KR20150075380A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20150075380A
KR20150075380A KR1020140187248A KR20140187248A KR20150075380A KR 20150075380 A KR20150075380 A KR 20150075380A KR 1020140187248 A KR1020140187248 A KR 1020140187248A KR 20140187248 A KR20140187248 A KR 20140187248A KR 20150075380 A KR20150075380 A KR 20150075380A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
microwave
substrate
plasma
processing
wafer
Prior art date
Application number
KR1020140187248A
Other languages
English (en)
Inventor
코우지 시모무라
나오타카 노로
에이치 니시무라
Original Assignee
도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 filed Critical 도쿄엘렉트론가부시키가이샤
Publication of KR20150075380A publication Critical patent/KR20150075380A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4586—Elements in the interior of the support, e.g. electrodes, heating or cooling devices
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/50—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges
    • C23C16/511—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating using electric discharges using microwave discharges
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32009—Arrangements for generation of plasma specially adapted for examination or treatment of objects, e.g. plasma sources
    • H01J37/32192—Microwave generated discharge
    • H01J37/32211—Means for coupling power to the plasma
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32715—Workpiece holder
    • H01J37/32724—Temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67098—Apparatus for thermal treatment
    • H01L21/67109—Apparatus for thermal treatment mainly by convection

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Plasma Technology (AREA)

Abstract

기판에 대하여 마이크로파를 이용하는 플라즈마 처리와 마이크로파 조사에 의한 가열 처리를 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다. 기판 처리 장치(1)는, 처리 용기(2)와, 처리 용기(2) 내로 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치(3)와, 처리 용기(2) 내에서 웨이퍼(W)를 지지하는 재치대(4)를 구비하고 있다. 재치대(4)는 마이크로파를 투과시키는 재료에 의해 구성되어 있다. 처리 용기(2) 내에는, 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 플라즈마 처리 공간(S1)과, 마이크로파가 직접 도입되는 마이크로파 도입 공간(S2)이 형성되어 있다. 재치대(4)를 투과한 마이크로파는, 플라즈마 처리 공간(S1)에 도달하여 플라즈마에 소비되기 전에, 우선적으로 웨이퍼(W)의 가열에 이용된다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 {SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 마이크로파를 처리 용기 내로 도입하여 기판에 대하여 처리를 행하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼 등의 기판에 대하여 마이크로파를 이용하여 처리를 행하는 기판 처리 장치로서, 마이크로파에 의해 가스의 플라즈마를 생성시켜, 상기 플라즈마에 의해 기판에 대하여 성막 처리, 에칭 처리 등의 플라즈마 처리를 행하는 것이 알려져 있다.
또한, 마이크로파를 이용하는 기판 처리 장치로서, 마이크로파를 직접 기판에 조사하여 어닐 처리를 행하는 것도 제안되고 있다(예를 들면, 특허 문헌 1, 2). 마이크로파에 의한 어닐 처리는 내부 가열, 국소 가열, 선택 가열이 가능한 점에서, 종래의 램프 가열 방식 또는 저항 가열 방식의 어닐 장치에 비해 프로세스 메리트가 큰 것이 알려져 있다.
일본특허공개공보 2007-258286호(도 1 등) 일본특허공개공보 2011-077065호(도 1 등)
처리 용기 내로 도입한 마이크로파에 의해, 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행할 경우, 안정된 플라즈마를 생성시키기 위하여, 처리 용기 내를 진공, 예를 들면 10 ~ 1000 Pa 정도의 압력까지 감압할 필요가 있다. 한편, 기판에 대하여 어닐 처리를 행할 경우는, 기판에 조사하는 마이크로파에 의해 이상 방전이 발생하거나, 플라즈마화하지 않도록, 대기압 부근에서 행하는 것이 유리하다. 이와 같이, 마이크로파를 이용하는 처리라도, 플라즈마 처리와 어닐 처리에서는 처리 압력이 크게 상이하기 때문에, 양방의 처리를 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치는 실용화되어 있지 않다.
본 발명의 목적은, 기판에 대하여 마이크로파를 이용하는 플라즈마 처리와 마이크로파 조사에 의한 가열 처리의 양방을 행하는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 기판을 수용하는 처리 용기와, 마이크로파를 투과시키는 마이크로파 투과성 재료에 의해 구성되고, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와, 플라즈마를 생성시키는 가스를 상기 처리 용기 내로 도입하는 가스 공급 장치와, 마이크로파를 생성하는 마이크로파원을 가지고, 상기 처리 용기 내로 상기 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비하고 있다. 본 발명의 기판 처리 장치는, 상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열하고, 또한 상기 처리 용기 내에서 상기 플라즈마를 생성시켜 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하도록 구성되어 있다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 상기 지지 부재를 투과하여 상기 기판에 조사된 상기 마이크로파 중, 상기 기판을 투과한 상기 마이크로파에 의해 상기 플라즈마를 생성시키는 것이어도 된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리 용기는, 진공 배기 가능하게 구성되고, 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 제 1 방과, 상기 마이크로파 도입 장치가 접속되어 상기 마이크로파가 직접 도입되는 제 2 방을 가지고 있어도 된다. 이 경우, 상기 지지 부재에 의해 상기 제 1 방과 상기 제 2 방이 구획되어 있어도 된다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 상기 처리 용기가, 천장부와, 저벽부와, 이들 천장부 및 저벽부를 접속하는 측벽부를 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 상기 천장부에는, 상기 가스 공급 장치에 접속되어 상기 가스를 상기 처리 용기 내로 도입하는 가스 도입부가 설치되어 있어도 된다. 또한 상기 저벽부에는, 상기 마이크로파 도입 장치에 접속되어 상기 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하는 마이크로파 도입부가 설치되어 있어도 된다.
본 발명의 기판 처리 장치에 있어서, 상기 지지 부재에는, 상기 기판의 온도 조절을 행하기 위한 열 매체를 통류시키는 유로가 설치되어 있어도 된다. 이 경우, 상기 열 매체가 불소계 용매여도 된다.
본 발명의 기판 처리 장치는, 상기 마이크로파 투과성 재료가 석영이어도 된다.
본 발명의 기판 처리 방법은, 기판을 수용하는 처리 용기와, 마이크로파를 투과시키는 마이크로파 투과성 재료에 의해 구성되고, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와, 플라즈마를 생성시키는 가스를 상기 처리 용기 내로 도입하는 가스 공급 장치와, 마이크로파를 생성하는 마이크로파원을 가지고, 상기 처리 용기 내로 상기 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비한 기판 처리 장치를 이용한다.
본 발명의 기판 처리 방법의 바람직한 측면에서는, 상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열하고, 또한 상기 처리 용기 내에서 상기 플라즈마를 생성시켜 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행한다.
본 발명의 기판 처리 방법의 다른 바람직한 측면에서는, 상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열하는 단계와, 상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열함과 동시에, 상기 처리 용기 내에서 상기 플라즈마를 생성시켜 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 단계를 포함할 수 있다.
본 발명의 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 의하면, 기판에 대하여 마이크로파를 이용하는 플라즈마 처리와 마이크로파 조사에 의한 가열 처리를 행할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치의 개략의 구성을 도시한 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시한 기판 처리 장치의 마이크로파 도입 장치의 개략의 구성을 도시한 설명도이다.
도 3은 도 1에 도시한 기판 처리 장치의 고전압 전원부의 개략의 구성을 도시한 설명도이다.
도 4는 도 1에 도시한 처리 용기의 저벽부의 상면을 도시한 평면도이다.
도 5는 제어부의 구성을 도시한 블록도이다.
도 6은 기판 처리 장치에서, 마이크로파에 의한 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 실시하고 있는 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
도 7은 기판 처리 장치에서, 마이크로파에 의한 어닐 처리만을 실시하고 있는 상태를 모식적으로 도시한 도면이다.
