KR20150077719A - System and method for treating substrate - Google Patents

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Abstract

Provided is a system for treating a substrate in the present invention. The system for treating a substrate comprises: a first chamber; a second chamber stacked in an upper portion of the first chamber; substrate transfer members respectively arranged in the first chamber and the second chamber, enabling to transfer the substrate in one direction, and supporting the substrate which is not transferred; a lifting member located in the front of the first chamber, and enabling to be lifted to deliver the substrate to the substrate transfer member in the first chamber and the substrate transfer member in the second chamber; first developer supply members respectively provided in the first chamber and the second chamber, and firstly supplying a developer to the transferred substrate; fluid supply members respectively provided in the rear of the first developer supply members in a transfer direction of the substrate, and supplying a developer removal fluid to the substrate where the developer is firstly coated; second developer supply members respectively provided in the rear of the first developer supply members in the transfer direction of the substrate, and secondly supplying the developer to the substrate where the developer removal fluid is supplied; and a control member where the substrate is moved while the developer is firstly supplied, and controlling the substrate transfer members to make a movement of the substrate be stopped for a preset treatment hour after the developer is firstly coated.

Description

기판 처리 시스템 및 방법{SYSTEM AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE}[0001] SYSTEM AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATE [0002]

본 발명은 기판 처리 시스템에 관한 것으로, 보다 상세하게는 현상 유닛 포함하는 기판 처리 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing system, and more particularly, to a substrate processing system including a developing unit.

일반적으로 평판 디스플레이 장치는 액정을 이용하는 액정 디스플레이 장치(LCD), 플라즈마를 이용하는 플라즈마 디스플레이 장치(PDP), 유기 발광 소자를 이용하는 유기 발광 디스플레이 장치(OLED) 등을 들 수 있다.In general, a flat panel display device includes a liquid crystal display device (LCD) using liquid crystal, a plasma display device (PDP) using plasma, and an organic light emitting display device (OLED) using organic light emitting device.

최근에는 이들 중에서 전력 소모와 부피가 적고, 저전력 구동이 가능한 액정 디스플레이 장치가 널리 사용되고 있다. 액정 디스플레이 장치는 실질적으로 영상을 표시하기 위한 디스플레이 패널을 포함한다. 디스플레이 패널은 통상 유리 재질의 대면적 기판을 이용하여 기판상에 회로 패턴을 형성한다. 이를 위하여 다양한 단위 공정들 예를 들어, 증착 공정, 포토 공정, 현상 공정, 식각 공정, 에칭 공정 등을 반복적으로 수행하여 제조된다.In recent years, liquid crystal display devices which are low in power consumption and volume and capable of low power driving are widely used. The liquid crystal display device substantially includes a display panel for displaying an image. A display panel typically forms a circuit pattern on a substrate using a large-area substrate made of glass. For this purpose, various unit processes such as a deposition process, a photo process, a development process, an etching process, and an etching process are repeatedly performed.

상술한 공정들 중 현상 공정은 기판에 현상액을 균일하게 도포하고, 처리 시간 동안 퍼들(puddle)을 형성하여 레지스트를 제거한다. 최근 기판상에 형성되는 회로 패턴의 폭이 좁아지고, 높이가 높아짐에 따라 기판 상에 도포된 레지스트의 두께도 두꺼워진다. 때문에 종래의 현상 공정으로는 레지스트를 완전히 제거하지 못한다.Among the above processes, the developing process uniformly applies the developer to the substrate and forms puddles during the treatment time to remove the resist. The width of the circuit pattern formed on the substrate has become narrower and the thickness of the resist coated on the substrate has become thicker as the height has been increased. Therefore, the conventional development process can not completely remove the resist.

본 발명은 현상 처리 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다.The present invention provides a substrate processing system capable of improving development processing efficiency.

또한, 본 발명은 기판에 도포되는 현상액의 균일도를 향상시킬 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing system capable of improving the uniformity of a developer applied to a substrate.

또한, 본 발명은 현상 장치의 설비면적을 축소할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다.Further, the present invention provides a substrate processing system capable of reducing the facility area of the developing apparatus.

또한, 본 발명은 다른 공정 유닛과의 관계에서 공정 시간을 확보할 수 있는 기판 처리 시스템을 제공한다.The present invention also provides a substrate processing system capable of ensuring process time in relation to other process units.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 시스템은 제1챔버; 상기 제1챔버의 상부에 적층되는 제2챔버; 상기 제1챔버와 상기 제2챔버 내에 각각 배치되고, 일방향으로 기판을 이송가능하며, 이송이 정지된 기판을 지지하는 기판이송부재; 상기 제1챔버의 전방에 위치하며, 상기 제1챔버 내의 상기 기판이송부재와 상기 제2챔버 내의 상기 기판이송부재에 기판을 전달하도록 승강가능한 승강부재; 상기 제1챔버와 상기 제2챔버 내에 각각 제공되며, 이송되는 기판으로 현상액을 1차 공급하는 제1현상액 공급부재; 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 각각 제공되며, 현상액이 1차 도포된 기판으로 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재; 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 각각 제공되며, 상기 현상액 제거 유체가 공급된 기판으로 현상액을 2차 공급하는 제2현상액 공급부재; 및 상기 현상액이 1차 공급되는 동안 기판이 이동되고, 상기 현상액이 1차 도포된 후 기설정된 처리 시간 동안 기판의 이동이 정지되도록 상기 기판이송부재를 제어하는 제어부재를 포함한다.A substrate processing system according to an embodiment of the present invention includes a first chamber; A second chamber stacked on top of the first chamber; A substrate transferring member disposed in each of the first chamber and the second chamber, the substrate transferring member being capable of transferring the substrate in one direction, An elevating member positioned in front of the first chamber and capable of being elevated to transfer the substrate to the substrate transferring member in the first chamber and the substrate transferring member in the second chamber; A first developer supply member provided in the first chamber and the second chamber, respectively, for supplying the developer to the transported substrate first; A fluid supply member which is provided behind the first developer supply member along the transport direction of the substrate and supplies the developer removing fluid to the substrate to which the developer is first applied; A second developer supply member provided on the rear side of the first developer supply member along the transport direction of the substrate, for supplying the developer to the substrate supplied with the developer removal fluid, respectively; And a control member for controlling the substrate transferring member so that the substrate is moved while the developer is first supplied, and the movement of the substrate is stopped for a predetermined processing time after the developer is first coated.

또한, 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재를 지지하는 지지부재; 및 상기 기판의 이동경로 상부에서 상기 지지부재를 이동시키는 구동부를 더 포함하며, 상기 구동부는 이송이 정지된 기판의 상부를 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재가 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하도록 상기 지지부재를 이동시킬 수 있다.A support member for supporting the fluid supply member and the second developer supply member; And a driving unit for moving the supporting member above the moving path of the substrate, wherein the driving unit moves the upper part of the substrate stopped from the feeding to move the developer supplying member and the second developing solution supplying member, The support member can be moved to supply the developer.

또한, 상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 전방에 위치하며, 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 공급할 수 있다.The fluid supply member and the second developer supply member move in the direction opposite to the transport direction of the substrate, and the developer supply member and the second developer supply member move in the direction opposite to the transport direction of the substrate, The removing fluid and the developer can be supplied at the same time.

또한, 상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 후방에 위치하며, 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 공급할 수 있다.The fluid supply member and the second developer supply member move in the transport direction of the substrate and the developer removal fluid And the developer can be supplied at the same time.

또한, 상기 제1현상액 공급부재는 상기 기판의 상면에 대해 제1방향으로 현상액을 공급하는 제1노즐; 및 상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 현상액을 상기 기판의 상면에 공급하는 제2노즐을 포함하며, 상기 제2현상액 공급부재는 상기 제1노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제3노즐; 및 상기 제2노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제4노즐을 포함할 수 있다.The first developer supply member may include a first nozzle supplying developer to the upper surface of the substrate in a first direction; And a second nozzle for supplying a developer to an upper surface of the substrate in a second direction different from the first direction, wherein the second developer supply member supplies the developer to the upper surface of the substrate in the same direction as the first nozzle A third nozzle; And a fourth nozzle for supplying the developer to the upper surface of the substrate in the same direction as the second nozzle.

또한, 상기 제1챔버와 상기 제2챔버의 후방에서 복층으로 제공되며, 상기 기판이송부재에서 전달된 기판을 세정하는 세정 장치; 및 상기 세정 장치의 후방에서 복층으로 제공되며, 상기 세정 장치에서 전달된 기판을 건조하는 건조 장치를 포함할 수 있다.A cleaning device provided in a multilayered structure at the rear of the first chamber and the second chamber, for cleaning the substrate transferred from the substrate transferring member; And a drying device provided in a double layer at the rear of the cleaning device and drying the substrate transferred from the cleaning device.

또한, 상기 승강부재는 롤러들이 결합된 샤프트들이 서로 나란하게 배치되며, 상기 롤러들에 기판이 놓이는 샤프트 부재; 및 상기 샤프트 부재를 상하방향으로 이동시키는 승강 구동부를 포함할 수 있다.Further, the elevating member includes a shaft member on which the shafts to which the rollers are coupled are disposed in parallel to each other, and on which the rollers are placed; And a lift driving unit for moving the shaft member in the vertical direction.

또한, 상기 승강부재는 기판을 지지하며, 전후방향으로 이동가능한 핸드; 상기 핸드를 지지하는 지지 로드; 및 상기 지지 로드를 승강시키는 승강 구동부를 포함할 수 있다.Further, the elevating member supports the substrate and is movable in the forward and backward directions; A support rod for supporting the hand; And a lifting driver for lifting the support rod.

본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 방법은 상하방향으로 적층된 챔버들 내로 기판을 제공하는 단계; 상기 챔버들 내에서 일방향으로 기판을 이송시키고, 이송되는 상기 기판의 상면으로 현상액을 1차 공급하는 단계; 상기 현상액이 1차 도포된 기판의 이송을 정지시키고, 기 설정된 처리 시간 동안 기판을 대기시키는 단계; 및 상기 처리 시간이 경과 후, 상기 현상액이 1차 도포된 기판의 상면으로 현상액 제거 유체를 공급하고, 상기 현상액 제거 유체가 공급된 기판 영역으로 현상액을 2차 공급하는 단계를 포함한다.A substrate processing method according to an embodiment of the present invention includes: providing a substrate into vertically stacked chambers; Transferring the substrate in one direction in the chambers and supplying the developer to the upper surface of the substrate to be transferred first; Stopping the transfer of the substrate onto which the developer has been primarily applied and waiting the substrate for a predetermined processing time; And supplying the developer removing fluid to the upper surface of the substrate to which the developer is first applied after the elapse of the processing time and supplying the developer to the substrate area to which the developer removing fluid is supplied.

또한, 상기 현상액 제거 유체의 공급과 상기 현상액의 2차 공급은 동시에 진행될 수 있다.In addition, supply of the developer removing fluid and secondary supply of the developer can proceed simultaneously.

또한, 상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 전방에 위치하며, 상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급할 수 있다.Further, the fluid supply member for supplying the developer removing fluid is positioned in front of a developer supply member for supplying the developer in a second direction along the transfer direction of the substrate, and the fluid supply member and the developer supply member are moved Direction and can supply the developer removing fluid and the developing solution.

