KR20150045310A - Composition of resin and condunctive pattern forming mold with the same - Google Patents
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Abstract
Description
본 기재는 수지 조성물 및 이를 포함하는 전도성 패턴 형성용 몰드에 관한 것이다. The present invention relates to a resin composition and a mold for forming a conductive pattern comprising the resin composition.
디스플레이 장치의 투명 전극으로 가장 널리 쓰이는 인듐 주석 산화물(indium tin oxide, ITO)은 가격이 비싸고, 기판의 굽힘과 휨에 의해 물리적으로 쉽게 타격을 받아 전극으로의 특성이 악화되고, 이에 의해 플렉시블(flexible) 소자에 적합하지 않다는 문제점이 있다. 또한, 대형 크기의 장치에 적용할 경우 높은 저항으로 인한 문제가 발생한다.Indium tin oxide (ITO), which is most widely used as a transparent electrode of a display device, is expensive and is physically easily struck by bending and warping of the substrate, thereby deteriorating the characteristics of the electrode. Thus, ) Device. ≪ / RTI > Also, when applied to large size devices, problems arise due to high resistance.
이러한 문제점을 해결하기 위해 대체 전극에 대한 활발한 연구가 진행되고 있다. 특히, 전극물질을 전도성 패턴, 일례로 메쉬(mesh) 형상으로 형성하여 ITO를 대체하고자 하나, 전도성 패턴 형상을 임프린팅으로 형성 시, 그 공정이 복잡하다는 문제가 있다. In order to solve such problems, active researches on alternative electrodes are under way. In particular, although the electrode material is formed in a conductive pattern, for example, a mesh shape to replace ITO, there is a problem in that the process is complicated when the conductive pattern shape is formed by imprinting.
즉, 임프링팅 공정 중, 마더 몰드(mother mold) 및 썬 몰드(son mold) 등 고가의 몰드가 두 개 이상 필요하여 비용이 증가하고 공정이 복잡하다는 문제가 있었다. 또한, 타겟의 메인 패턴을 위한 제2 패턴 제조 시, 모재의 재질에 따라 다른 공정을 적용하여야 했다. 즉, 모재가 실리콘일 경우, 드라이 에칭으로 음각 형상의 제2 패턴을 형성하여야 한다. 또한, 모재가 유리, 석영 또는 글래시 카본일 경우, 제2 패턴에 해당하는 마스터 몰드를 별도로 제작한 후, 열 나노 임프린팅으로 제2 패턴을 제조하여야 한다. 또한, 모재가 유리 또는 석영일 경우, 노광, 현상, 에칭으로도 제조할 수 있으나, 등방성 에칭 등 일정한 형상만 갖게 되어 제2 패턴의 형상 제어가 어렵다. 또한, 모재가 필름일 경우, 드물게 초음파 나노 임프린팅을 하는 경우도 있으나, 초음파의 출력 에너지 대비 일정 형상만 갖게 되어 그 형상의 제어가 어렵다는 문제가 있다. 결과적으로 종래의 제조 공정으로는 몰드를 최소 2번 이상 제조하여야 하므로 공정이 복잡하고 비용이 높다.That is, during the imprinting process, two or more expensive molds such as a mother mold and a sun mold are required, which increases the cost and complexity of the process. Further, in manufacturing the second pattern for the main pattern of the target, different processes have to be applied depending on the material of the base material. That is, when the base material is made of silicon, a second pattern having a recessed shape should be formed by dry etching. When the base material is glass, quartz or glazcicol, a master mold corresponding to the second pattern should be prepared separately, and then the second pattern should be prepared by thermal nanoimprinting. When the base material is glass or quartz, it can be produced by exposure, development and etching, but it is difficult to control the shape of the second pattern because it has only a certain shape such as isotropic etching. In addition, when the base material is a film, ultrasound nanoimprinting is rarely performed. However, there is a problem that it is difficult to control the shape of the nanoimprint because the nanoimprinting has only a certain shape relative to the output energy of the ultrasonic wave. As a result, the conventional manufacturing process requires a mold to be manufactured at least twice, which complicates the process and is costly.