이하, 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
우선, 도 1을 참조하여, 본 발명의 일실시예에 따른 기판 처리 장치에 대하여 설명한다. 도 1은 기판 처리 장치(1)의 개략의 구성을 도시한 단면도이다. 도 2는 기판 처리 장치(1)에서의 마이크로파 도입 장치(3)의 개략의 구성을 도시한 설명도이다. 도 3은 마이크로파 도입 장치(3)의 고전압 전원부의 개략의 구성을 도시한 설명도이다. 도 4는 도 1에 도시한 처리 용기(2)의 저벽부(13)의 상면을 도시한 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는 연속하는 복수의 동작을 수반하여, 예를 들면 반도체 디바이스 제조용의 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 '웨이퍼'라고 기술함)(W)에 대하여, 플라즈마 처리와, 마이크로파 조사에 의한 어닐 처리의 양방을 실시하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 여기서, 평판 형상을 이루는 웨이퍼(W)에서, 면적이 넓은 상하의 면 중, 상면이 반도체 디바이스의 형성면이며, 이 면을 처리 대상이 되는 주면으로 한다.
기판 처리 장치(1)는, 피처리체인 웨이퍼(W)를 수용하는 처리 용기(2)와, 처리 용기(2) 내로 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치(3)와, 처리 용기(2) 내에서 웨이퍼(W)를 지지하는 지지 부재로서의 재치대(載置臺)(4)와, 처리 용기(2) 내로 가스를 공급하는 가스 공급 기구(5)와, 처리 용기(2) 내를 감압 배기하는 배기 장치(6)와, 이들 기판 처리 장치(1)의 각 구성부를 제어하는 제어부(8)를 구비하고 있다.
<처리 용기>
처리 용기(2)는 금속 재료에 의해 형성되어 있다. 처리 용기(2)를 형성하는 재료로서는, 예를 들면 알루미늄, 알루미늄 합금, 스테인리스 등이 이용된다. 처리 용기(2) 내에는, 진공 배기 가능하게 구성되고, 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 제 1 공간으로서의 플라즈마 처리 공간(S1)과, 마이크로파 도입 장치(3)가 접속되어 마이크로파가 직접 도입되는 제 2 공간으로서의 마이크로파 도입 공간(S2)이 설치되어 있다.
처리 용기(2)는, 상벽으로서의 천장부(11) 및 저벽으로서의 저벽부(13)와, 천장부(11)와 저벽부(13)를 연결하는 측벽으로서의 4 개의 측벽부(12)를 가지고 있다. 측벽부(12)에는 반입출구(12a)와 배기구(12b)가 형성되어 있다. 반입출구(12a)는, 처리 용기(2)에 인접하는 도시하지 않은 반송실과의 사이에서 웨이퍼(W)의 반입출을 행하기 위한 것이다. 처리 용기(2)와 도시하지 않은 반송실과의 사이에는 게이트 밸브(GV)가 설치되어 있다. 게이트 밸브(GV)는 반입출구(12a)를 개폐하는 기능을 가지고, 폐쇄 상태로 처리 용기(2)의 플라즈마 처리 공간(S1)을 기밀하게 씰링하고, 또한 개방 상태로 처리 용기(2)의 플라즈마 처리 공간(S1)과 도시하지 않은 반송실과의 사이에서 웨이퍼(W)의 이송을 가능하게 한다. 또한 저벽부(13)에는, 처리 용기(2) 내로 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입부로서, 상하로 관통하는 복수의 마이크로파 도입 포트(10)가 형성되어 있다. 각 마이크로파 도입 포트(10)는, 긴 변과 짧은 변을 가지는, 평면에서 봤을 때, 직사각형을 이루고 있다. 각 마이크로파 도입 포트(10)의 크기, 또는 긴 변과 짧은 변의 비는, 마이크로파 도입 포트(10)마다 상이해도 된다. 단, 웨이퍼(W)에 대한 어닐 처리 및 플라즈마 처리의 균일성을 높이고, 또한 제어성을 좋게 하는 관점으로부터, 복수의 마이크로파 도입 포트(10)의 모두가 동일한 크기 및 형상인 것이 바람직하다.
<지지 부재>
웨이퍼(W)를 지지하는 지지 부재로서의 재치대(4)는, 처리 용기(2)의 저벽부(13)에 스페이서(14)를 개재하여 배치되어 있다. 재치대(4)는, 마이크로파를 흡수하기 어렵고, 마이크로파를 투과시키기 쉬운 마이크로파 투과성 재료에 의해 구성되어 있다. 즉, 재치대(4)는, 유전 가열에 의한 온도 상승이 작은 재질로 형성되어 있다. 마이크로파 투과성 재료로서는, 예를 들면 석영, 또는 알루미나 등의 세라믹스, 합성 수지 등의 유전체를 들 수 있다. 이들 유전체 중에서도, 내열성을 가지고, 마이크로파를 투과시키기 쉬운 석영을 이용하는 것이 가장 바람직하다.
유전 가열에 의한 온도 상승은, 물질의 비유전률과 유전 손실각의 곱에 비례한다. 이 곱이 0.005보다 작은 재료, 보다 바람직하게는 0.001 이하의 재료를 이용하면, 재치대(4)의 발열을 억제할 수 있다고 생각된다. 본 실시예에서의 재치대(4)는, 그 곱이 0.005보다 작은 재질로서, 예를 들면 석영을 이용하여 형성되어 있다. 이 때문에, 재치대(4)는, 웨이퍼(W)에 대하여 방사되는 마이크로파의 대부분을 투과한다. 그 결과, 재치대(4) 그 자체가 발열하거나, 재치대(4)에서 마이크로파가 반사하여, 웨이퍼(W) 근방의 영역에서 전계 분포의 균일성이 흐트러지는 것을 억제할 수 있다. 또한 재치대(4)는, 웨이퍼(W)가 가열 처리될 시의 온도에 견딜 수 있을 필요가 있다. 웨이퍼(W)의 가열 온도는, 그 용도에 따라 대략 200 ℃ ~ 850 ℃ 정도이므로, 재치대(4)는 석영과 같이 내열 온도가 900 ℃ 이상의 재료로 형성되는 것이 바람직하다.
또한, 석영 이외에 비유전률과 유전 손실각의 곱이 0.005보다 작아지는 재료로서는, 예를 들면 폴리테트라플루오르에틸렌 또는 폴리스틸렌 등을 들 수 있다. 폴리테트라플루오르에틸렌 또는 폴리스틸렌은, 내열 온도가 200 ℃ 정도로 석영과 비교하여 낮기 때문에, 200 ℃ 정도까지의 비교적 저온에서 웨이퍼(W)의 가열 처리를 행할 경우에, 재치대(4)의 재료로서 바람직하게 사용할 수 있다.
재치대(4)의 상면에는, 웨이퍼(W)를 재치하는 재치면(4a)이 형성되어 있다. 재치면(4a)은, 재치대(4)의 표면 중 플라즈마 처리 공간(S1)에 직접 면하는 부분이기도 하다. 본 실시예의 기판 처리 장치(1)에서는, 재치면(4a)의 크기(면적) 및 형상은, 웨이퍼(W)의 크기(면적) 및 형상과 대략 동일하게 되도록 구성되어 있다. 따라서, 재치대(4)를 투과한 마이크로파를, 재치면(4a)의 전체로부터, 웨이퍼(W)의 전체에 균등하게 조사할 수 있다. 또한 재치대(4)를 투과한 마이크로파를, 웨이퍼(W)의 전체로부터, 웨이퍼(W)의 상부의 플라즈마 처리 공간(S1)에 방사시킬 수 있다. 따라서, 웨이퍼(W)의 면내에서의 가열 온도의 균일화를 도모할 수 있고, 또한 웨이퍼(W)의 상방의 플라즈마 처리 공간(S1)에서 균일한 분포로 플라즈마를 생성시킬 수 있다.
스페이서(14)는, 처리 용기(2)의 저벽부(13)의 상면과 재치대(4)의 하면과의 사이에 마이크로파 도입 공간(S2)을 형성하기 위하여 설치되어 있다. 스페이서(14)로서는, 내열성을 가지는 합성 수지를 이용하는 것이 바람직하고, 예를 들면 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리이미드 등의 합성 수지 필름을 이용하는 것이 보다 바람직하다.
