KR20150071877A - 온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템 - Google Patents

온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템 Download PDF

Info

Publication number
KR20150071877A
KR20150071877A KR1020130158971A KR20130158971A KR20150071877A KR 20150071877 A KR20150071877 A KR 20150071877A KR 1020130158971 A KR1020130158971 A KR 1020130158971A KR 20130158971 A KR20130158971 A KR 20130158971A KR 20150071877 A KR20150071877 A KR 20150071877A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inverter
temperature sensor
signal
chain circuit
output
Prior art date
Application number
KR1020130158971A
Other languages
English (en)
Other versions
KR101570913B1 (ko
Inventor
조성환
정하연
Original Assignee
한국과학기술원
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 한국과학기술원 filed Critical 한국과학기술원
Priority to KR1020130158971A priority Critical patent/KR101570913B1/ko
Publication of KR20150071877A publication Critical patent/KR20150071877A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101570913B1 publication Critical patent/KR101570913B1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G01MEASURING; TESTING
    • G01NINVESTIGATING OR ANALYSING MATERIALS BY DETERMINING THEIR CHEMICAL OR PHYSICAL PROPERTIES
    • G01N27/00Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means
    • G01N27/02Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance
    • G01N27/04Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance
    • G01N27/12Investigating or analysing materials by the use of electric, electrochemical, or magnetic means by investigating impedance by investigating resistance of a solid body in dependence upon absorption of a fluid; of a solid body in dependence upon reaction with a fluid, for detecting components in the fluid

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Biochemistry (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Immunology (AREA)
  • Pathology (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Investigating Or Analyzing Materials By The Use Of Electric Means (AREA)

Abstract

온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템이 개시된다. 일 실시예에 따른 가스 센싱 시스템은 가스 성분을 감지하는 센싱 물질과, 상기 센싱 물질의 온도 상태를 유지하기 위한 발열기 및 상기 발열기의 온도를 감지하는 온도 센서를 포함하는 집적 회로를 포함할 수 있다.