실시예는 접착력이 향상된 수지 조성물 및 이를 포함하는 전도성 패턴 형성용 몰드를 제공하고자 한다.The embodiment is intended to provide a resin composition having improved adhesion and a mold for forming a conductive pattern comprising the resin composition.
실시예에 따른 수지 조성물은, 1개 내지 10개의 반응기를 가지는 에폭시 유도체 올리고머; 모노머; 및 광 중합 개시제를 포함한다. Examples of the resin composition according to the embodiment include an epoxy derivative oligomer having 1 to 10 reactors; Monomers; And a photopolymerization initiator.
실시예에 따른 수지 조성물을 통해 다양한 기재 상에 패턴을 형성할 수 있다. 즉, 패턴의 접착력을 확보할 수 있다. 종래에는 기재의 종류에 따라 수지 조성물을 달리하여 패턴을 형성하여야 하는 문제가 있었으나, 실시예에서는 기재의 종류에 상관없이 접착력을 확보하면서 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 내화학성이 뛰어나 다음 공정에 의해 상기 패턴이 부식되거나 변형되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 다른 공정이 진행되어도 패턴이 충분히 견딜 수 있어 패턴 형상을 유지할 수 있다. A pattern can be formed on various substrates through the resin composition according to the embodiments. That is, it is possible to secure the adhesion of the pattern. Conventionally, there has been a problem that a pattern should be formed by varying the resin composition depending on the kind of the base material, but in the embodiment, the pattern can be formed while securing the adhesive force regardless of the type of the base material. In addition, the chemical resistance is excellent, and it is possible to prevent the pattern from being corroded or deformed by the next step. That is, even if another process proceeds, the pattern can withstand sufficiently and the pattern shape can be maintained.
또한, 실시예에서는 하나의 몰드만으로도 원하는 타겟을 형성할 수 있다. 따라서, 비용을 절감할 수 있고 공정을 단순화할 수 있다. In addition, in the embodiment, a desired target can be formed with only one mold. Thus, the cost can be reduced and the process can be simplified.
도 1 내지 도 6은 실시예에 따른 전도성 패턴 형성용 몰드를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도들이다.
도 7 내지 도 11은 실시예에 따른 전도성 패턴 형성용 몰드를 이용하여 제조된 터치 윈도우의 일 단면도들 및 평면도이다.
도 12 내지 도 16은 실시예 및 비교예를 비교한 실험 결과이다. 1 to 6 are sectional views for explaining a method of manufacturing a conductive pattern forming mold according to an embodiment.
7 to 11 are sectional views and plan views of a touch window manufactured using a mold for forming a conductive pattern according to an embodiment.
12 to 16 show experimental results comparing the examples and the comparative examples.
실시예들의 설명에 있어서, 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들이 기판, 각 층(막), 영역, 패드 또는 패턴들의 “상/위(on)”에 또는 “하/아래(under)”에 형성된다는 기재는, 직접(directly) 또는 다른 층을 개재하여 형성되는 것을 모두 포함한다. 각 층의 상/위 또는 하/아래에 대한 기준은 도면을 기준으로 설명한다. In the description of the embodiments, it is to be understood that each layer (film), area, pattern or structure may be referred to as being "on" or "under / under" Quot; includes all that is formed directly or through another layer. The criteria for top / bottom or bottom / bottom of each layer are described with reference to the drawings.
도면에서 각 층(막), 영역, 패턴 또는 구조물들의 두께나 크기는 설명의 명확성 및 편의를 위하여 변형될 수 있으므로, 실제 크기를 전적으로 반영하는 것은 아니다. The thickness or the size of each layer (film), region, pattern or structure in the drawings may be modified for clarity and convenience of explanation, and thus does not entirely reflect the actual size.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 상세하게 설명하면 다음과 같다. Hereinafter, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings.
먼저, 도 1 내지 도 6을 참조하여, 실시예에 따른 수지 조성물, 전도성 패턴 형성용 몰드 및 이의 제조방법에 대해서 설명한다. First, with reference to Figs. 1 to 6, a resin composition, a mold for forming a conductive pattern, and a method for manufacturing the same will be described.
