KR101285009B1 - Method for making a conductive substrate, and conductive substrate made thereby - Google Patents

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Abstract

외부로부터의 압력 인가에 의한 투명 도전층의 기판으로부터의 박리가 예방된 도전성 기판의 제조 방법 및 그 도전성 기판을 제공한다.
복수의 반응성 작용기를 갖는 광 경화성 프리폴리머를 적어도 하나 함유하는 광 경화성층(22)을 기판(21)에 형성시키는 공정과, 광 경화성층(22)의 일부를 차폐하도록 패턴 마스크(31)를 배치하는 공정과, 제 1 광원(L1)을 이용하여 광 경화성층(22)을 노광하여, 광 경화성층(22)의 제 1 영역(221)을 경화시키는 제 1 노광 공정과, 패턴 마스크(31)를 제거하는 공정과, 제 2 광원(L2)을 이용하여 광 경화성층(22)을 노광하여, 광 경화성층(22)의 경화되어 있지 않은 제 2 영역(222)을 경화시켜, 제 1 및 제 2 영역(221, 222)의 표면 고도가 상이한 것으로 미세 구조가 기판(21)에 형성되는 제 2 노광 공정과, 상기 미세 구조에 도전층(23)을 형성시키는 공정을 구비한 도전성 기판의 제조 방법을 제공한다.
Provided are a method for producing a conductive substrate, in which peeling of the transparent conductive layer from the substrate by application of pressure from the outside is prevented, and a conductive substrate thereof.
Forming a photocurable layer 22 containing at least one photocurable prepolymer having a plurality of reactive functional groups on the substrate 21, and disposing a pattern mask 31 so as to shield a part of the photocurable layer 22. The first exposure step of curing the first region 221 of the photocurable layer 22 by exposing the photocurable layer 22 using the first light source L1, and the pattern mask 31. The photocurable layer 22 is exposed using the process of removing and the 2nd light source L2, the unhardened 2nd area | region 222 of the photocurable layer 22 is hardened | cured, and 1st and 2nd A method of manufacturing a conductive substrate comprising a second exposure step of forming a microstructure on the substrate 21 with different surface elevations of the regions 221 and 222 and a step of forming the conductive layer 23 in the microstructure. to provide.

Description

도전성 기판의 제조 방법 및 그 도전성 기판{METHOD FOR MAKING A CONDUCTIVE SUBSTRATE, AND CONDUCTIVE SUBSTRATE MADE THEREBY}A manufacturing method of a conductive substrate and its conductive substrate TECHNICAL FOR MAKING A CONDUCTIVE SUBSTRATE, AND CONDUCTIVE SUBSTRATE MADE THEREBY

본 발명은, 도전성 기판의 제조 방법에 관한 것이며, 특히 그 표면에 미세 구조를 갖도록 형성되는 도전성 기판의 제조 방법 및 그 도전성 기판에 관한 것이다.The present invention relates to a method for producing a conductive substrate, and more particularly, to a method for producing a conductive substrate formed so as to have a fine structure on its surface, and a conductive substrate.

도전성 기판은, 예컨대 모니터, 터치 패널, 센서, 전자 종이, 광학 소자 등의 광전자 디바이스에 자주 이용되고 있다.BACKGROUND OF THE INVENTION Conductive substrates are frequently used in optoelectronic devices such as monitors, touch panels, sensors, electronic paper, and optical elements.

전형적인 도전성 기판으로서는, 예컨대 저항막 방식이나 정전 용량 방식을 이용한 터치 패널에 이용되고 있는 것을 들 수 있다. 이러한 도전성 기판은, 기판과, 금속 또는 금속 산화물을 이용하여 기판의 표면에 형성되어 있는 박막 형상의 투명 도전층을 구비하고 있고, 터치 패널의 표면이, 예컨대 스타일러스나 손가락 등에 의해 가압되면, 도전성 기판의 상방에 있는 다른 투명 도전층이 국부적으로 변형하여 상기 도전성 기판의 투명 도전층과 접촉한다. 이와 같이, 2개의 투명 도전층이 서로 부분적으로 접촉하는 것에 의해 통전되어 신호가 입력된다.As a typical electroconductive substrate, what is used for the touchscreen which used the resistive film system or the capacitive system is mentioned, for example. Such a conductive substrate is provided with a substrate and a thin film-shaped transparent conductive layer formed on the surface of the substrate using a metal or a metal oxide. When the surface of the touch panel is pressed by, for example, a stylus or a finger, the conductive substrate Another transparent conductive layer above the top of the strain deforms locally to contact the transparent conductive layer of the conductive substrate. In this manner, the two transparent conductive layers are energized by partial contact with each other to input a signal.

그러나, 2개의 투명 도전성이 서로 접촉하면, 양자 사이의 달라붙음 현상이 일어난다. 이 달라붙음 현상에 의해, 기판의 표면에 형성되어 있는 하방의 투명 도전층은, 터치 패널 표면에의 가압이 해제되어 상방에 있는 투명 도전층이 원래의 위치로 되돌아갈 때마다 인장된다. 그러므로, 입력이 반복적으로 행해지면, 반복적으로 인장되는 것으로 투명 도전층이 파손되거나, 박리되거나 해 버리고, 이것이 투명 도전층의 저항값의 상승으로 연결되고, 나아가서는 터치 패널로부터 정상적인 입력을 할 수 없게 된다고 하는 문제가 생긴다. 그래서, 기판과 상기 기판에 형성되는 투명 도전층의 접착 강도, 및 도전성 기판의 구조 강도의 향상이 요구되고 있다.However, when two transparent conductive materials come into contact with each other, sticking phenomenon occurs between them. By this sticking phenomenon, the lower transparent conductive layer formed on the surface of the substrate is stretched whenever the pressure on the touch panel surface is released and the upper transparent conductive layer returns to the original position. Therefore, when the input is repeatedly performed, the transparent conductive layer is broken or peeled off by being repeatedly stretched, which leads to an increase in the resistance value of the transparent conductive layer, and furthermore, normal input from the touch panel cannot be performed. There is a problem. Therefore, improvement of the adhesive strength of a board | substrate and the transparent conductive layer formed in the said board | substrate, and the structural strength of a conductive substrate is calculated | required.

상기 문제에 비추어, 투명 폴리머를 이용한 기판과, 상기 투명 폴리머 기판에 형성된 투명 도전층과, 상기 투명 도전층을 덮도록 형성된 피복층을 구비한 투명 도전성 기판이 개시되어 있다(특허문헌 1). 이에 의하면, 피복층은 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 질산화물, 카본, 탄화질소, 탄화규소 등으로 구성되어 있고, 피복층이 형성되어 있는 것에 의해, 투명 도전층의 파손이 예방되고 있다. 그러나, 이 피복층은, 일반적으로 스퍼터링법을 이용하여 형성되는 도전층의 위에 추가로 다시 스퍼터링법을 이용하여 형성되기 때문에 형성 공정이 번거롭다.In view of the above problems, a transparent conductive substrate having a substrate using a transparent polymer, a transparent conductive layer formed on the transparent polymer substrate, and a coating layer formed to cover the transparent conductive layer is disclosed (Patent Document 1). According to this, the coating layer is comprised from metal oxide, metal nitride, metal nitride oxide, carbon, nitrogen carbide, silicon carbide, etc., and the coating layer is formed, and the damage of a transparent conductive layer is prevented. However, since this coating layer is generally formed again using the sputtering method on the conductive layer formed using the sputtering method, the formation process is cumbersome.

또한, 투명 플라스틱 필름과, 투명 도전성 박막과, 이들 사이에 협설(挾設)되어 이온기를 함유하는 수지층을 구비한 투명 도전성 필름이 개시되어 있다(특허문헌 2). 이에 의하면, 상기 수지층이 점착성을 갖고 있는 것에 의해, 상기 투명 플라스틱 필름과 상기 투명 도전성 박막을 강고하게 접착할 수 있어, 상기 투명 도전성 박막이 상기와 같은 달라붙음 현상에 의해 손상을 받는 것을 예방할 수 있다. 그러나, 이러한 투명 도전성 필름에서는, 상기 수지층의 점착성이 역으로 해가 되어, 그 제조 공정에서 먼지나 오물이 부착하기 쉽다고 하는 문제가 있다.Moreover, the transparent conductive film provided with the transparent plastic film, the transparent conductive thin film, and the resin layer narrowed between these and containing an ionic group is disclosed (patent document 2). According to this, since the said resin layer has adhesiveness, the said transparent plastic film and the said transparent conductive thin film can be adhere | attached firmly, and the said transparent conductive thin film can be prevented from being damaged by the sticking phenomenon as mentioned above. have. However, in such a transparent conductive film, the adhesiveness of the said resin layer is inversely harmful, and there exists a problem that it is easy to adhere dust and dirt in the manufacturing process.