또한, 상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 후방에 위치하며,상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급할 수 있다.Further, the fluid supply member for supplying the developer removing fluid is located behind the developer supply member for supplying the developer secondarily along the transfer direction of the substrate, and the fluid supply member and the developer supply member are moved And can supply the developer removing fluid and the developing solution.

또한, 상기 현상액의 1차 공급과 2차 공급은 상기 기판의 상면에 수직한 방향으로, 그리고 상기 기판의 상면에 경사진 방향으로 동시에 공급될 수 있다.Further, the first supply and the second supply of the developing solution may be simultaneously supplied in a direction perpendicular to the upper surface of the substrate and in an inclined direction on the upper surface of the substrate.

또한, 상기 현상액 제거 유체는 탈이온수(DI water) 또는 질소가스를 포함할 수 있다.In addition, the developer removing fluid may include deionized water (DI water) or nitrogen gas.

본 발명에 의하면, 현상 처리의 2회 실시로 기판상에 도포된 레지스트가 충분히 제거될 수 있다.According to the present invention, the resist applied onto the substrate can be sufficiently removed by performing the development process twice.

또한, 본 발명에 의하면, 이송으로 인한 기판 처짐 및 진동 발생이 예방되고, 현상액의 유실(drop)이 방지되므로 기판에 도포된 현상액의 균일도가 향상된다.In addition, according to the present invention, sagging and vibration of the substrate due to transportation are prevented, and the drop of the developer is prevented, thereby improving the uniformity of the developer applied to the substrate.

또한, 본 발명에 의하면, 처리 시간동안 기판이송이 정지되므로 현상 장치의 설비면적이 축소되며, 축소된 공간으로 공정 유닛의 추가가 가능하다.In addition, according to the present invention, since the substrate transfer is stopped during the processing time, the facility area of the developing apparatus is reduced, and the process unit can be added to the reduced space.

또한, 본 발명에 의하면, 현상 유닛이 복층 구조로 제공되고 각 층에서 공정 수행이 가능하므로, 다른 공정 유닛과의 관계에서 공정 시간이 확보될 수 있다.Further, according to the present invention, since the developing unit is provided in a multi-layer structure and the process can be performed in each layer, the process time can be secured in relation to other process units.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 2는 도 1의 현상 유닛을 간략하게 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 제1반송 장치와 현상 장치를 나타내는 도면이다.
도 4는 도 3의 제1반송 장치가 제2챔버로 기판을 전달하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 5 내지 도 7은 본 발명의 일 실시예에 따라 현상 처리를 수행하는 과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 8 내지 도 10은 본 발명의 기판 처리 공정에 따라 레지스터가 제거되는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.
도 11 및 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상액 제거유체와 현상액 2차 공급과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체 공급부재와 제2현상액 공급노즐 및 이를 이용한 공정 과정을 나타내는 도면이다.
도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상 장치를 나타내는 도면이다.
도 15 내지 도 17은 도 14의 현상 장치를 이용하여 현상 처리를 수행하는 과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.
도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1반송 장치와 현상 장치를 나타내는 도면이다.
도 19 및 도 20은 도 18의 현상 장치에서 승강 부재의 핸드가 기판이송부재에 기판을 전달하는 과정을 나타내는 도면이다.
도 21은 도 18의 반송 장치가 제2챔버로 기판을 전달하는 과정을 나타내는 도면이다.1 is a simplified illustration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.
Fig. 2 is a view schematically showing the developing unit of Fig. 1;
3 is a view showing the first transport apparatus and the developing apparatus of FIG. 2 according to an embodiment of the present invention.
4 is a view illustrating a process of transferring a substrate to the second chamber by the first transfer device of FIG.
FIGS. 5 to 7 are views sequentially illustrating a process of performing development processing according to an embodiment of the present invention.
8 to 10 are views sequentially illustrating a process of removing a resistor according to a substrate processing process of the present invention.
FIGS. 11 and 12 are views sequentially illustrating a second developer supplying process and a developer supplying process according to another embodiment of the present invention.
13 is a view showing a fluid supply member, a second developer supply nozzle, and a process using the same according to another embodiment of the present invention.
14 is a view showing a developing apparatus according to another embodiment of the present invention.
Figs. 15 to 17 are diagrams sequentially showing a process of performing development processing using the developing apparatus of Fig. 14. Fig.
18 is a view showing a first transporting apparatus and a developing apparatus according to still another embodiment of the present invention.
19 and 20 are views showing a process in which the hand of the elevating member transfers the substrate to the substrate transferring member in the developing apparatus of FIG.
FIG. 21 is a view illustrating a process of transferring a substrate to the second chamber by the transfer apparatus of FIG. 18;

이하, 본 발명의 실시 예를 첨부된 도면들을 참조하여 더욱 상세히 설명한다. 본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래의 실시 예들로 한정되는 것으로 해석되어서는 안 된다. 본 실시 예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 더욱 완전하게 설명하기 위해 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해 과장되었다.
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. The embodiments of the present invention may be modified in various forms, and the scope of the present invention should not be construed as being limited to the following embodiments. This embodiment is provided to more fully describe the present invention to those skilled in the art. Thus, the shape of the elements in the figures has been exaggerated to emphasize a clearer description.

도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 시스템을 간략하게 나타내는 도면이다.1 is a simplified illustration of a substrate processing system according to an embodiment of the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 시스템(1)은 카세트 스테이션(10), 공정 스테이션(20), 그리고 인터페이스 스테이션(30)을 포함한다. 카세트 스테이션(10), 공정 스테이션(20), 그리고 인터페이스 스테이션(30)은 순차적으로 일 방향으로 배치된다. 카세트 스테이션(10)은 기판(Glass, G)들이 수납된 카세트(C)에서 카세트를 인출하여 공정 스테이션(20)으로 제공한다. 공정 스테이션(20)은 포토리소그래피 공정을 수행하는 유닛들이 일렬로 배치되어, 일련의 공정 처리를 수행한다. 인터페이스 스테이션(30)은 기판(G)의 방향을 전환하고, 노광장치(40)로 기판(G)을 전달하며, 노광 처리 후 기판(G)을 공정 스테이션(20)에 제공한다. 이하, 카세트 스테이션(10), 공정 스테이션(20), 그리고 인터페이스 스테이션(30)이 배치된 방향을 제1방향(X), 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직한 방향을 제2방향(Y), 그리고 제1방향(X) 및 제2방향(Y)에 수직한 방향, 즉 상하방향을 제3방향(Z)이라 칭한다.Referring to Figure 1, a substrate processing system 1 includes a cassette station 10, a processing station 20, and an interface station 30. The cassette station 10, the processing station 20, and the interface station 30 are sequentially arranged in one direction. The cassette station 10 draws a cassette from the cassette C containing the substrates G and G and provides it to the processing station 20. The process stations 20 are arranged in a line in order to perform a series of process processes, the units performing the photolithography process. The interface station 30 switches the direction of the substrate G and transfers the substrate G to the exposure apparatus 40 and provides the substrate G to the processing station 20 after the exposure processing. The direction in which the cassette station 10, the processing station 20 and the interface station 30 are arranged is referred to as a first direction X and a direction perpendicular to the first direction X as viewed from above is referred to as a second Direction and the direction perpendicular to the first direction X and the second direction Y, that is, the up-and-down direction, will be referred to as a third direction Z. [

카세트 스테이션(10)은 카세트 스테이지(11)와 반송 장치(12)를 포함한다. The cassette station (10) includes a cassette stage (11) and a transfer device (12).

카세트 스테이지(11)는 복수 개 제공되며, 제2방향(Y)을 따라 일렬로 배치된다. 카세트 스테이지(11)에는 복수 매의 기판(G)들이 상하방향으로 적층 수납된 카세트(C)가 놓인다. 카세트(C)에는 공정처리에 제공될 기판(G) 및 공정 처리가 완료된 기판(G)이 수납된다.A plurality of cassette stages 11 are provided and are arranged in a line along the second direction Y. [ In the cassette stage 11, a cassette C in which a plurality of substrates G are stacked in a vertical direction is placed. In the cassette C, a substrate G to be provided for the process process and a substrate G to which the process process is completed are accommodated.

반송 장치(12)는 카세트 스테이지(11)의 후방에 제공된다. 반송 장치(12)에는 카세트(C)에 수납된 기판의 출입을 행하고, 기판(G)을 공정 스테이션(20) 측으로 전달할 수 있는 반송 로봇(13)이 제공된다. 반송 로봇(13)은 기판(G)을 지지할 수 있는 아암(14)을 가지며, 제1 내지 제3방향(X, Y, Z)으로 이동가능하고, 제3방향(Z)을 축으로 회전가능하도록 제공된다.The transfer device 12 is provided at the rear of the cassette stage 11. The transfer apparatus 12 is provided with a transfer robot 13 capable of transferring the substrate stored in the cassette C and transferring the substrate G to the process station 20 side. The carrying robot 13 has an arm 14 capable of supporting the substrate G and is movable in first to third directions X, Y and Z, Lt; / RTI >

공정 스테이션(20)은 평판 표시 패널의 제조 공정에 있어서 포토리소그래피 공정 중 세정, 레지스트 도포, 프리 베이크, 현상, 포스트 베이크 등 일련의 처리를 행할 수 있도록 제공된다. 공정 스테이션(20)에는 위에서 언급한 공정 처리를 개별적으로 수행할 수 있는 공정 유닛들이 두 개의 공정 라인(20a, 20b)으로 배열된다. 공정 라인(20a, 20b)은 제1방향(X)과 나란하게 제공된다. 제1공정 라인(20a)에는 노광 처리 전 공정을 수행하는 공정 유닛들이 일렬 배열되고, 반송 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(30) 측으로 기판(G)을 이송한다. 제2공정 라인(20b)은 노광 처리 후공정을 수행하는 공정 유닛들이 일렬 배열되며, 인터페이스 스테이션(30)에서부터 반송 장치(12) 측으로 기판(G)을 이송한다.The process station 20 is provided to perform a series of processes such as cleaning, resist coating, pre-baking, development, and post-baking in the photolithography process in the manufacturing process of the flat panel display panel. Process stations 20 are arranged in two process lines 20a, 20b, wherein process units capable of performing the above-mentioned process processes individually. The process lines 20a and 20b are provided in parallel with the first direction X. [ Process units for performing the pre-exposure process are arranged in a row in the first process line 20a, and the substrate G is transferred from the transfer device 12 to the interface station 30 side. The second process line 20b transfers the substrate G from the interface station 30 to the transfer device 12 side in a line by arranging the process units for performing the post-exposure process.

제1공정 라인(20a)에는 반송 장치(12)로부터 인터페이스 스테이션(20) 측으로 반입 장치(51), 세정 처리부(52), 제1열 처리부(55), 도포 처리부(58), 제2열 처리부(61)가 순차적으로 일렬 배치된다.The first processing line 20a is provided with a carry-in unit 51, a cleaning processing unit 52, a first heat processing unit 55, a coating processing unit 58, and a second heat processing unit 55 from the transfer device 12 to the interface station 20 side. (61) are sequentially arranged in a line.