Description

온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템{TEMPERATURE SENSOR, AND GAS SENSING SYSTEM INCLUDING THE SAME}
아래 실시예들은 온도 센서, 특히 저항 교차 접속에 기반한 온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템에 관한 것이다.
가스 센서는 가스를 검출하는 센서이다. 각종 가스가 에너지원으로 이용되기 시작하면서, 상기 가스 센서는 공업 분야는 물론 가정용으로서도 사용 요구가 높아진 센서 중의 하나이다. 예를 들어, 상기 가스 센서는 기체 속에 포함되어 있는 특정 가스 성분량을 측정하고, 측정 결과에 따라 장치를 제어하거나 경보를 발신하기 위한 신호를 발생한다.
최근에, 가스 센서는 반도체, 금속 산화물 이외의 전도성 고분자, 탄소 나노 튜브, 또는 나노 와이어 등을 이용한 센싱 물질을 통해 가스를 검출한다. 이때, 상기 센싱 물질과 가스 성분과의 화학 반응을 극대화하기 위해 상기 센싱 물질의 온도를 고온으로 유지한다.
실시예들은 가스 센싱 시스템의 발열기, 온도 센서, 및 컨트롤 로직이 CMOS 반도체 공정을 통해 하나의 반도체 칩으로 집적될 수 있는 기술을 제공할 수 있다.
일 실시예에 따른 가스 센싱 시스템은 가스 성분을 감지하는 센싱 물질과, 상기 센싱 물질의 온도 상태를 유지하기 위한 발열기 및 상기 발열기의 온도를 감지하는 온도 센서를 포함하는 집적 회로를 포함할 수 있다.
상기 온도 센서는 입력 신호를 지연시키기 위한 인버터 체인 회로와, 상기 입력 신호와 상기 인버터 체인 회로의 출력 신호에 기초하여 상기 인버터 체인 회로의 지연 시간을 측정하기 위한 카운터와, 상기 지연 시간을 저장하기 위한 레지스터를 포함할 있다.
상기 인버터 체인 회로는 제1 인버터와, 상기 제1 인버터에 대응하는 제2 인버터와, 상기 제1 인버터의 입력단과 상기 제2 인버터의 출력단에 교차 접속되는 제1 저항을 포함할 수 있다.
상기 인버터 체인 회로는 상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 교차 접속되는 제2 저항을 더 포함할 수 있다.
상기 온도 센서는 상기 입력 신호와 상기 출력 신호를 논리곱 연산하고, 연산 결과에 따라 상기 카운터가 카운트하기 위한 인에이블 신호를 생성하는 AND 게이트를 더 포함할 수 있다.
상기 카운터는 상기 입력 신호의 상승 엣지부터 상기 출력 신호의 하강 엣지까지의 시간 동안 상기 인에이블 신호를 카운트하고, 카운트 값을 상기 지연 시간으로 측정할 수 있다.
일 실시예에 따른 가스 센싱 시스템의 온도 센서는 저항의 교차 접속을 통해 입력 신호를 지연시키기 위한 인버터 체인 회로와, 상기 입력 신호와 상기 인버터 체인 회로의 출력 신호에 기초하여 상기 인버터 체인 회로의 지연 시간을 측정하기 위한 카운터와, 상기 지연 시간을 저장하기 위한 레지스터를 포함할 수 있다.
상기 인버터 체인 회로는 제1 인버터와, 상기 제1 인버터에 대응하는 제2 인버터와, 상기 제1 인버터의 입력단과 상기 제2 인버터의 출력단에 교차 접속하는 제1 저항을 포함할 수 있다.
상기 인버터 체인 회로는 상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 교차 접속하는 제2 저항을 더 포함할 수 있다.
상기 온도 센서는 상기 입력 신호와 상기 출력 신호를 논리곱 연산하고, 연산 결과에 따라 상기 카운터가 카운트하기 위한 인에이블 신호를 생성하는 AND 게이트를 더 포함할 수 있다.
상기 카운터는 상기 입력 신호의 상승 엣지부터 상기 출력 신호의 하강 엣지까지의 시간 동안 상기 인에이블 신호를 카운트하고, 카운트 값을 상기 지연 시간으로 측정할 수 있다.
도 1은 일 실시예에 따른 가스 센싱 시스템의 개략적인 블록도이다.
도 2는 도 1에 도시된 온도 센서의 개략적인 블록도이다.
도 3은 도 2에 도시된 인버터 체인 회로의 일 실시예에 따른 개략적인 구조도이다.
도 4는 도 2에 도시된 온도 센서의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시예들에 대해서 특정한 구조적 또는 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로서, 본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시예들에 한정되지 않는다.