또한 도시는 생략하지만, 웨이퍼(W)와 재치대(4) 간의 밀착성을 높이기 위하여, 웨이퍼(W)를 재치대(4)의 재치면(4a)에 누르는 클램프 기구를 설치하는 것이 바람직하다. 웨이퍼(W)의 이면과 재치대(4) 간에 극간이 발생하면, 그 극간에서 이상 방전이 발생하거나, 극간의 유무에 의해 마이크로파의 위상이 변화하여, 웨이퍼(W)의 면내에 온도 분포가 발생할 가능성이 있다. 클램프 기구를 설치함으로써, 웨이퍼(W)를 재치대(4)에 밀착시켜, 이상 방전의 발생 또는 웨이퍼(W)의 면내 온도 차를 해소할 수 있다. 클램프 기구로서는 기존의 구성의 것을 이용할 수 있다.
재치대(4)의 내부에는, 재치대(4) 상에 재치된 웨이퍼(W)의 온도 조절을 행하기 위한 열 매체를 통류시키는 유로(15)가 설치되어 있다. 유로(15)는, 저벽부(13)를 관통하여 형성되어 있는 도입관(16a) 및 도출관(16b)에 접속되어 있고, 이들 도입관(16a) 및 도출관(16b)은 순환 장치(17)에 접속되어 있다. 순환 장치(17)는 도시는 생략 하지만, 열 매체를 순환시키기 위한 펌프, 열 매체를 가열 혹은 냉각하는 열 교환기 등을 구비하고 있다. 순환 장치(17)로부터 도입관(16a)을 거쳐 재치대(4)의 유로(15)로 온도 조절된 열 매체를 도입하고, 도출관(16b)으로부터 배출하여 순환 장치(17)로 환류시킴으로써 재치대(4) 상에 재치된 웨이퍼(W)를 냉각 혹은 가열할 수 있다.
유로(15)는, 예를 들면 재치대(4)의 내부를 절삭함으로써 형성되어 있다. 이 경우, 재치대(4)는, 복수의 부재(예를 들면 석영판)를 접합함으로써 형성해도 된다. 또한 유로(15)는 반드시 절삭에 의해 형성할 필요는 없고, 어떻게 형성할지는 임의로 선택이 가능하다. 또한, 유로(15)의 배치에 대해서는, 웨이퍼(W)의 전체 면을 효율적으로 가열 또는 냉각할 수 있는 것이면 되고, 예를 들면 평면에서 봤을 때 소용돌이 형상이 되는 것과 같은 배치, 또는 재치대(4)의 내부에서 반복 절곡되는 것과 같은 배치 등 임의의 배치로 할 수 있다.
열 매체로서는 전기적 극성을 갖지 않는 액체가 바람직하게 이용된다. 전기적 극성을 갖지 않는 액체는, 마이크로파를 흡수하지 않기 때문에, 마이크로파의 유전 가열에 의한 온도 상승을 최저한으로 억제할 수 있다. 전기적 극성을 갖지 않는 액체의 일례로서는, 예를 들면 불소 유기계의 액체로서 퍼플루오르폴리에테르(PFPE) 등을 들 수 있다. 이와 같이 전기적 극성을 갖지 않는 액체를 열 매체로서 이용함으로써, 재치대(4)를 투과하는 마이크로파에 의한 영향을 받기 어려워진다. 예를 들면, 재치대(4)에 마이크로파를 투과시키면서, 열 매체에 의해 웨이퍼(W)의 냉각을 행할 경우에도, 유로(15) 내의 전기적 극성을 갖지 않는 열 매체는 마이크로파에 의해 대부분 가열되지 않는다. 따라서, 열 매체와 재치대(4)의 열 교환이 지배적이 되어, 안정되고 효율 좋게 웨이퍼(W)를 냉각할 수 있다.
<승강 지지 장치>
승강 지지 장치(18)는, 웨이퍼(W)를 지지하면서, 그 높이 위치를 변화시키는 높이 변위 기구를 구성하고 있다. 승강 지지 장치(18)는, 재치대(4)에의 웨이퍼(W)의 재치, 및 도시하지 않은 반송 장치와의 사이에서 웨이퍼(W)를 전달할 시 사용된다. 승강 지지 장치(18)는, 저벽부(13)를 관통하여 형성된 개구(13a) 및 측벽부(12)의 삽입 관통홀(12c)에 삽입 관통된 샤프트(19)와, 샤프트(19)의 상단에 연결된 지지 암(20)과, 샤프트(19)를 개재하여 지지 암(20)을 상하로 승강시키는 승강 구동부(21)를 구비하고 있다. 샤프트(19)의 하부는 개구(13a)를 개재하여 처리 용기(2)의 외부로 돌출되어 있다. 또한, 승강 구동부(21)는 처리 용기(2)의 외부에 배치되어 있다. 개구(13a)의 주위에는, 예를 들면 벨로우즈 등의 진공 보지 부재(22)가 설치되어 있다. 진공 보지 부재(22)에 의해 개구(13a), 삽입 관통홀(12c) 및 플라즈마 처리 공간(S1)의 기밀성이 유지되고, 진공 상태가 보지된다.
지지 암(20)은, 기부(基部)(20a)와 기부(20a)로부터 수평 방향으로 연장되는 환상부(環狀部)(20b)를 가지고 있다. 기부(20a)는 샤프트(19)에 연결되어 있다. 환상부(20b)는, 원형의 웨이퍼(W)의 외연을 따른 형상을 이루고, 웨이퍼(W)의 이면의 엣지부에 접촉하여 웨이퍼(W)를 지지한다. 지지 암(20)은, 승강 구동부(21)를 구동시킴으로써, 샤프트(19)와 함께 상하 방향으로 승강 변위하도록 구성되어 있다. 지지 암(20)은, 마이크로파가 투과하기 쉬워지도록, 예를 들면 석영, 세라믹스 등의 유전체 재료에 의해 형성되어 있다. 승강 구동부(21)는, 샤프트(19)를 승강 변위시킬 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들면 도시하지 않은 볼 나사 등을 구비하고 있어도 된다. 또한, 웨이퍼(W)의 높이 위치를 변화시키는 변위 기구는, 그 목적을 실현할 수 있으면 도 1과는 상이한 구성이어도 된다.
<가스 도입 기구>
기판 처리 장치(1)는, 또한 처리 용기(2) 내로 가스를 공급하는 가스 공급 기구(5)를 구비하고 있다. 가스 공급 기구(5)는, 도시하지 않은 복수의 가스 공급원을 구비한 가스 공급 장치(5a)와, 가스 공급 장치(5a)에 접속되고, 처리 용기(2) 내로 가스를 도입하는 복수의 배관(23)(1 개만 도시)을 구비하고 있다. 복수의 가스 공급원은, 상이한 종류의 가스를 저류하고 있고, 복수의 배관(23)은, 각 가스 공급원으로부터 각각 처리 용기(2)의 천장부(11)에 접속되어 있다.
천장부(11)에는, 처리 용기(2) 내로 가스를 도입하는 가스 도입부로서의 샤워 헤드(24)가 설치되어 있다. 샤워 헤드(24)는, 플라즈마 처리 공간(S1)에 면하도록, 재치대(4)의 상방에 설치되어 있다. 샤워 헤드(24)의 하면은, 재치대(4)의 상면(재치면(4a))과 평행하게 대향하여 배치되어 있다. 샤워 헤드(24)의 하면에는 복수의 가스 분사홀(24a)이 형성되어 있다. 또한 샤워 헤드(24) 내에는, 배관(23)에 연통하고, 가스를 확산시키는 가스 확산 공간(24b)이 설치되어 있다. 각 배관(23)은, 일단측이 가스 공급 장치(5a)에 접속되고, 타단측이 샤워 헤드(24)에 접속되어 있다. 각 배관(23)으로부터, 샤워 헤드(24) 내의 가스 확산 공간(24b)으로 도입된 가스는, 복수의 가스 분사홀(24a)을 거쳐 샤워 헤드(24)의 하방의 플라즈마 처리 공간(S1)으로 공급된다.
