KR20140131142A - 반도체 소자 및 이의 제조 방법 - Google Patents
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Abstract
유전막 및 전극간의 계면 처리 기술을 이용하여 유전막 내의 산소 원자의 손실을 방지함으로써, 캐패시터의 정전 용량 및 신뢰성이 개선된 반도체 소자를 제공하는 것이다. 상기 반도체 소자는 제1 도전체, 상기 제1 도전체 상에 형성되는 산화물 유전막, 상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 제1 형성 엔탈피(formation enthalpy)를 갖고, 산소를 공여하는 계면막, 및 상기 계면막 상에 접하여 형성되고, 상기 제1 형성 엔탈피보다 높은 제2 형성 엔탈피를 갖는 제2 도전체를 포함한다.
Description
본 발명은 반도체 소자 및 이의 제조 방법에 관한 것이다.
최근 반도체 소자는 대용량화 및 고집적화되면서, 디자인 룰(design rule)도 지속적으로 감소하고 있다. 이와 같은 경향은 메모리 반도체 소자 중의 하나인 DRAM에서도 나타나고 있다. DRAM 장치가 동작하기 위해서는 하나의 셀당 일정한 수준 이상의 캐패시턴스가 필요하다. 캐패시턴스의 증가는 캐패시터에 저장되는 전하의 양을 증가시켜, 반도체 소자의 리프레쉬(refresh) 특성을 개선된다. 개선된 반도체 소자의 리프레쉬 특성은 반도체 소자의 수율을 향상시킬 수 있다.
본 발명이 해결하려는 과제는, 유전막 및 전극간의 계면 처리 기술을 이용하여 유전막 내의 산소 원자의 손실을 방지함으로써, 캐패시터의 정전 용량 및 신뢰성이 개선된 반도체 소자를 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 다른 과제는, 상기 반도체 소자를 제조하는 반도체 소자 제조 방법을 제공하는 것이다.
본 발명이 해결하려는 과제들은 이상에서 언급한 과제들로 제한되지 않으며, 언급되지 않은 또 다른 과제들은 아래의 기재로부터 당업자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 일 태양(aspect)은 제1 도전체, 상기 제1 도전체 상에 형성되는 산화물 유전막, 상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 제1 형성 엔탈피(formation enthalpy)를 갖고 산소를 공여하는 계면막, 및 상기 계면막 상에 접하여 형성되고, 상기 제1 형성 엔탈피보다 높은 제2 형성 엔탈피를 갖는 제2 도전체를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막은 금속 산화물로 구성된다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막은 TiOx, AlOx, TiAlOx 및 MnOx 중 하나를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 TiAlOx에서, 상기 Ti 및 상기 Al의 전체 함량에 대한 상기 Al의 함량의 비율은 0.001 내지 0.5 사이이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막의 두께는 1Å 내지 10Å 사이이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막은 도전성막이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 산화물 유전막과 상기 계면막 사이에서, 상기 계면막과 접하여 형성되는 삽입막을 더 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 삽입막은 Al2O3을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 삽입막의 두께는 1Å 내지 5Å 사이이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제2 도전체는 금속 질화물을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제2 도전체는 TiN, ZrN, AlN, HfN, TaN, NbN, YN, LaN, VN 및 Mn4N 중 하나를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 도전체는 캐패시터의 하부 전극이고, 상기 제2 도전체는 캐패시터의 상부 전극이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 도전체와 상기 산화물 유전막 사이에는 상기 제1 형성 엔탈피를 갖는 계면막이 비형성된다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 도전체는 불순물이 도핑된 기판이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 다른 태양은 제1 도전체, 상기 제1 도전체 상에 형성되는 산화물 유전막, 상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 상기 산화물 유전막으로부터 산소 확산을 방지하는 삽입막, 상기 삽입막 상에 형성되고, 제1 형성 엔탈피를 갖는 제2 도전체, 및 상기 계면막과 상기 제2 도전체 사이에서 상기 삽입막 및 상기 제2 도전체와 접하고, 상기 제1 형성 엔탈피보다 낮은 제2 형성 엔탈피를 갖고, 상기 제2 도전체에 산소를 공여하는 계면막을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막은 TiOx를 포함하고, 상기 삽입막은 Al2O3를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막은 도전막이고, 상기 삽입막은 유전막이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 또 다른 태양은 제1 및 제2 불순물 영역을 포함하는 