KR20140146731A - 유동층 반응기 및 이를 이용한 탄소나노구조물 제조방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명에 따르면, 반응기 본체; 상기 반응기 본체 하부에, 반응기 중심에서 편향되게 설치되는 제 1 분산판; 상기 제 1 분산판의 하부로부터 상기 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 1 기체 공급관; 상기 반응기 본체의 측면 하단에 설치된 제 2 분산판; 및 상기 제 2 분산판을 통해 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 2 기체 공급관;을 구비하는 유동층 반응기 및 이를 이용한 탄소나노구조물 제조방법이 제공된다.
Description
본 발명은 카본나노튜브와 같은 카본나노구조물 제조를 위하여 이용될 수 있는 유동층 반응기에 관한 것이다.
유동층 반응기는 다양한 다중상(multiphase) 화학 반응을 수행하도록 이용될 수 있는 반응기 장치이다. 유동층 반응기에서는 유체(기체 또는 액체)가 미립자 상태의 고체 물질과 반응하게 되는데, 통상적으로 상기 고체 물질은 작은 구(sphere)의 형상을 가지는 촉매이고, 유체는 고체 물질을 부유시키기에 충분한 속도로 유동함으로써 고체 물질이 유체와 유사하게 거동하게 된다.
한편, 카본나노구조물(carbon nanostructures, CNS)은 나노튜브, 나노파이버, 풀러렌, 나노콘, 나노호른, 나노로드 등 다양한 형상을 갖는 나노크기의 탄소구조물을 지칭하며, 여러 가지 우수한 성질을 보유하기 때문에 다양한 기술분야에서 활용도가 높다. 대표적인 카본나노구조물인 카본나노튜브(carbon nanotubes; CNT)는 서로 이웃하는 3 개의 탄소 원자가 육각형의 벌집 구조로 결합되어 탄소 평면을 형성하고, 상기 탄소 평면이 원통형으로 말려서 튜브의 형상을 가지는 소재이다. 카본나노튜브는 구조에 따라서, 즉, 튜브의 지름에 따라서 도체가 되거나 또는 반도체가 되는 특성이 있으며, 다양한 기술 분야에서 광범위하게 응용될 수 있어서 신소재로 각광을 받는다. 예를 들어, 카본나노튜브는 이차 전지, 연료 전지 또는 슈퍼 커패서티(super capacity)와 같은 전기 화학적 저장 장치의 전극, 전자파 차폐, 전계 방출 디스플레이, 또는 기체 센서 등에 적용될 수 있다.
카본나노구조물은 예를 들어 아크 방전법, 레이저 증발법, 화학 기상 성장법을 통하여 제조될 수 있다. 상기 열거된 제조 방법중 화학 기상 성장법에서는 통상적으로 고온의 유동층 반응기 안에서 금속 촉매 입자와 탄화수소 계열의 원료 기체를 분산 및 반응됨으로써 카본나노구조물이 생성된다. 즉, 금속 촉매는 원료 기체에 의해 유동층 반응기 안에서 부유(浮游)하면서 원료 기체와 반응하여 카본나노구조물을 성장시킨다.
유동층 반응기를 이용한 카본나노구조물 제조 방법은 특허출원공개 10-2009-0073346호, 10-2009-0013503호 등에 개시되어 있다. 유동층 반응기를 이용하는 경우에는 반응기 내에 기체를 일정하게 분포시키고 분산판 상부에 존재하는 촉매와 같은 고체 입자가 분산판 아래로 통과하지 못하도록 분산판을 이용한다. 분산판으로는 다공성 플레이트(perforated plate), 버블 캡(bubble cap), 시이브(sieve) 또는 노즐을 이용하여 구성하는 것이 일반적이다.
유동층 반응기에서 기체는 분산판 하단으로부터 상단으로 상향 유동하여 분산판 상단의 고체 입자층이 유동 상태로 떠 있게 한다. 고체 입자의 거동은 대략적으로 반응기 중심부에서 상승하고 벽면에서 하강하는 것으로 알려져 있지만 무질서(chaotic) 거동이기 때문에 고체의 상승 영역과 하강 영역을 구분하기 어렵다.
