KR20150008927A - 성막 장치 - Google Patents

성막 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20150008927A
KR20150008927A KR20147036523A KR20147036523A KR20150008927A KR 20150008927 A KR20150008927 A KR 20150008927A KR 20147036523 A KR20147036523 A KR 20147036523A KR 20147036523 A KR20147036523 A KR 20147036523A KR 20150008927 A KR20150008927 A KR 20150008927A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
film
chamber
organic compound
vapor
pressure
Prior art date
Application number
KR20147036523A
Other languages
English (en)
Inventor
가즈히코 사이토우
마사유키 이이지마
다카요시 히로노
겐지 나카모리
Original Assignee
가부시키가이샤 알박
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 알박 filed Critical 가부시키가이샤 알박
Publication of KR20150008927A publication Critical patent/KR20150008927A/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/48—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating by irradiation, e.g. photolysis, radiolysis, particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D1/00—Processes for applying liquids or other fluent materials
    • B05D1/60—Deposition of organic layers from vapour phase
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D3/00—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials
    • B05D3/06—Pretreatment of surfaces to which liquids or other fluent materials are to be applied; After-treatment of applied coatings, e.g. intermediate treating of an applied coating preparatory to subsequent applications of liquids or other fluent materials by exposure to radiation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/228—Gas flow assisted PVD deposition
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/246—Replenishment of source material
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/56—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks
    • C23C14/562—Apparatus specially adapted for continuous coating; Arrangements for maintaining the vacuum, e.g. vacuum locks for coating elongated substrates
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
    • C23C16/4409—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber characterised by sealing means
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/54—Apparatus specially adapted for continuous coating
    • C23C16/545—Apparatus specially adapted for continuous coating for coating elongated substrates
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D—PROCESSES FOR APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05D2252/00—Sheets
    • B05D2252/02—Sheets of indefinite length

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은, 진공조 내에 있어서 필름을 반송하면서 필름 상에 균일한 막 두께의 유기 화합물막을 높은 성막 속도로 형성하는 기술을 제공하는 것이다. 진공조 (2) 내에서, 원단 롤 (41) 로부터 조출된 필름 (10) 을 중앙 롤러 (3) 와 접촉하면서 반송하여, 필름 (10) 상에 유기 화합물막을 형성한다. 진공조 (2) 내에 형성된 성막실 (6) 내에 배치되고, 유기 화합물 모노머의 증기를 방출하여 중앙 롤러 (3) 상의 필름 (10) 에 분사하는 증기 방출부 (82) 를 갖는 증기 방출 장치 (8) 와, 중앙 롤러 (3) 상에 형성된 유기 화합물 모노머층에 대해 에너지선을 조사하여 유기 화합물 모노머층을 경화시키는 에너지선 사출 장치 (9) 를 갖는다. 증기 방출 장치 (8) 및 성막실 (6) 이 독립적으로 제어 가능한 제 5 및 제 3 진공 배기 장치 (80, 60) 에 각각 접속되고, 증기 방출 장치 (8) 내의 압력이 성막실 (6) 내의 압력보다 크고, 또한, 증기 방출 장치 (8) 내의 압력과 성막실 (6) 내의 압력의 차가 일정해지도록 한다.

Description

성막 장치{FILM FORMATION DEVICE}
본 발명은 진공 중에서 필름 상에 유기 화합물막을 형성하기 위한 성막 장치의 기술에 관한 것이다.
최근, 전자 부품 등을 필름 상에 효율적으로 형성하고자 하는 요망이 있고, 이 때문에, 진공조 내에 있어서 장척의 필름을 반송하여 당해 필름 상에 고분자 유기 화합물로 이루어지는 막을 형성하는 기술이 제안되어 있다 (예를 들어 특허문헌 1 참조).
종래, 필름 상에 고분자 유기 화합물막을 형성하는 경우에는, 예를 들어 저분자의 유기 화합물 모노머 등을 필름 상에 도포하여 유기 화합물층을 형성하고, 이 유기 화합물층에 대해 열을 가하거나 에너지선을 조사함으로써 경화시켜, 고분자 유기 화합물막을 형성하는 것이 실시되고 있다.
그러나, 진공조 내에 있어서 이와 같은 방법에 의해 필름 상에 고분자 유기 화합물막을 형성하는 경우에는 여러 가지 과제가 있다.
즉, 진공조 내에 있어서 필름 상에 저분자의 유기 화합물의 모노머 등의 막을 균일한 막 두께로 형성하는 것은 곤란하고, 특히 필름을 반송하면서 필름 상에 균일한 막 두께의 유기 화합물막을 높은 성막 속도로 형성하는 것은 매우 곤란하다.
일본 특허 제3502261호
본 발명은, 이와 같은 종래의 기술의 과제를 고려하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 바는, 진공조 내에 있어서 필름을 반송하면서 필름 상에 균일한 막 두께의 유기 화합물막을 높은 성막 속도로 형성하는 기술을 제공하는 것에 있다.
