (2a, 2b) 에 형성되는 투명 도전체층 (3, 4) 의 쌍방을 3 층 구조로 하고, 각 투명 도전체층에 있어서, 산화주석 함유량이 큰 인듐주석 산화물층을, 상대적으로 산화주석 함유량이 작은 2 개의 인듐주석 산화물층 사이에 개재하고 있다. 본 구성에 의해, 투명 도전체층 (3, 4) 전체의 결정성을 현격히 향상시킬 수 있다. 바꾸어 말하면, 저온·단시간의 가열 처리 조건으로, 각 인듐주석 산화물층을 비정질로부터 결정질로 용이하게 전화 (轉化) 시킬 수 있고, 그 결과, 투명 도전성 필름의 표면 저항값을 작게 하는 것이 가능해진다.
다음으로, 투명 도전성 필름 (1) 의 각 구성 요소의 상세를 이하에 설명한다.
(1) 필름 기재
본 발명에 있어서의 필름 기재 (2) 는 가요성을 갖는 시트상의 부재이고, 일방의 주면인 면 (2a) 과, 타방의 주면인 면 (2b) 을 갖는다. 면 (2a) 에는 투명 도전체층 (3) 이, 면 (2b) 에는 투명 도전체층 (4) 이 각각 형성되어 있다.
상기 필름 기재를 형성하는 재료로는, 투명성이나 내열성이 우수한 것이 바람직하고, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 (polyethyleneterephthalate), 폴리시클로올레핀 (polycycloolefin), 폴리카보네이트 (polycarbonate) 이다. 상기 필름 기재는, 그 표면에 접착 용이층이나 하드 코트층을 가지고 있어도 된다.
상기 필름 기재의 두께는 특별히 제한은 없고, 예를 들어 20 ㎛ ∼ 200 ㎛ 이다. 일반적으로, 기재 내부의 휘발 성분량을 적게 하여, 인듐주석 산화물층의 결정화에 미치는 영향을 줄이기 위해서, 필름 기재의 두께는 작은 것이 바람직하지만, 본 발명의 구성이면, 필름 기재의 두께가 커도 (예를 들어, 80 ㎛ ∼ 200 ㎛), 인듐주석 산화물층을 충분히 결정화시킬 수 있다.
(2) 제 1 투명 도전체층
제 1 투명 도전체층으로서의 투명 도전체층 (3) 은, 필름 기재 (2) 의 면 (2a) 에, 인듐주석 산화물층 (5), 인듐주석 산화물층 (6) 및 인듐주석 산화물층 (7) 이 이 순서로 적층되어 이루어지는 3 층막이다. 또, 인듐주석 산화물층 (6) 의 산화주석 함유량은 인듐주석 산화물층 (5) 및 인듐주석 산화물층 (7) 의 산화주석 함유량보다 크다.
인듐주석 산화물층 (6) 의 두께는, 도 2 에 나타내는 바와 같이, 바람직하게는 인듐주석 산화물층 (5) 및 인듐주석 산화물층 (7) 의 두께 중 어느 것보다 크다. 인듐주석 산화물층 (6) 의 두께는 바람직하게는 5 ㎚ ∼ 20 ㎚ 이고, 인듐주석 산화물층 (5) 및 인듐주석 산화물층 (7) 의 두께는 바람직하게는 각각 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 이다.
투명 도전체층 (3) 의 총 두께 (인듐주석 산화물층 (5, 6, 7) 의 두께를 합계한 값) 는 바람직하게는 7 ㎚ ∼ 40 ㎚ 이다.
본 발명에 사용되는 인듐주석 산화물 (indium tin oxide) 은, 산화인듐 (In2O3) 에 산화주석 (SnO2) 이 도프된 화합물이다. 산화인듐에 산화주석을 첨가하면, 인듐 (3＋) 의 격자의 일부에 주석 (4＋) 이 치환되고, 그 때 생성되는 전자가 전기 전도에 기여하는 캐리어가 된다.
인듐주석 산화물층 (6) 의 산화주석 함유량은 바람직하게는 6 중량％ ∼ 15 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 8 중량％ ∼ 12 중량％ 이다. 인듐주석 산화물층 (5) 및 인듐주석 산화물층 (7) 의 산화주석 함유량은, 바람직하게는 각각 1 중량％ ∼ 5 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 2 중량％ ∼ 4 중량％ 이다. 또한, 상기 산화주석 함유량은 산화주석의 중량을 (SnO2), 산화인듐 (In2O3) 으로 했을 때, 식 : {(SnO2)/(In2O3 ＋ SnO2)} × 100 으로부터 구해지는 값이다.
투명 도전체층 (3) 의 결정화 후 (가열 처리 후) 의 표면 저항값은 200 Ω/□ (단위 : ohmsper square) 이하이고, 바람직하게는 100 Ω/□ ∼ 160 Ω/□ 이다.