트랜지스터, 제1 컨택 플러그를 매개로 상기 제1 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 비트 라인, 상기 트랜지스터 상에 일방향으로 돌출되어 연장되고, 제2 컨택 플러그를 매개로 상기 제2 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 하부 전극, 상기 하부 전극 상의 산화물 유전막, 상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 금속 산화물로 구성되는 계면막으로, 제1 형성 엔탈피를 갖는 계면막, 상기 계면막 상에 접하여 형성되고, 금속 질화물을 포함하는 상부 전극으로, 상기 제1 형성 엔탈피보다 높은 제2 형성 엔탈피를 갖는 상부 전극을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 하부 전극의 형상은 실린더 형상 및 필라(pillar) 형상 중 하나이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막은 TiOx, AlOx, TiAlOx 및 MnOx 중 하나를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 상부 전극은 TiN, ZrN, AlN, HfN, TaN, NbN, YN, LaN, VN 및 Mn4N 중 하나를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 산화물 유전막과 상기 계면막 사이에서, 상기 계면막과 접하여 형성되는 Al2O3막을 더 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 또 다른 태양은 하부 도전체, 상기 하부 도전체 상에 형성되는 금속 산화물 유전막, 상기 금속 산화물 유전막 상에 형성되고, 상기 금속 산화물 유전막으로부터 산소의 확산을 막는 티타늄 산화물막, 상기 티타늄 산화물막 상에 접하여 형성되는 상부 도전체를 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막과 상기 상부 도전체는 직접 접한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막은 TiOx의 화학식을 가지고, 상기 x는 0보다 크고 2보다 작은 값을 갖는다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막은 비화학양론(nonstoichiometry) 조성을 갖는다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막에 포함된 산소 농도는 화학양론을 만족하는 티타늄 산화물에 포함된 산소 농도보다 낮다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 금속 산화물 유전막의 두께는 상기 티타늄 산화물막의 두께보다 두껍다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막과 상기 금속 산화물 유전막 사이에서, 상기 티타늄 산화물막과 접하여 형성되는 Al2O3막을 더 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 티타늄 산화물막의 두께는 상기 Al2O3막의 두께보다 두껍다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 Al2O3막의 두께는 2Å 내지 3Å 사이이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막의 두께는 3Å 내지 10Å 사이이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막은 도전막이고, 상기 Al2O3막은 유전막이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막은 알루미늄을 더 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 상부 도전체는 TiN을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 하부 도전체는 트랜지스터의 채널 영역이다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 또 다른 태양은 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성되는 산화물 유전막, 상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 금속 질화물을 포함하는 상부 전극, 상기 산화물 유전막과 상기 상부 전극 사이에서, 상기 상부 전극에 접하여 형성되고, 상기 상부 전극에서 상기 산화물 유전막으로 질소의 침투를 막는 티타늄 산화물막을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막과 상기 산화물 유전막 사이에서, 상기 티타늄 산화물막과 접하여 형성되는 Al2O3막을 더 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 티타늄 산화물막은 알루미늄을 더 포함한다.
상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 또 다른 태양은 하부 전극, 상기 하부 전극 상에 형성되는 산화물 유전막, 상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 전기가 통하는 티타늄 산화물을 포함하는 제1 상부 전극, 및 상기 제1 상부 전극과 접하여 형성되는 제2 상부 전극을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 상부 전극과 상기 산화물 유전막 사이에서, 상기 제1 상부 전극과 접하여 형성되는 Al2O3막을 더 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제1 상부 전극은 알루미늄을 더 포함한다.