상기한 것 외에, 표면이 패턴화된 미세 구조를 이용하여, 도전층 사이의 접촉 면적을 감소시키는 것에 의해, 달라붙음 현상에 의한 투명 도전층의 손상이나 박리를 예방하는 수법도 사용되고 있다. 미세 구조를 형성시키기 위해서는 일반적으로 열 엠보싱법이나 포토 리소그라피-에칭법 등이 사용되지만, 이들 방법에는 그 공정에서 야기되는 선천적인 문제가 있다. 예컨대, 열 엠보싱법에서는, 엠보싱력을 균등하게 하는 것이 곤란하고, 미세 구조의 정밀도나 조도를 컨트롤하는 것이 어렵고, 또한 이 방법에 의해서 형성되는 미세 구조는 각부(角部)의 형상이 톱형, 직각형 또는 계단형으로 되어 버리기 일쑤이며, 이와 같이 모난 형상에 의해 응력이 집중됨으로써 도전층의 박리가 더욱 빨라져 버린다고 하는 문제도 있다. 또한, 에칭액을 이용한 포토 리소그라피-에칭법도 개시되어 있지만(특허문헌 3), 에칭액이 비싼 것뿐만 아니라, 환경 오염을 초래할 우려도 있다. 또한, 이 방법에 의해서 형성되는 미세 구조도, 그 각부의 형상이 모나 버린다고 하는 열 엠보싱법과 동일한 문제가 있다.In addition to the above, a method of preventing damage or peeling of the transparent conductive layer due to sticking phenomenon is also used by reducing the contact area between the conductive layers using a microstructure in which the surface is patterned. In order to form the fine structure, thermal embossing, photolithography, etching, and the like are generally used, but these methods have inherent problems caused by the process. For example, in the thermal embossing method, it is difficult to equalize the embossing force, it is difficult to control the precision and roughness of the fine structure, and the fine structure formed by this method has a top shape and a right angle in the shape of each part. There is also a problem that the shape of the conductive layer becomes stepped or stepped and the peeling of the conductive layer is further accelerated by stress concentration due to the angular shape. Moreover, although the photolithography-etching method using the etching liquid is also disclosed (patent document 3), not only an etching liquid is expensive but it may cause environmental pollution. In addition, the fine structure formed by this method also has the same problem as that of the thermal embossing method in which the shape of each of the portions is uneven.

미국 특허출원 공개 제2003/0087119호 명세서US Patent Application Publication No. 2003/0087119 미국 특허 제6629833호 명세서U.S. Patent No. 6629833 미국 특허 제6036579호 명세서U.S. Patent No. 6036579

그래서, 에칭액을 이용함이 없이, 또한 각부의 형상이 예각이 아닌 미세 구조를 갖고 있고, 또 한편으로는, 도전층과 기판의 접착력이 강화된 도전성 기판의 개발이 지금도 여전히 기다려지고 있다.Therefore, development of a conductive substrate having a fine structure in which the shape of each portion has an acute angle rather than an acute angle and enhanced the adhesion between the conductive layer and the substrate is still awaited without using an etching solution.

본 발명은, 상기 과제를 해결하기 위해서 제안된 것으로, 외부로부터의 압력 인가의 반복에 의해 투명 도전층이 기판으로부터 박리되는 것이 예방되는 도전성 기판을 간단히 제조할 수 있는 도전성 기판의 제조 방법 및 그 도전성 기판의 제공을 목적으로 한다.This invention is proposed in order to solve the said subject, The manufacturing method of the conductive substrate which can easily manufacture the conductive substrate which prevents peeling of a transparent conductive layer from a board | substrate by repeating application of pressure from the exterior, and its electroconductivity An object of the present invention is to provide a substrate.

상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은, 복수의 반응성 작용기를 가짐과 함께 작용기 당량이 70 내지 700g/mol인 광 경화성 프리폴리머를 적어도 하나 함유하는 광 경화성 조성물을 포함하는 광 경화성층을 기판에 형성시키는 광 경화성층 형성 공정과, 상기 광 경화성층의 일부를 차폐하도록 상기 광 경화성층에 패턴 마스크를 배치하는 배치 공정과, 상기 패턴 마스크를 개재시켜 제 1 광원을 이용하여 상기 광 경화성층을 노광하여, 상기 광 경화성층에서 제 1 영역을 경화시키는 제 1 노광 공정과, 상기 패턴 마스크를 제거하는 제거 공정과, 제 2 광원을 이용하여 상기 패턴 마스크가 제거된 광 경화성층을 노광하여, 상기 광 경화성층에서 경화되어 있지 않은 제 2 영역을 경화시켜, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 표면 고도가 각각 상이한 것으로 표면 조도가 부여되는 것에 의해 미세 구조가 기판에 형성되는 제 2 노광 공정과, 상기 미세 구조에 도전층을 형성시키는 도전층 형성 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법, 및 상기 방법에 의해 형성되는 도전성 기판을 제공한다.In order to achieve the above object, the present invention provides a substrate for forming a photocurable layer comprising a photocurable composition having a plurality of reactive functional groups and containing at least one photocurable prepolymer having a functional group equivalent of 70 to 700 g / mol. A photocurable layer forming step, an arrangement step of placing a pattern mask on the photocurable layer so as to shield a part of the photocurable layer, and exposing the photocurable layer using a first light source through the pattern mask, The photocurable layer is exposed by exposing a first exposure step of curing the first region in the photocurable layer, a removal step of removing the pattern mask, and a photocurable layer from which the pattern mask is removed using a second light source. Hardens the second region that is not cured, and the surface altitudes of the first region and the second region are different from each other. It is provided by the method, The manufacturing method of the conductive substrate characterized by including the 2nd exposure process of forming a microstructure in a board | substrate, and the conductive layer formation process of forming a conductive layer in the said microstructure. Provided is a conductive substrate.

상기 구성에 의하면, 도전층을, 미세 구조를 그 표면에 가지는 광 경화성층에 형성시키는 공정을 포함하고 있기 때문에, 외부로부터의 압력 인가에 의해 도전층이 파손되거나 기판으로부터 박리되거나 해 버리는 것이 예방된 도전성 기판의 제조 방법 및 그 도전성 기판을 제공할 수 있다. According to the said structure, since it contains the process of forming a conductive layer in the photocurable layer which has a microstructure on the surface, it is prevented that a conductive layer is damaged or peeled from a board | substrate by application of pressure from the outside. A manufacturing method of a conductive substrate and the conductive substrate can be provided.

도 1 내지 도 6은 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 도전성 기판의 제조 방법의 일련의 공정을 나타내는 개략 측면도이다.1-6 is a schematic side view which shows a series of process of the manufacturing method of the conductive substrate which concerns on preferable embodiment of this invention.

도 1 내지 6에 나타낸 바와 같이, 본 발명의 바람직한 실시 형태에 따른 도전성 기판의 제조 방법은, 이하의 6 공정을 포함하고 있다.As shown in FIGS. 1-6, the manufacturing method of the conductive substrate which concerns on preferable embodiment of this invention includes the following 6 processes.

(1) 복수의 반응성 작용기를 가짐과 함께 작용기 당량이 70 내지 700g/mol인 광 경화성 프리폴리머의 적어도 하나와 광 개시제를 함유하는 광 경화성 조성물과 용매를 포함한 페이스트를 기판(21)에 도포하여 페이스트층을 형성시킨다. 한편, 상기 반응성 작용기는 유리기에 의해 가교 반응이 진행될 수 있다. 다음으로, 예컨대 가열에 의해 페이스트층을 건조시켜 페이스트층에 포함된 용매를 제거하여, 기판(21)에 미경화 광 경화성층(22a)이 형성되는 광 경화성층 형성 공정(도 1 참조);(1) A paste layer comprising a paste comprising a photocurable composition containing at least one of a photocurable prepolymer having a plurality of reactive functional groups and a functional group equivalent of 70 to 700 g / mol and a photoinitiator and a solvent, is applied to the substrate 21 To form. On the other hand, the reactive functional group may proceed the crosslinking reaction by the free group. Next, for example, a photocurable layer forming step of drying the paste layer by heating to remove the solvent contained in the paste layer to form the uncured photocurable layer 22a on the substrate 21 (see FIG. 1);

(2) 광 경화성층(22a)의 일부를 차폐하도록 광 경화성층(22a)에 패턴 마스크(31)를 배치하는 배치 공정;(2) an arrangement step of disposing a pattern mask 31 on the photocurable layer 22a so as to shield a part of the photocurable layer 22a;