본 발명의 개념에 따른 실시예들은 다양한 변경들을 가할 수 있고 여러 가지 형태들을 가질 수 있으므로 실시예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시예들을 특정한 개시형태들에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물, 또는 대체물을 포함한다.
제1 또는 제2 등의 용어를 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만, 예를 들어 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 표현들, 예를 들어 "사이에"와 "바로~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.
본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예들을 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가진다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 갖는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.
이하, 실시예들을 첨부된 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1은 일 실시예에 따른 가스 센싱 시스템의 개략적인 블록도이다.
도 1을 참조하면, 가스 센싱 시스템(gas sensing system; 10)은 센싱 물질(sensing material; 100) 및 집적 회로(intergrated circuit; 200)을 포함할 수 있다.
가스 센싱 시스템(10)은 공중의 가스 성분을 감지하여 위험 상황을 예방할 수 있다. 또한, 가스 센싱 시스템(10)은 날숨에 포함된 이산화탄소의 함량을 분석하고, 분석결과에 기초하여 질병의 유무를 판단할 수 있다.
센싱 물질(100)은 공중의 가스 성분을 감지할 수 있다. 예를 들어, 센싱 물질(100)은 나노 와이어(nanowire) 등으로 구현될 수 있다.
집적 회로(200)는 센싱 물질(100)의 온도 상태를 유지할 수 있다. 예를 들어, 집적 회로(200)는 센싱 물질(100)과 공중의 가스 성분과의 화학 작용을 극대화하기 위해 센싱 물질(100)의 고온 상태를 유지할 수 있다. 일 실시예에 따라, 집적 회로(200)는 마더보드(motherboard)와 같은 인쇄 회로 기판(printed circuit board(PCB)) 또는 SoC(system on chip)로 구현될 수 있다. 집적 회로(200)는 CMOS 반도체 공정으로 구현될 수 있다.
집적 회로(200)는 발열기(heater; 210), 온도 센서(temperature sensor; 230), 및 컨트롤 로직(control logic; 250)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 발열기(210), 온도 센서(230), 및 컨트롤 로직(250)은 CMOS 반도체 공정을 통해 하나의 반도체 칩으로 집적될 수 있다. 발열기(210), 온도 센서(230), 및 컨트롤 로직(250)이 하나의 집적 회로(200)로 구현됨으로써, 가스 센싱 시스템(10)이 최적화되고, 센싱 물질(100)의 온도 제어가 자동화될 수 있다. 예를 들어, 가스 센싱 시스템(10)의 크기가 소형화될 수 있다. 또한, 가스 센싱 시스템(10)의 속도가 빨라지고, 전력 소모가 감소될 수 있다.
발열기(210)는 센싱 물질(100)의 온도 상태를 제어할 수 있다. 예를 들어, 발열기(210)는 컨트롤 로직(250)의 제어에 따라 센싱 물질(100)의 온도 상태를 제어할 수 있다. 발열기(210)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 제어 신호(CTRL)에 응답하여 센싱 물질(100)의 고온 상태를 유지할 수 있다.
온도 센서(230)는 발열기(210)의 온도를 감지할 수 있다. 온도 센서(230)는 컨트롤 로직(250)의 제어에 따라 발열기(210)의 온도를 감지하고, 온도 정보(TI)를 컨트롤 로직(250)으로 전송할 수 있다.
컨트롤 로직(250)은 집적 회로(200)의 전반적인 동작을 제어할 수 있다. 예를 들어, 컨트롤 로직(250)은 각 구성요소(210 및 230)의 동작을 제어할 수 있다. 컨트롤 로직(250)은 각 구성요소(210 및 230)의 동작을 제어하기 위한 신호들을 생성할 수 있다.
컨트롤 로직(250)은 온도 센서(230)로부터 전송된 온도 정보(TI)를 분석하고, 분석결과에 기초하여 센싱 물질(100)의 온도 상태를 제어하기 위한 제어 신호(CTRL)를 생성하고, 제어 신호(CTRL)를 발열기(210)로 전송할 수 있다.
