KR20150046666A - InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자 - Google Patents

InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자 Download PDF

Info

Publication number
KR20150046666A
KR20150046666A KR20130126170A KR20130126170A KR20150046666A KR 20150046666 A KR20150046666 A KR 20150046666A KR 20130126170 A KR20130126170 A KR 20130126170A KR 20130126170 A KR20130126170 A KR 20130126170A KR 20150046666 A KR20150046666 A KR 20150046666A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
nitride semiconductor
buffer layer
concentration
indium
Prior art date
Application number
KR20130126170A
Other languages
English (en)
Inventor
노리카츠 코이데
Original Assignee
일진엘이디(주)
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 일진엘이디(주) filed Critical 일진엘이디(주)
Priority to KR20130126170A priority Critical patent/KR20150046666A/ko
Publication of KR20150046666A publication Critical patent/KR20150046666A/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/04—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction
    • H01L33/06—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a quantum effect structure or superlattice, e.g. tunnel junction within the light emitting region, e.g. quantum confinement structure or tunnel barrier
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/12—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a stress relaxation structure, e.g. buffer layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/14—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure
    • H01L33/145—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies with a carrier transport control structure, e.g. highly-doped semiconductor layer or current-blocking structure with a current-blocking structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/02—Semiconductor devices with at least one potential-jump barrier or surface barrier specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor bodies
    • H01L33/26—Materials of the light emitting region
    • H01L33/30—Materials of the light emitting region containing only elements of group III and group V of the periodic system

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Devices (AREA)

Abstract

InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자에 대하여 개시한다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 InGaN을 포함하여 형성되는 완충층; 상기 완충층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되는 p형 질화물 반도체층;을 포함하고, 상기 완충층은, 상기 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상기 n형 질화물 반도체층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도보다 더 높은 구조를 가지며, 상기 완충층과 상기 활성층 사이에는, 정공 차단층(hole blocking layer)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.