(3) 제 2 투명 도전체층
제 2 투명 도전체층으로서의 투명 도전체층 (4) 은, 필름 기재 (2) 의 면 (2b) 에, 인듐주석 산화물층 (8), 인듐주석 산화물층 (9) 및 인듐주석 산화물층 (10) 이 이 순서로 적층되어 이루어지는 3 층막이다. 또, 인듐주석 산화물층 (9) 의 산화주석 함유량은 인듐주석 산화물층 (8) 및 인듐주석 산화물층 (10) 의 산화주석 함유량보다 크다.
인듐주석 산화물층 (9) 의 두께는, 도 3 에 나타내는 바와 같이, 바람직하게는 인듐주석 산화물층 (8) 및 인듐주석 산화물층 (10) 의 두께 중 어느 것보다 크다. 인듐주석 산화물층 (9) 의 두께는 바람직하게는 5 ㎚ ∼ 20 ㎚ 이고, 인듐주석 산화물층 (8) 및 인듐주석 산화물층 (10) 의 두께는 바람직하게는 각각 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 이다.
투명 도전체층 (4) 의 총 두께 (인듐주석 산화물층 (8, 9, 10) 의 두께를 합계한 값) 는 바람직하게는 7 ㎚ ∼ 40 ㎚ 이다.
인듐주석 산화물층 (9) 의 산화주석 함유량은 바람직하게는 6 중량％ ∼ 15 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 8 중량％ ∼ 12 중량％ 이다. 인듐주석 산화물층 (8) 및 인듐주석 산화물층 (10) 의 산화주석 함유량은 바람직하게는 각각 1 중량％ ∼ 5 중량％ 이고, 더욱 바람직하게는 2 중량％ ∼ 4 중량％ 이다.
투명 도전체층 (4) 의 결정화 후 (가열 처리 후) 의 표면 저항값은 200 Ω/□ 이하이고, 바람직하게는 100 Ω/□ ∼ 160 Ω/□ 이다.
다음으로, 상기와 같이 구성되는 투명 도전성 필름의 제조 방법을 설명한다. 또한, 이하에 설명하는 제조 방법은 예시이고, 본 발명에 관련된 투명 도전성 필름의 제조 방법은 이것에 한정되는 것은 아니다.
먼저, 500 ㎚ ∼ 5000 ㎚ 의 장척상 필름 기재가 감겨져 이루어지는 롤을 스퍼터 장치 내에 넣고, 이것을 일정 속도로 되감으면서 스퍼터법에 의해 장척상 필름 기재의 제 1 면에 제 1, 제 2, 제 3 인듐주석 산화물층을 순차적으로 적층하여 제 1 투명 도전층을 형성한다. 다음으로, 장척상 필름 기재의 표리를 반전시키고, 그 장척상 필름의 제 2 면에 제 4, 제 5, 제 6 인듐주석 산화물층을 순차적으로 적층하여 제 2 투명 도전층을 형성한다.
상기 스퍼터법은, 저압 기체 중에서 발생시킨 플라즈마 중의 양이온을 부전극인 소성체 타깃에 충돌시킴으로써, 상기 소성체 타깃 표면으로부터 비산된 물질을 기판에 부착시키는 방법이다.
각 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은, 상기 스퍼터 장치 내에 설치하는 소성체 타깃재의 산화주석 함유량을 변경함으로써 조정할 수 있다. 각 인듐주석 산화물층의 두께는 장척상 필름 기재의 반송 속도를 변화시키거나, 혹은 타깃재의 개수를 증감시킴으로써 적절히 조정할 수 있다.
각 인듐주석 산화물층이 형성된 장척상 필름은, 일단 권회하여 롤로 하고, 이것을 되감으면서 가열 오븐 내에 연속적으로 반송되어 가열 처리된다. 필름 기재에 형성된 제 1 ∼ 제 6 인듐주석 산화물층은 가열 처리에 의해 비정질로부터 결정질로 전화된다. 본 발명의 투명 도전성 필름은 결정성이 우수하기 때문에, 상기 가열 처리의 조건은 저온·단시간이면 되고, 가열 온도는 바람직하게는 140 ℃ ∼ 170 ℃ 이며, 가열 시간은 바람직하게는 30 분 ∼ 60 분이다.
본 실시형태에 의하면, 필름 기재 (2) 의 양면에 형성되는 투명 도전체층 (3, 4) 의 쌍방을 3 층 구조로 하고, 투명 도전체층 (3) 에 있어서의 인듐주석 산화물층 (6) 의 산화주석 함유량이, 인듐주석 산화물층 (5, 7) 의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크고, 또, 투명 도전체층 (4) 에 있어서의 인듐주석 산화물층 (9) 의 산화주석 함유량이, 인듐주석 산화물층 (8, 10) 의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크다. 이와 같은 구성에 의하면, 투명 도전체층 (3, 4) 전체의 결정성을 현격히 향상시킬 수 있다. 또, 저온·단시간의 가열 처리 조건이어도, 각 인듐주석 산화물층을 비정질로부터 결정질로 용이하게 전화시킬 수 있고, 그 결과, 투명 도전성 필름 (1) 의 표면 저항값을 작게 하는 것이 가능해진다.