반입 장치(51)는 반송 로봇(13)으로부터 미처리 기판(G)을 수취하고, 세정 처리부(52) 측으로 기판(G)을 투입한다. 세정 처리부(52)에는 엑시머 UV 조사유닛(53)과 스크러브 세정유닛(54)이 순차적으로 제공될 수 있다. 제1열 처리부(55)에는 어드히전 유닛(56)과 냉각 처리유닛(57)이 순차적으로 제공될 수 있다. 도포 처리부(58)에는 레지스트 도포 유닛(59)과 상압 건조 유닛(60)이 순차적으로 제공될 수 있다. 제2열 처리부(61)에는 프리 베이크 유닛(62)과 냉각 유닛(63)이 순차적으로 제공될 수 있다. 제2열 처리부(61)의 끝단에는 패스 유닛(64)이 제공된다. 패스 유닛(64)은 제2열 처리부(61)에서 공정 처리가 완료된 기판(G)을 인터페이스 스테이션(30)으로 전달한다. The carrying device 51 receives the untreated substrate G from the carrying robot 13 and puts the substrate G into the cleaning processing part 52 side. The cleaning processing unit 52 may be provided with an excimer UV irradiation unit 53 and a scrub cleaning unit 54 sequentially. The advancing unit 56 and the cooling processing unit 57 may be sequentially provided to the first heat processing unit 55. [ A resist coating unit 59 and an atmospheric pressure drying unit 60 may be sequentially provided in the coating processing unit 58. The second heat processing unit 61 may be provided with a pre-bake unit 62 and a cooling unit 63 in sequence. A pass unit 64 is provided at the end of the second heat processing unit 61. The pass unit 64 transfers the substrate G, which has been processed in the second heat processing unit 61, to the interface station 30.

제2공정 라인(20b)에는 현상 유닛(70), 포스트 베이크 유닛(75), 냉각 유닛(76), 검사 유닛(77)이 순차적으로 일렬 배치된다. 제2공정 라인(20b)의 끝단에는 반출 유닛(78)이 제공된다. 반출 유닛(78)은 공정 처리가 완료된 기판(G)을 수취하여 반송 로봇(13)에 전달한다.A developing unit 70, a post-baking unit 75, a cooling unit 76 and an inspection unit 77 are sequentially arranged in a row on the second process line 20b. A carry-out unit 78 is provided at the end of the second process line 20b. The unloading unit 78 receives the substrate G on which the process has been completed and transfers it to the transfer robot 13. [

인터페이스 스테이션(30)은 제1공정 라인(20a) 및 제2공정 라인(20b), 그리고 노광 유닛(40)으로 기판(G)을 전달하는 반송 로봇(81)을 포함한다. 반송 로봇(81)의 주위에는 회전 스테이지(82)와 주변 장치(83)가 배치된다. 회전 스테이지(82)는 기판(G)을 동일 평면 내에서 회전시키며, 주변 장치(83)는, 예컨대 타이틀러(TITLER)나 주변 노광 장치(EE) 등을 제2공정 라인(20b)과 연결한다.
The interface station 30 includes a first process line 20a and a second process line 20b and a transfer robot 81 for transferring the substrate G to the exposure unit 40. [ A rotating stage 82 and a peripheral device 83 are disposed around the conveying robot 81. The rotation stage 82 rotates the substrate G in the same plane and the peripheral device 83 connects the second process line 20b with the TITLER or the peripheral exposure apparatus EE or the like .

이하, 상술한 기판 처리 시스템(1)에서 기판(G)이 공정 처리되는 과정을 설명한다.Hereinafter, a process of processing the substrate G in the above-described substrate processing system 1 will be described.

카세트 스테이션(10)의 반송 로봇(13)은 카세트 스테이지(11) 상의 카세트(C)로부터 미처리 기판(G)을 취출하고, 취출한 기판(G)을 공정 스테이션(20)의 제1공정 라인(20a)에 제공된 반입 장치(51)로 전달한다. 기판(G)은 반입 장치(51)로부터 제1공정 라인(20a)의 각 처리부로 투입 및 이송된다.The transfer robot 13 of the cassette station 10 takes out the unprocessed substrate G from the cassette C on the cassette stage 11 and transfers the taken out substrate G to the first processing line Transfer device 51 provided in the transfer device 20a. The substrate G is fed and conveyed from the carrying-in device 51 to each processing section of the first process line 20a.

기판(G)은 세정 처리부(52)의 엑시머 UV 조사유닛(53)과 스크러브 세정유닛(54)을 순차적으로 거치면서 자외선 세정 처리와 스크러빙 세정 처리가 실시된다. 스크러브 세정유닛(54)은 브러시(Brush) 세정이나 블로우(Blow) 세정을 실시하여 기판(G) 표면으로부터 입자 현상의 오염물을 제거하고, 그 후 린스 및 건조 공정을 수행한다. 세정 처리부(52)를 통과한 기판(G)은 제1열 처리부(55)로 이송된다.The substrate G is subjected to an ultraviolet cleaning process and a scrubbing cleaning process while sequentially passing through the excimer UV irradiation unit 53 and the scrub cleaning unit 54 of the cleaning processing unit 52. [ The scrub cleaning unit 54 performs brush cleaning or blow cleaning to remove contaminants from the surface of the substrate G and then performs a rinsing and drying process. The substrate G having passed through the cleaning processing section 52 is transferred to the first heat processing section 55.

제1열 처리부(55)의 어드히전 유닛(56)에서 어드히전 처리의 실시로 기판(G)의 피처리면이 소수화된다. 어드히전 처리 후, 기판(G)은 냉각 처리유닛(57)에서 소정 온도까지 냉각된다. 냉각 처리유닛(57)을 통과한 기판(G)은 도포 처리부(58)로 이송된다.The surface to be treated of the substrate G is hydrophobized by the advancing unit 56 of the first heat processing unit 55. After the advancing treatment, the substrate G is cooled in the cooling processing unit 57 to a predetermined temperature. The substrate G having passed through the cooling processing unit 57 is transferred to the coating processing unit 58.

도포 처리부(58)의 레지스트 도포 유닛(59)에서 기판(G)의 상면에 포토레지스트가 도포되고, 상압 건조 유닛(60)에서 기판(G)에 도포된 포토레지스트의 건조가 수행된다. 포토레지스트의 건조는 상압 분위기 하에서 수행된다. 도포 처리부(58)를 통과한 기판(G)은 제2열 처리부(61)로 이송된다.The photoresist is applied to the upper surface of the substrate G in the resist coating unit 59 of the coating processing unit 58 and the photoresist applied to the substrate G in the atmospheric pressure drying unit 60 is dried. Drying of the photoresist is performed in an atmospheric pressure atmosphere. The substrate G having passed through the coating processing section 58 is transferred to the second heat processing section 61.

제2열 처리부(61)의 프리 베이크 유닛(62)은 레스스트 도포 후의 열처리 또는 노광 전의 열처리로서 프리 베이킹을 수행한다. 프리 베이킹 공정으로 기판(G) 상의 레지스트막에 잔류하고 있는 용제가 증발되며, 기판(G)에 대한 레지스트의 밀착성이 향상된다. 프리 베이킹 공정 후 기판(G)은 냉각 유닛(63)에서 소정 온도까지 냉각된다. 이후 기판(G)은 패스 유닛(64)을 거쳐 인터페이스 스테이션(30)의 반송 로봇(81)에 전달된다.The pre-baking unit 62 of the second heat processing unit 61 performs pre-baking as a heat treatment after resist application or a heat treatment before exposure. The solvent remaining in the resist film on the substrate G is evaporated in the pre-baking step, and the adhesion of the resist to the substrate G is improved. After the pre-baking step, the substrate (G) is cooled to a predetermined temperature in the cooling unit (63). The substrate G is transferred to the conveying robot 81 of the interface station 30 via the pass unit 64. [

인터페이스 스테이션(30)으로 전달된 기판(G)은 로타리 스테이지(82)에서 반향 전환, 예컨대 90°로 방향전환되고, 주변 노광 장치(83)로 반입된다. 주변 노광 장치(EE)에서 기판(G)의 주변부에 도포된 레지스트가 노광 처리된 후, 노광 장치(40)에 전달된다.The substrate G transferred to the interface station 30 is echo-converted at the rotary stage 82, for example, at 90 degrees, and is carried into the peripheral exposure apparatus 83. [ The resist applied to the peripheral portion of the substrate G in the peripheral exposure apparatus EE is subjected to exposure processing and then transferred to the exposure apparatus 40. [

노광 장치(40)에서는 기판(G)에 도포된 레지스트에 소정의 회로 패턴을 노광한다. 노광 처리 후, 기판(G)은 인터페이스 스테이션(30)으로 이송되며, 주변 장치(83)의 타이틀러(TITLER)로 반입된다. 타이틀러(TITLER)에서는 기판(G) 상의 일부 영역에 소정의 정보가 기록된다. 이후, 기판(G)은 현상 유닛(71)으로 제공된다.In the exposure apparatus 40, a predetermined circuit pattern is exposed on the resist coated on the substrate G. [ After the exposure process, the substrate G is transferred to the interface station 30 and brought into the titler TITLER of the peripheral device 83. [ In the titler, predetermined information is recorded in a part of the area on the substrate G. [ Thereafter, the substrate G is supplied to the developing unit 71. [

현상 유닛(70)은 기판(G)이 일 방향으로 이송되는 동안 현상, 린스, 건조 처리를 순차적으로 수행한다. The developing unit 70 sequentially performs development, rinsing, and drying processing while the substrate G is being conveyed in one direction.

현상 유닛(70)을 통과한 기판은 제3열 처리부(74)와 검사 유닛(77)을 순차적으로 통과한다. 제3열 처리부(74)의 포스트 베이크 유닛(75)에서는 현상 처리 후의 열처리로서, 포스트 베이킹 공정을 수행한다. 포스트 베이킹 공정에 의해 레지스트막에 잔류하고 있던 현상액이나 세정액이 증발 및 제거된다. 포스크 베이킹 공정 후, 기판(G)은 냉각 유닛(76)에서 소정 온도로 냉각된다. 검사 유닛(77)에서는 기판(G) 상의 레지스트 패턴에 대해 비접촉 선폭 검사나 막질, 막 두께 등의 검사를 수행한다.The substrate that has passed through the developing unit 70 sequentially passes through the third heat processing unit 74 and the inspection unit 77. [ In the post bake unit 75 of the third heat processing unit 74, the post baking process is performed as the heat treatment after the development process. The developer or cleaning liquid remaining on the resist film by the post-baking process is evaporated and removed. After the POSBaking process, the substrate G is cooled to a predetermined temperature in the cooling unit 76. The inspection unit 77 inspects the resist pattern on the substrate G for non-contact line width inspection, film quality, film thickness, and the like.

반출 유닛(78)은 제2공정 라인(20b)에서 공정 처리를 마치고 이송된 기판(G)을 수취하며, 카세트 스테이션(20)의 반송 로봇(13)에 전달한다. 반송 로봇(13)은 수취한 기판(G)을 카세트(C)에 수납한다.
The unloading unit 78 completes the process in the second process line 20b and receives the transferred substrate G and transfers it to the transfer robot 13 of the cassette station 20. [ The transfer robot 13 stores the received substrate G in the cassette C.