상기 목적을 달성하기 위해서 이루어진 본 발명은, 진공조 내에 있어서, 원단 (原反) 롤로부터 조출된 필름을 중앙 롤러와 접촉하면서 반송하고, 당해 필름 상에 있어서 유기 화합물막을 형성하는 성막 장치로서, 상기 진공조 내에 형성된 성막실 내에 배치되고, 유기 화합물의 증기를 방출하여 상기 중앙 롤러 상의 필름에 분사하는 증기 방출부를 갖는 증기 방출 장치와, 상기 중앙 롤러 상에 형성된 유기 화합물층에 대해 에너지선을 조사하여 당해 유기 화합물층을 경화시키는 에너지선 사출 장치를 갖고, 상기 증기 방출 장치 및 상기 성막실이 독립적으로 제어 가능한 진공 배기 장치에 각각 접속됨과 함께, 상기 증기 방출 장치 내의 압력이 상기 성막실 내의 압력보다 크고, 또한, 상기 증기 방출 장치 내의 압력과 상기 성막실 내의 압력의 차가 일정해지도록 진공 배기하는 것이다.
본 발명에서는, 소정 온도로 제어된 희가스의 유량을 제어하여 상기 증기 방출 장치에 공급하도록 구성되어 있는 경우에도 효과적이다.
본 발명에서는, 상기 진공조 내에, 상기 에너지선 사출 장치가 배치되는 경화실과, 상기 경화실 및 상기 성막실에 연통된 버퍼실이 형성되고, 상기 경화실 및 상기 버퍼실이 독립적으로 제어 가능한 진공 배기 장치에 각각 접속되어 있는 경우에도 효과적이다.
본 발명에 있어서는, 증기 방출 장치의 증기 방출부로부터 유기 화합물의 증기를 방출하여 중앙 롤러 상의 필름에 분사할 때, 증기 방출 장치 내의 압력이 성막실 내의 압력보다 크고, 또한, 증기 방출 장치 내의 압력과 성막실 내의 압력의 차가 일정해지도록 진공 배기하는 점에서, 중앙 롤러에 의해 반송되는 필름 상에 있어서 막 두께가 균일한 유기 화합물층을 형성할 수 있다.
그 결과, 본 발명에 의하면, 막 두께가 균일하게 형성된 유기 화합물층에 대해 에너지선을 조사하여 중합시켜 경화시킴으로써, 균일한 막 두께의 고분자 유기 화합막을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서, 소정 온도로 제어된 희가스의 유량을 제어하여 증기 방출 장치에 공급하도록 구성되어 있는 경우에는, 용이하게 증기 방출 장치 내의 압력을 성막실 내의 압력보다 크게 할 수 있기 때문에, 증기 방출 장치와 성막실의 압력차를 크게 하여 성막 속도를 향상시킬 수 있다.
또, 본 발명에 있어서, 진공조 내에, 에너지선 사출 장치가 배치되는 경화실과, 경화실 및 성막실에 연통된 버퍼실이 형성되고, 경화실 및 버퍼실이 독립적으로 제어 가능한 진공 배기 장치에 각각 접속되어 있는 경우에는, 증기 방출 장치 및 성막실 사이 뿐만 아니라, 성막실, 버퍼실, 경화실 사이에 있어서 압력차가 큰 차동 배기를 실시할 수 있으므로, 각 실의 압력차를 보다 크게 하여 성막 속도를 향상시킬 수 있다.
본 발명에 의하면, 진공조 내에 있어서, 중앙 롤러에 의해 반송되는 필름 상에 있어서, 균일한 막 두께의 유기 화합물막을 형성할 수 있다.
도 1의 (a) 는 본 발명에 관련된 성막 장치의 실시형태의 내부 구성을 나타내는 전체도이고, 도 1의 (b) 는 동 성막 장치의 주요부 구성도이다.
도 2의 (a) 는 동 증기 방출 장치의 증기 방출부를 나타내는 정면도이고, 도 2의 (b) 는 동 증기 방출 장치의 증기 방출부를 나타내는 측면도이다.
도 3의 (a) 및 (b) 는 필름 상에 유기 화합물층을 형성하는 공정을 모식적으로 나타내는 설명도이다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태를 도면을 참조하여 상세하게 설명한다.
도 1의 (a) 는, 본 발명에 관련된 성막 장치의 실시형태의 내부 구성을 나타내는 전체도, 도 1의 (b) 는, 동 성막 장치의 주요부 구성도이다.
또, 도 2의 (a) 및 (b) 는, 동 증기 방출 장치의 증기 방출부를 나타내는 것으로, 도 2의 (a) 는 정면도, 도 2의 (b) 는 측면도이다.