상기 다른 과제를 해결하기 위한 본 발명의 반도체 소자의 또 다른 태양은 제1 도전체를 형성하고, 상기 제1 도전체 상에 산화물 유전막을 형성하고, 상기 산화물 유전막 상에 제1 형성 엔탈피를 갖는 프리 계면막을 형성하고, 상기 프리 계면막 상에 상기 프리 계면막과 접하는 제2 도전체를 형성하는 것을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제2 도전체를 형성하는 것은 상기 프리 계면막이 상기 제1 형성 엔탈피보다 낮은 제2 형성 엔탈피를 갖는 계면막으로 변화하는 것을 포함한다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 제2 도전체는 제3 형성 엔탈피를 갖고, 상기 제3 형성 엔탈피는 상기 제2 형성 엔탈피보다 높다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 계면막은 전기가 통하는 도전성막이다.
본 발명의 몇몇 실시예에서, 상기 산화물 유전막을 형성하는 것과 상기 프리 계면막을 형성하는 것 사이에, 상기 산화물 유전막 상에 삽입막을 형성하는 것을 더 포함하고, 상기 프리 계면막은 상기 삽입막에 접하여 형성된다.
본 발명의 기타 구체적인 사항들은 상세한 설명 및 도면들에 포함되어 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 2a는 도 1의 제2 도전체 및 계면막 사이의 형성 엔탈피(formation enthalpy)를 설명하는 다이어그램이다.
도 2b는 도 1의 제2 도전체 및 계면막으로 각각 사용될 수 있는 TiN 및 TiOx 사이의 형성 엔탈피를 나타내는 그래프이다. 도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 반도체 소자의 레이아웃도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하는 중간 단계 도면들이다.
도 10은 제2 도전체 형성 중 계면막에서 발생하는 형성 엔탈피의 변화를 나타내는 다이어그램이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 포함하는 전자 시스템의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 포함하는 메모리 카드의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 2a는 도 1의 제2 도전체 및 계면막 사이의 형성 엔탈피(formation enthalpy)를 설명하는 다이어그램이다.
도 2b는 도 1의 제2 도전체 및 계면막으로 각각 사용될 수 있는 TiN 및 TiOx 사이의 형성 엔탈피를 나타내는 그래프이다. 도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 반도체 소자의 레이아웃도이다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하는 중간 단계 도면들이다.
도 10은 제2 도전체 형성 중 계면막에서 발생하는 형성 엔탈피의 변화를 나타내는 다이어그램이다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계 도면이다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 포함하는 전자 시스템의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 포함하는 메모리 카드의 일 예를 도시한 블록도이다.
본 발명의 이점 및 특징, 그리고 그것들을 달성하는 방법은 첨부되는 도면과 함께 상세하게 후술되어 있는 실시예들을 참조하면 명확해질 것이다. 그러나 본 발명은 이하에서 개시되는 실시예들에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이며, 본 발명은 청구항의 범주에 의해 정의될 뿐이다. 도면에서 층 및 영역들의 상대적인 크기는 설명의 명료성을 위해 과장된 것일 수 있다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다.
하나의 소자(elements)가 다른 소자와 "접속된(connected to)" 또는 "커플링된(coupled to)" 이라고 지칭되는 것은, 다른 소자와 직접 연결 또는 커플링된 경우 또는 중간에 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 하나의 소자가 다른 소자와 "직접 접속된(directly connected to)" 또는 "직접 커플링된(directly coupled to)"으로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자를 개재하지 않은 것을 나타낸다. 명세서 전체에 걸쳐 동일 참조 부호는 동일 구성 요소를 지칭한다. "및/또는"은 언급된 아이템들의 각각 및 하나 이상의 모든 조합을 포함한다.
