KR20150063033A - 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법 - Google Patents

감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법 Download PDF

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Abstract

바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 실란커플링제를 함유하고, 상기 실란커플링제가 메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물을 포함하는, ITO 에칭용 감광성 수지 조성물.

Description

감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법{PHOTOSENSITIVE RESIN COMPOSITION, PHOTOSENSITIVE ELEMENT, METHOD FOR FORMING RESIST PATTERN, AND METHOD FOR PRODUCING TOUCH PANEL}
본 발명은, 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
터치 패널의 터치 센서 부위는, 화면이 보이는 범위(뷰 에리어(view area))에서 화면의 정보를 차단하는 일 없이, 사람의 손가락 등이 접촉한 정보를 감지하는 센서 부위와, 그 정보를 전달하기 위한 배선(인출배선 부위)로 이루어진다.
이 뷰 에리어의 센서 부위에는, 가시광의 흡수가 적고, 또한 도전성을 가진 투명전극이 패턴 형성된다. 또한, 인출배선에는 저항값이 작은 금속이 사용되고 있다.
이들 센서 부위와 인출배선 부위는, 예를 들면 이하와 같이 하여 제조된다. 우선, 투명전극층을 가진 폴리에틸렌테레프탈레이트 또는 유리 위에 감광성 수지 조성물을 적층한다(적층 공정). 다음으로, 감광성 수지 조성물의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광 부분을 경화(혹은 용해)시킨다(노광 공정). 그 후, 미(未)경화 부분(혹은 용해 부분)을 기재(基材) 위로부터 제거(현상)함으로써, 기재 위에 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴이 형성된다(현상 공정). 얻어진 레지스터 패턴에 대하여 에칭 처리를 실시하여, 기재 위에 뷰 에리어의 센서 패턴을 형성한 후, 레지스터를 박리 제거한다(박리 공정). 계속하여, 형성한 투명전극의 센서로부터 인출배선을, 은페이스트 등을 사용한 스크린 인쇄로 형성하는 것으로 터치 패널의 터치 센서 부위가 제조된다.
또한, 도 2는, 터치 패널의 종래의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다. 이 제조 방법에서는, 적층 공정으로서, 투명전극층(14) 및 지지기재(12)로 이루어지는 적층 기재의 투명전극층(14) 위에, 감광성 수지 조성물층(16)을 적층한다(도 2(a)). 다음으로, 감광성 수지 조성물층(16)의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광부를 경화시키고, 미경화 부분을 기재 위로부터 제거하여, 경화 부분으로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성한다(도 2(b)). 다음으로, 레지스터 패턴이 형성된 적층 기재에 대하여 에칭 처리를 실시하여, 투명전극층(14)의 일부를 지지기재(12) 위로부터 제거하고(도 2(c)), 이어서, 레지스터를 박리 제거하여 지지기재(12) 위에 뷰 에리어의 센서 패턴을 형성한다(도 2(d)). 형성한 센서로부터의 인출배선(18)을 은페이스트 등을 사용한 스크린 인쇄로 형성함으로써, 터치 패널의 터치 센서 부위가 제조된다.
적층 공정에서는, 종래, 액상의 감광성 수지 조성물을 도포하여 실시되는 경우가 많다. 그러나, 최근 터치 패널의 박형(薄型) 경량화에 따라, 터치 센서 부위의 기재를 필름으로 형성하고자 하는 요구가 높아지고 있어, 필름기재와의 상성(相性)이 좋은 감광성 엘리먼트에 의한 제조가 도입되고 있다.
또한, 터치 패널의 액자(베젤)의 협소화에 따라 인출배선의 피치의 협소화도 요구되고 있다. 은페이스트를 사용한 스크린 인쇄에서는 L/S(라인폭/스페이스폭)가70/70(단위: ㎛) 정도이지만, L/S가 30/30 이하인 인출배선의 형성이 필요하게 되고 있다.
그 때문에, 인출배선의 L/S가 작은 새로운 터치 센서 부위의 형성 방법으로서 이하의 방법이 있다. 위로부터 금속층(인출배선 형성용), 투명전극층(뷰 에리어의 센서 형성용), 지지기재(필름)의 3층 구조로 이루어지는 적층 기재를 사용하여, 그 적층 기재 위에 감광성 수지 조성물층을 적층(라미네이트)한다(적층 공정). 다음으로, 감광성 수지 조성물층의 소정 부분에 활성 광선을 조사하여 노광부를 경화(혹은 용해)시킨다(노광 공정). 그 후, 미경화 부위(혹은 용해 부분)를 기재 위로부터 제거(현상)함으로써, 기재 위에, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴이 형성된다(현상 공정). 얻어진 레지스터 패턴에 대하여 에칭 처리에 의해 금속층과 투명전극층을 제거하여(첫번째 에칭 공정) 인출배선의 형성과 뷰 에리어의 투명전극의 패턴을 형성한다. 계속하여, 새롭게 감광성 수지 조성물층을 적층하고, 노광, 현상을 실시함으로써, 뷰 에리어의 불필요한 금속층만을 제거한다(두번째 에칭). 이 방법에 의해, 인출배선의 피치가 협소한 터치 센서 부위를 제조한다(예를 들면, 특허문헌 1 참조).
이 방법에서는, 원리적으로 L/S를 30/30 이하로 하는 것이 가능하고, 터치 패널의 박형 경량화에 크게 공헌할 수 있는 기술이다. 그러나, 한편으로 사용되는 기재의 표면은 매우 평활성이 높고, 사용하는 감광성 엘리먼트에는 높은 밀착성이 필요하게 된다.
그런데, 레지스터 패턴의 형성 등에 사용되는 감광성 수지 조성물로서는, 예를 들면 특허문헌 2∼6에 기재된 조성물이 개시되어 있다.
특허문헌 1 : 일본 특허 제4855536호 특허문헌 2 : 일본 특허공개 평07-146553호 공보 특허문헌 3 : 일본 특허공개 2005-107121호 공보 특허문헌 4 : 일본 특허공개 2008-112145호 공보 특허문헌 5 : 일본 특허공개 2010-276631호 공보 특허문헌 6 : 일본 특허공개 2011-128358호 공보
지지기재로서 유리기재를 사용하는 경우, 투명전극은, 비정성(非晶性)의 ITO(산화인듐주석)를 사용하여 패터닝을 실시하고, 그 후에 저항값을 내릴 목적으로 가열(어닐) 처리하여 ITO의 결정화를 실시함으로써 형성하는 경우가 많다. 그러나, 지지기재로서 필름기재를 사용하는 경우, 어닐 처리를 실시하면 기재의 수축이 일어나 치수 안정성이 나빠지므로, 결정성의 ITO를 사용하여 패터닝을 실시하는 것이 바람직하다.
그러나, 비정성의 ITO는, 옥살산 등의 약산으로 충분히 용해할 수 있지만, 결정성 ITO는 농염산(＞20질량%)을 사용하여 가열 조건(40∼50℃ 정도)에서 에칭을 실시할 필요가 있다. 그 때문에, 패터닝에 사용하는 레지스터에는 높은 내산성이 요구된다.
또한, 금속층에는, 구리, 구리와 니켈의 합금, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 적층체, 은과 팔라듐과 구리의 합금 등이 사용되고 있지만, 최근은 방청 목적으로 구리와 니켈의 합금을 최표면에 배치한 금속층이 주류가 되고 있다. 그 때문에, 레지스터에는, 구리를 포함하는 금속층, 특히, 구리와 니켈의 합금을 포함하는 금속층에 대한 밀착성이 요구된다.
종래의 감광성 수지 조성물에서는, 이들의 내산성 및 밀착성을 충분히 만족하는 레지스터 패턴을 형성하는 것이 곤란하고, 염산에 의한 ITO 에칭 시에 박리가 발생하는 등의 과제가 있었다.
본 발명자들은, 상기 과제를 해결하기 위해 예의 (銳意) 검토를 거듭한 결과, 실란커플링제로서, 메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물을 감광성 수지 조성물에 첨가함으로써 내산성 및 밀착성의 향상을 기대할 수 있다는 것을 발견했다.
즉, 본 발명의 제1의 태양(態樣)은, 바인더 폴리머와, 광중합성 화합물과, 광중합 개시제와, 실란커플링제를 함유하고, 상기 실란커플링제가 메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물을 포함하는, ITO 에칭용 감광성 수지 조성물에 관한 것이다.
이와 같은 감광성 수지 조성물은, 내산성 및 밀착성이 뛰어난 레지스터 패턴을 형성할 수 있기 때문에, ITO 에칭용으로서, 특히 결정성 ITO를 포함하는 투명도전층의 에칭용으로서, 적합하게 사용할 수 있다.
상기 실란커플링제는, 아미노기를 가지는 실란 화합물을 더 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 금속층 위에서의 레지스터의 현상 잔사(殘渣)가 억제되어, 에칭 시간의 단축이 예상된다.
상기 실란커플링제는, (메타)아크릴록시기를 가지는 실란 화합물을 더 포함하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 금속층과의 밀착성의 더욱 더 향상이 예상된다.
상기 광중합성 화합물은, 비스페놀A형디(메타)아크릴레이트 화합물을 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 레지스터의 내산성이 한층 향상되고, ITO 에칭 시에 레지스터의 팽윤에 의한 박리를 한층 현저하게 억제할 수 있다.
상기 광중합성 화합물은, (폴리)옥시에틸렌기 및/또는 (폴리)옥시프로필렌기를 가지는 우레탄디(메타)아크릴레이트 화합물을 함유하고 있어도 된다. 이에 의해, 레지스터에 유연성을 부여할 수 있어, 필름기재와 같이 유연한 기재에 대하여 한층 뛰어난 밀착성을 확보할 수 있다.
본 발명의 제2의 태양은, 지지 필름과, 그 지지 필름의 일면(一面) 위에 설치된 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는, 감광성 엘리먼트에 관한 것이다. 이와 같은 감광성 엘리먼트에 의하면, 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하기 때문에, 평활성이 높은 기판에 대하여도 충분한 밀착성을 가지고, 또한 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 효율적으로 형성할 수 있다.