도 1의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 성막 장치 (1) 는, 진공조 (2) 내에 있어서 필름 (10) 상에 막을 형성하는 것이다.
진공조 (2) 내부의 중앙 부분 근방에는, 필름 (10) 과 접촉하여 반송하기 위한 원주 형상의 중앙 롤러 (3) 가 형성되고, 이 중앙 롤러 (3) 의 주위에 필름 조출 권취실 (4), 버퍼실 (5), 성막실 (6), 경화실 (7) 이 형성되어 있다.
본 실시형태의 필름 조출 권취실 (4) 은, 중앙 롤러 (3) 의 근방에 형성된 다단으로 절곡된 판 형상의 제 1 격벽 (11) 과, 중앙 롤러 (3) 에 대해 진공조 (2) 의 일방측 (여기서는 도면 중 하방측) 의 내벽으로 둘러싸인 공간에 의해 형성되어 있다.
여기서, 제 1 격벽 (11) 은, 중앙 롤러 (3) 근방의 부분이 중앙 롤러 (3) 의 측면 및 양 바닥면에 근접하도록 형성되고, 이로써 제 1 격벽 (11) 과 중앙 롤러 (3) 의 측면 사이의 간극에 필름 (10) 을 통과시킬 수 있도록 구성되어 있다.
필름 조출 권취실 (4) 내에는, 성막 대상물인 필름 (10) 의 원단 롤 (41) 이 배치되고, 이 원단 롤 (41) 로부터 조출된 필름 (10) 이 중앙 롤러 (3) 의 표면에 밀착되도록 방향 전환하여 둘러쳐져, 필름 조출 권취실 (4) 내에 형성된 권취 롤러 (42) 에 의해 감기도록 구성되어 있다.
또, 필름 조출 권취실 (4) 내에는, 성막 후의 필름 (10) 에 대해 제전을 실시하는 제전 장치 (43) 가 형성되어 있다. 이 제전 장치 (43) 는, 성막 후의 필름 (10) 이 정전기에 의해 중앙 롤러 (3) 에 첩부 (貼付) 되는 것을 방지하기 위한 것이다.
한편, 버퍼실 (5) 은, 제 1 격벽 (11) 과, 중앙 롤러 (3) 의 근방에 있어서 제 1 격벽 (11) 과 대향하도록 형성된 다단 절곡판 형상의 제 2 격벽 (12) 과, 진공조 (2) 의 내벽 (여기서는 도면 중 좌우측의 내벽) 으로 둘러싸인 공간에 의해 형성되어 있다.
여기서, 제 2 격벽 (12) 은, 중앙 롤러 (3) 근방의 부분이 중앙 롤러 (3) 의 측면 및 양 바닥면에 근접하도록 형성되고, 이로써 제 2 격벽 (12) 과 중앙 롤러 (3) 의 측면 사이의 간극에 필름 (10) 을 통과시킬 수 있도록 구성되어 있다.
또한, 성막실 (6) 은, 버퍼실 (5) 의 내부에 형성된 다단으로 절곡된 형상의 제 3 격벽 (13) 과, 진공조 (2) 의 일방측 (여기서는 도면 중 좌측) 의 내벽으로 둘러싸인 공간에 의해 형성되어 있다.
여기서, 제 3 격벽 (13) 은, 중앙 롤러 (3) 근방의 부분이 중앙 롤러 (3) 의 측면 및 양 바닥면에 근접하도록 형성되고, 이로써 제 3 격벽 (13) 과 중앙 롤러 (3) 의 측면 사이의 간극에 필름 (10) 을 통과시킬 수 있도록 구성되어 있다.
그리고, 성막실 (6) 내에는, 후술하는 증기 방출 장치 (8) 의 증기 방출부 (82) 가 배치되어 있다.
한편, 경화실 (7) 은, 제 2 격벽 (12) 과, 중앙 롤러 (3) 에 대해 진공조 (2) 의 타방측 (여기서는 도면 중 상방측) 의 내벽으로 둘러싸인 공간에 의해 형성되어 있다.
여기서, 진공조 (2) 의 상부에서 경화실 (7) 과 연통하는 부분에는, 중앙 롤러 (3) 방향으로 에너지선을 사출하는 에너지선 사출 장치 (9) 가 형성되어 있다.
상기 서술한 필름 조출 권취실 (4), 버퍼실 (5), 성막실 (6), 경화실 (7) 은, 독립적으로 제어 가능한 제 1 ∼ 제 4 진공 배기 장치 (40, 50, 60, 70) 에 각각 접속되고, 상기 서술한 제 1 ∼ 제 3 격벽 (11 ∼ 13) 과 중앙 롤러 (3) 사이의 간극을 개재하여, 필름 조출 권취실 (4) 과 버퍼실 (5), 버퍼실 (5) 과 성막실 (6), 버퍼실 (5) 과 경화실 (7) 사이에서 차동 배기가 가능하도록 구성되어 있다.
