KR20150044479A - 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 69
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 61
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 61
- 239000010949 copper Substances 0.000 title claims abstract description 61
- 239000002002 slurry Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 25
- 239000008139 complexing agent Substances 0.000 claims description 16
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 13
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 13
- GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N Titan oxide Chemical compound O=[Ti]=O GWEVSGVZZGPLCZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 12
- DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N Glycine Chemical compound NCC(O)=O DHMQDGOQFOQNFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000003607 modifier Substances 0.000 claims description 7
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N Magnesium oxide Chemical compound [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N Zirconium dioxide Chemical compound O=[Zr]=O MCMNRKCIXSYSNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N germanium dioxide Chemical compound O=[Ge]=O YBMRDBCBODYGJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- -1 peroxide peroxide Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 claims description 5
- 239000004471 Glycine Substances 0.000 claims description 4
- 229920001577 copolymer Polymers 0.000 claims description 4
- MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N (2S)-2-Amino-3-hydroxypropansäure Chemical compound OC[C@H](N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- RNIHAPSVIGPAFF-UHFFFAOYSA-N Acrylamide-acrylic acid resin Chemical compound NC(=O)C=C.OC(=O)C=C RNIHAPSVIGPAFF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002126 Acrylic acid copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004475 Arginine Substances 0.000 claims description 3
- DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N Asparagine Natural products OC(=O)C(N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004342 Benzoyl peroxide Substances 0.000 claims description 3
- 239000004343 Calcium peroxide Substances 0.000 claims description 3
- ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P L-argininium(2+) Chemical compound NC(=[NH2+])NCCC[C@H]([NH3+])C(O)=O ODKSFYDXXFIFQN-BYPYZUCNSA-P 0.000 claims description 3
- DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N L-asparagine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CC(N)=O DCXYFEDJOCDNAF-REOHCLBHSA-N 0.000 claims description 3
- ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N L-glutamine Chemical compound OC(=O)[C@@H](N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-VKHMYHEASA-N 0.000 claims description 3
- 229920002845 Poly(methacrylic acid) Polymers 0.000 claims description 3
- MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N Serine Natural products OCC(N)C(O)=O MTCFGRXMJLQNBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 claims description 3
- 229920006322 acrylamide copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 claims description 3
- ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N arginine Natural products OC(=O)C(N)CCCNC(N)=N ODKSFYDXXFIFQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229960001230 asparagine Drugs 0.000 claims description 3
- 235000009582 asparagine Nutrition 0.000 claims description 3
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N barium peroxide Chemical compound [Ba+2].[O-][O-] ZJRXSAYFZMGQFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019400 benzoyl peroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- LHJQIRIGXXHNLA-UHFFFAOYSA-N calcium peroxide Chemical compound [Ca+2].[O-][O-] LHJQIRIGXXHNLA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 235000019402 calcium peroxide Nutrition 0.000 claims description 3
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 claims description 3
- CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N ceric oxide Chemical compound O=[Ce]=O CETPSERCERDGAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910000422 cerium(IV) oxide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N ethene;prop-2-enoic acid Chemical group C=C.OC(=O)C=C QHZOMAXECYYXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229920001038 ethylene copolymer Polymers 0.000 claims description 3
- ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N glutamine Natural products OC(=O)C(N)CCC(N)=O ZDXPYRJPNDTMRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000010954 inorganic particle Substances 0.000 claims description 3
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 claims description 3
- WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L manganese(2+);methyl n-[[2-(methoxycarbonylcarbamothioylamino)phenyl]carbamothioyl]carbamate;n-[2-(sulfidocarbothioylamino)ethyl]carbamodithioate Chemical compound [Mn+2].[S-]C(=S)NCCNC([S-])=S.COC(=O)NC(=S)NC1=CC=CC=C1NC(=S)NC(=O)OC WPBNNNQJVZRUHP-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims description 3
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 claims description 3