도 2는 도 1에 도시된 온도 센서의 개략적인 블록도이다.
도 1 및 도 2를 참조하면, 온도 센서(230)는 인버터 체인 회로(inverter chain circuit; 231), AND 게이트(AND gate; 233), 카운터(counter; 235), 및 레지스터(register; 237)를 포함할 수 있다.
인버터 체인 회로(231)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 입력 신호(IN)를 수신하고, 입력 신호(IN)를 지연시킬 수 있다. 인버터 체인 회로(231)는 입력 신호(IN)의 지연 결과에 따라 출력 신호(OUT)를 AND 게이트(233)로 출력할 수 있다.
도 3은 도 2에 도시된 인버터 체인 회로의 일 실시예에 따른 개략적인 구조도이다.
도 1내지 도 3을 참조하면, 인버터 체인 회로(231)는 복수의 인버터들(231-1~231-8)과 복수의 저항들(R1~R4)을 포함할 수 있다. 도 3에서는 설명의 편의를 위해서 8개의 인버터들과 4개의 저항들을 도시하였지만, 일 실시예에 따른 발명의 범위와 기술적 사상은 인터터의 개수 및/또는 저항의 개수에 한정되지 않는다.
복수의 인버터들(231-1~231-8)들은 제1 인버터들(231-1~231-4)과 제2 인버터들(231-5~231-8)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제1 인버터들(231-1~231-4) 각각은 제2 인버터들(231-5~231-8) 각각에 대응될 수 있다.
복수의 저항들(R1~R4) 각각은 복수의 인터버들(231-1~231-8) 중에서 어느 하나의 출력단(또는 입력단)과 상기 어느 하나에 대응하는 다른 하나의 입력단(또는 출력단)에 교차 접속될 수 있다. 예를 들어, 복수의 저항들(R1~R4) 각각은 제1 인버터들(231-1~231-4) 중에서 어느 하나의 출력단(또는 입력단)과 제2 인버터들(231-5~231-8) 중에서 상기 어느 하나에 대응하는 다른 하나의 입력단(또는 출력단)에 교차 접속될 수 있다.
보다 구체적으로, 제1 저항(R1)은 인버터(231-2)의 입력단과 인버터(231-2)에 대응하는 인버터(231-6)의 출력단에 교차 접속될 수 있다. 제2 저항(R2)은 인버터(231-2)의 출력단과 인버터(231-2)에 대응하는 인버터(231-6)의 입력단에 교차 접속될 수 있다. 제3 저항(R3)은 인버터(231-3)의 입력단과 인버터(231-3)에 대응하는 인버터(231-7)의 출력단에 교차 접속될 수 있다. 제4 저항(R4)은 인버터(231-3)의 출력단과 인버터(231-3)에 대응하는 인버터(231-7)의 입력단에 교차 접속될 수 있다.
복수의 저항들(R1~R4) 각각의 저항 값이 온도가 낮을 때 작고, 상기 온도가 높을 때 커질 수 있다. 복수의 저항들(R1~R4) 각각의 교차 접속 때문에, 상기 온도가 낮을 때 인버터 체인 회로(231)의 지연 시간의 증가폭이 줄고, 상기 온도가 높을 때 인버터 체인 회로(231)의 지연 시간의 증가폭이 늘어날 수 있다. 복수의 저항들(R1~R4) 각각의 교차 접속으로 인해, 인버터 체인 회로(231)의 지연 시간의 온도에 대한 선형성을 보장할 수 있다. 즉, 복수의 저항들(R1~R4) 각각의 교차 접속으로 인해, 복수의 인버터들(231-1~231-8)의 지연 시간의 온도에 대한 비선형성을 개선할 수 있다.
AND 게이트(233)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 입력 신호(IN)와 인버터 체인 회로(231)로부터 출력된 출력 신호(OUT)를 수신할 수 있다. AND 게이트(233)는 입력 신호(IN)와 출력 신호(OUT)를 논리곱 연산하고, 연산 결과에 따라 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다.
일 실시예에 따라, AND 게이트(233)는 입력 신호(IN)가 제1 레벨이고, 출력 신호(OUT)가 제1 레벨일 때, 활성화된 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제1 레벨은 하이 레벨 또는 로직 1일 수 있다. AND 게이트(233)는 상기와 다른 경우 비활성화된 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다.
다른 실시예에 따라, AND 게이트(233)는 입력 신호(IN)가 제2 레벨이고, 출력 신호(OUT)가 제2 레벨일 때, 활성화된 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다. 예를 들어, 상기 제2 레벨은 로우 레벨 또는 로직 0일 수 있다. AND 게이트(233)는 상기와 다른 경우 비활성화된 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다.