도 1을 참조하면, 전도성 패턴 형성용 몰드를 제조하기 위한 기재(10)를 준비할 수 있다. 상기 기재(10)는 실리콘, 유리, PC, PMMA, PET 등의 고분자 필름, 글래시 카본(glassy carbon), 석영(quartz)으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 어느 하나 포함할 수 있다. Referring to Fig. 1, a
도 2를 참조하면, 상기 기재(10) 상에 제1 패턴(20)을 형성할 수 있다. 상기 제1 패턴(20)은 타겟 전도성 패턴의 서브 패턴(도 8의 참조부호 320)과 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제1 패턴(20)은 양각 형상이다. 따라서, 상기 제1 패턴(20)은 상기 기재(10)의 상면으로부터 돌출되어 위치할 수 있다. 상기 제1 패턴(20)은 나노 임프린팅 공정, 포토레지스트 공정 또는 에칭 공정을 통해 형성될 수 있다.Referring to FIG. 2, a
이때, 상기 제1 패턴(20)은 실시예에 따른 수지 조성물을 포함할 수 있다. At this time, the
실시예에 따른 수지 조성물은 에폭시 유도체 올리고머, 모노머 및 광 중합 개시제를 포함할 수 있다.The resin composition according to an embodiment may include an epoxy derivative oligomer, a monomer, and a photopolymerization initiator.
상기 올리고머는 1개 내지 10개의 반응기를 가질 수 있다. 상기 반응기는 에폭시(epoxy) 그룹 또는 하이드록시(hydroxy) 그룹 등을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 올리고머는 에폭시 유도체 올리고머일 수 있다. 일례로, 상기 올리고머는 에폭시 아크릴레이트 올리고머일 수 있다. 이때, 상기 올리고머는 epichlorohydrin-bi320henol A epoxy의 1/2만 (meth)acrylate 반응시킨 올리고머일 수 있다. 또는, 상기 올리고머는 epichlorohydrin-bi320henol A epoxy 모두를 (meth)acrylate 반응시키고, acryloyl morpholine으로 희석시킨 올리고머일 수 있다. The oligomer may have from 1 to 10 reactors. The reactor may include an epoxy group or a hydroxy group. Thus, the oligomer may be an epoxy derivative oligomer. In one example, the oligomer may be an epoxy acrylate oligomer. At this time, the oligomer may be an oligomer obtained by reacting epichlorohydrin-bi320henol A epoxy with 1/2-methacrylate. Alternatively, the oligomer may be an oligomer diluted with acryloyl morpholine by reacting both epichlorohydrin-bi320henol A epoxy with (meth) acrylate.
이때, 상기 올리고머는 하기와 같은 구조를 가질 수 있다. At this time, the oligomer may have the following structure.
상기 모노머는 이중결합을 가질 수 있다. 구체적으로, 상기 모노머는 환형 구조를 포함할 수 있다. 즉, 상기 모노머는 벤젠(benzen) 또는 헥센(hexane)구조를 가질 수 있다. 일례로, 상기 모노머는 isobornyl(meth)acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth)acrylate, tetrahydrofurfuran-3-yl (meth)acrylate, furfuryl (meth)acrylate 또는 dicyclopentanyl (meth)acrylate일 수 있다. The monomer may have a double bond. Specifically, the monomer may comprise a cyclic structure. That is, the monomer may have a structure of benzene or hexane. For example, the monomer may be isobornyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuran-3-yl (meth) acrylate, furfuryl (meth) acrylate or dicyclopentanyl (meth) acrylate.
상기 모노머가 환형 구조를 포함함으로써, 수지 조성물 경화 시, 체적 수축이 거의 일어나지 않을 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 수지 조성물로 형성되는 상기 제1 패턴(20)의 형상을 변형없이 유지할 수 있다. 또한, 상기 모노머가 환형 구조를 포함함으로써, 내화학성을 확보할 수 있다. 따라서, 실시예에 따른 수지 조성물로 형성되는 상기 제1 패턴(20) 형성 후, 상기 제1 패턴(20)이 다른 공정의 영향을 받지 않도록 할 수 있다. Since the monomer contains an annular structure, volume shrinkage may hardly occur when the resin composition is cured. Therefore, the shape of the
이어서, 상기 광 중합 개시제는 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one), Darocur 1173, Ciba社), (2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, Irgacure 651, Ciba社), (1-hydroxy-cyclohexylphenylketone, Irgacure 184, Ciba社), (2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-(4-morpholinylpropan-1-one, Irgacure 907, Ciba社), (bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylpho320hine oxide, Irgacure819, Ciba社) 또는 (2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylpho320hine oxide, Darocur TPO, Ciba社)를 포함할 수 있다. 상기 광 중합 개시제는 상기 물질 중 어느 하나 포함하거나 그 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. Then, the photopolymerization initiator was added to a solution of (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one), Darocur 1173 651, Ciba), (1-hydroxy-cyclohexylphenylketone, Irgacure 184, Ciba), (2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2- (4-morpholinylpropan- (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylpho320hine oxide, Irgacure 819, Ciba) or (2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylpho320hine oxide, Darocur TPO, Ciba) The initiator may be any one or more of the above materials.
이를 통해, 상기 제1 패턴(20)이 다양한 기재(10) 상에 접착될 수 있어 접착력을 확보할 수 있다. 즉, 종래에는 상기 기재(10)의 종류에 따라 수지 조성물을 달리하여 제1 패턴(20)을 형성하여야 하는 문제가 있었으나, 실시예에서는 기재(10)의 종류에 상관없이 접착력을 확보하면서 제1 패턴(20)을 형성할 수 있다. 또한, 내화학성이 뛰어나 다음 공정에 의해 상기 제1 패턴(20)이 부식되거나 변형되는 것을 방지할 수 있다. 즉, 다른 공정이 진행되어도 제1 패턴(20)이 충분히 견딜 수 있어 패턴 형상을 유지할 수 있다. As a result, the
이어서, 도 3을 참조하면, 상기 기재(10) 상에 제2 패턴(30)을 형성할 수 있다. 상기 제2 패턴(30)은 상기 제1 패턴(20) 사이사이에 배치된다. 상기 제2 패턴(30)은 타겟 전도성 패턴의 메인 패턴(도 8의 참조부호 310)과 대응되는 형상일 수 있다. 상기 제2 패턴(30)은 전도성 패턴 형상이다. 상기 제2 패턴(30)은 양각 형상이다. 따라서, 상기 제2 패턴(30)은 상기 기재(10)의 상면으로부터 돌출되어 위치할 수 있다. 이를 통해, 전도성 패턴 형성용 몰드(100)가 제조될 수 있다. Next, referring to FIG. 3, a
상기 제2 패턴(30)은 포토레지스트 공정으로 형성될 수 있다. 즉, 상기 제2 패턴(30)은 감광성 물질의 노광, 현상 및 에칭 공정을 통해 형성될 수 있다. 따라서, 상기 제2 패턴(30)은 감광성 필름 또는 포토레지스트를 포함할 수 있다. 이때, 상기 제2 패턴(30)은 추후 몰드 물질(도 5의 참조부호 200’)을 형성하여 몰드 제조 시 이용하는 도금 공정에서 충분히 견딜 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 제2 패턴(30)은 도금 전용 감광성 필름 또는 도금 전용 포토레지스트를 포함할 수 있다. The
이어서, 도 4를 참조하면, 상기 전도성 패턴 형성용 몰드(100) 상에 씨드층(40)을 형성할 수 있다. 따라서, 상기 제1 패턴(20) 및 상기 제2 패턴(30)의 상면 및 측면에 씨드층(40)이 형성될 수 있다. 상기 씨드층(40)은 금속을 포함할 수 있다. 상기 씨드층(40)은 내부식성이 강한 금속을 포함할 수 있다. 상기 씨드층(40)은 구리, 알루미늄, 니켈, 주석, 아연, 금, 은 및 이들의 합금으로 이루어진 군에서 선택된 물질을 어느 하나 포함할 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 상기 씨드층(40)은 상기 전도성 패턴 형성용 몰드(100) 상에 형성되는 몰드 물질(도 5의 참조부호 200’, 이하 동일)과 대응되는 물질을 포함할 수 있다. 즉, 상기 씨드층(40)은 몰드 물질(200’)과 동일한 물질을 포함할 수 있다. 이를 통해, 몰드(200)에 형성되는 패턴들이 균질하게 도금될 수 있다. Referring to FIG. 4, a
한편, 상기 전도성 패턴 형성용 몰드(100) 상에 상기 씨드층(40) 대신 불소 피막층 등의 표면 처리층을 형성할 수 있다. 상기 불소 피막층을 통해, 추후에 형성되는 몰드(200)의 이형이 용이하게 될 수 있다. On the other hand, a surface treatment layer such as a fluorine coating layer may be formed on the conductive
이어서, 도 5를 참조하면, 상기 전도성 패턴 형성용 몰드(100) 상에 몰드 물질(200’)을 형성할 수 있다. 상기 몰드 물질(200’)은 상기 씨드층(40)으로부터 전기 도금하여 형성될 수 있다. 따라서, 상기 몰드 물질(200’)로부터 강도가 높은 몰드(200)를 제조할 수 있다. Referring to FIG. 5, a mold material 200 'may be formed on the conductive
이어서, 도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 몰드 물질(200’)로부터 제조된 몰드(200)를 분리시킬 수 있다. 따라서, 상기 몰드(200)는 상기 타겟 전도성 패턴(도 8 참조)의 서브 패턴(320)에 대응되는 제3 패턴(32) 및 메인 패턴(310)에 대응되는 제4 패턴(31)을 포함할 수 있다. 상기 제3 패턴(32) 및 제4 패턴(31)은 음각 형상일 수 있다. 도면에는 상기 몰드(200)가 평평한 평면 형상을 가진 것으로 도시하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니다. 따라서, 상기 몰드(200)는 롤(roll) 형상을 포함할 수 있다. 상기 롤 형상의 몰드(200)를 통해 롤투롤(roll to roll)공정을 수행할 수 있다.Referring now to FIGS. 5 and 6, the
도 7을 참조하면, 상기 몰드(200)에 타겟 물질(300’)을 형성할 수 있고, 도 8을 참조하면, 상기 몰드(200)로부터 임프린팅된 타겟 전도성 패턴(300)를 분리시킬 수 있다. 따라서, 상기 타겟 전도성 패턴(300)는 최초 의도한 메인 패턴(310) 및 서브 패턴(320)을 포함한다. Referring to FIG. 7, a target material 300 'may be formed on the
종래에는 마더 몰드(mother mold) 및 썬 몰드(son mold) 등 고가의 몰드가 두 개 이상 필요하여 비용이 증가하고 공정이 복잡하다는 문제가 있었다. 또한, 타겟의 메인 패턴(310)을 위한 제2 패턴(30) 제조 시, 기재(10)의 재질에 따라 다른 공정을 적용하여야 했다. 즉, 기재(10)가 실리콘일 경우, 드라이 에칭으로 음각 형상의 제2 패턴(30)을 형성하여야 한다. 또한, 기재(10)가 유리, 석영 또는 글래시 카본일 경우, 제2 패턴(30)에 해당하는 마스터 몰드(200)를 별도로 제작한 후, 열 나노 임프린팅으로 제2 패턴(30)을 제조하여야 한다. 또한, 기재(10)가 유리 또는 석영일 경우, 노광, 현상, 에칭으로도 제조할 수 있으나, 등방성 에칭 등 일정한 형상만 갖게 되어 제2 패턴(30)의 형상 제어가 어렵다. 또한, 기재(10)가 필름일 경우, 드물게 초음파 나노 임프린팅을 하는 경우도 있으나, 초음파의 출력 에너지 대비 일정 형상만 갖게 되어 그 형상의 제어가 어렵다는 문제가 있다. 결과적으로 종래의 제조 공정으로는 몰드를 최소 2번 이상 제조하여야 하므로 공정이 복잡하고 비용이 높다.Conventionally, two or more expensive molds, such as a mother mold and a sun mold, are required, which increases the cost and complexity of the process. Further, in manufacturing the
그러나, 실시예에서는 하나의 몰드(200)만으로도 원하는 타겟을 형성할 수 있다. 따라서, 비용을 절감할 수 있고 공정을 단순화할 수 있다. 특히, 타겟의 메인 패턴(310)을 위한 제2 패턴(30) 제조 시, 간단한 포토레지스트 공정으로 형성할 수 있다. 또한, 기재(10) 상에 씨드층(40)을 형성하므로 기재(10)의 종류에 구애받지 않고 타겟 전도성 패턴을 제조할 수 있다.However, in the embodiment, a desired target can be formed with only one
한편, 도 9를 참조하면, 상기 메인 패턴(310) 및 상기 서브 패턴(320) 상에 전극물질(400’)을 형성할 수 있다. 상기 전극물질(400’)은 증착 또는 도금 등의 방법으로 형성될 수 있다.Referring to FIG. 9, an electrode material 400 'may be formed on the
도 10을 참조하면, 상기 전극물질(400’)을 에칭할 수 있다. 이때, 상기 메인 패턴(310) 및 상기 서브 패턴(320)의 구조와 상기 전극물질(400’)과의 접합면적 차이에 따라 에칭 면적의 차이가 발생한다. 즉, 상기 메인 패턴(310) 및 상기 전극물질(400’)과의 접합면적이 상기 서브 패턴(320) 및 상기 전극물질(400’)과의 접합면적보다 크기 때문에, 상기 메인 패턴(310) 상에 형성되는 전극물질(400’)의 에칭이 적게 일어난다. 즉, 동일한 에칭 속도에 따라, 상기 메인 패턴(310) 상에 형성된 전극물질(400’)은 남게되고, 상기 서브 패턴(320) 상에 형성된 전극물질(400’)은 에칭되어 제거된다. 따라서, 상기 메인 패턴(310) 상에만 전극층(400)이 형성될 수 있고, 이러한 전극층(400)이 전도성 패턴 형상으로 배치될 수 있다. Referring to FIG. 10, the electrode material 400 'may be etched. At this time, a difference in etch area occurs due to the difference in the bonding area between the structure of the
도 11을 참조하면, 터치 윈도우는 입력 장치(예를 들어, 손가락 등)의 위치를 감지하는 유효 영역(AA)과 이 유효 영역(AA)의 주위에 배치되는 비유효 영역(UA)이 정의되는 기판(300)을 포함한다. 여기서 유효 영역(AA)에는 입력 장치를 감지할 수 있도록 전극부(350)가 형성될 수 있다. 그리고 비유효 영역(UA)에는 전극부(350)을 전기적으로 연결하는 배선(370)이 형성될 수 있다. 상기 전극부(350)는 전도성 패턴 형상을 포함한다. 구체적으로, 상기 전극부(350)는 전도성 패턴 개구부(OA) 및 전도성 패턴 선부(LA)를 포함한다.11, the touch window includes a valid area AA for sensing the position of an input device (e.g., a finger or the like) and a non-valid area UA disposed around the valid area AA And a
한편, 도 11에서 보는 바와 같이, 전도성 패턴 개구부(OA)는 사각형 형상이 될 수 있다. 그러나 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 전도성 패턴 개구부(OA)는 다이아몬드형, 오각형, 육각형의 다각형 형상 또는 원형 형상 등 다양한 형상을 가질 수 있다.On the other hand, as shown in FIG. 11, the conductive pattern opening OA may have a rectangular shape. However, the embodiment is not limited thereto, and the conductive pattern opening OA may have various shapes such as a diamond shape, a pentagon, a hexagonal polygonal shape, or a circular shape.
한편, 도 11에서는 서브 패턴(320)이 일부만 형성되어 있는 것으로 도시하였으나, 실시예는 이에 한정되지 않고, 유효 영억(AA) 전체 혹은 비유효 영역(UA)에도 서브 패턴(320)은 형성될 수 있다.11, a sub-pattern 320 may be formed in the entire effective area AA or in the non-effective area UA. However, the sub- have.
상기 전극부(350)가 전도성 패턴 형상을 가짐으로써, 유효 영역(AA) 상에서 상기 전극부(350)의 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 즉, 상기 전극부(350)가 금속으로 형성되어도, 패턴이 보이지 않게 할 수 있다. 또한, 상기 전극부(350)가 대형 크기의 터치 윈도우에 적용되어도 터치 윈도우의 저항을 낮출 수 있다. 또한, 상기 전극부(350)가 임프린팅 공정으로 형성될 경우, 인쇄 품질을 향상시켜 고품질의 터치 윈도우를 확보할 수 있다.Since the
이러한 전도성 패턴 패턴이 터치 윈도우에 적용되는 것으로 설명하였으나, 실시예가 이에 한정되는 것은 아니고, 전극을 포함하는 다양한 디스플레이 장치에 적용될 수 있다.Although it has been described that the conductive pattern pattern is applied to the touch window, the embodiment is not limited to this, and can be applied to various display devices including electrodes.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 좀더 상세하게 설명하고자 한다. 그러나 실시예는 본 발명을 예시하기 위한 것에 불과하며, 본 발명이 이에 한정되는 것은 아니다.
Hereinafter, the present invention will be described in more detail by way of examples. However, the present invention is not limited thereto.
실시예Example
유리 기재 상에 epichlorohydrin-bi320henol A epoxy 모두를 (meth)acrylate 반응시키고 acryloyl morpholine으로 희석시킨 올리고머, isobornyl(meth)acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth)acrylate 및 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one), Darocur 1173, Ciba社)를 포함하는 광경화형 수지로 제1 패턴을 형성한 후, 포토레지스트 공정으로 제2 패턴을 형성하였다. 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, and 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropane (meth) acrylate were reacted with acryloyl morpholine, epichlorohydrin-bi- -1-one, Darocur 1173, Ciba), and then a second pattern was formed by a photoresist process.
비교예Comparative Example
에폭시를 포함하지 않는 올리고머를 사용하였다는 점을 제외하고는, 실시예와 동일한 방법으로 형성하였다.
Except that an epoxy-free oligomer was used.
실시예와 비교예에 대하여, 면도칼로 제1 패턴을 커팅하였을 때 제1 패턴이 기재 상에 얼마나 남아 있는지에 대한 크로스 컷(cross-cut) 실험 및 접착 테이프로 제1 패턴을 뜯어내었을 때, 제1 패턴이 기재 상에 얼마나 남아 있는지에 대한 러빙(rubbing) 실험을 실시하였다. For the Examples and the Comparative Examples, a cross-cut experiment was conducted on how much the first pattern was left on the substrate when the first pattern was cut with the razor, and when the first pattern was peeled off with the adhesive tape, A rubbing experiment was conducted to determine how much the first pattern remained on the substrate.
상기 크로스 컷 실험 결과, 비교예(도 13)에 비해 실시예(도 12)의 제1 패턴이 더 많이 잔존하는 것으로 볼 수 있다. 또한, 상기 러빙 실험 결과, 비교예(도 15)에 비해 실시예(도 14)의 제1 패턴이 더 많이 잔존하는 것으로 볼 수 있다. 즉, 실시예의 제1 패턴이 접착력이 뛰어남을 확인할 수 있다.As a result of the cross-cut test, it can be seen that the first pattern of the embodiment (FIG. 12) is more remained than the comparative example (FIG. 13). As a result of the rubbing test, it can be seen that the first pattern of the embodiment (Fig. 14) is more remained than the comparative example (Fig. 15). That is, it can be confirmed that the first pattern of the embodiment is excellent in adhesion.
한편, 도 16 및 도 17을 참조하면, 실시예(도 16)에서는 제1 패턴 및 제2 패턴이 비교예(도 17)에 비해 모두 패턴 형상을 잘 유지하고 있음을 알 수 있다. Referring to FIGS. 16 and 17, it can be seen that the first pattern and the second pattern maintain a good pattern shape in comparison with the comparative example (FIG. 17) in the embodiment (FIG. 16).
상술한 실시예에 설명된 특징, 구조, 효과 등은 본 발명의 적어도 하나의 실시예에 포함되며, 반드시 하나의 실시예에만 한정되는 것은 아니다. 나아가, 각 실시예에서 예시된 특징, 구조, 효과 등은 실시예들이 속하는 분야의 통상의 지식을 가지는 자에 의하여 다른 실시예들에 대해서도 조합 또는 변형되어 실시 가능하다. 따라서 이러한 조합과 변형에 관계된 내용들은 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. The features, structures, effects and the like described in the foregoing embodiments are included in at least one embodiment of the present invention and are not necessarily limited to one embodiment. Further, the features, structures, effects, and the like illustrated in the embodiments may be combined or modified in other embodiments by those skilled in the art to which the embodiments belong. Therefore, it should be understood that the present invention is not limited to these combinations and modifications.
또한, 이상에서 실시예들을 중심으로 설명하였으나 이는 단지 예시일 뿐 본 발명을 한정하는 것이 아니며, 본 발명이 속하는 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 본 실시예의 본질적인 특성을 벗어나지 않는 범위에서 이상에 예시되지 않은 여러 가지의 변형과 응용이 가능함을 알 수 있을 것이다. 예를 들어, 실시예들에 구체적으로 나타난 각 구성 요소는 변형하여 실시할 수 있는 것이다. 그리고 이러한 변형과 응용에 관계된 차이점들은 첨부한 청구 범위에서 규정하는 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다. While the present invention has been particularly shown and described with reference to exemplary embodiments thereof, it is clearly understood that the same is by way of illustration and example only and is not to be construed as limiting the scope of the present invention. It can be seen that various modifications and applications are possible. For example, each component specifically shown in the embodiments may be modified and implemented. It is to be understood that the present invention may be embodied in many other specific forms without departing from the spirit or essential characteristics thereof.
Claims (6)
모노머; 및
광 중합 개시제를 포함하는 수지 조성물.Epoxy derivative oligomers having from 1 to 10 reactors;
Monomers; And
A resin composition comprising a photo polymerization initiator.
상기 모노머는 환형 구조를 포함하는 수지 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the monomer comprises a cyclic structure.
상기 모노머는 isobornyl(meth)acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth)acrylate, tetrahydrofurfuran-3-yl (meth)acrylate, furfuryl (meth)acrylate, dicyclopentanyl (meth)acrylate로 이루어진 군에서 선택된 물질을 어느 하나 포함하는 수지 조성물.The method according to claim 1,
Wherein the monomer is selected from the group consisting of isobornyl (meth) acrylate, 2-methylcyclohexyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuran-3-yl (meth) acrylate, furfuryl (meth) acrylate and dicyclopentanyl Composition.
상기 광 중합 개시제는 (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one), (2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one), (1-hydroxy-cyclohexylphenylketone), (2-methyl-1-[4-(methylthio)phenyl]-2-(4-morpholinylpropan-1-one), (bis(2,4,6-trimethylbenzoyl)-phenylpho320hine oxide), (2,4,6-trimethylbenzoyldiphenylpho320hine oxide)로 이루어진 군에서 선택된 물질을 어느 하나 포함하는 수지 조성물.The method according to claim 1,
The photopolymerization initiator may be at least one selected from the group consisting of (2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one), (2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan- 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2- (4-morpholinylpropan-1-one), bis (2,4,6- trimethylbenzoyl) -phenylphosphine, trimethylbenzoyldiphenylpho320hine oxide). < / RTI >
상기 제1 패턴은,
1 내지 10개의 반응기를 가지는 에폭시 유도체 올리고머;
모노머; 및
광 중합 개시제를 포함하는 전도성 패턴 형성용 몰드. And a second pattern having a larger line width than the first pattern,
Wherein the first pattern comprises:
Epoxy derivative oligomers having 1 to 10 reactors;
Monomers; And
A mold for forming a conductive pattern comprising a photopolymerization initiator.
상기 모노머는 환형 구조를 포함하는 전도성 패턴 형성용 몰드.6. The method of claim 5,
Wherein the monomer comprises an annular structure.
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