도 2는 도 1의 현상 유닛을 간략하게 나타내는 도면이다.Fig. 2 is a view schematically showing the developing unit of Fig. 1;

도 2를 참조하면, 현상 유닛(70)은 제1반송 장치(100), 현상 장치(200), 세정 장치(300), 건조 장치(400), 그리고 제2반송 장치(500)를 포함한다. 제1반송 장치(100), 현상 장치(200), 세정 장치(300), 건조 장치(400), 그리고 제2반송 장치(500)는 제2공정 라인(도 1의 20b)을 따라 순차적으로 일렬 배치된다. 2, the developing unit 70 includes a first conveying device 100, a developing device 200, a cleaning device 300, a drying device 400, and a second conveying device 500. As shown in FIG. The first conveying apparatus 100, the developing apparatus 200, the cleaning apparatus 300, the drying apparatus 400 and the second conveying apparatus 500 are sequentially arranged in a line along the second process line (20b in FIG. 1) .

제1반송 장치(100)는 현상 장치(200)내로 기판(G)을 전달하고, 현상 장치(200)는 현상 공정을, 세정 장치(300)는 린스 공정을, 건조 장치(400)는 건조 공정을 수행한다. 그리고 제2반송 장치(500)는 건조 장치(400)로부터 기판(G)을 수취하고, 제3열 처리부(도 1의 74)로 전달한다. 제2반송 장치(500)는 제1반송 장치(100)와 동일한 구조로 제공될 수 있다.
The first conveying apparatus 100 transfers the substrate G into the developing apparatus 200, the developing apparatus 200 performs the developing process, the cleaning apparatus 300 performs the rinsing process, the drying apparatus 400 performs the drying process . Then, the second transport apparatus 500 receives the substrate G from the drying apparatus 400 and transfers it to the third thermal processing section (74 of FIG. 1). The second transport apparatus 500 may be provided in the same structure as the first transport apparatus 100.

도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 도 2의 제1반송 장치와 현상 장치를 나타내는 도면이다.3 is a view showing the first transport apparatus and the developing apparatus of FIG. 2 according to an embodiment of the present invention.

도 3을 참조하면, 제1반송 장치(100)는 반송 챔버(110)와 승강 부재(120)를 포함한다. Referring to FIG. 3, the first transport apparatus 100 includes a transport chamber 110 and an elevation member 120.

반송 챔버(110)는 현상 장치(200)의 전방에 배치되며, 내부에 공간이 형성된다.The transfer chamber 110 is disposed in front of the developing apparatus 200, and a space is formed therein.

승강부재(120)는 반송 챔버(110) 내에 배치되며, 현상 장치(200)의 제1챔버(210a)와 제2챔버(210b) 내로 기판 전달이 가능하도록 승강가능한 구조로 제공된다. 승강부재(120)는 샤프트 부재(121), 샤프트 구동부(미도시), 그리고 승강 구동부(125)를 포함한다.The elevating member 120 is disposed in the conveying chamber 110 and is provided with a structure capable of being elevated so as to be able to transfer a substrate into the first chamber 210a and the second chamber 210b of the developing apparatus 200. [ The elevating member 120 includes a shaft member 121, a shaft driving unit (not shown), and a lifting and driving unit 125.

샤프트 부재(121)는 샤프트(122)들과 롤러(123)들의 결합으로 제공된다. 샤프트(122)들은 소정 간격으로 서로 나란하게 배치된다. 롤러(123)들은 그 중심축에 홀이 형성되고, 홀에 샤프트(122)가 강제 끼움된다. 롤러(123)들은 샤프트(122)들 각각에 적어도 2개 이상 결합하며, 샤프트(122)와 함께 회전한다. 기판(G)은 롤러(123)들에 놓인다.The shaft member 121 is provided by a combination of the shafts 122 and the rollers 123. The shafts 122 are arranged side by side at a predetermined interval. The rollers 123 are formed with holes in their center axes, and the shaft 122 is forced into the holes. The rollers 123 couple to at least two of each of the shafts 122 and rotate with the shaft 122. The substrate G is placed on the rollers 123.

샤프트 구동부는 적어도 어느 하나의 샤프트(122)와 연결되며, 샤프트(122)를 회전시킨다. 샤프트(122)의 회전력은 동력 전달 부재(미도시), 예컨대 풀리, 벨트 등을 통해 다른 샤프트들에 전달된다. The shaft driving unit is connected to at least one of the shafts 122 and rotates the shaft 122. The rotational force of the shaft 122 is transmitted to the other shafts through a power transmitting member (not shown), such as a pulley, a belt, or the like.

승강 구동부(125)는 샤프트 부재(121)를 상하방향으로 이동시킨다. 승강 구동부(125)는 승강 로드(126)와 구동기(127)를 포함한다. 승강 로드(126)는 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치되며, 상단이 샤프트 부재(121)를 지지한다. 구동기(127)는 승강 로드(126)를 상하방향을 이동시킨다.The lifting and lowering drive part 125 moves the shaft member 121 in the vertical direction. The lifting and lowering driving unit 125 includes a lifting rod 126 and a driving unit 127. The lifting and lowering rod 126 is disposed such that the longitudinal direction thereof is parallel to the up and down direction, and the upper end thereof supports the shaft member 121. The actuator 127 moves the lifting rod 126 in the vertical direction.

현상 장치(200)는 제1챔버(210a), 제2챔버(210b), 기판이송부재(220a, 220b), 제1현상액 공급부재(230a, 230b), 유체 공급부재(240a, 240b), 제2현상액 공급부재(250a, 250b), 제어부재(260a, 260b), 지지부재(270a, 270b), 그리고 구동부(280a, 280b)를 포함한다.The developing apparatus 200 includes a first chamber 210a, a second chamber 210b, substrate transfer members 220a and 220b, first developer supply members 230a and 230b, fluid supply members 240a and 240b, 2 developer supply members 250a and 250b, control members 260a and 260b, support members 270a and 270b and driving units 280a and 280b.

제1챔버(210a)와 제2챔버(210b)는 적층 배치된다. 제2챔버(210b)는 제1챔버(210a)의 상부에 적층된다. 제1챔버(210a)와 제2챔버(210b)의 내부에는 공간이 각각 형성되며, 현상 공정이 수행되는 공간으로 제공된다. 제1챔버(210a)와 제2챔버(210b)는 동일한 구조로 제공되며, 이하 제1챔버(210a)를 예를 들어 설명한다.The first chamber 210a and the second chamber 210b are stacked. The second chamber 210b is stacked on top of the first chamber 210a. A space is formed in each of the first chamber 210a and the second chamber 210b, and is provided as a space in which the developing process is performed. The first chamber 210a and the second chamber 210b have the same structure. Hereinafter, the first chamber 210a will be described as an example.

제1챔버(210a)의 전방과 후방에는 개구(211, 212)가 각각 형성된다. 제1챔버(210a)의 전방에 형성된 개구(211)는 승강부재(120)로부터 기판(G)이 반입되는 입구로 제공되고, 제1챔버(210a)의 후방에 형성된 개구(212)는 기판(G)이 반출되는 출구로 제공된다.Openings 211 and 212 are formed in the front and rear of the first chamber 210a, respectively. The opening 211 formed in the front of the first chamber 210a is provided to the inlet through which the substrate G is carried from the elevating member 120 and the opening 212 formed in the rear of the first chamber 210a is provided to the substrate G) is delivered to the exit.

기판이송부재(220a, 220b), 제1현상액 공급부재(230a, 230b), 유체 공급부재(240a, 240b), 제2현상액 공급부재(250a, 250b), 제어부재(260a, 260b), 지지부재(270a, 270b), 그리고 구동부(280a, 280b)는 제1챔버(210a)와 제2챔버(210b) 내에 각각 배치된다. 각각의 구성은 동일한 구조로 제1챔버(210a)와 제2챔버(210b) 내에 배치되므로, 제1챔버(210a)에 제공된 구성을 예를 들어 설명한다.The first developer supplying members 230a and 230b, the fluid supplying members 240a and 240b, the second developer supplying members 250a and 250b, the control members 260a and 260b, The first and second chambers 270a and 270b and the driving units 280a and 280b are disposed in the first chamber 210a and the second chamber 210b, respectively. Since each configuration is disposed in the first chamber 210a and the second chamber 210b with the same structure, a configuration provided in the first chamber 210a will be described as an example.

기판이송부재(220a)는 제1챔버(210a)의 입구(211)에서 출구(212)를 향하는 방향으로 기판(G)을 이송가능하다. 그리고 기판이송부재(220a)는 기판(G)의 이송을 정지시키고, 기판(G)을 지지할 수 있다. 이하, 제1챔버(210a) 내에서 기판(G)이 이송되는 방향을 이송 방향(X2)이라 한다. 기판이송부재(220a)는 샤프트(221), 롤러(222), 그리고 구동기(미도시)를 포함한다.The substrate transfer member 220a is capable of transferring the substrate G in the direction from the inlet 211 of the first chamber 210a toward the outlet 212. [ The substrate transfer member 220a can stop the transfer of the substrate G and support the substrate G. [ Hereinafter, the direction in which the substrate G is conveyed in the first chamber 210a is referred to as a conveying direction X2. The substrate transfer member 220a includes a shaft 221, a roller 222, and a driver (not shown).

샤프트(221)는 복수 개 제공되며, 이송 방향(X2)을 따라 나란하게 배치된다. 샤프트(221)들은 서로 간의 간격이 일정하게 유지되도록 배치된다. 샤프트(221)들이 위치한 높이는 입구(211) 및 출구(212)에 대응된다.A plurality of shafts 221 are provided and are arranged side by side along the transport direction X2. The shafts 221 are arranged so that the interval between them is kept constant. The height at which the shafts 221 are located corresponds to the inlet 211 and the outlet 212.

롤러(222)는 복수 개 제공되며, 샤프트(221)들 각각에 결합한다. 롤러(222)들은 그 중심축에 홀이 형성되고, 샤프트(221)가 홀에 강제 끼움된다. 롤러(222)들은 샤프트(221)들 각각에 적어도 2개 이상 결합될 수 있으며, 인전한 롤러(222)와 소정 거리를 유지한다. 롤러(222)들은 샤프트(221)들과 함게 회전한다.A plurality of rollers 222 are provided and engage with the shafts 221, respectively. The rollers 222 are formed with holes in their center axes, and the shaft 221 is forced into the holes. The rollers 222 may be coupled to each of the shafts 221 at least two and maintain a predetermined distance from the rolled roller 222. The rollers 222 rotate with the shafts 221.

구동기는 적어도 어느 하나의 샤프트(221)와 연결되며, 샤프트(221)를 회전시킨다. 샤프트(221)의 회전력은 동력 전달 부재(미도시), 예컨대 풀리, 벨트 등을 통해 다른 샤프트(221)들에 전달된다. 샤프트(221)들과 롤러(222)들의 회전으로 기판(G)은 이송 방향(X2)으로 이송될 수 있다.The driver is connected to at least one of the shafts 221 and rotates the shaft 221. The rotational force of the shaft 221 is transmitted to the other shafts 221 through a power transmitting member (not shown) such as a pulley, a belt, or the like. The rotation of the shafts 221 and rollers 222 allows the substrate G to be transported in the transport direction X2.