본 발명의 제3의 태양은, 기재 위에, 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 형성하는 제1의 공정과, 상기 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하는 제2의 공정과, 상기 감광성 수지 조성물층의 상기 경화물 영역 이외의 영역을 상기 기재 위로부터 제거하여, 상기 경화물 영역으로 이루어지는 레지스터 패턴을 얻는 제3의 공정을 가지는, 레지스터 패턴의 형성 방법에 관한 것이다. 이와 같은 레지스터 패턴의 형성 방법에 의하면, 평활성이 높은 기판에 대하여도 충분한 밀착성을 가지고, 또한 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 형성할 수 있다.
본 발명의 제4의 태양은, 상기 제3의 태양에 관련되는 레지스터 패턴의 형성 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 상기 기재를, 에칭 처리하는 공정을 가지는, 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 이와 같은 터치 패널의 제조 방법에 있어서는, 레지스터 패턴이 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층으로 형성된 것이기 때문에, 에칭 처리에 있어서의 레지스터 패턴의 박리 등이 충분히 억제되어, 협피치의 터치 패널(예를 들면, L/S가 30/30 이하인 인출배선을 가지는 터치 패널)이어도 효율적으로 제조할 수 있다.
본 발명의 제5의 태양은, 지지기재와 그 지지기재의 일면 위에 설치된 산화인듐주석을 포함하는 투명도전층과 그 투명도전층 위에 설치된 금속층을 구비하는 적층 기재의, 상기 금속층 위에, 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성하는 제1의 공정과, 상기 금속층 및 상기 투명도전층을 에칭하고, 상기 투명도전층의 잔부(殘部) 및 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 적층 패턴을 형성하는 제2의 공정과, 상기 적층 패턴의 일부로부터 상기 금속층을 제거하여, 상기 투명도전층의 잔부로 이루어지는 투명전극과 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정을 가지는, 터치 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
이와 같은 터치 패널의 제조 방법에 의하면, 용이하고 또한 효율적으로 협피치의 터치 패널(예를 들면, L/S가 30/30 이하인 인출배선을 가지는 터치 패널)을 제조할 수 있다.
상기 투명도전층은, 결정성의 산화인듐주석을 포함하고 있어도 되고, 상기 제2의 공정에 있어서의 에칭은, 강산에 의한 에칭이어도 된다. 상기 제조 방법에 있어서는, 레지스터 패턴이 상기 제1의 태양에 관련되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층으로 형성된 것이기 때문에, 강산에 의한 에칭에 의해도 레지스터 패턴의 박리 등이 충분히 억제된다. 그 때문에, 상기 제조 방법은, 결정성의 산화인듐주석을 포함하는 투명도전층을 구비하는 적층 기재를 사용한 터치 패널의 제조에 적합하게 적용할 수 있다.
본 발명에 의하면, 평활성이 높은 기재에 대한 밀착성이 뛰어나고, 또한 염산에 의한 ITO 에칭에 의해서도 박리 등이 발생하기 어려운 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 형성하는 것이 가능한, 감광성 수지 조성물이 제공된다. 또한, 본 발명에 의하면, 해당 감광성 수지 조성물을 사용한 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법이 제공된다.
[도 1] 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 2] 터치 패널의 종래의 제조 방법을 나타내는 모식 단면도이다.
[도 3] 본 발명의 터치 패널의 제조 방법의 일 양태를 나타내는 모식 단면도이다.
[도 4] 본 발명을 이용하여 얻어지는 터치 패널의 일 양태를 나타내는 상면도이다.
이하, 본 발명을 실시하기 위한 형태에 관하여 상세히 설명한다. 다만, 본 발명은 이하의 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 명세서에 있어서, (메타)아크릴산이란, 아크릴산 또는 메타크릴산을 의미하고, (메타)아크릴레이트란, 아크릴레이트 또는 그에 대응하는 메타크릴레이트를 의미하고, (메타)아크릴로일옥시기란, 아크릴로일옥시기 또는 메타크릴로일옥시기를 의미한다.
또한 본 명세서에 있어서, (폴리)옥시에틸렌기란, 옥시에틸렌기 또는 2이상의 에틸렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리옥시에틸렌기 중 적어도 1종을 의미하고, (폴리)옥시프로필렌쇄는 옥시프로필렌기 또는 2이상의 프로필렌기가 에테르 결합으로 연결된 폴리옥시프로필렌기 중 적어도 1종을 의미한다. 게다가 「EO변성」이란, (폴리)옥시에틸렌기를 가지는 화합물인 것을 의미하고, 「PO변성」이란, (폴리)옥시프로필렌기를 가지는 화합물인 것을 의미하고, 「EO·PO변성」이란, (폴리)옥시에틸렌기 및/또는 (폴리)옥시프로필렌기의 양쪽을 가지는 화합물인 것을 의미한다.
＜감광성 수지 조성물＞
본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물(이하, 간단히 「감광성 수지 조성물」이라고 한다.)은, (A)성분: 바인더 폴리머와, (B)성분: 광중합성 화합물과, (C)성분: 광중합 개시제와, (D)성분: 실란커플링제를 함유하고, (D)성분이 메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물을 포함하는, 감광성 수지 조성물이다.
이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 평활성이 높은 기재에 대한 밀착성이 뛰어나고, 또한 염산에 의한 ITO 에칭에 의해서도 박리 등이 발생하기 어려운 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 형성할 수 있다. 그 때문에, 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물은, ITO 에칭용으로서, 특히 결정성 ITO를 포함하는 투명도전층의 에칭용으로서, 적합하다.
이와 같은 효과가 발휘되는 이유의 하나로서는, 기재의 최표면에 있는 금속층과 실란커플링제의 메르캅토알킬기가 착형성(錯形成) 등의 화학적 결합을 형성함으로써 높은 밀착성을 발현하고 있다는 것을 생각할 수 있다. 또한, 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물에서는, 광경화 반응시에 있어서, 메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물과 광중합성 화합물이 반응하여 술피드 결합이 형성된다고 생각된다. 그 때문에, 경화물의 폴리머계 중에 실란커플링제가 고정되고, 또한 이 술피드 결합이 기재에 대하여 화학적 상호작용을 미침으로써, 레지스터와 금속 표면과의 밀착성이 보다 강하게 발현되는 것이라고 생각된다.
(A)성분: 바인더 폴리머
감광성 수지 조성물은, (A)성분으로서 바인더 폴리머를 적어도 1종 함유한다. 바인더 폴리머로서는, 예를 들면, 중합성 단량체(모노머)를 라디칼 중합시켜 얻어지는 중합체를 들 수 있다.
중합성 단량체(모노머)로서는, (메타)아크릴산; (메타)아크릴산알킬에스테르, (메타)아크릴산시클로알킬에스테르, (메타)아크릴산벤질, (메타)아크릴산벤질 유도체, (메타)아크릴산퍼푸릴, (메타)아크릴산테트라히드로퍼푸릴, (메타)아크릴산이소보닐, (메타)아크릴산아다만틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐, (메타)아크릴산디메틸아미노에틸, (메타)아크릴산디에틸아미노에틸, (메타)아크릴산글리시딜, 2,2,2-트리플루오로에틸(메타)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메타)아크릴레이트, α-브로모아크릴산, α-크롤아크릴산, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐옥시에틸, (메타)아크릴산이소보닐옥시에틸, (메타)아크릴산시클로헥실옥시에틸, (메타)아크릴산아다만틸옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜타닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산디시클로펜테닐옥시프로필옥시에틸, (메타)아크릴산아다만틸옥시프로필옥시에틸, β-푸릴(메타)아크릴산, β-스티릴(메타)아크릴산등의 (메타)아크릴산에스테르; 스티렌; 비닐톨루엔, α-메틸스티렌 등의 α-위치 또는 방향족환에 있어서 치환되어 있는 중합 가능한 스티렌 유도체; 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드; 아크릴로니트릴; 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에테르 화합물; 말레산; 말레산무수물; 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산모노에스테르; 푸말산, 계피산, α-시아노계피산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등의 불포화 카르본산 유도체; 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 임의로 조합하여 사용할 수 있다.
(A)성분은, (메타)아크릴산으로부터 유래하는 구조 단위를 가지는 것이 바람직하다. (A)성분이, (메타)아크릴산으로부터 유래하는 구조 단위를 가질 때, 그 함유율은, 해상도 및 박리성(에칭 후의 레지스터 박리성)이 뛰어난 점에서는, (A)성분의 전량을 기준(100질량%, 이하 동일)으로 하여, 10질량%∼60질량%인 것이 바람직하고, 15질량%∼50질량%인 것이 보다 바람직하고, 20질량%∼35질량%인 것이 더욱 바람직하다.
또한, (A)성분은, 아크릴 현상성 및 박리성이 한층 향상되는 관점에서, (메타)아크릴산알킬에스테르로부터 유래하는 구조 단위를 가지는 것이 바람직하다.
(메타)아크릴산알킬에스테르로서는, (메타)아크릴산과 탄소수 1∼12의 알킬 알코올과의 에스테르가 바람직하다. 이와 같은 (메타)아크릴산알킬에스테르로서는, 예를 들면, (메타)아크릴산메틸, (메타)아크릴산에틸, (메타)아크릴산프로필, (메타)아크릴산부틸, (메타)아크릴산펜틸, (메타)아크릴산헥실 및 (메타)아크릴산2-에틸헥실을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 임의로 조합하여 사용할 수 있다.
(A)성분이 (메타)아크릴산알킬에스테르로부터 유래하는 구조 단위를 가질 때, 그 함유율은, 해상도 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, (A)성분의 전량을 기준으로 하여, 40질량%∼90질량%인 것이 바람직하고, 50질량%∼85질량%인 것이 보다 바람직하고, 65질량%∼80질량%인 것이 더욱 바람직하다.
(A)성분의 산가는, 현상성 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, 90mgKOH/g∼250mgKOH/g인 것이 바람직하고, 100mgKOH/g∼240mgKOH/g인 것이 보다 바람직하고, 120mgKOH/g∼235mgKOH/g인 것이 더욱 바람직하고, 130mgKOH/g∼230mgKOH/g인 것이 특히 바람직하다.
