KR20140148331A - Dicing die-bonding film - Google Patents

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KR20140148331A
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dicing blade
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유타 기무라
사다히토 미스미
겐지 오니시
유키 스고
유이치로 시시도
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닛토덴코 가부시키가이샤
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Abstract

Provided is a dicing die-bonding film which prevents the generation of whisker and the deterioration of the cutting quality of a dicing blade as well. The present invention relates to a dicing die-bonding film which has the abrasion loss of a dicing blade, 20-200 μm, when a silicon bare wafer is step-cut.

Description

다이싱·다이 본딩 필름{DICING DIE-BONDING FILM}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a dicing die-

본 발명은 다이싱·다이 본딩 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die-bonding film.

반도체 웨이퍼를 다이싱하는 공정에서는, 반도체 웨이퍼를 다이싱 필름에 부착한 상태로 다이싱하는 경우가 있다. 다이싱 필름으로서는, 기재 상에 점착제층이 적층된 구조를 갖는 것이 알려져 있다(예컨대 특허문헌 1 참조).In the step of dicing the semiconductor wafer, the semiconductor wafer may be diced while being attached to the dicing film. As the dicing film, it is known that the dicing film has a structure in which a pressure-sensitive adhesive layer is laminated on a substrate (see, for example, Patent Document 1).

그러나, 다이싱 필름을 이용하여 반도체 웨이퍼를 다이싱하는 경우, 다이싱 라인에 위스커(whisker)상의 이물(기재 유래의 연마 부스러기)이 남는 경우가 있다.However, in the case of dicing a semiconductor wafer using a dicing film, foreign matter (abrasive particles originating from the substrate) on the whisker may remain in the dicing line.

일본 특허공개 2011-198976호 공보Japanese Patent Application Laid-Open No. 2011-198976

특허문헌 1은 위스커의 발생을 저감하기 위해서, 기재의 구성 성분으로서 특정 수지를 이용한 다이싱 필름을 개시하고 있다. 그러나, 특허문헌 1 등에 기재된 종래의 다이싱 필름을 반도체 웨이퍼에 접합한 상태로 다량으로 다이싱하면, 다이싱 블레이드에 연마 부스러기가 부착되어 막히는 현상이 발생하여, 다이싱 블레이드의 절단 품질이 저하되어 버린다. 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하는 위스커를 발생시키기 쉽게 한다.Patent Document 1 discloses a dicing film using a specific resin as a constituent component of a substrate in order to reduce occurrence of whiskers. However, when a conventional dicing film described in Patent Document 1 or the like is diced in a state in which it is bonded to a semiconductor wafer, a phenomenon in which abrasive grains adhere to the dicing blade and clogging occurs, and the cutting quality of the dicing blade is lowered Throw away. The lowering of the cutting quality of the dicing blade makes whiskers easier to generate.

본 발명은 상기 과제를 해결하여, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제할 수 있음과 더불어, 위스커의 발생을 억제할 수 있는 다이싱·다이 본딩 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다.It is an object of the present invention to solve the above problems and to provide a dicing die-bonding film capable of suppressing the deterioration of the cutting quality of the dicing blade and suppressing the occurrence of whiskers.

본 발명은, 기재, 점착제층 및 접착제층이 이 순서로 적층된 다이싱·다이 본딩 필름으로서, 상기 접착제층에 두께 100㎛의 실리콘 베어 웨이퍼를 접합한 상태로, 제 1 다이싱 블레이드가 절결 깊이 50㎛로 상기 실리콘 베어 웨이퍼를 100m 절결한 후, 상기 제 1 다이싱 블레이드의 절결을 따라, 제 2 다이싱 블레이드가 적어도 상기 점착제층에 도달하는 절결 깊이로 상기 실리콘 베어 웨이퍼 및 상기 접착제층을 100m 절단했을 때의 상기 제 2 다이싱 블레이드의 마모량이 20∼200㎛이고, 상기 제 2 다이싱 블레이드의 블레이드 폭은 상기 제 1 다이싱 블레이드의 블레이드 폭보다 작으며, 상기 제 1 다이싱 블레이드에 의한 절결 형성 조건이 속도 50mm/sec, 회전수 40,000rpm이고, 상기 제 2 다이싱 블레이드에 의한 절단 조건이 속도 50mm/sec, 회전수 45000rpm인 다이싱·다이 본딩 필름에 관한 것이다.The present invention relates to a dicing die-bonding film in which a base material, a pressure-sensitive adhesive layer and an adhesive layer are laminated in this order, wherein a silicone bare wafer having a thickness of 100 mu m is bonded to the adhesive layer, The silicon bare wafer and the adhesive layer are cut to a depth of 100 m at a cut-off depth at which the second dicing blade reaches at least the pressure-sensitive adhesive layer, along the notch of the first dicing blade, Wherein the abrasion amount of the second dicing blade at the time of cutting is 20 to 200 占 퐉 and the blade width of the second dicing blade is smaller than the blade width of the first dicing blade, A dicing die having a cutting speed of 50 mm / sec and a rotation speed of 45000 rpm, and a cutting condition by a second dicing blade at a speed of 50 mm / sec and a rotation speed of 40,000 rpm, To a bonding film.

마모량이 20㎛ 이상이기 때문에, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제할 수 있고, 위스커의 발생을 억제할 수 있다. 한편, 마모량이 200㎛ 이하이기 때문에, 다이싱 블레이드의 수명이 과도하게 짧아지는 것을 방지할 수 있다.Since the wear amount is 20 占 퐉 or more, deterioration of the cutting quality of the dicing blade can be suppressed and occurrence of whiskers can be suppressed. On the other hand, since the amount of wear is 200 m or less, the durability of the dicing blade can be prevented from becoming excessively short.

한편, 본 발명에서는, 2종류의 다이싱 블레이드를 이용하여 실리콘 베어 웨이퍼를 스텝 컷했을 때의 제 2 다이싱 블레이드의 마모량을 규정하고 있지만, 본 발명의 다이싱·다이 본딩 필름은 싱글 컷 등의 다른 다이싱 방법을 채용하는 경우에도 전술한 효과를 나타낼 수 있다.On the other hand, in the present invention, the abrasion amount of the second dicing blade when the silicon bare wafer was step-cut using two types of dicing blades is specified, but the dicing and die bonding film of the present invention is not limited to the single- The above-described effects can be obtained even when another dicing method is adopted.

상기 접착제층의 두께/상기 기재 및 상기 점착제층의 합계 두께가 0.045∼0.9인 것이 바람직하다. 0.045 이상이기 때문에, 다이싱 블레이드의 연마(드레싱) 효과가 얻어져, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제할 수 있다. 0.9 이하이기 때문에, 다이싱 블레이드의 수명이 과도하게 짧아지는 것을 방지할 수 있다.It is preferable that the thickness of the adhesive layer / the total thickness of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.045 to 0.9. 0.045 or more, the polishing (dressing) effect of the dicing blade can be obtained, and the deterioration of the cutting quality of the dicing blade can be suppressed. 0.9 or less, it is possible to prevent the life of the dicing blade from becoming excessively short.

상기 접착제층이 연마제로서 구상 알루미나 충전재를 포함하고, 상기 접착제층 중의 상기 구상 알루미나 충전재의 함유량이 60∼88중량%인 것이 바람직하다. 다이아몬드에 버금가는 경도의 알루미나를 접착제층에 함유시킴으로써 다이싱 블레이드를 양호하게 연마할 수 있다. 또한, 알루미나의 형상을 고충전 가능한 구상으로 함으로써, 양호한 연마 효과가 얻어진다. 나아가, 구상 알루미나 충전재의 함유량을 상기 범위 내로 함으로써, 다이싱 블레이드를 양호하게 연마할 수 있어, 절단 품질의 저하를 방지할 수 있다.It is preferable that the adhesive layer contains a spherical alumina filler as an abrasive, and the content of the spherical alumina filler in the adhesive layer is 60 to 88 wt%. By containing alumina harder than diamond in the adhesive layer, the dicing blade can be polished well. In addition, by making the shape of the alumina spherical so as to be highly fillable, a good polishing effect can be obtained. Further, by setting the content of the spherical alumina filler within the above range, it is possible to polish the dicing blade well, thereby preventing deterioration of the cutting quality.

본 발명에 의하면, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제할 수 있음과 더불어, 위스커의 발생을 억제할 수 있다.According to the present invention, the deterioration of the cutting quality of the dicing blade can be suppressed, and the occurrence of whiskers can be suppressed.

도 1은 실시형태 1의 다이싱·다이 본딩 필름의 단면 모식도이다.
도 2는 실시형태 1의 다이싱·다이 본딩 필름의 변형예의 단면 모식도이다.
도 3은 반도체 장치의 제조 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 4의 (a)는 제 1 다이싱 블레이드가 실리콘 베어 웨이퍼를 절결하는 양상을 모식적으로 나타내는 도면이다. (b)는 제 1 다이싱 블레이드에 의해 절결이 형성된 실리콘 베어 웨이퍼의 단면의 일부를 모식적으로 나타내는 도면이다.
도 5의 (a)는 제 2 다이싱 블레이드가 실리콘 베어 웨이퍼 및 접착제층을 절단하는 양상을 모식적으로 나타내는 도면이다. (b)는 제 2 다이싱 블레이드에 의해 절단된 실리콘 베어 웨이퍼의 단면의 일부를 모식적으로 나타내는 도면이다.
BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional schematic diagram of a dicing and die-bonding film of Embodiment 1. FIG.
Fig. 2 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the dicing and die-bonding film of Embodiment 1. Fig.
3 is a diagram schematically showing a part of the manufacturing process of the semiconductor device.
4A is a diagram schematically showing an aspect of the first dicing blade cutting the silicon bare wafer. (b) is a diagram schematically showing a part of a cross section of a silicon bare wafer in which a notch is formed by the first dicing blade.
FIG. 5A is a diagram schematically showing an aspect of cutting the silicon bare wafer and the adhesive layer by the second dicing blade. FIG. (b) is a diagram schematically showing a part of a cross section of the silicon bare wafer cut by the second dicing blade.

이하에 실시형태를 들어 본 발명을 상세히 설명하지만, 본 발명은 이들 실시형태에만 한정되는 것은 아니다.BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to embodiments. However, the present invention is not limited to these embodiments.

[실시형태 1][Embodiment 1]

도 1은 실시형태 1의 다이싱·다이 본딩 필름의 단면 모식도이다. 도 2는 실시형태 1의 다이싱·다이 본딩 필름의 변형예의 단면 모식도이다.BRIEF DESCRIPTION OF DRAWINGS FIG. 1 is a cross-sectional schematic diagram of a dicing and die-bonding film of Embodiment 1. FIG. Fig. 2 is a schematic cross-sectional view of a modified example of the dicing and die-bonding film of Embodiment 1. Fig.

도 1에 나타내는 바와 같이, 다이싱·다이 본딩 필름(10)은 다이싱 필름(11) 상에 접착제층(3)이 적층된 구성을 갖는다. 다이싱 필름(11)은 기재(1) 상에 점착제층(2)을 적층하여 구성되어 있고, 접착제층(3)은 그 점착제층(2) 상에 설치되어 있다. 또한, 다이싱·다이 본딩 필름(10)은, 도 2에 나타내는 바와 같이, 워크(반도체 웨이퍼(4) 등) 부착 부분에만 접착제층(3)을 형성한 구성이어도 좋다.As shown in Fig. 1, the dicing and die-bonding film 10 has a structure in which the adhesive layer 3 is laminated on the dicing film 11. The dicing film 11 is formed by laminating a pressure-sensitive adhesive layer 2 on a base material 1 and the adhesive layer 3 is provided on the pressure-sensitive adhesive layer 2. [ 2, the dicing / die-bonding film 10 may have a structure in which the adhesive layer 3 is formed only on a portion to which a work (semiconductor wafer 4 or the like) is attached.

다이싱·다이 본딩 필름(10)의 접착제층(3)에 두께 100㎛의 실리콘 베어 웨이퍼를 접합한 상태로, 제 1 다이싱 블레이드가 절결 깊이 50㎛로 실리콘 베어 웨이퍼를 100m 절결한 후, 제 1 다이싱 블레이드의 절결을 따라, 제 2 다이싱 블레이드가 적어도 점착제층(2)에 도달하는 절결 깊이로 실리콘 베어 웨이퍼 및 접착제층(3)을 100m 절단했을 때의 제 2 다이싱 블레이드의 마모량이 20㎛ 이상이다. 20㎛ 이상이기 때문에, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제할 수 있고, 위스커의 발생을 억제할 수 있다. 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제한다는 관점에서 마모량은 클수록 바람직하다. 이 때문에, 마모량은 바람직하게는 30㎛ 이상, 보다 바람직하게는 50㎛ 이상이다.After a silicon bare wafer having a thickness of 100 占 퐉 was bonded to the adhesive layer 3 of the dicing and die-bonding film 10, the first dicing blade was cut into 100 m of the silicon wafer wafer at a depth of cut of 50 占 퐉, The amount of wear of the second dicing blade when the silicone bare wafer and the adhesive layer 3 were cut at a depth of notch at which the second dicing blade reaches at least the pressure sensitive adhesive layer 2 along the notch of the first dicing blade 20 mu m or more. It is possible to suppress the deterioration of the cutting quality of the dicing blade and to suppress the occurrence of whiskers. From the viewpoint of suppressing the deterioration of the cutting quality of the dicing blade, the larger the wear amount, the more preferable. Therefore, the wear amount is preferably 30 占 퐉 or more, and more preferably 50 占 퐉 or more.

한편, 다이싱 블레이드의 수명의 관점에서 마모량은 작을수록 바람직하다. 구체적으로는, 마모량은 200㎛ 이하이고, 바람직하게는 150㎛ 이하, 보다 바람직하게는 120㎛ 이하이다.On the other hand, the wear amount is preferably as small as possible from the viewpoint of the life of the dicing blade. Specifically, the wear amount is 200 탆 or less, preferably 150 탆 or less, and more preferably 120 탆 or less.

실리콘 베어 웨이퍼란, 패턴 형성 등의 가공 처리를 행하기 전 상태의 실리콘 웨이퍼이다. 제 1 다이싱 블레이드 및 제 2 다이싱 블레이드로서는, 다이아몬드 입자가 수지 중에 매설된 것을 적합하게 이용할 수 있다.The silicon bare wafer is a silicon wafer in a state before a processing such as pattern formation is performed. As the first dicing blade and the second dicing blade, diamond particles embedded in a resin can suitably be used.