제1현상액 공급부재(230a)는 기판이송부재(220a)의 상부에 위치하며, 이송되는 기판(G)으로 현상액을 1차 공급한다. 제1현상액 공급부재(230a)는 제1챔버(210a)의 입구(211)에 인접하여 위치할 수 있다. 실시예에 의하면, 제1현상액 공급부재(230a)는 제1노즐(231)과 제2노즐(232)을 포함한다. 제2노즐(232)은 제1노즐(231)과 입구(211) 사이에 배치된다. 제1노즐(231)은 이송되는 기판(G)의 상면에 대해 제1방향(Z1)으로 배치되고, 제2노즐(232)은 제1방향(Z1)과 상이한 제2방향(Z2)으로 배치된다. 제1방향(Z1)은 기판(G)의 상면에 수직일 수 있으며, 제2방향(Z2)은 기판(G)의 상면에 대해 소정 각도로 경사질 수 있다. 제2방향(Z2)은 기판(G)의 이송방향(X2)을 향해 비스듬히 경사질 수 있다. 제1노즐(231)과 제2노즐(232)은 동시에 기판(G)으로 현상액을 토출한다. 제1노즐(231)과 제2노즐(232)은 기판(G) 상의 동일한 영역으로 현상액을 토출할 수 있다.The first developer supply member 230a is located above the substrate transfer member 220a and primarily supplies the developer to the transferred substrate G. [ The first developer supply member 230a may be positioned adjacent to the inlet 211 of the first chamber 210a. According to the embodiment, the first developer supply member 230a includes a first nozzle 231 and a second nozzle 232. The second nozzle 232 is disposed between the first nozzle 231 and the inlet 211. The first nozzle 231 is arranged in the first direction Z1 with respect to the upper surface of the substrate G to be transferred and the second nozzle 232 is arranged in the second direction Z2 different from the first direction Z1 do. The first direction Z1 may be perpendicular to the upper surface of the substrate G and the second direction Z2 may be inclined at a predetermined angle with respect to the upper surface of the substrate G. [ The second direction Z2 can be inclined obliquely toward the conveying direction X2 of the substrate G. [ The first nozzle 231 and the second nozzle 232 simultaneously discharge the developer to the substrate G. [ The first nozzle 231 and the second nozzle 232 can discharge the developer to the same area on the substrate G. [

유체 공급부재(240a)는 기판(G)의 이송방향(X2)을 따라 제1현상액 공급부재(230a)의 후방에 위치한다. 유체 공급부재(240a)는 현상액(d1)이 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급노즐(241)을 포함한다. 유체 공급노즐(241)은 현상액의 1차 도포 후 이송이 정지된 기판(G)으로 현상액 제거 유체를 공급한다. 현상액 제거 유체는 탈이온수(DI water) 또는 불활성 가스, 예컨대 질소 가스(N2)를 포함할 수 있다. 현상액 제거 유체는 기판(G)에 도포된 현상액을 제거한다. 실시예에 의하면, 유체 공급노즐(241)은 기판(G)의 상면에 수직 방향으로 현상액 제거 유체를 공급한다. The fluid supply member 240a is located behind the first developer supply member 230a along the transport direction X2 of the substrate G. [ The fluid supply member 240a includes a fluid supply nozzle 241 through which the developer solution d1 supplies the developer removal fluid. The fluid supply nozzle 241 supplies the developer removing fluid to the substrate G on which the transfer of the developer after the first application is stopped. The developer removing fluid may include deionized water (DI water) or an inert gas such as nitrogen gas (N 2 ). The developer removing fluid removes the developer applied to the substrate (G). According to the embodiment, the fluid supply nozzle 241 supplies the developer removing fluid in the vertical direction to the upper surface of the substrate G. [

제2현상액 공급부재(250a)는 기판(G)의 이송방향(X2)을 따라 유체 공급부재(240a)의 후방에 위치한다. 제2현상액 공급부재(250a)는 현상액 제거 유체가 공급된 기판(G)의 상면으로 현상액을 2차 공급한다.The second developer supply member 250a is located behind the fluid supply member 240a along the transport direction X2 of the substrate G. [ The second developer supply member 250a secondarily supplies the developer to the upper surface of the substrate G to which the developer removing fluid is supplied.

실시예에 의하면, 제2현상액 공급부재(250a)는 제3노즐(251)과 제4노즐(252)을 포함한다. 제3노즐(251)은 제4노즐(252)보다 출구(212)에 인접 배치된다. 제3노즐(251)은 기판(G)의 상면에 대해 제1노즐(231)과 동일한 방향으로 배치되고, 제4노즐(252)은 제2노즐(232)과 동일한 방향으로 배치될 수 있다. 제3노즐(251)과 제4노즐(252)은 동시에 기판(G)으로 현상액을 토출한다. 제3노즐(251)과 제4노즐(252)은 기판(G) 상의 동일한 영역으로 현상액을 토출할 수 있다.According to the embodiment, the second developer supply member 250a includes a third nozzle 251 and a fourth nozzle 252. [ The third nozzle 251 is disposed closer to the outlet 212 than the fourth nozzle 252. The third nozzle 251 may be disposed in the same direction as the first nozzle 231 with respect to the upper surface of the substrate G and the fourth nozzle 252 may be disposed in the same direction as the second nozzle 232. The third nozzle 251 and the fourth nozzle 252 simultaneously discharge the developer with the substrate G. [ The third nozzle 251 and the fourth nozzle 252 can discharge the developer to the same area on the substrate G. [

상술한 제1현상액 공급노즐(231, 232), 유체 공급노즐(241), 그리고 제2현상액 공급노즐(251, 252)은 퍼들 나이프(Puddle Knife)가 사용될 수 있다.The first developer supply nozzles 231 and 232, the fluid supply nozzle 241 and the second developer supply nozzles 251 and 252 may be puddle knives.

지지부재(270a)는 유체 공급부재(240a)와 제2현상액 공급부재(250a)를 지지한다. 지지부재(270a)는 기판 이송부재(220a)의 상부에서, 기판(G)의 이송 경로와 나란한 경로를 따라 전후 방향으로 이동가능하게 제공된다.The support member 270a supports the fluid supply member 240a and the second developer supply member 250a. The support member 270a is provided at the upper portion of the substrate transfer member 220a so as to be movable in the forward and backward directions along a path parallel to the transfer path of the substrate G. [

구동부(280a)는 지지부재(270a)를 전후 방향으로 이동시킨다. 구동부(280a)의 구동으로, 유체 공급부재(240a)와 제2현상액 공급부재(250a)는 기판지지부재(220a)에서 이동이 정지된 기판(G) 상부를 따라 이동하며 현상액 제거 유체와 현상액을 동시에 공급한다.
The driving unit 280a moves the supporting member 270a in the front-rear direction. The fluid supply member 240a and the second developer supply member 250a move along the upper portion of the substrate G which is stopped from the substrate support member 220a by driving the driving unit 280a, Simultaneously.

이하, 상술한 제1반송 장치와 현상 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대해 설명한다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the above-described first transfer device and developing device will be described.

승강부재(120)의 샤프트 부재(121)에 기판(G)이 안착되면, 승강부재(120)는 제1챔버(210a) 또는 제2챔버(210b) 내로 기판(G)을 전달한다. 승강부재(120)는 제1챔버(210a)와 제2챔버(210b) 중 기판(G)이 제공되지 않은 챔버 내로 기판(G)을 전달한다.When the substrate G is mounted on the shaft member 121 of the elevating member 120, the elevating member 120 transfers the substrate G into the first chamber 210a or the second chamber 210b. The elevating member 120 transfers the substrate G into the chamber of the first chamber 210a and the second chamber 210b in which the substrate G is not provided.

제1챔버(210a)의 기판이송부재(220a)에 기판(G)을 전달하는 경우, 샤프트 부재(121)는 제1챔버(210a)의 기판이송부재(220a)와 동일 높이에 위치한다. 샤프트 구동부의 구동으로 샤프트(122)들과 롤러(123)들이 함께 회전하고, 기판(G)이 일 방향으로 이동하여 기판이송부재(220a)에 전달된다.When the substrate G is transferred to the substrate transfer member 220a of the first chamber 210a, the shaft member 121 is positioned at the same height as the substrate transfer member 220a of the first chamber 210a. The shafts 122 and the rollers 123 are rotated together by driving the shaft driving unit and the substrate G is moved in one direction and transferred to the substrate transfer member 220a.

제2챔버(210b)의 기판이송부재(220b)에 기판(G)을 전달하는 경우, 구동기(127)는 도 4와 같이 승강 로드(126)를 제2챔버(210b) 높이에 상응하도록 상승시킨다. 샤프트 부재(121)는 제2챔버(210b)의 기판이송부재(220b)와 동일한 높이에 위치한다. 샤프트 구동부의 구동으로 샤프트(122)들과 롤러(123)들이 함께 회전하고, 기판(G)이 일 방향으로 이동하여 기판이송부재(220b)에 전달된다.When the substrate G is transferred to the substrate transfer member 220b of the second chamber 210b, the actuator 127 raises the lift rod 126 to correspond to the height of the second chamber 210b as shown in FIG. . The shaft member 121 is located at the same height as the substrate transfer member 220b of the second chamber 210b. The shafts 122 and the rollers 123 rotate together by driving the shaft driving unit and the substrate G moves in one direction and is transmitted to the substrate transfer member 220b.

기판이송부재(220a)는 도 5와 같이, 기판(G)을 이송방향(X2)으로 이송한다. 기판(G)이 이송되는 동안, 제1노즐(231) 및 제2노즐(232)에서 동시에 현상액이 1차 공급된다. 기판(G)의 이송으로, 기판(G)의 일단에서부터 타단까지 전면에 현상액(d1)이 도포된다. The substrate transfer member 220a transfers the substrate G in the transfer direction X2 as shown in Fig. While the substrate G is being conveyed, the developer is firstly supplied from the first nozzle 231 and the second nozzle 232 at the same time. By the transfer of the substrate G, the developer d1 is applied to the entire surface of the substrate G from one end to the other end.

현상액(d1)의 1차 도포과 완료되면 기판이송부재(220a)는 도 6과 같이, 기판(G)의 이송을 정지시킨다. 기판(G)은 기 설정된 처리 시간동안 대기한다. 이 시간동안 현상액과 레지스터의 1차 반응이 이루어진다.When the first application of the developing solution d1 is completed, the substrate transferring member 220a stops the transfer of the substrate G as shown in Fig. The substrate G is waiting for a predetermined processing time. During this time, a first-order reaction of the developer with the resist is made.

처리 시간 경과 후, 구동부(280a)의 구동으로 지지부재(270a)는 유체 공급노즐(241)과 제3노즐(251), 그리고 제4노즐(252)을 이동시킨다. 실시예에 의하면, 지지부재(270a)는 도 7과 같이 기판(G)의 이송방향(도 5의 X2)과 반대방향(L1)으로 이동하며, 이 과정에서 유체 공급노즐(241)은 현상액 제거유체를, 제3노즐(251)과 제4노즐(252)은 동시에 현상액을 기판(G) 상면으로 공급한다. 현상액 제거유체의 공급으로 기판(G)상에 1차 도포된 현상액과 레지스트의 일부가 1차 제거된다. 제3노즐(251)과 제4노즐(252)은 현상액 제거유체가 공급된 기판 영역으로 현상액을 공급하며, 이로 인해 현상액(d2)이 기판(G)에 2차 도포된다.After the elapse of the processing time, the driving member 280a drives the support member 270a to move the fluid supply nozzle 241, the third nozzle 251, and the fourth nozzle 252. 7, the support member 270a moves in a direction L1 opposite to the conveying direction of the substrate G (X2 in FIG. 5). In this process, the fluid supply nozzle 241 is moved The third nozzle 251 and the fourth nozzle 252 supply the developer to the upper surface of the substrate G at the same time. A part of the resist and the developer primarily coated on the substrate G are primarily removed by the supply of the developer removing fluid. The third nozzle 251 and the fourth nozzle 252 supply the developer to the substrate region to which the developer removing fluid is supplied, whereby the developer d2 is applied to the substrate G secondarily.