현상 시간을 단축하는 점에서, 이 산가는 90mgKOH/g 이상인 것이 바람직하고, 100mgKOH/g 이상인 것이 보다 바람직하고, 120mgKOH/g 이상인 것이 더욱 바람직하고, 130mgKOH/g 이상인 것이 특히 바람직하다.
또한, 감광성 수지 조성물의 경화물의 밀착성이 한층 향상되는 점에서, 이 산가는 250mgKOH/g 이하인 것이 바람직하고, 240mgKOH/g 이하인 것이 보다 바람직하고, 235mgKOH/g 이하인 것이 더욱 바람직하고, 230mgKOH/g 이하인 것이 특히 바람직하다. 또한, 용제 현상을 실시하는 경우는, (메타)아크릴산 등의 카르복시기를 가지는 중합성 단량체(모노머)를 소량으로 조정하는 것이 바람직하다.
(A)성분의 중량평균분자량(Mw)은, 겔 침투 크로마토그래피(GPC)에 의해 측정(표준 폴리스티렌을 사용한 검량선에 의해 환산)했을 경우, 현상성 및 밀착성이 뛰어난 점에서는, 10000∼200000인 것이 바람직하고, 20000∼100000인 것이 보다 바람직하고, 25000∼80000인 것이 더욱 바람직하고, 30000∼60000인 것이 특히 바람직하다. 현상성이 뛰어난 점에서는, 200000 이하인 것이 바람직하고, 100000 이하인 것이 보다 바람직하고, 80000 이하인 것이 더욱 바람직하고, 60000 이하인 것이 특히 바람직하다. 밀착성이 뛰어난 점에서는, 10000 이상인 것이 바람직하고, 20000 이상인 것이 보다 바람직하고, 25000 이상인 것이 더욱 바람직하고, 30000 이상인 것이 특히 바람직하다.
(A)성분의 분산도(중량평균분자량/수평균분자량)는, 해상도, 밀착성이 뛰어난 점에서는, 3.0 이하인 것이 바람직하고, 2.8 이하인 것이 보다 바람직하고, 2.5 이하인 것이 더욱 바람직하다.
(A)성분으로서는, 1종류의 바인더 폴리머를 단독으로 사용해도 되고, 2종류 이상의 바인더 폴리머를 임의로 조합하여 사용해도 된다.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (A)성분의 함유량은, 필름 형성성, 감도 및 해상도가 뛰어난 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에 30질량부∼70질량부로 하는 것이 바람직하고, 35질량부∼65질량부로 하는 것이 보다 바람직하고, 40질량부∼60질량부로 하는 것이 특히 바람직하다. 필름(감광성 수지 조성물층)의 형성성의 점에서, 이 함유량은 30질량부 이상인 것이 바람직하고, 35질량부 이상인 것이 보다 바람직하고, 40질량부 이상인 것이 특히 바람직하다. 또한 감도 및 해상도를 충분히 얻을 수 있는 점에서는, 이 함유량은 70질량부 이하인 것이 바람직하고, 65질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 60질량부 이하인 것이 더욱 바람직하다.
(B)성분: 광중합성 화합물
감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서 광중합성 화합물을 적어도 1종 함유한다. 광중합성 화합물은, 광중합이 가능한 화합물이면 특별히 제한은 없다.
광중합성 화합물은, 라디칼 중합성 화합물인 것이 바람직하고, 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물인 것이 보다 바람직하다. 에틸렌성 불포화 결합을 가지는 화합물로서는, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 3개 이상 가지는 화합물 등을 들 수 있다.
(B)성분은, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물을 적어도 1종 포함하는 것이 바람직하다. (B)성분이 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은 (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 5질량부∼60질량부인 것이 바람직하고, 5질량부∼55질량부인 것이 보다 바람직하고, 10질량부∼50질량부인 것이 더욱 바람직하다.
분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 비스페놀A형디(메타)아크릴레이트 화합물, 수첨(水添)비스페놀A형디(메타)아크릴레이트 화합물, 분자내에 우레탄 결합을 가지는 디(메타)아크릴레이트 화합물, 분자내에 (폴리)옥시에틸렌기 및 (폴리)옥시프로필렌기의 양쪽을 가지는 폴리알킬렌글리콜디(메타)아크릴레이트, 및 트리메티롤프로판디(메타)아크릴레이트를 들 수 있다.
(B)성분은, 내산성을 한층 향상시키는 관점에서, 비스페놀A형디(메타)아크릴레이트 화합물, 및, (폴리)옥시에틸렌기 및/또는 (폴리)옥시프로필렌기를 가지는 우레탄디(메타)아크릴레이트 화합물(이하, 「EO·PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트 화합물」이라고 한다.)로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하다.
비스페놀A형디(메타)아크릴레이트 화합물로서는, 하기 식(1)으로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00001
식(1) 중, R1 및 R2는 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. XO 및 YO는 각각 독립하여, 옥시에틸렌기 또는 옥시프로필렌기를 나타낸다. m1, m2, n1 및 n2는 각각 독립하여 0∼40을 나타낸다. 다만, m1+n1 및 m2+n2는 모두 1 이상이다. XO가 옥시에틸렌기, YO가 옥시프로필렌기인 경우, m1+m2는 1∼40이며, n1+n2는 0∼20이다. XO가 옥시프로필렌기, YO가 옥시에틸렌기의 경우, m1+m2는 0∼20이며, n1+n2는 1∼40이다. m1, m2, n1 및 n2는 구성 단위의 구성 단위수를 나타낸다. 따라서 단일의 분자에 있어서는 정수값을 나타내고, 복수종의 분자의 집합체로서는 평균값인 유리수를 나타낸다. 이하, 구성 단위의 구성 단위수에 관하여는 동일하다.
내산성이 뛰어난 점에서는, 식(1) 중, m1+m2는 8∼40인 것이 바람직하고, 8∼20인 것이 보다 바람직하고, 8∼10인 것이 더욱 바람직하다.
감광성 수지 조성물이 (B)성분으로서 비스페놀A형디(메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량으로서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 1질량부∼50질량부인 것이 바람직하고, 5질량부∼50질량부인 것이 보다 바람직하다.
EO·PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트 화합물로서는, 하기 식(2)로 표시되는 화합물을 들 수 있다.
Figure pct00002
식(2) 중, R3은 각각 독립하여, 수소 원자 또는 메틸기를 나타낸다. OR4 및 OR5는 각각 독립하여, 옥시에틸렌기 또는 옥시프로필렌기를 나타낸다. R6은 알킬쇄를 나타낸다. m 및 n은 각각 독립하여 0∼40을 나타낸다. 다만, m+n은 1 이상이다. OR4가 옥시에틸렌기, OR5가 옥시프로필렌기인 경우, m의 총량은 1∼40이며, n의 총량은 0∼20이다. OR4가 옥시프로필렌기, OR5가 옥시에틸렌기의 경우, m의 총량은 0∼20이며, n의 총량은 1∼40이다. m 및 n은 구성 단위의 구성 단위수를 나타낸다. 따라서 단일의 분자에 있어서는 정수값을 나타내고, 복수종의 분자의 집합체로서는 평균값인 유리수를 나타낸다. 이하, 구성 단위의 구성 단위수에 관하여는 동일하다.
감광성 수지 조성물이 (B)성분으로서 EO·PO변성 우레탄디(메타)아크릴레이트 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량으로서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 1질량부∼50질량부인 것이 바람직하고, 5질량부∼50질량부인 것이 보다 바람직하다.
감광성 수지 조성물은, (B)성분으로서, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 2개 가지는 화합물에 더하여, 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물을 한층 더 함유하고 있어도 된다.
분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물로서는, 예를 들면, 노닐페녹시폴리에틸렌옥시아크릴레이트, 프탈산계 화합물, 및 (메타)아크릴산알킬에스테르를 들 수 있다. 이들 중에서도, 해상도, 밀착성, 레지스터 형상 및 경화 후의 박리 특성을 균형있게 향상시키는 관점에서, 노닐페녹시폴리에틸렌옥시아크릴레이트 또는 프탈산계 화합물을 포함하는 것이 바람직하다.
분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 프탈산계 화합물로서는, 예를 들면, γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, 2-아크릴로일록시에틸-2-히드록시에틸-프탈산 및 2-아크릴로일록시에틸-프탈산을 들 수 있다.
감광성 수지 조성물이 (B)성분으로서 분자내에 에틸렌성 불포화 결합을 1개 가지는 화합물을 포함하는 경우, 그 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부 중에, 1질량부∼20질량부인 것이 바람직하고, 3질량부∼15질량부인 것이 보다 바람직하고, 5질량부∼12질량부인 것이 더욱 바람직하다.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (B)성분 전체의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여 30질량부∼70질량부로 하는 것이 바람직하고, 35질량부∼65질량부로 하는 것이 보다 바람직하고, 35질량부∼50질량부로 하는 것이 특히 바람직하다. 이 함유량이 30질량부 이상이면, 충분한 감도 및 해상도를 얻기 쉽게 되는 경향이 있다. 70질량부 이하이면, 필름(감광성 수지 조성물층)을 형성하기 쉽게 되는 경향이 있고, 또한 양호한 레지스터 형상을 얻기 쉽게 되는 경향이 있다.
(C)성분: 광중합 개시제
감광성 수지 조성물은, (C)성분으로서 광중합 개시제를 적어도 1종 함유한다. 광중합 개시제는, (B)성분을 중합시킬 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 통상 사용되는 광중합 개시제로부터 적절히 선택할 수 있다.