이상, 본 실시형태에 관련된 투명 도전성 필름에 대해 서술하였지만, 본 발명은 기술의 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술 사상에 기초하여 각종 변형 및 변경이 가능하다.
이하, 본 발명의 실시예를 설명한다.
실시예
(실시예 1)
두께 100 ㎛ 의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름의 양면에 두께 30 ㎚ 멜라민 수지를 함유하는 열경화성 수지의 언더코트층이 형성된 장척상 필름 기재의 롤을 준비하였다.
이 롤을 스퍼터 장치에 넣고 일정 속도로 되감으면서, 상기 장척상 필름 기재의 제 1 면에 산화주석 함유량이 3.3 중량％ 인 제 1 인듐주석 산화물층, 산화주석 함유량 10 중량％ 의 제 2 인듐주석 산화물층, 및 산화주석 함유량 3.3 중량％ 의 제 3 인듐주석 산화물층을 순차적으로 적층하고, 총 두께 28 ㎚ 의 제 1 투명 도전체층을 제조하였다.
다음으로, 상기 장척상 필름 기재를 반전시키고, 그 장척상 필름 기재의 제 2 면에 산화주석 함유량이 3.3 중량％ 인 제 4 인듐주석 산화물층, 산화주석 함유량 10 중량％ 의 제 5 인듐주석 산화물층, 및 산화주석 함유량 3.3 중량％ 의 제 6 인듐주석 산화물층을 순차적으로 적층하고, 총 두께 28 ㎚ 의 제 2 투명 도전체층을 제조하였다.
각 인듐주석 산화물층이 형성된 장척상 필름 기재를 스퍼터 장치로부터 취출하고, 일단 권회하여 롤로 하고, 이것을 되감으면서 150 ℃ 의 가열 오븐 내에 연속적으로 반송하여, 60 분간 가열 처리하였다. 그 결과, 필름 기재에 형성된 제 1 ∼ 제 6 인듐주석 산화물층은 가열 처리에 의해 비정질에서 결정질로 전화되었다.
(비교예 1)
제 1 인듐주석 산화물층, 및 제 4 인듐주석 산화물층을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제조하였다.
(비교예 2)
제 1 인듐주석 산화물층, 제 3 인듐주석 산화물층, 제 4 인듐주석 산화물층 및 제 6 인듐주석 산화물층을 형성하지 않은 것 이외에는, 실시예 1 과 동일한 방법으로 투명 도전성 필름을 제조하였다.
다음으로, 이들 실시예 1 및 비교예 1 ∼ 2 를, 이하의 방법으로 측정·평가하였다.
(1) 표면 저항값의 측정
JIS K 7194 에 준하여 사단자법에 의해 측정하였다.
(2) 투명 도전체층의 결정 상태의 확인
투과형 전자 현미경 (히타치 제작소 제조 제품명 「H-7650」) 을 사용하여, 배율 25,000 배로 투명 도전체층의 표면 상태를 관찰하고, 결정립이 전체면에 존재하는 것을 결정질 (결정화) 이라고 판단하였다.
상기 (1) ∼ (2) 의 방법으로 측정·평가한 결과를 표 1 ∼ 표 2 에 나타낸다.
Figure pct00001
Figure pct00002
표 1 ∼ 표 2 의 실시예 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 도전체층을 3 층 구조로 하고, 제 2 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 10 wt％) 의 두께를 14 ㎚, 제 1, 제 3 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 3.3 wt％) 의 두께를 7 ㎚ 로 하고, 총 두께를 28 ㎚ 로 하면, 가열 처리 후의 투명 도전체층 표면이 결정질이 되어, 양호한 표면 저항값이 얻어졌다. 또, 제 2 투명 도전체층에 있어서의 제 5 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 10 wt％) 의 두께를 14 ㎚, 제 4, 제 6 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 3.3 wt％) 의 두께를 7 ㎚ 로 하고, 총 두께를 28 ㎚ 로 하면, 가열 처리 후의 투명 도전체층 표면이 결정질이 되어, 양호한 표면 저항값이 얻어졌다 (135 Ω/□).
