KR20160073036A - 표면개질된 연마입자, 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물 - Google Patents

표면개질된 연마입자, 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물 Download PDF

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Abstract

본 발명은 표면개질된 연마입자, 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것으로서, 본 발명의 제1 측면에 따른 표면개질된 연마입자는, 연마입자; 및 상기 연마입자의 표면에 형성되고, pH 2 내지 5 영역에서 양전하를 가지는 화합물;을 포함한다.

Description

표면개질된 연마입자, 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물{SURFACE-MODIFIED ABRASIVE AND POLISHING SLURRY COMPOSITION COMPRISING THE SAME}
본 발명은 표면개질된 연마입자, 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물에 관한 것이다.
최근, 반도체집적회로(large scale integration; LSI)의 고집적화, 고성능화에 따라 새로운 미세 가공 기술이 개발되고 있다. 화학기계적 연마(chemical mechanical polishing; CMP) 방법도 그 중 하나이고, LSI 제조 공정, 특히 다층 배선 형성 공정에 있어서 층간 절연막의 평탄화, 금속 플러그 형성 및 매립 배선 형성 등에 있어서 빈번하게 이용되는 기술이다. 또한, 최근에는 LSI를 고성능화하기 위해서 배선 재료로서 구리 또는 구리 합금이 사용되고 있다. 그러나, 구리 또는 구리 합금은 종래의 알루미늄 합금 배선의 형성에 빈번하게 사용된 드라이 에칭 방법에 의한 미세가공이 곤란하다. 따라서, 미리 홈이 형성되어 있는 절연막 상에 구리 또는 구리 합금 박막을 퇴적하여 매립하고, 홈 부분 이외의 구리 또는 구리 합금의 박막을 CMP에 의해 제거하여 매립 배선을 형성하는, 다마신(Damascene) 방법이 주로 이용되고 있다.
일반적으로, 연마입자의 표면 전하가 (-)를 띄고 있어, 연마 시 연마 대상막과 연마 입자간의 전기적 인력에 의해 연마 대상막에 강하게 접촉된 입자에 의해 연막질의 경우 스크래치, 파티클 흡착과 같은 표면 결함을 초래 하게 된다.
본 발명은 상술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 본 발명의 목적은, 연막질의 메탈 표면을 연마할 때 발생하는 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함을 효과적으로 줄이는 표면개질된 연마입자, 그를 포함하는 연마 슬러리 조성물을 제공하는 것이다.
그러나, 본 발명이 해결하고자 하는 과제는 이상에서 언급한 과제로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 통상의 기술자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 제1 측면에 따른 표면개질된 연마입자는, 연마입자; 및 상기 연마입자의 표면에 형성되고, pH 2 내지 5 영역에서 양전하를 가지는 화합물;을 포함한다.
상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 화합물은, 베타알라닌, 4-아미노발레르산, 4-아미노부티르산, 오르니틴, 시트룰린, 티오닌, 티로신, 2-아미노이소부티르산, 3-아미노프로피온산, 노르류신, 노르발린, 히드록시프롤린, 사르코신, 시스테인산, t-부틸글리신, t-부틸알라닌, 페닐글리신, 시클로헥실알라닌, N-아세틸-페닐알라닌 및 N-아세틸-류신으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마입자는 음의 제타전위를 가지는 것일 수 있다.
상기 표면개질된 연마입자는 양의 표면 제타전위를 가지는 것일 수 있다.
상기 표면개질된 연마입자의 양의 표면 제타전위는 +3 mV 내지 +46 mV인 것일 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따른 연마용 슬러리 조성물은, 본 발명의 제1 측면에 따른 표면개질된 연마입자; 착화제; 부식방지제; 및 산화제;를 포함한다.
상기 표면개질된 연마입자는 상기 연마용 슬러리 조성물 중 5 내지 10 중량%인 것일 수 있다.
상기 착화제는, 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산, 옥시카르복실산, 폴리카르복실산, 아미노산 및 포스폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 1 중량%인 것일 수 있다.
상기 부식방지제는, 이미다졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸(BTA), 5-아미노테트라졸(ATA), 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 3-아미노-1,2,4 트리아졸, 톨리 트리아졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 3-아미노-5-메틸-4H-1,2,4 트리아졸, K-소베이트, 2-아미노피리미딘, 하이드록시 퀴놀라인, N-페닐-1,4-페닐렌아민, 헥실 벤조트리아졸, 폴리피롤, 도데실 벤젠 설퍼네이트, 도데실 벤젠 설퍼닉 엑시드, 암모늄 라우릴 설페이트, 암모늄 도데실 설페이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 라우레스 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트, 소듐 라우릴 에테르 설페이트, 소듐 파레스 설페이트, 소듐 크실렌 설포네이트, 포타슘 라우릴 설페이트, 알킬벤젠설포네이트, 퍼플루오로옥타노에이트 및 퍼플루오로옥탄설포네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 0.05 중량%인 것일 수 있다.