한편, 제 2 다이싱 블레이드의 블레이드 폭은 제 1 다이싱 블레이드의 블레이드 폭보다 작다. 또한, 제 1 다이싱 블레이드에 의한 절결 형성은 전송 속도 50mm/sec, 회전수 40000rpm의 조건으로 행한다. 제 2 다이싱 블레이드에 의한 절단은 전송 속도 50mm/sec, 회전수 45000rpm의 조건으로 행한다.On the other hand, the blade width of the second dicing blade is smaller than the blade width of the first dicing blade. The notch formation by the first dicing blade is performed under the conditions of a transfer speed of 50 mm / sec and a rotational speed of 40000 rpm. The cutting by the second dicing blade is performed under the conditions of a transfer speed of 50 mm / sec and a rotational speed of 45000 rpm.

마모량은 실시예에 기재된 방법으로 측정할 수 있다.The amount of wear can be measured by the method described in the examples.

(접착제층(3))(The adhesive layer 3)

접착제층(3)은, 예컨대 열가소성 수지와 열경화성 수지에 의해 형성된 것을 들 수 있고, 보다 구체적으로는, 예컨대 에폭시 수지, 페놀 수지 및 아크릴 수지에 의해 형성된 것을 들 수 있다.The adhesive layer 3 may be formed of, for example, a thermoplastic resin and a thermosetting resin. More specifically, the adhesive layer 3 may be formed of an epoxy resin, a phenol resin, or an acrylic resin.

상기 에폭시 수지는, 접착제 조성물로서 일반적으로 이용되는 것이면 특별히 한정은 없고, 예컨대 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 비스페놀 S형, 브롬화 비스페놀 A형, 수첨 비스페놀 A형, 비스페놀 AF형, 바이페닐형, 나프탈렌형, 플루오렌형, 페놀 노볼락형, 오쏘크레졸 노볼락형, 트리스하이드록시페닐메테인형, 테트라페닐올에테인형 등의 2작용 에폭시 수지나 다작용 에폭시 수지, 또는 히단토인형, 트리스글리시딜 아이소사이아누레이트형 또는 글리시딜아민형 등의 에폭시 수지가 이용된다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 에폭시 수지 중 본 발명에 있어서는, 벤젠환, 바이페닐환, 나프탈렌환 등의 방향족환을 갖는 에폭시 수지가 특히 바람직하다. 구체적으로는, 예컨대 노볼락형 에폭시 수지, 자일릴렌 골격 함유 페놀 노볼락형 에폭시 수지, 바이페닐 골격 함유 노볼락형 에폭시 수지, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 테트라메틸바이페놀형 에폭시 수지, 트라이페닐메테인형 에폭시 수지 등을 들 수 있다. 이들 에폭시 수지는 경화제로서의 페놀 수지와의 반응성이 풍부하고, 내열성 등이 우수하기 때문이다. 한편, 에폭시 수지는 반도체 소자를 부식시키는 이온성 불순물 등의 함유가 적다.The epoxy resin is not particularly limited as long as it is generally used as an adhesive composition and examples thereof include epoxy resins such as bisphenol A type, bisphenol F type, bisphenol S type, brominated bisphenol A type, hydrogenated bisphenol A type, bisphenol AF type, biphenyl type, A bifunctional epoxy resin or a polyfunctional epoxy resin such as a fluorene type, a fluorene type, a phenol novolac type, an orthocresol novolac type, a tris hydroxyphenyl methane type and a tetraphenylol ethene type, Epoxy isocyanurate type epoxy resin, or glycidyl amine type epoxy resin. These may be used alone or in combination of two or more. Among these epoxy resins, an epoxy resin having an aromatic ring such as a benzene ring, a biphenyl ring, and a naphthalene ring is particularly preferable in the present invention. Specific examples thereof include novolak type epoxy resins, xylenol skeleton-containing phenol novolak type epoxy resins, biphenyl skeleton-containing novolak type epoxy resins, bisphenol A type epoxy resins, bisphenol F type epoxy resins, tetramethylbiphenol type epoxy Resin, triphenylmethane-type epoxy resin, and the like. These epoxy resins are rich in reactivity with a phenol resin as a curing agent and have excellent heat resistance. On the other hand, the epoxy resin contains less ionic impurities and the like which corrode semiconductor elements.

상기 에폭시 수지의 중량 평균 분자량은 300∼1500의 범위 내인 것이 바람직하고, 350∼1000의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 300 미만이면, 열경화 후의 다이 본딩 필름(3)의 기계적 강도, 내열성, 내습성이 저하되는 경우가 있다. 그런 한편, 1500보다 크면, 열경화 후의 다이 본딩 필름이 강직해져 취약해지는 경우가 있다. 한편, 본 발명에서의 중량 평균 분자량이란, 겔 투과 크로마토그래피법(GPC; Gel Permeation Chromatography)에서 표준 폴리 스타이렌에 의한 검량선을 이용한 폴리스타이렌 환산값을 의미한다.The weight average molecular weight of the epoxy resin is preferably in the range of 300 to 1500, more preferably in the range of 350 to 1000. If the weight average molecular weight is less than 300, the mechanical strength, heat resistance and moisture resistance of the die-bonding film 3 after heat curing may be lowered. On the other hand, if it is larger than 1500, the die-bonding film after heat curing may become rigid and become vulnerable. Meanwhile, the weight average molecular weight in the present invention means a polystyrene reduced value using a calibration curve by standard polystyrene in Gel Permeation Chromatography (GPC).

나아가, 상기 페놀 수지는 상기 에폭시 수지의 경화제로서 작용하는 것이고, 예컨대 페놀 노볼락 수지, 페놀 바이페닐 수지, 페놀 아르알킬 수지, 크레졸 노볼락 수지, tert-뷰틸페놀 노볼락 수지, 노닐페놀 노볼락 수지 등의 노볼락형 페놀 수지, 레졸형 페놀 수지, 폴리파라옥시스타이렌 등의 폴리옥시스타이렌 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 병용하여 이용할 수 있다. 이들 페놀 수지 중, 페놀 노볼락 수지나, 페놀 아르알킬 수지가 바람직하다. 반도체 장치의 접속 신뢰성을 향상시킬 수 있기 때문이다.Furthermore, the phenol resin acts as a curing agent for the epoxy resin, and examples thereof include phenol novolak resins, phenol biphenyl resins, phenol aralkyl resins, cresol novolak resins, tert-butyl phenol novolak resins, Novolac phenol resins such as novolak type phenolic resins such as novolak type phenolic resins, and phenol novolak type resins such as polypolyoxystyrene. These may be used alone or in combination of two or more. Among these phenol resins, phenol novolac resins and phenol aralkyl resins are preferable. This is because connection reliability of the semiconductor device can be improved.

상기 페놀 수지의 중량 평균 분자량이 300∼1500의 범위 내인 것이 바람직하고, 350∼1000의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 중량 평균 분자량이 300 미만이면, 상기 에폭시 수지의 열경화가 불충분해져 충분한 강인성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 그런 한편, 중량 평균 분자량이 1500보다 크면, 고점도가 되어, 다이 본딩 필름의 제작 시의 작업성이 저하되는 경우가 있다.The phenol resin preferably has a weight average molecular weight in the range of 300 to 1,500, more preferably 350 to 1,000. If the weight-average molecular weight is less than 300, the epoxy resin may not be sufficiently thermally cured and sufficient toughness may not be obtained. On the other hand, if the weight-average molecular weight is larger than 1500, the viscosity becomes high and the workability in the production of the die-bonding film may be lowered.

상기 에폭시 수지와 페놀 수지의 배합 비율은, 예컨대 상기 에폭시 수지 성분 중의 에폭시기 1당량당 페놀 수지 중의 하이드록실기가 0.5당량∼2.0당량이 되도록 배합하는 것이 적합하다. 보다 적합한 것은 0.8당량∼1.2당량이다. 즉, 양자의 배합 비율이 상기 범위를 벗어나면, 충분한 경화 반응이 진행되지 않아, 에폭시 수지 경화물의 특성이 열화되기 쉬워지기 때문이다.The mixing ratio of the epoxy resin to the phenol resin is preferably such that the hydroxyl group in the phenol resin is equivalent to 0.5 to 2 equivalents per equivalent of the epoxy group in the epoxy resin component. More suitable is 0.8 equivalents to 1.2 equivalents. That is, if the mixing ratio of the two is out of the above range, sufficient curing reaction does not proceed and the properties of the epoxy resin cured product tend to deteriorate.

접착제층(3) 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 5중량% 이상, 보다 바람직하게는 9중량% 이상이다. 5중량% 이상이면, 에폭시 수지와 페놀 수지의 가교 반응에 의해서 내리플로우 신뢰성이 얻어진다. 또한, 접착제층(3) 중의 에폭시 수지 및 페놀 수지의 합계 함유량은, 바람직하게는 40중량% 이하, 보다 바람직하게는 30중량% 이하이다. 40중량% 이하이면, 접착제층(3)의 취약화를 억제할 수 있다. 에폭시 수지 및 페놀 수지는 일반적으로 저분자량 성분이고, 실온에서의 가요성이 낮기 때문에, 합계 함유량이 지나치게 많으면 접착제층(3)이 깨지기 쉬워지는 경향이 있다.The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the adhesive layer 3 is preferably 5% by weight or more, and more preferably 9% by weight or more. If it is 5% by weight or more, the flow-through reliability can be obtained by the cross-linking reaction between the epoxy resin and the phenolic resin. The total content of the epoxy resin and the phenol resin in the adhesive layer 3 is preferably 40% by weight or less, more preferably 30% by weight or less. If it is 40% by weight or less, the fragility of the adhesive layer 3 can be suppressed. The epoxy resin and the phenol resin are generally low molecular weight components and have low flexibility at room temperature, so that if the total content is too large, the adhesive layer 3 tends to be easily broken.

상기 아크릴 수지로서는 특별히 한정되지 않지만, 본 발명에 있어서는 카복실기 함유 아크릴 공중합체, 에폭시기 함유 아크릴 공중합체가 바람직하다. 상기 카복실기 함유 아크릴 공중합체에 이용하는 작용기 모노머로서는 아크릴산 또는 메타크릴산을 들 수 있다. 아크릴산 또는 메타크릴산의 함유량은 산가가 1∼4의 범위 내가 되도록 조절된다. 그의 잔부는 메틸 아크릴레이트, 메틸 메타크릴레이트 등의 탄소수 1∼8의 알킬기를 갖는 알킬 아크릴레이트, 알킬 메타크릴레이트, 스타이렌, 또는 아크릴로나이트릴 등의 혼합물을 이용할 수 있다. 이들 중에서도, 에틸 (메트)아크릴레이트 및/또는 뷰틸 (메트)아크릴레이트가 특히 바람직하다. 혼합 비율은, 후술하는 상기 아크릴 수지의 유리 전이점(Tg)을 고려하여 조정하는 것이 바람직하다. 또한, 중합 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 용액 중합법, 괴상 중합법, 현탁 중합법, 유화 중합법 등의 종래 공지된 방법을 채용할 수 있다.The acrylic resin is not particularly limited, but in the present invention, a carboxyl group-containing acrylic copolymer and an epoxy group-containing acrylic copolymer are preferable. The functional monomer used in the carboxyl group-containing acrylic copolymer may be acrylic acid or methacrylic acid. The content of acrylic acid or methacrylic acid is adjusted so that the acid value is in the range of 1 to 4. The balance may be a mixture of an alkyl acrylate having an alkyl group having 1 to 8 carbon atoms such as methyl acrylate and methyl methacrylate, alkyl methacrylate, styrene or acrylonitrile. Of these, ethyl (meth) acrylate and / or butyl (meth) acrylate are particularly preferred. The mixing ratio is preferably adjusted in consideration of the glass transition point (Tg) of the acrylic resin described below. The polymerization method is not particularly limited, and conventionally known methods such as a solution polymerization method, a bulk polymerization method, a suspension polymerization method and an emulsion polymerization method can be employed.

또한, 상기 모노머 성분과 공중합 가능한 다른 모노머 성분으로서는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분의 사용량은, 전체 모노머 성분에 대하여 1중량%∼20중량%의 범위 내인 것이 바람직하다. 당해 수치 범위 내의 다른 모노머 성분을 함유시키는 것에 의해, 응집력, 접착성 등의 개질이 도모된다.Further, other monomer components copolymerizable with the above-mentioned monomer component are not particularly limited, and examples thereof include acrylonitrile. The amount of these copolymerizable monomer components to be used is preferably in the range of 1 wt% to 20 wt% with respect to the total monomer components. Modification of the cohesive force, adhesiveness, and the like can be achieved by incorporating other monomer components within the above range.

접착제층(3) 중의 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 2중량% 이상, 보다 바람직하게는 5중량% 이상이다. 2중량% 이상이면, 필름으로서의 형상을 유지하기 쉽다. 또한, 아크릴 수지의 함유량은, 바람직하게는 15중량% 이하, 보다 바람직하게는 10중량% 이하이다. 15중량% 이하이면, 고온에서의 양호한 요철 추종성이 얻어진다.The content of the acrylic resin in the adhesive layer 3 is preferably 2% by weight or more, and more preferably 5% by weight or more. If it is 2% by weight or more, the shape of the film can be easily maintained. The content of the acrylic resin is preferably 15% by weight or less, more preferably 10% by weight or less. If it is 15% by weight or less, good unevenness followability at high temperature is obtained.

접착제층(3)은 통상 연마제를 포함한다. 접착제층(3)에 연마제를 함유시킴으로써, 다이싱 블레이드 표면을 연마(드레싱)할 수 있어, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 방지할 수 있다.The adhesive layer 3 usually contains an abrasive. By containing an abrasive in the adhesive layer 3, the surface of the dicing blade can be polished (dressed), and deterioration of the cutting quality of the dicing blade can be prevented.

연마제로서는 구상 알루미나 충전재가 바람직하다. 알루미나는 다이아몬드에 버금가는 경도를 갖기 때문에, 알루미나를 접착제층(3)에 함유시킴으로써 다이싱 블레이드를 양호하게 연마할 수 있다. 또한, 알루미나가 저충전량이면 연마 효과가 작지만, 알루미나의 형상을 고충전 가능한 구상으로 함으로써, 양호한 연마 효과가 얻어진다.As the abrasive, spherical alumina filler is preferable. Since alumina has a hardness comparable to that of diamond, by containing alumina in the adhesive layer 3, the dicing blade can be polished well. When the alumina has a low filling amount, the polishing effect is small. However, by making the shape of the alumina spherical so as to be highly fillable, a good polishing effect can be obtained.