도 1의 (b) 에 나타내는 바와 같이, 본 실시형태의 증기 방출 장치 (8) 는, 액체상의 유기 화합물 모노머 (33) 를 기화하는 기화부 (81) 를 갖고, 이 기화부 (81) 는, 성막실 (6) 의 제 3 진공 배기 장치 (60) 에 대해 독립적으로 제어 가능한 제 5 진공 배기 장치 (80) 에 접속되어 있다.
본 실시형태의 경우, 기화부 (81) 에는, 예를 들어 원통 형상의 증기 방출부 (82) 가 벨로즈를 갖는 접속부 (81a) 를 개재하여 연통 접속되고, 이 증기 방출부 (82) 가 진공조 (2) 의 성막실 (6) 내에 배치되어 있다.
한편, 기화부 (81) 에는, 기화부 (81) 내의 압력을 측정하는 압력계 (20) 가 형성되고, 이 압력계 (20) 는, 컴퓨터 등을 갖는 제어부 (18) 에 대해, 측정한 압력 정보를 송출하도록 구성되어 있다 (도 1 참조).
이 제어부 (18) 는, 성막실 (6) 내의 압력을 측정하는 성막 압력계 (21) 에 전기적으로 접속되고, 성막 압력계 (21) 에 있어서 측정된 성막실 (6) 내의 압력 정보를 받도록 구성되어 있다.
또, 제어부 (18) 는, 성막실 (6) 을 진공 배기하는 제 3 진공 배기 장치 (60) 에 전기적으로 접속되고, 성막실 (6) 내에 형성된 성막 압력계 (21) 에 있어서 얻어진 결과에 기초하여 성막실 (6) 내의 압력을 제어하도록 구성되어 있다.
본 실시형태에서는, 기화부 (81) 의 케이싱 내부에 예를 들어 매체 순환로(도시 생략) 가 형성되고, 이 매체 순환로와 제 1 온도 조정 수단 (19) 사이에 있어서 소정 온도로 제어된 매체를 순환시키도록 구성되어 있다.
또, 증기 방출부 (82) 의 케이싱 내부에 예를 들어 매체 순환로 (도시 생략)가 형성되고, 이 매체 순환로와 제 2 온도 조정 수단 (83) 사이에 있어서 소정 온도로 제어된 매체를 순환시키도록 구성되어 있다.
한편, 기화부 (81) 의 외부에는 모노머 공급원 (30) 이 형성되고, 이 모노머 공급원 (30) 으로부터 액체상의 유기 화합물 모노머 (이하, 적절히 「유기 화합물 모노머」라고 한다) (33) 를 배관 (31) 및 유기 화합물 도입부 (22) 를 개재하여 기화부 (81) 내에 도입하도록 구성되어 있다.
본 실시형태의 모노머 공급원 (30) 은, 용기 (32) 내에 수용된 액체상의 유기 화합물 모노머 (33) 내에 불활성 가스와 같은 희가스 (34) 를 보내고, 그 압력에 의해 배관 (31) 을 개재하여 유기 화합물 모노머 (33) 를 유기 화합물 도입부 (22) 에 공급하도록 구성되어 있다.
본 실시형태의 유기 화합물 도입부 (22) 는 기화부 (81) 의 상부에 형성되고, 액체상의 유기 화합물 모노머 (33) 를 분산시켜 안개상으로 하여 분무하는 분산기 (22a) 를 갖고 있다.
한편, 기화부 (81) 내에서 분산기 (22a) 의 하방에는, 도입된 유기 화합물 모노머 (33) 를 반송하면서 기화하는 기화기 (23) 가 형성되어 있다.
이 기화기 (23) 는, 예를 들어 평판 형상으로 형성된 복수 (본 실시형태에서는 4 개) 의 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A, 24B, 24C, 24D) 를 갖고 있다.
본 실시형태의 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A ∼ 24D) 는, 경사진 하방향으로 나란히 배열되고, 각각 일방측으로 경사시킴으로써, 유기 화합물 모노머 (33) 를 상방으로부터 하방의 것으로 넘겨주도록 배치 구성되어 있다.
그리고, 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A ∼ 24D) 는, 경사 각도를 각각 변경 조정할 수 있도록 구성되어 있다.
이들 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A ∼ 24D) 는, 각각 내부에 매체 순환로 (도시 생략) 가 형성되고, 독립적으로 제어 가능한 매체 순환 방식에 의한 제 3 ∼ 제 6 온도 조정 수단 (26, 27, 28, 29) 에 각각 접속되어 있다.
본 실시형태에서는, 최상단의 제 1 기화 부재 (24A) 로부터 하방의 제 2 기화 부재 (24B) 로 유기 화합물 모노머 (33) 를 넘겨주고, 이 제 2 기화 부재 (24B) 로부터 하방의 제 3 기화 부재 (24C) 로 유기 화합물 모노머 (33) 를 넘겨주며, 다시 이 제 3 기화 부재 (24C) 로부터 하방의 제 4 기화 부재 (24D) 에 유기 화합물 모노머 (33) 를 넘겨준다.