(C)성분으로서는, 벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄온-1, 2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노프로판온-1 등의 방향족 케톤; 알킬안트라퀴논 등의 퀴논류; 벤조인알킬에테르 등의 벤조인에테르 화합물; 벤조인, 알킬벤조인 등의 벤조인 화합물; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체; 9-페닐아크리딘, 1,7-(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
(C)성분은, 감도 및 밀착성을 한층 향상시키는 관점에서, 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체의 적어도 1종을 포함하는 것이 바람직하고, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 2량체를 포함하는 것이 보다 바람직하다. 2,4,5-트리아릴이미다졸 2량체는, 그 구조가 대칭이어도 비대칭이어도 된다.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (C)성분의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여 0.1질량부∼10질량부인 것이 바람직하고, 1질량부∼7질량부인 것이 보다 바람직하고, 2질량부∼6질량부인 것이 더욱 바람직하고, 3질량부∼5질량부인 것이 특히 바람직하다. 이 함유량이 0.1질량부 이상이면 양호한 감도, 해상도 또는 밀착성을 얻기 쉽게 되는 경향이 있고, 10질량부 이하이면 양호한 레지스터 형상을 얻기 쉽게 되는 경향이 있다.
(D)성분: 실란커플링제
감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 실란커플링제를 함유한다. 실란커플링제로서는, (D1)성분: 메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물, (D2)성분: 아미노기를 가지는 실란 화합물(바람직하게는, 우레이드기를 가지는 실란 화합물), (D3)(메타)아크릴록시기를 가지는 실란 화합물을 들 수 있다. 감광성 수지 조성물은, 이들 중 적어도 (D1)성분을 함유한다.
감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서 (D1)성분을 함유함으로써, 평활성이 높은 기재에 대한 밀착성이 뛰어나고, 또한 염산에 의한 ITO 에칭에 의해서도 박리 등이 발생하기 어려운 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 형성할 수 있다는, 뛰어난 효과를 발휘한다.
또한, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분 이외의 실란커플링제를 함유하고 있어도 된다.
예를 들면, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분과 (D3)성분을 병용할 수 있다. 감광성 수지 조성물이 (D)성분으로서 (D1)성분만을 포함하는 경우, 뛰어난 밀착성을 나타내는 레지스터를 얻을 수 있는 한편, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사가 발생하기 쉬운(즉, 구리 기판 위에 형성된 레지스터가, 에칭 후에 박리 하기 어려운) 경향이 있고, 에칭 시간이 증가되는 경향에 있다. 이에 대하여, 감광성 수지 조성물이 (D)성분으로서 (D1)성분 및 (D3)성분을 함유하는 경우, 뛰어난 밀착성을 유지하면서, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사의 발생을 억제하고, 에칭 시간의 단축을 도모할 수 있다.
또한, 감광성 수지 조성물은, (D)성분으로서, (D1)성분, (D2)성분 및 (D3)성분을 모두 함유하고 있어도 된다. 이와 같은 감광성 수지 조성물에 의하면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사의 발생을 억제하면서, 보다 높은 밀착성을 실현할 수 있다.
(D1)성분으로서는, 메르캅토알킬기 및 알콕시기를 가지는 실란 화합물(메르캅토알킬알콕시실란)이 바람직하고, 이와 같은 (D1)성분으로서는, 메르캅토프로필메틸디메톡시실란, 메르캅토프로필트리메톡시실란, 메르캅토프로필트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 가수분해가 일어나기 쉽고, 또한 3점에서의 가교가 가능한 메르캅토프로필트리메톡시실란이 가장 밀착성의 발현에 대하여 바람직하다.
(D2)성분으로서는, 말단에 1급 아미노기를 가지는 실란 화합물이 바람직하고, 이와 같은 (D2)성분으로서는, 예를 들면, 3-아미노프로필메톡시실란, 아미노프로필에톡시실란, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-우레이드프로필트리에톡시실란, 3-우레이드프로필트리메톡시실란, 우레이드메틸트리메톡시실란, 우레이드메틸트리에톡시실란, 2-우레이드에틸트리메톡시실란, 2-우레이드에틸트리에톡시실란, 4-우레이드부틸트리메톡시실란, 4-우레이드부틸트리에톡시실란 등을 들 수 있다. 이 중에서도, 바인더 폴리머와의 반응성을 고려하여, 우레이드기 등의 카르본산기와의 반응성이 낮은 관능기를 가지는 실란 화합물이 바람직하고, (D1)성분과 병용했을 때에 현상 잔사의 억제 효과가 특히 현저하게 보여지는 3-우레이드프로필트리에톡시실란이 가장 바람직하다.
(D3)성분으로서는, 예를 들면,3-메타크릴록시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴록시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴록시프로필트리에톡시실란을 들 수 있다. 이 중에서도, 가수분해를 일으키기 쉽고, 또한 3점에서의 가교가 가능한 3-메타크릴록시프로필트리메톡시실란이 가장 밀착성의 발현에 대하여 바람직하다.
감광성 수지 조성물에 있어서의 (D)성분의 함유량은, 밀착성이 뛰어난 점에서는, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 0.01질량부∼10질량부인 것이 바람직하고, 0.05질량부∼5질량부인 것이 보다 바람직하고, 0.1질량부∼3질량부인 것이 더욱 바람직하다. (D)성분의 함유량이 상기 범위보다 많으면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사가 발생하기 쉽게 되는 경향이 있고, 또한, 해상성의 저하·감도의 대폭적인 상승에 의한 레지스터 저부(底部)의 경화 부족 등이 발생할 우려가 있다. 이에 대하여, (D)성분의 함유량이 상기 범위 내이면, 구리 기판 등에 대한 현상 잔사를 충분히 억제하면서, 레지스터 저부까지 충분히 경화되는 적당한 경화성을 실현할 수 있다. 레지스터 저부까지의 충분한 효과에 의해, 양호한 레지스터 형상을 얻을 수 있음과 동시에, 에칭액에 대한 내성이 한층 양호하게 된다.
(기타 성분)
감광성 수지 조성물은, 필요에 따라 상기 (A)∼(D)성분 이외의 성분을 함유하고 있어도 된다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물은, 증감 색소, 비스[4-(디메틸아미노)페닐]메탄, 비스[4-(디에틸아미노)페닐]메탄 및 로이코 크리스탈 바이올렛트로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 함유할 수 있다.
증감 색소로서는, 예를 들면, 디알킬아미노벤조페논 화합물, 피라졸린 화합물, 안트라센 화합물, 쿠마린 화합물, 크산톤 화합물, 티오크산톤 화합물, 옥사졸 화합물, 벤조옥사졸 화합물, 티아졸 화합물, 벤조티아졸 화합물, 트리아졸 화합물, 스틸벤 화합물, 트리아진 화합물, 티오펜 화합물, 나프탈이미드 화합물, 트리아릴아민 화합물, 및 아미노아크리딘 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로, 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
또한, 감광성 수지 조성물은, 분자내에 적어도 1개의 양이온 중합 가능한 환상(環狀) 에테르기를 가지는 중합성 화합물(옥세탄 화합물 등); 양이온 중합 개시제; 말라카이트 그린, 빅토리아 퓨어 블루, 브릴리언트 그린, 메틸 바이올렛 등의 염료; 트리브로모페닐술폰, 디페닐아민, 벤질아민, 트리페닐아민, 디에틸아닐린, o-클로로아닐린 등의 광발색제; 발열색방지제; p-톨루엔술폰아미드 등의 가소제; 안료; 충전제; 소포제; 난연제; 안정제; 밀착성 부여제; 레벨링제; 박리 촉진제; 산화 방지제; 향료; 이미징제; 열가교제; 등을 함유하여도 된다. 이들은, 단독으로 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
감광성 수지 조성물이 기타 성분((A)∼(D)성분 이외의 성분)을 포함하는 경우, 이들의 함유량은, (A)성분 및 (B)성분의 총량 100질량부에 대하여, 각각 0.01질량부∼20질량부 정도로 하는 것이 바람직하다.
[감광성 수지 조성물의 용액]
감광성 수지 조성물은, 유기용제 중 적어도 1종을 더 포함하는 액상 조성물이어도 된다. 유기용제로서는, 메탄올, 에탄올 등의 알코올 용제; 아세톤, 메틸에틸케톤 등의 케톤 용제; 메틸셀로솔브, 에틸셀로솔브, 프로필렌글리콜모노메틸에테르 등의 글리콜에테르 용제; 톨루엔 등의 방향족 탄화수소 용제; N,N-디메틸포름아미드 등의 비(非)프로톤성 극성 용제 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로도, 2종 이상을 혼합하여 사용해도 된다.
감광성 수지 조성물에 포함되는 유기용제의 함유량은, 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 예를 들면, 감광성 수지 조성물은, 고형분이 30질량%∼60질량%정도가 되는 액상 조성물(이하, 유기용제를 포함하는 감광성 수지 조성물을 「도포액」이라고도 한다.)로서 사용할 수 있다.
도포액을, 후술하는 지지 필름, 금속판 등의 표면 위에 도포하고, 건조시킴으로써, 감광성 수지 조성물의 도막인 감광성 수지 조성물층을 형성할 수 있다. 금속판으로서는 특별히 제한되지 않으며 목적 등에 따라 적절히 선택할 수 있다. 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 니켈, 크롬, 철, 스테인레스 등의 철계 합금 등의 금속으로 이루어지는 금속판을 들 수 있다. 바람직한 금속판으로서는, 구리, 구리계 합금, 철계 합금 등의 금속으로 이루어지는 금속판을 들 수 있다.
형성되는 감광성 수지 조성물층의 두께는 특별히 제한되지 않으며, 그 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 감광성 수지 조성물층의 두께(건조 후의 두께)는, 1㎛∼100㎛ 정도인 것이 바람직하다.
금속판 위에 감광성 수지 조성물층을 형성했을 경우, 감광성 수지 조성물층의 금속판과는 반대측의 표면을, 보호필름으로 피복해도 된다. 보호필름으로서는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등의 중합체 필름 등을 들 수 있다.
＜감광성 엘리먼트＞
본 실시형태에 관련되는 감광성 엘리먼트(이하, 간단히 「감광성 엘리먼트」라고 한다.)는, 지지 필름과, 그 지지 필름의 일면 위에 설치된 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비한다. 이와 같은 감광성 엘리먼트에 의하면, 상기 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하기 때문에, 평활성이 높은 기판에 대하여도 충분한 밀착성을 가지고, 또한 뛰어난 내산성을 가지는 레지스터 패턴을 효율적으로 형성할 수 있다. 감광성 엘리먼트는, 필요에 따라 보호필름 등의 그 외의 층을 가지고 있어도 된다.