(3) 패턴 마스크(31)를 개재시켜 제 1 광원(L1)을 이용하여 광 경화성층(22a)을 노광하여, 광 경화성층(22a)에서의 제 1 영역(221)에서 광 경화성층(22a)에 포함되어 있는 상기 광 경화성 프리폴리머를 경화시키는 제 1 노광 공정(즉, 가교)(도 2, 3 참조);(3) The photocurable layer 22a is exposed using the first light source L1 via the pattern mask 31 to expose the photocurable layer 22a in the first region 221 of the photocurable layer 22a. A first exposure process (i.e., crosslinking) to cure the photocurable prepolymer contained in C) (see FIGS. 2, 3);

(4) 패턴 마스크(31)를 제거하는 제거 공정;(4) a removal step of removing the pattern mask 31;

(5) 제 2 광원(L2)을 이용하여 패턴 마스크(31)가 제거된 광 경화성층(22a)을 노광하여, 상기 광 경화성층에 있어서 공정 (3)에서 경화되어 있지 않은 제 2 영역(222)을 경화시켜, 제 1 영역(221)과 제 2 영역(222)의 표면 고도가 각각 상이한 것으로 표면 조도(Rz)가 부여되는 것에 의해 미세 구조가 기판(21)에 형성되는 제 2 노광 공정(도 4 참조); 및(5) The second region 222 which is not cured in step (3) in the photocurable layer by exposing the photocurable layer 22a from which the pattern mask 31 has been removed using the second light source L2. ) And a second exposure step of forming a fine structure on the substrate 21 by applying the surface roughness Rz so that the surface altitudes of the first region 221 and the second region 222 are different from each other. 4; And

(6) 상기 미세 구조의 표면에 스퍼터링법 또는 증착법에 의해 투명 도전층(23)을 형성시키는 도전층 형성 공정(도 6 참조).(6) A conductive layer forming step of forming a transparent conductive layer 23 on the surface of the microstructure by sputtering or vapor deposition (see FIG. 6).

상기 공정에서, 패턴 마스크(31)는, 제 1 광원(L1)으로부터의 빛이 투과할 수 있는 하나 또는 복수의 광 투과 영역(311)과, 제 1 광원(L1)으로부터의 빛을 차단, 흡수 또는 반사하기 위한 하나 또는 복수의 광 불투과 영역(312)이 설치되어 있는 것을 이용하면 좋다. 또한, 광 투과 영역(311)의 폭(d1) 및 광 불투과 영역(312)의 폭(d2)은 각각 50㎛ 내지 250㎛로 되어 있고, 그러므로 각 제 1 영역(221)의 폭도 동일하게 50㎛ 내지 250㎛로 된다.In the above process, the pattern mask 31 blocks and absorbs one or a plurality of light transmitting regions 311 through which the light from the first light source L1 can pass, and light from the first light source L1. Alternatively, one provided with one or a plurality of light opaque regions 312 for reflecting may be used. In addition, the width d1 of the light transmitting region 311 and the width d2 of the light impermeable region 312 are 50 µm to 250 µm, respectively, and therefore, the width of each first region 221 is equal to 50. It is set to micrometers-250 micrometers.

상기 광 경화성 조성물은, 복수의 반응성 작용기를 갖는 광 경화성 프리폴리머를 적어도 하나 포함하고 있다. 여기서, 상기 반응성 작용기로서는, 빛이 조사되는 것에 의해 광 중합 반응이 일어나는 것이면 좋고, 예컨대 알켄일기(alkenyl group)나 에폭시기(epoxy group)여도 좋다. 알켄일기를 갖는 광 경화성 프리폴리머로서는, 예컨대 아크릴계 화합물(acrylic-based compound), 바이닐기를 갖는 에터계 화합물(ether-based compound including a vinyl group), 스타이렌계 화합물(styrene-based compound), 싸이올렌계 화합물(thiolene-based compound) 등을 들 수 있다.The photocurable composition contains at least one photocurable prepolymer having a plurality of reactive functional groups. Here, as said reactive functional group, what is necessary is just to generate | occur | produce a photopolymerization reaction when light is irradiated, for example, an alkenyl group or an epoxy group may be sufficient. Examples of the photocurable prepolymer having an alkenyl group include, for example, an acrylic-based compound, an ether-based compound including a vinyl group, a styrene-based compound, and a styrene-based compound. (thiolene-based compound), and the like.

상기 광 경화성 조성물은 또한 모노머 또는 올리고머여도 좋고, 또는 그들의 조합이어도 좋으며, 또한 그 분자량도 본 발명에 있어서는 한정되지 않고, 단지 그들이 갖는 작용기 당량이 70 미만으로 되지 않으면 좋다.The photocurable composition may further be a monomer or an oligomer, or a combination thereof, and the molecular weight thereof is not limited in the present invention, and only the functional group equivalents thereof do not have to be less than 70.

한편, 여기서의 광 경화성 조성물의 작용기 당량이란, 상기 광 경화성 조성물의 분자량을 작용기의 수로 나눈 것에 의해 정의되는 것이다.In addition, the functional group equivalent of the photocurable composition here is defined by dividing the molecular weight of the said photocurable composition by the number of functional groups.

또한, 상기 광 경화성 프리폴리머는, 상기한 바와 같이 작용기 당량이 70 내지 700g/mol의 범위 내이면 좋고, 보다 바람직하게는 80 내지 600g/mol의 범위에 있고, 더욱 바람직하게는 85 내지 400g/mol의 범위에 있으면 좋다.In addition, the photocurable prepolymer should just be functional group equivalent in the range of 70-700g / mol as mentioned above, More preferably, it exists in the range of 80-600g / mol, More preferably, it is 85-400g / mol It should be in range.

이하에서는, 상기 광 경화성 프리폴리머가 경화됨으로써 광 경화성층(22)의 표면에 요철 형상의 미세 구조가 형성되는 원리를 설명한다.Hereinafter, the principle that the concavo-convex microstructure is formed on the surface of the photocurable layer 22 by curing the photocurable prepolymer will be described.

상기의 광 경화성 프리폴리머의 적어도 하나와 광 개시제를 함유하는 광 경화성 조성물과 용매를 포함한 페이스트를 기판(21)에 도포함으로써 미경화 광 경화성층(22a)이 형성된다. 다음으로, 패턴 마스크(31)를 개재시켜 상기 광 경화성층(22a)에서의 제 1 영역(221)에 자외선을 조사하면, 자외선의 조사에 의해 광 개시제로부터 유리기(free radical)가 생성된다. 이 유리기가 제 1 영역(221)에 있어서 광 경화성층(22a)의 가교 반응을 야기하여, 가교 반응이 진행함에 따라서, 제 1 영역(221)에서의 분자의 평균 분자량 및 점도가 서서히 높아져, 제 1 영역(221)이 소정의 점도 이상으로 된 때에 반응을 중지한다.The uncured photocurable layer 22a is formed by apply | coating to the board | substrate 21 the paste containing the photocurable composition and solvent containing at least one of said photocurable prepolymers, and a photoinitiator. Next, when ultraviolet rays are irradiated to the first region 221 in the photocurable layer 22a via the pattern mask 31, free radicals are generated from the photoinitiator by the irradiation of the ultraviolet rays. As this free radical causes crosslinking reaction of the photocurable layer 22a in the 1st area | region 221, and as a crosslinking reaction advances, the average molecular weight and viscosity of the molecule | numerator in the 1st area | region 221 gradually become high, and 1st The reaction is stopped when the region 221 is at or above the predetermined viscosity.

상기와 같은 가교 반응의 진행 중에는, 광 경화성층(22a)에서의 제 1 영역(221)의 미반응 광 경화성 조성물의 농도가 낮아지기 때문에, 광 경화성층(22a)에서의 제 2 영역(222)의 미반응 광 경화성 조성물의 농도가 상대적으로 높아진다. 물질에는 농도가 높은 곳에서 낮은 곳으로 확산된다고 하는 특성이 있으므로, 제 2 영역(222)에서 미반응 광 경화성 조성물은 노광된 제 1 영역(221)으로 확산된다. 이 때문에, 도 3에 나타낸 바와 같이, 제 1 노광 공정 후, 이미 일부가 경화된 광 경화성층(22b)은 제 1 영역(221)에서 볼록하게 나옴과 함께, 제 2 영역(222)에서 오목하게 함몰되도록 요철 형상을 이루고, 이에 의해 광 경화성층(22b)의 표면에 미세 구조가 현출된다.During the progress of the crosslinking reaction as described above, the concentration of the unreacted photocurable composition in the first region 221 in the photocurable layer 22a is lowered, so that the second region 222 in the photocurable layer 22a The concentration of the unreacted photocurable composition becomes relatively high. Since the material has a property of being diffused from a high concentration to a low concentration, in the second region 222, the unreacted photocurable composition diffuses into the exposed first region 221. For this reason, as shown in FIG. 3, after the 1st exposure process, the photocurable layer 22b which was partially hardened comes out convexly in the 1st area | region 221, and concave in the 2nd area | region 222. As shown in FIG. The recesses and protrusions are formed so as to be recessed, whereby a fine structure is exhibited on the surface of the photocurable layer 22b.