Description

InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자 {NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE USING InGaN RELAXATION LAYER}
본 발명은 질화물 반도체 발광소자에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 활성층에 발생하는 스트레인 완충 효과 및 활성층의 결정 품질을 향상시킬 수 있는 InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자에 관한 것이다.
질화물 반도체 발광소자는 실리콘과 같은 n형 불순물이 도핑된 n형 질화물 반도체층과 마그네슘과 같은 p형 불순물이 도핑된 p형 질화물 반도체층 사이에 활성층이 형성된 구조를 갖는다. 이러한 질화물 반도체 발광소자의 경우, n형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 전자와 p형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 정공이 활성층에서 재결합하면서 광을 발생시킨다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 1을 참조하면, 종래의 질화물 반도체 발광소자는 기판(101) 상에 형성되는 n형 질화물 반도체층(110), 완충층(120), 활성층(130) 및 p형 질화물 반도체층(140)을 포함한다.
일반적으로 활성층(130)은 양자우물층과 양자장벽층이 교대 반복 적층된 다중양자우물(Multi-Quantum-Well; MQW) 구조를 갖는다. 양자우물층은 주로 InGaN으로 형성되며, 양자장벽층은 주로 GaN으로 형성된다.
이때, MQW 구조 활성층은 InGaN와 GaN의 격자상수의 차이로 인하여 InGaN 우물층과 GaN 장벽층 간에 큰 스트레인(strain)이 발생한다. 이 스트레인은 활성층에 큰 압전 필드(piezoelectic field)를 발생시켜 활성층의 내부 양자 효율을 저하시킨다.
이에, 활성층(130)을 형성하기 이전에, 미리 완충층(120)을 형성하고 있다. 완충층은 InxGaN1-x / InyGa1-yN (x>y,　y≥0) 초격자 구조 형태 혹은 벌크 타입 InGaN층 형태로 형성된다.
그러나, 초격자 구조 형태의 완충층은 낮은 인듐 조성을 갖는 InyGa1-yN층을 포함하고 있어, 활성층의 스트레인 완충 효과가 충분치 못한 단점이 있다. 또한, 벌크 형태의 완충층은 인듐 농도를 높임으로써 충분한 완충 효과를 발휘할 수 있으나, 이 경우 하부의 n형 질화물 반도체층과의 계면에서 격자상수 차이가 커져서 결정 결함이 발생하고, 그 결과 완충층 상부의 활성층의 결정 품질을 저하시키는 단점이 있다.
본 발명에 관련된 선행문헌으로는 대한민국 공개특허 제10-2009-0002567호(2009.01.09. 공개)가 있으며, 상기 문헌에는 n형 접촉층과 활성층 사이에 인듐 성분이 높은 InGaN 릴리프층을 형성하여 활성층 내에서 우물층과 장벽층 사이의 스트레인을 완화하여 발광효율을 향상시킨 질화물 반도체 발광소자에 대하여 개시하고 있다.
본 발명의 목적은 활성층에서 발생하는 스트레인을 완충할 수 있으면서, 아울러 활성층의 결정 품질까지 높일 수 있는 질화물 반도체 발광소자를 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층; 상기 n형 질화물 반도체층 상에 InGaN을 포함하여 형성되는 완충층; 상기 완충층 상에 형성된 활성층; 및 상기 활성층 상에 형성되는 p형 질화물 반도체층;을 포함하고, 상기 완충층은, 상기 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상기 n형 질화물 반도체층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도보다 더 높은 구조를 가지며, 상기 완충층과 상기 활성층 사이에는, 정공 차단층(hole blocking layer)이 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 완충층은 2층 이상의 다층으로 형성되고, 상부쪽에 있는 층일수록 평균 인듐 농도가 더 높을 수 있다. 이 경우, 상기 완충층은 최상층의 인듐의 농도가 3.0% 이상이고, 최하층의 인듐의 농도가 1.0% 이하인 것이 바람직하다.
또한, 상기 완충층은 상부쪽으로 향할수록 인듐 농도가 점진적으로 증가할 수 있다.
또한, 상기 완충층은 최상부의 인듐의 농도가 3.0% 이상이고, 최하부의 인듐의 농도가 1.0% 이하일 수 있다.
또한, 상기 완충층은 100~3000nm 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 완충층은, 상기 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상기 활성층의 양자우물층의 인듐 평균 농도의 1/2~3/4일 수 있다.
또한, 상기 정공 차단층은 n형 InzGa1-zN (0≤z≤0.03)로 형성될 수 있다.