가스 공급 장치(5a)는, 복수의 배관(23) 및 샤워 헤드(24)를 거쳐, 예를 들면 성막 가스, 에칭 가스, 플라즈마 생성용의 희가스 등, 플라즈마 처리의 목적에 따라 적절한 가스종을 선택하여, 처리 용기(2) 내로 공급할 수 있도록 구성되어 있다. 도시하지 않지만, 기판 처리 장치(1)는, 또한 배관(23)의 도중에 설치된 매스 플로우 컨트롤러 및 개폐 밸브를 구비하고 있다. 처리 용기(2) 내로 공급되는 가스의 종류, 또는 이들 가스의 유량 등은 매스 플로우 컨트롤러 및 개폐 밸브에 의해 제어된다.
또한 가스 공급 장치(5a) 대신에, 기판 처리 장치(1)의 구성에는 포함되지 않는 외부의 가스 공급 장치를 사용해도 된다. 또한, 가스를 도입하는 가스 도입부는 천장부(11) 이외의 위치, 예를 들면 측벽부(12) 등에 설치해도 된다.
<배기 기구>
배기 장치(6)는 예를 들면 드라이 펌프, 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프를 가지고 있다. 기판 처리 장치(1)는, 또한 측벽부(12)에 형성된 배기구(12b)와 배기 장치(6)를 접속하는 배기관(25), 및 배기관(25)의 도중에 설치된 압력 조정 밸브(26)를 구비하고 있다. 배기 장치(6)는, 배기관(25) 및 배기구(12b)를 개재하여 처리 용기(2) 내의 플라즈마 처리 공간(S1)에 접속되어 있다. 따라서, 배기 장치(6)의 진공 펌프를 작동시킴으로써, 플라즈마 처리 공간(S1)이 소정의 압력까지 감압 배기된다.
<온도 계측부>
기판 처리 장치(1)는 도시를 생략하지만, 또한 웨이퍼(W)의 표면 온도를 측정하는 복수의 방사 온도계와, 복수의 방사 온도계에 접속된 온도 계측부를 구비하고 있다.
<마이크로파 도입 장치>
이어서, 도 1 ~ 도 4를 참조하여, 마이크로파 도입 장치(3)의 구성에 대하여 설명한다. 전술한 바와 같이, 마이크로파 도입 장치(3)는, 처리 용기(2)의 하방에 설치되고, 처리 용기(2) 내로 전자파(마이크로파)를 도입하는 마이크로파 도입 수단으로서 기능한다. 도 1에 도시한 바와 같이, 마이크로파 도입 장치(3)는, 마이크로파를 처리 용기(2)로 도입하는 복수의 마이크로파 유닛(MW)(30)과, 복수의 마이크로파 유닛(MW)(30)에 접속된 고전압 전원부(40)를 구비하고 있다.
(마이크로파 유닛)
본 실시예에서는, 복수의 마이크로파 유닛(MW)(30)의 구성은 모두 동일하다. 도 2에서는 2 개의 마이크로파 유닛(MW)(30)의 상세를 도시하고 있다. 각 마이크로파 유닛(MW)(30)은, 웨이퍼(W)를 처리하기 위한 마이크로파를 생성하는 마그네트론(31)과, 마그네트론(31)에서 생성된 마이크로파를 처리 용기(2)로 전송하는 전송로로서의 도파관(32)을 가지고 있다. 마그네트론(31)은 본 발명에서의 마이크로파원에 대응한다. 마이크로파 유닛(MW)(30)은, 또한 도파관(32)의 도중에 설치된 서큘레이터(34), 검출기(35) 및 튜너(36)와, 서큘레이터(34)에 접속된 더미 로드(37)를 가지고 있다. 서큘레이터(34), 검출기(35) 및 튜너(36)는, 도파관(32)의 마그네트론(31)과의 접속단측으로부터 이 순으로 설치되어 있다.
도 4에 도시한 바와 같이, 본 실시예에서는, 처리 용기(2)는, 저벽부(13)에서 둘레 방향으로 등간격으로 배치된 4 개의 마이크로파 도입 포트(10)를 가지고 있다. 본 실시예에서는, 각 마이크로파 도입 포트(10)에 각각 마이크로파 유닛(MW)(30)이 접속되어 있다. 즉, 마이크로파 유닛(MW)(30)의 수는 4 개이다.
마그네트론(31)은, 고전압 전원부(40)에 의해 공급되는 고전압이 인가되는 양극 및 음극(모두 도시 생략)을 가지고 있다. 또한 마그네트론(31)으로서는, 다양한 주파수의 마이크로파를 발진할 수 있는 것을 이용할 수 있다. 마그네트론(31)에 의해 생성되는 마이크로파는, 예를 들면 ISM(Industry-Science-Medical) 밴드 중에서, 피처리체의 처리마다 최적의 주파수를 선택할 수 있다. 마이크로파의 주파수는, 예를 들면 915 MHz, 2.45 GHz, 5.8 GHz, 24 GHz 등이 바람직하고, 5.8 GHz가 특히 바람직하다.
도파관(32)은, 단면이 직사각형 또한 각통 형상의 형상을 가지고, 처리 용기(2)의 저벽부(13)의 하면으로부터 하방으로 연장되어 있다. 도파관(32)의 상단부는 마이크로파 도입 포트(10)에 접속되어 있다. 도파관(32)의 타단측에는 마그네트론(31)이 접속되어 있다. 마그네트론(31)에서 생성된 마이크로파는, 도파관(32)을 거쳐 처리 용기(2) 내로 도입된다.
서큘레이터(34) 및 더미 로드(37)는, 처리 용기(2)로부터의 반사파를 분리하는 아이솔레이터를 구성한다. 즉, 서큘레이터(34)는 처리 용기(2)로부터의 반사파를 더미 로드(37)로 유도하고, 더미 로드(37)는 서큘레이터(34)에 의해 유도된 반사파를 열로 변환한다.
검출기(35)는, 도파관(32)에서의 처리 용기(2)로부터의 반사파를 검출하기 위한 것이다. 검출기(35)는 예를 들면 임피던스 모니터, 구체적으로, 도파관(32)에서의 정재파의 전계를 검출하는 정재파 모니터에 의해 구성되어 있다. 정재파 모니터는, 예를 들면 도파관(32)의 내부 공간으로 돌출되는 3 개의 핀에 의해 구성할 수 있다. 정재파 모니터에 의해 정재파의 전계의 장소, 위상 및 강도를 검출함으로써, 처리 용기(2)측으로부터의 반사파를 검출할 수 있다. 또한 검출기(35)는, 진행파와 반사파를 검출하는 것이 가능한 방향성 결합기에 의해 구성되어 있어도 된다.
튜너(36)는, 마그네트론(31)과 처리 용기(2) 간의 임피던스의 매칭(이하, 단순히 '매칭'이라고 기술하는 경우가 있음)을 행하는 기능을 가지고 있다. 튜너(36)에 의한 매칭은, 검출기(35)에서의 반사파의 검출 결과에 기초하여 행해진다. 튜너(36)는, 예를 들면 도파관(32)의 내부 공간에 출입할 수 있도록 설치된 도체판(도시 생략)에 의해 구성할 수 있다. 이 경우, 도체판의, 도파관(32)의 내부 공간에의 돌출량을 제어함으로써, 반사파의 전력량을 조정하여, 마그네트론(31)과 처리 용기(2) 간의 임피던스를 조정할 수 있다.
(고전압 전원부)
고전압 전원부(40)는, 마그네트론(31)에 대하여 마이크로파를 생성하기 위한 고전압을 공급한다. 도 3에 도시한 바와 같이, 고전압 전원부(40)는, 상용 전원에 접속된 AC - DC 변환 회로(41)와, AC - DC 변환 회로(41)에 접속된 스위칭 회로(42)와, 스위칭 회로(42)의 동작을 제어하는 스위칭 컨트롤러(43)와, 스위칭 회로(42)에 접속된 승압 트랜스(44)와, 승압 트랜스(44)에 접속된 정류 회로(45)를 가지고 있다. 마그네트론(31)은 정류 회로(45)를 개재하여 승압 트랜스(44)에 접속되어 있다.