카운터(235)는 입력 신호(IN)와 출력 신호(OUT)에 기초하여 인버터 체인 회로(231)의 지연 시간을 측정할 수 있다.
카운터(235)는 인에이블 신호(EN)를 수신하기 위한 입력 포트(EN_IN), 클락 신호(CLK)를 수신하기 위한 입력 포트(CK_IN), 및 리셋 신호(RST)를 수신하기 위한 입력 포트(RST_IN)를 포함할 수 있다.
카운터(235)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 클락 신호(CLK)에 따라 인에이블 신호(EN)를 카운트할 수 있다. 일 실시예에 따라, 카운터(235)는 클락 신호(CLK)의 상승 엣지에 따라 인에이블 신호(EN)를 카운트할 수 있다. 다른 실시예에 따라, 카운터(235)는 클락 신호(CLK)의 하강 엣지에 따라 인에이블 신호(EN)를 카운트할 수 있다.
카운터(235)는 입력 신호(IN)의 상승 엣지부터 출력 신호(OUT)의 하강 엣지까지의 시간 동안 인에이블 신호(EN)를 카운트할 수 있다. 카운터(235)는 카운트 결과에 따른 카운트 값(MQ)을 인버터 체인 회로(231)의 지연 시간으로 측정할 수 있다. 카운터(235)는 카운트 값(MQ)을 레지스터(237)로 출력할 수 있다.
카운터(235)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 리셋 신호(RST)에 응답하여 카운트 값(MQ)을 리셋할 수 있다.
레지스터(237)는 리드 신호(RD)를 수신하기 위한 입력 포트(RD_IN)을 포함할 수 있다. 레지스터(237)는 카운터(235)로부터 출력된 카운터 값(MQ)를 수신하고, 카운트 값(MQ)을 레지스터(237)의 출력 데이터(Q)로 저장할 수 있다.
레지스터(237)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 리드 신호(RD)에 응답하여 출력 데이터(Q)를 컨트롤 로직(250)으로 출력할 수 있다. 예를 들어, 레지스터(237)는 리드 신호(RD)에 응답하여 카운트 값(MQ)을 온도 센서(230)의 온도 정보(TI)로서 컨트롤 로직(250)으로 출력할 수 있다.
도 4는 도 2에 도시된 온도 센서의 동작을 설명하기 위한 타이밍도이다.
도 1 내지 도 4를 참조하면, 인버터 체인 회로(231)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 입력 신호(IN)를 수신하고, 입력 신호(IN)를 지연시킬 수 있다. 인버터 체인 회로(231)는 입력 신호(IN)의 지연 결과에 따라 출력 신호(OUT)를 출력할 수 있다.
AND 게이트(233)는 입력 신호(IN)와 출력 신호(OUT)를 논리곱 연산하고, 연산 결과에 따라 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다. 예를 들어, AND 게이트(233)는 입력 신호(IN)가 제1 레벨이고, 출력 신호(OUT)가 제1 레벨일 때, 활성화된 인에이블 신호(EN)를 생성할 수 있다.
카운터(235)는 입력 신호(IN)와 출력 신호(OUT)에 기초하여 인버터 체인 회로(231)의 지연 시간을 측정할 수 있다.
카운터(235)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 클락 신호(CLK)에 따라 인에이블 신호(EN)를 카운트할 수 있다. 예를 들어, 카운터(235)는 클락 신호(CLK)의 상승 엣지에 따라 인에이블 신호(EN)를 카운트할 수 있다. 또한, 카운터(235)는 입력 신호(IN)의 상승 엣지부터 출력 신호(OUT)의 하강 엣지까지의 시간(T) 동안 인에이블 신호(EN)를 카운트할 수 있다. 카운터(235)는 카운트 결과에 따른 카운트 값(MQ)을 인버터 체인 회로(231)의 지연 시간으로 측정할 수 있다. 카운터(235)는 카운트 값(MQ)을 레지스터(237)로 출력할 수 있다.
레지스터(237)는 카운터(235)로부터 출력된 카운터 값(MQ)를 수신하고, 카운트 값(MQ)을 레지스터(237)의 출력 데이터(Q)로 저장할 수 있다.
레지스터(237)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 리드 신호(RD)에 응답하여 출력 데이터(Q)를 컨트롤 로직(250)으로 출력할 수 있다.
카운터(235)는 컨트롤 로직(250)으로부터 출력된 리셋 신호(RST)에 응답하여 카운트 값(MQ)을 리셋할 수 있다.