또한, 상기 정공 차단층은 20~80nm 두께로 형성될 수 있다.
또한, 상기 정공 차단층은 n형 불순물의 도핑 농도가 2x1018~5x1018 cm-3인일 수 있다.
본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 두께 방향으로 인듐 농도가 증가하는 InGaN 완충층을 이용함으로써 활성층의 스트레인을 최소화할 수 있으면서, 아울러 하부의 n형 질화물 반도체층과의 격자상수 차이를 낮출 수 있어 활성층의 결정 품질을 향상시킬 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 상기와 같은 완충층을 포함함으로써 활성층의 양자우물층과 완충층 사이의 헤테로 장벽이 없어질 수 있는 바, 활성층과 완층층 사이에 정공 차단층을 형성함으로써, 정공이 n형 질화물 반도체층으로 오버플로우되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 종래의 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3은 본 발명에 적용될 수 있는 다층 구조의 완충층에서 두께 방향으로의 인듐 농도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 4는 본 발명에 적용될 수 있는 단층 구조의 완충층에서 두께 방향으로의 인듐 농도를 개략적으로 나타낸 것이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예를 참조하면 명확해질 것이다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성요소를 지칭한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자에 관하여 상세히 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 질화물 반도체 발광소자를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 2를 참조하면, 도시된 질화물 반도체 발광소자는 n형 질화물 반도체층(210), 완충층(220), 정공 차단층(230), 활성층(240) 및 p형 질화물 반도체층(250)을 포함한다.
이들 각각의 층은 기판(201) 상에 형성될 수 있다. 기판은 GaN, 사파이어, 실리콘, Ga2O3 등의 재질로 형성될 수 있다.
또한, 기판(201)과 n형 질화물 반도체층(210) 사이에는 비도핑 질화물 반도체층, 버퍼층 등이 더 형성될 수 있다.
n형 질화물 반도체층(210)은 Si, Ge, Se, Te 등의 n형 불순물이 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다.
활성층(240)은 양자장벽층과, 인듐을 함유하는 양자우물층이 교대 반복 적층되어 형성된다. 양자우물층은 InGaN으로, 양자장벽층은 GaN으로 형성될 수 있다.
p형 질화물 반도체층(250)은 Mg, Zn, Be 등의 p형 불순물이 도핑된 질화물 반도체로 형성될 수 있다.
도 2에서는 n형 질화물 반도체층(210)이 활성층(240) 하부에 위치하고 p형 질화물 반도체층(250)이 활성층(240) 하부에 위치하는 예를 나타내었으나, 경우에 따라서는 반대의 구조도 가능하다.
완충층(220)은 n형 질화물 반도체층(240) 상에 형성된다.
본 발명에서 완충층(220)은 InGaN을 포함하여 형성된다. 특히, 본 발명에서 완충층(220)은 활성층(240)에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 n형 질화물 반도체층(210)에 가장 인접한 부분의 인듐 농도보다 더 높은 구조를 갖는다.
이와 같이 완충층에서 인듐 농도를 두께 방향으로 상이하게 함으로써 다음과 같은 효과를 얻을 수 있다. 우선, 활성층(240)에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상대적으로 높은 결과, 활성층(240)에서 발생하는 스트레인을 충분히 완충할 수 있다. 또한, n형 질화물 반도체층(210)에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상대적으로 낮은 결과, n형 질화물 반도층(210)과의 계면에서의 격자상수 차이가 작을 수 있으며, 이를 통하여 활성층 형성시 결정 품질을 향상시킬 수 있다. 따라서, 본 발명에 따른 InGaN 완충층의 경우, 종래 초격자 형태 완충층의 스트레인 완충 불충분 문제, 벌크 형태 완충층의 결정 결함 발생 문제를 모두 해결할 수 있다.
본 발명에서 완충층(220)은 다층 구조 혹은 단층 구조로 형성될 수 있다.
도 3은 본 발명에 적용될 수 있는 다층 구조의 완충층에서 두께 방향으로의 인듐 농도를 개략적으로 나타낸 것이고, 도 4는 본 발명에 적용될 수 있는 단층 구조의 완충층에서 두께 방향으로의 인듐 농도를 개략적으로 나타낸 것이다.
도 3에 도시된 예와 같이, 완충층(220)이 2층 이상의 다층으로 형성될 경우, 완충층(220)은 상부쪽에 있는 층일수록 평균 인듐 농도가 더 높은 계단형 구조로 형성될 수 있다.