소자(elements) 또는 층이 다른 소자 또는 층의 "위(on)" 또는 "상(on)"으로 지칭되는 것은 다른 소자 또는 층의 바로 위뿐만 아니라 중간에 다른 층 또는 다른 소자를 개재한 경우를 모두 포함한다. 반면, 소자가 "직접 위(directly on)" 또는 "바로 위"로 지칭되는 것은 중간에 다른 소자 또는 층을 개재하지 않은 것을 나타낸다.
비록 제1, 제2 등이 다양한 소자, 구성요소 및/또는 섹션들을 서술하기 위해서 사용되나, 이들 소자, 구성요소 및/또는 섹션들은 이들 용어에 의해 제한되지 않음은 물론이다. 이들 용어들은 단지 하나의 소자, 구성요소 또는 섹션들을 다른 소자, 구성요소 또는 섹션들과 구별하기 위하여 사용하는 것이다. 따라서, 이하에서 언급되는 제1 소자, 제1 구성요소 또는 제1 섹션은 본 발명의 기술적 사상 내에서 제2 소자, 제2 구성요소 또는 제2 섹션일 수도 있음은 물론이다.
본 명세서에서 사용된 용어는 실시예들을 설명하기 위한 것이며 본 발명을 제한하고자 하는 것은 아니다. 본 명세서에서, 단수형은 문구에서 특별히 언급하지 않는 한 복수형도 포함한다. 명세서에서 사용되는 "포함한다(comprises)" 및/또는 "포함하는(comprising)"은 언급된 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자는 하나 이상의 다른 구성요소, 단계, 동작 및/또는 소자의 존재 또는 추가를 배제하지 않는다.
다른 정의가 없다면, 본 명세서에서 사용되는 모든 용어(기술 및 과학적 용어를 포함)는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 공통적으로 이해될 수 있는 의미로 사용될 수 있을 것이다. 또 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 용어들은 명백하게 특별히 정의되어 있지 않는 한 이상적으로 또는 과도하게 해석되지 않는다.
이하에서, 도 1 내지 도 2b를 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자를 설명한다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다. 도 2a는 도 1의 제2 도전체 및 계면막 사이의 형성 엔탈피(formation enthalpy)를 설명하는 다이어그램이다. 도 2b는 도 1의 제2 도전체 및 계면막으로 각각 사용될 수 있는 TiN 및 TiOx 사이의 형성 엔탈피를 나타내는 그래프이다.
도 1을 참고하면, 반도체 소자(1)은 제1 도전체(10), 산화물 유전막(20), 계면막(25) 및 제2 도전체(30)를 포함한다.
제1 도전체(10)는 도핑된 폴리 실리콘, 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물 또는 텅스텐 질화물 등), 금속(예를 들어, 루세늄, 이리듐, 티타늄 또는 탄탈륨 등), 및 도전성 금속 산화물(예를 들어, 산화 이리듐 등) 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는 제1 도전체(10)는 불순물이 도핑된 기판일 수 있고, 예를 들어, P형 기판 또는 N형 기판일 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참고하여 설명하겠지만, 제1 도전체(10)는 캐패시터의 하부 전극일 수 있다. 또는, 제1 도전체(10)는 트랜지스터의 채널 영역일 수 있다.
산화물 유전막(20)은 제1 도전체(10) 상에 형성된다. 산화물 유전막(20)은 예를 들어, 금속 산화물 유전막일 수 있고, 고유전율 유전막을 포함할 수 있다. 고유전율 유전막은 예를 들어, 지르코늄 산화물(ZrO2), 하프늄 산화물(HfO2), 지르코늄 실리콘 산화물(ZrSiOx), 하프늄 실리콘 산화물(HfSiOx), 지르코늄 하프늄 실리콘 산화물(ZrHfSiOx), 알루미늄 산화물(Al2O3) 및 이들의 조합 중 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
계면막(25)은 상기 산화물 유전막(20) 상에 형성된다. 계면막(25)은 예를 들어, 산소를 포함하는 화합물일 수 있고, 구체적으로, 금속 산화물일 수 있다. 계면막(25)은 예를 들어, 티타늄 산화물(TiOx, 0〈x〈2), 알루미늄 산화물(AlOx, 1〈x〈2), 티타늄 알루미늄 산화물(TiAlOx) 및 망간 산화물(MnOx, 0〈x〈2) 중 하나일 수 있다. 계면막(25)이 티타늄 알루미늄 산화물일 경우, 계면막(25)에 포함되는 금속 원소에 대한 알루미늄 원소에 대한 비율은 예를 들어, 0.001 내지 0.5 이내일 수 있다. 티타늄 알루미늄 산화물에 포함된 티타늄과 알루미늄 중, 티타늄이 알루미늄보다 계면막(25)의 기능에 더 기여하기 때문이다. 다시 말하면, 계면막(25)은 티타늄 산화물에 알루미늄이 더 포함된 화합물일 수 있다.