도 1은, 본 발명의 감광성 엘리먼트의 일 실시형태를 나타내는 모식 단면도이다. 도 1에 나타내는 감광성 엘리먼트(10)에서는, 지지 필름(2), 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층(4) 및 보호필름(6)이 이 순서로 적층되어 있다. 감광성 수지 조성물층(4)은, 감광성 수지 조성물의 도막이라고 할 수도 있다. 또한 도막은, 감광성 수지 조성물이 미경화 상태의 것이다.
감광성 엘리먼트(10)는, 예를 들면, 이하와 같이 하여 얻을 수 있다. 지지 필름(2) 위에, 유기용제를 포함하는 감광성 수지 조성물인 도포액을 도포하여 도포층을 형성하고, 이것을 건조(도포층으로부터 유기용제의 적어도 일부를 제거)함으로써 감광성 수지 조성물층(4)을 형성한다. 이어서, 감광성 수지 조성물층(4)의 지지 필름(2)과는 반대측의 면을 보호필름(6)으로 피복함으로써, 지지 필름(2)과, 그지지 필름(2) 위에 적층된 감광성 수지 조성물층(4)과, 그 감광성 수지 조성물층(4) 위에 적층된 보호필름(6)을 구비하는, 감광성 엘리먼트(10)를 얻을 수 있다. 또한, 감광성 엘리먼트(10)는, 보호필름(6)을 반드시 구비하지 않아도 된다.
지지 필름(2)로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 등의, 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체로 이루어지는 필름을 사용할 수 있다.
지지 필름(2)의 두께는, 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 5㎛∼50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5㎛∼30㎛인 것이 더욱 바람직하다. 지지 필름(2)의 두께가 1㎛ 이상인 것으로, 지지 필름(2)를 박리할 때에 지지 필름(2)이 찢어지는 것을 억제할 수 있다. 또한 100㎛ 이하인 것으로 해상도의 저하가 억제된다.
보호필름(6)으로서는, 감광성 수지 조성물층(4)에 대한 접착력이, 지지 필름(2)의 감광성 수지 조성물층(4)에 대한 접착력보다 작은 것이 바람직하다. 구체적으로, 보호필름(6)으로서는, 폴리에틸렌테레프탈레이트 등의 폴리에스테르; 폴리프로필렌, 폴리에틸렌 등의 폴리올레핀 등의, 내열성 및 내용제성을 가지는 중합체로 이루어지는 필름을 사용할 수 있다. 시판의 것으로서는, 오지세이시 가부시키가이샤제의 아르판 MA-410, E-200, 신에츠필름 가부시키가이샤제 등의 폴리프로필렌 필름, 데이진 가부시키가이샤제의 PS-25 등의 PS시리즈의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 타마폴리의 NF-15A를 들 수 있다. 또한, 보호필름(6)은 지지 필름(2)과 동일한 것이어도 된다.
보호필름(6)의 두께는 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 5㎛∼50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5㎛∼30㎛인 것이 더욱 바람직하고, 15㎛∼30㎛인 것이 특히 바람직하다. 보호필름(6)의 두께가 1㎛ 이상이면, 보호필름(6)을 벗기면서, 감광성 수지 조성물층(4) 및 지지 필름(2)을 기재 위에 라미네이트할 때, 보호필름(6)이 찢어지는 것을 억제할 수 있다. 100㎛ 이하이면, 취급성과 염가성이 뛰어나다.
감광성 엘리먼트(10)는, 구체적으로는 예를 들면 이하와 같이 하여 제조할 수 있다. 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액을 준비하는 공정과, 상기 도포액을 지지 필름(2) 위에 도포하여 도포층을 형성하는 공정과, 상기 도포층을 건조하여 감광성 수지 조성물층(4)을 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법으로 제조할 수 있다.
도포액의 지지 필름(2) 위에의 도포는, 롤 코트, 콤마 코트, 그라비아 코트, 에어나이프 코트, 다이 코트, 바 코트 등의 공지된 방법에 의해 실시할 수 있다.
도포층의 건조는, 도포층으로부터 유기용제의 적어도 일부를 제거할 수 있으면 특별히 제한은 없다. 예를 들면, 70℃∼150℃에서, 5분 ∼30분간 정도 실시하는 것이 바람직하다. 건조 후, 감광성 수지 조성물층(4) 중의 잔존 유기용제량은, 후(後)의 공정에서의 유기용제의 확산을 방지하는 관점에서, 2질량% 이하로 하는 것이 바람직하다.
감광성 엘리먼트(10)에 있어서의 감광성 수지 조성물층(4)의 두께는, 용도에 따라 적절히 선택할 수 있다. 건조 후의 두께로 1㎛∼100㎛인 것이 바람직하고, 1㎛∼50㎛인 것이 보다 바람직하고, 5㎛∼40㎛인 것이 더욱 바람직하다. 감광성 수지 조성물층(4)의 두께가 1㎛ 이상인 것으로, 공업적인 도공이 용이하게 된다. 100㎛ 이하이면, 밀착성 및 해상도를 충분히 얻을 수 있는 경향이 있다.
감광성 엘리먼트(10)의 형태는 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 시트상(狀)이어도 되고, 또는 권심(卷芯)에 롤상(狀)으로 권취한 형상이어도 된다. 롤상으로 권취하는 경우, 지지 필름(2)이 외측이 되도록 권취하는 것이 바람직하다. 권심으로서는, 폴리에틸렌 수지, 폴리프로필렌 수지, 폴리스티렌 수지, 폴리염화비닐 수지, ABS 수지(아크릴로니트릴-부타디엔-스티렌 공중합체) 등의 플라스틱 등을 들 수 있다. 이와 같이 하여 얻어진 롤상의 감광성 엘리먼트 롤의 단면(端面)에는, 단면 보호의 견지에서 단면 세퍼레이터(separator)를 설치하는 것이 바람직하고, 내엣지 퓨전의 견지에서 방습 단면 세퍼레이터를 설치하는 것이 바람직하다. 곤포(梱包) 방법으로서는, 투습성이 작은 블랙 시트에 싸서 포장하는 것이 바람직하다.
감광성 엘리먼트(10)는, 예를 들면, 후술하는 레지스터 패턴의 형성 방법에 적합하게 사용할 수 있다.
＜레지스터 패턴의 형성 방법＞
본 실시형태에 관련되는 레지스터 패턴의 형성 방법은, (i) 기재 위에 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 형성하는 적층 공정과, (ii) 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하는 노광 공정과, (iii) 감광성 수지 조성물층의 경화물 영역 이외의 영역을 기재 위로부터 제거하여, 기재 위에, 감광성 수지 조성물의 경화물(경화물 영역)로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성하는 현상 공정을 가진다. 레지스터 패턴의 형성 방법은, 필요에 따라 그 밖의 공정을 더 가지고 있어도 된다. 이하, 각 공정에 관하여 상세히 설명한다.
(i) 적층 공정
적층 공정에서는, 기재 위에 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 형성한다.
기재 위에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 기재 위에, 감광성 수지 조성물을 포함하는 도포액을 도포한 후, 건조시키는 방법을 들 수 있다.
또한, 기재 위에 감광성 수지 조성물층을 형성하는 방법으로서는, 예를 들면, 감광성 엘리먼트로부터 필요에 따라 보호필름을 제거한 후, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 기재 위에 라미네이트하는 방법을 들 수 있다. 라미네이트는, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층을 가열하면서 기재에 압착함으로써, 실시할 수 있다. 이 라미네이트에 의해, 기재와 감광성 수지 조성물층과 지지 필름이 이 순서로 적층된 적층체를 얻을 수 있다.
라미네이트는, 예를 들면 70℃∼130℃의 온도에서 실시하는 것이 바람직하고, 0.1MPa∼1.0MPa 정도(1kgf/cm2∼10kgf/cm2 정도)의 압력으로 압착하여 실시하는 것이 바람직하다. 이들의 조건은 필요에 따라 적절히 조정할 수 있다. 라미네이트할 때에 있어서는, 기재가 예열 처리되어 있어도 되고, 감광성 수지 조성물층이 70℃∼130℃로 가열되어 있어도 된다.
(ii) 노광 공정
노광 공정에서는, 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역에 활성 광선을 조사함으로써, 활성 광선이 조사된 노광부가 광경화되어, 잠상(潛像)이 형성된다. 여기서, 적층 공정에서 감광성 엘리먼트를 사용했을 때, 감광성 수지 조성물층 위에는 지지 필름이 존재하지만, 지지 필름이 활성 광선에 대하여 투과성을 가지는 경우에는, 지지 필름을 통해 활성 광선을 조사할 수 있다. 한편, 지지 필름이 활성 광선에 대하여 차광성을 나타내는 경우에는, 지지 필름을 제거한 후에, 감광성 수지 조성물층에 활성 광선을 조사한다.
노광 방법으로서는, 아트워크(artwork)라고 불리는 네가티브 또는 포지티브 마스크 패턴을 통해 활성 광선을 화상장(畵像狀)으로 조사하는 방법(마스크 노광법)을 들 수 있다. 또한, LDI(Laser Direct Imaging) 노광법이나 DLP(Digital Light Processing) 노광법 등의 직접 묘화 노광법에 의해 활성 광선을 화상상으로 조사하는 방법을 채용해도 된다.
활성 광선의 파장(노광 파장)으로서는, 본 발명의 효과를 보다 확실히 얻는 관점에서, 340nm∼430nm의 범위 내로 하는 것이 바람직하고, 350nm∼420nm의 범위 내로 하는 것이 보다 바람직하다.