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 claims description 3
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 claims description 3
- PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N sodium peroxide Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][O-] PFUVRDFDKPNGAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 abstract description 12
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 abstract description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 7
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 71
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 8
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 8
- 229940024606 amino acid Drugs 0.000 description 6
- 235000001014 amino acid Nutrition 0.000 description 6
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 5
- 150000001413 amino acids Chemical class 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M Sodium laurylsulphate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O DBMJMQXJHONAFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 235000019333 sodium laurylsulphate Nutrition 0.000 description 3
- ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 2h-tetrazol-5-amine Chemical compound NC1=NN=NN1 ULRPISSMEBPJLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N Benzoylperoxide Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(=O)OOC(=O)C1=CC=CC=C1 OMPJBNCRMGITSC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 2
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 2
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 2
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 description 2
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 239000011163 secondary particle Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 1,1,2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-heptadecafluorooctane-1-sulfonate Chemical compound [O-]S(=O)(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F YFSUTJLHUFNCNZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-M 2,2,3,3,4,4,5,5,6,6,7,7,8,8,8-pentadecafluorooctanoate Chemical compound [O-]C(=O)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)C(F)(F)F SNGREZUHAYWORS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- OKFSBQOGHYYGRZ-UHFFFAOYSA-N 4-hexyl-2h-benzotriazole Chemical compound CCCCCCC1=CC=CC2=C1N=NN2 OKFSBQOGHYYGRZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 4H-1,2,4-triazole Chemical compound C=1N=CNN=1 NSPMIYGKQJPBQR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-benzotriazole Chemical compound C1=C(C)C=CC2=NNN=C21 LRUDIIUSNGCQKF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJRZOOICEHBAED-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1h-1,2,4-triazol-3-amine Chemical compound CC1=NNC(N)=N1 FJRZOOICEHBAED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HSROYTUBZOKEEV-UHFFFAOYSA-N S(=O)(=O)(OCCCCCCCCCCCC)O.C(CCCCCCCCCCC)[Na] Chemical compound S(=O)(=O)(OCCCCCCCCCCCC)O.C(CCCCCCCCCCC)[Na] HSROYTUBZOKEEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 150000004996 alkyl benzenes Chemical class 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 229940077388 benzenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N dinuclear copper ion Chemical compound [Cu].[Cu] ALKZAGKDWUSJED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMVRDGHCVNAOIN-UHFFFAOYSA-L disodium;1-dodecoxydodecane;sulfate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]S([O-])(=O)=O.CCCCCCCCCCCCOCCCCCCCCCCCC SMVRDGHCVNAOIN-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 1
- 230000002401 inhibitory effect Effects 0.000 description 1
- 230000005764 inhibitory process Effects 0.000 description 1
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000128 polypyrrole Polymers 0.000 description 1
- ONQDVAFWWYYXHM-UHFFFAOYSA-M potassium lauryl sulfate Chemical compound [K+].CCCCCCCCCCCCOS([O-])(=O)=O ONQDVAFWWYYXHM-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940116985 potassium lauryl sulfate Drugs 0.000 description 1
- LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N pyrimidin-2-amine Chemical compound NC1=NC=CC=N1 LJXQPZWIHJMPQQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940057950 sodium laureth sulfate Drugs 0.000 description 1
- 229940048842 sodium xylenesulfonate Drugs 0.000 description 1
- SXHLENDCVBIJFO-UHFFFAOYSA-M sodium;2-[2-(2-dodecoxyethoxy)ethoxy]ethyl sulfate Chemical compound [Na+].CCCCCCCCCCCCOCCOCCOCCOS([O-])(=O)=O SXHLENDCVBIJFO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- QUCDWLYKDRVKMI-UHFFFAOYSA-M sodium;3,4-dimethylbenzenesulfonate Chemical compound [Na+].CC1=CC=C(S([O-])(=O)=O)C=C1C QUCDWLYKDRVKMI-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 description 1
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
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- Engineering & Computer Science (AREA)
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Abstract
본 발명의 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물에 따르면, 상기 연마조절제로서 폴리머 중합체의 함량에 따라 슬러리 조성물의 점도를 조절하고 산성 영역에서 구리막 연마율을 조절하여 산화막/구리막 선택비 조절이 가능할 수 있다. 따라서, 상기 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법을 통해, 신뢰성 및 특성이 우수한 반도체 디바이스의 구리 배선층 등을 보다 효율적으로 형성할 수 있으므로, 고성능의 반도체 디바이스를 얻는데 크게 기여할 수 있다.