구상 알루미나 충전재의 평균 입경은, 바람직하게는 0.3㎛ 이상, 보다 바람직하게는 0.5㎛ 이상이다. 0.3㎛ 이상이기 때문에, 고온에서의 요철 추종성이 얻어지고, 또한 고충전이 가능해진다. 또한, 구상 알루미나 충전재의 평균 입경은, 바람직하게는 15㎛ 이하, 보다 바람직하게는 10㎛ 이하이다. 15㎛ 이하이기 때문에, 접착제층(3)의 박형화가 가능해진다.The spherical alumina filler preferably has an average particle diameter of 0.3 mu m or more, more preferably 0.5 mu m or more. Since it is 0.3 m or more, irregularity followability at a high temperature can be obtained and high filling can be achieved. The average particle diameter of the spherical alumina filler is preferably 15 占 퐉 or less, and more preferably 10 占 퐉 or less. The thickness of the adhesive layer 3 can be reduced.

구상 알루미나 충전재의 평균 입경은, 예컨대 광도식의 입도 분포계(HORIBA제, 장치명; LA-910)에 의해 구한 값이다.The average particle diameter of the spherical alumina filler is, for example, a value determined by a particle size distribution meter (manufactured by HORIBA, Inc., LA-910).

구상 알루미나 충전재의 최대 입경은 40㎛ 이하가 바람직하다. 40㎛ 이하이면, 박형화에 대응할 수 있다. 접착제층(3)의 두께 요구는 해마다 박형화되고 있고, 40㎛ 이하의 것이 주류로 되어 있어, 그 이상의 큰 입경의 충전재는 적합하지 않다.The maximum particle diameter of the spherical alumina filler is preferably 40 탆 or less. When the thickness is 40 μm or less, it is possible to cope with thinning. The thickness of the adhesive layer 3 is required to be thin each year, and the mainstream of the adhesive layer 3 is 40 탆 or less, and a filler having a larger particle diameter is not suitable.

구상 알루미나 충전재는, 실레인 커플링제에 의해 처리(전처리)된 것이 바람직하다. 이에 의해, 구상 알루미나 충전재의 분산성이 양호해져, 구상 알루미나 충전재의 고충전화가 가능해진다.The spherical alumina filler is preferably treated (pretreated) with a silane coupling agent. As a result, the dispersibility of the spherical alumina filler is improved, and the spherical alumina filler can be highly searched.

실레인 커플링제는, 분자 중에 가수분해성기 및 유기 작용기를 갖는 화합물이다.The silane coupling agent is a compound having a hydrolyzable group and an organic functional group in the molecule.

가수분해성기로서는, 예컨대 메톡시기, 에톡시기 등의 탄소수 1∼6의 알콕시기, 아세톡시기, 2-메톡시에톡시기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 가수분해 속도가 빠르고, 실레인 커플링 처리를 양호하게 행할 수 있다는 이유에서, 메톡시기가 바람직하다.Examples of the hydrolyzable group include an alkoxy group having 1 to 6 carbon atoms such as a methoxy group and an ethoxy group, an acetoxy group, and a 2-methoxyethoxy group. Among them, a methoxy group is preferable because of its high hydrolysis rate and good silane coupling treatment.

유기 작용기로서는, 바이닐기, 에폭시기, 스타이릴기, 메타크릴기, 아크릴기, 아미노기, 우레이도기, 머캅토기, 설파이드기, 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다. 그 중에서도, 구상 알루미나 충전재의 분산성을 높일 수 있음과 더불어, 접착제층(3)의 유동성을 높일 수 있다는 이유에서, 에폭시기, 메타크릴기가 바람직하다.Examples of the organic functional group include a vinyl group, an epoxy group, a styryl group, a methacrylic group, an acryl group, an amino group, an ureido group, a mercapto group, a sulfide group and an isocyanate group. Among them, an epoxy group and a methacrylic group are preferable because the dispersibility of the spherical alumina filler can be increased and the fluidity of the adhesive layer 3 can be increased.

실레인 커플링제로서는, 예컨대 바이닐트라이메톡시실레인, 바이닐트라이에톡시실레인 등의 바이닐기 함유 실레인 커플링제; 2-(3,4-에폭시사이클로헥실)에틸트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인, 3-글리시독시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-글리시독시프로필트라이에톡시실레인 등의 에폭시기 함유 실레인 커플링제(에폭시실레인계 실레인 커플링제); p-스타이릴트라이메톡시실레인 등의 스타이릴기 함유 실레인 커플링제; 3-메타크릴옥시프로필메틸다이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이메톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필메틸다이에톡시실레인, 3-메타크릴옥시프로필트라이에톡시실레인 등의 메타크릴기 함유 실레인 커플링제(메타크릴실레인계 실레인 커플링제); 3-아크릴옥시프로필트라이메톡시실레인 등의 아크릴기 함유 실레인 커플링제; N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필메틸다이메톡시실레인, N-2-(아미노에틸)-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이메톡시실레인, 3-아미노프로필트라이에톡시실레인, 3-트라이에톡시실릴-N-(1,3-다이메틸-뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트라이메톡시실레인, N-(바이닐벤질)-2-아미노에틸-3-아미노프로필트라이메톡시실레인 등의 아미노기 함유 실레인 커플링제; 3-우레이도프로필트라이에톡시실레인 등의 우레이도기 함유 실레인 커플링제; 3-머캅토프로필메틸다이메톡시실레인, 3-머캅토프로필트라이메톡시실레인 등의 머캅토기 함유 실레인 커플링제; 비스(트라이에톡시실릴프로필)테트라설파이드 등의 설파이드기 함유 실레인 커플링제; 3-아이소사이아네이트프로필트라이에톡시실레인 등의 아이소사이아네이트기 함유 실레인 커플링제 등을 들 수 있다.Examples of the silane coupling agent include vinyl group-containing silane coupling agents such as vinyltrimethoxysilane and vinyltriethoxysilane; 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyl, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 3- An epoxy group-containing silane coupling agent (epoxysilane-based silane coupling agent) such as diethoxy silane and 3-glycidoxypropyl triethoxy silane; styryl group-containing silane coupling agents such as p-styryltrimethoxysilane; Methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, etc. Methacrylic group-containing silane coupling agent (methacryl silane-based silane coupling agent); Acrylic group-containing silane coupling agents such as 3-acryloxypropyltrimethoxysilane; Aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, N-2- (aminoethyl) -3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N-2- -Aminopropyltriethoxysilane, 3-triethoxysilyl-N- (1,3-dimethyl-butyrylidene) propylamine, N-phenyl- Vinylbenzyl) -2-aminoethyl-3-aminopropyltrimethoxysilane, and other amino group-containing silane coupling agents; Ureido-containing silane coupling agents such as 3-ureidopropyltriethoxysilane; Mercapto group-containing silane coupling agents such as 3-mercaptopropylmethyl dimethoxysilane and 3-mercaptopropyl trimethoxysilane; Sulfide group-containing silane coupling agents such as bis (triethoxysilylpropyl) tetrasulfide; And an isocyanate group-containing silane coupling agent such as 3-isocyanate propyltriethoxysilane.

실레인 커플링제에 의해 구상 알루미나 충전재를 처리하는 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 용매 중에서 구상 알루미나 충전재와 실레인 커플링제를 혼합하는 습식법, 기상 중에서 구상 알루미나 충전재와 실레인 커플링제를 처리시키는 건식법 등을 들 수 있다.The method of treating the spherical alumina filler with the silane coupling agent is not particularly limited and the wet method in which the spherical alumina filler and the silane coupling agent are mixed in the solvent, the dry method in which the spherical alumina filler and the silane coupling agent are treated in the gas phase .

실레인 커플링제의 처리량은 특별히 한정되지 않지만, 구상 알루미나 충전재 100중량부에 대하여, 실레인 커플링제를 0.05∼5중량부 처리하는 것이 바람직하다.The throughput of the silane coupling agent is not particularly limited, but 0.05 to 5 parts by weight of the silane coupling agent is preferably added to 100 parts by weight of the spherical alumina filler.

접착제층(3) 중의 구상 알루미나 충전재의 함유량은, 바람직하게는 60중량% 이상, 보다 바람직하게는 70중량% 이상, 더 바람직하게는 75중량% 이상이다. 60중량% 이상이면, 다이싱 블레이드를 양호하게 연마할 수 있어, 절단 품질의 저하를 방지할 수 있다. 접착제층(3) 중의 구상 알루미나 충전재의 함유량은, 바람직하게는 90중량% 이하, 보다 바람직하게는 88중량% 이하이다. 90중량% 이하이면, 다이싱 블레이드의 수명이 과도하게 짧아지는 것을 방지할 수 있다.The content of the spherical alumina filler in the adhesive layer (3) is preferably at least 60 wt%, more preferably at least 70 wt%, and even more preferably at least 75 wt%. If it is 60% by weight or more, the dicing blade can be polished well, and the deterioration of the cutting quality can be prevented. The content of the spherical alumina filler in the adhesive layer (3) is preferably 90% by weight or less, and more preferably 88% by weight or less. If it is 90% by weight or less, the life of the dicing blade can be prevented from becoming excessively short.

접착제층(3)은, 상기 성분 이외에도, 접착제층의 제조에 일반적으로 사용되는 배합제, 예컨대 가교제 등을 적절히 함유해도 좋다.In addition to the above components, the adhesive layer 3 may suitably contain a compounding agent generally used in the production of an adhesive layer, such as a crosslinking agent.

접착제층(3)의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분(예컨대 열가소성 수지, 열경화성 수지 및 구상 알루미나 충전재)을 함유하는 접착제 조성물 용액을 제작하는 공정, 접착제 조성물 용액을 여과하여 여과액을 얻는 공정, 및 여과액을 기재 세퍼레이터 상에 도포하여 도포막을 형성한 후, 도포막을 건조시키는 공정을 포함하는 방법이 바람직하다.The method for producing the adhesive layer 3 is not particularly limited, but may include a step of producing an adhesive composition solution containing the respective components (for example, a thermoplastic resin, a thermosetting resin and a spherical alumina filler), a step of filtering the adhesive composition solution to obtain a filtrate And a step of applying a filtrate onto the substrate separator to form a coating film, followed by drying the coating film.

접착제 조성물 용액에 이용하는 용매로서는 특별히 한정되지 않지만, 상기 각 성분을 균일하게 용해, 혼련 또는 분산시킬 수 있는 유기 용매가 바람직하다. 예컨대, 다이메틸폼아마이드, 다이메틸아세트아마이드, N-메틸피롤리돈, 아세톤, 메틸에틸케톤, 사이클로헥산온 등의 케톤계 용매, 톨루엔, 자일렌 등을 들 수 있다.The solvent used in the adhesive composition solution is not particularly limited, but an organic solvent capable of uniformly dissolving, kneading or dispersing the above components is preferable. Examples thereof include ketone solvents such as dimethylformamide, dimethylacetamide, N-methylpyrrolidone, acetone, methyl ethyl ketone and cyclohexanone, toluene and xylene.

여과에 이용하는 여과재의 개구는 50㎛ 이하가 바람직하다. 이에 의해, 구상 알루미나 충전재의 최대 입경을 50㎛ 이하로 할 수 있고, 알루미나 충전재의 응집물이 접착제층(3)에 혼입되는 것을 억제할 수 있다.The opening of the filter medium used for filtration is preferably 50 占 퐉 or less. Thereby, the maximum particle diameter of the spherical alumina filler can be made 50 mu m or less, and the aggregation of the alumina filler can be suppressed from being mixed into the adhesive layer 3. [

기재 세퍼레이터로서는, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리에틸렌, 폴리프로필렌이나, 불소계 박리제, 장쇄 알킬 아크릴레이트계 박리제 등의 박리제에 의해 표면 코팅된 플라스틱 필름이나 종이 등이 사용 가능하다. 접착제 조성물 용액의 도포 방법으로서는, 예컨대 롤 도공, 스크린 도공, 그라비아 도공 등을 들 수 있다. 또한, 도포막의 건조 조건은 특별히 한정되지 않고, 예컨대 건조 온도 70∼160℃, 건조 시간 1∼5분간으로 행할 수 있다.As the base separator, a plastic film or paper surface-coated with a release agent such as polyethylene terephthalate (PET), polyethylene, polypropylene, a fluorine-based release agent, or a long-chain alkyl acrylate-based release agent can be used. Examples of the application method of the adhesive composition solution include roll coating, screen coating, and gravure coating. The drying condition of the coating film is not particularly limited, and can be carried out, for example, at a drying temperature of 70 to 160 DEG C and a drying time of 1 to 5 minutes.

접착제층(3)의 두께는 특별히 한정되지 않지만, 5㎛ 이상이 바람직하다. 5㎛ 이상이면, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 접착제층(3)의 두께는 100㎛ 이하가 바람직하고, 50㎛ 이하가 보다 바람직하다. 100㎛ 이하이면, 다이싱 블레이드의 수명이 과도하게 짧아지는 것을 방지할 수 있다.The thickness of the adhesive layer 3 is not particularly limited, but is preferably 5 占 퐉 or more. If the thickness is 5 占 퐉 or more, deterioration of the cutting quality of the dicing blade can be suppressed. The thickness of the adhesive layer 3 is preferably 100 占 퐉 or less, more preferably 50 占 퐉 or less. If it is 100 탆 or less, the life of the dicing blade can be prevented from becoming excessively short.