현상액(d2)의 2차 도포과 완료되면, 지지부재(270a)는 반대방향으로 이동하여 대기위치에 위치하고, 기판이송부재(220a)는 출구(212)측으로 기판(G)을 이송한다. The support member 270a moves in the opposite direction and is positioned at the standby position and the substrate transfer member 220a transfers the substrate G toward the exit 212 side.

기판(G)은 현상 장치(200)로부터 세정 장치(300)와 건조 장치(400)로 전달되며, 세정 및 건조 공정을 거치며, 레지스트가 완전 제거된다.
The substrate G is transferred from the developing apparatus 200 to the cleaning apparatus 300 and the drying apparatus 400 and is subjected to a cleaning and drying process to completely remove the resist.

도 8 내지 도 10은 본 발명의 기판 처리 공정에 따라 레지스터가 제거되는 과정을 순차적으로 보여주는 도면이다.8 to 10 are views sequentially illustrating a process of removing a resistor according to a substrate processing process of the present invention.

기판(G)상에 도포된 레지스트(R1)는 현상 공정에서 제거된다. 최근 기판(G)상에 형성된 패턴(P)의 폭이 좁아지고 높이가 높아짐에 따라 패턴(P) 사이에 도포된 레지스트(R1)의 두께도 도 8과 같이, 함께 두꺼워진다. 때문에 1회의 현상 처리로 레지스트(R1) 제거가 용이하지 않다. 실시예에 의하면, 현상액(d1)을 1차 공급하고, 처리 시간 경과 후 현상액 제거 유체의 공급으로 레지스트(R1)의 상부가 도 9와 같이 제거된다. 그리고, 현상액(d2)을 2차 공급하고, 처리 시간 경과 후 린스 공정에서 레지스트(R2)의 나머지가 도 10과 같이 제거된다.
The resist R 1 coated on the substrate G is removed in the developing process. As the width of the pattern P formed on the substrate G becomes narrower and the height thereof becomes higher in recent years, the thickness of the resist R1 applied between the patterns P also becomes thicker as shown in Fig. Therefore, it is not easy to remove the resist (R1) by one developing process. According to the embodiment, the developing solution d1 is firstly supplied, and after the lapse of the treatment time, the upper portion of the resist R1 is removed as shown in Fig. 9 by supplying the developer removing fluid. Then, the developing solution d2 is secondarily supplied, and the remainder of the resist R2 in the rinsing step is removed as shown in Fig.

도 11 및 도 12는 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상액 제거유체와 현상액 2차 공급과정을 순차적으로 나타내는 도면이다.FIGS. 11 and 12 are views sequentially illustrating a second developer supplying process and a developer supplying process according to another embodiment of the present invention.

도 11을 참조하면, 지지부재(270a)는 유체 공급노즐(241)과 제3노즐(251), 그리고 제4노즐(252)을 기판 이송방향(X2)과 반대방향(L1)으로 이송한다. 지지부재(270a)가 이동하는 동안, 유체 공급노즐(241)은 기판(G) 상면으로 현상액 제거유체를 공급한다. 유체 공급노즐(241)은 기판(G)의 후단으로부터 전단으로 이동하며, 기판(G) 전면으로 현상액 제거유체를 공급한다.11, the support member 270a transports the fluid supply nozzle 241, the third nozzle 251, and the fourth nozzle 252 in the direction opposite to the substrate transfer direction X2. While the support member 270a is moving, the fluid supply nozzle 241 supplies the developer removing fluid to the upper surface of the substrate (G). The fluid supply nozzle 241 moves from the rear end to the front end of the substrate G and supplies the developer removing fluid to the front surface of the substrate G. [

현상액 제거유체의 공급이 완료되면, 지지부재(270a)는 기판(G)의 후방으로 이동하고, 다시 기판(G)의 이송방향(X2)과 반대방향(L1)으로 기판(G)의 후단으로부터 전단으로 이동한다. 지지부재(270a)가 이동하는 동안, 제3노즐(251)과 제4노즐(252)은 기판(G)의 상면으로 현상액을 공급한다. 현상액(d2)은 기판(G)의 전면에 2차 도포된다.
The supporting member 270a moves backward of the substrate G and is moved backward from the rear end of the substrate G in the direction L1 opposite to the conveying direction X2 of the substrate G Move to the front end. The third nozzle 251 and the fourth nozzle 252 supply the developer to the upper surface of the substrate G while the support member 270a moves. The developer d2 is secondarily applied to the entire surface of the substrate G. [

도 13은 본 발명의 다른 실시예에 따른 유체 공급부재와 제2현상액 공급노즐 및 이를 이용한 공정 과정을 나타내는 도면이다.13 is a view showing a fluid supply member, a second developer supply nozzle, and a process using the same according to another embodiment of the present invention.

도 13을 참조하면, 유체 공급노즐(241)은 기판의 이송방향(X2)을 따라 제3노즐(251) 및 제4노즐(252)의 후방에 배치된다. 현상액의 1차 도포 후 처리 시간이 경과되면, 지지부재(270a)는 기판(G)의 전방으로 이동 후 기판(G)의 이송방향(X2)을 따라 이동한다. 지지부재(270a)가 기판(G)의 이송방향(X2)으로 이동하는 동안 유체 공급노즐(241)은 현상액 제거유체를 기판(G) 상면으로 공급하고, 제3노즐(251)과 제4노즐(252)은 현상액 제거유체가 공급된 기판(G) 영역으로 현상액을 2차 공급한다. 현상액 제거유체의 공급으로 기판(G)상에 1차 도포된 현상액(d1)이 제거되고, 현상액의 2차 공급으로 기판(G)상에 현상액(d2)이 2차 도포된다.
13, the fluid supply nozzle 241 is disposed behind the third nozzle 251 and the fourth nozzle 252 along the transport direction X2 of the substrate. When the processing time after the primary coating of the developing solution has elapsed, the supporting member 270a moves forward in the substrate G and then along the conveying direction X2 of the substrate G. [ The fluid supply nozzle 241 supplies the developer removing fluid to the upper surface of the substrate G while the support member 270a moves in the transfer direction X2 of the substrate G, and the third nozzle 251 and the fourth nozzle (252) secondarily supplies the developer to the area of the substrate (G) to which the developer removing fluid is supplied. The developer d1 that is first coated on the substrate G is removed by the supply of the developer removing fluid and the developer d2 is secondarily coated on the substrate G by the second supply of the developer.

도 14는 본 발명의 다른 실시예에 따른 현상 장치를 나타내는 도면이다.14 is a view showing a developing apparatus according to another embodiment of the present invention.

도 14를 참조하면, 현상 장치(200a)는 제1챔버(310a), 제2챔버(310b), 기판이송부재(320a, 320b), 현상액 공급부재(330a, 330b), 제1유체 공급부재(340a, 340b), 지지부재(350a, 350b), 구동부(360a, 360b), 그리고 제2유체 공급부재(370a, 370b)를 포함한다.14, the developing apparatus 200a includes a first chamber 310a, a second chamber 310b, substrate transfer members 320a and 320b, developer supply members 330a and 330b, a first fluid supply member 340a and 340b, support members 350a and 350b, driving units 360a and 360b, and second fluid supply members 370a and 370b.

제1챔버(310a)의 상부에는 제2챔버(310b)가 적층된다. 제1챔버(310a)와 제2챔버(310b)의 내부에는 기판이송부재(320a, 320b), 현상액 공급부재(330a, 330b), 제1유체 공급부재(340a, 340b), 지지부재(350a, 350b), 구동부(360a, 360b), 그리고 제2유체 공급부재(370a, 370b)가 각각 제공된다.A second chamber 310b is stacked on top of the first chamber 310a. The first chamber 310a and the second chamber 310b are provided with substrate transfer members 320a and 320b, developer supply members 330a and 330b, first fluid supply members 340a and 340b, support members 350a and 350b, 350b, drive portions 360a, 360b, and second fluid supply members 370a, 370b, respectively.

기판이송부재(320a, 320b)는 기판(G)을 일 방향으로 이송가능하며, 정지 상태에서 기판(G)을 지지한다. 제1유체 공급부재(340a, 340b)와 현상액 공급부재(330a, 330b)는 기판이송부재(320a, 320b)의 상부에 위치하며, 지지부재(350a, 350b)에 지지된다. 구동부(360a, 360b)는 지지부재(350a, 350b)를 기판이송부재(320a, 320a)의 상부에서 이동시킨다. The substrate transfer members 320a and 320b transfer the substrate G in one direction and support the substrate G in a stationary state. The first fluid supply members 340a and 340b and the developer supply members 330a and 330b are positioned on the upper side of the substrate transfer members 320a and 320b and are supported by the support members 350a and 350b. The driving units 360a and 360b move the support members 350a and 350b from above the substrate transfer members 320a and 320a.

제2유체 공급부재(370a, 370b)는 기판이송부재(320a, 320b)의 상부에서 출구에 인접하여 위치하며, 기판(G)으로 현상액 제거 유체를 공급한다.
The second fluid supply members 370a and 370b are located adjacent to the outlet at the top of the substrate transfer members 320a and 320b and supply the developer removing fluid to the substrate G. [

이하, 상술한 현상 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 대하여 설명한다.Hereinafter, a method of processing a substrate using the above-described developing apparatus will be described.

도 15를 참조하면, 기판(G)은 기판이송부재(320a)에 의해 소정 거리 이송되며, 기 설정된 지점에서 정지하여 위치한다. 지지부재(350a)는 기판(G)의 전방으로 이동한 후, 기판(G)의 이송방향(X2)과 동일한 방향으로 기판(G)의 전단에서 후단으로 이동한다. 지지부재(350a)가 이동하는 동안, 현상액 공급부재(330a)는 기판(G)의 상면으로 현상액을 공급한다. 현상액(d1)은 기판(G)의 전단에서 후단으로 순차적으로 기판(G) 전면에 1차 도포된다.Referring to Fig. 15, the substrate G is transported a predetermined distance by the substrate transfer member 320a, and is stationary at a predetermined position. The support member 350a moves forward of the substrate G and thereafter moves from the front end to the rear end of the substrate G in the same direction as the transfer direction X2 of the substrate G. [ While the support member 350a is moving, the developer supply member 330a supplies the developer to the upper surface of the substrate G. [ The developer solution d1 is first applied to the entire surface of the substrate G sequentially from the front end to the rear end of the substrate G. [

현상액의 1차 도포가 완료되면, 지지부재(350a)는 처리시간동안 대기한다.When the primary application of the developing solution is completed, the supporting member 350a waits for the processing time.