또한, 광 경화성 조성물의 분자량이 작을수록, 제 1 영역(221)에 있어서의 미반응 광 경화성 조성물이 이미 경화된 제 2 영역(222)으로부터 빠르게 확산되어, 제 1 영역(221) 및 제 2 영역(222) 사이에서의 표면 고도의 차이의 평균값(즉, Rz값)이 커지기 때문에, 결국은 형성되는 미세 구조의 표면 조도가 증가한다.In addition, the smaller the molecular weight of the photocurable composition, the faster the unreacted photocurable composition in the first region 221 diffuses from the already cured second region 222 and thus the first region 221 and the second region. Since the average value (i.e., Rz value) of the difference in surface altitude between 222 becomes large, the surface roughness of the formed microstructure eventually increases.

또한, 광 경화성 조성물의 작용기 수가 많을수록, 광 경화 반응이 보다 급격해지기 때문에, 제 1 영역(221)에서의 미반응 광 경화성 조성물이 이미 경화된 제 2 영역(222)으로부터 빠르게 확산되어, 광 경화 반응이 지속된다. 이에 의해 제 1 영역(221) 및 제 2 영역(222) 사이에서의 표면 고도의 차이의 평균값(즉, Rz값)이 커지기 때문에, 결국은 형성되는 미세 구조의 표면 조도가 증가한다.In addition, the greater the number of functional groups in the photocurable composition, the more rapid the photocuring reaction is, so that the unreacted photocurable composition in the first region 221 diffuses quickly from the already cured second region 222, thereby photocuring. The reaction continues. As a result, the average value (i.e., Rz value) of the difference in surface elevation between the first region 221 and the second region 222 increases, so that the surface roughness of the formed microstructure eventually increases.

여기서 특기할 만한 것은, 상기 제 1 노광 공정에서, 광 경화성 조성물은 완전히 경화되어도, 또는 단지 부분적으로 경화되는 것만이어도 좋고, 결국은 광 경화성층(22b)의 제 1 영역(221)에서의 광 경화성 조성물이 유동성을 가지지 않도록만 할 수 있다면, 상기 공정에서의 경화의 정도는 문제되지 않는다.It should be noted that, in the first exposure step, the photocurable composition may be completely cured or only partially cured, and eventually photocurable in the first region 221 of the photocurable layer 22b. If the composition can only be made non-flowable, the degree of curing in the process is not a problem.

상기 광 경화성층 형성 공정에서 광 경화성층(22a), 즉 페이스트에 사용되는 용매로서는, 광 경화성 조성물과 광 개시제를 충분히 용해할 수 있는 것이면 좋고, 예컨대 알코올, 케톤, 에스터, 할로젠 용제, 탄화수소 등의 군으로부터 선택된 것을 이용한다. 보다 구체적으로는, 아세톤, 아세토나이트릴, 클로로폼, 클로로페놀, 사이클로헥세인, 사이클로헥산온, 사이클로펜탄온, 다이클로로메테인, 아세트산다이에틸, 탄산다이메틸, 에탄올, 아세트산에틸, N,N-다이메틸아세토아마이드, 1,2-프로페인다이올, 2-헥산온, 메탄올, 아세트산메틸, 아세트산뷰틸, 톨루엔 및 테트라하이드로퓨란 및 이들의 조합 등을 들 수 있다.As a solvent used for the photocurable layer 22a, ie, a paste in the said photocurable layer formation process, what is necessary is just what can fully melt | dissolve a photocurable composition and a photoinitiator, For example, alcohol, a ketone, ester, a halogen solvent, hydrocarbon, etc. Use selected from the group of. More specifically, acetone, acetonitrile, chloroform, chlorophenol, cyclohexane, cyclohexanone, cyclopentanone, dichloromethane, diethyl acetate, dimethyl carbonate, ethanol, ethyl acetate, N, N -Dimethylacetoamide, 1,2-propanediol, 2-hexanone, methanol, methyl acetate, butyl acetate, toluene and tetrahydrofuran and combinations thereof.

또한, 동일하게 광 경화성층(22a), 즉 페이스트에 사용되는 광 개시제로서는, 광 경화성 조성물의 광 경화성을 촉진하는 것이면 좋고, 예컨대 바이닐페논 유도체(vinyl phenone derivatives), 벤조페논 유도체, 미힐러(Michler)-케톤, 벤자인, 벤질 유도체, 벤조인 유도체, 벤조인메틸에터 유도체, α-아실옥시에스터, 싸이오잔톤 유도체 및 안트라퀴논 유도체의 군으로부터 선택된 것을 이용할 수 있다. 페이스트에 사용되는 광 개시제의 양은 특별히 한정되지 않지만, 페이스트의 전체 중량에 대하여 0.01wt% 이상인 것이 바람직하다.Similarly, the photocurable layer 22a, that is, the photoinitiator used in the paste may be any one that promotes photocurability of the photocurable composition. For example, vinyl phenone derivatives, benzophenone derivatives, Michler (Michler). ), Ketones, benzine, benzyl derivatives, benzoin derivatives, benzoin methyl ether derivatives, α-acyloxyesters, thioxanthone derivatives and anthraquinone derivatives. Although the quantity of the photoinitiator used for a paste is not specifically limited, It is preferable that it is 0.01 weight% or more with respect to the total weight of a paste.

또한, 상기 페이스트는 고형분이 10 내지 80wt%이라면 좋다. 이는, 고형분이 10wt% 미만이라면, 자외선을 조사해도 요철 형상을 형성시키지 않게 되고, 또한 고형분이 80wt%를 초과하면, 페이스트를 기판에 도포하기 어렵게 되는데다가, 경화 후에 균열을 발생시키기 쉬워지기 때문이다. 그래서, 상기 페이스트에서의 고형분은, 바람직하게는 15 내지 60wt%, 더욱 바람직하게는 20 내지 40wt%이면 좋다.The paste may have a solid content of 10 to 80 wt%. This is because if the solid content is less than 10 wt%, the uneven shape will not be formed even when irradiated with ultraviolet rays, and if the solid content exceeds 80 wt%, it will be difficult to apply the paste to the substrate and cracks will easily occur after curing. . Therefore, the solid content in the paste is preferably 15 to 60 wt%, more preferably 20 to 40 wt%.

또한, 투명 도전층(23)은 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 것이며, 상기 금속은, 금, 은, 백금, 납, 구리, 알루미늄, 니켈, 크로뮴, 타이타늄, 철, 코발트, 주석으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하고, 상기 금속 화합물은, 산화인듐, 산화주석, 산화타이타늄, 산화알루미늄, 산화아연, 산화갈륨, 산화인듐주석으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하면 좋고, 그 중에서도 특히 바람직한 것은 산화인듐주석이다.The transparent conductive layer 23 is made of a metal or a metal compound, and the metal is selected from the group consisting of gold, silver, platinum, lead, copper, aluminum, nickel, chromium, titanium, iron, cobalt, and tin. At least 1 type may be used and the said metal compound may use at least 1 sort (s) chosen from the group which consists of indium oxide, tin oxide, titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, gallium oxide, and indium tin oxide, Especially, Preferred is indium tin oxide.

또한, 기판(21)은 투명한 절연 재료로 이루어지면 좋고, 보다 바람직하게는 폴리머로 이루어지면 좋다. 여기서, 상기 폴리머로서는, 폴리에스터계 수지, 폴리에터계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아마이드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, 아크릴계 수지, 폴리염화바이닐계 수지, 폴리스타이렌계 수지, 폴리바이닐알코올계 수지, 폴리알릴레이트계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 폴리염화바이닐리덴계 수지, 메타크릴산에스터계 수지, 아세틸셀룰로스계 수지, 다이아세틸셀룰로스계 수지, 트라이아세틸셀룰로스계 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하면 좋고, 더욱 바람직하게는 폴리에틸렌테레프탈레이트를 이용하면 좋다.The substrate 21 may be made of a transparent insulating material, and more preferably made of a polymer. Here, as the polymer, polyester resin, polyether resin, polycarbonate resin, polyamide resin, polyimide resin, polyolefin resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polystyrene resin, polyvinyl Group consisting of alcohol resin, polyallylate resin, polyphenylene sulfide resin, polyvinylidene chloride resin, methacrylic acid ester resin, acetyl cellulose resin, diacetyl cellulose resin, triacetyl cellulose resin It is good to use at least 1 sort (s) chosen from, More preferably, polyethylene terephthalate may be used.