상기 산화제는, 과산화수소, 우레아 과산화수소, 과탄산염, 과요오드산, 과요오드산염, 과염소산, 과염소산염, 과브롬산, 과브롬산염, 과붕산, 과붕산염, 과망간산, 과망간산염, 과황산염, 브롬산염, 염소산염, 크롬산염, 요오드산염, 요오드산, 과산화항산암모늄 및 벤조일 퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.01 내지 5 중량%인 것일 수 있다.
염산, 질산, 인산, 황산, 불산, 브롬산, 요오드산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 무기산 또는 무기산염; 및 포름산, 말론산, 말레인산, 옥살산, 초산, 아디프산, 구연산, 아디프산, 아세트산, 프로피온산, 푸마르산, 유산, 살리실산, 피멜린산, 벤조산, 숙신산, 프탈산, 부티르산, 글루타르산, 글루타민산, 글리콜산, 락트산, 아스파라긴산, 타르타르산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기산 또는 유기산염;으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 pH 조절제를 더 포함하는 것일 수 있다.
본 발명의 표면개질된 연마입자는 연마입자들의 응집을 감소시키고, 연마입자의 기계적 및 화학적 특성을 변화시키며, 연마입자의 제타전위를 변화시켜, 연마되는 기판상의 표면 결함의 개수를 감소시킬 수 있다. 본 발명의 연마용 슬러리 조성물은, 연마 대상막과 연마입자 간의 전기적 반발력을 극대화하여 연마 대상막의 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 발생을 최소화할 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 내지 비교예 2의 제타전위 및 표면결함 수를 나타낸 그래프이다.
도 2는 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 내지 비교예 2의 연마용 슬러리 조성물로 연마 후 결함 수 측정 결과이다.
이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예들을 상세히 설명한다. 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략할 것이다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어(terminology)들은 본 발명의 바람직한 실시예를 적절히 표현하기 위해 사용된 용어들로서, 이는 사용자, 운용자의 의도 또는 본 발명이 속하는 분야의 관례 등에 따라 달라질 수 있다. 따라서, 본 용어들에 대한 정의는 본 명세서 전반에 걸친 내용을 토대로 내려져야 할 것이다. 각 도면에 제시된 동일한 참조 부호는 동일한 부재를 나타낸다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성 요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다.
이하, 본 발명의 표면개질된 연마입자, 그를 포함하는 연마용 슬러리 조성물에 대하여 실시예 및 도면을 참조하여 구체적으로 설명하도록 한다. 그러나, 본 발명이 이러한 실시예 및 도면에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 제1 측면에 따른 표면개질된 연마입자는, 연마입자; 및 상기 연마입자의 표면에 형성되고, pH 2 내지 5 영역에서 양전하를 가지는 화합물;을 포함한다.
상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고, 상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다. 상기의 종류 중에서 실리카가 슬러리 조성물의 분산 안정성이 우수하고 연마 시 스크래치를 적게 발생시키므로 바람직하다.
상기 표면개질된 입자 크기는 30 내지 150 nm인 것일 수 있다. 상기 표면개질된 연마입자가 30 nm 미만일 경우에는 연마입자의 크기에 대한 연마율이 감소하고, 선택비 구현이 어려운 문제점이 있을 수 있고, 150 nm 초과인 경우에는 표면 결함, 연마율, 선택비의 조절이 어려운 문제점 있다.
상기 pH 2 내지 5 영역에서 양전하를 가지는 화합물에 의해 표면개질된 연마입자의 형상은 구형, 각형, 침상(針狀) 형상 및 판상(板狀) 형상으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있으며, 바람직하게는 구형인 것일 수 있다.
상기 연마입자는 음의 제타전위를 가지는 것일 수 있다.
상기 pH 2 내지 5 영역에서 양전하를 가지는 화합물은, 베타알라닌, 4-아미노발레르산, 4-아미노부티르산, 오르니틴, 시트룰린, 티오닌, 티로신, 2-아미노이소부티르산, 3-아미노프로피온산, 노르류신, 노르발린, 히드록시프롤린, 사르코신, 시스테인산, t-부틸글리신, t-부틸알라닌, 페닐글리신, 시클로헥실알라닌, N-아세틸-페닐알라닌 및 N-아세틸-류신으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 pH 2 내지 5 영역에서 양전하를 가지는 화합물에 의해 표면개질된 연마입자는 양의 표면 제타전위를 가지는 것일 수 있다.
상기 표면개질된 연마입자의 양의 표면 제타전위는 +3 mV 내지 +46 mV인 것일 수 있다.
본 발명의 제1 측면에 따른 표면개질된 연마입자는 연마입자들의 응집을 감소시키고, 연마입자의 기계적 및 화학적 특성을 변화시키며, 연마입자의 제타전위를 변화시켜, 연마되는 기판상의 표면 결함의 개수를 감소시킬 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따른 연마용 슬러리 조성물은 본 발명의 제1 측면에 따른 표면개질된 연마입자; 착화제; 부식방지제; 및 산화제;를 포함한다.
상기 표면개질된 연마입자는 상기 연마용 슬러리 조성물 중 5 내지 10 중량%인 것일 수 있다. 상기 표면개질된 연마입자가 5 중량% 미만인 경우 연마 속도가 저하되고, 10 중량% 초과인 경우 연마입자에 의한 결함 발생이 우려되는 문제점이 있다.
상기 착화제는, 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산, 옥시카르복실산, 폴리카르복실산, 아미노산 및 포스폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 착화제는, 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 1 중량%인 것일 수 있다. 상기 착화제가 이러한 함량으로 포함됨에 따라 연마 대상막의 연마 속도를 최적화하면서도, 연마된 후의 연마 대상막 표면에 디싱 또는 부식 등이 발생하는 것을 줄일 수 있다. 상기 착화제가 0.001 중량% 미만인 경우 연마 속도가 저하되고, 1 중량% 초과인 경우 연마 대상막의 표면에 부식 등이 발생할 수 있고, 상기 연마 대상막의 균일도, 즉, WIWNU(Within Wafer Non-Uniformity)가 악화될 수 있다.
상기 부식방지제는, 이미다졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸(BTA), 5-아미노테트라졸(ATA), 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 3-아미노-1,2,4 트리아졸, 톨리 트리아졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 3-아미노-5-메틸-4H-1,2,4 트리아졸, K-소베이트, 2-아미노피리미딘, 하이드록시 퀴놀라인, N-페닐-1,4-페닐렌아민, 헥실 벤조트리아졸, 폴리피롤, 도데실 벤젠 설퍼네이트, 도데실 벤젠 설퍼닉 엑시드, 암모늄 라우릴 설페이트, 암모늄 도데실 설페이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 라우레스 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트, 소듐 라우릴 에테르 설페이트, 소듐 파레스 설페이트, 소듐 크실렌 설포네이트, 포타슘 라우릴 설페이트, 알킬벤젠설포네이트, 퍼플루오로옥타노에이트 및 퍼플루오로옥탄설포네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 부식방지제는, 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 0.05 중량%인 것일 수 있다. 상기 부식방지제가 상기 혼합물 중 0.001 중량% 미만인 경우 스크래치 및 결함에 매우 취약해질 수 있고, 0.05 중량% 초과인 경우에는 금속막 연마율 제어가 어려운 문제점이 있다.
상기 산화제는, 과산화수소, 우레아 과산화수소, 과탄산염, 과요오드산, 과요오드산염, 과염소산, 과염소산염, 과브롬산, 과브롬산염, 과붕산, 과붕산염, 과망간산, 과망간산염, 과황산염, 브롬산염, 염소산염, 크롬산염, 요오드산염, 요오드산, 과산화항산암모늄 및 벤조일 퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것일 수 있다.
상기 산화제는, 상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.01 내지 5 중량%인 것일 수 있다. 상기 산화제가 상기 혼합물 중 0.01 중량% 미만인 경우 배리어 메탈의 연마 속도가 저하될 수 있고, 5 중량% 초과인 경우에는 배리어 메탈 표면의 산화 또는 부식이 지나치게 발생하여 국부적인 부식이 잔류하여 특성을 저하시킬 수 있다.
염산, 질산, 인산, 황산, 불산, 브롬산, 요오드산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 무기산 또는 무기산염; 및 포름산, 말론산, 말레인산, 옥살산, 초산, 아디프산, 구연산, 아디프산, 아세트산, 프로피온산, 푸마르산, 유산, 살리실산, 피멜린산, 벤조산, 숙신산, 프탈산, 부티르산, 글루타르산, 글루타민산, 글리콜산, 락트산, 아스파라긴산, 타르타르산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기산 또는 유기산염;으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 pH 조절제를 더 포함하는 것일 수 있다.
상기 연마용 슬러리 조성물의 연마 대상막은 구리 함유막을 포함하는 것일 수 있다. 또한, 상기 슬러리 조성물은, 구리 함유막과 배리어막으로 사용되는 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta), 루테늄(Ru), 몰리브덴(Mo), 코발트(Co) 및 금(Au)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 박막 또는 반도체 소자의 절연막으로 사용되는 산화막에 대해 원하는 연마율을 조절할 수 있다. 이에 따라, 상기 연마용 슬러리 조성물은 연마 대상막과 다른 박막 간의 우수한 연마 선택비도 나타낼 수 있다.
본 발명의 제2 측면에 따른 양의 표면 제타전위를 가지는 표면개질된 연마입자를 포함하는 연마용 슬러리 조성물은, 연마 대상막과 연마입자 간의 전기적 반발력을 극대화하여 연마 대상막의 스크래치, 디싱, 에로젼, 부식 등의 표면 결함의 발생을 최소화할 수 있다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세하게 설명하고자 하나, 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며, 본 발명의 범위를 한정하고자 하는 것은 아니다.
[실시예 1]
연마입자는 40 nm 콜로이달 실리카 5 중량%, 구리 착화제로서 디카르복실산 1 중량%, 부식방지제로서 아졸화합물 0.03 중량%, 산화제로서 과산화수소 0.1 중량%, pH는 질산으로 조정하여 pH 3의 연마 조성물을 완성하였다. 이때 연마입자는 4-아미노부티르산으로 분산된 입자로, 표면 전하는 +20.08 mV였다.
[실시예 2]
연마입자를 베타알라닌으로 표면개질시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다. 표면개질된 콜로이달 실리카 연마입자의 표면전하는 +33.68mV였다.
[실시예 3]
연마입자를 4-아미노발레르산으로 표면개질시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다. 표면개질된 콜로이달 실리카 연마입자의 표면전하는 +42.36 mV였다.
[비교예 1]
연마입자를 표면개질시키지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였고, 표면전하는 -36.13 mV 였다.
[비교예 2]
연마입자를 10 k 폴리아크릴산 공중합체로 표면개질시킨 것을 제외하고는 실시예 1과 동일하게 제조하였다.
하기 표 1은 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 내지 비교예 2의 제타전위 및 표면결함 수를 나타낸 것이고, 도 1은 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 내지 비교예 2의 제타전위 및 표면결함 수를 나타낸 그래프이다.
제타전위
(mV)		 결함 수
(ea)
실시예 1 +20.08 89
실시예 2 +33.68 61
실시예 3 +42.36 76
비교예 1 -36.13 573
비교예 2 -33.94 451
도 2는 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 내지 비교예 2의 연마용 슬러리 조성물로 연마 후 결함 수 측정 결과이다.
표 1, 도 1 및 도 2를 참조하면, 실시예 1 내지 실시예 3은 아미노산으로 분산된 연마입자를 포함하는 연마용 슬러리 조성물로 연마했을 때, 스크래치 없이 표면결함이 양호한 것을 알 수 있다. 또한, 비교예 1은 아미노산을 첨가하지 않고 연마한 것이고, 비교예 2는 10 K 폴리아크릴산을 첨가한 것인데 실시예 1 내지 실시예 3과 비교할 때 결함이 월등히 많은 것을 알 수 있다. 이는 입자 표면에 아미노산이 흡착되지 않아 연마 시, 거친 연마입자 표면과 연막질과 접촉하여 서로 다른 표면 전하의 상호작용으로 인해 연막질의 결함을 상승시킨 것이다.
상기의 실시예 1 내지 실시예 3, 비교예 1 내지 비교예 2의 결과를 기초로 입자 표면전하는 양의 전하를 갖는 것이 유리하며, 음의 전하를 가질 경우 반대 전하를 갖는 막질 연마 시 상호작용에 의해 표면흡착으로 결함이 증가하는 것을 알 수 있다.
이상과 같이 본 발명은 비록 한정된 실시예와 도면에 의해 설명되었으나, 본 발명은 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 본 발명이 속하는 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 이러한 기재로부터 다양한 수정 및 변형이 가능하다. 그러므로, 본 발명의 범위는 설명된 실시예에 국한되어 정해져서는 아니 되며, 후술하는 특허청구범위뿐 아니라 이 특허청구범위와 균등한 것들에 의해 정해져야 한다.

Claims (12)

  1. 연마입자; 및
    상기 연마입자의 표면에 형성되고, pH 2 내지 5 영역에서 양전하를 가지는 화합물;
    을 포함하는, 표면개질된 연마입자.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 연마입자는, 금속산화물, 유기물 또는 무기물로 코팅된 금속산화물, 및 콜로이달 상태의 상기 금속산화물로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 금속산화물은 실리카, 세리아, 지르코니아, 알루미나, 티타니아, 바륨티타니아, 게르마니아, 망가니아 및 마그네시아로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 표면개질된 연마입자.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 화합물은, 베타알라닌, 4-아미노발레르산, 4-아미노부티르산, 오르니틴, 시트룰린, 티오닌, 티로신, 2-아미노이소부티르산, 3-아미노프로피온산, 노르류신, 노르발린, 히드록시프롤린, 사르코신, 시스테인산, t-부틸글리신, t-부틸알라닌, 페닐글리신, 시클로헥실알라닌, N-아세틸-페닐알라닌 및 N-아세틸-류신으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 것인, 표면개질된 연마입자.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 연마입자는 음의 제타전위를 가지는 것인, 표면개질된 연마입자.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 표면개질된 연마입자는 양의 표면 제타전위를 가지는 것인, 표면개질된 연마입자.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 표면개질된 연마입자의 양의 표면 제타전위는 +3 mV 내지 +46 mV인 것인, 표면개질된 연마입자.
  7. 제1항 내지 제6항 중 어느 한 항의 표면개질된 연마입자;
    착화제;
    부식방지제; 및
    산화제;
    를 포함하는 연마용 슬러리 조성물.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 표면개질된 연마입자는 상기 연마용 슬러리 조성물 중 5 내지 10 중량%인 것인, 연마용 슬러리 조성물.
  9. 제7항에 있어서,
    상기 착화제는, 모노카르복실산, 디카르복실산, 트리카르복실산, 옥시카르복실산, 폴리카르복실산, 아미노산 및 포스폰산으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 1 중량%인 것인,
    연마용 슬러리 조성물.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 부식방지제는, 이미다졸, 1,2,4-트리아졸, 벤조트리아졸(BTA), 5-아미노테트라졸(ATA), 5-메틸-1H-벤조트리아졸, 3-아미노-1,2,4 트리아졸, 톨리 트리아졸, 5-페닐-1H-테트라졸, 3-아미노-5-메틸-4H-1,2,4 트리아졸, K-소베이트, 2-아미노피리미딘, 하이드록시 퀴놀라인, N-페닐-1,4-페닐렌아민, 헥실 벤조트리아졸, 폴리피롤, 도데실 벤젠 설퍼네이트, 도데실 벤젠 설퍼닉 엑시드, 암모늄 라우릴 설페이트, 암모늄 도데실 설페이트, 소듐 도데실 설페이트, 소듐 라우레스 설페이트, 소듐 라우릴 설페이트, 소듐 라우릴 에테르 설페이트, 소듐 파레스 설페이트, 소듐 크실렌 설포네이트, 포타슘 라우릴 설페이트, 알킬벤젠설포네이트, 퍼플루오로옥타노에이트 및 퍼플루오로옥탄설포네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.001 내지 0.05 중량%인 것인,
    금속막 연마용 슬러리 조성물.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 산화제는, 과산화수소, 우레아 과산화수소, 과탄산염, 과요오드산, 과요오드산염, 과염소산, 과염소산염, 과브롬산, 과브롬산염, 과붕산, 과붕산염, 과망간산, 과망간산염, 과황산염, 브롬산염, 염소산염, 크롬산염, 요오드산염, 요오드산, 과산화항산암모늄 및 벤조일 퍼옥사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하고,
    상기 연마용 슬러리 조성물 중 0.01 내지 5 중량%인 것인,
    연마용 슬러리 조성물.
  12. 제7항에 있어서,
    염산, 질산, 인산, 황산, 불산, 브롬산, 요오드산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 무기산 또는 무기산염; 및
    포름산, 말론산, 말레인산, 옥살산, 초산, 아디프산, 구연산, 아디프산, 아세트산, 프로피온산, 푸마르산, 유산, 살리실산, 피멜린산, 벤조산, 숙신산, 프탈산, 부티르산, 글루타르산, 글루타민산, 글리콜산, 락트산, 아스파라긴산, 타르타르산 및 그의 염으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 어느 하나를 포함하는 유기산 또는 유기산염;
    으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 하나를 포함하는 pH 조절제를 더 포함하는 것인, 연마용 슬러리 조성물.

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