Description
본 발명은 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
최근, 반도체집적회로(large scale integration; LSI)의 고집적화, 고성능화에 따라 새로운 미세 가공 기술이 개발되고 있다. 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP) 방법도 그 중 하나이고, LSI 제조 공정, 특히 다층 배선 형성 공정에 있어서 층간 절연막의 평탄화, 금속 플러그 형성 및 매립 배선 형성 등에 있어서 빈번하게 이용되는 기술이다. 또한, 최근에는 LSI를 고성능화하기 위해서 배선 재료로서 구리 또는 구리 합금이 사용되고 있다. 그러나, 구리 또는 구리 합금은 종래의 알루미늄 합금 배선의 형성에 빈번하게 사용된 드라이 에칭 방법에 의한 미세가공이 곤란하다. 따라서, 미리 홈이 형성되어 있는 절연막 상에 구리 또는 구리 합금 박막을 퇴적하여 매립하고, 홈 부분 이외의 구리 또는 구리 합금의 박막을 CMP에 의해 제거하여 매립 배선을 형성하는, 다마신(Damascene) 방법이 주로 이용되고 있다.
일반적으로 구리 또는 구리 합금의 배선 형성이나 텅스텐 등의 플러그 배선의 형성과 같은 금속 매립 형성에 있어서, 금속 막질에 대해 높은 연마량을 갖는 1차 연마 슬러리를 사용하여 대부분의 금속 막질을 제거하고, 금속 매립 부분과 유전막에 대해서 동등한 연마속도를 갖는 2차 연마 슬러리를 사용함으로써 디싱(dishing)과 부식(erosion) 등의 표면 결함이 발생하는 문제가 있다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 산성 영역에서 구리막과 산화막의 연마율을 조절할 수 있는 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물을 제공하고자 한다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따른 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물은, 연마입자; 구리 착화제; 산화제 및 연마조절제;를 포함한다.
상기 연마입자는, 금속산화물, 상기 금속산화물을 표면개질시킨 무기입자, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마입자는, 상기 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
상기 연마입자는, 5 nm 내지 100 nm의 1차 입자 및 50 nm 내지 300 nm의 2차 입자를 포함하는 것일 수 있다.
상기 구리 착화제는, 아민기, 카르복실기 및 아마이드 결합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 구리 착화제는, 글라이신, 세린, 아스파라긴, 글루타민 및 아르기닌으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 구리 착화제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%인 것일 수 있다.
상기 산화제는, 과산화수소, 과산화항산암모늄, 벤조일 퍼옥사이드, 칼슘 퍼옥사이드, 바륨 퍼옥사이드 및 소듐 퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 산화제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 5 중량%인 것일 수 있다.
상기 연마조절제는, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리스티렌-아크릴산 공중합체, 아크릴산-말레산 공중합체, 아크릴산-에틸렌 공중합체, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체 및 아크릴산-폴리아크릴아마이드 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마조절제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 1.0 중량%인 것일 수 있다.
상기 슬러리 조성물은, pH가 2 내지 5인 것일 수 있다.
상기 슬러리 조성물은, 점도가 1.0 내지 2.5 cps인 것일 수 있다.
상기 연마 대상막은 구리 함유막을 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물에 따르면, 상기 연마조절제로서 폴리머 중합체의 함량에 따라 슬러리 조성물의 점도를 조절하고 산성 영역에서 구리막 연마율을 조절하여 산화막/구리막 선택비 조절이 가능할 수 있다. 따라서, 상기 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법을 통해, 신뢰성 및 특성이 우수한 반도체 디바이스의 구리 배선층 등을 보다 효율적으로 형성할 수 있으므로, 고성능의 반도체 디바이스를 얻는데 크게 기여할 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬러리 조성물을 이용하여 웨이퍼 연마 후 점도에 따른 MRR(material removal rate) 변화를 나타낸 그래프이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 측면에 따른 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물 (이하, '슬러리 조성물' 이라고 함)은, 연마입자; 구리 착화제; 산화제 및 연마조절제;를 포함한다.