기판(21)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 2 내지 300㎛, 보다 바람직하게는 10 내지 130㎛이면 좋다. 이는, 두께가 2㎛를 만족하지 않으면, 기판(21)은 기계 강도가 부족할 우려가 있어, 투명 도전층을 연속적으로 형성시키는 것이 어렵게 된다. 또한, 두께가 300㎛를 초과하면, 만곡(灣曲)시키기 어려워지기 때문에, 투명 도전층에 구부림 가공을 실시하는 때 등에 어려움이 발생한다.Although the thickness of the board | substrate 21 is not specifically limited, Preferably it is 2-300 micrometers, More preferably, it is 10-130 micrometers. If the thickness does not satisfy 2 占 퐉, the substrate 21 may run out of mechanical strength, making it difficult to continuously form the transparent conductive layer. Moreover, when thickness exceeds 300 micrometers, since it becomes difficult to bend, difficulty arises, such as when bending a transparent conductive layer.

제 1 광원(L1)으로서는, 자외선, 가시 광선, 전자빔 또는 X선으로부터 선택하여 이용할 수 있지만, 자외선이 보다 바람직하다. 제 1 광원(L1)의 노광량은, 특별히 한정되지 않지만, 노광량이 많을수록, 미세 구조를 양호하게 형성시킬 수 있다. 그러나, 노광량이 많을수록, 에너지 소비와 비용이 높아진다. 한편, 노광량이 적으면, 광 경화성 조성물의 경화에 필요한 시간이 길어진다. 비용과 작업 시간을 고려해 둔다면, 제 1 광원(L1)의 노광량은 바람직하게는 70mJ/cm2 이상이며, 보다 바람직하게는 70mJ/cm2 내지 4000mJ/cm2이면 좋다. 이것은, 노광량이 70mJ/cm2를 만족하지 않으면, 미세 구조가 형성되기 어렵게 되고, 역으로 4000mJ/cm2를 초과하면, 기판(21)이 변형해 버릴 우려가 있기 때문이다. 그래서, 추가로 규명하면, 제 1 광원(L1)의 노광량은 100mJ/cm2 내지 3500mJ/cm2이면 좋고, 보다 바람직하게는 400mJ/cm2 내지 1500mJ/cm2이면 좋다.As the 1st light source L1, although it can select and use from an ultraviolet-ray, a visible light, an electron beam, or X-ray, an ultraviolet-ray is more preferable. Although the exposure amount of the 1st light source L1 is not specifically limited, The more exposure amount, the fine structure can be formed favorable. However, the greater the exposure amount, the higher the energy consumption and cost. On the other hand, when there is little exposure amount, the time required for hardening of a photocurable composition becomes long. Dundamyeon consideration of cost and working time, the exposure amount of the first light source (L1) is preferably not less than 70mJ / cm 2, more preferably, it is 70mJ / cm 2 to 4000mJ / cm 2. This is unless the exposure amount is satisfied 70mJ / cm 2, a fine structure is difficult to form, when it is more than 4000mJ / cm 2 to the station, because the possibility that the modification to the substrate 21. Thus, by adding identification, the exposure amount of the first light source (L1) is good is 100mJ / cm 2 to 3500mJ / cm 2, more preferably, it is 400mJ / cm 2 to 1500mJ / cm 2.

또한, 제 2 광원(L2)으로서도, 바람직하게는 자외선, 가시 광선, 전자빔 또는 X선으로부터 선택하여 이용할 수 있지만, 특히 자외선이 보다 바람직하다. 제 2 광원(L2)의 노광량은, 특별히 한정되지 않지만, 광 경화성층(22a)(특히, 제 2 영역(222))을 완전히 경화시킬 수 있는 것이면 좋다. 또한, 제 1 광원(L1)과 제 2 광원(L2)은, 동일한 것이어도 좋고, 상이한 것이어도 좋다.The second light source L2 is also preferably selected from ultraviolet rays, visible rays, electron beams, or X-rays, but ultraviolet rays are more preferable. Although the exposure amount of the 2nd light source L2 is not specifically limited, What is necessary is just to be able to fully harden the photocurable layer 22a (especially 2nd area | region 222). In addition, the 1st light source L1 and the 2nd light source L2 may be the same, and may differ.

도 6은, 본 발명에 따른 일 실시 형태의 방법에 의해 수득된 도전성 기판의 개략을 나타내는 측면도이며, 도전성 기판은, 기판(21)과, 기판(21) 상에 형성되어 전체가 경화된 광 경화성층(22)과, 광 경화성층(22)의 표면이며 요철 형상을 나타내도록 미세 구조화된 광 경화성층 표면(220)과, 광 경화성층 표면(220)상에 형성된 투명 도전층(23)으로 구성되어 있다. 투명 도전층(23)은, 미세 구조화된 표면을 가지는 광 경화성층(22) 상에 설치되어 있기 때문에, 그 표면인 투명 도전층 표면(230)의 형상은 실질적으로 광 경화성층 표면(220)의 형상과 동일하다. 또한, 투명 도전층 표면(230)의 표면 조도를 나타내는 Rz값이나 Sm값은, 원하는 값이 되 도록 광 경화성 조성물의 작용기 당량과 제 1 광원의 노광량을 변화시키는 것에 의해 조정할 수 있는 것이고, 본 발명에 있어서는, Rz값에 있어서 0.5㎛ 내지 3.5㎛, Sm값에 있어서 0.05mm 내지 0.35mm인 것이 바람직하다. 한편, 여기서 Rz값이란, 이웃되는 제 1 영역(221)과 제 2 영역(222)의 표면 고도의 차이 H의 10점 평균값에 의해서 정의되는 것이며, Sm값이란, 미세 구조에 있어서, 오목부와 볼록부의 일주기의 간격의 평균값이며(도 6 참조), 본 실시 형태에 있어서는 프로빙 방식의 표면 조도계(미세 형상 측정기, 주식회사고사카연구소제, 형식 번호: ET4000A)를 이용하여 구했다.Fig. 6 is a side view showing the outline of the conductive substrate obtained by the method of one embodiment according to the present invention, wherein the conductive substrate is formed on the substrate 21 and the substrate 21 and is cured in its entirety. A layer 22, a photocurable layer surface 220 finely structured to have an uneven shape and a surface of the photocurable layer 22, and a transparent conductive layer 23 formed on the photocurable layer surface 220. It is. Since the transparent conductive layer 23 is provided on the photocurable layer 22 which has a microstructured surface, the shape of the transparent conductive layer surface 230 which is the surface is substantially the shape of the photocurable layer surface 220. Same as shape. In addition, Rz value and Sm value which show the surface roughness of the transparent conductive layer surface 230 can be adjusted by changing the functional group equivalent of a photocurable composition, and the exposure amount of a 1st light source so that it may become a desired value, and this invention In Rz value, it is preferable that they are 0.05 mm-0.35 mm in 0.5 micrometer-3.5 micrometers, and Sm value in Rz value. In addition, an Rz value is defined by the 10-point average value of the difference H of the surface height of the adjacent 1st area | region 221 and the 2nd area | region 222 here, and Sm value is a recessed part in a microstructure. It is the average value of the interval of one period of a convex part (refer FIG. 6), and it calculated | required in this embodiment using the surface roughness meter of a probing system (a fine shape measuring instrument, the product made by Kosaka Research Institute, model number: ET4000A).

또한, 투명 도전층(23)의 두께는, 10nm 내지 300nm인 것이 바람직하고, 또한 10nm 내지 200nm이면 더욱 바람직하다. 이는, 두께가 10nm를 만족시키지 않으면, 표면 저항값이 103Ω/□ 이하로 되는 양호한 도전성을 갖는 연속층이 형성되기 어렵게 되고, 역으로 지나치게 두꺼우면, 투명성이 저하되기 때문이다.In addition, the thickness of the transparent conductive layer 23 is preferably 10 nm to 300 nm, and more preferably 10 nm to 200 nm. This is because if the thickness does not satisfy 10 nm, a continuous layer having good conductivity with a surface resistance value of 10 3 Ω / square or less becomes difficult to be formed, and if the thickness is too thick, transparency is lowered.