또한, 기체의 상승 유동 만으로는 래디얼(radial) 방향 유동이 충분하지 않기 때문에 분체와 기체의 혼합이 잘 이루어지지 않거나 입자의 반응기내 체류시간이 짧고 분산판 가장자리에 분체가 누적되는 문제점이 있다. 반응기체와 촉매의 접촉이 균일하지 않거나 체류시간이 짧으면 카본나노구조물로의 성장이 원활하지 않아 조업시간이 길어지거나 제품 수율이 나빠지며, 또한 미반응 촉매가 분산판에 침적되거나 분산판의 세공을 막는 클로깅(clogging) 현상으로 인해 반응기체의 균일한 주입을 방해 받고, 압력 저하(pressure drop)가 발생하므로 안정적인 유동층 조업이 어렵다는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위하여 안출된 것으로서, 유동층 반응기 내 고체입자의 상승 영역과 하강 영역을 어느 정도 분리함으로써 고체 물질의 투입 위치, 제품 회수 위치 등을 조절하여 반응기체와 고체 물질의 원활하고 균일한 접촉을 유도할 수 있도록 하는 유동층 반응기를 제공하고자 한다.
상기 목적을 달성하기 위하여, 본 발명에 따르면,
반응기 본체;
상기 반응기 본체 하부에, 반응기 중심에서 편향되게 설치되는 제 1 분산판;
상기 제 1 분산판의 하부로부터 상기 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 1 기체 공급관;
상기 반응기 본체의 측면 하단에 설치된 제 2 분산판; 및
상기 제 2 분산판을 통해 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 2 기체 공급관;을 구비하는 유동층 반응기가 제공된다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제 1 기제 공급관에 의해 공급되는 기체의 제 1 기체 유동과 상기 제 2 기체 공급관에 의해 공급되는 기체의 제 2 기체 유동은 서로 직교하여 수직 루프 형상의 기체 유동을 야기한다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제 1 분산판은 다수의 관통공이 형성된 천공 영역과 비천공 영역을 구비하며, 천공 영역이 반응기 본체 중심으로부터 편향되게 위치할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 제 1 분산판의 비천공 영역이 제 2 분산판과 인접하도록 설치될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 천공 영역과 비천공 영역이 서로 대칭 구조일 수 있다.
본 발명의 다른 실시예에 다르면, 상기 제 1 분산판, 제 2 기체 공급관 및 제 2 분산판이 각각 복수개이며, 반응기 본체 중심을 축으로 대칭되도록 설치될 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 유동층 반응기는
촉매를 반응기 본체 내부로 공급하는 촉매공급관 및
생성된 탄소나노구조물과 혼합기체가 배출되는 생성물 배출관을 구비하며,
상기 제 1 기체 공급관 및 제 2 기체 공급관을 통해 탄소원(carbon source), 환원성 기체 및 불활성기체를 포함하는 반응기체를 반응기 내부로 공급하여,
상기 촉매와 반응기체가 반응기 내부 반응 공간에서 수직 루프 방향으로 유동하면서 반응하여 탄소나노구조물을 생성하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기일 수 있다.
본 발명은 또한 상기 유동층 반응기의 촉매 공급관을 통해 촉매를 공급하는 단계;
상기 제 1 기체 공급관 및 제 2 기체 공급관을 통해 탄소원, 환원성 기체 및 불활성기체를 포함하는 반응기체를 반응기 내부로 공급하는 단계;
상기 촉매와 반응기체가 반응기 내부의 반응 공간에서 수직 루프 방향으로 유동하면서 반응하도록 하여 탄소나노구조물을 생성하는 단계; 및
생성된 탄소나노구조물을 회수하는 단계를 포함하는 탄소나노구조물 제조방법을 제공한다.
본 발명에 따른 유동층 반응기는 하부 분산판을 통과하는 기체의 상승 유동이 반응기 중심에서 편향될 수 있도록 분산판을 설치하는 한편, 상기 기체의 상승 유동에 수직 방향으로 기체를 나누어 공급함으로써 상승 유동 기체의 벡터에 영향을 미쳐 수직 루프 형상의 유동을 야기한다. 수직 루프 형상의 유동으로 인해 고체 입자의 상승 영역과 하강 영역이 어느 정도 분리되는 효과가 있으므로 촉매 등의 고체 입자를 투입하는 위치나 제품의 회수 위치를 조절하여 고체 입자와 기체의 접촉 시간을 적절히 조절할 수 있어, 안정적인 유동층 반응 통해 원하는 품질의 제품을 높은 수율로 얻을 수 있다.