처리시간의 경과 후, 지지부재(350a)는 도 16과 같이 기판(G)의 이송방향과 반대방향(L1)으로 이동한다. 지지부재(350a)가 이동하는 동안, 제1유체 공급부재(340a)는 현상액(d1)이 1차 도포된 기판(G)으로 현상액 제거유체를, 현상액 공급부재(330a)는 현상액 제거유체가 공급된 기판(G) 영역으로 현상액(d2)을 2차 공급한다. 현상액의 2차 공급으로, 기판(G)은 현상액(d2)으로 다시 도포된다.After the lapse of the processing time, the support member 350a moves in the direction L1 opposite to the conveying direction of the substrate G as shown in Fig. While the support member 350a is moving, the first fluid supply member 340a supplies the developer removing fluid to the substrate G to which the developer d1 is first applied, and the developer supply member 330a supplies the developer removing fluid The developing solution d2 is supplied to the area of the substrate G which is the second area. With the secondary supply of the developing solution, the substrate G is applied again with the developing solution d2.

현상액(d2)의 2차 도포가 완료되면, 기판(G)은 처리시간 동안 기판지지부재 (320a)위에서 대기한다. 그리고 기판(G)은 기판이송부재(320a)에 의해 출구측으로 이송된다.When the second application of the developer solution d2 is completed, the substrate G stands by on the substrate support member 320a for the processing time. Then, the substrate G is transferred to the exit side by the substrate transfer member 320a.

기판(G)이 이송되는 동안, 제2유체 공급부재(370a)는 도 17과 같이 기판(G)의 상면으로 현상액 제거 유체를 공급한다. 기판(G) 상에 2차 도포된 현상액(d2)은 현상액 제거 유체에 의해 제거된다. 이후, 기판(G)은 세정 장치(도 2의 300)에 전달된다.
While the substrate G is being conveyed, the second fluid supply member 370a supplies the developer removing fluid to the upper surface of the substrate G as shown in Fig. The developer d2, which is secondarily applied on the substrate G, is removed by the developer removing fluid. Subsequently, the substrate G is transferred to the cleaning apparatus 300 (FIG. 2).

도 18은 본 발명의 또 다른 실시예에 따른 제1반송 장치와 현상 장치를 나타내는 도면이다.18 is a view showing a first transporting apparatus and a developing apparatus according to still another embodiment of the present invention.

도 18을 참조하면, 승강 부재(130)는 핸드(131), 지지 로드(135), 그리고 승강 구동부(137)를 포함한다. 18, the lifting member 130 includes a hand 131, a supporting rod 135, and a lifting and driving unit 137. [

핸드(131)는 기판(G)을 지지한다. 핸드(131)의 상면에는 지지핀(132)들 기 설정된 지점에 제공될 수 있다. 기판(G)은 지지핀(132)들의 상단에 놓인다. 핸드(131)는 전후방향으로 전진 및 후퇴 가능하며, 지지 로드(135)를 축으로 회전가능하다.The hand 131 supports the substrate G. On the upper surface of the hand 131, the support pins 132 may be provided at predetermined points. The substrate G is placed on top of the support pins 132. The hand 131 is movable forward and backward and is rotatable about the support rod 135.

지지 로드(135)는 그 길이방향이 상하방향과 나란하게 배치되며, 상단에 핸드(131)가 결합한다. 승강 구동부(137)는 지지 로드(135)를 상하방향을 이동시킨다.The support rod 135 is arranged in the longitudinal direction in parallel with the up and down direction, and the hand 131 is engaged with the upper end. The lifting and lowering driving unit 137 moves the supporting rod 135 in the vertical direction.

도 19 및 도 20은 승강 부재의 핸드가 기판이송부재에 기판을 전달하는 과정을 나타내는 도면이다.19 and 20 are views showing a process in which a hand of the lifting member transfers a substrate to a substrate transferring member.

도 19 및 도 20을 참조하면, 기판(G)을 지지한 핸드(131)가 입구를 통해 챔버(210a) 내로 진입한다. 핸드(131)는 기판이송부재(220a)의 상부에서 진입을 멈추고 지지 로드(135)의 하강과 함께 아래로 이동한다. 핸드(131)는 롤러(222)의 상단과 샤프트(221) 사이 위치까지 하강한다. 핸드(131)는 롤러(222)와 롤러(222) 사이 영역으로 하강하므로, 롤러(222)들과의 충돌이 예방된다. 그리고 핸드(131)의 두께는 롤러(222)의 반경보다 작으며, 샤프트(221)와 충돌이 발생하지 않는 지점까지 하강한다. 핸드(131)가 하강하는 과정에서 기판(G)은 롤러(222)들에 전달된다. 기판(G)을 전달한 핸드(131)는 챔버(210a) 외부로 후퇴한다.19 and 20, the hand 131 supporting the substrate G enters the chamber 210a through the inlet. The hand 131 stops entering at the top of the substrate transfer member 220a and moves down with the descent of the support rod 135. [ The hand 131 is lowered to a position between the upper end of the roller 222 and the shaft 221. The hand 131 descends in the area between the roller 222 and the roller 222, so that collision with the rollers 222 is prevented. The thickness of the hand 131 is smaller than the radius of the roller 222 and falls to the point where no collision with the shaft 221 occurs. The substrate G is transferred to the rollers 222 in the course of the descent of the hand 131. The hand 131 which transferred the substrate G retreats to the outside of the chamber 210a.

다시 도 18을 참조하면, 승강 부재(130)가 제1챔버(210a)의 기판이송부재(220a)에 기판(G)을 전달하는 경우, 핸드(131)는 제1챔버(210a)의 기판이송부재(220a)와 동일 높이에 위치한다. 핸드(131)은 제1챔버(210a)의 입구로 진입하여 도 19 및 도 20에서 기술한 과정으로 기판(G)을 기판이송부재(220a)에 전달한다.18, when the elevating member 130 transfers the substrate G to the substrate transferring member 220a of the first chamber 210a, the hand 131 transfers the substrate G of the first chamber 210a, And is located at the same height as the member 220a. The hand 131 enters the entrance of the first chamber 210a and transfers the substrate G to the substrate transfer member 220a by the process described in FIGS.

제2챔버(210b)의 기판이송부재(220b)에 기판(G)을 전달하는 경우, 승강 구동부(137)는 도 21과 같이 핸드(131)가 제2챔버(210b)의 기판이송부재(220b)와 동일 높이에 위치하도록 지지 로드(135)를 상승시킨다. 핸드(131)은 제2챔버(210b)의 입구로 진입하여 도 19 및 도 20에서 기술한 과정으로 기판(G)을 기판이송부재(220b)에 전달한다.
When the substrate G is transferred to the substrate transferring member 220b of the second chamber 210b, the elevating driving unit 137 moves the hand 131 to the substrate transferring member 220b of the second chamber 210b The support rod 135 is raised so as to be positioned at the same height as the support rod 135. The hand 131 enters the entrance of the second chamber 210b and transfers the substrate G to the substrate transfer member 220b by the process described with reference to FIGS.

상술한 실시예들에서, 현상 처리 공정은 현상액의 1차 도포 후 처리 시간동안 기판 이송을 정지한다. 기판 이송이 진행되는 경우와 비교할 때, 기판 이송이 정지될 경우 아래와 같은 장점이 있다.In the above-described embodiments, the development processing step stops the substrate transfer during the post-treatment time of the first application of the developer. Compared to the case where the substrate transfer is proceeding, there are the following advantages when the substrate transfer is stopped.

먼저, 현상액(d1)이 1차 도포된 기판(G)은 이송이 정지된 상태로 대기하므로, 이송에서 발생할 수 있는 문제, 예컨대 기판 처짐 및 진동으로 인한 현상액의 유실(drop)이 방지된다. First, the substrate G to which the developing solution d1 is first applied is kept in a state in which the transfer is stopped, thereby preventing a problem that may occur in transferring, such as a drop of the developing solution due to substrate deflection and vibration.

그리고, 기판(G)이 기판이송부재(220a, 220b)와 접촉되는 영역에서 진동이 발생되지 않으므로, 현상액 유실이 방지되고, 현상액의 두께 편차발생이 예방되어 현상액의 균일도(uniformity)가 개선될 수 있다.Since no vibration is generated in the region where the substrate G is in contact with the substrate transfer members 220a and 220b, the occurrence of the liquid developer leakage can be prevented and the uniformity of the developer can be improved have.

또한, 처리 시간동안 기판(G)이 이송될 경우, 기판(G) 이송을 위한 구간 확보가 필요한다. 이송 구간 확보는 현상 장치(200)의 설비 면적을 증가시킨다. 반면, 기판(G)이 정지 상태로 대기될 경우, 을 위한 설비 면적이 불필요하므로 설비 면적이 축소될 수 있다. 실시예에 의하면, 현상 장치(200)의 설비 면적은 최소 40% 축소될 수 있다. 현상 장치(200)의 설비 면적 감축으로 인하여, 제2공정 라인(20b)에는 다른 공정 유닛이 추가될 수 있는 면적이 확보된다.Further, when the substrate G is transferred during the processing time, it is necessary to secure a section for transferring the substrate G. The securing of the conveying section increases the facility area of the developing apparatus 200. On the other hand, when the substrate G is waiting in a stationary state, the facility area for the facility is not required, so that the facility area can be reduced. According to the embodiment, the facility area of the developing apparatus 200 can be reduced by at least 40%. Due to the reduction of the area of the developing apparatus 200, an area where another process unit can be added to the second process line 20b is secured.

본 발명의 실시예에 따른 현상 유닛(70)은 복층 구조로 제공되며, 각 층에서 현상 공정을 수행할 수 있다. 현상 유닛(70)의 복층 배치는 현상 장치(200)의 설비 면적 축소로 인한 공정 시간 확보를 가능하게 한다. 예컨대, 제1챔버(210a)에서 기판(G)이 정지되는 동안, 제1챔버(210a)로 기판(G)의 추가 공급이 불가능하다. 이 경우, 기판(G)을 제2챔버(210b)에 공급함으로써, 다른 공정과의 관계에서 공정 시간 확보가 가능해 진다.
The developing unit 70 according to the embodiment of the present invention is provided in a multi-layer structure, and can perform a developing process in each layer. The multiple-layer arrangement of the developing unit 70 makes it possible to secure a process time due to reduction in the area of the facilities of the developing apparatus 200. [ For example, while the substrate G is stopped in the first chamber 210a, it is impossible to further supply the substrate G to the first chamber 210a. In this case, by supplying the substrate G to the second chamber 210b, the process time can be secured in relation to other processes.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The foregoing description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and various changes and modifications may be made by those skilled in the art without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are intended to illustrate rather than limit the scope of the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The scope of protection of the present invention should be construed according to the following claims, and all technical ideas within the scope of equivalents should be construed as falling within the scope of the present invention.