본 발명의 방법에 의해 얻어지는 도전성 기판은, 그 표면이 요철로 이루어지는 미세 구조를 갖고 있고, 이것을, 예컨대 터치 패널에서의 전극판으로서 이용하면, 표면이 평탄한 도전성 기판과 비교하여, 다른 전극판의 도전층과의 접촉 면적이 적기 때문에, 도전층 사이에서의 달라붙음 현상이 일어나기 어렵고, 따라서 도전층이 인장되는 것에 의한 박리나 파손을 예방할 수 있다.The conductive substrate obtained by the method of the present invention has a fine structure of which the surface is made of irregularities, and when used as an electrode plate in a touch panel, for example, compared with the conductive substrate having a flat surface, the conductivity of the other electrode plate is increased. Since the contact area with the layer is small, sticking phenomenon between the conductive layers is unlikely to occur, and thus peeling or breakage due to tension of the conductive layer can be prevented.

또한, 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 도전성 기판은, 그 표면에 파 형상의 미세 구조를 갖기 때문에, 모난 형상의 미세 구조(예컨대, 톱형, 직각형 또는 계단형)를 갖는 도전성 기판과 비교하여, 외부에서 인가되는 압력의 집중이 일어나기 어렵기 때문에, 도전층의 파손에 의한 전기 저항값의 증가를 예방할 수 있다.In addition, since the conductive substrate obtained by the method of the present invention has a wave-like microstructure on its surface, compared with the conductive substrate having an angular-shaped microstructure (for example, saw, rectangular or stepped), the external Since it is difficult to concentrate the pressure applied at, it is possible to prevent an increase in the electric resistance value due to breakage of the conductive layer.

이상의 효과로부터, 본 발명의 방법에 의해 얻어지는 도전성 기판은, 터치 패널이나 모니터 등 각종 장치에 적용할 수 있는 것이지만, 그 중에서도 터치 패널에서의 전극판으로서 이용하는 데 특히 적합하다.From the above effects, the conductive substrate obtained by the method of the present invention is applicable to various devices such as a touch panel and a monitor, but is particularly suitable for use as an electrode plate in a touch panel.

이하에는, 구체적인 실시예를 들어, 본 발명의 실시 방법과 효과를 더욱 상세히 설명한다. 한편, 이하의 실시예는 설명에 더욱더 구체성을 제공하기 위해 든 것이며, 본 발명을 한정하는 의도를 나타내는 것은 아니다.Hereinafter, the embodiment and the method and effect of the present invention will be described in more detail. On the other hand, the following examples are provided to provide further specificity in the description, and do not represent the intention of limiting the present invention.

<실시예 1>&Lt; Example 1 >

(도전성 기판의 제조)(Manufacture of Conductive Substrate)

반응성 작용기를 갖는 광 경화성 프리폴리머(미국 Sartomer사 제품, 형식 번호: SR444, 작용기 당량 99.3g/mol) 0.2g을, 톨루엔 0.8g과 광 개시제(미국 Ciba사 제품, 상품명: I-184) 0.02g을 혼합하여, 고형분 20wt%인 페이스트(1.02g)를 수득했다.0.2 g of a photocurable prepolymer having a reactive functional group (product of US Sartomer, type number SR444, functional group equivalent 99.3 g / mol), 0.8 g of toluene and 0.02 g of a photoinitiator (product of US Ciba, trade name: I-184) By mixing, a paste (1.02 g) having a solid content of 20 wt% was obtained.

상기 페이스트를 폴리에스터계 기판(일본 Toyobo사 제품, 상품명: A4300, 5cm×5cm×100㎛)에 적하하여, 스핀 코팅법에 의해 회전수 1000rpm, 40초의 조건으로 상기 페이스트를 상기 기판 상에 균일하게 도포했다. 다음으로, 페이스트가 도포된 기판을 80℃의 온도로 유지된 오븐에 3분간 방치하여 용매(즉, 톨루엔)를 제거하고, 그리고 100℃의 온도로 유지된 다른 오븐으로 옮겨 2분간의 가열 처리를 실시했다. 그 후, 상기 기판을 실온으로 냉각하는 것으로 미경화 광 경화성층을 상기 기판에 형성시켰다.The paste was added dropwise to a polyester substrate (Toyobo, Japan, trade name: A4300, 5 cm × 5 cm × 100 μm) and uniformly paste the paste on the substrate under the conditions of 1000 rpm and 40 seconds by spin coating. Applied. Next, the paste-coated substrate is left in an oven maintained at a temperature of 80 ° C. for 3 minutes to remove the solvent (ie, toluene), and then transferred to another oven maintained at a temperature of 100 ° C. for 2 minutes of heat treatment. Carried out. Then, the uncured photocurable layer was formed in the said board | substrate by cooling the said board | substrate to room temperature.

광 경화성층이 형성된 상기 기판에, 스페이스 폭 및 라인 폭이 함께 50㎛인 패턴 마스크를 배치하고, 이어서, 질소 분위기에서 UV 노광 장치(미국 Fusion사 제품)에 의해서 제 1 UV 광원(제 1 광원)을 520mJ/cm2의 노광량으로 광 경화성층을 노광했다. 따라서, 광 경화성층은 노광된 제 1 영역에서 경화되어 돌출됨과 함께, 노광되어 있지 않은 제 2 영역에서 경화되지 않아 오목하도록 요철 형상으로 형성된다. 그리고, 패턴 마스크를 제거한 후에, 질소 분위기에서 추가로 450mJ/cm2의 제 2 UV 광원(제 2 광원)을 이용하여 광 경화성층을 노광했다. 이것에 의해 제 1 영역과 제 2 영역의 표면 고도가 상이하도록 경화되어, 미세 구조가 얻어졌다.On the substrate on which the photocurable layer was formed, a pattern mask having a space width and a line width of 50 µm was disposed together, and then a first UV light source (first light source) by a UV exposure apparatus (manufactured by Fusion, USA) in a nitrogen atmosphere. The photocurable layer was exposed at the exposure amount of 520 mJ / cm 2 . Therefore, the photocurable layer is formed in an uneven shape so as to cure and protrude in the exposed first region and not to cure in the unexposed second region. And after removing a pattern mask, the photocurable layer was further exposed using the 450 mJ / cm <2> 2nd UV light source (2nd light source) in nitrogen atmosphere. This hardened | cured so that the surface height of a 1st area | region and a 2nd area | region might differ, and the microstructure was obtained.

이와 같이 표면에 광 경화성층에 의한 미세 구조가 형성된 기판을 마그네트론 스퍼터링 장치에 넣어, Sn/(In+Sn) = 10wt%, 즉 인듐과 주석의 합계 중량에 대하여 그 내의 주석의 중량이 10wt%가 되는 산화인듐주석을 타겟으로 하고, 장치 내의 진공도를 3×10-6torr로 한 후에, O2/Ar = 0.02, 즉 아르곤에 대한 산소의 비율이 0.02가 되도록 장치 내에 아르곤과 산소를 도입하여, 가스 압력을 5×10-4torr, 투입 전력을 4KW, 기판의 온도를 실온으로 하고, 경화된 광 경화성층에 두께 30nm의 산화인듐주석 도전층을 형성했다.In this way, a substrate having a microstructure formed by a photocurable layer on the surface thereof is placed in a magnetron sputtering device, and Sn / (In + Sn) = 10wt%, that is, the weight of tin in the indium and tin is 10wt% Target the indium tin oxide to be used, and set the vacuum degree in the apparatus to 3 × 10 −6 torr, and then introduce argon and oxygen into the apparatus so that O 2 / Ar = 0.02, that is, the ratio of oxygen to argon is 0.02, An indium tin oxide conductive layer having a thickness of 30 nm was formed on the cured photocurable layer with a gas pressure of 5 × 10 −4 torr, an input power of 4 KW, and a temperature of the substrate at room temperature.

이상, 실시예 1의 방법으로 형성된 도전성 기판의 표면 조도는, 프로빙 방식의 표면 조도계(미세 형상 측정기, 주식회사고사카연구소제, 형식 번호: ET4000A)로 측정한 결과, Ra값 0.21㎛, Rz값 0.73㎛, Sm값 0.099mm였다.As described above, the surface roughness of the conductive substrate formed by the method of Example 1 was measured by a probing surface roughness meter (fine shape measuring instrument, manufactured by Kosaka Research Institute, Model No .: ET4000A), and the Ra value was 0.21 μm and the Rz value was 0.73 μm. , Sm value was 0.099 mm.