이상에서 설명된 장치는 하드웨어 구성요소, 소프트웨어 구성요소, 및/또는 하드웨어 구성요소 및 소프트웨어 구성요소의 조합으로 구현될 수 있다. 예를 들어, 실시예들에서 설명된 장치 및 구성요소는, 예를 들어, 프로세서, 콘트롤러, ALU(arithmetic logic unit), 디지털 신호 프로세서(digital signal processor), 마이크로컴퓨터, FPGA(field programmable gate array), PLU(programmable logic unit), 마이크로프로세서, 또는 명령(instruction)을 실행하고 응답할 수 있는 다른 어떠한 장치와 같이, 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 특수 목적 컴퓨터를 이용하여 구현될 수 있다. 처리 장치는 운영 체제(OS) 및 상기 운영 체제 상에서 수행되는 하나 이상의 소프트웨어 애플리케이션을 수행할 수 있다. 또한, 처리 장치는 소프트웨어의 실행에 응답하여, 데이터를 접근, 저장, 조작, 처리 및 생성할 수도 있다. 이해의 편의를 위하여, 처리 장치는 하나가 사용되는 것으로 설명된 경우도 있지만, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는, 처리 장치가 복수 개의 처리 요소(processing element) 및/또는 복수 유형의 처리 요소를 포함할 수 있음을 알 수 있다. 예를 들어, 처리 장치는 복수 개의 프로세서 또는 하나의 프로세서 및 하나의 콘트롤러를 포함할 수 있다. 또한, 병렬 프로세서(parallel processor)와 같은, 다른 처리 구성(processing configuration)도 가능하다.
소프트웨어는 컴퓨터 프로그램(computer program), 코드(code), 명령(instruction), 또는 이들 중 하나 이상의 조합을 포함할 수 있으며, 원하는 대로 동작하도록 처리 장치를 구성하거나 독립적으로 또는 결합적으로(collectively) 처리 장치를 명령할 수 있다. 소프트웨어 및/또는 데이터는, 처리 장치에 의하여 해석되거나 처리 장치에 명령 또는 데이터를 제공하기 위하여, 어떤 유형의 기계, 구성요소(component), 물리적 장치, 가상 장치(virtual equipment), 컴퓨터 저장 매체 또는 장치, 또는 전송되는 신호 파(signal wave)에 영구적으로, 또는 일시적으로 구체화(embody)될 수 있다. 소프트웨어는 네트워크로 연결된 컴퓨터 시스템 상에 분산되어서, 분산된 방법으로 저장되거나 실행될 수도 있다. 소프트웨어 및 데이터는 하나 이상의 컴퓨터 판독 가능 기록 매체에 저장될 수 있다.
실시예에 따른 방법은 다양한 컴퓨터 수단을 통하여 수행될 수 있는 프로그램 명령 형태로 구현되어 컴퓨터 판독 가능 매체에 기록될 수 있다. 상기 컴퓨터 판독 가능 매체는 프로그램 명령, 데이터 파일, 데이터 구조 등을 단독으로 또는 조합하여 포함할 수 있다. 상기 매체에 기록되는 프로그램 명령은 실시예를 위하여 특별히 설계되고 구성된 것들이거나 컴퓨터 소프트웨어 당업자에게 공지되어 사용 가능한 것일 수도 있다. 컴퓨터 판독 가능 기록 매체의 예에는 하드 디스크, 플로피 디스크 및 자기 테이프와 같은 자기 매체(magnetic media), CD-ROM, DVD와 같은 광기록 매체(optical media), 플롭티컬 디스크(floptical disk)와 같은 자기-광 매체(magneto-optical media), 및 롬(ROM), 램(RAM), 플래시 메모리 등과 같은 프로그램 명령을 저장하고 수행하도록 특별히 구성된 하드웨어 장치가 포함된다. 프로그램 명령의 예에는 컴파일러에 의해 만들어지는 것과 같은 기계어 코드뿐만 아니라 인터프리터 등을 사용해서 컴퓨터에 의해서 실행될 수 있는 고급 언어 코드를 포함한다. 상기된 하드웨어 장치는 실시예의 동작을 수행하기 위해 하나 이상의 소프트웨어 모듈로서 작동하도록 구성될 수 있으며, 그 역도 마찬가지이다.
이상과 같이 실시예들이 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 상기의 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 예를 들어, 설명된 기술들이 설명된 방법과 다른 순서로 수행되거나, 및/또는 설명된 시스템, 구조, 장치, 회로 등의 구성요소들이 설명된 방법과 다른 형태로 결합 또는 조합되거나, 다른 구성요소 또는 균등물에 의하여 대치되거나 치환되더라도 적절한 결과가 달성될 수 있다.
그러므로, 다른 구현들, 다른 실시예들 및 특허청구범위와 균등한 것들도 후술하는 특허청구범위의 범위에 속한다.