AC - DC 변환 회로(41)는, 상용 전원으로부터의 교류(예를 들면, 삼상 200 V의 교류)를 정류하여 소정의 파형의 직류로 변환하는 회로이다. 스위칭 회로(42)는 AC - DC 변환 회로(41)에 의해 변환된 직류의 온·오프를 제어하는 회로이다. 스위칭 회로(42)에서는, 스위칭 컨트롤러(43)에 의해 페이즈 시프트형의 PWM(Pulse Width Modulation) 제어 또는 PAM(Pulse Amplitude Modulation) 제어가 행해져, 펄스 형상의 전압 파형이 생성된다. 승압 트랜스(44)는, 스위칭 회로(42)로부터 출력된 전압 파형을 소정의 크기로 승압하는 것이다. 정류 회로(45)는, 승압 트랜스(44)에 의해 승압된 전압을 정류하여 마그네트론(31)으로 공급하는 회로이다.
<플라즈마 처리 공간 및 마이크로파 도입 공간>
상기한 바와 같이, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(2) 내에서, 천장부(11), 4 개의 측벽부(12) 및 재치대(4)로 구획되는 공간이 플라즈마 처리 공간(S1)을 형성하고 있다. 플라즈마 처리 공간(S1)에는, 가스 공급 기구(5)가 접속되어 플라즈마 처리용의 가스가 도입된다. 또한, 플라즈마 처리 공간(S1)에는 배기 장치(6)가 접속되어 있고, 소정의 압력까지 진공 배기하는 것이 가능하게 구성되어 있다. 한편, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(2) 내에서, 저벽부(13), 4 개의 측벽부(12) 및 재치대(4)로 구획되는 공간이 마이크로파 도입 공간(S2)을 형성하고 있다. 이 마이크로파 도입 공간(S2)에는, 저벽부(13)에 설치된 복수의 마이크로파 도입 포트(10)를 개재하여 마이크로파 도입 장치(3)가 접속되어 있다. 마이크로파 도입 공간(S2)으로는 각 마이크로파 도입 포트(10)로부터 마이크로파가 도입된다.
플라즈마 처리 공간(S1)과 마이크로파 도입 공간(S2)의 사이에는, 재치대(4)가 개재되어, 두 개의 공간을 격리하고 있다. 즉, 재치대(4)는, 플라즈마 처리 공간(S1)과 마이크로파 도입 공간(S2)을 구별하는 격벽의 역할을 하고 있다. 재치대(4)와 측벽부(12)의 사이에는 씰 부재로서의 O링(50)이 배치되어 있다. O링(50)에 의해, 플라즈마 생성 시에 진공 배기되는 플라즈마 처리 공간(S1)과 대기측의 마이크로파 도입 공간(S2)과의 기밀성이 확보된다. 또한, O링(50)의 배설 부위에는, 재치대(4)와 측벽부(12)가 직접 접촉하는 것을 피하기 위하여, 수지 시트(51)가 배치되어 있다. 수지 시트(51)로서는, 내열성을 가지는 합성 수지를 이용하는 것이 바람직하고, 예를 들면 폴리테트라플루오르에틸렌, 폴리이미드 등의 합성 수지 필름을 이용하는 것이 보다 바람직하다. 또한, 상기 O링(50)의 배치 부위를 제외하고, 재치대(4)의 측부와 측벽부(12)의 사이는 접촉을 피하기 위하여, 극간을 형성해 두는 것이 바람직하다. 이러한 극간을 형성함으로써, 재치대(4)의 측부와 측벽부(12)와의 경계 부분에서의 방전(플라즈마 발생)을 억제할 수 있다.
일반적인 플라즈마 처리 장치에서, 처리 용기 내에서 플라즈마를 생성시키고 있는 상태에서는, 처리 용기 내로 도입된 마이크로파는, 통상, 대부분이 플라즈마에 의해 소비되기 때문에, 웨이퍼(W)의 가열에는 대부분 이용되지 않는다. 그러나 본 실시예의 기판 처리 장치(1)에서는, 처리 용기(2) 내의 마이크로파 도입 공간(S2)으로 도입되고, 재치대(4)를 투과한 마이크로파를, 우선 웨이퍼(W)에 조사시킬 수 있다. 즉, 기판 처리 장치(1)에서는, 플라즈마 처리 공간(S1)과 마이크로파 도입 공간(S2)의 사이의 격벽이며, 또한 웨이퍼(W)를 지지하는 재치대(4)를, 마이크로파 투과창으로서도 기능시키고 있다. 따라서, 마이크로파 투과창(재치대(4))을 투과한 마이크로파는, 플라즈마 처리 공간(S1)에 도달하여 플라즈마에 소비되기 전에, 우선적으로 웨이퍼(W)의 가열에 이용된다. 그리고 플라즈마 처리 공간(S1)에서는, 재치대(4)를 투과하고, 또한 웨이퍼(W)를 투과한 마이크로파에 의해 플라즈마가 형성되고, 이 플라즈마를 이용하여 웨이퍼(W)에 대한 플라즈마 처리를 행할 수 있다.
본 실시의 기판 처리 장치(1)에서는, 플라즈마 처리 공간(S1)에 면하는 재치대(4)의 상면의 면적을, 웨이퍼(W)의 면적보다 유의하게 크게, 예를 들면 웨이퍼(W)의 면적의 1.5 배 ~ 3 배 정도가 되도록 형성해 둘 수도 있다. 이 경우, 재치대(4)의 웨이퍼(W)가 존재하지 않는 영역에서는, 재치대(4)를 투과한 마이크로파가, 직접, 플라즈마 처리 공간(S1)에 방사된다. 이와 같이, 재치대(4)를 투과한 마이크로파 중, 일정 비율의 마이크로파를 웨이퍼(W)에 조사시키지 않고, 직접 플라즈마 처리 공간(S1)에 도달시킴으로써, 많은 마이크로파를 플라즈마 처리 공간(S1)으로 공급하는 것이 가능해진다. 즉, 이 방법에서는, 동일한 마이크로파 출력이라도, 플라즈마 처리 공간(S1)에 도달하는 마이크로파의 비율을 증가시킬 수 있다. 따라서, 이 방법은, 기판 처리 장치(1)에서, 플라즈마 생성에 많은 마이크로파의 공급을 필요로 하는 종류의 플라즈마 처리를 실시하는 경우에 유효하다.
<제어부>
기판 처리 장치(1)의 각 구성부는, 각각 제어부(8)에 접속되어, 제어부(8)에 의해 제어된다. 제어부(8)는 전형적으로는 컴퓨터이다. 도 5는 도 1에 도시한 제어부(8)의 구성을 도시한 설명도이다. 도 5에 도시한 예에서는, 제어부(8)는 CPU를 구비한 프로세스 컨트롤러(81)와, 이 프로세스 컨트롤러(81)에 접속된 유저 인터페이스(82) 및 기억부(83)를 구비하고 있다.
프로세스 컨트롤러(81)는, 기판 처리 장치(1)에서, 예를 들면 압력, 가스 유량, 마이크로파 출력 등의 프로세스 조건에 관계하는 각 구성부(예를 들면, 마이크로파 도입 장치(3), 가스 공급 장치(5a), 배기 장치(6), 승강 지지 장치(18) 등)를 통괄하여 제어하는 제어 수단이다.
유저 인터페이스(82)는, 공정 관리자가 기판 처리 장치(1)를 관리하기 위하여 커멘드의 입력 조작 등을 행하는 키보드 및 터치 패널, 기판 처리 장치(1)의 가동 상황을 가시화하여 표시하는 디스플레이 등을 가지고 있다.
기억부(83)에는, 기판 처리 장치(1)에서 실행되는 각종 처리를 프로세스 컨트롤러(81)의 제어에 의해 실현하기 위한 제어 프로그램(소프트웨어), 또는 처리 조건 데이터 등이 기록된 레시피 등이 보존되어 있다. 프로세스 컨트롤러(81)는, 유저 인터페이스(82)로부터의 지시 등, 필요에 따라 임의의 제어 프로그램 또는 레시피를 기억부(83)로부터 호출하여 실행한다. 이에 의해, 프로세스 컨트롤러(81)에 의한 제어 하에서, 기판 처리 장치(1)의 처리 용기(2) 내에서 원하는 처리가 행해진다.