(도전성 기판의 접동(摺動) 필기 시험)(Sliding written test of conductive substrate)

도전성 기판을, 표면에 스페이서가 배치된 도전 유리와, 서로의 산화인듐주석 도전층이 마주 보도록 접합한 것을, 접동 검사기(타이완 Newsunup TECHNOLOGY사 제품, 형식 번호 SDT­009)를 이용하여, 상기 도전성 기판의 투명 도전층이 형성되어 있지 않은 쪽의 면을, 선단이 R 0.8의 포름알데하이드 수지제 스타일러스 펜으로 250g의 가압으로 누르면서 2cm 사이를 10만 회 왕복시켰다.The conductive substrate was bonded to the conductive glass having spacers disposed on the surface thereof and the indium tin oxide conductive layer to face each other, so that the conductive substrate was transparent using a sliding tester (manufactured by Taiwan Newsunup Technology, type No. SDT009). The surface of the side on which the conductive layer was not formed was reciprocated 100,000 times between 2 cm while the tip was pressed under a pressure of 250 g with a formaldehyde resin stylus pen of R 0.8.

(도전성 기판의 표면 저항 측정)(Measurement of Surface Resistance of Conductive Substrates)

JIS-K7194에 준거한 4탐침법(探針法)으로써, 표면 저항 측정기(미쓰비시유화(주)제, Lotest AMCP-T400)를 이용하여, 상기 접동 필기 시험의 실시 전과 실시 후에서의 도전성 기판의 표면 전기 저항을 측정했다. 상기 접동 필기 시험 실시 전의 저항값을 Ro로 하고, 실시 후의 저항값을 R로 하여, Ro에 대한 R의 비율을 산출했다. 여기서는, R/Ro값이 1에 가까울수록, 도전성 기판의 구조 안정성이 우수하다는, 즉 도전층이 박리되기 어렵다는 것이 된다. 본 실시예에서 수득된 도전성 기판의 R/Ro값을 이하의 표 1에 나타낸다.As a four-probe method based on JIS-K7194, using a surface resistance measuring instrument (made by Mitsubishi Emulsification Co., Ltd., Lotest AMCP-T400), a conductive substrate was prepared before and after the sliding writing test. Surface electrical resistance was measured. The ratio of R to Ro was computed by setting Ro as the resistance value before the sliding writing test, and R as the resistance after the test. Here, the closer the R / Ro value is to 1, the better the structural stability of the conductive substrate, that is, the less the conductive layer is peeled off. The R / Ro values of the conductive substrates obtained in this example are shown in Table 1 below.

<실시예 2 내지 실시예 4><Examples 2 to 4>

실시예 2 내지 4에서는, 도전성 기판의 제조 방법 및 평가 방법은 거의 상기 실시예 1과 동일하고, 상기 실시예 1과의 상위점은 광 경화성층을 노광하는 제 1 UV 광원(제 1 광원)의 노광량이 상이하다는 점이다.In Examples 2-4, the manufacturing method and evaluation method of a conductive substrate are substantially the same as Example 1, The difference with Example 1 is that of the 1st UV light source (1st light source) which exposes a photocurable layer. The exposure amount is different.

이하 표 1에, 실시예 1 내지 실시예 2 각각의 제 1 광원 노광량, 패턴 마스크의 스페이스 폭 및 라인 폭, 표면 조도 각 파라미터, 그리고 R/Ro값을 나타내어, 제 1 광원의 노광량을 변화시킴으로써 도전성 기판의 표면 조도가 어떻게 변화되고, 그 결과가 도전성 기판의 구조 안정성에 어떻게 영향을 주는가를 비교한다.In Table 1 below, the first light source exposure amount, the space width and line width of the pattern mask, the surface roughness angle parameter, and the R / Ro value of each of Examples 1 to 2 are shown, and the conductivity is changed by changing the exposure amount of the first light source. Compare how the surface roughness of the substrate changes and how the results affect the structural stability of the conductive substrate.

Figure 112012035498264-pat00001
Figure 112012035498264-pat00001

표 1로부터 알 수 있는 바와 같이, Rz값이 0.73㎛를 만족시키지 않는 경우, 또는 2.82㎛을 초과하는 경우, R/Ro값은 비교적 높고, 결국은 도전성 기판의 구조 안정성이 저하된다. 그래서, Rz의 특히 바람직한 값은 0.73 내지 2.82㎛인 것이 도출된다. 이를테면, 터치 패널에 이용하는 도전성 기판으로서는, R/Ro ≤ 1.3인 것이 일반적으로 요구되지만, 이 요구값은 응용 범위에 따라 다르다.As can be seen from Table 1, when the Rz value does not satisfy 0.73 µm or exceeds 2.82 µm, the R / Ro value is relatively high, and eventually the structural stability of the conductive substrate is lowered. Thus, it is derived that the particularly preferable value of Rz is 0.73 to 2.82 mu m. For example, as the conductive substrate used for the touch panel, it is generally required that R / Ro ≦ 1.3, but this required value varies depending on the application range.

<실시예 5 내지 실시예 7, 비교예 1><Example 5 to Example 7, Comparative Example 1>

실시예 5 내지 7에서는, 도전성 기판의 제조 방법 및 평가 방법은 거의 상기 실시예 1과 동일하고, 상기 실시예 1과의 상위점은 광 경화성층을 노광하는 제 1 UV 광원(제 1 광원)의 노광량에 더하여, 패턴 마스크의 스페이스 폭 및 라인 폭이 상이하다는 점이다.In Examples 5-7, the manufacturing method and evaluation method of a conductive substrate are substantially the same as Example 1, The difference with Example 1 is that of the 1st UV light source (1st light source) which exposes a photocurable layer. In addition to the exposure dose, the space width and line width of the pattern mask are different.

이하 표 2에, 실시예 5 내지 실시예 7 각각의 제 1 광원 노광량, 패턴 마스크의 스페이스 폭 및 라인 폭, 표면 조도 각 파라미터, 그리고 R/Ro값을 나타내어, 제 1 광원의 노광량과 패턴 마스크의 스페이스 폭 및 라인 폭을 변화시킴으로써 도전성 기판의 표면 조도가 어떻게 변화되고, 그 결과가 도전성 기판의 구조 안정성에 어떻게 영향을 주는가를 비교한다.In Table 2 below, the first light source exposure amounts, the space widths and line widths of the pattern masks, the surface roughness angle parameters, and the R / Ro values, respectively, are shown in Tables 2 to 7, respectively. The surface roughness of the conductive substrate is changed by changing the space width and the line width, and how the results affect the structural stability of the conductive substrate is compared.

한편, 표 2에는, 비교로서, 상기 실시예 2 및 비교예 1의 결과도 나타내었다. 비교예 1은, 각 실시예에서 이용한 기판을, 광 경화성층을 설치하지 않아 결국은 미세 구조를 형성시키지 않고, 그대로 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여, 상기 실시예 1과 같은 조건 하에서, 기판에 두께 30nm의 산화인듐주석 도전층을 형성시킨 것이다.In addition, in Table 2, the result of the said Example 2 and the comparative example 1 was also shown as a comparison. In Comparative Example 1, the substrate used in each Example was not provided with a photocurable layer and eventually did not form a fine structure. As a result, the magnetron sputtering apparatus was used as it was, and under the same conditions as in Example 1, the substrate had a thickness of 30 nm. An indium tin oxide conductive layer was formed.

Figure 112012035498264-pat00002
Figure 112012035498264-pat00002

표 1 및 표 2에서의 실시예 1 내지 7 및 비교예 1의 결과로부터 알 수 있는 것은, 표면이 미세 구조화된 광 경화성층을 갖는 도전성 기판(실시예 1 내지 7)은, 표면이 미세 구조화된 광 경화성층을 갖지 않는 도전성 기판(비교예 1)에 비교하여, 저항값비(R/Ro)가 1에 가까운 것을 알 수 있다. 이것은, 결국 본 발명에 따른 방법에 의해 수득된 도전성 기판은, 기판(21)과 도전층(23)의 사이에 미세 구조화된 광 경화성층(22)을 갖는 것에 의해, 기판(21)과 도전층(23)의 결합 강도가 강화되어 있고, 게다가 광 경화성층(22)에 형성되어 있는 도전층(23)의 표면도 미세 구조화되어 있는 것에 의해, 외부로부터의 압력 인가의 반복에 의한 도전층(23)의 파손, 및 도전층(23)의 기판(21)으로부터의 박리가 예방되고 있는 것을 나타내고 있다.It can be seen from the results of Examples 1 to 7 and Comparative Example 1 in Table 1 and Table 2 that the conductive substrate (Examples 1 to 7) having a photocurable layer having a fine structure on the surface thereof has a fine structure on its surface. Compared with the electroconductive board | substrate (Comparative example 1) which does not have a photocurable layer, it turns out that resistance value ratio R / Ro is close to one. This is, after all, the conductive substrate obtained by the method according to the present invention, by having the photocurable layer 22 microstructured between the substrate 21 and the conductive layer 23, the substrate 21 and the conductive layer The bonding strength of (23) is strengthened, and the surface of the conductive layer 23 formed in the photocurable layer 22 is also finely structured, so that the conductive layer 23 by repeated application of pressure from the outside is formed. ) And the peeling from the board | substrate 21 of the conductive layer 23 are prevented.