Claims (11)

  1. 가스 센싱 시스템에 있어서,
    가스 성분을 감지하는 센싱 물질; 및
    상기 센싱 물질의 온도 상태를 유지하기 위한 발열기 및 상기 발열기의 온도를 감지하는 온도 센서를 포함하는 집적 회로
    를 포함하는 가스 센싱 시스템.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 온도 센서는,
    입력 신호를 지연시키기 위한 인버터 체인 회로;
    상기 입력 신호와 상기 인버터 체인 회로의 출력 신호에 기초하여 상기 인버터 체인 회로의 지연 시간을 측정하기 위한 카운터; 및
    상기 지연 시간을 저장하기 위한 레지스터
    를 포함하는 가스 센싱 시스템.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 인버터 체인 회로는,
    제1 인버터;
    상기 제1 인버터에 대응하는 제2 인버터; 및
    상기 제1 인버터의 입력단과 상기 제2 인버터의 출력단에 교차 접속되는 제1 저항
    을 포함하는 가스 센싱 시스템.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 인버터 체인 회로는,
    상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 교차 접속되는 제2 저항
    을 더 포함하는 가스 센싱 시스템.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 온도 센서는,
    상기 입력 신호와 상기 출력 신호를 논리곱 연산하고, 연산 결과에 따라 상기 카운터가 카운트하기 위한 인에이블 신호를 생성하는 AND 게이트
    를 더 포함하는 가스 센싱 시스템.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 카운터는,
    상기 입력 신호의 상승 엣지부터 상기 출력 신호의 하강 엣지까지의 시간 동안 상기 인에이블 신호를 카운트하고, 카운트 값을 상기 지연 시간으로 측정하는 가스 센싱 시스템.
  7. 가스 센싱 시스템의 온도 센서에 있어서,
    저항의 교차 접속을 통해 입력 신호를 지연시키기 위한 인버터 체인 회로;
    상기 입력 신호와 상기 인버터 체인 회로의 출력 신호에 기초하여 상기 인버터 체인 회로의 지연 시간을 측정하기 위한 카운터; 및
    상기 지연 시간을 저장하기 위한 레지스터
    를 포함하는 온도 센서.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 인버터 체인 회로는,
    제1 인버터;
    상기 제1 인버터에 대응하는 제2 인버터; 및
    상기 제1 인버터의 입력단과 상기 제2 인버터의 출력단에 교차 접속하는 제1 저항
    을 포함하는 온도 센서.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 인버터 체인 회로는,
    상기 제1 인버터의 출력단과 상기 제2 인버터의 입력단에 교차 접속하는 제2 저항
    을 더 포함하는 온도 센서.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 온도 센서는,
    상기 입력 신호와 상기 출력 신호를 논리곱 연산하고, 연산 결과에 따라 상기 카운터가 카운트하기 위한 인에이블 신호를 생성하는 AND 게이트
    를 더 포함하는 온도 센서.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 카운터는,
    상기 입력 신호의 상승 엣지부터 상기 출력 신호의 하강 엣지까지의 시간 동안 상기 인에이블 신호를 카운트하고, 카운트 값을 상기 지연 시간으로 측정하는 온도 센서.
KR1020130158971A 2013-12-19 2013-12-19 온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템 KR101570913B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130158971A KR101570913B1 (ko) 2013-12-19 2013-12-19 온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130158971A KR101570913B1 (ko) 2013-12-19 2013-12-19 온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20150071877A true KR20150071877A (ko) 2015-06-29
KR101570913B1 KR101570913B1 (ko) 2015-11-23