상기 연마입자는, 금속산화물, 상기 금속산화물을 표면개질시킨 무기입자, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마입자는, 상기 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것일 수 있다. 상기 연마입자가 0.1 중량% 미만인 경우 산화막 연마 속도가 감소되며, 10 중량% 초과일 경우에는, 연마입자에 의한 결함 발생이 우려된다.
상기 연마입자는, 5 nm 내지 100 nm의 1차 입자 및 50 nm 내지 300 nm의 2차 입자를 포함하는 것일 수 있다. 상기 슬러리 조성물 중 1차 입자의 평균 크기에 있어서, 액상에서 합성하기 때문에 입자 균일성을 확보하기 위해서 100 nm 이하이어야 하며, 5 nm 미만일 경우에는 연마율이 저하되는 문제점이 있을 수 있다.
상기 구리 착화제는, 아민기, 카르복실기 및 아마이드 결합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 구리 착화제는, 지방족 아미노산, 하이드록실기를 포함하는 비방향족 아미노산, 황을 포함하는 아미노산, 산성 아미노산, 염기성 아미노산, 방향족 아미노산 및 이미노산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 구체적으로, 상기 구리 착화제는, 예를 들어, 글라이신, 세린, 아스파라긴, 글루타민 및 아르기닌으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 구리 착화제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%인 것일 수 있다. 상기 구리 착화제가 이러한 함량으로 포함됨에 따라, 상기 연마 대상막의 연마 속도를 최적화하면서도, 연마된 후의 연마 대상막 표면에 디싱 또는 이로젼 등이 발생하는 것을 줄일 수 있다. 상기 구리 착화제가 지나치게 큰 함량으로 포함되는 경우, 연마 대상막의 표면에 디싱 및 부식 등이 발생할 수 있고, 상기 연마 대상막의 균일도, 즉, WIWNU(Within Wafer Non-Uniformity)가 악화될 수 있다.
상기 산화제는 연마 대상막, 예를 들어, 구리막을 산화시켜 산화막을 형성하는 작용을 하며, 이러한 산화막을 슬러리 조성물의 물리적, 화학적 연마 작용에 의해 제거함으로써 상기 연마 대상막에 대한 CMP 연마가 진행된다.
상기 산화제는, 과산화수소, 과산화항산암모늄, 벤조일 퍼옥사이드, 칼슘 퍼옥사이드, 바륨 퍼옥사이드 및 소듐 퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 산화제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 5 중량%인 것일 수 있다. 상기 산화제의 함량이 약 0.001 중량% 미만인 경우에는 상기 연마 대상막에 대한 연마 속도가 저하될 수 있고, 상기 산화제의 함량이 약 5 중량% 초과인 경우에는 상기 연마 대상막 표면의 산화막이 하드(hard)해져서 연마가 이루어지지 않고 산화막이 성장하여 구리막의 특성을 저하시킬 수 있다.
상기 연마조절제는, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리스티렌-아크릴산 공중합체, 아크릴산-말레산 공중합체, 아크릴산-에틸렌 공중합체, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체 및 아크릴산-폴리아크릴아마이드 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마조절제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 1 중량%인 것일 수 있다. 상기 연마조절제가 0.001 중량% 미만인 경우 산성 영역에서 연마 억제 구현하기 어렵고 분산 안정성이 저하되어 슬러리 품질이 낮아지는 문제가 있고, 1 중량% 초과인 경우 막질 표면 결함 발생시키는 문제점이 있다.
상기 연마조절제로서 폴리머 중합체는 점도를 조절함으로써 산성 영역에서 구리 구리막 및 산화막 연마율 조절이 가능하다. 상기 슬러리 조성물은, 점도가 1.0 cps 내지 2.5 cps인 것일 수 있다. 일반적으로, 고분자량을 가지는 중합체는 특정분자량 이상에서 분자간의 얽힘(entanglement)에 의해 점도 가 증가하는 특성이 있다. 상기 연마조절제를 많이 첨가할수록 점도가 상승하는 경향을 나타낸다.