이상, 본 발명의 바람직한 실시 형태를 설명했지만, 본 발명은 이에 한정되는 것이 아니며, 그 요지를 일탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경 가능하다는 것은 말할 필요도 없다.As mentioned above, although preferred embodiment of this invention was described, it cannot be overemphasized that this invention is not limited to this and various changes are possible in the range which does not deviate from the summary.

본 발명에 따른 도전성 기판의 제조 방법에 의하면, 외부로부터의 압력 인가의 반복에 의해 도전층이 파손하거나 기판으로부터 박리되기도 해 버리는 것을 예방하는 도전성 기판을 제공할 수 있기 때문에, 예컨대 터치 패널의 전극판의 제조에 이용할 수 있다.According to the manufacturing method of the conductive substrate which concerns on this invention, since the conductive substrate which prevents a conductive layer from being damaged or peeled from a board | substrate by repeated application of pressure from the outside can be provided, for example, the electrode plate of a touch panel It can be used for the preparation of.

21: 기판
22, 22a, 22b: 광 경화성층
220: 광 경화성층 표면
221: 제 1 영역
222: 제 2 영역
23: 도전층
230: 도전층 표면
31: 패턴 마스크
311: 광 투과 영역
312: 광 불투과 영역
L1: 제 1 광원
L2: 제 2 광원
21: substrate
22, 22a, 22b: photocurable layer
220: photocurable layer surface
221: first region
222: second area
23: conductive layer
230: conductive layer surface
31: pattern mask
311: light transmitting region
312: light opaque region
L1: first light source
L2: second light source

Claims (10)

복수의 반응성 작용기를 가짐과 함께 작용기 당량이 70 내지 700g/mol인 광 경화성 프리폴리머를 적어도 하나 함유하는 광 경화성 조성물을 포함하는 광 경화성층을 기판에 형성시키는 광 경화성층 형성 공정과,
상기 광 경화성층의 일부를 차폐하도록 상기 광 경화성층에 패턴 마스크를 배치하는 배치 공정과,
상기 패턴 마스크를 개재시켜 제 1 광원을 이용하여 상기 광 경화성층을 노광하여, 상기 광 경화성층에서 제 1 영역을 경화시키는 제 1 노광 공정과,
상기 패턴 마스크를 제거하는 제거 공정과,
제 2 광원을 이용하여 상기 패턴 마스크가 제거된 광 경화성층을 노광하여, 상기 광 경화성층에서 경화되어 있지 않은 제 2 영역을 경화시켜, 상기 제 1 영역과 상기 제 2 영역의 표면 고도가 각각 상이한 것으로 표면 조도가 부여되는 것에 의해 미세 구조가 기판에 형성되는 제 2 노광 공정과,
상기 미세 구조에 도전층을 형성시키는 도전층 형성 공정
을 구비하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
A photocurable layer forming step of forming a photocurable layer comprising a photocurable composition containing at least one photocurable prepolymer having a plurality of reactive functional groups and a functional group equivalent of 70 to 700 g / mol, and
An arrangement process of disposing a pattern mask on the photocurable layer so as to shield part of the photocurable layer;
A first exposure step of curing the first region in the photocurable layer by exposing the photocurable layer using a first light source through the pattern mask;
A removing step of removing the pattern mask;
The photocurable layer from which the pattern mask has been removed is exposed using a second light source to cure a second region that is not cured in the photocurable layer, and the surface elevations of the first region and the second region are different from each other. A second exposure step of forming a fine structure on the substrate by imparting surface roughness to it;
A conductive layer forming step of forming a conductive layer in the microstructure
A method for producing a conductive substrate, comprising:
제 1 항에 있어서,
상기 반응성 작용기로서는, 알켄일기 또는 에폭시기를 이용하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
An alkenyl group or an epoxy group is used as said reactive functional group, The manufacturing method of the conductive substrate characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
각 상기 제 1 영역의 폭은 50㎛ 내지 250㎛가 되는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The width of each said 1st area | region is 50 micrometers-250 micrometers, The manufacturing method of the conductive substrate characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 노광 공정에서, 상기 제 1 광원으로서는 자외선, 가시 광선, 전자빔 또는 X선으로부터 선택하여 이용하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
In the first exposure step, the first light source is selected from ultraviolet rays, visible rays, electron beams or X-rays, and is used.
제 1 항에 있어서,
상기 제 2 노광 공정에서, 상기 제 2 광원으로서는 자외선, 가시 광선, 전자빔 또는 X선으로부터 선택하여 이용하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
In the second exposure step, the second light source is selected from ultraviolet rays, visible light, electron beams or X-rays and used.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 노광 공정에서, 상기 제 1 광원으로서는 노광량이 70mJ/cm2 내지 4000mJ/cm2인 자외선을 이용하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The said 1st exposure process WHEREIN: The manufacturing method of the conductive substrate characterized by using the ultraviolet-ray whose exposure amount is 70mJ / cm <2> -4000mJ / cm <2> as said 1st light source.
제 1 항에 있어서,
상기 기판은 폴리머로 이루어지는 것이며, 상기 폴리머는 폴리에스터계 수지, 폴리에터계 수지, 폴리카보네이트계 수지, 폴리아마이드계 수지, 폴리이미드계 수지, 폴리올레핀계 수지, 아크릴계 수지, 폴리염화바이닐계 수지, 폴리스타이렌계 수지, 폴리바이닐알코올계 수지, 폴리알릴레이트계 수지, 폴리페닐렌설파이드계 수지, 폴리염화바이닐리덴계 수지, 메타크릴산에스터계 수지, 아세틸셀룰로스계 수지, 다이아세틸셀룰로스, 트라이아세틸셀룰로스로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The substrate is made of a polymer, the polymer is a polyester resin, polyether resin, polycarbonate resin, polyamide resin, polyimide resin, polyolefin resin, acrylic resin, polyvinyl chloride resin, polystyrene Resin, polyvinyl alcohol resin, polyallylate resin, polyphenylene sulfide resin, polyvinylidene chloride resin, methacrylic acid ester resin, acetyl cellulose resin, diacetyl cellulose, triacetyl cellulose At least 1 sort (s) chosen from the group is used, The manufacturing method of the conductive substrate characterized by the above-mentioned.
제 1 항에 있어서,
상기 도전층은 금속 또는 금속 화합물로 이루어지는 것이며,
상기 금속은 금, 은, 백금, 납, 구리, 알루미늄, 니켈, 크로뮴, 타이타늄, 철, 코발트, 주석으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하고,
상기 금속 화합물은 산화인듐, 산화주석, 산화타이타늄, 산화알루미늄, 산화아연, 산화갈륨, 산화인듐주석으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종을 이용하는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The conductive layer is made of a metal or a metal compound,
The metal is at least one selected from the group consisting of gold, silver, platinum, lead, copper, aluminum, nickel, chromium, titanium, iron, cobalt, tin,
The metal compound uses at least one member selected from the group consisting of indium oxide, tin oxide, titanium oxide, aluminum oxide, zinc oxide, gallium oxide, and indium tin oxide.
제 1 항에 있어서,
상기 도전층이 스퍼터링법에 의해 상기 미세 구조의 표면에 형성되는 것을 특징으로 하는 도전성 기판의 제조 방법.
The method of claim 1,
The conductive layer is formed on the surface of the microstructure by the sputtering method.
제 1 항 내지 제 9 항 중 어느 한 항에 기재된 도전성 기판의 제조 방법에 의해서 제조된 도전성 기판으로서,
상기 도전층의 표면 조도가, Rz값으로 0.5㎛ 내지 3.5㎛이며 또한 Sm값으로 0.05mm 내지 0.35mm인 것을 특징으로 하는 도전성 기판.
As a conductive substrate manufactured by the manufacturing method of the conductive substrate in any one of Claims 1-9,
The surface roughness of the said conductive layer is 0.5 micrometer-3.5 micrometers in Rz value, and 0.05 mm-0.35 mm in Sm value.
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