도 1은 카본나노튜브 제조용 유동층 반응기의 일례에 대한 개략적인 구성도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기이 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 유동층 반응기에 대한 종단면도이다.
도 5는 도 2의 유동층 반응기에 대한 횡단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 유동층 반응기의 횡단면도이다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기이 사시도이다.
도 3 및 도 4는 도 2의 유동층 반응기에 대한 종단면도이다.
도 5는 도 2의 유동층 반응기에 대한 횡단면도이다.
도 6 및 도 7은 각각 본 발명의 다른 실시예에 따른 유동층 반응기의 횡단면도이다.
이하, 본 발명을 첨부된 도면에 도시된 본 발명의 실시예들을 참조하여 보다 상세하게 설명하기로 한다. 그러나 이는 본 발명을 특정 실시 형태로 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 기술사상 및 범위에 포함되는 변형물, 균등물 또는 대체물을 모두 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
각 도면에서 유사한 참조부호는 유사한 구성요소에 대하여 사용하였다.
제1, 제2, A, B 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들이 상기 용어들에 의해 한정되는 것은 아니고, 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
“및/또는” 이라는 용어는 복수의 기재된 항목들 중 어느 하나 또는 이들의 포함하는 조합을 포함한다.
어떤 구성요소가 다른 구성요소에 “연결되어” 있다거나 “접속되어” 있다고 언급된 때에는 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결 또는 접속되어 있거나 또는 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 한다.
단수의 표현은 달리 명시하지 않는 한 복수의 표현을 포함한다.
“포함한다” 또는 “가진다” 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 수치, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합이 존재함을 지칭하는 것이고, 언급되지 않은 다른 특징, 수치, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들의 조합이 존재하거나 부가될 수 있는 가능성을 배제하지 않는다.
도 1 에는 유동층 반응기의 구성이 개략적으로 도시되어 있으며, 이러한 유동층 반응기는 예를 들어 카본나노튜브의 제조에 이용될 수 있지만, 카본나노튜브의 제조에만 한정된 것은 아니다. 이러한 유동층 반응기는 예를 들어 카본나노튜브 또는 카본나노파이버와 같은 카본나노구조물의 제조에 유용하다.
도면을 참조하면, 유동층 반응기(1)는 반응기 본체(10)를 구비하며, 반응기 본체(10)의 하부는 테이퍼 영역(10a)으로 형성되어 있다. 반응기 본체(10)를 고온으로 가열하기 위해, 가열기(19)가 반응기 본체(10)의 외부에 구비되는 것이 바람직스럽다.
유동층 반응기(1)의 저부에 원료 기체 공급부(12)가 구비된다. 원료 기체는 예를 들어 카본나노튜브를 제조하기 위한 탄화 수소 계열의 기체일 수 있다. 원료 기체는 원료 기체 공급부(12)에 연결된 원료 기체 공급관(21)을 통해 반응기 본체(10)의 내부로 공급된다. 원료 기체는 반응기 본체(10)의 내부로 공급되기 전에 예열기(17)에서 예열될 수 있다. 반응기 본체(10)의 내부에 형성된 반응 공간의 하측에 분산판(13)이 배치됨으로써, 분산판(13)을 통하여 반응기 본체(10)내의 반응 공간으로 원료 기체가 분산된다.
도 1은 분산판(13)이 테이퍼 영역의 상단에 설치된 경우를 도시하고 있으나 이에 한정되지 않으며, 기체 및 고체의 거동에 따른 목적에 맞도록 테이퍼 영역의 상중하단 중 임의로 선택하여 분산판을 설치할 수 있다.
반응기 본체(10)의 상부에는 신장부(11)가 구비된다. 신장부(expander, 11)에는 예를 들어 반응기 본체(10)로부터의 촉매와 반응 생성물(예를 들어, 카본나노튜브)이 외부로 배출되는 것을 막기 위한 분리기(미도시)등이 구비될 수 있다. 신장부(11)에는 여과기(18)가 연결되며, 상기 여과기(18)에서 여과된 성분 기체는 이송관(23)을 통해 이송된다. 한편, 신장부(11)에는 재순환 배관(22)이 연결되어, 신장부(11)에서 배출된 혼합 기체의 일부를 재순환 배관(22)을 통해 원료 기체 공급관(21)으로 재순환시킨다.
반응기 본체(10)의 상부 일측에는 배관(24)을 통하여 분리기(14)가 연결되어 있다. 상기 분리기(14)는 반응기 본체(10)로부터 배출된 혼합 기체로부터 생성물을 분리하기 위한 것으로서, 예를 들어 카본나노튜브와 혼합 기체를 분리하기 위한 것이다. 분리기(14)의 일측에는 카본나노튜브와 같은 생성물을 회수하기 위한 회수기(15)가 연결되며, 분리기(14)는 배관(15)을 통해 반응기 본체(10)의 하부 일측에 연결된다. 한편, 촉매 공급기(16)는 배관(26)에 연결됨으로써 촉매가 배관(26)을 통해 반응기 본체(10)의 내부로 공급될 수 있다. 도면에 도시되지 않았으나, 배관(26)에는 송풍기(blower)가 구비됨으로써, 분리기(14)에서 분리된 혼합 기체와 촉매 공급기(16)에서 공급되는 촉매를 반응기 본체(10) 안으로 압송시킬 수 있다.
위에 설명된 바와 같은 유동층 반응기에 구비된 분산판(13)은 원료 기체를 유동층 반응기 본체(10)의 내부로 균일하게 분산시키고 촉매 입자 또는 반응에 의해 생성된 분체가 유동층 반응기의 저부로 낙하하는 것을 방지하기 위하여 구비된다. 통상적으로 기체-고체 유동층 반응기에서는 분산판 상부에 촉매 등의 고체 입자가 위치하고 분산판(13)에 형성된 구멍을 통하여 반응 기체를 하부로부터 송풍하면 촉매가 유동층 반응기 본체(10)의 분산판(13) 상부 공간에서 유동하면서 반응이 발생된다.
도 2 내지 도 5는 본 발명의 일 실시예에 따른 유동층 반응기를 도시하는 사시도 및 단면도들이다.
도 2에 도시된 바와 같이, 본 발명에 따른 유동층 반응기는 반응기 본체 (10); 상기 반응기 본체 하부에, 반응기 중심에서 편향되게 설치되는 제 1 분산판 (40); 상기 제 1 분산판 (40)의 하부로부터 상기 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 1 기체 공급관 (30); 상기 반응기 본체의 측면 하단에 설치된 제 2 분산판 (60); 및 상기 제 2 분산판 (60)을 통해 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 2 기체 공급관 (50);을 구비한다.
도 3 및 도 4는 도 2에 도시된 유동층 반응기의 각기 다른 방향에서 본 종단면도들이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 기제 공급관(30)에 의해 공급되는 기체의 제 1 기체 유동(100a)과 상기 제 2 기체 공급관(50)에 의해 공급되는 기체의 제 2 기체 유동(100b)은 서로 직교하는 방향으로 공급되어 반응 공간에서 만나면 사선 방향 벡터(110)를 유도하게 되어 결국 수직 루프 형상의 유동(130)을 야기한다. 따라서 반응 공간내의 고체 입자는 수직 루프 형상(130) 유동을 하게 되므로 고체 입자의 상승 유동(100,110) 구간과 하강 유동 (120) 구간이 어느 정도 구분되는 효과가 있다. 이와 같이 상승 구간과 하강 구간이 구분되면 고체 입자의 투입 위치나 최종 생성물인 제품의 회수 위치를 적절히 선정함으로써 기체와 고체간의 접촉시간 조절이 용이할 수 있다. 예를 들어, 상승 유동이 시작하는 지점에 촉매 입자를 주입하고, 하강 유동이 끝나는 지점에 제품 회수구를 설치함으로써 고체 입자의 반응기 내 체류시간을 최대화할 수 있다.
도 5 및 도 6은 각각 반응기 본체(10)가 사각기둥 및 원기둥 형상일 때의 제 1 분산판의 다양한 실시예를 나타낸 평면도이다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 상기 제 1 분산판(40)은 다수의 관통공이 형성된 천공 영역(42a,42b)과 비천공 영역(44a,44b)을 구비하며, 천공 영역(42a, 42b)이 반응기 본체 중심으로부터 편향되게, 즉 한쪽에 치우쳐 위치한다. 그리고, 제 1 분산판의 비천공 영역(44a,44b)은 제 2 분산판(60a,60b)과 인접하도록 설치되는 것이 제 1 분산판을 통해 상승 유동하는 기체의 벡터에 주는 영향을 크게 하여 수직 루프 형상의 기체 유동을 야기하기에 바람직하다.
도 5 및 도 6에 도시된 바와 같이, 천공 영역(42a,42b)과 비천공 영역(44a, 44b)이 서로 대칭 구조인 것이 바람직하다.
도 7은 본 다른 실시예를 도시한다. 본 실시예의 경우에는 제 1 분산판의 천공 영역(42c,42d), 제 2 기체 공급관(50c,50d) 및 제 2 분산판(60c,60d)이 각각 2개씩이며, 반응기 본체 중심을 축으로 대칭되도록 설치되어 있다. 이 경우에도 제 1 분산판의 비천공 영역(44c,44d)과 제2 분산판(60c,60d)이 인접 설치된 구조를 갖는 것이 바람직하다.
도 7의 실시예에 따른 유동층 장치는 반응기 측면에서 기체를 공급하는 제 2 기체 공급관(50c,50d)가 중심에서 편향된 방향으로 기체를 공급하기 때문에, 수직 루프 형상의 유동과 더불어 나선 방향 유동도 강화될 수 있다. 서로 반대방향에서 공급되는 제 2 기체 유동(100b)들은 반응기 벽면을 따라 접선 유동을 하면서 상승 유동하는 제 1 기체 유동(100a)과 만나 더욱 용이하게 나선 방향 상승 유동을 야기할 수 있다.
본 발명의 바람직한 실시예에 따르면, 상기 유동층 반응기는
촉매를 반응기 본체 내부로 공급하는 촉매공급관 및
생성된 탄소나노구조물과 혼합기체가 배출되는 생성물 배출관을 구비하며,
상기 제 1 기체 공급관 및 제 2 기체 공급관을 통해 탄소원(carbon source), 환원성 기체 및 불활성기체를 포함하는 반응기체를 반응기 내부로 공급하여,
상기 촉매와 반응기체가 반응기 내부 반응 공간에서 수직 루프 형상으로 유동하면서 반응하여 탄소나노구조물을 생성하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기이다.
상기 유동층 반응기는 촉매 공급관을 통해 촉매를 공급하는 단계;
상기 제 1 기체 공급관 및 제 2 기체 공급관을 통해 탄소원, 환원성 기체 및 불활성기체를 포함하는 반응기체를 반응기 내부로 공급하는 단계;
상기 촉매와 반응기체가 반응기 내부의 반응 공간에서 수직 루프 형상으로 유동하면서 반응하도록 하여 탄소나노구조물을 생성하는 단계; 및
생성된 탄소나노구조물을 회수하는 단계를 포함하는 탄소나노구조물 제조방법에 사용될 수 있다.
본 발명에 따른 유동층 반응기에 사용되는 제 1 및 제 2 분산판은 유동층 반응기에 일반적으로 사용되는 것이라면 제한없이 각각 독립적으로 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 다공성 플레이트(perforated plate), 버블 캡(bubble cap), 시이브(sieve), 노즐, 메탈 포옴(metal foam) 를 들 수 있으나 이에 한정되지 않는다.
본 발명에 따른 유동층 반응기는 하부 분산판을 통과하는 기체의 상승 유동이 반응기 중심에서 편향될 수 있도록 분산판을 설치하는 한편, 상기 기체의 상승 유동에 수직 방향으로 기체를 나누어 공급함으로써 상승 유동 기체의 벡터에 영향을 미쳐 수직 루프 형상의 유동을 야기한다. 수직 루프 형상의 유동으로 인해 고체 입자의 상승 영역과 하강 영역이 어느 정도 분리되는 효과가 있으므로 촉매 등의 고체 입자를 투입하는 위치나 제품의 회수 위치를 조절하여 고체 입자와 기체의 접촉 시간을 적절히 조절할 수 있어, 안정적인 유동층 반응 통해 원하는 품질의 제품을 높은 수율로 얻을 수 있다.
10. 반응기 본체 11. 신장부
12. 원료 기체 공급부 13. 분산판
30. 제 1 기체 공급관
40. 제 1 분산판
50. 제 2 기체 공급관
60. 제 2 분산판
100a. 제 1 공급 기체
100b. 제 2 공급 기체
130. 수직 루프 형상 유동
12. 원료 기체 공급부 13. 분산판
30. 제 1 기체 공급관
40. 제 1 분산판
50. 제 2 기체 공급관
60. 제 2 분산판
100a. 제 1 공급 기체
100b. 제 2 공급 기체
130. 수직 루프 형상 유동
Claims (8)
- 반응기 본체;
상기 반응기 본체 하부에, 반응기 중심에서 편향되게 설치되는 제 1 분산판;
상기 제 1 분산판의 하부로부터 상기 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 1 기체 공급관;
상기 반응기 본체의 측면 하단에 설치된 제 2 분산판; 및
상기 제 2 분산판을 통해 반응기 본체 내로 기체를 공급하기 위한 제 2 기체 공급관;을 구비하는 유동층 반응기.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 기제 공급관에 의해 공급되는 기체의 제 1 기체 유동과 상기 제 2 기체 공급관에 의해 공급되는 기체의 제 2 기체 유동은 서로 직교하여 수직 루프 형상의 기체 유동을 야기하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
- 제 1 항에 있어서,
상기 제 1 분산판은 다수의 관통공이 형성된 천공 영역과 비천공 영역을 구비하며, 천공 영역이 반응기 본체 중심으로부터 편향되게 위치한 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
- 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 분산판의 비천공 영역이 제 2 분산판과 인접하도록 설치되는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
- 제 3 항에 있어서,
상기 천공 영역과 비천공 영역이 서로 대칭 구조인 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
- 제 3 항에 있어서,
상기 제 1 분산판의 천공 영역, 제 2 기체 공급관 및 제 2 분산판이 각각 복수개이며, 반응기 본체 중심을 축으로 대칭되도록 설치된 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
- 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 유동층 반응기는
촉매를 반응기 본체 내부로 공급하는 촉매공급관 및
생성된 탄소나노구조물과 혼합기체가 배출되는 생성물 배출관을 구비하며,
상기 제 1 기체 공급관 및 제 2 기체 공급관을 통해 탄소원(carbon source), 환원성 기체 및 불활성기체를 포함하는 반응기체를 반응기 내부로 공급하여,
상기 촉매와 반응기체가 반응기 내부 반응 공간에서 수직 루프 방향으로 유동하면서 반응하여 탄소나노구조물을 생성하는 것을 특징으로 하는 유동층 반응기.
- 제 7 항의 유동층 반응기의 촉매 공급관을 통해 촉매를 공급하는 단계;
상기 제 1 기체 공급관 및 제 2 기체 공급관을 통해 탄소원, 환원성 기체 및 불활성기체를 포함하는 반응기체를 반응기 내부로 공급하는 단계;
상기 촉매와 반응기체가 반응기 내부의 반응 공간에서 수직 루프 방향으로 유동하면서 반응하도록 하여 탄소나노구조물을 생성하는 단계; 및
생성된 탄소나노구조물을 회수하는 단계를 포함하는 탄소나노구조물 제조방법.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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Publication Number | Publication Date |
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KR20140146731A true KR20140146731A (ko) | 2014-12-29 |
KR101548418B1 KR101548418B1 (ko) | 2015-08-28 |
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Country Status (1)
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---|---|
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---|---|---|---|---|
KR20170011834A (ko) * | 2015-07-24 | 2017-02-02 | 주식회사 엘지화학 | 탄소나노튜브 집합체 제조장치 및 이를 이용한 탄소나노튜브 집합체 제조방법 |
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KR101548418B1 (ko) | 2015-08-28 |
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