계면막(25)을 이루는 금속 산화물에서, 금속 산화물에 포함되는 금속은 전이 금속일 수 있고, 여러 개의 산화수를 가질 수 있다. 따라서, 계면막(25)을 이루는 금속 산화물의 금속은 산소와 결합하여 여러 가지 화학식을 갖는 화합물을 형성할 수 있다. 예를 들어, 계면막(25)이 티타늄 산화물일 경우, 티타늄 산화물의 금속 원소인 티타늄은 여러 개의 산화수를 가질 수 있어, TiO, Ti2O3, Ti3O5, Ti4O7, TiO2 등과 같은 다양한 산화물을 형성할 수 있다.
계면막(25)은 유전막으로 역할을 수행하지 않는 두께를 가질 수 있고, 예를 들어, 1Å 내지 10Å 사이의 두께를 가질 수 있다. 또한, 계면막(25)의 두께는 산화물 유전막(20)의 두께보다 얇다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자에서, 계면막(25)은 전기가 통하는 도전성막일 수 있다. 즉, 산화물 유전막(20) 상의 계면막(25)은 산화물 유전막(20)에 전기를 제공하는 전극 역할을 할 수 있다. 제조 공정 중, 계면막(25)은 프리 계면막(도 9의 25a)이 변화되어 형성되는 막이므로, 계면막(25)은 산소 공격자점(vacancy)을 포함할 수 있다. 계면막(25) 내의 산소 공격자점은 전류가 흐를 수 있는 전류 경로를 형성할 수 있게 되므로, 계면막(25)은 전기가 통하는 도전성막일 수 있다.
계면막(25)은 산화물 유전막(20)에 포함된 산소 원자가 제2 도전체(30)로 확산하는 것을 방지할 수 있고, 제조 과정 중 제2 도전체(30)에 산소를 공급하는 산소 공여막일 수도 있다. 또한, 계면막(25)은 이후에 설명될 제2 도전체(30)에 포함되는 질소 원자가 산화물 유전막(20)으로 침투하는 것을 막아줄 수 있다. 상기와 같은 계면막(25)의 역할에 대해, 이후에 자세히 설명한다.
제2 도전체(30)는 계면막(25)과 접하여 형성된다. 구체적으로, 제2 도전체(30)는 계면막(25)와 직접 접하여 형성된다. 제2 도전체(30)는 도전성 금속 질화물을 포함할 수 있고, 예를 들어, 티타늄 질화물(TiN), 지르코늄 질화물(ZrN), 알루미늄 질화물(AlN), 하프늄 질화물(HfN), 탄탈륨 질화물(TaN), 질화 나이오븀(NbN), 질화 이트륨(YN), 란타늄 질화물(LaN), 질화 바나듐(VN) 및 질화 망간(Mn4N) 중 하나를 포함할 수 있다.
도 5 내지 도 7을 참고하여 설명하겠지만, 제2 도전체(30)는 캐패시터의 상부 전극일 수 있다. 또는 제2 도전체(30)는 트랜지스터의 게이트 전극일 수 있다.