(iii) 현상 공정
현상 공정에서는, 감광성 수지 조성물층의 경화물 영역 이외의 영역(즉, 감광성 수지 조성물층의 미경화 부분)을 기재 위로부터 현상 처리에 의해 제거하여, 감광성 수지 조성물층의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 기재 위에 형성한다. 또한, 노광 공정을 거친 감광성 수지 조성물층 위에 지지 필름이 존재하고 있는 경우에는, 지지 필름을 제거하고 나서 현상 공정을 실시한다. 현상 처리에는, 웨트 현상과 드라이 현상이 있지만, 웨트 현상이 적합하게 사용된다.
웨트 현상에서는, 감광성 수지 조성물에 대응한 현상액을 사용하여, 공지된 현상 방법에 의해 현상을 실시한다. 현상 방법으로서는, 딥 방식, 배틀 방식, 스프레이 방식, 브러싱, 슬러핑, 스크래핑, 요동 침지 등을 사용한 방법을 들 수 있고,해상도 향상의 관점에서는, 고압 스프레이 방식이 가장 적합하다. 이들 2종 이상의 방법을 조합하여 현상을 실시해도 된다.
현상액은, 감광성 수지 조성물의 구성에 따라 적절히 선택할 수 있다. 현상액으로서는, 알칼리성 수용액, 수계 현상액, 유기용제계 현상액 등을 들 수 있다.
현상에 사용하는 알칼리성 수용액으로서는, 0.1질량%∼5질량% 탄산나트륨 용액, 0.1질량%∼5질량% 탄산칼륨 용액, 0.1질량%∼5질량% 수산화나트륨 용액, 0.1질량%∼5질량% 사붕산나트륨 용액 등이 바람직하다. 알칼리성 수용액의 pH는 9∼11의 범위로 하는 것이 바람직하다. 또한 그 온도는, 감광성 수지 조성물층의 알칼리 현상성에 맞추어 조절된다. 알칼리성 수용액 중에는, 표면 활성제, 소포제, 현상을 촉진시키기 위한 소량의 유기용제 등을 혼입시켜도 된다.
레지스터 패턴의 형성 방법은, 미노광 부분을 제거한 후, 필요에 따라 60℃∼250℃ 정도의 가열 및/또는 0.2J/cm2∼10J/cm2 정도의 노광을 실시함으로써, 레지스터 패턴을 더 경화하는 공정을 더 가지고 있어도 된다.
＜터치 패널의 제조 방법＞
본 실시형태에 관련되는 터치 패널의 제조 방법은, 상기 레지스터 패턴의 형성 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 기재를, 에칭 처리하는 공정을 가진다. 에칭 처리는, 형성된 레지스터 패턴을 마스크로서, 기재의 도체층 등에 대하여 실시된다. 에칭 처리에 의해, 인출배선과 투명전극의 패턴을 형성함으로써, 터치 패널이 제조된다.
도 3은, 본 발명의 터치 패널의 제조 방법의 일 태양(態樣)을 나타내는 모식 단면도이다. 본 태양의 제조 방법은, 지지기재(22)와, 지지기재(22)의 일면 위에 설치된 투명도전층(24)과, 투명도전층(24) 위에 설치된 금속층(26)을 구비하는 적층 기재의, 금속층(26) 위에, 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴(29)을 형성하는 제1의 공정과, 금속층(26) 및 투명도전층(24)을 에칭하여, 투명도전층(24)의 잔부(殘部) 및 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 적층 패턴(도 3(d)에 있어서의 24+26)을 형성하는 제2의 공정과, 적층 패턴의 일부로부터 금속층을 제거하여, 투명도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명전극과 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정을 가진다.
제1의 공정에서는, 우선, 도 3(a)에 나타내는 바와 같이, 지지기재(22)와, 지지기재(22)의 일면 위에 설치된 투명도전층(24)과, 투명도전층(24) 위에 설치된 금속층(26)을 구비하는 적층 기재의, 금속층(26) 위에, 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층(28)을 적층한다. 감광성 수지 조성물층(28)은, 금속층(26)과 반대측의 면 위에 지지 필름을 구비하고 있어도 된다.
금속층(26)으로서는, 구리, 구리와 니켈의 합금, 몰리브덴-알루미늄-몰리브덴 적층체, 은과 팔라듐과 구리의 합금 등을 포함하는 금속층을 들 수 있다. 이들 중, 본 발명의 효과가 한층 현저하게 얻을 수 있는 관점에서, 구리 또는 구리와 니켈의 합금을 포함하는 금속층을 적합하게 사용할 수 있다.
투명도전층(24)은, 산화인듐주석(ITO)을 함유한다. 투명도전층(24)은, 어닐 처리가 불필요하게 되는 관점에서, 결정성의 ITO를 포함하는 것인 것이 바람직하다.
이어서, 감광성 수지 조성물층(28)의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하고, 감광성 수지 조성물층의 경화물 영역 이외의 영역을 적층 기재 위로부터 제거한다. 이에 의해, 도 3(b)에 나타내는 바와 같이, 적층 기재 위에 레지스터 패턴(29)이 형성된다.
제2의 공정에서는, 에칭 처리에 의해, 레지스터 패턴(29)으로 마스크되어 있지 않은 영역의 금속층(26) 및 투명도전층(24)을, 지지기재(22) 위로부터 제거한다.
에칭 처리의 방법은, 제거할 층에 따라 적절히 선택된다. 예를 들면, 금속층을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 염화제2구리 용액, 염화제2철 용액, 인산 용액 등을 들 수 있다. 또한, 투명도전층을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 옥살산, 염산, 왕수 등이 사용된다.
투명도전층(24)이 결정성의 ITO를 포함하는 것인 경우, 투명도전층(24)을 제거하기 위한 에칭액으로서는, 농염산 등의 강산을 사용할 필요가 있지만, 본 태양의 제조 방법에서는, 레지스터 패턴이 상기 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 것이기 때문에, 강산에 의한 에칭 처리하에서도 레지스터 패턴의 박리 등이 충분히 억제된다.
도 3(c)은 에칭 처리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(c)에 있어서는 지지기재(22) 위에, 금속층(26)의 잔부, 투명도전층(24)의 잔부 및 레지스터 패턴(28)의 잔부로 이루어지는 적층체가 형성되어 있다. 본 태양의 제조 방법에 있어서는, 이 적층체로부터 레지스터 패턴(28)이 제거된다.
레지스터 패턴(28)의 제거는, 예를 들면, 상술한 현상 공정에 사용하는 알칼리성 수용액보다도 알칼리성이 강한 수용액을 사용할 수 있다. 이 강알칼리성의 수용액으로서는, 1∼10질량% 수산화나트륨 수용액, 1∼10질량% 수산화칼륨 수용액 등이 사용된다. 그 중에서도 1∼10질량% 수산화나트륨 수용액 또는 수산화칼륨 수용액을 사용하는 것이 바람직하고, 1∼5질량% 수산화나트륨 수용액 또는 수산화칼륨 수용액을 사용하는 것이 보다 바람직하다. 레지스터 패턴의 박리 방식으로서는, 침지 방식, 스프레이 방식 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 사용해도 병용해도 된다.
도 3(d)은, 레지스터 패턴 박리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(d)에 있어서는 지지기재(22) 위에, 금속층(26)의 잔부 및 투명도전층(24)의 잔부로 이루어지는 적층 패턴이 형성되어 있다.
제3의 공정에서는, 이 적층 패턴으로부터, 금속층(26) 중 금속 배선을 이루기 위한 일부분 이외를 제거하여, 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 금속 배선과 투명도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명전극을 형성한다. 또한, 본 태양에서는, 제3의 공정에서 금속층(26)을 제거하는 방법으로서, 에칭을 실시하는 방법을 채용하지만, 제3의 공정에서 금속층(26)을 제거하는 방법은 반드시 에칭에 한정되지 않는다.
제3의 공정에서는, 우선, 제2의 공정을 거친 적층 기재 위에 감광성 수지 조성물층(30)을 형성한다(도 3(e)). 이어서, 감광성 수지 조성물층(30)의 노광 및 현상을 거쳐, 감광성 수지 조성물층(30)의 경화물로 이루어지는 레지스터(31)를 형성한다(도 3(f)). 또한, 감광 수지 조성물층은, 상술한 본 실시형태에 관련되는 감광성 수지 조성물을 포함하는 층이어도 되고, 종래 공지된 에칭용 감광성 수지 조성물을 포함하는 층이어도 된다.
다음으로, 에칭 처리에 의해, 적층 패턴 중 레지스터(31)가 형성되어 있지 않은 부분으로부터, 금속층(26)을 제거한다. 이 때, 에칭 처리액으로서는, 상술한 금속층을 제거하기 위한 에칭액과 동일한 것을 사용할 수 있다.
도 3(g)은 에칭 처리 후를 나타내는 도면이며, 도 3(g)에 있어서는, 지지기재(22) 위에, 투명도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명전극이 형성되고, 또한, 일부의 투명전극 위에 금속층(26) 및 레지스터(31)로 이루어지는 적층체가 형성되어 있다. 이 적층체로부터, 레지스터(31)를 제거함으로써, 도 3(h)에 나타내는 바와 같이, 지지기재(22) 위에, 투명도전층(24)의 잔부로 이루어지는 투명전극과 금속층(26)의 잔부로 이루어지는 금속 배선이 형성된다.
도 4는, 본 발명을 사용하여 얻어지는 터치 패널의 일 태양을 나타내는 상면도이다. 터치 패널(100)에 있어서는, 투명전극인 X전극(52) 및 Y전극(54)이 교대로 병설(竝設)되어 있고, 길이 방향의 동렬(同列)에 설치된 X전극(52)끼리가 하나의 인출배선(56)에 의해 각각 연결되고, 또한, 폭 방향의 동렬에 설치된 Y전극(54)끼리가 하나의 인출배선(57)에 의해 각각 연결되어 있다.
이상, 본 발명의 적합한 실시형태에 관하여 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다.
실시예
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(제조예1: 바인더 폴리머(A-1)의 제조)
중합성 단량체(모노머)인 메타크릴산 30g, 메타크릴산메틸 35g 및 메타크릴산부틸 35g(질량비 30/35/35)과, 아조비스이소부티로니트릴 0.5g과, 아세톤 10g을 혼합하여 얻은 용액을 「용액 a」라고 했다. 아세톤 30g에 아조비스이소부티로니트릴 0.6g을 용해하여 얻은 용액을 「용액 b」라고 했다.