그리고, 이와 같은 구성을 갖는 기화부 (81) 에서는, 유기 화합물 모노머 (33) 를 반송 및 넘겨줄 때에 유기 화합물 모노머 (33) 를 가열하여 기화시키도록 되어 있다.
한편, 기화부 (81) 의 외부에는, 희가스 공급원 (35) 이 형성되고, 이 희가스 공급원 (35) 으로부터 보내진 불활성 가스와 같은 희가스를 매스 플로우 컨트롤러 (36) 를 개재하여 기화부 (81) 내에 도입하도록 구성되어 있다.
본 실시형태의 경우, 이 매스 플로우 컨트롤러 (36) 는 제어부 (18) 에 접속되고, 압력계 (20) 및 성막 압력계 (21) 에 있어서 얻어진 결과에 기초하여 희가스의 도입량을 제어하도록 되어 있다.
도 1의 (b) 그리고 도 2의 (a) 및 (b) 에 나타내는 바와 같이, 원통 형상으로 형성된 본 실시형태의 증기 방출 장치 (8) 의 증기 방출부 (82) 는, 기화부 (81) 로부터 유기 화합물 모노머의 증기 (37) 가 보내지는 것으로, 내부의 압력이 기화부 (81) 내의 압력과 동일해지도록 구성되어 있다.
또, 증기 방출부 (82) 는, 그 길이 방향을 따라 직선상으로 형성된 방출부 (84) 를 갖고, 이 방출부 (84) 에 직선 슬릿상의 증기 방출구 (85) 가 형성되어 있다. 여기서, 증기 방출부 (82) 는, 그 회전 축선 (O1) 이 중앙 롤러 (3) 의 회전 축선 (O2) 과 평행이 되도록 배치됨과 함께, 증기 방출구 (85) 가 이들 회전 축선 (O1, O2) 과 평행하게 중앙 롤러 (3) 상의 필름 (10) 에 대해 근접하여 대향 배치되어 있다.
또, 증기 방출구 (85) 는, 중앙 롤러 (3) (필름 (10)) 의 폭보다 약간 좁은 폭으로 형성되고, 필름 (10) 표면에 대해 폭 방향으로 직선적으로 유기 화합물 모노머의 증기 (37) 를 분사하도록 구성되어 있다.
이와 같은 구성을 갖는 본 실시형태에 있어서, 진공조 (2) 내에 있어서 필름 (10) 상에 고분자 유기 화합물막을 형성하는 경우에는, 제 5 진공 배기 장치 (80) 를 동작시켜 증기 방출 장치 (8) 의 기화부 (81) 내의 압력을 소정의 값이 되도록 진공 배기함과 함께, 제 1 ∼ 제 4 진공 배기 장치 (40, 50, 60, 70) 를 동작시켜 필름 조출 권취실 (4), 버퍼실 (5), 성막실 (6), 경화실 (7) 의 압력을 각각 소정의 값이 되도록 진공 배기한다.
이 경우, 경화실 (7) 의 압력보다 버퍼실 (5) 의 압력이 크고, 또한, 버퍼실 (5) 의 압력보다 성막실 (6) 의 압력이 커지도록 제 2 ∼ 제 4 진공 배기 장치 (50 ∼ 70) 를 각각 동작시켜 차동 배기를 실시한다.
또, 버퍼실 (5) 의 압력보다 필름 조출 권취실 (4) 의 압력이 커지도록 제 1및 제 2 진공 배기 장치 (40, 50) 를 각각 동작시켜 차동 배기를 실시한다.
한편, 증기 방출 장치 (8) 에 있어서는, 기화부 (81) 내의 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A ∼ 24D) 의 경사 각도를 소정의 각도로 설정함과 함께, 제 3 ∼ 제 6 온도 조정 수단 (26 ∼ 29) 을 동작시켜 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A ∼ 24D) 를 각각 소정의 온도로 온도 제어한다.
또, 제 2 온도 조정 수단 (83) 을 동작시켜 증기 방출부 (82) 를 소정의 온도로 온도 제어한다.
이 상태에서, 희가스 공급원 (35) 으로부터 매스 플로우 컨트롤러 (36) 를 개재하여 소정량의 희가스를 기화부 (81) 내에 도입함과 함께, 모노머 공급원 (30) 으로부터 배관 (31) 및 유기 화합물 도입부 (22) 를 개재하여 소정량의 액체상의 유기 화합물 모노머 (33) 를 기화부 (81) 내에 도입한다.
이로써, 기화부 (81) 의 상부에 형성된 분산기 (22a) 에 의해 안개상의 유기 화합물 모노머 (33) 가 상방으로부터 상단의 제 1 기화 부재 (24A) 에 공급된다.
공급된 유기 화합물 모노머 (33) 는, 제 1 기화 부재 (24A) 로부터 제 2 기화 부재 (24B) 에 넘겨지고, 제 2 기화 부재 (24B) 로부터 제 3 기화 부재 (24C) 에 넘겨지며, 또한 제 3 기화 부재 (24C) 로부터 제 4 기화 부재 (24D) 에 넘겨져, 이 반송 및 넘겨줄 때에 유기 화합물 모노머 (33) 가 가열되어 기화된다.
기화된 유기 화합물 모노머 (33) 는, 증기 방출부 (82) 에 보내져 증기 방출부 (82) 의 증기 방출구 (85) 로부터 분출되고, 도 3의 (a) 에 나타내는 바와 같이, 중앙 롤러 (3) 에 접촉하여 반송되는 필름 (10) 에 대해 유기 화합물 모노머의 증기 (37) 가 분무되어 필름 (10) 상에 유기 화합물 모노머층 (38) 이 형성된다.
본 실시형태에 있어서는, 유기 화합물 모노머의 증기 (37) 를 분사할 때에, 증기 방출 장치 (8) (기화부 (81) 및 증기 방출부 (82)) 내의 압력이 성막실 (6) 내의 압력보다 크고, 또한, 증기 방출 장치 (8) 내의 압력과 성막실 (6) 내의 압력의 차가 일정해지도록 진공 배기한다.
구체적으로는, 제어부 (18) 로부터의 명령에 의해, 성막 압력계 (21) 에 있어서 얻어진 결과에 기초하여 제 3 진공 배기 장치 (60) 를 동작시켜 성막실 (6) 내의 압력을 소정의 값으로 제어함과 함께, 압력계 (20) 에 있어서 얻어진 결과에 기초하여 매스 플로우 컨트롤러 (36) 를 동작시켜 기화부 (81) 에 도입하는 희가스의 도입량을 제어하여 기화부 (81) 의 압력을 소정의 값으로 제어한다.
그 후, 필름 (10) 을 반송하면서, 도 1의 (a) 에 나타내는 경화실 (7) 에 있어서, 에너지선 사출 장치 (9) 로부터 에너지선 (91) 을 사출하여 필름 (10) 상의 유기 화합물 모노머층 (38) 을 경화시켜, 고분자 유기 화합물층 (39) 을 형성한다 (도 3의 (a) 및 (b) 참조).
마지막으로, 필름 조출 권취실 (4) 내에 있어서 필름 (10) 에 대해 제전을 실시하고, 권취 롤러 (42) 에 의해 필름 (10) 을 권취한다.
이상 서술한 본 실시형태에 있어서는, 증기 방출 장치 (8) 의 증기 방출부 (82) 로부터 유기 화합물 모노머의 증기 (37) 를 방출하여 중앙 롤러 (3) 상의 필름 (10) 에 분사할 때에, 증기 방출 장치 (8) 내의 압력이 성막실 (6) 내의 압력보다 크고, 또한, 증기 방출 장치 (8) 내의 압력과 성막실 (6) 내의 압력의 차가 일정해지도록 진공 배기하는 점에서, 중앙 롤러 (3) 에 의해 반송되는 필름 (10) 상에 있어서 막 두께가 균일한 유기 화합물 모노머층 (38) 을 형성할 수 있다.
그 결과, 본 실시형태에 의하면, 막 두께가 균일하게 형성된 유기 화합물 모노머층 (38) 에 대해 에너지선 (91) 을 조사하여 중합시켜 경화시킴으로써, 균일한 막 두께의 고분자 유기 화합물층 (39) 을 형성할 수 있다.
또, 본 실시형태에서는, 소정 온도로 제어된 희가스의 유량을 매스 플로우 컨트롤러 (36) 에 의해 제어하여 증기 방출 장치 (8) 에 공급하는 점에서, 용이하게 증기 방출 장치 (8) 내의 압력을 성막실 (6) 내의 압력보다 크게 할 수 있고, 이로써 증기 방출 장치 (8) 와 성막실 (6) 의 압력차를 크게 하여 성막 속도를 향상시킬 수 있다.
또한 본 실시형태에서는, 진공조 (2) 내에 에너지선 사출 장치 (9) 가 배치되는 경화실 (7) 과, 경화실 (7) 및 성막실 (6) 과 연통된 버퍼실 (5) 이 형성되고, 경화실 (7) 및 버퍼실 (5) 이, 독립적으로 제어 가능한 제 4 및 제 2 진공 배기 장치 (70, 50) 에 각각 접속되어 있는 점에서, 증기 방출 장치 (8) 및 성막실 (6) 사이뿐만 아니라, 성막실 (6), 버퍼실 (5), 경화실 (7) 사이에 있어서 압력차가 큰 차동 배기를 실시할 수 있고, 이로써 각 실의 압력차를 보다 크게 하여 성막 속도를 향상시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 기화기 (23) 의 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A ∼ 24D) 가, 독립적으로 제어 가능한 매체 순환 방식에 의한 제 3 ∼ 제 6 온도 조정 수단 (26 ∼ 29) 에 각각 접속되어 있는 점에서, 여러 가지 기화 온도의 유기 화합물 모노머 (33) 에 대해 최적의 조건에서 기화시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는, 제 1 ∼ 제 4 기화 부재 (24A ∼ 24D) 의 경사 각도를 각각 변경 조정할 수 있도록 구성되어 있는 점에서, 여러 가지 점도의 유기 화합물 모노머 (33) 에 대해 최적의 조건에서 반송하고 또한 넘겨주어 기화시킬 수 있다.
게다가, 본 실시형태에서는, 성막시에, 버퍼실 (5) 의 압력보다 필름 조출 권취실 (4) 의 압력이 커지도록 제 1 및 제 2 진공 배기 장치 (40, 50) 를 동작시키는 점에서, 버퍼실 (5) 로부터 필름 조출 권취실 (4) 로의 유기 화합물 모노머의 증기 (37) 의 돌아 들어감을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 서술한 실시형태에 한정되지 않고, 여러 가지 변경을 실시할 수 있다.
예를 들어, 증기 방출 장치의 기화기에 대해서는, 상기 실시형태의 것에 한정되지 않고, 저분자의 유기 화합물을 기화시킬 수 있는 것이면, 여러 가지 타입의 것을 사용할 수 있다.
단, 상기 실시형태의 것을 사용하면, 여러 가지 기화 온도의 유기 화합물에 대해 최적의 조건에서 기화시킬 수 있음과 함께, 여러 가지 점도의 유기 화합물에 대해 최적의 조건에서 반송하고 또한 넘겨주어 기화시킬 수 있다.
또, 본 발명에 있어서 막의 원료가 되는 유기 화합물의 종류는 특별히 한정되는 것은 아니고, 여러 가지 유기 화합물에 적용할 수 있다.
또한, 성막 대상물인 필름의 종류, 두께 등에 대해서도 특별히 한정되는 것은 아니고, 여러 가지 필름에 적용할 수 있다.
1 : 성막 장치
2 : 진공조
3 : 중앙 롤러
4 : 필름 조출 권취실
5 : 버퍼실
6 : 성막실
7 : 경화실
8 : 증기 방출 장치
10 : 필름
18 : 제어부
19 : 제 1 온조 조정 수단
20 : 압력계
21 : 성막 압력계
22 : 유기 화합물 도입부
22a : 분산기
23 : 기화부
24A, 24B, 24C, 24D : 제 1 ∼ 제 4 기화 부재
26, 27, 28, 29 : 제 3 ∼ 제 6 온도 조정 수단
30 : 모노머 공급원
33 : 유기 화합물 모노머
35 : 희가스 공급원
36 : 매스 플로우 컨트롤러
37 : 유기 화합물 모노머의 증기
40, 50, 60, 70, 80 : 제 1 ∼ 제 5 진공 배기 장치
41 : 원단 롤
81 : 기화부
82 : 증기 방출부
85 : 증기 방출구
O1, O2 : 회전 축선

Claims (3)

  1. 진공조 내에 있어서, 원단 롤로부터 조출된 필름을 중앙 롤러와 접촉하면서 반송하고, 당해 필름 상에 있어서 유기 화합물막을 형성하는 성막 장치로서,
    상기 진공조 내에 형성된 성막실 내에 배치되고, 유기 화합물의 증기를 방출하여 상기 중앙 롤러 상의 필름에 분사하는 증기 방출부를 갖는 증기 방출 장치와,
    상기 중앙 롤러 상에 형성된 유기 화합물층에 대해 에너지선을 조사하여 당해 유기 화합물층을 경화시키는 에너지선 사출 장치를 갖고,
    상기 증기 방출 장치 및 상기 성막실이 독립적으로 제어 가능한 진공 배기 장치에 각각 접속됨과 함께,
    상기 증기 방출 장치 내의 압력이 상기 성막실 내의 압력보다 크고, 또한, 상기 증기 방출 장치 내의 압력과 상기 성막실 내의 압력의 차가 일정해지도록 진공 배기하는, 성막 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    소정 온도로 제어된 희가스의 유량을 제어하여 상기 증기 방출 장치에 공급하도록 구성되어 있는, 성막 장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 진공조 내에, 상기 에너지선 사출 장치가 배치되는 경화실과, 상기 경화실 및 상기 성막실에 연통된 버퍼실이 형성되고, 상기 경화실 및 상기 버퍼실이 독립적으로 제어 가능한 진공 배기 장치에 각각 접속되어 있는, 성막 장치.
KR20147036523A 2012-06-29 2013-06-12 성막 장치 KR20150008927A (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-147802 2012-06-29
JP2012147802 2012-06-29
PCT/JP2013/066261 WO2014002773A1 (ja) 2012-06-29 2013-06-12 成膜装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20150008927A true KR20150008927A (ko) 2015-01-23

Family

ID=49782935

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR20147036523A KR20150008927A (ko) 2012-06-29 2013-06-12 성막 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20150114291A1 (ko)
EP (1) EP2868769A4 (ko)
JP (1) JP5764721B2 (ko)
KR (1) KR20150008927A (ko)
CN (1) CN104379804B (ko)
TW (1) TWI519658B (ko)
WO (1) WO2014002773A1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11202111356VA (en) * 2019-05-13 2021-12-30 Ulvac Inc Vapor deposition unit and vacuum vapor deposition apparatus provided with vapor deposition unit

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61216123A (ja) * 1985-03-20 1986-09-25 Hitachi Maxell Ltd 磁気記録媒体の製造方法
EP0339844A3 (en) * 1988-04-29 1991-01-16 SPECTRUM CONTROL, INC. (a Delaware corporation) Multi layer structure and process for making same
US5876503A (en) * 1996-11-27 1999-03-02 Advanced Technology Materials, Inc. Multiple vaporizer reagent supply system for chemical vapor deposition utilizing dissimilar precursor compositions
JP3502261B2 (ja) * 1998-05-11 2004-03-02 松下電器産業株式会社 樹脂薄膜の製造方法
JP2004095677A (ja) * 2002-08-29 2004-03-25 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 基板処理装置
US20040149959A1 (en) * 2003-01-31 2004-08-05 Mikhael Michael G. Conductive flakes manufactured by combined sputtering and vapor deposition
JP4845385B2 (ja) * 2004-08-13 2011-12-28 東京エレクトロン株式会社 成膜装置
US20060159844A1 (en) * 2005-01-18 2006-07-20 Fuji Photo Film Co., Ltd. Process and apparatus for producing magnetic recording medium
JP5291875B2 (ja) * 2006-11-01 2013-09-18 富士フイルム株式会社 プラズマ装置
JP5319373B2 (ja) * 2009-04-10 2013-10-16 富士フイルム株式会社 ガスバリアフィルムおよびガスバリアフィルムの製造方法
JP2010247369A (ja) * 2009-04-13 2010-11-04 Fujifilm Corp ガスバリア積層体の製造方法およびガスバリア積層体
JP5694023B2 (ja) * 2011-03-23 2015-04-01 小島プレス工業株式会社 積層構造体の製造装置

Also Published As

Publication number Publication date
JP5764721B2 (ja) 2015-08-19
EP2868769A4 (en) 2016-03-02
WO2014002773A1 (ja) 2014-01-03
CN104379804B (zh) 2016-03-09
EP2868769A1 (en) 2015-05-06
TW201413015A (zh) 2014-04-01
US20150114291A1 (en) 2015-04-30
TWI519658B (zh) 2016-02-01
CN104379804A (zh) 2015-02-25
JPWO2014002773A1 (ja) 2016-05-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10844484B2 (en) Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US9593407B2 (en) Direct liquid deposition
US20170016109A1 (en) Thin film depositing apparatus and the thin film depositing method using the same
KR20140107515A (ko) 증착 장치
CN112176317A (zh) 液体汽化器
WO2010038631A1 (ja) 蒸着装置、蒸着方法およびプログラムを記憶した記憶媒体
US10053548B2 (en) Method and device for modifying resin
KR20150008927A (ko) 성막 장치
JP5921974B2 (ja) 蒸気放出装置及び成膜装置
JP6637520B2 (ja) 蒸気放出装置及び成膜装置
CN105088139A (zh) 闪蒸沉积装置
KR101624863B1 (ko) 유기 박막 형성 장치
KR20140137963A (ko) 증착장치 및 증착방법
JP7201372B2 (ja) アクリル気化器
KR102234630B1 (ko) 성막 방법, 성막 장치, 소자구조체의 제조 방법, 및 소자구조체의 제조 장치
KR101773038B1 (ko) 기화기를 갖는 증착장치 및 증착방법
JP2011009380A (ja) 成膜装置
KR101347259B1 (ko) 대기압 공정 및 연속 공정이 가능한 유기물 증착장치
US20230369072A1 (en) Systems and methods to reduce flow accuracy error for liquid & gas mass flow controller devices
KR20150014700A (ko) 기상 증착 장치 및 이를 이용한 기상 증착 방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
A302 Request for accelerated examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
J301 Trial decision

Free format text: TRIAL DECISION FOR APPEAL AGAINST DECISION TO DECLINE REFUSAL REQUESTED 20151001

Effective date: 20160211