먼저, 계면막(25)의 역할 중의 하나인 산화물 유전막(20)에 포함된 산소 원자가 제2 도전체(30)로 확산하는 것을 방지하는 것에 대하여, 형성 엔탈피 관점에서 설명한다.
계면막(25) 및 제2 도전체(30)의 관계에 대해서 설명한다. 형성 엔탈피가 음의 값을 갖는다는 것은 반응 시작물의 에너지 상태가 반응 결과물의 에너지 상태보다 높은 것을 의미하고, 형성 엔탈피가 양의 값을 갖는다는 것은 반응 시작물의 에너지 상태가 반응 결과물의 에너지 상태보다 낮다는 것을 의미한다. 열역학적인 관점에서 볼 때, 주변의 반응 조건에 따라 달라질 수 있으나, 일반적으로 물질은 에너지 상태가 낮은 방향으로 변화하려는 경향이 있다.
도 1 및 도 2a를 참고하면, a는 제2 도전체(30)을 나타내고, b는 계면막(25)을 나타낸다. 또한, b의 우측에 있는 부분은 산화물 유전막(20)을 나타낸다. 제2 도전체(30)은 제1 형성 엔탈피(H1)을 갖고, 계면막(25)은 제2 형성 엔탈피(H2)를 가질 수 있다. 제1 형성 엔탈피(H1)은 제2 형성 엔탈피(H2)보다 높다. 즉, 제2 도전체(30)의 형성 엔탈피(H1)는 계면막(25)의 형성 엔탈피(H2)보다 높다.
도 2a에서, 산화물 유전막(20)의 형성 엔탈피를 제2 도전체(30)의 형성 엔탈피(H1)와 계면막(25)의 형성 엔탈피(H2) 사이에 위치하는 것으로 도시하였지만, 설명의 편의성을 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자에서, 계면막(25)을 이루는 금속 산화물의 형성 엔탈피(H2)는 계면막(25)을 이루는 금속 산화물의 금속이 산소와 결합하여 형성할 수 있는 화합물 중 형성 엔탈피가 가장 낮을 수 있다.
형성 엔탈피가 낮은 물질은 형성 엔탈피가 높은 물질보다 안정한 상태일 수 있다. 즉, 형성 엔탈피가 낮은 물질을 형성 엔탈피가 높은 물질로 변화시키기 위해서는 많은 에너지가 공급되어야 한다. 산화물 유전막(20)에서 산소가 확산하여 제2 도전체(30)으로 이동을 하기 위해서는 산소가 계면막(25)을 통과해야 한다. 하지만, 계면막(25)의 형성 엔탈피(H2)는 계면막(25)을 이루는 금속 산화물의 금속이 산소와 결합하여 형성할 수 있는 화합물 중 형성 엔탈피가 가장 낮기 때문에, 산화물 유전막(20)에 포함되었던 산소가 계면막(25)에 확산되어 계면막(25)의 산소 농도가 증가할 경우, 계면막(25)의 형성 엔탈피는 증가하게 된다. 하지만, 물질은 에너지 상태가 낮은 상태를 유지하려고 하므로, 산화물 유전막(20)에서 산소가 빠져 나온다고 하여도 빠져 나온 산소는 계면막(25)과 산화물 유전막(20)의 경계를 통과하지 못할 수 있다. 즉, 산화물 유전막(20)에 포함된 산소가 제2 도전체(30)로 확산하는 것을 계면막(25)이 막아줄 수 있다. 다른 관점에서 설명하면, 제2 도전체(30)와 산화물 유전막(20) 사이에는 낮은 형성 엔탈피를 갖는 계면막(25)이 위치한다. 즉, 계면막(25)은 포텐셜 배리어 역할을 하게 되어, 산화물 유전막(20)에 포함된 산소가 제2 도전체(30)로 움직이는 것을 막아줄 수 있다.