상기 슬러리 조성물은, 부식방지제를 더 포함하는 것일 수 있다. 상기 부식방지제는, 벤조트리아졸(BTA), 1,2,4-트리아졸, 5-아미노테트라졸(ATA), 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 3-아미노1,2,4 트리아졸, 톨리 트리아졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 3-아미노-5-메틸-4H-1,2,4 트리아졸, K-소베이트, 2-아미노피리미다인(2-aminopyrimidine), 하이드록시 큐이노라인(hydroxy quinoline), N-페닐-1,4-페닐렌아민(N-phenyl-1,4-phenleneaine), 헥실 벤조트리아졸(Hexyl-benzotriazole), 폴리파이롤(Polypyrrole), 도데실 벤젠 설퍼네이트, 도데실 벤젠 설퍼닉 엑시드, 암모늄 라우릴 설페이트, 암모늄 도데실 설페이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 라우레스 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트, 소듐 라우릴 에테르 설페이트, 소듐 파레스 설페이트, 소듐 크실렌 설포네이트, 포타슘 라우릴 설페이트, 알킬벤젠설포네이트, 퍼플루오로옥타노에이트 및 퍼플루오로옥탄설포네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 부식방지제는, 부식 억제 효과, 연마 속도 및 슬러리 조성물의 저장 안정성 측면에서 상기 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 1 중량%인 것일 수 있다. 상기 부식방지제가 0.001 중량% 미만인 경우 구리막의 연마제어가 불가능하여 디싱 문제가 발생할 수 있고, 상기 부식방지제가 1 중량% 초과인 경우 구리막의 연마가 낮아지고 유기물 잔여물이 남는 문제가 발생할 수 있다.
상기 슬러리 조성물은, pH가 2 내지 5인 것일 수 있다. 산성 영역에서 안정성을 확보한 구리막 산화막 및 배리어 연마용 슬러리 조성물일 수 있다.
상기 연마조절제로서 폴리머 중합체의 함량에 따라 점도를 조절할 수 있으며, 점도가 증가함에 따라 구리막의 연마율을 낮아지고 산화막의 연마율은 높아지는 경향이 있다. 따라서, 상기 연마조절제로서 폴리머 중합체의 함량에 따라 구리막 연마율을 조절하여 산화막 및 구리막의 선택비를 조절할 수 있다.
상기 연마 대상막은 구리 함유막을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 슬러리 조성물은, 구리 함유막과 배리어막으로 사용되는 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 박막 또는 반도체 소자의 절연막으로 사용되는 산화막에 대해 원하는 연마율을 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 슬러리 조성물은 연마 대상막과 다른 박막 간의 우수한 연마 선택비도 나타낼 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따른 구리막 및 산화막을 연마하는 방법은, 상기 제1 측면에 따른 슬러리 조성물을 이용하는 것이다. 기판 상의 구리 함유막과, CMP를 위한 연마 장치의 연마 패드 사이에 상기 제1 측면에 따른 슬러리 조성물을 공급하면서, 상기 구리 함유막과 연마 패드를 접촉시킨 상태로 상대적으로 이동시켜 상기 구리 함유막을 연마한다.
본 발명의 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법에 따르면, 상기 연마조절제로서 폴리머 중합체의 함량에 따라 슬러리 조성물의 점도를 조절하고 산성 영역에서 구리막 연마율을 조절하여 산화막/구리막 선택비 조절이 가능할 수 있다. 따라서, 상기 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법을 통해, 신뢰성 및 특성이 우수한 반도체 디바이스의 구리 배선층 등을 보다 효율적으로 형성할 수 있으므로, 고성능의 반도체 디바이스를 얻는데 크게 기여할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
[실시예]
하기 표 1에 기재된 함량에 따라 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물을 제조 하였다.