상기한 제어 프로그램 및 레시피는, 예를 들면 CD-ROM, 하드 디스크, 플렉시블 디스크, 플래시 메모리, DVD 등의 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 저장된 상태의 것을 이용할 수 있다. 또한 상기의 레시피는, 다른 장치로부터, 예를 들면 전용 회선을 개재하여 수시 전송시켜 온라인으로 이용하는 것도 가능하다.
이상의 구성을 가지는 기판 처리 장치(1)에서는, 웨이퍼(W)에 대하여, 마이크로파를 조사한 가열 처리 및 마이크로파에 의해 생성한 플라즈마를 이용한 플라즈마 처리의 양방을 행할 수 있다. 특히 바람직한 태양으로서, 기판 처리 장치(1)에서는, 웨이퍼(W)에 대하여, 어닐 처리와 동시에 플라즈마 처리를 실시하는 것이 가능하다.
[처리 순서]
이어서, 기판 처리 장치(1)에서, 웨이퍼(W)에 대하여 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 실시할 시의 처리의 순서에 대하여 설명한다. 우선, 예를 들면 유저 인터페이스(82)로부터, 기판 처리 장치(1)에서 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 행하도록, 프로세스 컨트롤러(81)에 지령이 입력된다. 이어서, 프로세스 컨트롤러(81)는, 이 지령을 받아, 기억부(83) 또는 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체에 보존된 레시피를 독출한다. 이어서, 레시피에 기초하는 조건에 의해 어닐 처리와 플라즈마 처리가 동시에 실행되도록, 프로세스 컨트롤러(81)로부터 기판 처리 장치(1)의 각 엔드 디바이스(예를 들면, 마이크로파 도입 장치(3), 가스 공급 장치(5a), 배기 장치(6), 승강 지지 장치(18) 등)로 제어 신호가 송출된다.
이어서, 게이트 밸브(GV)가 개방 상태가 되어, 도시하지 않은 반송 장치에 의해, 웨이퍼(W)가, 반입출구(12a)를 통하여 처리 용기(2) 내로 반입되고, 지지 암(20) 상으로 전달된다. 이어서, 지지 암(20)을 전달 위치로부터 하강시킴으로써, 웨이퍼(W)가 재치대(4) 상에 세팅된다. 이어서, 게이트 밸브(GV)가 폐쇄 상태가 되고, 배기 장치(6)에 의해, 처리 용기(2) 내의 플라즈마 처리 공간(S1)이 감압 배기된다. 또한, 마이크로파 도입 공간(S2)은 대기압인 상태, 또는 방전이 일어나기 어려운 대기압 근방의 압력이며, 예를 들면 70 kPa ~ 100 kPa의 범위 내의 압력이다. 이어서, 가스 공급 장치(5a)에 의해, 소정의 유량의 가스가 샤워 헤드(24)로부터 처리 용기(2) 내의 플라즈마 처리 공간(S1)으로 도입된다. 플라즈마 처리 공간(S1)은, 배기량 및 가스 공급량을 조정함으로써, 소정의 압력 예를 들면 10 ~ 1000 Pa의 범위 내로 조정된다.
이어서, 고전압 전원부(40)로부터 마그네트론(31)에 대하여 전압을 인가하고, 마이크로파를 생성한다. 마그네트론(31)에서 생성된 마이크로파는, 도파관(32)을 전반 하고, 저벽부(13)에 형성된 마이크로파 도입 포트(10)를 투과하여, 처리 용기(2) 내의 마이크로파 도입 공간(S2)으로 도입된다. 본 실시예에서는, 예를 들면 복수의 마그네트론(31)에서 순차 마이크로파를 생성하고, 각 마이크로파 도입 포트(10)로부터 교호로 마이크로파를 마이크로파 도입 공간(S2)으로 도입한다. 또한, 복수의 마그네트론(31)에서 동시에 복수의 마이크로파를 생성시키고, 각 마이크로파 도입 포트(10)로부터 동시에 마이크로파를 마이크로파 도입 공간(S2)으로 도입하도록 해도 된다.
마이크로파 도입 공간(S2)으로 도입된 마이크로파는, 석영 등의 마이크로파 투과성 재료에 의해 형성된 재치대(4)를 투과하고, 웨이퍼(W)의 이면측에 조사되어, 줄 가열, 자성 가열, 유도 가열 등의 전자파 가열에 의해 웨이퍼(W)가 신속히 가열된다. 그 결과, 웨이퍼(W)에 대하여 어닐 처리가 실시된다. 어닐 처리 동안에, 유로(15)에 예를 들면 냉매 등의 열 매체를 통류시킴으로써, 웨이퍼(W)의 국소적인 냉각 등의 온도 조절을 행할 수 있다. 이에 의해, 웨이퍼(W) 면내에서의 가열 온도를 균일화할 수 있다.
또한, 재치대(4)를 투과한 마이크로파의 대부분은, 웨이퍼(W)도 투과하여, 플라즈마 처리 공간(S1)에 도달한다. 이 때문에, 플라즈마 처리 공간(S1)에 도달한 마이크로파에 의해, 샤워 헤드(24)로부터 도입된 가스가 활성화되고, 플라즈마가 생성된다. 이 플라즈마에 의해, 웨이퍼(W)의 상면(즉, 주면)에 소정의 플라즈마 처리가 실시된다.
도 6은, 기판 처리 장치(1)에서, 웨이퍼(W)에 대하여 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 실시하고 있는 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 이 경우, 마이크로파 도입 장치(3)에 의해 마이크로파 도입 공간(S2)으로 도입된 마이크로파(200)는, 재치대(4)를 투과하여 웨이퍼(W)에 조사되고 있다. 웨이퍼(W)에 조사된 마이크로파(200)의 대부분은, 또한 웨이퍼(W)를 투과하여 플라즈마 처리 공간(S1)에 방사되어 있다. 플라즈마 처리 공간(S1)에는, 가스 공급 기구(5)로부터의 가스(201)가 샤워 헤드(24)를 거쳐 도입되고, 또한 압력 등의 플라즈마 생성 조건이 갖춰져 있기 때문에, 플라즈마 처리 공간(S1)에서 플라즈마(202)가 생성되고 있다. 생성된 플라즈마(202)에 의해, 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리가 행해진다. 이와 같이, 본 실시예의 기판 처리 방법에서는, 웨이퍼(W)에 대하여, 마이크로파 조사에 의한 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 행할 수 있다.
여기서, 재치대(4)를 투과한 마이크로파(200) 중에서, 웨이퍼(W)의 가열에 소비되는 비율은, 조건에 따라 상이하지만, 대략 10 ~ 20 % 전후이다. 따라서, 재치대(4)를 투과한 마이크로파(200)의 80 ~ 90 % 전후는, 또한 웨이퍼(W)를 투과하여 플라즈마 처리 공간(S1)에 방사되고, 플라즈마(202)의 형성에 소비되어, 플라즈마 처리에 이용된다. 또한, 재치대(4)를 투과한 마이크로파(200)의 일부는 처리 용기(2)의 벽면 등에도 흡수된다.
프로세스 컨트롤러(81)로부터 기판 처리 장치(1)의 각 엔드 디바이스에 어닐 처리 및 플라즈마 처리를 종료시키는 제어 신호가 송출되면, 마이크로파의 생성이 정지되고, 또한 가스 및 열 매체의 공급이 정지되어, 웨이퍼(W)에 대한 처리가 종료된다. 이어서, 플라즈마 처리 공간(S1)의 압력 조절을 행한 후, 게이트 밸브(GV)가 개방 상태가 된다. 그리고, 웨이퍼(W)를 지지한 지지 암(20)을 전달 위치로 상승시키면, 도시하지 않은 반송 장치로 웨이퍼(W)가 전달되고, 처리 용기(2) 내로부터 반출된다.