또한, 도 4에 도시된 예와 같이, 완충층(220)이 단층으로 형성될 경우, 완충층(220)은 상부쪽으로 향할수록 인듐 농도가 점진적으로 증가하는 농도구배형 구조로 형성될 수 있다.
한편, 완충층은 최상부(완충층이 다층으로 형성되는 경우에는 최상층)의 인듐의 농도가 3.0% 이상, 보다 바람직하게는 3.0~5.0%이고, 최하부(완충층이 다층으로 형성되는 경우에는 최하층)의 인듐의 농도가 1.0% 이하인 것이 바람직하다. 여기서 농도는 완충층의 3족 원소 전체에 대한 원자%를 의미한다. 완충층 최상부의 인듐 농도가 3.0% 미만일 경우, 스트레인 완충 효과가 불충분할 수 있다. 또한, 완충층 최하부 인듐 농도가 1.0%를 초과하는 경우 하부 n-GaN(210)과의 계면에서 격자상수 차가 커서 발생하는 결정 결함에 의해 활성층 결정 품질이 저하될 수 있다.
또한, 완충층은, 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 활성층의 양자우물층의 인듐 평균 농도의 1/2~3/4인 것이 바람직하다. 활성층에 가장 인접한 부분(즉, 완충층 최상부)의 인듐 평균 농도가 1/2 미만일 경우, 스트레인 완충 효과가 불충분할 수 있다. 반대로, 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 평균 농도가 3/4를 초과하더라도 더 이상 스트레인 완충 효과가 발생하지 않는다. 또한 고조성 층의 성장에는 성장속도를 빠르게 할 필요가 있으므로 생산성이 떨어진다.
또한, 완충층은 100~3000nm 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 완충층의 두께가 100nm 미만일 경우 스트레인 완충 효과가 불충분할 수 있다. 또한 완충층의 두께가 3000nm를 초과하더라도 더 이상의 스트레인 완충 효과없이 발광소자 제조 비용만 증가할 수 있다.
또한, 기판이 GaN, Si나 Ga2O3 등으로 형성되는 경우, n형 질화물 반도체층(210) 의 두께를 대략 300~1000nm 두께로 형성하여, 완충층과 n형 질화물 반도체층(210) 계면에서 발생하는 전위를 저감할 수 있다.
정공 차단층(hole blocking layer)(230)은 p형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 정공(hole)이 상기 n형 질화물 반도체층으로 넘어가는 것을 방지하는 역할을 한다.
전술한 바와 같이, 완충층(220)에서 두께 방향으로 인듐 농도가 증가할 경우, 활성층(240)의 양자우물층과 완충층(220) 사이의 계면에서 헤테로 장벽이 사라질 수 있다. 이 경우 p형 질화물 반도체층으로부터 공급되는 정공(hole)이 n형 질화물 반도체층(210)으로 오버플로우(overflow)될 수 있다.
이를 방지하기 위해, 본 발명에서는, 활성층(240)과 완충층(220) 간의 헤테로 장벽을 형성하여 정공의 오버플로우를 방지할 수 있는 정공 차단층(230)이 완충층(220)과 활성층(240) 사이에 형성된다.
이때, 정공 차단층(240)은 n형 InzGa1-zN (0≤z≤0.03)로 형성될 수 있다. 정공 차단층에서 인듐의 농도가 3%를 초과하는 경우, 헤테로 장벽으로 충분히 작용하기 어렵다.
또한, 정공 차단층(240)은 20~80nm 두께로 형성되는 것이 바람직하다. 정공 차단층의 두께가 20nm 미만일 경우 헤테로 장벽으로 충분히 작용하기 어렵다. 반대로, 정공 차단층의 두께가 80nm를 초과하는 경우, 완충층(220)의 완충효과를 저감시킬 수 있다.
또한, 정공 차단층(240)은 n형 불순물의 도핑 농도가 2x1018~5x1018 cm-3인 것이 바람직하다. 정공 차단층에서 n형 불순물 도핑 농도가 2x1018 cm-3 미만일 경우, 정공차단층의 역할을 발휘할 수 없다. 반대로, 정공 차단층에서 n형 불순물 도핑 농도가 5x1018 cm-3을 초과하는 경우, 평탄성이 없어져 결정성이 나빠지는 문제가 발생할 수 있다.
전술한 바와 같이, 본 발명에 따른 질화물 반도체 발광소자는 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상대적으로 높고, n형 질화물 반도체층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상대적으로 낮은 InGaN 완충층 및 정공 차단층을 적용한 결과, 활성층에서 발생하는 스트레인 완충 효과, 활성층의 결정 품질 향상 및 정공 오버플로우를 방지할 수 있는 효과가 있다.
이상에서는 본 발명의 실시예를 중심으로 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 기술자의 수준에서 다양한 변경이나 변형을 가할 수 있다. 이러한 변경과 변형은 본 발명이 제공하는 기술 사상의 범위를 벗어나지 않는 한 본 발명에 속한다고 할 수 있다. 따라서 본 발명의 권리범위는 이하에 기재되는 청구범위에 의해 판단되어야 할 것이다.
201 : 기판
210 : n형 질화물 반도체층
220 : InGaN 완충층
230 : 정공 차단층
240 : 활성층
250 : p형 질화물 반도체층