교반기, 환류 냉각기, 온도계, 적하 로트 및 질소 가스 도입관을 구비한 플라스크에, 아세톤 80g 및 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20g의 혼합액(질량비 4:1) 100g을 투입하고, 플라스크 내에 질소 가스를 불어 넣는 중에 교반하면서 가열하여, 80℃까지 승온시켰다.
플라스크 내의 상기 혼합액에, 상기 용액 a를 4시간 걸쳐 적하한 후, 교반하면서 80℃에서 2시간 보온했다. 이어서, 플라스크 내의 용액에, 상기 용액 b를 10분간 걸쳐 적하한 후, 플라스크 내의 용액을 교반하면서 80℃에서 3시간 보온했다. 또한, 플라스크 내의 용액을 30분간 걸쳐 90℃까지 승온시켜, 90℃에서 2시간 보온한 후, 냉각하여 바인더 폴리머(A-1)의 용액을 얻었다.
바인더 폴리머(A-1)의 불휘발분(고형분)은 42.8질량%이며, 중량평균분자량은 50000이며, 산가는 195mgKOH/g, 분산도는 2.58이었다.
또한, 중량평균분자량은, 겔 침투 크로마토그래피법(GPC)에 의해 측정하고, 표준 폴리스티렌의 검량선을 이용하여 환산함으로써 도출했다. GPC의 조건을 이하에 나타낸다.
GPC 조건
펌프: 히타치/ L-6000형(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼제)
컬럼: 이하의 합계 3개, 컬럼 사양: 10.7mmφ×300mm
Gelpack GL-R440
Gelpack GL-R450
Gelpack GL-R400M(이상, 히타치가세이고교 가부시키가이샤제, 상품명)
용리액: 테트라히드로푸란(THF)
시료 농도: 고형분이 40질량%의 수지 용액을 120mg 채취하고, 5mL의 THF에 용해하여 시료를 조제했다.
측정 온도: 40℃
주입량: 200μL
압력: 49Kgf/cm2(4.8MPa)
유량: 2.05mL/분
검출기: 히타치 L-3300형RI(가부시키가이샤 히타치세이사쿠쇼제)
실시예 및 비교예는, 이하의 방법으로 실시했다.
(감광성 수지 조성물(도포액)의 조제)
표 1 및 표 2에 나타내는 각 성분을, 같은 표에 나타내는 배합량(질량부)으로 메탄올 5질량부, 톨루엔 12질량부 및 아세톤 5질량부와 혼합함으로써, 실시예 및 비교예의 감광성 수지 조성물의 도포액을 조제했다. 표 중의 (A)성분의 배합량은 불휘발분의 질량(고형분 양)이다. 표 1 및 2에 나타내는 각 성분의 상세는, 이하와 같다.
((A)성분)
A-1: 제조예 1에서 얻어진 바인더 폴리머(A-1).
((B)성분)
FA-321M:FA-321M(히타치가세이고교 가부시키가이샤제, 상품명), 2,2-비스(4-(메타크릴록시펜타에톡시)페닐)프로판; UA-11:UA-11(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명), 폴리옥시에틸렌우레탄디메타크릴레이트;
UA-13:UA-13(신나카무라가가쿠고교 가부시키가이샤제, 상품명), 폴리옥시에틸렌폴리옥시프로필렌우레탄디메타크릴레이트;
FA-MECH:FA-MECH(히타치가세이고교 가부시키가이샤제, 상품명), γ-클로로-β-히드록시프로필-β'-메타크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트.
((C)성분)
B-CIM:B-CIM(Hampford사제, 제품명), 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,4', 5,5'-테트라페닐비스이미다졸;
EAB:EAB(호도가야가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명), 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논.
((D)성분)
·(D1)성분
KBM-803:KBM-803(신에츠실리콘사제, 제품명), 3-메르캅토프로필트리메톡시실란.
·(D2)성분
AY43-031:AY43-031(토레다우코닝사제, 제품명), 3-우레이드프로필메에톡시실란;
KBE-573:KBE-573(신에츠실리콘사제, 제품명), N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란;
KBE-903:KBE-903(신에츠실리콘사제, 제품명), 3-아미노프로필트리에톡시실란;
KBM-903:KBM-903(신에츠실리콘사제, 상품명), 3-아미노프로필트리에톡시실란;
KBE-9103:KBE-9103(신에츠실리콘사제, 제품명), 3-트리에톡시시릴-N-(1,3-디메틸부틸리덴)프로필아민;
Z-6032:Z-6032(토레다우코닝사제, 제품명), 아미노에틸아미노프로필트리메톡시실란.
·(D3)성분
SZ-6030:SZ-6030(토레다우코닝사제, 상품명), 메타크릴록시프로필트리메톡시실란.
·(D1)∼(D3)성분 이외의 실란커플링제
KBE-846:KBE-846(신에츠실리콘사제, 제품명), 비스(트리에톡시실릴프로필)테트라술피드;
KBE-9007:KBE-9007(신에츠실리콘사제, 제품명), 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란;
KBE-403:KBE-403(신에츠실리콘사제, 제품명), 3-글리시독시프로필트리에톡시실란;
KBE-5103:KBE-5103(신에츠실리콘사제, 제품명), 3-아크릴록시프로필트리메톡시실란.
((E)성분: (A)∼(D)성분 이외의 성분)
LCV:LCV(야마다가세이 가부시키가이샤제, 제품명), 로이코 크리스탈 바이올렛;
TBC:DIC-TBC-5P(다이닛뽕잉크가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명), 4-t-부틸카테콜;
F-806P: 비스(N,N-2-에틸헥실)아미노메틸-5-카르복시-1,2,3-벤조트리아졸;
AZCV-PW:AZCV-PW(호도가야가가쿠고교 가부시키가이샤제, 제품명), [4-{비스(4-디메틸아미노페닐)메틸렌}-2,5-시크로헥사디엔-1-이리덴].
Figure pct00003
Figure pct00004
＜감광성 엘리먼트의 제작＞
상기에서 얻어진 감광성 수지 조성물의 도포액을, 각각 두께 16㎛의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(토레(주)제, 제품명 「FB-40」) 위에 균일하게 도포하고, 70℃및 110℃의 열풍 대류식 건조기로 순차적으로 건조 처리하여, 건조 후의 막두께가 15㎛인 감광성 수지 조성물층을 형성했다. 이 감광성 수지 조성물층 위에 보호필름(타마폴리(주)제, 제품명 「NF-15 A」)을 붙여 맞추고, 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름(지지 필름)과, 감광성 수지 조성물층과, 보호필름이 순서로 적층된 감광성 엘리먼트를 얻었다.
＜적층 기재의 제작＞
폴리에틸렌테레프탈레이트재의 상층에 ITO로 이루어지는 투명도전층, 또한 그 상층에 구리로 이루어지는 금속층이 형성되고, 금속층의 최표면에는 방청 처리를 실시한 필름기재를 사용했다. 이 필름기재(이하, 「기재」라고 한다.)를 가열하여 80℃로 승온시킨 후, 상기에서 제작한 감광성 엘리먼트를, 기재의 금속층 표면에 라미네이트(적층)했다. 라미네이트는, 보호필름을 제거하면서, 감광성 엘리먼트의 감광성 수지 조성물층이 기재의 금속층 표면에 밀착하도록 하고, 온도 110℃, 라미네이트 압력 4kgf/cm2(0.4MPa)의 조건하에서 실시했다. 이와 같이 하여, 기재의 금속층 표면 위에 감광성 수지 조성물층 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름이 적층된 적층 기재를 얻었다.
＜감도의 평가＞
얻어진 적층 기재를 23℃가 될 때까지 방냉했다. 다음으로, 적층 기재를 3개의 영역으로 분할하고, 그 중 하나의 영역의 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름 위에, 농도 영역 0.00∼2.00, 농도 스텝 0.05, 타블렛의 크기 20mm×187mm, 각 스텝의 크기가 3mm×12mm인 41단 스텝 타블렛을 가지는 포토 툴을 밀착시켰다. 노광은, 쇼트 아크 UV램프((주) 오크세이사쿠쇼사제, 제품명 「AHD-5000 R」)를 광원으로 하는 평행 광선 노광기((주)오크세이사쿠쇼사제, 제품명 「EXM-1201」)를 이용하여, 100mJ/cm2의 에너지량(노광량)으로 포토 툴 및 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 통하여 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광했다. 이 때, 사용하지 않는 다른 영역은, 블랙 시트로 가렸다. 또한, 각각 다른 영역에 대하여, 동일한 방법으로 개별적으로 200mJ/cm2, 400mJ/cm2의 에너지량으로 노광했다. 또한, 조도의 측정은, 405nm대응 프로브를 적용한 자외선 조도계(우시오덴키(주)제, 제품명 「UIT-150」)를 이용했다.
노광 후, 적층 기재로부터 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름을 박리하고, 감광성 수지 조성물층을 노출시켜, 1질량% 탄산나트륨 수용액을 30℃에서 16초간 스프레이함으로써, 미노광 부분을 제거했다. 이와 같이 하여, 기재의 금속층 표면 위에 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성했다. 각 노광량에 있어서의 레지스터 패턴(경화막)으로서 얻어진 스텝 타블렛의 잔존 단수(스텝 단수)로부터, 노광량과 스텝 단수와의 검량선을 작성하고, 스텝 단수가 20단이 되는 노광량을 구함으로써, 감광성 수지 조성물의 감도를 평가했다. 감도는, 검량선으로부터 구한 스텝 단수가 20단이 되는 노광량에 의해 나타내며, 이 노광량이 적을수록 감도가 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타냈다.
＜밀착성의 평가＞
라인폭(L)/스페이스폭(S)(이하, 「L/S」라고 한다.)이 8/400∼47/400(단위: ㎛)인 마스크 패턴을 사용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 20단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광을 실시했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시했다.