한편, 표 1 ∼ 표 2 의 비교예 1 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 도전체층을 2 층 구조로 하고, 제 2 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 10 wt％) 의 두께를 14 ㎚, 제 3 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 3.3 wt％) 의 두께를 14 ㎚ 로 하고, 제 1 투명 도전체층의 총 두께를 28 ㎚ 로 하면, 가열 처리 후의 투명 도전체층 표면이 비정질이 되어, 표면 저항값이 대폭 증대되었다 (350 Ω/□). 동일하게, 제 2 투명 도전체층을 2 층 구조로 하고, 제 5 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 10 wt％) 의 두께를 14 ㎚, 제 6 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 3.3 wt％) 의 두께를 14 ㎚ 로 하고, 제 2 투명 도전체층의 총 두께를 28 ㎚ 로 하면, 가열 처리 후의 투명 도전체층 표면이 비정질이 되어, 표면 저항값이 대폭 증대되었다.
또, 비교예 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 투명 도전체층을 1 층 구조로 하고, 제 2 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 10 wt％) 의 두께를 28 ㎚ (제 1 투명 도전체층의 총 두께가 28 ㎚) 로 하면, 가열 처리 후의 투명 도전체층 표면이 비정질이 되어, 표면 저항값이 대폭 증대되었다 (350 Ω/□). 동일하게, 제 2 투명 도전체층을 1 층 구조로 하고, 제 2 인듐주석 산화물층 (SnO2 : 10 wt％) 의 두께를 28 ㎚ (제 2 투명 도전체층의 총 두께가 28 ㎚) 로 하면, 가열 처리 후의 투명 도전체층 표면이 비정질이 되어, 표면 저항값이 대폭 증대되었다.
따라서, 필름 기재의 양면에 형성된 각 투명 도전체층을 3 층 구조로 하고, 산화주석 함유량이 큰 제 2 인듐주석 산화물층을 산화주석 함유량이 작은 제 1, 제 3 인듐주석 산화물층 사이에 개재하는 것에 의해, 투명 도전체층 전체의 결정성이 현격히 향상되어, 표면 저항값이 작은 투명 도전성 필름이 얻어지는 것을 알 수 있었다.
산업상 이용가능성
본 발명에 관련된 투명 도전성 필름의 용도는 특별히 제한은 없고, 바람직하게는 스마트 폰이나 태블릿 단말 (Slate PC 라고도 한다) 등의 휴대 단말에 사용되는 정전 용량 방식 터치 센서이다.
1 : 투명 도전성 필름
2 : 필름 기재
2a, 2b : 면
3, 4 : 투명 도전체층
5, 6, 7, 8, 9, 10 : 인듐주석 산화물층

Claims (7)

  1. 제 1 면 및 제 2 면을 갖는 필름 기재와, 그 필름 기재의 제 1 면측에 형성된 제 1 투명 도전체층과, 상기 필름 기재의 제 2 면측에 형성된 제 2 투명 도전체층을 포함하는 투명 도전성 필름으로서,
    상기 제 1 투명 도전체층은, 상기 필름 기재의 제 1 면측으로부터 제 1 인듐주석 산화물층과, 제 2 인듐주석 산화물층과, 제 3 인듐주석 산화물층이 이 순서로 적층되어 이루어지고,
    상기 제 2 투명 도전체층은, 상기 필름 기재의 제 2 면측으로부터 제 4 인듐주석 산화물층과, 제 5 인듐주석 산화물층과, 제 6 인듐주석 산화물층이 이 순서로 적층되어 이루어지고,
    상기 제 2 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은, 제 1 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 및 제 3 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 크고,
    상기 제 5 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은, 제 4 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 및 제 6 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량 중 어느 것보다 큰 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 6 중량％ ∼ 15 중량％ 이고, 상기 제 1 인듐주석 산화물층 및 상기 제 3 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 각각 1 중량％ ∼ 5 중량％ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 5 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 6 중량％ ∼ 15 중량％ 이고, 상기 제 4 인듐주석 산화물층 및 상기 제 6 인듐주석 산화물층의 산화주석 함유량은 각각 1 중량％ ∼ 5 중량％ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 인듐주석 산화물층의 두께는, 상기 제 1 인듐주석 산화물층 및 상기 제 3 인듐주석 산화물층의 두께 중 어느 것보다 큰 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제 2 인듐주석 산화물층의 두께는 5 ㎚ ∼ 20 ㎚ 이고, 상기 제 1 인듐주석 산화물층 및 상기 제 3 인듐주석 산화물층의 두께는 각각 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 5 인듐주석 산화물층의 두께는, 상기 제 4 인듐주석 산화물층 및 상기 제 6 인듐주석 산화물층의 두께 중 어느 것보다 큰 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 제 5 인듐주석 산화물층의 두께는 5 ㎚ ∼ 20 ㎚ 이고, 상기 제 4 인듐주석 산화물층 및 상기 제 6 인듐주석 산화물층의 두께는 각각 1 ㎚ ∼ 10 ㎚ 인 것을 특징으로 하는 투명 도전성 필름.
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