기판 처리 장치(1)는, 예를 들면 반도체 디바이스의 제작 공정에서, 웨이퍼(W)의 가열을 수반하는 플라즈마 처리에 널리 이용할 수 있다. 여기서 플라즈마 처리로서는, 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 플라즈마 CVD 등의 플라즈마 성막 처리, 플라즈마 산화, 플라즈마 질화 등의 플라즈마 확산 처리, 플라즈마 에칭 처리, 플라즈마 개질 처리, 플라즈마 애싱 처리, 기판의 불순물 제거 등의 플라즈마 사전 처리 등을 드는 것이 가능하며, 다양한 용도에의 적용이 가능하다.
본 실시예의 기판 처리 장치(1)에 의하면, 처리 용기(2) 내로 도입한 마이크로파를 웨이퍼(W)의 가열 처리와 플라즈마 처리에 이용할 수 있기 때문에, 마이크로파의 이용 효율이 높다. 또한, 마이크로파를 이용함으로써, 종래의 램프 가열 방식 또는 저항 가열 방식의 히터에 비해, 웨이퍼(W)만을 집중하여 가열할 수 있다. 이와 같이, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)는, 에너지의 이용 효율이 매우 뛰어나다. 또한, 마이크로파만을 이용하여 웨이퍼(W)의 가열과 플라즈마 처리를 동시에 행할 수 있으므로, 별도 가열 설비를 필요로 하지 않아, 장치의 간소화를 도모하는 것이 가능하다.
또한 기판 처리 장치(1)에서는, 조건을 선택함으로써, 마이크로파 도입 장치(3)로부터 마이크로파를 도입한 상태에서, 플라즈마 처리 공간(S1)에서 플라즈마를 생성시키지 않고, 웨이퍼(W)에 대하여, 마이크로파에 의한 어닐 처리만을 행하는 것도 가능하다. 구체적으로, 예를 들면
(1) 플라즈마 처리 공간(S1)의 압력을 플라즈마가 생성하기 어려운 1000 Pa를 초과하는 높은 압력(예를 들면 대기압)으로 설정한다;
(2) 플라즈마 처리 공간(S1)으로 플라즈마를 생성하기 쉬운 플라즈마 생성 가스를 포함하는 가스의 도입을 행하지 않는다;
(3) 플라즈마 처리 공간(S1)으로 질소 가스 등의 플라즈마가 생성되기 어려운 가스만을 도입한다; 등의 조건을 선택함으로써, 플라즈마 처리 공간(S1)에 플라즈마를 생성시키지 않는 상태를 만드는 것이 가능하다. 또한 상기 (2)에서, 플라즈마 생성 가스로서는 예를 들면 He, Ne, Ar 등의 희가스를 들 수 있다.
도 7은, 기판 처리 장치(1)에서, 상기 (1) ~ (3) 중 어느 하나의 조건에 따라, 웨이퍼(W)에 대하여 마이크로파에 의한 어닐 처리만을 행하는 단계를 실시하고 있는 상태를 모식적으로 도시하고 있다. 이 경우, 마이크로파 도입 장치(3)에 의해 마이크로파 도입 공간(S2)으로 도입된 마이크로파(200)는, 재치대(4)를 투과하여, 웨이퍼(W)에 조사되고, 또한 웨이퍼(W)를 투과하여 플라즈마 처리 공간(S1)에 방사되어 있지만, 플라즈마 처리 공간(S1)에서 플라즈마는 생성되어 있지 않다. 또한 웨이퍼(W)를 투과한 마이크로파(200)는, 플라즈마 처리 공간(S1) 내에서 반사되고, 재차 웨이퍼(W)의 어닐 처리에 이용된다. 따라서 도 7에서는, 웨이퍼(W)에 대하여, 마이크로파(200)의 조사에 의한 어닐 처리만을 실시할 수 있다.
한편 도 7의 상태로부터, 가스(201)를 가스 공급 기구(5)로부터 샤워 헤드(24)를 거쳐 플라즈마 처리 공간(S1)으로 소정의 유량으로 도입하고, 또한 압력 등의 플라즈마 생성 조건을 갖춤으로써, 도 6에 도시한 바와 같이, 플라즈마 처리 공간(S1)에서 플라즈마(202)를 생성시킬 수 있다. 따라서 도 6의 상태에서는, 웨이퍼(W)에 대하여, 마이크로파 조사에 의한 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 실시할 수 있다.
이와 같이, 본 실시예의 기판 처리 장치(1)에서는, 상기 (1) ~ (3) 중 어느 하나의 조건에 따라, 플라즈마 처리 공간(S1)에서 플라즈마(202)를 생성시키지 않는 상태에서, 웨이퍼(W)에 대하여 마이크로파(200)에 의한 어닐 처리만을 행하는 상태와, 플라즈마 처리 공간(S1)에 플라즈마(202)를 생성시킨 상태에서, 웨이퍼(W)에 대하여 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 행하는 상태를 선택하여 실시하는 것이 가능하다. 즉, 본 실시예의 기판 처리 방법은 기판 처리 장치(1)에서,
i) 웨이퍼(W)에 대하여 마이크로파(200)에 의한 어닐 처리만을 행하는 태양,
ii) 웨이퍼(W)에 대하여 어닐 처리와 플라즈마 처리를 동시에 행하는 태양,
또는,
iii) 상기 i)의 태양과 상기 ii)의 태양을 전환하여 실시하는 태양
을 포함할 수 있다.
상기 iii)의 태양의 구체예로서, 기판 처리 장치(1)에서, 재치대(4)를 투과한 마이크로파(200)에 의해 웨이퍼(W)를 가열하는 단계와, 재치대(4)를 투과한 마이크로파(200)에 의해 웨이퍼(W)를 가열함과 동시에, 플라즈마 처리 공간(S1)에서 플라즈마(202)를 생성시켜 웨이퍼(W)에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 단계를 포함하는 순서를 들 수 있다. 이 경우, 예를 들면 전자의 단계는, 처리 압력을 플라즈마(202)가 발생하기 어려운 1000 Pa를 초과하는 고압에서 행하고, 후자의 단계는, 플라즈마(202)가 발생하기 쉬운 1000 Pa 이하의 저압에서 행할 수 있다. 또한 iii)의 태양에서는, i)를 먼저 실행할지, ii)를 먼저 실행할지, 또는 i)와 ii)의 전환 횟수 등을 자유롭게 선택할 수 있다. 또한, 이들 i) ~ iii)의 태양 중 어느 것을 실시할지는, 웨이퍼(W)에 대한 처리 목적에 따라 선택할 수 있다.
또한 본 발명은 상기 실시예에 한정되지 않고, 다양한 변경이 가능하다. 예를 들면, 본 발명의 기판 처리 장치는, 반도체 웨이퍼를 기판으로 하는 경우에 한정되지 않고, 예를 들면 태양 전지 패널의 기판 또는 플랫 패널 디스플레이용 기판을 기판으로 하는 기판 처리 장치에도 적용할 수 있다.
또한, 기판 처리 장치에서의 마이크로파 유닛(30)의 수(마그네트론(31)의 수) 또는 마이크로파 도입 포트(10)의 수는 상기 실시예에 설명한 수에 한정되지 않는다.
또한, 상기 실시예의 기판 처리 장치(1)에서 마이크로파 도입 공간(S2)에 근접한 위치에 마이크로파를 전파시키는 안테나를 배치할 수도 있다.
또한 상기 실시예의 기판 처리 장치(1)에서는, 재치대(4)를 격벽으로서 기능시킴으로써, 플라즈마 처리 공간(S1)을 처리 용기(2)의 상부에 형성하고, 마이크로파 도입 공간(S2)을 처리 용기(2)의 하부에 형성했다. 그러나, 상하를 반대로 하여, 플라즈마 처리 공간(S1)을 처리 용기(2)의 하부에 형성하고, 마이크로파 도입 공간(S2)을 처리 용기(2)의 상부에 형성해도 된다. 이 경우, 재치대(4) 대신에 마이크로파 투과창을 설치하고, 상하를 반전시킨 웨이퍼(W)를, 임의의 지지 수단에 의해 당해 마이크로파 투과창에 밀착시켜 배치함으로써, 도 1에 도시한 기판 처리 장치(1)와 동일한 처리를 실현할 수 있다.