현상 후, 스페이스 부분(미노광 부분)이 깨끗하게 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행(蛇行)이나 결손을 일으키는 일 없이 형성된 레지스터 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 밀착성을 평가했다. 이 수치가 작을수록 밀착성이 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타냈다.
＜해상성의 평가＞
L/S가 8/8∼47/47(단위: ㎛)인 마스크 패턴을 사용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 20단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광을 실시했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시했다.
현상 후, 스페이스 부분(미노광 부분)이 깨끗하게 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행이나 결손을 일으키는 일 없이 형성된 레지스터 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 해상도를 평가했다. 이 수치가 작을수록 해상도가 양호하다는 것을 의미한다. 결과를 표 3 및 표 4에 나타냈다.
＜내에칭액성의 평가＞
레지스터 패턴의 내에칭성을 이하와 같이 평가했다. L/S가 8/400∼47/400(단위: ㎛)인 마스크 패턴을 사용하여, 41단 스텝 타블렛의 잔존 단수가 20단이 되는 에너지량으로 상기 적층 기재의 감광성 수지 조성물층에 대하여 노광을 실시했다. 노광 후, 상기 감도의 평가와 동일한 현상 처리를 실시하여 패턴 형성된 기재를 얻었다.
얻어진 기재는 염화제2구리계 용액을 사용하여 표면의 금속층이 없어질 때까지 에칭을 실시했다. 그 후, 수세, 건조시켰다. 또한, 25질량% 염화수소 수용액에 표면의 금속층을 제거한 기재를 1분 혹은 2분 침지시키고, 그 후, 수세, 건조시켰다.
투명도전층을 에칭에 의해 제거한 후, 스페이스 부분(미노광 부분)의 금속층 및 투명도전층이 깨끗하게 제거되고, 또한 라인 부분(노광 부분)이 사행이나 결손을 일으키는 일 없이 형성된 레지스터 패턴에 있어서의 라인폭/스페이스폭의 값 중 최소값에 의해, 에칭 후의 밀착성을 평가했다. 이 수치가 작을수록 내에칭액성이 높고 밀착성이 양호하다는 것을 의미한다. 투명도전층을 제거하기 위한 에칭 시간이 1분인 경우를 (㎛/1min), 2분인 경우를 (㎛/2min)로 하여, 결과를 표 3 및 표 4에 나타냈다.
Figure pct00005
Figure pct00006
또한, 비교예 5 및 비교예 10에서는, 도포액이 겔화되어 성막(成膜)이 매우 곤란하게 되고, 안정성이나 제품 수율의 관점에서 제품으로서의 사용은 곤란하게 되었다. 도포액이 겔화된 원인으로서는, 각 비교예에서 사용한 실란 커플링제의 아미노기가, 바인더 폴리머의 카르본산과 작용한 것 등을 생각할 수 있다.
2 … 지지 필름, 4 … 감광성 수지 조성물층, 6 … 보호필름, 10 … 감광성 엘리먼트, 12 … 지지기재, 14 … 투명도전층, 16 … 감광성 수지 조성물층, 18 … 인출배선, 22 … 지지기재, 24 … 투명도전층, 26 … 금속층, 28 … 감광성 수지 조성물층, 29 … 레지스터, 30 … 감광성 수지 조성물층, 31 … 레지스터, 52 … 투명전극(X전극), 54 … 투명전극(Y전극), 56, 57 … 인출배선, 100 … 터치 패널.

Claims (10)

  1. 바인더 폴리머와,
    광중합성 화합물과,
    광중합 개시제와,
    실란커플링제
    를 함유하고,
    상기 실란커플링제가 메르캅토알킬기를 가지는 실란 화합물을 포함하는, ITO 에칭용 감광성 수지 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 실란커플링제가, 아미노기를 가지는 실란 화합물을 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 실란커플링제가, (메타)아크릴록시기를 가지는 실란 화합물을 더 포함하는, 감광성 수지 조성물.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광중합성 화합물이, 비스페놀A형디(메타)아크릴레이트 화합물을 함유하는, 감광성 수지 조성물.
  5. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 광중합성 화합물이, (폴리)옥시에틸렌기 및/또는 (폴리)옥시프로필렌기를 가지는 우레탄디(메타)아크릴레이트 화합물을 함유하는, 감광성 수지 조성물.
  6. 지지 필름과, 그 지지 필름의 일면 위에 설치된 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 구비하는, 감광성 엘리먼트.
  7. 기재 위에, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물을 포함하는 감광성 수지 조성물층을 형성하는 제1의 공정과,
    상기 감광성 수지 조성물층의 일부의 영역을 활성 광선의 조사에 의해 경화하여, 경화물 영역을 형성하는 제2의 공정과,
    상기 감광성 수지 조성물층의 상기 경화물 영역 이외의 영역을 상기 기재 위로부터 제거하여, 상기 경화물 영역으로 이루어지는 레지스터 패턴을 얻는 제3의 공정을 가지는, 레지스터 패턴의 형성 방법.
  8. 제7항에 기재된 레지스터 패턴의 형성 방법에 의해 레지스터 패턴이 형성된 상기 기재를, 에칭 처리하는 공정을 가지는, 터치 패널의 제조 방법.
  9. 지지기재와, 그 지지기재의 일면 위에 설치된 산화인듐주석을 포함하는 투명도전층과 그 투명도전층 위에 설치된 금속층을 구비하는 적층 기재의, 상기 금속층 위에, 제1항 내지 제5항 중 어느 한 항에 기재된 감광성 수지 조성물의 경화물로 이루어지는 레지스터 패턴을 형성하는 제1의 공정과,
    상기 금속층 및 상기 투명도전층을 에칭하여, 상기 투명도전층의 잔부 및 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 적층 패턴을 형성하는 제2의 공정과,
    상기 적층 패턴의 일부로부터 상기 금속층을 제거하여, 상기 투명도전층의 잔부로 이루어지는 투명전극과 상기 금속층의 잔부로 이루어지는 금속 배선을 형성하는 제3의 공정을 가지는, 터치 패널의 제조 방법.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 투명도전층이, 결정성의 산화인듐주석을 포함하고, 상기 제2의 공정에 있어서의 에칭이, 강산에 의한 에칭인, 터치 패널의 제조 방법.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180061173A (ko) * 2015-09-28 2018-06-07 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6464566B2 (ja) * 2014-04-10 2019-02-06 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント及びガラス基板の加工方法
JP2016161666A (ja) * 2015-02-27 2016-09-05 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント及びガラス基板の加工方法
WO2017130427A1 (ja) * 2016-01-28 2017-08-03 日立化成株式会社 感光性樹脂組成物、感光性エレメント、レジストパターンの形成方法及びタッチパネルの製造方法
JP6166828B1 (ja) * 2016-09-29 2017-07-19 積水化学工業株式会社 光透過性導電フィルム及びパターン状の導電層を有する光透過性導電フィルムの製造方法

Citations (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07146553A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Toyo Ink Mfg Co Ltd フォトソルダーレジスト組成物
JP2005107121A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Hitachi Chem Co Ltd 液晶スペーサー用感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP2008112145A (ja) 2006-10-27 2008-05-15 Toshiba Corp 現像剤及びその製造方法
JP2008139679A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 感光性樹脂組成物及びその用途
JP2010276631A (ja) 2009-05-26 2010-12-09 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法並びに電子部品及びその製造方法
JP2011039165A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Hitachi Chem Co Ltd アルカリ可溶性光硬化型組成物、該組成物を使用した硬化塗膜及び透明部材
JP2011128358A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜及び電子部品
JP4855536B1 (ja) 2010-12-20 2012-01-18 日本写真印刷株式会社 防錆性に優れたタッチ入力シートの製造方法
JP2012088610A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Toray Ind Inc ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いた硬化膜
JP2012103453A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性樹脂組成物およびタッチパネル用絶縁膜

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5833863B2 (ja) * 2011-08-24 2015-12-16 日東電工株式会社 透明導電性フィルムおよびその製造方法

Patent Citations (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07146553A (ja) 1993-11-26 1995-06-06 Toyo Ink Mfg Co Ltd フォトソルダーレジスト組成物
JP2005107121A (ja) 2003-09-30 2005-04-21 Hitachi Chem Co Ltd 液晶スペーサー用感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP2008112145A (ja) 2006-10-27 2008-05-15 Toshiba Corp 現像剤及びその製造方法
JP2008139679A (ja) * 2006-12-04 2008-06-19 Asahi Kasei Electronics Co Ltd 感光性樹脂組成物及びその用途
JP2010276631A (ja) 2009-05-26 2010-12-09 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、該樹脂組成物を用いたパターン硬化膜の製造方法並びに電子部品及びその製造方法
JP2011039165A (ja) * 2009-08-07 2011-02-24 Hitachi Chem Co Ltd アルカリ可溶性光硬化型組成物、該組成物を使用した硬化塗膜及び透明部材
JP2011128358A (ja) 2009-12-17 2011-06-30 Hitachi Chemical Dupont Microsystems Ltd ポジ型感光性樹脂組成物、それを用いた硬化膜及び電子部品
JP2012088610A (ja) * 2010-10-21 2012-05-10 Toray Ind Inc ネガ型感光性樹脂組成物およびそれを用いた硬化膜
JP2012103453A (ja) * 2010-11-10 2012-05-31 Toyo Ink Sc Holdings Co Ltd 感光性樹脂組成物およびタッチパネル用絶縁膜
JP4855536B1 (ja) 2010-12-20 2012-01-18 日本写真印刷株式会社 防錆性に優れたタッチ入力シートの製造方法
JP2012133486A (ja) * 2010-12-20 2012-07-12 Nissha Printing Co Ltd 防錆性に優れたタッチ入力シートの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180061173A (ko) * 2015-09-28 2018-06-07 히타치가세이가부시끼가이샤 감광성 수지 조성물, 감광성 엘리먼트, 레지스터 패턴의 형성 방법 및 터치 패널의 제조 방법

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CN104541204B (zh) 2019-05-14
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TWI620026B (zh) 2018-04-01
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CN104541204A (zh) 2015-04-22
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