(기재(1))(Substrate (1))

기재(1)는 다이싱·다이 본딩 필름(10)의 강도 모체가 되는 것이다. 기재(1)로서는, 예컨대 저밀도 폴리에틸렌, 직쇄상 폴리에틸렌, 중밀도 폴리에틸렌, 고밀도 폴리에틸렌, 초저밀도 폴리에틸렌, 랜덤 공중합 폴리프로필렌, 블록 공중합 폴리프로필렌, 호모폴리프로필렌, 폴리뷰텐, 폴리메틸펜텐 등의 폴리올레핀, 에틸렌-아세트산 바이닐 공중합체, 아이오노머 수지, 에틸렌-(메트)아크릴산 공중합체, 에틸렌-(메트)아크릴산 에스터 (랜덤, 교대) 공중합체, 에틸렌-뷰텐 공중합체, 에틸렌-헥센 공중합체, 폴리우레탄, 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에틸렌 나프탈레이트 등의 폴리에스터, 폴리카보네이트, 폴리이미드, 폴리에터에터케톤, 폴리이미드, 폴리에터이미드, 폴리아마이드, 전방향족 폴리아마이드, 폴리페닐설파이드, 아라미드(종이), 유리, 유리 클로스(cloth), 불소 수지, 폴리염화바이닐, 폴리염화바이닐리덴, 셀룰로스계 수지, 실리콘 수지, 금속(박), 종이 등을 들 수 있다. 이들 중, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌 등은 흡수율이 작기 때문에, 기재(1)로서 바람직하다.The base material (1) serves as a matrix of the dicing / die-bonding film (10). Examples of the substrate 1 include polyolefins such as low density polyethylene, linear polyethylene, medium density polyethylene, high density polyethylene, ultra low density polyethylene, random copolymerized polypropylene, block copolymerized polypropylene, homopolypropylene, polybutene, (Meth) acrylic acid ester (random, alternating) copolymer, an ethylene-butene copolymer, an ethylene-hexene copolymer, a polyurethane, an ethylene-vinyl acetate copolymer, an ionomer resin, Polyimide, polyetherimide, polyamide, wholly aromatic polyamide, polyphenylsulfide, aramid (paper), polyimide, polyether sulfone, Glass, glass cloth, fluororesin, polyvinyl chloride, polyvinylidene chloride, cell Based resin, a silicon resin, a metal (foil), and paper. Of these, polyethylene, polypropylene and the like are preferable as the base material 1 because of a small water absorption rate.

기재(1)의 표면은, 인접하는 층과의 밀착성, 유지성 등을 높이기 위해서, 관용의 표면 처리, 예컨대 크로뮴산 처리, 오존 폭로, 화염 폭로, 고압 전격 폭로, 이온화 방사선 처리 등의 화학적 또는 물리적 처리, 하도제(下塗劑)(예컨대, 후술하는 점착 물질)에 의한 코팅 처리를 실시할 수 있다.The surface of the substrate 1 is subjected to chemical or physical treatments such as surface treatment for tolerance, such as chromium acid treatment, ozone exposure, flame exposure, high voltage exposure and ionizing radiation treatment, in order to improve the adhesion with the adjacent layer, , And an undercoating agent (for example, an adhesive material described later).

기재(1)는 동종 또는 이종의 것을 적절히 선택하여 사용할 수 있고, 필요에 따라 여러 종을 블렌딩한 것을 이용할 수 있다.The base material (1) can be selected from homogeneous or heterogeneous materials suitably, and blended with various kinds of materials may be used if necessary.

기재(1)의 두께는 특별히 제한되지 않고 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 60∼150㎛ 정도이다.The thickness of the substrate 1 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 60 to 150 mu m.

(점착제층(2))(Pressure-sensitive adhesive layer (2))

점착제층(2)을 구성하는 점착제로서는, 반도체 웨이퍼 또는 유리 등의 오염을 꺼리는 전자 부품의 초순수나 알코올 등의 유기 용제에 의한 청정 세정성 등의 점에서, 아크릴계 폴리머를 베이스 폴리머로 하는 아크릴계 점착제가 바람직하다.As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (2), an acrylic pressure-sensitive adhesive using an acrylic polymer as a base polymer from the viewpoints of ultrapure water of an electronic part that is not susceptible to contamination such as a semiconductor wafer or glass or an organic solvent such as alcohol desirable.

상기 아크릴계 폴리머로서는, 예컨대 (메트)아크릴산 알킬 에스터(예컨대, 메틸 에스터, 에틸 에스터, 프로필 에스터, 아이소프로필 에스터, 뷰틸 에스터, 아이소뷰틸 에스터, s-뷰틸 에스터, t-뷰틸 에스터, 펜틸 에스터, 아이소펜틸 에스터, 헥실 에스터, 헵틸 에스터, 옥틸 에스터, 2-에틸헥실 에스터, 아이소옥틸 에스터, 노닐 에스터, 데실 에스터, 아이소데실 에스터, 운데실 에스터, 도데실 에스터, 트라이데실 에스터, 테트라데실 에스터, 헥사데실 에스터, 옥타데실 에스터, 에이코실 에스터 등의 알킬기의 탄소수 1∼30, 특히 탄소수 4∼18의 직쇄상 또는 분기쇄상의 알킬 에스터 등) 및 (메트)아크릴산 사이클로알킬 에스터(예컨대, 사이클로펜틸 에스터, 사이클로헥실 에스터 등)의 1종 또는 2종 이상을 단량체 성분으로서 이용한 아크릴계 폴리머 등을 들 수 있다. 한편, (메트)아크릴산 에스터란 아크릴산 에스터 및/또는 메타크릴산 에스터를 말하고, 본 발명의 (메트)란 모두 마찬가지의 의미이다.Examples of the acrylic polymer include (meth) acrylic acid alkyl esters such as methyl ester, ethyl ester, propyl ester, isopropyl ester, butyl ester, isobutyl ester, s-butyl ester, But are not limited to, esters, hexyl esters, heptyl esters, octyl esters, 2-ethylhexyl esters, isooctyl esters, nonyl esters, decyl esters, isodecyl esters, undecyl esters, dodecyl esters, tridecyl esters, Linear or branched alkyl esters having 1 to 30 carbon atoms, particularly 4 to 18 carbon atoms, of alkyl groups such as ester, octadecyl ester and eicosyl ester) and (meth) acrylic acid cycloalkyl esters (for example, cyclopentyl ester, cyclo Hexyl ester, etc.) as the monomer component, or the like Can. On the other hand, (meth) acrylic acid ester refers to acrylic acid ester and / or methacrylic acid ester, and (meth)

상기 아크릴계 폴리머는 응집력, 내열성 등의 개질을 목적으로 하여, 필요에 따라, 상기 (메트)아크릴산 알킬 에스터 또는 사이클로알킬 에스터와 공중합 가능한 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다. 이와 같은 모노머 성분으로서, 예컨대 아크릴산, 메타크릴산, 카복시에틸 (메트)아크릴레이트, 카복시펜틸 (메트)아크릴레이트, 이타콘산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산 등의 카복실기 함유 모노머; 무수 말레산, 무수 이타콘산 등의 산 무수물 모노머; (메트)아크릴산 2-하이드록시에틸, (메트)아크릴산 2-하이드록시프로필, (메트)아크릴산 4-하이드록시뷰틸, (메트)아크릴산 6-하이드록시헥실, (메트)아크릴산 8-하이드록시옥틸, (메트)아크릴산 10-하이드록시데실, (메트)아크릴산 12-하이드록시라우릴, (4-하이드록시메틸사이클로헥실)메틸 (메트)아크릴레이트 등의 하이드록실기 함유 모노머; 스타이렌설폰산, 알릴설폰산, 2-(메트)아크릴아마이드-2-메틸프로페인설폰산, (메트)아크릴아미도프로페인설폰산, 설포프로필 (메트)아크릴레이트, (메트)아크릴로일옥시나프탈렌설폰산 등의 설폰산기 함유 모노머; 2-하이드록시에틸 아크릴로일 포스페이트 등의 인산기 함유 모노머; 아크릴아마이드, 아크릴로나이트릴 등을 들 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머 성분은 1종 또는 2종 이상 사용할 수 있다. 이들 공중합 가능한 모노머의 사용량은 전체 모노머 성분의 40중량% 이하가 바람직하다.The acrylic polymer may contain units corresponding to other monomer components copolymerizable with the (meth) acrylic acid alkyl ester or the cycloalkyl ester, if necessary, for the purpose of modifying the cohesive force, heat resistance and the like. Examples of the monomer component include carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, carboxyethyl (meth) acrylate, carboxypentyl (meth) acrylate, itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and crotonic acid; Acid anhydride monomers such as maleic anhydride and itaconic anhydride; (Meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl Hydroxyl group-containing monomers such as (meth) acrylic acid 10-hydroxydecyl, (meth) acrylic acid 12-hydroxylauryl and (4-hydroxymethylcyclohexyl) methyl (meth) acrylate; (Meth) acrylamidopropane sulfonic acid, sulfopropyl (meth) acrylate, (meth) acryloyloxy (meth) acrylamide, Sulfonic acid group-containing monomers such as naphthalene sulfonic acid; Phosphoric acid group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl acryloyl phosphate; Acrylamide, acrylonitrile, and the like. These copolymerizable monomer components may be used alone or in combination of two or more. The amount of these copolymerizable monomers to be used is preferably 40% by weight or less based on the total monomer components.

나아가, 상기 아크릴계 폴리머는 가교시키기 위해 다작용성 모노머 등도 필요에 따라 공중합용 모노머 성분으로서 포함할 수 있다. 이와 같은 다작용성 모노머로서, 예컨대 헥세인다이올 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)에틸렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, (폴리)프로필렌글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 다이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 다이(메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리스리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 에폭시 (메트)아크릴레이트, 폴리에스터 (메트)아크릴레이트, 우레탄 (메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 다작용성 모노머도 1종 또는 2종 이상 이용할 수 있다. 다작용성 모노머의 사용량은, 점착 특성 등의 점에서, 전체 모노머 성분의 30중량% 이하가 바람직하다.Further, the acryl-based polymer may include a multi-functional monomer or the like as a monomer component for copolymerization for crosslinking. Examples of such a polyfunctional monomer include hexane diol di (meth) acrylate, (poly) ethylene glycol di (meth) acrylate, (poly) propylene glycol di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, Polyester (meth) acrylate, and urethane (meth) acrylate. These multifunctional monomers may be used alone or in combination of two or more. The amount of the multifunctional monomer to be used is preferably 30% by weight or less based on the total amount of the monomer components from the viewpoint of adhesion properties and the like.

상기 아크릴계 폴리머의 조제는, 예컨대 1종 또는 2종 이상의 성분 모노머의 혼합물에 용액 중합 방식이나 유화 중합 방식, 괴상 중합 방식이나 현탁 중합 방식 등의 적절한 방식을 적용하여 행할 수 있다. 점착제층(2)은, 웨이퍼의 오염 방지 등의 점에서 저분자량 물질의 함유를 억제한 조성이 바람직하고, 이러한 점에서 중량 평균 분자량이 30만 이상, 특히 40만∼300만인 아크릴계 폴리머를 주성분으로 하는 것이 바람직하기 때문에 점착제는, 내부 가교 방식이나 외부 가교 방식 등에 의한 적절한 가교 타입으로 할 수도 있다.The acrylic polymer may be prepared, for example, by applying a suitable method such as a solution polymerization method, an emulsion polymerization method, a bulk polymerization method or a suspension polymerization method to a mixture of one or more kinds of component monomers. The pressure-sensitive adhesive layer (2) is preferably a composition in which the content of a low molecular weight substance is suppressed from the standpoint of prevention of contamination of the wafer, and in this respect, an acrylic polymer having a weight average molecular weight of 300,000 or more, particularly 400,000 to 3,000,000, The pressure-sensitive adhesive may be of a suitable crosslinking type by an internal crosslinking method or an external crosslinking method.

또한, 점착제층(2)의 가교 밀도의 제어를 위해, 예컨대 다작용 아이소사이아네이트계 화합물, 다작용 에폭시계 화합물, 멜라민계 화합물, 금속염계 화합물, 금속 킬레이트계 화합물, 아미노 수지계 화합물, 또는 과산화물 등의 적절한 외부 가교제를 이용하여 가교 처리하는 방식이나, 탄소-탄소 이중 결합을 2개 이상 갖는 저분자 화합물을 혼합하여 에너지선의 조사 등에 의해 가교 처리하는 방식 등의 적절한 방식을 채용할 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그의 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 일반적으로는, 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 5중량부 정도 이하, 나아가서는 0.1중량부∼5중량부 배합하는 것이 바람직하다. 한편, 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 이외에 각종 점착 부여제, 노화 방지제 등의 첨가제를 이용해도 좋다.For controlling the crosslinking density of the pressure-sensitive adhesive layer (2), for example, a polyfunctional isocyanate compound, a polyfunctional epoxy compound, a melamine compound, a metal salt compound, a metal chelate compound, an amino resin compound, Or a method in which a low molecular weight compound having two or more carbon-carbon double bonds is mixed and subjected to a crosslinking treatment by irradiation of an energy ray or the like can be adopted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. Generally, about 5 parts by weight or less, more preferably 0.1 part by weight to 5 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer is preferably blended. If necessary, various additives such as a tackifier and an anti-aging agent may be used for the pressure-sensitive adhesive in addition to the above components.

점착제층(2)을 구성하는 점착제로서는, 방사선 경화형 점착제가 적합하다. 방사선 경화형 점착제로서는, 전술한 점착제에 방사선 경화성의 모노머 성분이나 방사선 경화성의 올리고머 성분을 배합한 첨가형의 방사선 경화형 점착제를 예시할 수 있다.As a pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (2), a radiation-curable pressure-sensitive adhesive is suitable. As the radiation-curable pressure-sensitive adhesive, there can be cited an addition-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive in which a radiation-curable monomer component or a radiation-curable oligomer component is blended with the aforementioned pressure-sensitive adhesive.

배합하는 방사선 경화성의 모노머 성분으로서는, 예컨대 우레탄 (메트)아크릴레이트, 트라이메틸올프로페인 트라이(메트)아크릴레이트, 테트라메틸올메테인 테트라(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 트라이(메트)아크릴레이트, 펜타에리스리톨 테트라(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리스리톨 모노하이드록시 펜타(메트)아크릴레이트, 다이펜타에리스리톨 헥사(메트)아크릴레이트, 1,4-뷰테인다이올 다이(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 이들 모노머 성분은 1종 또는 2종 이상 병용할 수 있다.Examples of the radiation curable monomer component to be blended include urethane (meth) acrylate, trimethylol propane tri (meth) acrylate, tetramethylolmethane tetra (meth) acrylate, pentaerythritol tri (meth) (Meth) acrylate, pentaerythritol tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate and 1,4- have. These monomer components may be used alone or in combination of two or more.

또한, 방사선 경화성의 올리고머 성분은 우레탄계, 폴리에터계, 폴리에스터계, 폴리카보네이트계, 폴리뷰타다이엔계 등 여러 가지 올리고머를 들 수 있고, 그의 분자량이 100∼30000 정도의 범위인 것이 적당하다. 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분의 배합량은, 상기 점착제층의 종류에 따라, 점착제층의 점착력을 저하할 수 있는 양을 적절히 결정할 수 있다. 일반적으로는, 점착제를 구성하는 아크릴계 폴리머 등의 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 예컨대 5중량부∼500중량부, 바람직하게는 70중량부∼150중량부 정도이다.Examples of the radiation-curable oligomer component include various oligomers such as urethane-based, polyether-based, polyester-based, polycarbonate-based, and polybutadiene-based oligomers, and the molecular weight thereof is suitably in the range of about 100 to 30,000. The amount of the radiation-curable monomer component or oligomer component can be appropriately determined depending on the type of the pressure-sensitive adhesive layer so that the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer can be lowered. Generally, it is, for example, about 5 parts by weight to 500 parts by weight, preferably about 70 parts by weight to 150 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer such as acrylic polymer constituting the pressure-sensitive adhesive.

또한, 방사선 경화형 점착제로서는, 상기 첨가형의 방사선 경화형 점착제 이외에, 베이스 폴리머로서 탄소-탄소 이중 결합을 폴리머 측쇄, 또는 주쇄 중 또는 주쇄 말단에 갖는 것을 이용한 내재형의 방사선 경화형 점착제도 들 수 있다. 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 저분자 성분인 올리고머 성분 등을 함유할 필요가 없거나, 또는 많이는 포함하지 않기 때문에, 경시(經時)적으로 올리고머 성분 등이 점착제 중을 이동하는 일 없이, 안정된 층 구조의 점착제층을 형성할 수 있기 때문에 바람직하다.As radiation curable pressure sensitive adhesives, radiation curable pressure sensitive adhesives of the internal type which use, in addition to the addition type radiation curable pressure sensitive adhesives, those having a carbon-carbon double bond as a base polymer at the polymer side chain or at the main chain or at the main chain terminal. The radiation-curable pressure-sensitive adhesive of the internal type does not need or need to contain an oligomer component, which is a low-molecular component, so that the oligomer component or the like does not move in the pressure- Sensitive adhesive layer can be formed.

상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머는, 탄소-탄소 이중 결합을 갖고, 또한 점착성을 갖는 것을 특별한 제한없이 사용할 수 있다. 이와 같은 베이스 폴리머로서는, 아크릴계 폴리머를 기본 골격으로 하는 것이 바람직하다. 아크릴계 폴리머의 기본 골격으로서는, 상기 예시한 아크릴계 폴리머를 들 수 있다.The base polymer having a carbon-carbon double bond may have a carbon-carbon double bond and may be used without any particular limitation. As such a base polymer, an acrylic polymer is preferably used as a basic skeleton. Examples of the basic skeleton of the acrylic polymer include the acrylic polymer exemplified above.

상기 아크릴계 폴리머에 대한 탄소-탄소 이중 결합의 도입법은, 특별히 제한되지 않고 여러 가지 방법을 채용할 수 있지만, 탄소-탄소 이중 결합은 폴리머 측쇄에 도입하는 것이 분자 설계상 용이하다. 예컨대, 미리 아크릴계 폴리머에 작용기를 갖는 모노머를 공중합한 후, 이 작용기와 반응할 수 있는 작용기 및 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 화합물을, 탄소-탄소 이중 결합의 방사선 경화성을 유지한 채로 축합 또는 부가 반응시키는 방법을 들 수 있다.There are no particular restrictions on the method for introducing the carbon-carbon double bond to the acryl-based polymer, and various methods can be employed. However, it is easy to introduce the carbon-carbon double bond into the side chain of the polymer in terms of molecular design. For example, after a monomer having a functional group is copolymerized in advance with an acrylic polymer, a compound having a functional group capable of reacting with the functional group and a carbon-carbon double bond is condensed or added with maintaining the radiation curability of the carbon- .

이들 작용기의 조합의 예로서는, 카복실산기와 에폭시기, 카복실산기와 아지리딜기, 하이드록실기와 아이소사이아네이트기 등을 들 수 있다. 이들 작용기의 조합 중에서도 반응 추적의 용이함으로부터, 하이드록실기와 아이소사이아네이트기의 조합이 적합하다. 또한, 이들 작용기의 조합에 의해, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아크릴계 폴리머를 생성하는 조합이면, 작용기는 아크릴계 폴리머와 상기 화합물 중 어느 측에 있어도 좋지만, 상기 바람직한 조합에서는, 아크릴계 폴리머가 하이드록실기를 갖고, 상기 화합물이 아이소사이아네이트기를 갖는 경우가 적합하다. 이 경우, 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아이소사이아네이트 화합물로서는, 예컨대 메타크릴로일 아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트, m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질 아이소사이아네이트 등을 들 수 있다. 또한, 아크릴계 폴리머로서는, 상기 예시의 하이드록시기 함유 모노머나 2-하이드록시에틸 바이닐 에터, 4-하이드록시뷰틸 바이닐 에터, 다이에틸렌글리콜 모노바이닐 에터의 에터계 화합물 등을 공중합한 것이 이용된다.Examples of combinations of these functional groups include a carboxylic acid group and an epoxy group, a carboxylic acid group and an aziridyl group, and a hydroxyl group and an isocyanate group. Among the combinations of these functional groups, a combination of a hydroxyl group and an isocyanate group is suitable from the viewpoint of easy tracking of the reaction. In the combination of these functional groups, the functional group may be present either on the acrylic polymer or on the side of the compound, provided that the acrylic polymer having the carbon-carbon double bond is produced. In the preferred combination, , And the compound having an isocyanate group is suitable. In this case, examples of the isocyanate compound having a carbon-carbon double bond include methacryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, m-isopropenyl-α, Dimethyl benzyl isocyanate, and the like. As the acrylic polymer, a copolymer obtained by copolymerizing a hydroxyl group-containing monomer, the 2-hydroxyethyl vinyl ether, the 4-hydroxybutyl vinyl ether, the diethylene glycol monovinyl ether, and the like can be used.

상기 내재형의 방사선 경화형 점착제는, 상기 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 베이스 폴리머(특히 아크릴계 폴리머)를 단독으로 사용할 수 있지만, 특성을 악화시키지 않을 정도로 상기 방사선 경화성의 모노머 성분이나 올리고머 성분 등의 광중합성 화합물을 배합할 수도 있다. 당해 광중합성 화합물의 배합량은, 통상 베이스 폴리머 100중량부에 대하여 30중량부 이하의 범위 내이고, 바람직하게는 0∼10중량부의 범위 내이다.The above internal-type radiation-curable pressure-sensitive adhesive may use the above-mentioned base polymer having a carbon-carbon double bond (in particular, an acrylic polymer) alone, but may be used as a radiation curable monomer component or oligomer component A compound may also be compounded. The compounding amount of the photopolymerizable compound is usually within a range of 30 parts by weight or less, preferably from 0 to 10 parts by weight, based on 100 parts by weight of the base polymer.

상기 방사선 경화형 점착제에는, 자외선 등에 의해 경화시키는 경우에는 광중합 개시제를 함유시키는 것이 바람직하다.When the radiation-curable pressure-sensitive adhesive is cured by ultraviolet rays or the like, it is preferable to include a photopolymerization initiator.

점착제층(2)을 구성하는 점착제로서는, 일본 특허공개 2010-129701호 공보에 기재된 활성 에너지선 경화형 점착제를 특히 적합하게 사용할 수 있다. 상기 활성 에너지선 경화형 점착제는 하기 아크릴계 폴리머 A를 포함한다.As the pressure-sensitive adhesive constituting the pressure-sensitive adhesive layer (2), an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive described in JP-A-2010-129701 can be used particularly suitably. The active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive contains the following acrylic polymer A.

아크릴계 폴리머 A: CH2=CHCOOR(식 중, R은 탄소수가 6∼10인 알킬기이다)로 표시되는 아크릴산 에스터 50중량% 이상과 하이드록실기 함유 모노머 10중량%∼30중량%를 포함하면서 카복실기 함유 모노머를 포함하지 않는 모노머 조성물에 의한 폴리머에, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아이소사이아네이트 화합물을 하이드록실기 함유 모노머에 대하여 50mol%∼95mol% 부가 반응시킨 구성을 갖는 아크릴 폴리머The acrylic polymer A: CH 2 = CHCOOR carboxyl group, containing an acrylic acid ester at least 50 wt% and a hydroxyl group containing monomer is 10% by weight to 30% by weight represented by (wherein, R is an alkyl group having the carbon number of 6 to 10) Containing monomer having a radical reactive carbon-carbon double bond in an amount of 50 mol% to 95 mol% with respect to the hydroxyl group-containing monomer is added to the polymer by the monomer composition not containing the monomer

아크릴계 폴리머 A로는, CH2=CHCOOR(식 중, R은 탄소수 6∼10인 알킬기이다)로 표시되는 아크릴산 알킬 에스터(「아크릴산 C6-10 알킬 에스터」라고 칭하는 경우가 있다)를 이용한다. 아크릴산 알킬 에스터의 알킬기의 탄소수가 6 미만이면, 박리력이 지나치게 커져 픽업성이 저하되는 경우가 있다. 한편, 아크릴산 알킬 에스터의 알킬기의 탄소수가 10을 초과하면, 접착제층(3)과의 접착성 또는 밀착성이 저하되고, 그 결과 다이싱 시에 칩의 비산이 발생하는 경우가 있다. 아크릴산 C6-10 알킬 에스터로서는, 알킬기의 탄소수가 8∼9인 아크릴산 알킬 에스터가 특히 바람직하고, 그 중에서도 아크릴산 2-에틸헥실, 아크릴산 아이소옥틸이 가장 적합하다.Roneun acrylic polymer A, CH 2 = CHCOOR uses (may be called as "acrylic acid C6-10 alkyl ester") acrylic acid alkyl ester represented by the formula (In the formula, R is an alkyl group having a carbon number of 6 to 10). If the number of carbon atoms in the alkyl group of the alkyl acrylate is less than 6, the peeling force becomes excessively large and the pickup property may be lowered. On the other hand, when the number of carbon atoms in the alkyl group of the alkyl acrylate is more than 10, the adhesiveness or adhesiveness with the adhesive layer 3 is lowered, and as a result, chip scattering may occur during dicing. As the C6-10 alkyl acrylate ester, acrylic acid alkyl ester having 8 to 9 carbon atoms in the alkyl group is particularly preferable. Of these, 2-ethylhexyl acrylate and isooctyl acrylate are most suitable.

아크릴산 C6-10 알킬 에스터로서는, 그의 함유량은 모노머 성분 전량에 대하여 50중량%(wt%) 이상이 바람직하고, 더 바람직하게는 70wt%∼90wt%이다. 아크릴산 C6-10 알킬 에스터의 함유량이 모노머 성분 전량에 대하여 50wt% 미만이면, 박리력이 지나치게 커져 픽업성이 저하되는 경우가 있다.The content of the C6-10 alkyl acrylate ester is preferably 50% by weight or more, more preferably 70% by weight to 90% by weight, based on the whole amount of the monomer components. If the content of the C6-10 alkyl acrylate ester is less than 50 wt% with respect to the total amount of the monomer components, the peeling force becomes excessively large and the pickup property may be deteriorated.

하이드록실기 함유 모노머의 함유량은, 모노머 성분 전량에 대하여 10wt%∼30wt%의 범위 내인 것이 바람직하고, 15wt%∼25wt%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 하이드록실기 함유 모노머의 함유량이 모노머 성분 전량에 대하여 10wt% 미만이면, 활성 에너지선 조사 후의 가교가 부족하여, 픽업성의 저하나, 접착제층(3) 부착 반도체 칩에 대한 풀 잔류가 발생하는 경우가 있다. 그런 한편, 하이드록실기 함유 모노머의 함유량이 모노머 성분 전량에 대하여 30wt%를 초과하면, 점착제의 극성이 높아져, 접착제층(3)과의 상호 작용이 높아지는 것에 의해 픽업성이 저하된다.The content of the hydroxyl group-containing monomer is preferably in the range of 10 wt% to 30 wt%, more preferably in the range of 15 wt% to 25 wt% with respect to the total amount of the monomer components. If the content of the hydroxyl group-containing monomer is less than 10% by weight based on the total amount of the monomer components, crosslinking after irradiation with an active energy ray is insufficient to reduce the pick-up property and cause a residual residue on the semiconductor chip with the adhesive layer 3 have. On the other hand, if the content of the hydroxyl group-containing monomer exceeds 30 wt% with respect to the total amount of the monomer component, the polarity of the pressure-sensitive adhesive increases, and the interaction with the adhesive layer 3 increases.

아크릴계 폴리머 A는, 필요에 따라, 다른 모노머 성분에 대응하는 단위를 포함하고 있어도 좋다.The acrylic polymer A may contain units corresponding to other monomer components, if necessary.

아크릴계 폴리머 A로는, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖는 아이소사이아네이트 화합물(이중 결합 함유 아이소사이아네이트 화합물」이라고 칭하는 경우가 있다)이 이용된다. 즉, 아크릴 폴리머는, 상기 아크릴산 에스터나 하이드록실기 함유 모노머 등의 모노머 조성물에 의한 폴리머에, 이중 결합 함유 아이소사이아네이트 화합물이 부가 반응된 구성을 갖고 있는 것이 바람직하다. 따라서, 아크릴계 폴리머는, 그의 분자 구조 내에, 라디칼 반응성 탄소-탄소 이중 결합을 갖고 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 활성 에너지선(자외선 등)의 조사에 의해서 경화되는 활성 에너지선 경화형 점착제층(자외선 경화형 점착제층 등)으로 할 수 있고, 접착제층(3)과 점착제층(2)의 박리력을 저하시킬 수 있다.As the acrylic polymer A, an isocyanate compound having a radical reactive carbon-carbon double bond (sometimes referred to as a " double bond-containing isocyanate compound ") is used. That is, it is preferable that the acrylic polymer has a structure in which a double bond-containing isocyanate compound is additionally reacted with the polymer formed by the monomer composition such as the acrylic acid ester or the hydroxyl group-containing monomer. Therefore, it is preferable that the acrylic polymer has a radical reactive carbon-carbon double bond in its molecular structure. This makes it possible to form an active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive layer (ultraviolet-curable pressure-sensitive adhesive layer or the like) which is cured by irradiation of an active energy ray (ultraviolet ray or the like), and detaches the peeling force between the adhesive layer 3 and the pressure- .

이중 결합 함유 아이소사이아네이트 화합물로서는, 예컨대 메타크릴로일 아이소사이아네이트, 아크릴로일 아이소사이아네이트, 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트, 2-아크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트, m-아이소프로펜일-α,α-다이메틸벤질 아이소사이아네이트 등을 들 수 있다. 이중 결합 함유 아이소사이아네이트 화합물은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 이용할 수 있다.Examples of the double bond-containing isocyanate compound include methacryloyl isocyanate, acryloyl isocyanate, 2-methacryloyloxyethyl isocyanate, 2-acryloyloxyethyl isocyanate And m-isopropenyl-alpha, alpha -dimethylbenzyl isocyanate. The double bond-containing isocyanate compounds may be used alone or in combination of two or more.

이중 결합 함유 아이소사이아네이트 화합물의 사용량은, 하이드록실기 함유 모노머에 대하여 50mol%∼95mol%의 범위 내인 것이 바람직하고, 75mol%∼90mol%의 범위 내인 것이 보다 바람직하다. 이중 결합 함유 아이소사이아네이트 화합물의 사용량이 하이드록실기 함유 모노머에 대하여 50mol% 미만이면, 활성 에너지선 조사 후의 가교가 부족하여, 픽업성의 저하나, 접착제층(3) 부착 반도체 칩에 대한 풀 잔류가 발생하는 경우가 있다.The amount of the double bond-containing isocyanate compound used is preferably in the range of 50 mol% to 95 mol%, more preferably in the range of 75 mol% to 90 mol% with respect to the hydroxyl group-containing monomer. If the amount of the double bond-containing isocyanate compound used is less than 50 mol% based on the hydroxyl group-containing monomer, crosslinking after irradiation with an active energy ray is insufficient, resulting in poor pick- May occur.

또한, 활성 에너지선 경화형 점착제에는, 활성 에너지선 조사 전의 점착력이나, 활성 에너지선 조사 후의 점착력을 조정하기 위해, 외부 가교제를 적절히 이용할 수도 있다. 외부 가교 방법의 구체적 수단으로서는, 폴리아이소사이아네이트 화합물, 에폭시 화합물, 아지리딘 화합물, 멜라민계 가교제 등의 이른바 가교제를 첨가하여 반응시키는 방법을 들 수 있다. 외부 가교제를 사용하는 경우, 그의 사용량은 가교해야 할 베이스 폴리머와의 밸런스에 따라, 나아가서는 점착제로서의 사용 용도에 따라 적절히 결정된다. 외부 가교제의 사용량은, 일반적으로는 상기 베이스 폴리머 100중량부에 대하여, 20중량부 이하(바람직하게는 0.1중량부∼10중량부)이다. 나아가, 활성 에너지선 경화형 점착제에는, 필요에 따라, 상기 성분 이외에 종래 공지된 각종 점착 부여제, 노화 방지제, 발포제 등의 첨가제가 배합되어 있어도 좋다.In addition, an external crosslinking agent may be appropriately used in the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive for adjusting the adhesive strength before irradiation with active energy rays or the adhesion force after irradiation with active energy rays. Specific examples of the external crosslinking method include a method in which a so-called crosslinking agent such as a polyisocyanate compound, an epoxy compound, an aziridine compound, or a melamine crosslinking agent is added and reacted. When an external crosslinking agent is used, the amount thereof to be used is appropriately determined according to the balance with the base polymer to be crosslinked, and further, depending on the intended use as a pressure-sensitive adhesive. The amount of the external crosslinking agent to be used is generally 20 parts by weight or less (preferably 0.1 parts by weight to 10 parts by weight) based on 100 parts by weight of the base polymer. Further, the active energy ray-curable pressure-sensitive adhesive may be blended with additives, such as various tackifiers, antioxidants, and foaming agents, which are conventionally known, in addition to the above components, if necessary.

점착제층(2)의 두께는 특별히 제한되지 않고 적절히 결정할 수 있지만, 일반적으로는 5∼200㎛ 정도이다.The thickness of the pressure-sensitive adhesive layer 2 is not particularly limited and can be appropriately determined, but is generally about 5 to 200 占 퐉.

(접착제층(3)의 두께/기재(1) 및 점착제층(2)의 합계 두께)(The thickness of the adhesive layer 3 / the total thickness of the substrate 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 2)

접착제층(3)의 두께/기재(1) 및 점착제층(2)의 합계 두께가 바람직하게는 0.045 이상, 보다 바람직하게는 0.05 이상이다. 0.045 이상이면, 다이싱 블레이드의 연마(드레싱) 효과가 얻어져, 다이싱 블레이드의 절단 품질의 저하를 억제할 수 있다. 접착제층(3)의 두께/기재(1) 및 점착제층(2)의 합계 두께가 바람직하게는 0.9 이하, 보다 바람직하게는 0.45 이하, 더 바람직하게는 0.3 이하이다. 0.9 이하이면, 다이싱 블레이드의 수명이 과도하게 짧아지는 것을 방지할 수 있다.The thickness of the adhesive layer 3 / the total thickness of the substrate 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably 0.045 or more, and more preferably 0.05 or more. If it is 0.045 or more, the polishing (dressing) effect of the dicing blade is obtained, and deterioration of the cutting quality of the dicing blade can be suppressed. The thickness of the adhesive layer 3 / the total thickness of the substrate 1 and the pressure-sensitive adhesive layer 2 is preferably 0.9 or less, more preferably 0.45 or less, further preferably 0.3 or less. If it is 0.9 or less, the life of the dicing blade can be prevented from becoming excessively short.

(반도체 장치의 제조 방법)(Manufacturing Method of Semiconductor Device)

이하, 도 3을 참조하면서 다이싱·다이 본딩 필름(10)을 이용한 반도체 장치의 제조 방법을 설명한다. 도 3은 반도체 장치의 제조 공정의 일부를 모식적으로 나타내는 도면이다.Hereinafter, a method of manufacturing a semiconductor device using the dicing and die-bonding film 10 will be described with reference to FIG. 3 is a diagram schematically showing a part of the manufacturing process of the semiconductor device.

우선, 다이싱·다이 본딩 필름(10)에 있어서의 접착제층(3)의 반도체 웨이퍼 부착 부분(3a) 상에 반도체 웨이퍼(4)를 압착하고, 이를 접착 유지시켜 고정한다(부착 공정). 본 공정은, 압착 롤 등의 가압 수단에 의해 가압하면서 행한다.First, the semiconductor wafer 4 is pressed onto the semiconductor wafer attaching portion 3a of the adhesive layer 3 in the dicing / die bonding film 10, and the semiconductor wafer 4 is adhered and fixed by the attaching step. This step is carried out while being pressed by a pressing means such as a pressing roll.

다음으로, 다이싱 블레이드로 반도체 웨이퍼(4)를 절단해서 개편화하여, 반도체 칩(5)을 얻는다. 다이싱 방법은 특별히 한정되지 않지만, 다이싱 블레이드 A로 반도체 웨이퍼(4)의 두께의 절반까지 절결한 후, 다이싱 블레이드 A보다도 블레이드 폭이 작은 다이싱 블레이드 B로 반도체 웨이퍼(4)와 접착제층(3)을 적어도 절단하는 방법(스텝 컷)이 바람직하다.Next, the semiconductor wafer 4 is cut into pieces by the dicing blade to obtain a semiconductor chip 5. The dicing method is not particularly limited, but the dicing blade A cuts the semiconductor wafer 4 to half the thickness of the semiconductor wafer 4, and then the dicing blade B having a blade width smaller than that of the dicing blade A, (Step cut) in which at least the cutting tool 3 is cut.

다이싱 블레이드로서는 다이아몬드 입자가 수지 중에 매설된 것이 바람직하다.As the dicing blade, diamond particles are preferably embedded in the resin.

다이싱 블레이드의 날 두께는 얇으면 얇을수록 좋고, 15∼30㎛ 정도의 것이 잘 이용되고 있다. 이는 다이싱 라인이 좁을수록 한 장의 반도체 웨이퍼(4)로부터 작성할 수 있는 칩의 수가 증가하기 때문이다. 다이싱 라인이 많은 반도체 웨이퍼(4)로부터 작은 반도체 칩(5)을 제작할 때에, 이 경향이 보다 현저하다.The thickness of the blade of the dicing blade is preferably as thin as possible, and more preferably 15 to 30 탆 or so. This is because the number of chips that can be formed from one semiconductor wafer 4 increases as the dicing line becomes narrower. This tendency is more conspicuous when a small semiconductor chip 5 is fabricated from a semiconductor wafer 4 having many dicing lines.

다이싱 블레이드는 다이싱을 행하면 마모되어 가기 때문에, 날의 노출량이 다이싱 블레이드의 수명을 정한다.Since the dicing blade is worn out by dicing, the exposure amount of the blade determines the durability of the dicing blade.

다이싱 블레이드가 얇으면 다이싱 블레이드의 강도가 약해지기 때문에, 다이싱 블레이드의 날 노출량을 작게 하지 않으면 강도를 유지할 수 없게 되고, 결과로서 다이싱 블레이드의 수명은 짧아진다. 한편, 날의 노출량을 과도하게 크게 하면 다이싱 중에 다이싱 블레이드가 금이 가거나, 다이싱 중에 다이싱 블레이드가 뒤틀려 칩의 균열이나 깨짐을 야기한다. 그 때문에 이와 같은 박형의 다이싱 블레이드의 날 노출량은 400∼1000㎛가 바람직하다.When the dicing blade is thin, the strength of the dicing blade is weakened. Therefore, unless the blade exposure amount of the dicing blade is reduced, the strength can not be maintained. As a result, the dicing blade life is shortened. On the other hand, if the exposure amount of the blade is excessively increased, the dicing blade may crack during dicing, or the dicing blade may be twisted during dicing, causing cracking or cracking of the chip. For this reason, it is preferable that the exposure amount of such a thin dicing blade is 400 to 1000 mu m.

다이싱·다이 본딩 필름(10)에 접착 고정된 반도체 칩(5)을 박리하기 위해서, 반도체 칩(5)의 픽업을 행한다. 픽업의 방법으로서는 특별히 한정되지 않고, 종래 공지된 여러 가지 방법을 채용할 수 있다. 예컨대, 개개의 반도체 칩(5)을 다이싱·다이 본딩 필름(10)측으로부터 니들(needle)에 의해서 밀어 올리고, 밀어 올려진 반도체 칩(5)을 픽업 장치에 의해서 픽업하는 방법 등을 들 수 있다.The semiconductor chip 5 is picked up in order to peel the semiconductor chip 5 adhered and fixed to the dicing / die-bonding film 10. The pick-up method is not particularly limited, and various conventionally known methods can be employed. For example, there is a method in which individual semiconductor chips 5 are pushed up by a needle from the side of the dicing and die-bonding film 10, and the semiconductor chip 5 which is pushed up is picked up by a pickup device have.

여기서, 픽업은 점착제층(2)이 자외선 경화형인 경우, 해당 점착제층(2)에 자외선을 조사한 후에 행한다. 이에 의해, 점착제층(2)의 접착제층(3)에 대한 점착력이 저하되어, 반도체 칩(5)의 박리가 용이해진다. 그 결과, 반도체 칩(5)을 손상시키는 일 없이 픽업이 가능해진다. 자외선 조사 시의 조사 강도, 조사 시간 등의 조건은 특별히 한정되지 않고, 적절히 필요에 따라 설정하면 된다.Here, the pick-up is carried out after irradiating ultraviolet rays to the pressure-sensitive adhesive layer 2 when the pressure-sensitive adhesive layer 2 is of ultraviolet curing type. As a result, the adhesive force of the pressure-sensitive adhesive layer 2 to the adhesive layer 3 is lowered, and the semiconductor chip 5 is easily peeled off. As a result, the semiconductor chip 5 can be picked up without damaging it. The conditions such as the irradiation intensity at the time of ultraviolet irradiation, the irradiation time, and the like are not particularly limited and may be appropriately set according to necessity.

픽업한 반도체 칩(5)은 접착제층(3)을 개재해서 피착체(6)에 접착 고정한다(다이 어태치). 다이 어태치 온도는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 80∼150℃이다.The picked up semiconductor chip 5 is adhered and fixed to the adherend 6 via the adhesive layer 3 (die attach). The die attach temperature is not particularly limited and is, for example, 80 to 150 캜.

계속해서, 접착제층(3)을 가열 처리하는 것에 의해, 반도체 칩(5)과 피착체(6)를 접착시킨다. 가열 처리의 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이다. 가열 처리의 온도는, 바람직하게는 200℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다. 가열 처리의 온도가 상기 범위이면, 양호하게 접착할 수 있다. 또한, 가열 처리 시간은 적절하게 설정할 수 있다.Subsequently, the semiconductor chip 5 and the adherend 6 are adhered to each other by heating the adhesive layer 3. The temperature of the heat treatment is preferably 80 占 폚 or higher, and more preferably 170 占 폚 or higher. The temperature of the heat treatment is preferably 200 占 폚 or lower, and more preferably 180 占 폚 or lower. When the temperature of the heat treatment is within the above range, good adhesion can be achieved. Further, the heat treatment time can be appropriately set.

다음으로, 피착체(6)의 단자부(이너 리드)의 선단과 반도체 칩(5) 상의 전극 패드(도시하지 않음)를 본딩 와이어(7)로 전기적으로 접속하는 와이어 본딩 공정을 행한다. 본딩 와이어(7)로서는, 예컨대 금선, 알루미늄선 또는 구리선 등이 이용된다. 와이어 본딩을 행할 때의 온도는, 바람직하게는 80℃ 이상, 보다 바람직하게는 120℃ 이상이고, 해당 온도는 바람직하게는 250℃ 이하, 보다 바람직하게는 175℃ 이하이다. 또한, 그의 가열 시간은 수 초∼수 분간(예컨대 1초∼1분간) 행해진다. 결선(結線)은, 상기 온도 범위 내가 되도록 가열된 상태에서, 초음파에 의한 진동 에너지와 인가 가압에 의한 압착 에너지의 병용에 의해 행해진다.Next, a wire bonding step for electrically connecting the tip of the terminal portion (inner lead) of the adherend 6 and the electrode pad (not shown) on the semiconductor chip 5 with the bonding wire 7 is performed. As the bonding wire 7, for example, a gold wire, an aluminum wire, a copper wire, or the like is used. The temperature at the time of wire bonding is preferably 80 占 폚 or higher, more preferably 120 占 폚 or higher, and the temperature is preferably 250 占 폚 or lower, more preferably 175 占 폚 or lower. Further, the heating time is performed for several seconds to several minutes (for example, one second to one minute). The connection is carried out by the combination of the vibration energy by the ultrasonic wave and the pressing energy by the applied pressure while being heated to be within the above temperature range.

계속해서, 봉지 수지(8)에 의해 반도체 칩(5)을 봉지하는 봉지 공정을 행한다. 본 공정은 피착체(6)에 탑재된 반도체 칩(5)이나 본딩 와이어(7)를 보호하기 위해서 행해진다. 본 공정은, 봉지용 수지를 금형으로 성형하는 것에 의해 행한다. 봉지 수지(8)로서는, 예컨대 에폭시계의 수지를 사용한다. 수지 봉지 시의 가열 온도는, 바람직하게는 165℃ 이상, 보다 바람직하게는 170℃ 이상이고, 해당 가열 온도는, 바람직하게는 185℃ 이하, 보다 바람직하게는 180℃ 이하이다.Subsequently, a sealing step for sealing the semiconductor chip 5 with the sealing resin 8 is performed. This step is performed in order to protect the semiconductor chip 5 and the bonding wire 7 mounted on the adherend 6. This step is carried out by molding the sealing resin into a mold. As the sealing resin 8, for example, an epoxy resin is used. The heating temperature at the time of resin sealing is preferably 165 DEG C or higher, more preferably 170 DEG C or higher, and the heating temperature is preferably 185 DEG C or lower, more preferably 180 DEG C or lower.

필요에 따라, 봉지물을 추가로 가열해도 좋다(후경화 공정). 이에 의해, 봉지 공정에서 경화 부족인 봉지 수지(8)를 완전히 경화할 수 있다. 가열 온도는 적절히 설정할 수 있다.If necessary, the sealing material may be further heated (post-curing step). Thus, the sealing resin 8, which is insufficiently cured in the sealing step, can be completely cured. The heating temperature can be appropriately set.

이상과 같이, 다이싱·다이 본딩 필름(10)의 접착제층(3)과 반도체 웨이퍼(4)를 접합하는 공정(I), 반도체 웨이퍼(4)를 다이싱하여 반도체 칩(5)을 형성하는 공정(II), 공정(II)에 의해 형성된 반도체 칩(5)을 접착제층(3)과 함께 픽업하는 공정(III), 및 공정(III)에 의해 픽업한 반도체 칩(5)을 접착제층(3)을 개재해서 피착체(6)에 다이 어태치하는 공정(IV)을 포함하는 방법에 의해 반도체 장치를 제조할 수 있다.As described above, the step (I) of bonding the adhesive layer 3 of the dicing and die bonding film 10 to the semiconductor wafer 4, the step of dicing the semiconductor wafer 4 to form the semiconductor chip 5 The semiconductor chip 5 picked up by the step (III) of picking up the semiconductor chip 5 formed by the steps (II) and (II) together with the adhesive layer 3 and the step (III) The semiconductor device can be manufactured by a method including the step (IV) of attaching the adherend 6 to the surface of the adherend 6 through the intermediary of the step (3).

실시예Example

이하, 본 발명에 관하여 실시예를 이용해 상세히 설명하지만, 본 발명은 그의 요지를 초과하지 않는 한, 이하의 실시예에 한정되는 것은 아니다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to Examples, but the present invention is not limited to the following Examples unless it exceeds its gist.

실시예에서 사용한 성분에 대하여 설명한다.The components used in the examples are described below.

알루미나 충전재 1: 덴키화학공업(주)제의 DAW-03(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 5.1㎛, 비표면적: 0.5m2/g)Alumina filler 1: DAW-03 (spherical alumina filler, average particle size: 5.1 占 퐉, specific surface area: 0.5 m 2 / g) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co.,

알루미나 충전재 2: 덴키화학공업(주)제의 ASFP-20(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 0.3㎛, 비표면적: 12.5m2/g)Alumina filler 2: ASFP-20 (spherical alumina filler, average particle diameter: 0.3 탆, specific surface area: 12.5 m 2 / g) manufactured by Denki Kagaku Kogyo Co.,

알루미나 충전재 3: (주)애드마테크스제의 AO802(구상 알루미나 충전재, 평균 입경: 0.7㎛, 비표면적: 7.5m2/g)Alumina filler 3: AO802 (spherical alumina filler, average particle diameter: 0.7 m, specific surface area: 7.5 m 2 / g) manufactured by Admatech Co.,

아크릴 폴리머 1: 나가세켐텍스(주)제의 테이산레진 SG-70L(아크릴 공중합체, Mw: 90만, 유리 전이 온도: -13℃)Acrylic polymer 1: TAYASA RESIN SG-70L (acrylic copolymer, Mw: 900,000, glass transition temperature: -13 DEG C) manufactured by Nagase Chemtex Co.,

아크릴 폴리머 2: 나가세켐텍스(주)제의 테이산레진 SG-P3(아크릴 공중합체, Mw: 85만, 유리 전이 온도: 12℃)Acrylic polymer 2: TAYASA RESIN SG-P3 (acrylic copolymer, Mw: 85,000, glass transition temperature: 12 占 폚) manufactured by Nagase Chemtex Co.,

페놀 수지: 메이와화성사제의 MEH-7851H(페놀 수지, Mw: 1580)Phenol resin: MEH-7851H (phenol resin, Mw: 1580) manufactured by Meiwa Chemical Co.,

에폭시 수지: 미쓰비시화학(주)제의 JER827(비스페놀 A형 에폭시 수지, Mw: 370)Epoxy resin: JER827 (bisphenol A type epoxy resin, Mw: 370) manufactured by Mitsubishi Chemical Corporation,

실레인 커플링제: 신에쓰화학사제의 KBM-403(3-글리시독시프로필트라이메톡시실레인)Silane coupling agent: KBM-403 (3-glycidoxypropyltrimethoxysilane) manufactured by Shin-Etsu Chemical Co.,

알루미나 충전재의 표면 처리 방법에 대하여 설명한다.The surface treatment method of the alumina filler will be described.

알루미나 충전재 1∼3을 실레인 커플링제로 표면 처리하여, 표면 처리 알루미나 충전재 1∼3을 얻었다. 표면 처리는 건식법으로 행하고, 하기 식으로 표시되는 양의 실레인 커플링제로 처리했다.Alumina fillers 1 to 3 were surface-treated with a silane coupling agent to obtain surface-treated alumina fillers 1 to 3. The surface treatment was conducted by a dry method and treated with an amount of a silane coupling agent represented by the following formula.

실레인 커플링제 처리량 = (알루미나 충전재의 중량(g)×알루미나 충전재의 비표면적(m2/g))/실레인 커플링제의 최소 피복 면적(m2/g)Silane coupling agent throughput = (weight of alumina filler g × specific surface area of alumina filler m 2 / g) / minimum coverage of silane coupling agent (m 2 / g)

실레인 커플링제의 최소 피복 면적(m2/g) = 6.02×1023×13×10-20/실레인 커플링제의 분자량(M 2 / g) of the silane coupling agent = 6.02 × 10 23 × 13 × 10 -20 / molecular weight of the silane coupling agent

[실시예 1∼6 및 비교예 2∼6][Examples 1 to 6 and Comparative Examples 2 to 6]

(다이 본딩 필름(접착제층)의 제작)(Production of Die Bonding Film (Adhesive Layer)

표 1에 기재된 배합비에 따라, 표면 처리된 알루미나 충전재, 아크릴 폴리머, 페놀 수지 및 에폭시 수지를 150mL의 폴리에틸렌(PE)제 용기에 넣고, 자전 공전 믹서((주)싱키제, ARE-310)로 2000rpm으로 4분간 교반했다. 이어서 메틸에틸케톤(MEK)을 추가하고, 추가로 2000rpm으로 5분간 교반하여, 도공에 적합한 점도의 접착제 조성물 용액을 얻었다. 그 후, 400메시(개구 46㎛)의 능직의 SUS 메시를 이용하여 접착제 조성물 용액을 여과하고, 여과액을 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켜, 다이 본딩 필름(두께는 표 1에 나타낸다)을 얻었다.The surface-treated alumina filler, acrylic polymer, phenol resin and epoxy resin were placed in a 150 mL polyethylene (PE) vessel and stirred at 2000 rpm (ARE-310) using a rotation revolving mixer Lt; / RTI > for 4 minutes. Subsequently, methyl ethyl ketone (MEK) was added and further stirred at 2000 rpm for 5 minutes to obtain an adhesive composition solution having a viscosity suitable for coating. Thereafter, the adhesive composition solution was filtered using a twill SUS mesh having a size of 400 mesh (aperture: 46 mu m), and a release treatment film (release liner) composed of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 mu m, , And then dried at 130 캜 for 2 minutes to obtain a die bonding film (thickness is shown in Table 1).

(다이싱 필름의 제작)(Preparation of dicing film)

냉각관, 질소 도입관, 온도계 및 교반 장치를 갖춘 반응 용기에 아크릴산 2-에틸헥실(「2EHA」라고 칭하는 경우가 있다): 80부, 아크릴산-2-하이드록시에틸(「HEA」라고 칭하는 경우가 있다): 20부 및 톨루엔: 65부를 넣고, 질소 기류 중에서 61℃에서 6시간 중합 처리를 하여 아크릴계 폴리머 X를 얻었다.80 parts of 2-ethylhexyl acrylate (sometimes referred to as " 2EHA "), 2-hydroxyethyl acrylate (sometimes referred to as " HEA ") was added to a reaction vessel equipped with a stirrer, a thermometer, 20 parts) and toluene (65 parts) were charged, and polymerization was carried out at 61 ° C for 6 hours in a stream of nitrogen to obtain an acrylic polymer X.

이 아크릴계 폴리머 X: 100부에 2-메타크릴로일옥시에틸 아이소사이아네이트(「MOI」라고 칭하는 경우가 있다): 24.1부(HEA에 대하여 90mol%)를 가하고, 공기 기류 중에서 50℃에서 48시간 부가 반응 처리를 하여 아크릴계 폴리머 Y를 얻었다.24.1 parts (90 mol% based on HEA) of 2-methacryloyloxyethyl isocyanate (sometimes referred to as " MOI ") was added to 100 parts of this acryl-based polymer X, Hour reaction treatment to obtain an acryl-based polymer Y.

다음으로, 아크릴계 폴리머 Y: 100부에 대하여, 폴리아이소사이아네이트 화합물(상품명 「콜로네이트 L」, 닛폰폴리우레탄공업주식회사제): 3부, 발포제로서의 열팽창성 미소구(상품명 「마이크로스피어 F-50D」, 마쓰모토유지제약주식회사제; 발포 개시 온도: 120℃): 35부 및 광중합 개시제(상품명 「이르가큐어 651」, 지바스페셜티케미컬즈사제): 5부를 가하여, 활성 에너지선 경화형 열팽창성 점착제의 점착제 용액을 조제했다.Next, 3 parts of a polyisocyanate compound (trade name: "Colonate L", manufactured by Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.), 100 parts of a thermally expandable microspheres (trade name "Microsphere F- 35 parts of a thermosetting pressure-sensitive adhesive of active energy ray-curable type and 50 parts of a photopolymerization initiator (trade name: Irgacure 651, manufactured by Chiba Specialty Chemicals Co., Ltd.) Thereby preparing a pressure sensitive adhesive solution.

계속해서, 두께 100㎛의 폴리프로필렌으로 이루어지는 기재(폴리프로필렌) 상에, 활성 에너지선 경화형 열팽창성 점착제의 점착제 용액을 도포한 후, 건조시켜, 기재 상에 두께 10㎛의 점착제층을 형성했다.Subsequently, a pressure sensitive adhesive solution of an active energy ray-curable type heat-expandable pressure-sensitive adhesive was applied onto a base material (polypropylene) made of polypropylene having a thickness of 100 占 퐉 and dried to form a pressure-sensitive adhesive layer having a thickness of 10 占 퐉 on the base material.

추가로, 점착제층 상의 웨이퍼 부착 부분에 대응하는 부분에만, 500mJ/cm2(자외선 조사 적산 광량)의 자외선을 조사하여, 당해 대응하는 부분을 자외선 경화시킨 다이싱 필름을 제작했다.Further, only a portion corresponding to the wafer attaching portion on the pressure-sensitive adhesive layer was irradiated with ultraviolet rays of 500 mJ / cm 2 (ultraviolet irradiation cumulative light quantity), and the corresponding portion was ultraviolet cured to produce a dicing film.

(다이싱·다이 본딩 필름의 제작)(Production of dicing / die-bonding film)

다이싱 필름의 점착제층 상에 다이 본딩 필름을 전사하여, 다이싱·다이 본딩 필름을 제작했다.The die bonding film was transferred onto the pressure-sensitive adhesive layer of the dicing film to prepare a dicing / die-bonding film.

[비교예 1][Comparative Example 1]

다이 본딩 필름의 제작 방법을 변경한 점 이외는 실시예 1과 마찬가지의 방법으로 다이싱·다이 본딩 필름을 제작했다.A dicing / die-bonding film was produced in the same manner as in Example 1 except that the production method of the die-bonding film was changed.

(다이 본딩 필름의 제작)(Production of die bonding film)

표 1에 기재된 배합비에 따라, 아크릴 폴리머, 페놀 수지 및 메틸에틸케톤(MEK)을 플라스틱 컵 용기에 넣고, 디스퍼 장치로 3000rpm으로 4분간 교반하여, 접착제 조성물 용액을 얻었다. 그 후, 400메시(개구 46㎛)의 능직의 SUS 메시를 이용하여 접착제 조성물 용액을 여과하고, 여과액을 실리콘 이형 처리한 두께가 50㎛인 폴리에틸렌 테레프탈레이트 필름으로 이루어지는 이형 처리 필름(박리 라이너) 상에 도포한 후, 130℃에서 2분간 건조시켜, 다이 본딩 필름을 얻었다.Acrylic polymer, phenol resin and methyl ethyl ketone (MEK) were placed in a plastic cup container according to the compounding ratio shown in Table 1, and stirred at 3000 rpm for 4 minutes using a dispenser to obtain an adhesive composition solution. Thereafter, the adhesive composition solution was filtered using a twill SUS mesh having a size of 400 mesh (aperture: 46 mu m), and a release treatment film (release liner) composed of a polyethylene terephthalate film having a thickness of 50 mu m, And then dried at 130 DEG C for 2 minutes to obtain a die bonding film.

[평가][evaluation]

얻어진 다이싱·다이 본딩 필름을 이용하여 이하의 평가를 행했다. 결과를 표 1에 나타낸다.The following evaluations were carried out using the obtained dicing / die-bonding film. The results are shown in Table 1.

(블레이드 마모량)(Amount of blade wear)

연삭 장치((주)DISCO제의 DGP-8760)를 이용하여, 실리콘 베어 웨이퍼(8인치 직경, 두께 750㎛)의 두께가 100㎛가 될 때까지 실리콘 베어 웨이퍼 이면을 연삭했다. 라미네이터를 이용하여 실리콘 베어 웨이퍼(두께 100㎛, 8인치)를 60℃에서 속도 10m/min, 0.15mPa의 압력으로 다이싱·다이 본딩 필름의 다이 본딩 필름(접착제층)에 부착했다. 그 후, 다이싱 링에 부착하여, DISCO(주)사제의 다이서(DFD6760)로 스텝 컷을 행했다.The back surface of the silicon bare wafer was ground until the thickness of the silicon bare wafer (8 inch diameter, thickness 750 占 퐉) became 100 占 퐉 by using a grinding machine (DGP-8760 manufactured by DISCO Corporation). A silicone bare wafer (thickness 100 占 퐉, 8 inch) was attached to the die bonding film (adhesive layer) of the dicing / die bonding film at 60 占 폚 at a speed of 10 m / min and a pressure of 0.15 mPa using a laminator. Thereafter, it was attached to the dicing ring and step cut was performed with a Dicer (DFD6760) manufactured by DISCO Corporation.

이하, 도 4, 5를 참조하면서 스텝 컷에 대하여 설명한다.Hereinafter, step cut will be described with reference to Figs.

제 1 다이싱 블레이드(21)(Z1 블레이드)가 실리콘 베어 웨이퍼(24)를 깊이 50㎛까지 절결하도록 블레이드 높이를 설정하고, 속도 50mm/sec, 회전수 40000rpm의 조건으로 실리콘 베어 웨이퍼(24)를 100m 절결했다(도 4 참조). 그 후, 제 2 다이싱 블레이드(23)(Z2 블레이드)가 기재(1)를 깊이 10㎛ 절결하도록 설정하고, 속도 50mm/sec, 회전수 45000rpm의 조건으로 절결(22)을 따라 100m 절결하여, 실리콘 베어 웨이퍼(24) 및 접착제층(3)을 절단했다(도 5 참조). 한편, 세정수의 양은 쿨러, 샤워, 스프레이를 각각 1L/min으로 설정했다.The height of the blade was set so that the first dicing blade 21 (Z1 blade) cuts the silicon bare wafer 24 to a depth of 50 mu m, and the silicon bare wafer 24 was cut at a speed of 50 mm / sec and at a rotation speed of 40000 rpm 100 m (see Fig. 4). Thereafter, the second dicing blade 23 (Z2 blade) was set so as to cut the substrate 1 to a depth of 10 mu m, cut out for 100 m along the cutout 22 under the condition of a speed of 50 mm / sec and a rotation speed of 45000 rpm, The silicon bare wafer 24 and the adhesive layer 3 were cut (see Fig. 5). On the other hand, the amount of washing water was set at 1 L / min for each of a cooler, a shower and a spray.

Z1 블레이드로서, DISCO(주)사제의 203O-SE 27HCDD를 이용했다.As the Z1 blade, 203O-SE 27HCDD manufactured by DISCO Co., Ltd. was used.

이하에, Z1 블레이드의 사양에 대하여 설명한다.The specifications of the Z1 blade will be described below.

DISCO(주)사제의 203O-SE 27HCDD203O-SE 27HCDD manufactured by DISCO Co., Ltd.

집중도(다이아몬드 입자의 농도): 표준 집중도Concentration (concentration of diamond particles): Standard concentration

입경(다이아몬드 입자의 입경): #3500Particle diameter (particle diameter of diamond particles): # 3500

본딩: 표준 타입Bonding: Standard type

기대(基臺) 형상: 샤프 엣지 기대Base shape: Sharp edge expectation

내외 직경 치수: 외경 55.56mm(직경), 내경 19.05mm(직경)Inside and outside diameter dimensions: outer diameter 55.56mm (diameter), inner diameter 19.05mm (diameter)

입경 기호: CDiameter symbol: C

블레이드 날 노출량: 0.76∼0.89mmBlade blade exposure: 0.76 to 0.89 mm

커프(kerf) 폭(블레이드 폭): 0.030∼0.035mmKerf width (blade width): 0.030 to 0.035 mm

Z2 블레이드로서, 203O-SE 27HCBB를 이용했다.As the Z2 blade, 203O-SE 27HCBB was used.

이하에, Z2 블레이드의 사양에 대하여 설명한다. The specifications of the Z2 blade will be described below.

DISCO(주)사제의 203O-SE 27HCBB203O-SE 27HCBB manufactured by DISCO Co., Ltd.

집중도(다이아몬드 입자의 농도): 표준 집중도Concentration (concentration of diamond particles): Standard concentration

입경(다이아몬드 입자의 입경): #3500Particle diameter (particle diameter of diamond particles): # 3500

본딩: 표준 타입Bonding: Standard type

기대 형상: 샤프 엣지 기대Expected shape: Sharp edge expectation

내외 직경 치수: 외경 55.56mm(직경), 내경 19.05mm(직경)Inside and outside diameter dimensions: outer diameter 55.56mm (diameter), inner diameter 19.05mm (diameter)

입경 기호: CDiameter symbol: C

블레이드 날 노출량: 0.51∼0.64mmBlade blade exposure: 0.51 to 0.64 mm

커프 폭(블레이드 폭): 0.020∼0.025mmCuff width (blade width): 0.020 to 0.025 mm

다이싱 장치(DFD6361, DISCO사제)의 접촉식의 블레이드 위치 맞춤 기능으로, Z2 블레이드의 마모량을 측정하여 구했다.The abrasion amount of the Z2 blade was measured by a contact type blade alignment function of a dicing machine (DFD6361, manufactured by DISCO).

(위스커 발생 유무(1))(Presence / absence of whisker occurrence (1))

300m 다이싱한 점 이외는 블레이드 마모량에서 설명한 방법과 마찬가지의 방법으로 다이싱했다. 다이싱 필름으로부터, 개편화된 접착제 부착 웨이퍼(접착제 부착 칩)를 벗겨, 다이싱 라인을 광학 현미경으로 관찰했다. 20㎛ 이상의 길이의 위스커상 이물이 발생하고 있는 경우를 ×라고 판정하고, 이물이 20㎛ 미만이거나 또는 위스커상 이물이 없는 경우를 ○라고 판정했다.Dicing was performed in the same manner as described in the blade wear amount except for the point of 300m dicing. The discrete wafer with adhesive (adhesive-attached chip) was peeled off from the dicing film, and the dicing line was observed with an optical microscope. A case where a whisker foreign matter having a length of 20 mu m or more was generated was judged as X, and a case where the foreign matter was less than 20 mu m or no whisker foreign matter was judged as?.

(위스커 발생 유무(2))(Presence / absence of whisker (2))

300m 다이싱한 점 이외는 블레이드 마모량에서 설명한 방법과 마찬가지의 방법으로 다이싱했다. 다이싱 필름으로부터 접착제 부착 칩을 벗겨, 다이싱 라인의 교점을 광학 현미경으로 관찰했다. 관찰 개소는 한 장의 실리콘 베어 웨이퍼당 합계 5개소로, 중앙 부근을 1개소 관찰하고, 웨이퍼의 외주 부근(외주로부터 5cm 이내)을 4개소 관찰했다. 합계 5개소 중, 100㎛ 이상의 위스커가 발생한 개소를 세었다. 표 1 중, 「0/5」는 5개소 전부에서 100㎛ 이상의 위스커가 발생하지 않은 것을 나타낸다. 표 1 중, 「5/5」는 5개소 전부에서 100㎛ 이상의 위스커가 발생한 것을 나타낸다.Dicing was performed in the same manner as described in the blade wear amount except for the point of 300m dicing. The chip with the adhesive was peeled off from the dicing film and the intersection of the dicing lines was observed with an optical microscope. Observation points were observed at one point in a total of five places per one silicon bare wafer and at four locations around the periphery of the wafer (within 5 cm from the outer periphery). Of the total of 5 places, locations where whiskers of 100 占 퐉 or more occurred were counted. In Table 1, " 0/5 " indicates no occurrence of whiskers of 100 mu m or more at all five locations. In Table 1, " 5/5 " indicates occurrence of whiskers of 100 mu m or more at all five locations.

Figure pat00001
Figure pat00001

접착제층에 알루미나 충전재를 배합하지 않은 비교예 1에서는, 블레이드 마모량이 지나치게 작아, 블레이드의 절단 품질이 저하되고, 위스커가 발생했다. 또한, 접착제층의 두께가 큰 비교예 2, 3에서는, 블레이드 마모량이 지나치게 커서, 위스커 발생의 유무를 평가할 수 없었다. 접착제층의 두께가 작은 비교예 4에서는, 블레이드 마모량이 지나치게 작아, 위스커가 발생했다. 알루미나 충전재가 적은 비교예 5에서도, 블레이드 마모량이 지나치게 작아, 위스커가 발생했다. 또한, 알루미나 충전재가 많은 비교예 6에서는, 실리콘 베어 웨이퍼가 접착제층에 부착되지 않아, 마모량이나 위스커의 발생을 평가할 수 없었다.In Comparative Example 1 in which no alumina filler was added to the adhesive layer, the amount of abrasion of the blade was too small, and the cutting quality of the blade was deteriorated, and whiskers were generated. Further, in Comparative Examples 2 and 3 in which the thickness of the adhesive layer was large, the amount of abrasion of the blade was excessively large, and it was impossible to evaluate the occurrence of whiskers. In Comparative Example 4 in which the thickness of the adhesive layer was small, the amount of abrasion of the blade was too small and whisker occurred. Even in Comparative Example 5 in which the alumina filler was small, the amount of abrasion of the blade was too small and whisker occurred. Further, in Comparative Example 6 in which the alumina filler was large, the silicone bare wafer did not adhere to the adhesive layer, and the occurrence of wear amount and whisker could not be evaluated.

한편, 접착제층에 알루미나 충전재를 배합하여, 접착제층의 두께/기재 및 점착제층의 합계 두께를 특정 범위로 설계한 실시예 1∼6에서는, 블레이드 마모량을 최적화할 수 있어, 위스커의 발생을 억제할 수 있었다.On the other hand, in Examples 1 to 6 in which an alumina filler was added to the adhesive layer so that the thickness of the adhesive layer / the total thickness of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer were designed to be within a specific range, the amount of blade abrasion could be optimized and the occurrence of whiskers could be suppressed I could.

1: 기재
2: 점착제층
3: 접착제층
4: 반도체 웨이퍼
5: 반도체 칩
6: 피착체
7: 본딩 와이어
8: 봉지 수지
10: 다이싱·다이 본딩 필름
11: 다이싱 필름
21: 제 1 다이싱 블레이드
22: 절결
23: 제 2 다이싱 블레이드
24: 실리콘 베어 웨이퍼
1: substrate
2: Pressure-sensitive adhesive layer
3: Adhesive layer
4: Semiconductor wafer
5: Semiconductor chip
6: adherend
7: Bonding wire
8: sealing resin
10: Dicing / die bonding film
11: Dicing film
21: first dicing blade
22: The cut
23: second dicing blade
24: Silicon bare wafer

Claims (3)

기재, 점착제층 및 접착제층이 이 순서로 적층된 다이싱·다이 본딩 필름으로서,
상기 접착제층에 두께 100㎛의 실리콘 베어 웨이퍼를 접합한 상태로, 제 1 다이싱 블레이드가 절결 깊이 50㎛로 상기 실리콘 베어 웨이퍼를 100m 절결한 후,
상기 제 1 다이싱 블레이드의 절결을 따라, 제 2 다이싱 블레이드가 적어도 상기 점착제층에 도달하는 절결 깊이로 상기 실리콘 베어 웨이퍼 및 상기 접착제층을 100m 절단했을 때의 상기 제 2 다이싱 블레이드의 마모량이 20∼200㎛이고,
상기 제 2 다이싱 블레이드의 블레이드 폭은 상기 제 1 다이싱 블레이드의 블레이드 폭보다 작으며,
상기 제 1 다이싱 블레이드에 의한 절결 형성 조건이 속도 50mm/sec, 회전수 40000rpm이고,
상기 제 2 다이싱 블레이드에 의한 절단 조건이 속도 50mm/sec, 회전수 45000rpm인 다이싱·다이 본딩 필름.
A dicing / die-bonding film in which a substrate, a pressure-sensitive adhesive layer, and an adhesive layer are laminated in this order,
After the silicon bare wafer having a thickness of 100 탆 was bonded to the adhesive layer, the first dicing blade was cut into 100 m of the silicon bare wafer at a depth of cut of 50 탆,
The abrasion amount of the second dicing blade when the silicone bare wafer and the adhesive layer are cut by 100 m to a notch depth at which the second dicing blade reaches at least the pressure sensitive adhesive layer along the notch of the first dicing blade 20 to 200 mu m,
Wherein the blade width of the second dicing blade is smaller than the blade width of the first dicing blade,
The conditions for forming the cutout by the first dicing blade were 50 mm / sec and the number of revolutions was 40000 rpm.
Wherein the cutting condition by the second dicing blade is a speed of 50 mm / sec and a rotation speed of 45000 rpm.
제 1 항에 있어서,
상기 접착제층의 두께/상기 기재 및 상기 점착제층의 합계 두께가 0.045∼0.9인 다이싱·다이 본딩 필름.
The method according to claim 1,
Wherein the thickness of the adhesive layer / the total thickness of the base material and the pressure-sensitive adhesive layer is 0.045 to 0.9.
제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 접착제층이 연마제로서 구상 알루미나 충전재를 포함하고,
상기 접착제층 중의 상기 구상 알루미나 충전재의 함유량이 60∼88중량%인 다이싱·다이 본딩 필름.
3. The method according to claim 1 or 2,
Wherein the adhesive layer comprises a spherical alumina filler as an abrasive,
Wherein the content of the spherical alumina filler in the adhesive layer is 60 to 88 wt%.
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