Family

ID=53518009

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130158971A KR101570913B1 (ko) 2013-12-19 2013-12-19 온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR101570913B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101699667B1 (ko) * 2016-06-21 2017-01-24 전남대학교산학협력단 탈부착형 센서모듈을 구비한 환경장애 예방용 진단키트

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002181759A (ja) 2000-12-15 2002-06-26 Mitsubishi Electric Corp ガスセンサ
KR200351291Y1 (ko) 2004-02-19 2004-05-20 주식회사 오감테크놀러지 고체전해질식 이산화탄소 가스센서
KR100719181B1 (ko) * 2006-04-03 2007-05-18 주식회사 하이닉스반도체 온도 감지장치를 포함하는 반도체메모리소자 및 그의구동방법
JP5065720B2 (ja) * 2007-03-22 2012-11-07 ユーテック株式会社 ガス検出装置及びガス検出方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR101570913B1 (ko) 2015-11-23

Similar Documents

Publication Publication Date Title
Narasimhan et al. Improving IC security against Trojan attacks through integration of security monitors
TWI394373B (zh) 脈寬調變工作週期偵測電路
JP2013140979A5 (ja) システムオンチップの温度管理方法
US10969432B2 (en) System-on-chip for at-speed test of logic circuit and operating method thereof
CN102402475B (zh) 一种宇航用cpu单粒子效应试验方法
EP3535638B1 (en) Programmable clock monitor
US9304174B1 (en) Cross-coupled voltage and temperature monitoring in programmable integrated circuits
KR101570913B1 (ko) 온도 센서 및 이를 포함하는 가스 센싱 시스템
Surabhi et al. Exposing hardware Trojans in embedded platforms via short-term aging
CN105279051A (zh) 一种实现管脚复用的方法及装置
US8928393B1 (en) Temperature switch circuit having dynamic temperature thresholds
CN102809725B (zh) 一种用于感应电路旁路信号的敏感元装置及其检测方法
JP2009289106A (ja) 半導体集積回路及びその制御方法、並びに情報処理装置
US8516421B1 (en) Generating circuit design properties from signal traces
JP6375928B2 (ja) データ収集システム
Oksman A method for detecting DRAM bus tampering
JP5077815B2 (ja) パルス入力装置
JP2010086456A5 (ko)
KR101752580B1 (ko) 메모리 디바이스에 대한 전력 관리
JP2014120161A (ja) プログラミングプロセス検出システム及びその方法
TWI571729B (zh) 基於優先順序之智慧型平台被動熱管理技術
JP2011228996A (ja) 車載制御装置、車載制御装置の検査方法
CN107966975A (zh) 一种风扇控制板测试系统和方法
JP2009159426A (ja) パルス出力装置
JPH11330931A (ja) 制御システムにおけるクロック動作監視装置及び方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
X701 Decision to grant (after re-examination)
GRNT Written decision to grant