1: 기판 처리 시스템 70: 현상 유닛
100: 제1반송 장치 110: 반송 챔버
120: 승강 부재 200: 현상 장치
210a: 제1챔버 210b: 제2챔버
220a, 220b: 기판이송부재 230a, 230b: 제1현상액 공급부재
240a, 240b: 유체 공급부재 250a, 250b: 제2현상액 공급부재
260a, 260b: 제어부재 270a, 270b: 지지부재
280a, 280b: 구동부 300: 세정 장치
400: 건조 장치 500: 제2반송 장치1: substrate processing system 70: developing unit
100: first conveying device 110: conveying chamber
120: lifting member 200: developing device
210a: first chamber 210b: second chamber
220a, 220b: substrate transferring member 230a, 230b: first developer supplying member
240a, 240b: fluid supply member 250a, 250b: second developer supply member
260a, 260b: control member 270a, 270b:
280a, 280b: driving part 300: cleaning device
400: drying device 500: second conveying device

Claims (14)

제1챔버;
상기 제1챔버의 상부에 적층되는 제2챔버;
상기 제1챔버와 상기 제2챔버 내에 각각 배치되고, 일방향으로 기판을 이송가능하며, 이송이 정지된 기판을 지지하는 기판이송부재;
상기 제1챔버의 전방에 위치하며, 상기 제1챔버 내의 상기 기판이송부재와 상기 제2챔버 내의 상기 기판이송부재에 기판을 전달하도록 승강가능한 승강부재;
상기 제1챔버와 상기 제2챔버 내에 각각 제공되며, 이송되는 기판으로 현상액을 1차 공급하는 제1현상액 공급부재;
상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 각각 제공되며, 현상액이 1차 도포된 기판으로 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재;
상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제1현상액 공급부재의 후방에 각각 제공되며, 상기 현상액 제거 유체가 공급된 기판으로 현상액을 2차 공급하는 제2현상액 공급부재; 및
상기 현상액이 1차 공급되는 동안 기판이 이동되고, 상기 현상액이 1차 도포된 후 기설정된 처리 시간 동안 기판의 이동이 정지되도록 상기 기판이송부재를 제어하는 제어부재를 포함하는 기판 처리 시스템.A first chamber;
A second chamber stacked on top of the first chamber;
A substrate transferring member disposed in each of the first chamber and the second chamber, the substrate transferring member being capable of transferring the substrate in one direction,
An elevating member positioned in front of the first chamber and capable of being elevated to transfer the substrate to the substrate transferring member in the first chamber and the substrate transferring member in the second chamber;
A first developer supply member provided in the first chamber and the second chamber, respectively, for supplying the developer to the transported substrate first;
A fluid supply member which is provided behind the first developer supply member along the transport direction of the substrate and supplies the developer removing fluid to the substrate to which the developer is first applied;
A second developer supply member provided on the rear side of the first developer supply member along the transport direction of the substrate, for supplying the developer to the substrate supplied with the developer removal fluid, respectively; And
And a control member for controlling the substrate transferring member so that movement of the substrate is stopped during a predetermined processing time after the developer is firstly applied. 제 1 항에 있어서,
상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재를 지지하는 지지부재; 및
상기 기판의 이동경로 상부에서 상기 지지부재를 이동시키는 구동부를 더 포함하며,
상기 구동부는 이송이 정지된 기판의 상부를 상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재가 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하도록 상기 지지부재를 이동시키는 기판 처리 시스템.The method according to claim 1,
A support member for supporting the fluid supply member and the second developer supply member; And
And a driving unit for moving the support member above the movement path of the substrate,
Wherein the driving unit moves the support member such that the fluid supply member and the second developer supply member move on the upper portion of the substrate on which the transfer is stopped and supply the developer removing fluid and the developer. 제 2 항에 있어서,
상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 전방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 공급하는 기판 처리 시스템.3. The method of claim 2,
Wherein the fluid supply member is located in front of the second developer supply member along the transport direction of the substrate,
Wherein the fluid supply member and the second developer supply member move in a direction opposite to the transport direction of the substrate and simultaneously supply the developer removal fluid and the developer. 제 2 항에 있어서,
상기 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 제2현상액 공급부재의 후방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 제2현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 동시에 공급하는 기판 처리 시스템.3. The method of claim 2,
Wherein the fluid supply member is located behind the second developer supply member along the transport direction of the substrate,
Wherein the fluid supply member and the second developer supply member move in the transport direction of the substrate and simultaneously supply the developer removal fluid and the developer. 제 1 항에 있어서,
상기 제1현상액 공급부재는
상기 기판의 상면에 대해 제1방향으로 현상액을 공급하는 제1노즐; 및
상기 제1방향과 상이한 제2방향으로 현상액을 상기 기판의 상면에 공급하는 제2노즐을 포함하며,
상기 제2현상액 공급부재는
상기 제1노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제3노즐; 및
상기 제2노즐과 동일한 방향으로 상기 기판의 상면으로 현상액을 공급하는 제4노즐을 포함하는 기판 처리 시스템.The method according to claim 1,
The first developer supply member
A first nozzle for supplying a developer to the upper surface of the substrate in a first direction; And
And a second nozzle for supplying developer to an upper surface of the substrate in a second direction different from the first direction,
The second developer supply member
A third nozzle for supplying the developer to the upper surface of the substrate in the same direction as the first nozzle; And
And a fourth nozzle for supplying the developer to the upper surface of the substrate in the same direction as the second nozzle. 제 1 항에 있어서,
상기 제1챔버와 상기 제2챔버의 후방에서 복층으로 제공되며, 상기 기판이송부재에서 전달된 기판을 세정하는 세정 장치; 및
상기 세정 장치의 후방에서 복층으로 제공되며, 상기 세정 장치에서 전달된 기판을 건조하는 건조 장치를 포함하는 기판 처리 시스템.The method according to claim 1,
A cleaning device provided in a multilayered structure at the rear of the first chamber and the second chamber, for cleaning the substrate transferred from the substrate transferring member; And
And a drying device provided in a double layer at the rear of the cleaning device for drying the substrate transferred from the cleaning device. 제 1 항에 있어서,
상기 승강부재는
롤러들이 결합된 샤프트들이 서로 나란하게 배치되며, 상기 롤러들에 기판이 놓이는 샤프트 부재; 및
상기 샤프트 부재를 상하방향으로 이동시키는 승강 구동부를 포함하는 기판 처리 시스템. The method according to claim 1,
The elevating member
A shaft member in which the shafts to which the rollers are coupled are arranged in parallel to each other, and the substrate is placed on the rollers; And
And a lift driving unit for moving the shaft member in the vertical direction. 제 7 항에 있어서,
상기 승강부재는
기판을 지지하며, 전후방향으로 이동가능한 핸드;
상기 핸드를 지지하는 지지 로드; 및
상기 지지 로드를 승강시키는 승강 구동부를 포함하는 기판 처리 시스템.8. The method of claim 7,
The elevating member
A hand which supports the substrate and is movable in the front and rear direction;
A support rod for supporting the hand; And
And a lifting driver for lifting the support rod. 상하방향으로 적층된 챔버들 내로 기판을 제공하는 단계;
상기 챔버들 내에서 일방향으로 기판을 이송시키고, 이송되는 상기 기판의 상면으로 현상액을 1차 공급하는 단계;
상기 현상액이 1차 도포된 기판의 이송을 정지시키고, 기 설정된 처리 시간 동안 기판을 대기시키는 단계; 및
상기 처리 시간이 경과 후, 상기 현상액이 1차 도포된 기판의 상면으로 현상액 제거 유체를 공급하고, 상기 현상액 제거 유체가 공급된 기판 영역으로 현상액을 2차 공급하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.Providing a substrate into vertically stacked chambers;
Transferring the substrate in one direction in the chambers and supplying the developer to the upper surface of the substrate to be transferred first;
Stopping the transfer of the substrate onto which the developer has been primarily applied and waiting the substrate for a predetermined processing time; And
And supplying the developer removing fluid to the upper surface of the substrate to which the developer is first applied after the elapse of the treating time and supplying the developer to the substrate area to which the developer removing fluid is supplied. 제 9 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체의 공급과 상기 현상액의 2차 공급은 동시에 진행되는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein supply of the developer removing fluid and secondary supply of the developer proceed simultaneously. 제 9 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 전방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향과 반대방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the fluid supply member for supplying the developer removing fluid is positioned in front of a developer supply member for supplying the developer in a second direction along the transport direction of the substrate,
Wherein the fluid supply member and the developer supply member move in a direction opposite to the transfer direction of the substrate and supply the developer removal fluid and the developer. 제 9 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체를 공급하는 유체 공급부재는 상기 기판의 이송방향을 따라 상기 현상액을 2차 공급하는 현상액 공급부재의 후방에 위치하며,
상기 유체 공급부재와 상기 현상액 공급부재는 상기 기판의 이송방향으로 이동하며 상기 현상액 제거 유체와 상기 현상액을 공급하는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the fluid supply member for supplying the developer removing fluid is located behind the developer supply member for supplying the developer secondarily along the transport direction of the substrate,
Wherein the fluid supply member and the developer supply member move in a transport direction of the substrate to supply the developer removing fluid and the developer. 제 9 항에 있어서,
상기 현상액의 1차 공급과 2차 공급은
상기 기판의 상면에 수직한 방향으로, 그리고 상기 기판의 상면에 경사진 방향으로 동시에 공급되는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
The primary supply and the secondary supply of the developer
In a direction perpendicular to an upper surface of the substrate, and in an oblique direction on an upper surface of the substrate. 제 9 항에 있어서,
상기 현상액 제거 유체는 탈이온수(DI water) 또는 질소가스를 포함하는 기판 처리 방법.10. The method of claim 9,
Wherein the developer removing fluid comprises deionized water (DI water) or nitrogen gas.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106802501A (en) * 2017-03-20 2017-06-06 信利（惠州）智能显示有限公司 Developer solution circulation management method
CN109116688A (en) * 2017-06-23 2019-01-01 细美事有限公司 Substrate disposal plant and substrate method of disposal

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001005191A (en) * 1999-06-21 2001-01-12 Tokyo Electron Ltd Development processing method and development processing device
KR20090111607A (en) * 2008-04-22 2009-10-27 세메스 주식회사 Roller for transferring substrate and substrate transferring apparatus including of the same
JP2010219434A (en) * 2009-03-18 2010-09-30 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus
KR101129065B1 (en) * 2003-03-04 2012-03-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate treatment method and substrate treatment apparatus and developing method and developing apparatus
JP2012070002A (en) * 2011-12-21 2012-04-05 Tokyo Electron Ltd Development method, development apparatus and storage medium

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001005191A (en) * 1999-06-21 2001-01-12 Tokyo Electron Ltd Development processing method and development processing device
KR101129065B1 (en) * 2003-03-04 2012-03-26 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate treatment method and substrate treatment apparatus and developing method and developing apparatus
KR20090111607A (en) * 2008-04-22 2009-10-27 세메스 주식회사 Roller for transferring substrate and substrate transferring apparatus including of the same
JP2010219434A (en) * 2009-03-18 2010-09-30 Sokudo Co Ltd Substrate processing apparatus
JP2012070002A (en) * 2011-12-21 2012-04-05 Tokyo Electron Ltd Development method, development apparatus and storage medium

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106802501A (en) * 2017-03-20 2017-06-06 信利（惠州）智能显示有限公司 Developer solution circulation management method
CN109116688A (en) * 2017-06-23 2019-01-01 细美事有限公司 Substrate disposal plant and substrate method of disposal
KR20190000951A (en) * 2017-06-23 2019-01-04 세메스 주식회사 Substrate treating apparatus and substrate treating method
US10915026B2 (en) 2017-06-23 2021-02-09 Semes Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method

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