Claims (10)

  1. n형 질화물 반도체층;
    상기 n형 질화물 반도체층 상에 InGaN을 포함하여 형성되는 완충층;
    상기 완충층 상에 형성된 활성층; 및
    상기 활성층 상에 형성되는 p형 질화물 반도체층;을 포함하고,
    상기 완충층은, 상기 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상기 n형 질화물 반도체층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도보다 더 높은 구조를 가지며,
    상기 완충층과 상기 활성층 사이에는, 정공 차단층(hole blocking layer)이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 완충층은
    2층 이상의 다층으로 형성되고,
    상부쪽에 있는 층일수록 평균 인듐 농도가 더 높은 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 완충층은
    최상층의 인듐의 농도가 3.0% 이상이고, 최하층의 인듐의 농도가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자
  4. 제1항에 있어서,
    상기 완충층은
    상부쪽으로 향할수록 인듐 농도가 점진적으로 증가하는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  5. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 완충층은
    최상부의 인듐의 농도가 3.0% 이상이고, 최하부의 인듐의 농도가 1.0% 이하인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 완충층은
    100~3000nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 완충층은,
    상기 활성층에 가장 인접한 부분의 인듐 농도가 상기 활성층의 양자우물층의 인듐 평균 농도의 1/2~3/4인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 정공 차단층은
    n형 InzGa1-zN (0≤z≤0.03) 로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 정공 차단층은
    20~80nm 두께로 형성되는 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 정공 차단층은
    n형 불순물의 도핑 농도가 2x1018~5x1018 cm-3인 것을 특징으로 하는 질화물 반도체 발광소자.
KR20130126170A 2013-10-22 2013-10-22 InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자 KR20150046666A (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130126170A KR20150046666A (ko) 2013-10-22 2013-10-22 InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR20130126170A KR20150046666A (ko) 2013-10-22 2013-10-22 InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150046666A true KR20150046666A (ko) 2015-04-30

Family

ID=53037973

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20130126170A KR20150046666A (ko) 2013-10-22 2013-10-22 InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자

Country Status (1)

Country Link
KR (1) KR20150046666A (ko)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018212416A1 (ko) * 2017-05-19 2018-11-22 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
WO2022177761A1 (en) * 2021-02-16 2022-08-25 Applied Materials, Inc. Indium-gallium-nitride light emitting diodes with increased quantum efficiency

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2018212416A1 (ko) * 2017-05-19 2018-11-22 엘지이노텍 주식회사 반도체 소자 및 이를 포함하는 반도체 소자 패키지
EP3428976A4 (en) * 2017-05-19 2019-12-11 LG Innotek Co., Ltd. SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE HOUSING HAVING THE SAME
JP2020521312A (ja) * 2017-05-19 2020-07-16 エルジー イノテック カンパニー リミテッド 半導体素子及びそれを含む半導体素子パッケージ
WO2022177761A1 (en) * 2021-02-16 2022-08-25 Applied Materials, Inc. Indium-gallium-nitride light emitting diodes with increased quantum efficiency

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102618238B1 (ko) 질화물 반도체 발광소자
CN115347098B (zh) 低工作电压发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
TWI436495B (zh) 以氮化物為主之發光裝置
CA2528719C (en) Nitride semiconductor light emitting device
CN107924966B (zh) 氮化物半导体发光元件
WO2014203856A1 (ja) 窒化物半導体発光素子
JP2008526012A (ja) 窒化物半導体発光素子及びその製造方法
JP2012146847A (ja) 窒化物半導体発光素子および半導体光学装置
TWI491069B (zh) 光電組件
JP2014053611A (ja) 半導体バッファ構造体及びそれを含む半導体素子と、その製造方法
US9773947B2 (en) Light-emitting device and production method therefor
KR20140010587A (ko) 도핑된 버퍼층을 포함하는 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법
JP2010010675A (ja) 半導体装置の製造方法およびその構造
TW201327904A (zh) 利用應變緩衝層實現優秀的發光效率的氮化物類發光器件
JP7480300B2 (ja) マイクロ発光ダイオードのエピタキシャル構造及びその製造方法
KR20130129683A (ko) 그레이드 초격자 구조의 전자 차단층을 갖는 반도체 발광 소자
TWI528582B (zh) 發光結構及包含其之半導體發光元件
CN109192829B (zh) 一种氮化镓基发光二极管外延片及其生长方法
KR20150046666A (ko) InGaN 완충층을 이용한 질화물 반도체 발광소자
TWI567877B (zh) Manufacturing method of nitride semiconductor device
KR101117484B1 (ko) 반도체 발광소자
KR101644156B1 (ko) 양자우물 구조의 활성 영역을 갖는 발광 소자
KR101507130B1 (ko) 초격자층을 갖는 발광 다이오드
EP2704184B1 (en) Semiconductor buffer structure, semiconductor device including the same, and manufacturing method thereof
KR20110081033A (ko) 스페이서층을 가지는 발광 다이오드

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination