JP6217063B2

JP6217063B2 - Display device and manufacturing method thereof

Info

Publication number: JP6217063B2
Application number: JP2012195122A
Authority: JP
Inventors: 誠司滝澤; 伊藤　大; 大伊藤
Original assignee: Toppan Inc
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 2012-09-05
Filing date: 2012-09-05
Publication date: 2017-10-25
Anticipated expiration: 2032-09-05
Also published as: JP2014052704A

Description

本発明は、タッチパネルを入力デバイスとして用いる表示デバイス及びその製造方法に関する。 The present invention relates to a display device using a touch panel as an input device and a method for manufacturing the same.

近年、ディスプレイ画面を指で触れたり、ペンで押圧するだけで入力できる透明タッチパネルが普及している。このタッチパネルの電極として使用される透明導電性フィルムは基本的にガラスもしくは高分子フィルムに導電膜を積層した構成を有している。特に近年では可撓性、加工性に優れ、軽量である等の点からポリエチレンテレフタレートをはじめとする高分子フィルムを使用した透明導電性フィルムが使用されている。 In recent years, transparent touch panels that allow input by simply touching a display screen with a finger or pressing with a pen have become widespread. The transparent conductive film used as an electrode of this touch panel basically has a configuration in which a conductive film is laminated on glass or a polymer film. Particularly in recent years, transparent conductive films using polymer films such as polyethylene terephthalate have been used because they are excellent in flexibility and workability and are lightweight.

また、内部反射を抑制するために偏光板と円偏光板とで透明導電性フィルムを挟みこんだ構造のタッチパネルが増えてきている。この際に透明導電性フィルムのリタデーションが高いと内部反射の抑制効果が十分に得られないため、透明導電性フィルムには低リタデーションの基材を用いることが要求されるようになってきている。 In addition, in order to suppress internal reflection, touch panels having a structure in which a transparent conductive film is sandwiched between a polarizing plate and a circularly polarizing plate are increasing. At this time, if the retardation of the transparent conductive film is high, the effect of suppressing internal reflection cannot be sufficiently obtained, and therefore, it is required to use a low retardation substrate for the transparent conductive film.

特開２００９−９３３９５号公報JP 2009-93395 A

この低リタデーションの基材として従来はガラスが用いられることが多かったが、タッチパネル全体の軽量化と可撓性、加工性の観点から、高分子フィルムへの代替が求められてきている。低リタデーションの高分子フィルムとしては各種フィルムが上市されているが、この中でもトリアセチルセルロース（以下、ＴＡＣとする）はコストパフォーマンスが優れている。 Conventionally, glass has often been used as the low retardation substrate, but an alternative to a polymer film has been demanded from the viewpoint of weight reduction, flexibility, and workability of the entire touch panel. Various films have been marketed as low retardation polymer films. Among them, triacetyl cellulose (hereinafter referred to as TAC) has excellent cost performance.

しかしながら、タッチパネルの製造の際には透明導電性フィルムが高温の環境下に置かれる工程を含むのが一般的であるが、ＴＡＣは加熱時の熱収縮がガラスやポリエチレンテレフタレートなどと比べて大きく、タッチパネルの組み立ての際の位置精度に悪影響を与える。特許文献１のように部材としてＴＡＣを用いたタッチパネルの技術はあるものの、これはＴＡＣの熱収縮の影響を低減するためのものには当たらない。 However, when manufacturing a touch panel, it is common to include a process in which a transparent conductive film is placed in a high-temperature environment. However, TAC has a large thermal shrinkage when heated compared to glass or polyethylene terephthalate, This will adversely affect the positional accuracy when assembling the touch panel. Although there is a touch panel technology using TAC as a member as in Patent Document 1, this does not correspond to reducing the influence of thermal contraction of TAC.

本発明は、かかる従来技術の課題に鑑みてなされたもので、その目的は、透明薄膜積層体の基材としてＴＡＣを用いた場合でも、組立て精度の高いタッチパネルを構成部材とした表示デバイス、及びその製造方法を提供することにある。 The present invention has been made in view of the problems of the prior art, and its purpose is to provide a display device having a touch panel with high assembly accuracy as a constituent member even when TAC is used as a base material of a transparent thin film laminate, and It is in providing the manufacturing method.

本発明は、上記の課題を解決するためのものであり、第１の発明は、少なくとも１枚の透明薄膜積層体を構成要素として持つタッチパネルを構成部品として用いている表示デバイスの製造方法であって、透明樹脂基材上に少なくとも１層の透明導電膜層を含む透明薄膜を形成して、透明薄膜積層体を形成する形成工程と、形成工程前に、透明樹脂基材を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱する加熱工程とを有し、透明樹脂基材は、トリアセチルセルロースであり、加熱温度を上昇させると当該透明樹脂基材にかかる張力の大きさに応じて透明薄膜積層体の熱収縮率を変化させるものであり、加熱工程において、透明樹脂基材にかかる張力を、加熱温度を上昇させると透明薄膜積層体の熱収縮率を低下させる範囲に設定し、タッチパネル組立て前の段階における、透明薄膜積層体の任意の２点間の距離をｄ１、透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の２点間の距離をｄ２としたとき、次式、
（ｄ１−ｄ２）／ｄ１ ≦０．００１５・・・（１）
が成り立つことを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 The present invention is for solving the above-mentioned problems, and the first invention is a method for manufacturing a display device using a touch panel having at least one transparent thin film laminate as a component as a component. Te, to form a transparent thin film containing transparent conductive film layer at least one layer on a transparency resin substrate, and forming a transparent thin film stack, before the forming step, a transparent resin substrate 110 ° C. or higher A heating step of heating at 160 ° C. or less for 5 minutes or more, and the transparent resin base material is triacetyl cellulose, and when the heating temperature is increased, the transparent thin film is formed according to the magnitude of the tension applied to the transparent resin base material. The thermal contraction rate of the laminate is changed. In the heating process, the tension applied to the transparent resin substrate is set in a range where the thermal contraction rate of the transparent thin film laminate is lowered when the heating temperature is raised, and the touch panel In the assembly prior to the step, when the distance between any two points of the transparent thin film stack d1, the distance between the transparent thin film stack two points after heating for one hour at 130 ° C. was d2, the following equation,
(D1-d2) /d1≦0.0015 (1)
This is a display device manufacturing method characterized by the following.

第２の発明は、少なくとも１枚の透明薄膜積層体を構成要素として持つタッチパネルを構成部品として用いている表示デバイスの製造方法であって、透明樹脂基材上に少なくとも１層の透明導電膜層を含む透明薄膜を形成して、透明薄膜積層体を形成する形成工程と、形成工程中に、透明樹脂基材を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱する加熱工程とを有し、透明樹脂基材は、トリアセチルセルロースであり、加熱温度を上昇させると当該透明樹脂基材にかかる張力の大きさに応じて透明薄膜積層体の熱収縮率を変化させるものであり、加熱工程において、透明樹脂基材にかかる張力を、加熱温度を上昇させると透明薄膜積層体の熱収縮率を低下させる範囲に設定し、タッチパネル組立て前の段階における、透明薄膜積層体の任意の２点間の距離をｄ１、透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の２点間の距離をｄ２としたとき、次式、
（ｄ１−ｄ２）／ｄ１ ≦０．００１５・・・（１）
が成り立つことを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 2nd invention is a manufacturing method of the display device which uses the touch panel which has at least 1 transparent thin film laminated body as a component as a component, Comprising: At least 1 layer of transparent conductive film layers on a transparent resin base material And forming a transparent thin film laminate, and a heating step of heating the transparent resin substrate at 110 ° C. or higher and 160 ° C. or lower for 5 minutes or more during the forming step, and transparent The resin base material is triacetyl cellulose, and when the heating temperature is increased, the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is changed according to the magnitude of the tension applied to the transparent resin base material. The tension applied to the transparent resin base material is set in a range in which the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is lowered when the heating temperature is raised. When the distance between the points d1, the distance between two points after heating for one hour at the transparent thin film stack 130 ° C. was d2, the following equation,
(D1-d2) /d1≦0.0015 (1)
This is a display device manufacturing method characterized by the following.

第３の発明は、少なくとも１枚の透明薄膜積層体を構成要素として持つタッチパネルを構成部品として用いている表示デバイスの製造方法であって、透明樹脂基材上に少なくとも１層の透明導電膜層を含む透明薄膜を形成して、透明薄膜積層体を形成する形成工程と、形成工程後に、透明樹脂基材を１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱する加熱工程とを有し、透明樹脂基材は、トリアセチルセルロースであり、加熱温度を上昇させると当該透明樹脂基材にかかる張力の大きさに応じて透明薄膜積層体の熱収縮率を変化させるものであり、加熱工程において、透明樹脂基材にかかる張力を、加熱温度を上昇させると透明薄膜積層体の熱収縮率を低下させる範囲に設定し、タッチパネル組立て前の段階における、透明薄膜積層体の任意の２点間の距離をｄ１、透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の２点間の距離をｄ２としたとき、次式、
（ｄ１−ｄ２）／ｄ１ ≦０．００１５・・・（１）
が成り立つことを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 3rd invention is a manufacturing method of the display device which uses the touch panel which has at least 1 transparent thin film laminated body as a component as a component, Comprising: At least 1 layer of transparent conductive film layers on a transparent resin base material And forming a transparent thin film laminate, and a heating step of heating the transparent resin substrate at 110 ° C. or higher and 160 ° C. or lower for 5 minutes or longer after the forming step, The base material is triacetyl cellulose, and when the heating temperature is raised, the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is changed according to the magnitude of the tension applied to the transparent resin base material. The tension applied to the resin base material is set in a range in which the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is lowered when the heating temperature is raised. When the distance between the points d1, the distance between two points after heating for one hour at the transparent thin film stack 130 ° C. was d2, the following equation,
(D1-d2) /d1≦0.0015 (1)
This is a display device manufacturing method characterized by the following.

第４の発明は、第１〜第３の何れかの発明において、透明薄膜積層体をタッチパネル組立て前の段階で１３０℃で１時間加熱した後の面内リタデーションをＲｅ、深さ方向リタデーションをＲｔｈとしたとき、次式、
Ｒｅ ≦１０ｎｍ・・・（２）
Ｒｔｈ ≦６５ｎｍ・・・（３）
が成り立つことを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 According to a fourth aspect of the present invention, in any one of the first to third aspects, the in-plane retardation after heating the transparent thin film laminate at 130 ° C. for 1 hour at the stage before assembling the touch panel is Re, and the depth direction retardation is Rth. The following formula
Re ≦ 10 nm (2)
Rth ≦ 65 nm (3)
This is a display device manufacturing method characterized by the following.

第５の発明は、第１〜第４の何れかの発明において、形成工程において、金属の層または無機化合物の層を形成することを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 A fifth invention is a method of manufacturing a display device according to any one of the first to fourth inventions, wherein a metal layer or an inorganic compound layer is formed in the forming step .

第６の発明は、第５の発明において、形成工程において、透明樹脂基材と透明導電膜層との間に、金属の層または無機化合物の層を形成することを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 A sixth invention is a display device according to the fifth invention, characterized in that, in the forming step, a metal layer or an inorganic compound layer is formed between the transparent resin substrate and the transparent conductive film layer . It is a manufacturing method.

第７の発明は、第５の発明において、形成工程において、透明導電膜層より外側に、金属の層または無機化合物の層を形成することを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 A seventh invention is a method for producing a display device according to the fifth invention, wherein, in the forming step, a metal layer or an inorganic compound layer is formed outside the transparent conductive film layer .

第８の発明は、第１〜第７の何れかの発明において、形成工程において、有機化合物の層を形成することを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 An eighth invention is a method for manufacturing a display device according to any one of the first to seventh inventions, wherein the organic compound layer is formed in the forming step .

第９の発明は、第８の発明において、形成工程において、透明樹脂基材と透明導電膜層との間に、有機化合物の層を有することを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 A ninth invention is a method for producing a display device according to the eighth invention, wherein, in the forming step, an organic compound layer is provided between the transparent resin substrate and the transparent conductive film layer .

第１０の発明は、第８の発明において、形成工程において、透明樹脂基材の透明導電膜層側と反対側の面に、有機化合物の層を形成することを特徴とする表示デバイスの製造方法である。 A tenth aspect of the invention is the manufacture of a display device according to the eighth aspect of the invention, wherein, in the forming step, a layer of an organic compound is formed on the surface of the transparent resin substrate opposite to the transparent conductive film layer side. Is the method.

本発明によれば、透明薄膜積層体にＴＡＣ基材を用いた場合でも、透明薄膜の形成工程で加熱処理を実施することで透明薄膜積層体の熱収縮率が低減され、低リタデーションかつ組立て精度の高いタッチパネルを構成部材としている表示デバイスを提供することができる。 According to the present invention, even when a TAC substrate is used for the transparent thin film laminate, the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is reduced by performing the heat treatment in the transparent thin film forming step, and the low retardation and the assembly accuracy are achieved. It is possible to provide a display device having a high-touch panel as a constituent member.

本発明の一実施形態を示すものであり、タッチパネル付き表示デバイスの構成を示す断面図Sectional drawing which shows one Embodiment of this invention and shows the structure of a display device with a touch panel 本発明の一実施形態を示すものであり、透明薄膜積層体の構成を示す断面図Sectional drawing which shows one Embodiment of this invention and shows the structure of a transparent thin film laminated body 本発明の一実施形態を示すものであり、タッチパネルの断面図1 is a cross-sectional view of a touch panel according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態を示すものであり、透明薄膜積層体に電極をパターニングする際の平面図の一例1 shows an embodiment of the present invention and is an example of a plan view when an electrode is patterned on a transparent thin film laminate. 本発明の一実施形態を示すものであり、タッチパネル電極の平面図1 is a plan view of a touch panel electrode according to an embodiment of the present invention. 本発明の一実施形態を示すものであり、シールド層の構成の断面図Sectional drawing of the structure of the shield layer which shows one Embodiment of this invention 本発明の一実施形態を示すものであり、張力０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の熱収縮率との関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 0 N, and the thermal contraction rate of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力３０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の熱収縮率との関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 30 N, and the thermal contraction rate of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力５０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の熱収縮率との関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 50 N, and the thermal contraction rate of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の面内リタデーションとの関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing by the tension | tensile_strength of 0 N, and the in-plane retardation of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力３０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の面内リタデーションとの関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 30 N, and the in-plane retardation of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力５０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の面内リタデーションとの関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 50 N, and the in-plane retardation of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の深さ方向リタデーションとの関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 0 N, and the depth direction retardation of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力３０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の深さ方向リタデーションとの関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 30 N, and the depth direction retardation of a transparent thin film laminated body. 本発明の一実施形態を示すものであり、張力５０Ｎで加熱処理した時の加熱処理温度と透明薄膜積層体の深さ方向リタデーションとの関係を示すグラフThe graph which shows one Embodiment of this invention and shows the relationship between the heat processing temperature when heat-processing with the tension | tensile_strength of 50 N, and the depth direction retardation of a transparent thin film laminated body.

以下、本発明を実施するための形態を説明図を用いて説明する。なお、本発明は、以下に記載する実施の形態に限定されうるものではなく、当業者の知識に基づいて設計の変更などの変形を加えることも可能であり、そのような変形が加えられた実施の形態も本発明の範囲に含まれるものである。 Hereinafter, embodiments for carrying out the present invention will be described with reference to the drawings. The present invention is not limited to the embodiments described below, and modifications such as design changes can be made based on the knowledge of those skilled in the art, and such modifications have been added. Embodiments are also included in the scope of the present invention.

図１に、本実施形態に係わるタッチパネル付き表示装置の構成についての断面図を示す。図１はＬＣＤ表示パネル３０と観察側に構成されるタッチパネル１０と、タッチパネル１０のさらに観察側の面に接着剤層５０を介して積層されるフロントパネル層４０と、ＬＣＤ表示パネル３０とタッチパネル１０との間に介在するシールド層２０と、から成る。シールド層２０は図１のようにタッチパネル１０と離れていてもよいし、タッチパネル１０に粘着剤等を介して貼り合わせてあってもよい。 FIG. 1 shows a cross-sectional view of the configuration of a display device with a touch panel according to the present embodiment. FIG. 1 shows an LCD display panel 30 and a touch panel 10 constructed on the observation side, a front panel layer 40 laminated on the further observation side surface of the touch panel 10 with an adhesive layer 50, the LCD display panel 30 and the touch panel 10. And a shield layer 20 interposed therebetween. The shield layer 20 may be separated from the touch panel 10 as shown in FIG. 1, or may be bonded to the touch panel 10 via an adhesive or the like.

図２に、本実施形態に係るタッチパネル１０に用いられる透明薄膜積層体１の構成についての断面図を示す。透明樹脂基材２の一方の面に、透明薄膜としての第１透明薄膜層３と透明薄膜としての透明導電性膜４とが順に積層され、透明樹脂基材２の他方の面に透明薄膜としての第２透明薄膜層５が設けられる構成となっている。 In FIG. 2, sectional drawing about the structure of the transparent thin film laminated body 1 used for the touchscreen 10 which concerns on this embodiment is shown. A first transparent thin film layer 3 as a transparent thin film and a transparent conductive film 4 as a transparent thin film are sequentially laminated on one surface of the transparent resin base material 2, and a transparent thin film is formed on the other surface of the transparent resin base material 2. The second transparent thin film layer 5 is provided.

図３は、貼り合せた２枚の透明薄膜積層体１の各透明導電性膜４に対しパターニングを行った後の断面図を示したものである。これが２つの電極層を持つタッチパネル１０となる。本発明では、貼り合せ以降でパターニングを実施するため、貼り合せは必ず透明導電性膜４と反対側の面同士を粘着層６で貼り合せる。透明導電膜層のパターニングでは、例えばレジスト塗布、露光、エッチング、レジスト剥離という工程を経て、導電性パターン部と非導電性パターン部とが形成される。パターニング方法としてはスクリーン印刷、フォトリソ、レーザーによるパターニングなどどの方法を用いても構わない。また、レジストも感光性のものでなく、乾燥により硬化するものでも構わない。その場合露光工程は乾燥工程に置き換わる。電極のパターニング例として図４に透明導電膜層を菱形状にパターニングしたものを上から見た図を示す。静電容量式タッチパネルを作製する場合、上下のパターンが重ならないように導電面にパターンを形成しなければならない。図４のように菱形のパターンを用いる場合、各ダイヤモンドが重ならないようにパターニングすると図５のようになる。これによりどちらか一方がＸ方向の静電容量変化を検知し、もう一方がＹ方向の変化を検知することが可能となる。 FIG. 3 shows a cross-sectional view after patterning the transparent conductive films 4 of the two transparent thin film laminates 1 bonded together. This is the touch panel 10 having two electrode layers. In the present invention, since the patterning is performed after the bonding, the surfaces opposite to the transparent conductive film 4 are always bonded together by the adhesive layer 6. In the patterning of the transparent conductive film layer, a conductive pattern portion and a non-conductive pattern portion are formed through processes such as resist coating, exposure, etching, and resist peeling, for example. As a patterning method, any method such as screen printing, photolithography, or patterning by laser may be used. Further, the resist is not photosensitive and may be cured by drying. In this case, the exposure process is replaced with a drying process. As an example of electrode patterning, FIG. 4 shows a top view of a transparent conductive film layer patterned in a diamond shape. When producing a capacitive touch panel, a pattern must be formed on the conductive surface so that the upper and lower patterns do not overlap. In the case of using a rhombus pattern as shown in FIG. 4, patterning is performed so that the diamonds do not overlap with each other as shown in FIG. Accordingly, either one can detect a change in capacitance in the X direction, and the other can detect a change in Y direction.

図１に示すようにタッチパネル１０とＬＣＤ表示パネル３０とはシールド層２０を介して組み立てられる。シールド層２０はＬＣＤ表示パネルからの電気的なノイズをタッチパネル部１０に与えないために組み込まれる層であり、透明かつ導電性を備えている必要がある。 As shown in FIG. 1, the touch panel 10 and the LCD display panel 30 are assembled via the shield layer 20. The shield layer 20 is a layer that is incorporated in order to prevent electrical noise from the LCD display panel from being applied to the touch panel unit 10, and needs to be transparent and conductive.

本発明におけるシールド層２０の構成を図６に示す。基材２１上に導電膜層２２が積層される。基材２１と導電膜層２２との間にＵＶ硬化樹脂層２３を積層する。 The configuration of the shield layer 20 in the present invention is shown in FIG. A conductive film layer 22 is laminated on the substrate 21. A UV curable resin layer 23 is laminated between the base material 21 and the conductive film layer 22.

基材２１としては、透明なガラス及びプラスチックフィルムが用いられる。プラスチックフィルムとしては、面内リタデーション及び深さ方向リタデーションが低く、成膜工程及び後工程において十分な強度があり、表面が平滑なものであれば特に限定されないが、例えばシクロオレフィンポリマー、シクロオレフィンコポリマーなどが挙げられる。これらの基材には酸化防止剤、帯電防止剤、紫外線防止剤、可塑剤、滑剤、易接着剤などの添加剤が含まれていても構わない。また、密着性を良くする為にコロナ処理、低温プラズマ処理を施しても構わない。 As the substrate 21, transparent glass and plastic film are used. The plastic film is not particularly limited as long as it has low in-plane retardation and retardation in the depth direction, has sufficient strength in the film-forming process and the subsequent process, and has a smooth surface. For example, cycloolefin polymer, cycloolefin copolymer Etc. These base materials may contain additives such as an antioxidant, an antistatic agent, an ultraviolet ray inhibitor, a plasticizer, a lubricant, and an easy adhesive. Further, in order to improve adhesion, corona treatment or low temperature plasma treatment may be performed.

導電膜層２２に用いる導電性材料としては、本発明では導電性ポリマーを用いる。導電性ポリマーとしてはπ共役系高分子が用いられる。例えばポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリアニリン、ポリパラフェニレン、ポリパラフェニレンビニレン、ポリチオフェン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ポリフラン、ポリピロール、ポリフェニレンスルフィド、ポリピリジルビニレン、及びポリアジン等が挙げられる。これらは１種のみを用いてもよく、また、目的に応じて２種以上を組み合わせて用いてもよい。中でもポリエチレンジオキシチオフェンは表面抵抗値が数百Ω／□程度で透明性が比較的良好であり、ｂ＊値がマイナスであり若干青味を帯びていることからシールド層として用いた場合に表示パネル全体の色味を悪化させないものとして好適に用いることが可能である。 As the conductive material used for the conductive film layer 22, a conductive polymer is used in the present invention. A π-conjugated polymer is used as the conductive polymer. Examples include polyacetylene, polydiacetylene, polyaniline, polyparaphenylene, polyparaphenylene vinylene, polythiophene, polyethylene dioxythiophene, polyfuran, polypyrrole, polyphenylene sulfide, polypyridyl vinylene, and polyazine. These may use only 1 type and may use it in combination of 2 or more type according to the objective. Among them, polyethylenedioxythiophene has a surface resistance value of several hundreds Ω / □ and relatively good transparency. The b * value is negative and slightly bluish, so it is displayed when used as a shield layer. It can be suitably used as one that does not deteriorate the color of the entire panel.

導電膜層２２を基材２１に積層する方法としては、スピンコート法、ローラコート法、バーコート法、ディップコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、ニーダーコート法等の塗布法や、スクリーン印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法等の印刷法コート等によるコーティングで塗布される。 As a method of laminating the conductive film layer 22 on the substrate 21, a spin coating method, a roller coating method, a bar coating method, a dip coating method, a gravure coating method, a curtain coating method, a die coating method, a spray coating method, a doctor coating method, It is applied by a coating method such as a kneader coating method or a coating method such as a screen printing method, a spray printing method, an ink jet printing method, a relief printing method, an intaglio printing method, a lithographic printing method.

導電膜層２２に用いる導電性ポリマーは、上記塗工方法からして液状になっていることが好ましい。液状にするためには、水、または有機溶媒、例えばアルコール、エーテル、ケトン、エステル、炭化水素、ハロゲン化炭化水素、アミドなどに溶解または分散させて用いることが好ましい。中でも水やメタノール、エタノール、イソプロピルアルコールといった溶媒がコスト的にも容易に用いることが可能である。この時、ポリマーの分散性をよくするために分散剤や界面活性剤等の添加剤を加えても構わないし、導電膜の膜強度を強くするために添加剤を加えたり、膜硬化を促進するための硬化剤を加えても構わない。 It is preferable that the conductive polymer used for the conductive film layer 22 is in a liquid state according to the coating method. In order to make it liquid, it is preferable to use it dissolved or dispersed in water or an organic solvent such as alcohol, ether, ketone, ester, hydrocarbon, halogenated hydrocarbon, amide and the like. Among these, solvents such as water, methanol, ethanol, and isopropyl alcohol can be easily used in terms of cost. At this time, an additive such as a dispersant or a surfactant may be added to improve the dispersibility of the polymer, or an additive may be added to increase the film strength of the conductive film, or film hardening may be promoted. You may add the hardening | curing agent for.

導電膜２２の膜の硬化方法としては、用いるπ共役系高分子の種類や添加している硬化剤の種類によって熱硬化もしくはＵＶ硬化等により硬化させる。 As a method for curing the film of the conductive film 22, the film is cured by thermal curing, UV curing, or the like depending on the type of the π-conjugated polymer to be used and the type of the added curing agent.

前記のπ共役系高分子ではそれ単独では導電性が発現せず、ドーパントを添加することによりプラスまたはマイナスの電荷がπ共役系高分子に付与されて導電性を持つ場合もある。従ってドーパントを加えることも好ましく行われる。例えばポリジオキシチオフェンの場合はポリスチレンスルホン酸がドーパントとして添加されることが一般的である。 The π-conjugated polymer alone does not exhibit electrical conductivity, and by adding a dopant, a positive or negative charge may be imparted to the π-conjugated polymer and may have electrical conductivity. Therefore, it is also preferable to add a dopant. For example, in the case of polydioxythiophene, polystyrene sulfonic acid is generally added as a dopant.

導電膜層２２の透過ｂ＊値はマイナス方向に値が大きいほど透過色の青味が強いものとなり、黄色味を抑制する効果がある。ｂ＊値は導電性ポリマー膜の膜厚を変化させることで、制御可能であり、タッチパネルの透過色の黄色味の程度によって、最も適切な膜厚の導電性ポリマー膜を塗工することが可能である。 As the transmission b * value of the conductive film layer 22 increases in the negative direction, the blue color of the transmitted color becomes stronger, and the yellow color is effectively suppressed. The b * value can be controlled by changing the film thickness of the conductive polymer film, and the conductive polymer film with the most appropriate film thickness can be applied depending on the yellowness of the transmitted color of the touch panel. It is.

コーティング層２３はその下部の基材からのオリゴマー析出を防止するために設ける層である。シールド層を構成する導電層の材質により適切な材料、膜厚、硬化方法を選ぶことで、オリゴマー析出を防止しつつ、高い透過率を保ったシールド層を形成することができる。例えば上記ポリエチレンジオキシチオフェンを導電層として用いる場合は、アクリル系のＵＶ硬化樹脂により、３μｍの層を形成することで達成することができる。 The coating layer 23 is a layer provided to prevent oligomer precipitation from the underlying substrate. By selecting an appropriate material, film thickness, and curing method depending on the material of the conductive layer constituting the shield layer, it is possible to form a shield layer that maintains high transmittance while preventing oligomer precipitation. For example, when the above-mentioned polyethylenedioxythiophene is used as the conductive layer, it can be achieved by forming a 3 μm layer with an acrylic UV curable resin.

層の形成方法としては、導電性ポリマー層の形成と同様にスピンコート法、ローラコート法、バーコート法、ディップコート法、グラビアコート法、カーテンコート法、ダイコート法、スプレーコート法、ドクターコート法、ニーダーコート法等の塗布法や、スクリーン印刷法、スプレー印刷法、インクジェット印刷法、凸版印刷法、凹版印刷法、平版印刷法等の印刷法コート等によるコーティングで行うことが出来る。 As the method for forming the layer, the spin coating method, the roller coating method, the bar coating method, the dip coating method, the gravure coating method, the curtain coating method, the die coating method, the spray coating method, the doctor coating method, as in the formation of the conductive polymer layer. The coating can be carried out by a coating method such as a coating method such as a kneader coating method, a screen printing method, a spray printing method, an ink jet printing method, a relief printing method, an intaglio printing method, a lithographic printing method or the like.

ＬＣＤ表示パネル３０の構造としては、液晶を駆動させるためのスイッチング素子が配置され電極層が設けられた基板（アレイ基板）と、対向する電極層が形成されたカラーフィルター基板とが液晶層を挟んで構成されており、アレイ基板とカラーフィルター基板にはそれぞれ偏光板が取付けられているような極一般的なＬＣＤ表示パネルを用いる。またＬＣＤ表示パネル３０の駆動方式としては特に限定されるものではなく、ＩＰＳ方式、ＴＮ方式、ＶＡ方式等のＬＣＤ表示器が用いられる。 The LCD display panel 30 has a structure in which a switching element for driving a liquid crystal is arranged and an electrode layer is provided (array substrate) and a color filter substrate on which an opposing electrode layer is formed sandwiches the liquid crystal layer. An extremely general LCD display panel in which a polarizing plate is attached to each of the array substrate and the color filter substrate is used. Further, the driving method of the LCD display panel 30 is not particularly limited, and an IPS method, TN method, VA method or the like LCD display is used.

本実施形態の透明樹脂基材２にはＴＡＣを用いることができる。この時用いるＴＡＣは、面内リタデーションが１０ｎｍ以下、深さ方向リタデーションが６５ｎｍ以下のものを選択する。また、厚さは部材の薄型化と基材の可撓性とを考慮し、１０μｍ以上２００μｍ以下程度のものが用いられるのが好ましい。 TAC can be used for the transparent resin substrate 2 of the present embodiment. As the TAC used at this time, an in-plane retardation of 10 nm or less and a depth direction retardation of 65 nm or less are selected. Further, considering the thickness of the member and the flexibility of the base material, it is preferable to use a thickness of about 10 μm or more and 200 μm or less.

本実施形態のタッチパネルに用いられる透明薄膜積層体では、透明樹脂基材の少なくとも一方の面に、無機化合物からなる第１透明薄膜層が形成されていることが好ましく、図２に示すように、透明樹脂基材２上に第１透明薄膜層３が形成され、その上に透明導電性膜４が積層されていることが好ましい。なお、透明樹脂基材２上に透明導電性膜４が形成され、それよりも外側に第１透明薄膜層３が積層されていてもよい。また、上記第１透明薄膜層３のレイヤー位置に、金属からなる層が形成されていてもよい。当該金属は、例えば遮光性導電膜として設けられる。 In the transparent thin film laminate used in the touch panel of the present embodiment, it is preferable that a first transparent thin film layer made of an inorganic compound is formed on at least one surface of the transparent resin base material, as shown in FIG. It is preferable that the first transparent thin film layer 3 is formed on the transparent resin substrate 2 and the transparent conductive film 4 is laminated thereon. In addition, the transparent conductive film 4 may be formed on the transparent resin base material 2, and the 1st transparent thin film layer 3 may be laminated | stacked on the outer side. A layer made of metal may be formed at the layer position of the first transparent thin film layer 3. The metal is provided as a light-shielding conductive film, for example.

第１透明薄膜層３は、透明薄膜積層体１の透過率や色相を調整する機能を有し、視認性を向上させるための層である。第１透明薄膜層３が無機化合物からなる場合、例えば酸化物、硫化物、フッ化物、窒化物などの無機化合物を使用することができる。このような無機化合物からなる第１透明薄膜層３は、その材料（化合物の種類）に応じて屈折率が異なり、屈折率の異なる第１透明薄膜層３を特定の膜厚で形成することにより、光学特性を調整することが可能となる。なお、第１透明薄膜層は一層に限られるものではなく、目的とする光学特性に応じて複数層とすることもできる。 The 1st transparent thin film layer 3 has a function which adjusts the transmittance | permeability and hue of the transparent thin film laminated body 1, and is a layer for improving visibility. When the 1st transparent thin film layer 3 consists of inorganic compounds, inorganic compounds, such as an oxide, sulfide, fluoride, nitride, can be used, for example. The first transparent thin film layer 3 made of such an inorganic compound has a different refractive index depending on its material (type of compound), and the first transparent thin film layer 3 having a different refractive index is formed with a specific film thickness. The optical characteristics can be adjusted. The first transparent thin film layer is not limited to a single layer, and may be a plurality of layers according to the target optical characteristics.

屈折率が低い無機化合物としては、例えば酸化マグネシウム（１．６）、二酸化珪素（１．５）、フッ化マグネシウム（１．４）、フッ化カルシウム（１．３〜１．４）、フッ化セリウム（１．６）、フッ化アルミニウム（１．３）などがあげられる。また、屈折率が高い無機化合物としては、例えば酸化チタン（２．４）、酸化ジルコニウム（２．４）、硫化亜鉛（２．３）、酸化タンタル（２．１）、酸化亜鉛（２．１）、酸化インジウム（２．０）、酸化ニオブ（２．３）、酸化タンタル（２．２）などがあげられる。ただし、上記括弧内の数値は屈折率を表す。 Examples of the inorganic compound having a low refractive index include magnesium oxide (1.6), silicon dioxide (1.5), magnesium fluoride (1.4), calcium fluoride (1.3 to 1.4), and fluoride. Examples include cerium (1.6) and aluminum fluoride (1.3). Examples of the inorganic compound having a high refractive index include titanium oxide (2.4), zirconium oxide (2.4), zinc sulfide (2.3), tantalum oxide (2.1), and zinc oxide (2.1 ), Indium oxide (2.0), niobium oxide (2.3), tantalum oxide (2.2), and the like. However, the numerical value in the parenthesis represents a refractive index.

第１透明薄膜層３の製造方法は、膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法であってもよく、特に薄膜のドライコーティング法が優れている。これには真空蒸着法、スパッタリングなどの物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するには、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が好ましい。 The manufacturing method of the first transparent thin film layer 3 may be any film forming method as long as the film thickness can be controlled, and the thin film dry coating method is particularly excellent. For this, a vacuum vapor deposition method, a physical vapor deposition method such as sputtering, or a chemical vapor deposition method such as a CVD method can be used. In particular, in order to form a thin film having a uniform film quality over a large area, a sputtering method in which the process is stable and the thin film becomes dense is preferable.

第１透明薄膜層３の厚みには特に限定がなく、目的とする光学特性に応じて、用いる無機化合物の種類と併せて特定すればよいが、例えば１０ｎｍ以上、１００ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。 The thickness of the first transparent thin film layer 3 is not particularly limited, and may be specified together with the type of the inorganic compound to be used according to the target optical characteristics. preferable.

本実施形態のタッチパネルに用いられる透明薄膜積層体は、透明樹脂基材上に金属酸化物からなる透明導電性膜を少なくとも備えているが、図２に示すように、透明樹脂基材２上に第１透明薄膜層３が形成され、その上に透明導電性膜４が積層されていることが好ましい。 The transparent thin film laminate used for the touch panel of this embodiment includes at least a transparent conductive film made of a metal oxide on a transparent resin substrate, but as shown in FIG. It is preferable that the first transparent thin film layer 3 is formed and the transparent conductive film 4 is laminated thereon.

透明導電性膜４は金属酸化物からなり、該金属酸化物として、酸化インジウム、酸化亜鉛及び酸化スズのいずれか、又はこれらのうちの２種類もしくは３種類の混合酸化物、さらにはその他の添加物が加えられたものなどがあげられるが、目的、用途により種々の材料を使用することができ、特に限定されるものではない。現在のところ、最も信頼性が高く、多くの実績がある材料は酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）である。 The transparent conductive film 4 is made of a metal oxide, and as the metal oxide, any one of indium oxide, zinc oxide and tin oxide, or two or three of these mixed oxides, and other additions Examples include various materials added, but various materials can be used depending on the purpose and application, and are not particularly limited. At present, the most reliable and proven material is indium tin oxide (ITO).

前記酸化インジウムスズ（ＩＴＯ）を透明導電性膜４の材料として用いる場合、酸化インジウムにドープされる酸化スズの含有割合は、デバイスに求められる仕様に応じて、任意に選択すればよい。透明樹脂基材２の場合、機械強度を高める目的で薄膜を結晶化させるために用いる材料は、酸化スズの含有割合が１０重量％未満であることが好ましく、薄膜をアモルファス化してフレキシブル性を付与するためには、酸化スズの含有割合が１０重量％以上であることが好ましい。また、薄膜に低抵抗が求められる場合は、酸化スズの含有割合が２〜２０重量％の範囲であることが好ましい。 When the indium tin oxide (ITO) is used as the material of the transparent conductive film 4, the content ratio of tin oxide doped into indium oxide may be arbitrarily selected according to the specifications required for the device. In the case of the transparent resin base material 2, the material used for crystallizing the thin film for the purpose of increasing the mechanical strength preferably has a tin oxide content of less than 10% by weight, and imparts flexibility by amorphizing the thin film. In order to do so, it is preferable that the content ratio of tin oxide is 10% by weight or more. Moreover, when low resistance is calculated | required by a thin film, it is preferable that the content rate of a tin oxide is the range of 2-20 weight%.

透明導電性膜４の製造方法は膜厚の制御が可能であればいかなる成膜方法であってもよく、特に薄膜のドライコーティング法が優れている。これには真空蒸着法、スパッタリングなどの物理的気相析出法やＣＶＤ法のような化学的気相析出法を用いることができる。特に大面積に均一な膜質の薄膜を形成するには、プロセスが安定し、薄膜が緻密化するスパッタリング法が好ましい。 The manufacturing method of the transparent conductive film 4 may be any film forming method as long as the film thickness can be controlled, and the thin film dry coating method is particularly excellent. For this, a vacuum vapor deposition method, a physical vapor deposition method such as sputtering, or a chemical vapor deposition method such as a CVD method can be used. In particular, in order to form a thin film having a uniform film quality over a large area, a sputtering method in which the process is stable and the thin film becomes dense is preferable.

透明導電性膜４の厚みには特に限定がなく、目的とする特性に応じて適宜調整すればよいが、例えば１０ｎｍ以上、５０ｎｍ以下の範囲であることが好ましい。 The thickness of the transparent conductive film 4 is not particularly limited and may be appropriately adjusted according to the target characteristics. For example, the thickness is preferably in the range of 10 nm to 50 nm.

本実施形態のタッチパネルに用いられる透明薄膜積層体には、機械的強度を付与するために、透明樹脂基材の少なくとも一方の面に第２透明薄膜層を形成することが好ましく、図２に示すように、透明樹脂基材２上の前述の第１透明薄膜層３側と反対側の面に第２透明薄膜層５が形成されていることが好ましい。ここでは第２透明薄膜層５は有機化合物からなる。なお、第２透明薄膜層５は、透明樹脂基材２と透明導電性膜４との間に形成されていてもよい。 In order to impart mechanical strength to the transparent thin film laminate used in the touch panel of this embodiment, it is preferable to form a second transparent thin film layer on at least one surface of the transparent resin substrate, as shown in FIG. Thus, it is preferable that the 2nd transparent thin film layer 5 is formed in the surface on the opposite side to the above-mentioned 1st transparent thin film layer 3 side on the transparent resin base material 2. FIG. Here, the second transparent thin film layer 5 is made of an organic compound. The second transparent thin film layer 5 may be formed between the transparent resin substrate 2 and the transparent conductive film 4.

第２透明薄膜層５に用いられる樹脂としては、特に限定はしないが、透明性と適度な硬度と機械的強度を持つ樹脂が好ましい。具体的には３次元架橋の期待できる３官能以上のアクリレートを主成分とするモノマー又は架橋性オリゴマーのような光硬化性樹脂が好ましい。 Although it does not specifically limit as resin used for the 2nd transparent thin film layer 5, Resin with transparency, moderate hardness, and mechanical strength is preferable. Specifically, a photocurable resin such as a monomer or a crosslinkable oligomer having a tri- or higher functional acrylate that can be expected to be three-dimensionally crosslinked as a main component is preferable.

３官能以上のアクリレートモノマーとしては、トリメチロールプロパントリアクリレート、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールトリアクリレート、ジペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラアクリレート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ポリエステルアクリレートなどが好ましい。特に好ましいのは、イソシアヌル酸ＥＯ変性トリアクリレート及びポリエステルアクリレートである。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用しても構わない。また、これら３官能以上のアクリレートの他にエポキシアクリレート、ウレタンアクリレート、ポリオールアクリレートなどのいわゆるアクリル系樹脂を併用することが可能である。 Trifunctional or higher acrylate monomers include trimethylolpropane triacrylate, isocyanuric acid EO-modified triacrylate, pentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol triacrylate, dipentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate Ditrimethylolpropane tetraacrylate, pentaerythritol tetraacrylate, polyester acrylate and the like are preferable. Particularly preferred are isocyanuric acid EO-modified triacrylate and polyester acrylate. These may be used alone or in combination of two or more. In addition to these tri- or higher functional acrylates, so-called acrylic resins such as epoxy acrylate, urethane acrylate, and polyol acrylate can be used in combination.

架橋性オリゴマーとしては、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリエーテル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、シリコーン（メタ）アクリレートなどのアクリルオリゴマーが好ましい。具体的にはポリエチレングリコールジ（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコールジ（メタ）アクリレート、ビスフェノールＡ型エポキシアクリレート、ポリウレタンのジアクリレート、クレゾールノボラック型エポキシ（メタ）アクリレートなどがある。 As the crosslinkable oligomer, acrylic oligomers such as polyester (meth) acrylate, polyether (meth) acrylate, polyurethane (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, and silicone (meth) acrylate are preferable. Specific examples include polyethylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, bisphenol A type epoxy acrylate, polyurethane diacrylate, and cresol novolac type epoxy (meth) acrylate.

第２透明薄膜層５は、その他に粒子、光重合開始剤などの添加剤を含有してもよい。 The second transparent thin film layer 5 may further contain additives such as particles and a photopolymerization initiator.

添加する粒子としては、有機又は無機の粒子が挙げられるが、透明性を考慮すれば、有機粒子を用いることが好ましい。有機粒子としては、アクリル樹脂、ポリスチレン樹脂、ポリエステル樹脂、ポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、シリコーン樹脂及びフッ素樹脂などからなる粒子が挙げられる。 Examples of the particles to be added include organic or inorganic particles, but it is preferable to use organic particles in consideration of transparency. Examples of the organic particles include particles made of acrylic resin, polystyrene resin, polyester resin, polyolefin resin, polyamide resin, polycarbonate resin, polyurethane resin, silicone resin, and fluorine resin.

粒子の平均粒径は、第２透明薄膜層５の厚みによって異なるが、ヘイズ等の外観上の理由により、下限として２μｍ以上、より好ましくは５μｍ以上、上限としては３０μｍ以下、好ましくは１５μｍ以下のものを使用する。また、粒子の含有量も同様の理由で、樹脂に対し、０．５重量％以上５重量％以下であることが好ましい。 The average particle diameter of the particles varies depending on the thickness of the second transparent thin film layer 5, but for reasons of appearance such as haze, the lower limit is 2 μm or more, more preferably 5 μm or more, and the upper limit is 30 μm or less, preferably 15 μm or less. Use things. Further, for the same reason, the particle content is preferably 0.5% by weight or more and 5% by weight or less based on the resin.

光重合開始剤を添加する場合、ラジカル発生型の光重合開始剤として、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインイソプロピルエーテル、ベンジルメチルケタールなどのベンゾインとそのアルキルエーテル類、アセトフェノン、２、２、−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、などのアセトフェノン類、メチルアントラキノン、２−エチルアントラキノン、２−アミルアントラキノンなどのアントラキノン類、チオキサントン、２、４−ジエチルチオキサントン、２、４−ジイソプロピルチオキサントンなどのチオキサントン類、アセトフェノンジメチルケタール、ベンジルジメチルケタールなどのケタール類、ベンゾフェノン、４、４−ビスメチルアミノベンゾフェノンなどのベンゾフェノン類及びアゾ化合物などがある。これらは単独または２種以上の混合物として使用でき、さらにはトリエタノールアミン、メチルジエタノールアミンなどの第３級アミン、２−ジメチルアミノエチル安息香酸、４−ジメチルアミノ安息香酸エチルなどの安息香酸誘導体などの光開始助剤などと組み合わせて使用することができる。 When a photopolymerization initiator is added, radical generating photopolymerization initiators include benzoin and its alkyl ethers such as benzoin, benzoin methyl ether, benzoin ethyl ether, benzoin isopropyl ether, and benzyl methyl ketal, acetophenone, 2, 2 , -Dimethoxy-2-phenylacetophenone, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, and other acetophenones, methylanthraquinone, 2-ethylanthraquinone, 2-amylanthraquinone and other anthraquinones, thioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2, 4 -Thioxanthones such as diisopropylthioxanthone, ketals such as acetophenone dimethyl ketal and benzyl dimethyl ketal, benzophenone, 4,4-bismeth Le benzophenones such aminobenzophenone and azo compounds, and the like. These can be used alone or as a mixture of two or more thereof, and further, tertiary amines such as triethanolamine and methyldiethanolamine, benzoic acid derivatives such as 2-dimethylaminoethylbenzoic acid and ethyl 4-dimethylaminobenzoate, etc. It can be used in combination with a photoinitiator aid or the like.

上記光重合開始剤の添加量は、主成分の樹脂に対して０．１重量％以上５重量％以下であり好ましくは０．５重量％以上３重量％以下である。下限値未満ではハードコート層の硬化が不十分となり好ましくない。また、上限値を超える場合は、ハードコート層の黄変を生じたり、耐候性が低下したりするため好ましくない。光硬化型樹脂を硬化させるのに用いる光は紫外線、電子線、あるいはガンマ線などであり、電子線あるいはガンマ線の場合、必ずしも光重合開始剤や光開始助剤を含有する必要はない。これらの線源としては高圧水銀灯、キセノンランプ、メタルハライドランプや加速電子などが使用できる。 The addition amount of the photopolymerization initiator is 0.1% by weight or more and 5% by weight or less, preferably 0.5% by weight or more and 3% by weight or less with respect to the main component resin. Less than the lower limit is not preferable because the hard coat layer is insufficiently cured. Moreover, when exceeding an upper limit, since yellowing of a hard-coat layer will be produced or a weather resistance will fall, it is unpreferable. The light used for curing the photocurable resin is ultraviolet rays, electron beams, or gamma rays, and in the case of electron beams or gamma rays, it is not always necessary to contain a photopolymerization initiator or a photoinitiating aid. As these radiation sources, high pressure mercury lamps, xenon lamps, metal halide lamps, accelerated electrons, and the like can be used.

また、第２透明薄膜層５の厚みは、特に限定されないが、０．５μｍ以上１５μｍ以下の範囲が好ましい。また、透明基板層１と屈折率が同じかもしくは近似していることがより好ましく、１．４５以上１．７５以下程度が好ましい。 Moreover, the thickness of the 2nd transparent thin film layer 5 is although it does not specifically limit, The range of 0.5 micrometer or more and 15 micrometers or less is preferable. Moreover, it is more preferable that the refractive index is the same as or close to that of the transparent substrate layer 1, and it is preferably about 1.45 or more and 1.75 or less.

第２透明薄膜層５の形成方法は、主成分である樹脂等を溶剤に溶解させ、ダイコーター、カーテンフローコーター、ロールコーター、リバースロールコーター、グラビアコーター、ナイフコーター、バーコーター、スピンコーター、マイクログラビアコーターなどの公知の塗布方法で形成する。 The second transparent thin film layer 5 is formed by dissolving a resin as a main component in a solvent, a die coater, curtain flow coater, roll coater, reverse roll coater, gravure coater, knife coater, bar coater, spin coater, micro It forms by well-known coating methods, such as a gravure coater.

溶剤については、上記の主成分の樹脂等を溶解するものであれば特に限定しない。具体的には、溶剤として、エタノール、イソプロピルアルコール、イソブチルアルコール、ベンゼン、トルエン、キシレン、アセトン、メチルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、酢酸エチル、酢酸ｎ−ブチル、酢酸イソアミル、乳酸エチル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、などが挙げられる。これらの溶剤は１種を単独で用いても良いし、２種以上を併用しても良い。 The solvent is not particularly limited as long as it dissolves the main component resin and the like. Specifically, as a solvent, ethanol, isopropyl alcohol, isobutyl alcohol, benzene, toluene, xylene, acetone, methyl ethyl ketone, methyl isobutyl ketone, ethyl acetate, n-butyl acetate, isoamyl acetate, ethyl lactate, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, Examples include butyl cellosolve, methyl cellosolve acetate, and propylene glycol monomethyl ether acetate. These solvents may be used alone or in combination of two or more.

本実施形態に係る透明薄膜積層体１において、透明樹脂基材５へ何れの層も積層されていない時、第１透明薄膜層３、透明導電性膜４、第２透明薄膜層５の何れかが透明樹脂基材２へ積層される途中、または第１透明薄膜層３、透明導電性膜４、第２透明薄膜層５の全てが透明樹脂基材２へ積層された後の工程において、透明薄膜積層体１が３０Ｎ以下の張力がかかった状態で、温度１１０℃以上１６０℃以下で５分間以上加熱処理される。これにより透明樹脂基材２の残留応力が取り除かれ、透明薄膜積層体１の熱収縮率が低減される。 In the transparent thin film laminate 1 according to the present embodiment, when any layer is not laminated on the transparent resin substrate 5, any of the first transparent thin film layer 3, the transparent conductive film 4, and the second transparent thin film layer 5 is used. In the process in which the first transparent thin film layer 3, the transparent conductive film 4, and the second transparent thin film layer 5 are all laminated on the transparent resin base material 2, The thin film laminate 1 is heat-treated at a temperature of 110 ° C. or higher and 160 ° C. or lower for 5 minutes or more in a state where a tension of 30 N or less is applied. Thereby, the residual stress of the transparent resin base material 2 is removed, and the thermal contraction rate of the transparent thin film laminate 1 is reduced.

図２の実施形態において、上記の構成、工程を選択することにより、１３０℃で１時間加熱した際の熱収縮率が０．１５％以下で、面内リタデーションＲｅが１０ｎｍ以下、深さ方向リタデーションＲｔｈが６５ｎｍ以下の透明薄膜積層体１を提供することができる。 In the embodiment of FIG. 2, by selecting the above-described configuration and steps, the thermal shrinkage rate when heated at 130 ° C. for 1 hour is 0.15% or less, the in-plane retardation Re is 10 nm or less, and the depth direction retardation. A transparent thin film laminate 1 having an Rth of 65 nm or less can be provided.

なお、ここでは透明薄膜積層体１の任意の２点間の距離をｄ１、透明薄膜積層体１を加熱した後の２点間の距離をｄ２としたとき、（ｄ１−ｄ２）／ｄ１の値を熱収縮率としている。すなわち、タッチパネル組立て前の段階における、透明薄膜積層体１の任意の２点間の距離ｄ１と、透明薄膜積層体１を１３０℃で１時間加熱した後の前記２点間の距離ｄ２との間に、次式、
（ｄ１−ｄ２）／ｄ１ ≦０．００１５・・・（１）
が成り立つようにすることができる。また、タッチパネル組立て前の段階で透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した後の面内リタデーションＲｅ及び深さ方向リタデーションＲｔｈを、それぞれ、次式、
Ｒｅ ≦１０ｎｍ・・・（２）
Ｒｔｈ ≦６５ｎｍ・・・（３）
が成り立つようにすることができる。 Here, when the distance between any two points on the transparent thin film laminate 1 is d1, and the distance between the two points after heating the transparent thin film laminate 1 is d2, (d 1 -d 2 ) / d1 Is the heat shrinkage rate. That is, between the distance d1 between any two points of the transparent thin film laminate 1 and the distance d2 between the two points after the transparent thin film laminate 1 is heated at 130 ° C. for 1 hour before the touch panel assembly. And the following equation:
(D 1 −d 2 ) / d 1 ≦ 0.0015 (1)
Can be established. In addition, the in-plane retardation Re and the depth direction retardation Rth after heating the transparent thin film laminate at 130 ° C. for 1 hour in the stage before the touch panel assembly, respectively,
Re ≦ 10 nm (2)
Rth ≦ 65 nm (3)
Can be established.

図３の実施形態において、前述のように２枚の透明薄膜積層体１の第２透明薄膜層５側同士を粘着層６で貼り合せた後に片面ずつパターニングを行なう。スクリーン印刷、フォトリソ、レーザーなどのパターニング工程では加熱されるため、透明薄膜積層体１の熱収縮率が高いと他方の面のパターニングを行なう際にアライメントの位置が大きくズレて以降の工程を通すことができなくなる。本発明の実施形態では透明薄膜積層体の１３０℃で１時間加熱した際の熱収縮率が０．１５％と低くおさえられているため、本来熱収縮率が高いＴＡＣを透明樹脂基材２として用いていても、以降の工程を通して表示デバイス６０を提供することができる。 In the embodiment of FIG. 3, as described above, the second transparent thin film layer 5 sides of the two transparent thin film laminates 1 are bonded to each other with the adhesive layer 6, and then patterning is performed on each side. Since heating is performed in patterning processes such as screen printing, photolithography, and laser, when the thermal contraction rate of the transparent thin film laminate 1 is high, the alignment position is greatly shifted when patterning the other surface, and the subsequent processes are passed. Can not be. In the embodiment of the present invention, since the heat shrinkage rate when the transparent thin film laminate is heated at 130 ° C. for 1 hour is kept low at 0.15%, TAC that originally has a high heat shrinkage rate is used as the transparent resin substrate 2. Even if it is used, the display device 60 can be provided through the following steps.

本発明の実施例について具体的に説明する。なお、透明薄膜積層体作成までの工程はロールトゥロールの形式である。 Examples of the present invention will be specifically described. In addition, the process until transparent thin film laminated body preparation is a roll to roll form.

＜実施例＞
図２の構成において、透明樹脂基材２として膜厚６０μｍのＴＡＣ（富士フイルム（株）製）を用いた。 <Example>
In the configuration of FIG. 2, TAC (manufactured by Fuji Film Co., Ltd.) having a film thickness of 60 μm was used as the transparent resin substrate 2.

次に、透明樹脂基材２上の一方の面にグラビアコート法により、硬化膜厚が８μｍになるようにハードコート塗液（組成：ウレタンアクリレート（共栄社化学（株）製、ＵＡ−５１０Ｈ）１００重量部、アルキルフェノン系光重合開始剤（チバスペシャリティケミカルズ社製、ＩＲＧＡＣＵＲＥ９０７）４重量部、及び酢酸エチル１００重量部）を塗布し、乾燥させ、メタルハライドランプにて４００ｍＪ／ｃｍ^２の紫外線を照射し、第２透明薄膜層５を形成した。 Next, a hard coat coating liquid (composition: urethane acrylate (manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd., UA-510H) 100) is applied to one surface on the transparent resin substrate 2 by a gravure coating method so that the cured film thickness becomes 8 μm. Part by weight, 4 parts by weight of an alkylphenone photopolymerization initiator (Ciba Specialty Chemicals, IRGACURE907) and 100 parts by weight of ethyl acetate) were applied, dried, and irradiated with 400 mJ / cm ² of ultraviolet rays with a metal halide lamp. The 2nd transparent thin film layer 5 was formed.

さらに、上記第２透明薄膜層５を形成した透明樹脂基材２をオーブンにて加熱処理した。 Furthermore, the transparent resin base material 2 on which the second transparent thin film layer 5 was formed was heat-treated in an oven.

続いて、透明樹脂基材２上の第２透明薄膜層５のない方の面に、第１透明薄膜層３及び透明導電性膜４を、ＤＣマグネトロンスパッタリング法にて成膜して透明薄膜積層体１を作成した。このとき、第１透明薄膜層３用の材料として、二酸化珪素（ＳｉＯ_２）を使用し、透明導電性膜用の材料として、酸化スズを１０重量％含有したＩＴＯを使用した。また、第１透明薄膜層３の厚みを５０ｎｍとし、透明導電性膜４の厚みを２０ｎｍとした。 Subsequently, the first transparent thin film layer 3 and the transparent conductive film 4 are formed on the surface of the transparent resin substrate 2 where the second transparent thin film layer 5 is not formed by a DC magnetron sputtering method. Body 1 was created. At this time, silicon dioxide (SiO ₂ ) was used as the material for the first transparent thin film layer 3, and ITO containing 10% by weight of tin oxide was used as the material for the transparent conductive film. Moreover, the thickness of the 1st transparent thin film layer 3 was 50 nm, and the thickness of the transparent conductive film 4 was 20 nm.

＜比較例＞
図２の構成において、上記実施例と同じ材料、工程で透明薄膜積層体１を製造した。ただし、第２透明薄膜層５の形成後の透明樹脂基材２をオーブンにて加熱処理する工程は実施していない。ここで製造された透明薄膜積層体を１３０℃で１時間加熱した場合の熱収縮率は０．３２％となり、面内リタデーションＲｅは０．１ｎｍ、深さ方向内リタデーションＲｔｈは１５．９ｎｍとなった。 <Comparative example>
In the structure of FIG. 2, the transparent thin film laminated body 1 was manufactured by the same material and process as the said Example. However, the process which heat-processes the transparent resin base material 2 after formation of the 2nd transparent thin film layer 5 in oven is not implemented. When the transparent thin film laminate produced here is heated at 130 ° C. for 1 hour, the thermal shrinkage rate is 0.32%, the in-plane retardation Re is 0.1 nm, and the in-depth retardation Rth is 15.9 nm. It was.

実施例で製造された透明薄膜積層体１を１３０℃で１時間加熱した場合において、加熱処理時の張力０Ｎ、３０Ｎ、５０Ｎの際の加熱処理温度、加熱処理時間に対する熱収縮率の測定結果を図７〜９に、面内リタデーションＲｅを図１０〜１２に、深さ方向リタデーションＲｔｈを図１３〜１５に、示す。なお、実施例において加熱処理温度が１６０℃を超えると透明薄膜積層体１に白濁が発生したため、１００℃以上１６０℃以下の範囲で評価を行なった。 When the transparent thin film laminate 1 produced in the example was heated at 130 ° C. for 1 hour, the measurement results of the heat shrinkage rate with respect to the heat treatment temperature and the heat treatment time at the tension of 0N, 30N, and 50N during the heat treatment were as follows. 7 to 9 show in-plane retardation Re in FIGS. 10 to 12 and FIG. 13 to 15 show depth direction retardation Rth. In addition, since the cloudiness generate | occur | produced in the transparent thin film laminated body 1 when the heat processing temperature exceeded 160 degreeC in the Example, it evaluated in the range of 100 to 160 degreeC.

また、透明薄膜積層体１のロールからＭＤ方向に２枚のフィルムを３００ｍｍ角で切り出し、切り出した一方のフィルムの非ＩＴＯ面に接着層を貼り付け、もう一方のフィルムの非ＩＴＯ面と貼り合せた。次にスクリーン印刷機にパターンのアライメントマークを登録させる。今回は、あらかじめ捨てフィルムにスクリーン印刷を行うことでスクリーン印刷機に登録させた。スクリーン版の位置を変えない限り、印刷位置は変わらない。次いで貼り合わせたフィルムの一方の面に対してスクリーン印刷機で導電面にレジストを塗布し、熱乾燥により硬化した。室温で十分覚ました後にレジストが印刷されてない面をスクリーン印刷機にセットした際のアライメントマークのズレを測定し、以降の工程を通せるか確認した。 In addition, two films are cut out in the MD direction from the roll of the transparent thin film laminate 1 at 300 mm square, an adhesive layer is attached to the non-ITO surface of one of the cut out films, and the non-ITO surface of the other film is bonded. It was. Next, the alignment mark of the pattern is registered in the screen printer. This time, they were registered in the screen printer by performing screen printing on discarded film in advance. The print position does not change unless the position of the screen plate is changed. Next, a resist was applied to the conductive surface with a screen printer on one side of the bonded film and cured by heat drying. The alignment mark displacement was measured when the surface on which the resist was not printed after setting at room temperature was set on a screen printer, and it was confirmed that the subsequent steps could be performed.

実施例及び比較例で作成された透明薄膜積層体１を用いた際の、透明薄膜積層体１の１３０℃で１時間加熱時の熱収縮率とスクリーン印刷機にセットした際のアライメントマークのズレ及び以降の工程通過の可否について、表１に示す。 When using the transparent thin film laminate 1 prepared in Examples and Comparative Examples, the thermal contraction rate of the transparent thin film laminate 1 when heated at 130 ° C. for 1 hour and the alignment mark deviation when set on a screen printing machine Table 1 shows whether the subsequent process passes.

＜評価結果＞
図７〜１５に示す結果から、透明薄膜積層体１に張力３０Ｎ以下、温度１１０℃以上１６０℃以下、処理時間５分以上で加熱処理を行うことにより、１３０℃で１時間加熱しても熱収縮率が０．１５％以下に収まることがわかった。また、この時の面内リタデーションＲｅが１０ｎｍ以下に、深さ方向リタデーションＲｔｈが６５ｎｍ以下に収まることから、加熱処理を経ても透明薄膜積層体１のリタデーションを低い水準で維持できることも確認できた。 <Evaluation results>
From the results shown in FIGS. 7 to 15, the transparent thin film laminate 1 is heated even when heated at 130 ° C. for 1 hour by performing heat treatment at a tension of 30 N or less, a temperature of 110 ° C. to 160 ° C., and a processing time of 5 minutes or more. It was found that the shrinkage rate was within 0.15%. Further, since the in-plane retardation Re at this time was 10 nm or less and the depth direction retardation Rth was 65 nm or less, it was confirmed that the retardation of the transparent thin film laminate 1 could be maintained at a low level even after the heat treatment.

表１に示す結果からは、アライメントマークのズレが透明薄膜積層体１の熱収縮率に依存していて、熱収縮率が０．１５％以下であれば貼り合せ以降の工程通過が可能であることが確認できた。前述のように、透明薄膜積層体１の形成過程において張力３０Ｎ以下、温度１１０℃以上１６０℃以下、処理時間５分以上で加熱処理をすれば透明薄膜積層体１の熱収縮率を０．１５％以下にできる。このことから、透明薄膜積層体の基材としてＴＡＣを用いた場合でも、透明薄膜積層体の形成過程で加熱処理を行うことにより、低リタデーションで、組立て精度の高いタッチパネルを構成部材とした表示デバイスを提供できることが確認できた。 From the results shown in Table 1, the alignment mark deviation depends on the thermal shrinkage rate of the transparent thin film laminate 1, and if the thermal shrinkage rate is 0.15% or less, it is possible to pass the process after bonding. I was able to confirm. As described above, in the process of forming the transparent thin film laminate 1, if the heat treatment is performed with a tension of 30 N or less, a temperature of 110 ° C. or more and 160 ° C. or less and a treatment time of 5 minutes or more, the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate 1 is 0.15. % Or less. From this, even when TAC is used as the base material of the transparent thin film laminate, a heat treatment is performed in the process of forming the transparent thin film laminate, so that a display device with a low retardation and high assembly accuracy touch panel as a constituent member It was confirmed that we could provide.

本発明は、タブレット、携帯端末、パソコンモニタ等のディスプレイ装置に適用可能である。 The present invention is applicable to display devices such as tablets, portable terminals, and personal computer monitors.

１透明薄膜積層体
２透明樹脂基材
３第１透明薄膜層
４透明導電性膜
５第２透明薄膜層
６粘着層
１０タッチパネル
２０シールド層
２１基材
２２導電膜層
２３ＵＶ硬化樹脂層
３０ＬＣＤ表示パネル
４０フロントパネル層
５０接着剤層
６０表示デバイス DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Transparent thin film laminated body 2 Transparent resin base material 3 1st transparent thin film layer 4 Transparent conductive film 5 2nd transparent thin film layer 6 Adhesive layer 10 Touch panel 20 Shield layer 21 Base material 22 Conductive film layer 23 UV curable resin layer 30 LCD display Panel 40 Front panel layer 50 Adhesive layer 60 Display device

Claims

A manufacturing method of a display device using a touch panel having at least one transparent thin film laminate as a component as a component,
Forming a transparent thin film including at least one transparent conductive film layer on a transparent resin substrate, and forming the transparent thin film laminate; and
A heating step of heating the transparent resin substrate at 110 ° C. or more and 160 ° C. or less for 5 minutes or more before the forming step;
The transparent resin substrate is
Triacetyl cellulose,
Increasing the heating temperature is to change the thermal contraction rate of the transparent thin film laminate according to the magnitude of the tension applied to the transparent resin substrate,
In the heating step, the tension applied to the transparent resin substrate is set to a range in which the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is reduced when the heating temperature is increased,
When the distance between any two points of the transparent thin film laminate in the stage before assembling the touch panel is d1, and the distance between the two points after heating the transparent thin film laminate at 130 ° C. for 1 hour is d2. The following formula,
(D1-d2) /d1≦0.0015 (1)
A manufacturing method of a display device, wherein

A manufacturing method of a display device using a touch panel having at least one transparent thin film laminate as a component as a component,
Forming a transparent thin film including at least one transparent conductive film layer on a transparent resin substrate, and forming the transparent thin film laminate; and
A heating step of heating the transparent resin substrate at 110 ° C. or higher and 160 ° C. or lower for 5 minutes or longer during the forming step;
The transparent resin substrate is
Triacetyl cellulose,
Is intended to Raising the heating temperature in accordance with the magnitude of the tension on the transparent resin substrate is changed thermal shrinkage of the transparent thin product layer thereof,
In the heating step, the tension applied to the transparent resin substrate is set to a range in which the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is reduced when the heating temperature is increased,
When the distance between any two points of the transparent thin film laminate in the stage before assembling the touch panel is d1, and the distance between the two points after heating the transparent thin film laminate at 130 ° C. for 1 hour is d2. The following formula,
(D1-d2) /d1≦0.0015 (1)
The manufacturing method of the display device characterized by these .

A manufacturing method of a display device using a touch panel having at least one transparent thin film laminate as a component as a component,
Forming a transparent thin film including at least one transparent conductive film layer on a transparent resin substrate, and forming the transparent thin film laminate; and
A heating step of heating the transparent resin substrate at 110 ° C. or higher and 160 ° C. or lower for 5 minutes or longer after the forming step;
The transparent resin substrate is
Triacetyl cellulose,
Increasing the heating temperature is to change the thermal contraction rate of the transparent thin film laminate according to the magnitude of the tension applied to the transparent resin substrate,
In the heating step, the tension applied to the transparent resin substrate is set to a range in which the heat shrinkage rate of the transparent thin film laminate is reduced when the heating temperature is increased,
When the distance between any two points of the transparent thin film laminate in the stage before assembling the touch panel is d1, and the distance between the two points after heating the transparent thin film laminate at 130 ° C. for 1 hour is d2. The following formula,
(D1-d2) /d1≦0.0015 (1)
Method of manufacturing a display device, characterized in that hold.

When the in-plane retardation after heating the transparent thin film laminate at 130 ° C. for 1 hour at the stage before assembling the touch panel is Re and the depth direction retardation is Rth,
Re ≦ 10 nm (2)
Rth ≦ 65 nm (3)
The display device manufacturing method according to claim 1, wherein:

The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein a metal layer or an inorganic compound layer is formed in the forming step.

6. The method of manufacturing a display device according to claim 5, wherein, in the forming step, a metal layer or an inorganic compound layer is formed between the transparent resin substrate and the transparent conductive film layer .

6. The method for manufacturing a display device according to claim 5, wherein in the forming step, a metal layer or an inorganic compound layer is formed outside the transparent conductive film layer .

The method for manufacturing a display device according to claim 1, wherein an organic compound layer is formed in the forming step.

The method for manufacturing a display device according to claim 8, wherein in the forming step, an organic compound layer is formed between the transparent resin base material and the transparent conductive film layer .

9. The method of manufacturing a display device according to claim 8, wherein, in the forming step, an organic compound layer is formed on a surface of the transparent resin substrate opposite to the transparent conductive film layer side.