| 연마입자 (중량%) |
연마조절제 (중량%) |
구리착화제 (중량%) |
산화제 (중량%) |
|||||
| #1 | 콜로이달 실리카 | 8.0 | 아크릴 공중합체 |
0.01 | 글라이신 | 1.0 | 과산화수소 | 0.05 |
| #2 | 0.05 | |||||||
| #3 | 0.2 | |||||||
| #4 | 0.5 | |||||||
| pH | 점도 | PSD (nm) |
구리막 제거율 (Å/min) |
산화막 제거율 (Å/min) |
선택비 | |
| #1 | 3.41 | 1.24 | 62.71 | 459 | 683 | 1.49 |
| #2 | 3.43 | 1.46 | 61.55 | 367 | 713 | 1.94 |
| #3 | 3.44 | 1.72 | 63.43 | 289 | 837 | 2.90 |
| #4 | 3.42 | 1.92 | 61.94 | 202 | 950 | 4.17 |
연마조절제 농도를 달리하여 구리막과 산화막 제거성능을 비교하였다. 표 2에 표 1에서의 슬러리 조성물 조건에 대한 물성과 막질 제거성능을 나타내었다. 도 1은 본 발명의 일 실시예에 따른 슬러리 조성물을 이용하여 웨이퍼 연마 후 점도에 따른 MRR(material removal rate) 변화를 나타낸 그래프이다. 상기 표 2 및 도 1에서 나타낸 바와 같이, 연마 조절제 함량을 증가시킬수록 슬러리 조성물의 점도가 증가하고, 구리막과 산화막의 선택비가 증가하는 것을 알 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시 예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시 예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.
Claims (14)
- 연마입자;
구리 착화제;
산화제; 및
연마조절제;
를 포함하는, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마입자는,
금속산화물, 상기 금속산화물을 표면개질시킨 무기입자, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마입자는, 상기 슬러리 조성물 중 0.1 중량% 내지 10 중량%인 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마입자는, 5 nm 내지 100 nm의 1차 입자 및 50 nm 내지 300 nm의 2차 입자를 포함하는 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 구리 착화제는, 아민기, 카르복실기 및 아마이드 결합으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 구리 착화제는, 글라이신, 세린, 아스파라긴, 글루타민 및 아르기닌으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 구리 착화제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.01 중량% 내지 2 중량%인 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 산화제는, 과산화수소, 과산화항산암모늄, 벤조일 퍼옥사이드, 칼슘 퍼옥사이드, 바륨 퍼옥사이드 및 소듐 퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 산화제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 5 중량%인 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마조절제는, 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리스티렌-아크릴산 공중합체, 아크릴산-말레산 공중합체, 아크릴산-에틸렌 공중합체, 아크릴산-아크릴아미드 공중합체 및 아크릴산-폴리아크릴아마이드 공중합체로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마조절제는, 상기 슬러리 조성물 중 0.001 중량% 내지 1.0 중량%인 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 슬러리 조성물은, pH가 2 내지 5인 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 슬러리 조성물은, 점도가 1.0 내지 2.5 cps인 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 연마 대상막은 구리 함유막을 포함하는 것인, 구리막 및 산화막의 연마용 슬러리 조성물.
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|---|---|---|---|
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|---|---|---|---|
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Family
ID=53036779
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170075308A (ko) * | 2015-12-23 | 2017-07-03 | 솔브레인 주식회사 | 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
| WO2020138737A1 (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 주식회사 케이씨텍 | 일액형 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| KR20210050246A (ko) * | 2019-10-28 | 2021-05-07 | 주식회사 케이씨텍 | 산화막 고연마율 연마용 슬러리 조성물 |
| KR20230015013A (ko) * | 2021-07-22 | 2023-01-31 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 반도체 공정용 연마 조성물 및 연마 조성물을 적용한 반도체 소자의 제조 방법 |
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- 2013-10-16 KR KR20130123276A patent/KR20150044479A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20170075308A (ko) * | 2015-12-23 | 2017-07-03 | 솔브레인 주식회사 | 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마방법 |
| WO2020138737A1 (ko) * | 2018-12-28 | 2020-07-02 | 주식회사 케이씨텍 | 일액형 연마 슬러리 조성물 및 이를 이용한 연마 방법 |
| KR20210050246A (ko) * | 2019-10-28 | 2021-05-07 | 주식회사 케이씨텍 | 산화막 고연마율 연마용 슬러리 조성물 |
| KR20230015013A (ko) * | 2021-07-22 | 2023-01-31 | 에스케이엔펄스 주식회사 | 반도체 공정용 연마 조성물 및 연마 조성물을 적용한 반도체 소자의 제조 방법 |
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