1 : 기판 처리 장치
2 : 처리 용기
3 : 마이크로파 도입 장치
4 : 재치대
4a : 재치면
5 : 가스 공급 기구
5a : 가스 공급 장치
6 : 배기 장치
8 : 제어부
10 : 마이크로파 도입 포트
11 : 천장부
12 : 측벽부
12a : 반입출구
12b : 배기구
12c : 삽입 관통홀
13 : 저벽부
14 : 스페이서
15 : 유로
16a : 도입관
16b : 도출관
17 : 순환 장치
18 : 승강 지지 장치
19 : 샤프트
20 : 지지 암
23 : 배관
24 : 샤워 헤드
24a : 가스 분사홀
24b : 가스 확산 공간
25 : 배기관
26 : 압력 조정 밸브
30 : 마이크로파 유닛
32 : 도파관
40 : 고전압 전원부
GV : 게이트 밸브
W : 반도체 웨이퍼
S1 : 플라즈마 처리 공간
S2 : 마이크로파 도입 공간

Claims (9)

  1. 기판을 수용하는 처리 용기와,
    마이크로파를 투과시키는 마이크로파 투과성 재료에 의해 구성되고, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와,
    플라즈마를 생성시키는 가스를 상기 처리 용기 내로 도입하는 가스 공급 장치와,
    마이크로파를 생성하는 마이크로파원을 가지고, 상기 처리 용기 내로 상기 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비하고,
    상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열하고, 또한 상기 처리 용기 내에서 상기 플라즈마를 생성시켜 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하도록 구성한 기판 처리 장치
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지 부재를 투과하여 상기 기판에 조사된 상기 마이크로파 중, 상기 기판을 투과한 상기 마이크로파에 의해 상기 플라즈마를 생성시키는 기판 처리 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 용기는, 진공 배기 가능하게 구성되고, 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 제 1 공간과, 상기 마이크로파 도입 장치가 접속되어 상기 마이크로파가 직접 도입되는 제 2 공간을 가지고 있고, 상기 지지 부재에 의해 상기 제 1 공간과 상기 제 2 공간이 구획되어 있는 기판 처리 장치.
  4. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 처리 용기는, 천장부와, 저벽부와, 이들 천장부 및 저벽부를 접속하는 측벽부를 구비하고 있고,
    상기 천장부에는, 상기 가스 공급 장치에 접속되어 상기 가스를 상기 처리 용기 내로 도입하는 가스 도입부가 설치되어 있고,
    상기 저벽부에는, 상기 마이크로파 도입 장치에 접속되어 상기 마이크로파를 상기 처리 용기 내로 도입하는 마이크로파 도입부가 설치되어 있는 기판 처리 장치.
  5. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지 부재에는, 상기 기판의 온도 조절을 행하기 위한 열 매체를 통류시키는 유로가 설치되어 있는 기판 처리 장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 열 매체가 불소계 용매인 기판 처리 장치.
  7. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 마이크로파 투과성 재료가 석영인 기판 처리 장치.
  8. 기판을 수용하는 처리 용기와,
    마이크로파를 투과시키는 마이크로파 투과성 재료에 의해 구성되고, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와,
    플라즈마를 생성시키는 가스를 상기 처리 용기 내로 도입하는 가스 공급 장치와,
    마이크로파를 생성하는 마이크로파원을 가지고, 상기 처리 용기 내로 상기 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비한 기판 처리 장치를 이용하고,
    상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열하고, 또한 상기 처리 용기 내에서 상기 플라즈마를 생성시켜 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 기판 처리 방법.
  9. 기판을 수용하는 처리 용기와,
    마이크로파를 투과시키는 마이크로파 투과성 재료에 의해 구성되고, 상기 처리 용기 내에서 상기 기판을 지지하는 지지 부재와,
    플라즈마를 생성시키는 가스를 상기 처리 용기 내로 도입하는 가스 공급 장치와,
    마이크로파를 생성하는 마이크로파원을 가지고, 상기 처리 용기 내로 상기 마이크로파를 도입하는 마이크로파 도입 장치를 구비한 기판 처리 장치를 이용하고,
    상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열하는 단계와,
    상기 지지 부재를 투과한 상기 마이크로파에 의해, 상기 지지 부재에 지지된 상기 기판을 가열함과 동시에, 상기 처리 용기 내에서 상기 플라즈마를 생성시켜 상기 기판에 대하여 플라즈마 처리를 행하는 단계를 포함하는 기판 처리 방법.
KR1020140187248A 2013-12-25 2014-12-23 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 KR20150075380A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-266834 2013-12-25
JP2013266834A JP6296787B2 (ja) 2013-12-25 2013-12-25 基板処理装置及び基板処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150075380A true KR20150075380A (ko) 2015-07-03

Family

ID=53400794

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020140187248A KR20150075380A (ko) 2013-12-25 2014-12-23 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20150179408A1 (ko)
JP (1) JP6296787B2 (ko)
KR (1) KR20150075380A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023113180A1 (ko) * 2021-12-17 2023-06-22 포항공과대학교 산학협력단 이중 고주파수에 의해 확장된 플라즈마를 이용한 화학반응 활성화 장치 및 방법
KR20230160095A (ko) * 2022-05-16 2023-11-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Families Citing this family (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6709005B2 (ja) * 2016-01-25 2020-06-10 国立大学法人金沢大学 成膜装置及びそれを用いた成膜方法
JP6697067B2 (ja) * 2016-02-23 2020-05-20 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体装置の製造方法およびコンピュータ読み取り可能な記録媒体
JP7233348B2 (ja) * 2019-09-13 2023-03-06 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP7442347B2 (ja) * 2020-03-06 2024-03-04 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP7499105B2 (ja) * 2020-08-03 2024-06-13 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置のクリーニング方法及びプラズマ処理装置
JP7260578B2 (ja) * 2021-03-19 2023-04-18 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置、半導体装置の製造方法、および、プログラム
KR20230056816A (ko) * 2021-10-20 2023-04-28 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 장치의 운용 방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10321601A (ja) * 1997-05-19 1998-12-04 Toshiba Corp プラズマ処理終了点判定方法及びその装置
JP4283366B2 (ja) * 1999-03-01 2009-06-24 キヤノンアネルバ株式会社 プラズマ処理装置
JP4062928B2 (ja) * 2002-02-06 2008-03-19 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
JP2013105949A (ja) * 2011-11-15 2013-05-30 Ulvac Japan Ltd 表面波プラズマ処理装置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2023113180A1 (ko) * 2021-12-17 2023-06-22 포항공과대학교 산학협력단 이중 고주파수에 의해 확장된 플라즈마를 이용한 화학반응 활성화 장치 및 방법
KR20230160095A (ko) * 2022-05-16 2023-11-23 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20150179408A1 (en) 2015-06-25
JP2015122277A (ja) 2015-07-02
JP6296787B2 (ja) 2018-03-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20150075380A (ko) 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US20130075390A1 (en) Microwave processing apparatus and method for processing object to be processed
US9337001B2 (en) Microwave processing apparatus and control method thereof
US10529598B2 (en) Microwave heat treatment apparatus and microwave heat treatment method
JP2015135782A (ja) マイクロ波処理装置及びマイクロ波処理方法
JP5657059B2 (ja) マイクロ波加熱処理装置および処理方法
KR20130076724A (ko) 마이크로파 가열 처리 장치 및 처리 방법
US20140117009A1 (en) Microwave heating apparatus and processing method
US20140034636A1 (en) Microwave irradiation apparatus
US20150144621A1 (en) Matching method and microwave heating method
US20150305097A1 (en) Microwave heating apparatus and microwave heating method
KR20140109291A (ko) 마이크로파 처리 장치 및 마이크로파 처리 방법
KR101411116B1 (ko) 마이크로파 처리 장치 및 피처리체의 처리 방법
US20140246424A1 (en) Microwave heat treatment apparatus and processing method
US20150129586A1 (en) Microwave heating apparatus and processing method
JP2014170701A (ja) マイクロ波処理装置および処理方法
US20140291318A1 (en) Microwave heating apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid