KR20150028692A - 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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아키히로 고지마
미요코 시마다
히데유키 도미자와
요시아키 스기자키
히데토 후루야마
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가부시끼가이샤 도시바
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Abstract

실시형태에 따른 반도체 발광 장치는, 반도체층과, 상기 반도체층 상에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 내에 배치된 제1 형광체 입자와, 상기 제1 수지층 상에 형성되고, 상기 제1 수지층에 접한 제2 수지층을 구비한다. 상기 제1 수지층에 있어서의 상기 제2 수지층에 접촉하고 있는 면에는 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부의 내부는 상기 제2 수지층의 일부에 의해 충전되어 있다.

Description

반도체 발광 장치 및 그 제조 방법{SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME}
후술하는 실시형태는 개략적으로 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
종래부터, 웨이퍼 상에 반도체층을 결정 성장시켜, 이 반도체층 상에 전극을 형성하고, 수지체에 의해 시일한 후, 웨이퍼를 제거하며, 반도체층의 노출면 상에 형광체층을 형성하여, 개편화함으로써, 반도체 발광 장치를 제조하는 방법이 제안되어 있다. 이 방법에 따르면, 웨이퍼 상에 형성한 미세한 구조체를 그대로 패키지화할 수 있어, 미세한 반도체 발광 장치를 효율적으로 제조할 수 있다.
본 발명의 실시형태는 신뢰성이 높은 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법을 제공한다.
실시형태에 따른 반도체 발광 장치는, 반도체층과, 상기 반도체층 상에 형성된 제1 수지층과, 상기 제1 수지층 내에 배치된 제1 형광체 입자와, 상기 제1 수지층 상에 형성되며, 상기 제1 수지층에 접한 제2 수지층을 구비한다. 상기 제1 수지층에 있어서의 상기 제2 수지층에 접촉하고 있는 면에는 오목부가 형성되어 있고, 상기 오목부의 내부는 상기 제2 수지층의 일부에 의해 충전되어 있다.
실시형태에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법은, 반도체층 상에, 복수의 제1 형광체 입자가 포함되는 제1 수지층을 형성하는 공정과, 상기 제1 수지층의 상부를 제거함으로써, 일부의 상기 제1 형광체 입자를 상기 제1 수지층으로부터 탈락시켜 오목부를 형성하는 공정과, 상기 제1 수지층 상에, 그 일부가 상기 오목부 내에 진입하도록, 제2 수지층을 형성하는 공정을 포함한다.
도 1a는 제1 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 단면도이고, 도 1b는 도 1a에 나타내는 영역(A)을 예시하는 일부 확대 단면도이다.
도 2a∼도 2c는 제1 실시형태에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법을 예시하는 부분 단면도이다.
도 3은 제2 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 부분 단면도이다.
도 4는 제3 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 부분 단면도이다.
도 5는 제4 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 부분 단면도이다.
도 6은 제5 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 단면도이다.
도 7은 제6 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 단면도이다.
이하, 도면을 참조하면서, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다.
우선, 제1 실시형태에 대해서 설명한다.
도 1a는 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 단면도이고, 도 1b는 도 1a에 나타내는 영역(A)을 예시하는 일부 확대 단면도이다.
도 1a에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(1)의 전체 형상은 직육면체이다. 반도체 발광 장치(1)에는, 반도체층(10)이 형성되어 있다. 반도체층(10)은, 예컨대 갈륨질화물(GaN)을 포함하는 화합물 반도체에 의해 형성되며, 하층측으로부터 순서대로, p형 클래드층(10p), 활성층(10a) 및 n형 클래드층(10n)이 적층된 LED(Light Emitting Diode: 발광 다이오드)층이다. 두께 방향에서 볼 때, 반도체층(10)의 형상은 직사각형이며, 4개의 코너부에 있어서는 p형 클래드층(10p) 및 활성층(10a)이 제거되어, 반도체층(10)의 하면에 n형 클래드층(10n)이 노출되어 있다. 또한, 반도체층(10)의 상면에는, 그 주기가 반도체층(10)의 출사광의 파장과 같은 정도인 미세한 요철이 형성되어 있다.
반도체층(10)의 하면 상에는, n측 전극(11n) 및 p측 전극(11p)이 설치되어 있다. n측 전극(11n)은 반도체층(10)의 n형 클래드층(10n)에 접속되어 있고, p측 전극(11p)은 반도체층(10)의 p형 클래드층(10p)에 접속되어 있다. 반도체층(10), n측 전극(11n) 및 p측 전극(11p)을 포함하는 구조체의 하면 및 측면을 덮도록, 시일 부재(12)가 형성되어 있다.
n측 전극(11n)의 하방에는 배선층(13n)이 형성되어 있고, 그 밑에는 n측 필러(14n)가 마련되어 있다. n측 필러(14n)는 배선층(13n)을 통해 n측 전극(11n)에 접속되어 있다. p측 전극(11p)의 하방에는 배선층(13p)이 형성되어 있고, 그 밑에는 p측 필러(14p)가 마련되어 있다. p측 필러(14p)는 배선층(13p)을 통해 p측 전극(11p)에 접속되어 있다. 그리고, 배선층(13n 및 13p), n측 필러(14n), p측 필러(14p)를 덮도록, 예컨대 흑색 수지 재료로 이루어지는 시일 부재(15)가 형성되어 있다. 시일 부재(15)의 하면에 있어서는, n측 필러(14n)의 하면 및 p측 필러(14p)의 하면이 노출되어 있다.
반도체층(10) 및 그 측방에 위치하는 시일 부재(12)의 상방에는, 수지층(21)이 형성되어 있다. 수지층(21)은 투명 또는 반투명의 수지 재료에 의해 형성되어 있고, 예컨대, 실리콘 수지에 의해 형성되어 있다. 수지층(21) 내에는, 다수의 형광체 입자(22)가 분산되어 있다. 형광체 입자(22)는 반도체층(10)으로부터 출사된 제1 색의 광을 흡수함으로써, 제2 색의 광을 발광하는 입자이다. 또한, 도시의 편의상, 도 1a에는 형광체 입자(22)가 실제보다 크게 그려져 있다.
수지층(21) 상에는, 수지층(23)이 형성되어 있다. 수지층(23)은 투명 또는 반투명의 수지 재료에 의해 형성되어 있고, 특정한 색의 광을 선택적으로 반사 또는 산란시키며, 다른 색의 광을 투과시키는 층이다. 수지층(23)의 하면(23b)은 수지층(21)의 상면(21a)에 접해 있다.
그리고, 도 1b에 나타내는 바와 같이, 수지층(21)의 상면(21a)에는, 다수의 오목부(21c)가 형성되어 있다. 오목부(21c)의 내부는 수지층(23)의 일부에 의해 충전되어 있다.
오목부(21c)의 크기는 형광체 입자(22)의 크기와 같은 정도이다. 즉, 오목부(21c)의 크기는 형광체 입자(22)가 감합할 수 있는 크기이다. 일부의 오목부(21c)의 형상은 접시형이며, 그 개구부, 즉 상단부의 직경이 오목부(21c)의 최대 직경으로 되어 있다. 다른 일부의 오목부(21c)의 형상은 단지형이며, 그 최대 직경이 개구부의 직경보다 크다. 단지형의 오목부(21c)의 최대 직경의 분포는 형광체 입자(22)의 직경의 분포와 거의 일치한다. 이 때문에, 적어도 하나의 오목부(21c)의 최대 직경은 형광체 입자(22)의 직경의 분포의 범위 내에 있다. 한편, 접시형의 오목부(21c)의 최대 직경의 분포는 형광체 입자(22)의 직경의 분포에 대하여, 작은 측으로 벗어나 있다. 따라서, 오목부(21c)의 최대 직경의 분포는 형광체 입자(22)의 직경 분포에 대하여, 같은 정도 및 그 이하의 범위로 확장되어 있다.
또한, 형광체 입자(22)의 직경의 평균값은, 예컨대, 15 ㎛ 정도이다. 형광체 입자의 직경 분포는, 형광체 입자의 평균 직경을 d라고 하면, 예컨대, 0.1d 이상, 2d 이하이다. 또한, 형광체 입자의 평균 직경 d는, 예컨대 체적 환산에서의 입경 D50으로 정의할 수 있다. 입경 D50이란, 누적하여 50％가 되는 체적 환산의 중심값이다. 이 경우, 적어도 하나의 오목부(21c)의 최대 직경은, (0.1×D50) 이상, (2×D50) 이하의 범위 내에 있다. 또한, 입경(D50)의 값으로서, 체적 환산 외에, 중량 환산 또는 개수 환산을 이용하여도 좋다.
다음에, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 2a∼도 2c는 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치의 제조 방법을 예시하는 부분 단면도이다.
또한, 도 2a∼도 2c에 있어서는, 도시의 편의상, 수지층(21) 및 형광체 입자(22)만을 나타내고 있다.
우선, 도 1a에 나타내는 바와 같이, 결정 성장용 기판(도시하지 않음) 상에 반도체층(10)을 에피택셜 성장시키고, 선택적으로 제거하여, 구획화한다. 다음에, n측 전극(11n) 및 p측 전극(11p)을 형성하고, 반도체층(10) 및 n측 전극(11n) 및 p측 전극(11p)을 매립하도록, 시일 부재(12)를 형성한다. 다음에, 시일 부재(12) 상에 배선층(13n 및 13p)을 형성하고, n측 필러(14n) 및 p측 필러(14p)를 형성하며, 이들을 매립하도록 시일 부재(15)를 형성한다. 다음에, 결정 성장용 기판을 제거하여 반도체층(10)을 노출시키고, 반도체층(10)의 노출면에 요철을 형성한다.
다음에, 도 1a 및 도 2a에 나타내는 바와 같이, 반도체층(10) 및 시일 부재(12)의 상방, 즉, 결정 성장용 기판이 마련되어 있던 측에, 다수의 형광체 입자(22)를 함유한 수지층(21)을 형성한다. 이때, 각 형광체 입자(22)의 표면은 수지층(21)에 의해 덮어지고, 수지층(21)의 상면(21a)에는, 형광체 입자(22)가 노출되지 않는다.
다음에, 도 2b에 나타내는 바와 같이, 수지층(21)의 상면(21a)에 대하여 예컨대 절삭 가공을 실시함으로써, 수지층(21)의 상부를 제거한다. 이에 의해, 일부의 형광체 입자(22)가 노출된다.
다음에, 도 2c에 나타내는 바와 같이, 더욱 절삭 가공을 계속한다. 이에 의해, 노출되어 있던 형광체 입자(22)가 수지층(21)으로부터 탈락하고, 탈락한 후에 오목부(21c)가 형성된다. 이때, 절삭 가공의 조건 및 공구를 적절하게 선택함으로써, 노출된 형광체 입자(22)를 보다 확실하게 탈락시킬 수 있다. 예컨대, 수지층(21)으로부터 부분적으로 노출된 형광체 입자(22)의 노출 부분을 공구가 걺으로써, 이 형광체 입자(22)를 수지층(21)으로부터 인출할 수 있다. 이와 같이 하여, 단지형의 오목부(21c)가 형성된다. 또는, 초음파 세정을 행함으로써, 수지층(21)으로부터 부분적으로 노출된 형광체 입자(22)를 강제적으로 압출하여도 좋다.
다음에, 도 1a 및 도 1b에 나타내는 바와 같이, 수지 재료를 도포하여, 수지층(21) 상에 수지층(23)을 형성한다. 이때, 수지층(23)을 형성하는 수지 재료는 수지층(21)의 오목부(21c) 내에도 침입하여, 오목부(21c)의 내부를 충전한다. 다음에, 반도체 발광 장치(1)의 출사광의 색도를 조정하기 위해, 수지층(23)의 상면에 대하여 절삭 가공을 실시하여, 수지층(23)의 두께를 조정한다. 이와 같이 하여, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(1)가 제조된다.
다음에, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(1)의 동작에 대해서 설명한다.
반도체 발광 장치(1)에 있어서는, p측 필러(14p)와 n측 필러(14n) 사이에 전압이 인가되면, 반도체층(10)이 예컨대 청색의 광을 출사한다. 수지층(21) 내에 배치된 형광체 입자(22)는, 반도체층(10)으로부터 출사된 광의 일부를 흡수하고, 예컨대 황색의 광을 발광한다. 반도체층(10)으로부터 출사된 광의 잔부는 수지층(21)을 투과한다. 이에 의해, 반도체 발광 장치(1)의 외부에는, 청색의 광과 황색의 광이 출사되기 때문에, 반도체 발광 장치(1)의 출사광은 백색이 된다.
이때, 반도체층(10)의 출사광의 파장은 프로세스 조건 등에 따라 변한다. 이 때문에, 형광체 입자(22)가 발광하는 광의 강도도 변한다. 이에 의해, 반도체 발광 장치(1)의 출사광의 색도가 변하게 된다. 그래서, 본 실시형태에 있어서는, 수지층(23)을 형성하고, 그 두께를 조정함으로써, 반도체 발광 장치(1)의 출사광의 색도를 조정한다. 수지층(23)은 반도체층(10)으로부터 출사된 광 또는 형광체 입자(22)로부터 발광된 광을 반사 또는 산란시킨다.
다음에, 본 실시형태의 효과에 대해서 설명한다.
본 실시형태에 있어서는, 수지층(21)의 상면(21a)에, 다수의 오목부(21c)가 형성되어 있고, 그 내부에 수지층(23)이 진입해 있다. 이 때문에, 앵커 효과에 의해, 수지층(21)과 수지층(23)의 밀착성이 높다. 이에 의해, 수지층(21)과 수지층(23)이 박리되기 어려워, 박리 등의 문제점이 발생하기 어렵다. 이 결과, 반도체 발광 장치(1)는 신뢰성이 높다.
또한, 오목부(21c) 내에 수지층(23)이 진입해 있기 때문에, 수지층(21)과 수지층(23)의 접촉 면적이 크다. 이 때문에, 수지층(21)으로부터 수지층(23)에의 광의 전달 효율이 높고, 광의 취출 효율이 높다. 또한, 수지층(21)과 수지층(23)의 계면에 요철 구조가 형성되어 있기 때문에, 이 계면에 있어서의 광의 전반사 성분이 적어진다. 이 결과, 수지층(21)과 수지층(23) 사이의 광의 전달 효율이 높다.
또한, 본 실시형태에서는, 수지층(21)의 상부를 제거함으로써, 수지층(21) 내에 포함되는 형광체 입자(22)의 일부를 노출시켜, 이것을 수지층(21)으로부터 탈락시킴으로써, 수지층(21)의 상면(21a)에 오목부(21c)를 형성하고 있다. 이 결과, 오목부(21c)를 용이하게 형성할 수 있다.
또한, 본 실시형태에 있어서는, 절삭 가공의 조건 및 공구를 적절하게 선택한 뒤에, 수지층(21)의 상면에 대하여 절삭 가공을 행함으로써, 부분적으로 노출된 형광체 입자(22)의 대부분을 강제적으로 탈락시키고 있다. 이에 의해, 단지형의 오목부(21c)가 다수 형성되어, 전술한 앵커 효과 및 접촉 면적을 증가시키는 효과를 높일 수 있다. 또한, 절삭 가공에 의해 손상을 입은 형광체 입자(22)를 제거할 수 있기 때문에, 손상을 입은 형광체 입자(22)에서 기인하여 반도체 발광 장치(1)의 발광 특성이 저하하는 것을 억제할 수 있다.
다음에, 제2 실시형태에 대해서 설명한다.
도 3은 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 부분 단면도이다.
또한, 도 3에 있어서는, 도시의 편의상, 반도체층(10), n측 전극(11n) 및 p측 전극(11p), 시일 부재(12), 배선층(13n 및 13p), n측 필러(14n), p측 필러(14p), 시일 부재(15)는 생략되어 있다. 후술하는 도 4에 대해서도 동일하다.
도 3에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(2)에 있어서는, 수지층(23) 내에, 나노 입자(26) 및 미소 입자(27)가 형성되어 있다. 나노 입자(26)는 광을 선택적으로 반사 또는 산란시키기 위한 입자이다. 나노 입자(26)는 형광체 입자(22)보다 작고, 그 직경은 예컨대 100 ㎚ 이하이다. 나노 입자(26)는, 예컨대 실리콘 산화물, 알루미늄 산화물, 티타늄 산화물 등의 금속 산화물에 의해 형성되어 있다.
미소 입자(27)는 수지층(23)의 상면에 오목부를 형성하기 위한 입자이다. 미소 입자(27)의 직경은 반도체층(10)의 출사광의 파장 또는 형광체 입자(22)의 발광광의 파장과 같은 정도이며, 예컨대, 수백 ㎚ 정도이다. 그리고, 본 실시형태에 있어서는, 수지층(23)의 상면(23a)에, 오목부(23c 및 23d)가 형성되어 있다. 오목부(23c)의 크기는 나노 입자(26)의 크기와 같은 정도이며, 오목부(23d)의 크기는 미소 입자(27)의 크기와 같은 정도이다. 본 실시형태에 있어서의 상기 이외의 효과는 전술한 제1 실시형태와 동일하다.
본 실시형태에 있어서는, 나노 입자(26) 및 미소 입자(27)를 포함하는 수지 재료를 도포함으로써, 수지층(23)을 형성한다. 그리고, 수지층(23)의 두께를 조정하기 위해, 수지층(23)의 상면(23a)을 절삭하면, 나노 입자(26)의 일부 및 미소 입자(27)의 일부가 수지층(23)의 상면(23a)에 노출되고, 이들이 탈락함으로써, 상면(23a)에 오목부(23c 및 23d)가 형성된다. 본 실시형태에 있어서의 상기 이외의 제조 방법은 전술한 제1 실시형태와 동일하다.
본 실시형태에 따르면, 수지층(23) 내에 미소 입자(27)를 함유시킴으로써, 수지층(23)의 상면(23a)에 오목부(23d)를 형성할 수 있다. 그리고, 미소 입자(27)의 크기를 선택함으로써, 오목부(23d)의 크기를 제어할 수 있다. 이에 의해, 상면(23a)에 임의의 크기의 오목부를 형성하여, 광의 취출 효율을 높일 수 있다. 본 실시형태에 있어서의 상기 이외의 동작 및 효과는 전술한 제1 실시형태와 동일하다.
또한, 나노 입자(26)는 수지층(21) 내에도 분산시켜도 좋다. 이 경우, 수지층(23) 내의 나노 입자(26)의 개수 밀도는 수지층(21) 내의 나노 입자(26)의 개수 밀도보다 높은 것이 바람직하다.
다음에, 제3 실시형태에 대해서 설명한다.
도 4는 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 부분 단면도이다.
도 4에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(3)에 있어서는, 전술한 제2 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(2)(도 3 참조)의 구성에 더하여, 수지층(23) 내에 형광체 입자(28)가 형성되어 있다. 형광체 입자(28)는 반도체층(10)으로부터 출사되는 광을 흡수하여, 반도체층(10)의 출사광과는 상이하며 형광체 입자(22)의 발광광과도 상이한 파장의 광을 발광한다. 예컨대, 형광체 입자(28)가 발광하는 광의 파장은 반도체층(10)의 출사광의 파장보다 길고, 형광체 입자(22)의 발광광의 파장보다 짧다.
일례에서는, 반도체층(10)이 청색의 광을 출사하며, 형광체 입자(22)가 적색의 광을 발광하고, 형광체 입자(28)가 녹색의 광을 발광한다. 또한, 수지층(23)의 상면(23a)에는, 오목부(23c 및 23d)에 더하여, 형광체 입자(28)가 탈락한 흔적인 오목부(23e)가 형성되어 있다. 본 실시형태에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 동작 및 효과는 전술한 제2 실시형태와 동일하다.
다음에, 제4 실시형태에 대해서 설명한다.
도 5는 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 부분 단면도이다.
도 5에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(4)는 전술한 제2 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(2)(도 3 참조)와 비교하여, 미소 입자(27)가 형성되어 있지 않은 점이 상이하다. 즉, 수지층(23) 내에는, 나노 입자(26)만이 포함되어 있다. 이 때문에, 수지층(23)의 상면(23a)에는, 오목부(23d)는 형성되어 있지 않다. 본 실시형태에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 동작 및 효과는 전술한 제2 실시형태와 동일하다.
다음에, 제5 실시형태에 대해서 설명한다.
도 6은 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 단면도이다.
도 6에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(5)는 전술한 제1 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(1)(도 1a 참조)와 비교하여, 상층의 수지층(23)의 형상이 렌즈형인 점이 상이하다. 수지층(23)의 형상은, 예컨대 구형(球型)의 일부이다.
본 실시형태에 있어서는, 수지층(23)의 형상을 렌즈형으로 함으로써, 수지층(21)의 상면(21a)으로부터 출사한 광을, 직상 방향을 향하여 집광할 수 있다. 이에 의해, 반도체 발광 장치(5)의 출사광의 지향성이 향상된다. 본 실시형태에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 동작 및 효과는 전술한 제1 실시형태와 동일하다.
다음에, 제6 실시형태에 대해서 설명한다.
도 7은 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치를 예시하는 단면도이다.
도 7에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(6)는 전술한 제1 실시형태에 따른 반도체 발광 장치(1)(도 1a 참조)와 비교하여, 수지층(23)이 수지층(21)의 상면(21a) 및 측면(21d)을 덮도록 형성되어 있고, 수지층(23)의 형상이 렌즈형으로 되어 있는 점이 다르다.
본 실시형태에 있어서는, 수지층(23)을, 수지층(21)의 상면(21a) 및 측면(21d)을 덮는 렌즈형으로 형성함으로써, 수지층(21)의 상면(21a)으로부터 출사된 광에 더하여, 수지층(21)의 측면(21d)으로부터 출사된 광도 수지층(23)을 통과시켜 색도를 조정하고, 또한, 직상 방향을 향하여 집광할 수 있다. 이에 의해, 반도체 발광 장치(6)의 출사광의 지향성이 향상되며, 광의 취출 효율이 증가한다. 본 실시형태에 있어서의 상기 이외의 구성, 제조 방법, 동작 및 효과는 전술한 제1 실시형태와 동일하다.
또한, 전술한 각 실시형태에 있어서는, 수지층(21 및 23)의 상부를 제거하는 수단으로서, 절삭 가공을 실시하는 예를 나타내었지만, 이것에 한정되지는 않는다. 예컨대, 드라이 에칭에 의해, 수지층(21 및 23)의 상부를 제거하여도 좋다. 이 경우, 예컨대, 에칭 후의 수지층에 대하여, 차지 업하지 않도록 탄산수를 부가하면서, 브러시 연삭을 실시함으로써, 노출된 형광체 입자 등을 탈락시켜도 좋다.
이상 설명한 실시형태에 따르면, 신뢰성이 높은 반도체 발광 장치 및 그 제조 방법을 실현할 수 있다.
이상, 본 발명의 몇몇 실시형태를 설명하였지만, 이들 실시형태는 예로서 제시한 것이고, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규의 실시형태는, 그 밖의 여러가지 형태로 실시되는 것이 가능하고, 발명의 요지를 일탈하지 않는 범위에서, 여러가지의 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은 발명의 범위나 요지에 포함되며, 특허청구범위에 기재된 발명 및 그 등가물의 범위에 포함된다. 또한, 전술한 각 실시형태는 서로 조합하여 실시할 수 있다.

Claims (10)

  1. 반도체층과,
    상기 반도체층 상에 형성된 제1 수지층과,
    상기 제1 수지층 내에 배치된 제1 형광체 입자와,
    상기 제1 수지층 상에 형성되며, 상기 제1 수지층에 접한 제2 수지층
    을 구비하고,
    상기 제1 수지층에 있어서의 상기 제2 수지층에 접촉하고 있는 면에는 오목부가 형성되어 있으며,
    상기 오목부의 내부는 상기 제2 수지층의 일부에 의해 충전되어 있는 것인 반도체 발광 장치.
  2. 제1항에 있어서, 일부의 상기 오목부의 최대 직경은 개구부의 직경보다 큰 것인 반도체 발광 장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 제2 수지층 내에 배치된 제2 형광체 입자를 더 구비한 반도체 발광 장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 제2 수지층 내에 배치된 미소 입자를 더 구비하고, 상기 제2 수지층의 상면에는, 그 크기가 상기 미소 입자의 크기와 같은 정도의 오목부가 형성되어 있는 것인 반도체 발광 장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 오목부의 크기는, 상기 제1 형광체 입자의 크기와 같은 정도인 것인 반도체 발광 장치.
  6. 제1항에 있어서, 상기 오목부의 크기는, 상기 제1 형광체 입자의 직경 분포의 범위 내에 있는 것인 반도체 발광 장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 오목부는, 상기 제1 수지층의 상면으로부터 상기 제1 형광체 입자가 제거되어 형성된 것인 반도체 발광 장치.
  8. 반도체층 상에, 복수의 제1 형광체 입자가 포함되는 제1 수지층을 형성하는 공정과,
    상기 제1 수지층의 상부를 제거함으로써, 일부의 상기 제1 형광체 입자를 상기 제1 수지층으로부터 탈락시켜 오목부를 형성하는 공정과,
    상기 제1 수지층 상에, 그 일부가 상기 오목부 내에 진입하도록, 제2 수지층을 형성하는 공정
    을 포함한 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 수지층의 상부의 제거는, 상기 제1 수지층의 상면의 연삭에 의해 행하는 것인 반도체 발광 장치의 제조 방법.
  10. 제8항에 있어서, 상기 제2 수지층의 상부를 제거하는 공정을 더 포함하고,
    상기 제2 수지층에는 미소 입자를 함유시키는 것인 반도체 발광 장치의 제조 방법.
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