형성 엔탈피 관점에서 접근할 때, 계면막(25)은 예를 들어, 티타늄 산화물(TiOx, 0〈x〈2), 알루미늄 산화물(AlOx, 1〈x〈2), 티타늄 알루미늄 산화물(TiAlOx) 및 망간 산화물(MnOx, 0〈x〈2) 중 하나일 수 있다. 또한, 제2 도전체(30)는 예를 들어, 티타늄 질화물(TiN), 지르코늄 질화물(ZrN), 알루미늄 질화물(AlN), 하프늄 질화물(HfN), 탄탈륨 질화물(TaN), 질화 나이오븀(NbN), 질화 이트륨(YN), 란타늄 질화물(LaN), 질화 바나듐(VN) 및 질화 망간(Mn4N) 중 하나를 포함할 수 있다.
구체적으로, 제2 도전체(30) 및 계면막(25)으로 각각 TiN 및 TiOx 사용될 경우에, 제2 도전체(30)과 계면막(25) 사이의 형성 엔탈피 관계를 도 2b를 참고하여 설명한다.
제2 도전체(30) 및 계면막(25)은 동일한 금속 원소인 티타늄을 포함하되, 제2 도전체(30)은 금속 질화물이고, 계면막(25)은 금속 산화물이다.
제2 도전체(30)에 포함되는 질화 티타늄의 형성 엔탈피는 계면막(25)에 포함될 수 있는 산화 티타늄(TiOx)의 형성 엔탈피보다 높다. 도 2b에서, 여러 종류의 산화 티타늄의 형성 엔탈피는 질화 티타늄의 형성 엔탈피보다 낮기 때문에, 산화 티타늄을 포함하는 계면막(25)는 질화 티타늄을 포함하는 제2 도전체(30)보다 에너지적으로 안정한 상태에 있게 된다.
산화물 유전막(20)에 포함된 산소가 질화 티타늄을 포함하는 제2 도전체(30)로 확산하여 이동하기 위해, 산화물 유전막(20)에 포함된 산소는 질화 티타늄보다 에너지적으로 안정한 산화 티타늄을 포함하는 계면막(25)을 통과해야 한다. 하지만, 에너지적으로 안정한 산화 티타늄은 산소 확산에 대한 포텐셜 배리어 역할을 할 것이므로, 산화물 유전막(20)에서 질화 티타늄을 포함하는 제2 도전체(30)로의 산소 확산을 산화 티타늄을 포함하는 계면막(25)이 막아줄 수 있다.
다음으로, 계면막(25)의 역할 중의 하나는 제조 과정 중 산화물 유전막(20) 대신 제2 도전체(30)에 산소를 공급하는 산소 공여막 역할을 한다. 즉, 계면막(25)은 산소를 공급하는 산소 희생막일 수 있다.
본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자에서, 제2 도전체(30)의 형성 엔탈피는 제2 도전체(30)를 산화시켜 형성되는 제2 도전체(30)의 산화물의 형성 엔탈피보다 높을 수 있다. 도 2b를 참고하면, 제2 도전체(30)에 포함될 수 있는 질화 티타늄은 산소와 반응하여 산화 티타늄으로 변화할 경우, 형성 엔탈피는 낮아진다. 즉, 질화 티타늄을 산화시키면, 질화 티타늄보다 에너지적으로 안정한 산화 티타늄이 형성된다.
즉, 산화물 유전막(20) 상에 제2 도전체(30)를 형성하면, 제2 도전체(30)는 산화물 유전막(20) 내에 포함되어 있는 산소를 가져와 에너지적으로 안정화되려고 한다. 하지만, 산화물 유전막(20) 내에 포함된 산소를 제2 도전체(30)에 빼앗기게 되면, 산화물 유전막(20)의 캐패시턴스는 낮아지고, 유전막의 신뢰성도 저하된다.
이와 같은 현상을 금속 산화물을 포함하는 계면막(25)의 도입을 통해 방지할 수 있다. 다시 말하면, 계면막(25)은 산화물 유전막(20)에 포함되는 산소가 제2 도전체(30)로 확산되는 것을 방지함과 동시에, 계면막(25) 자신이 가지고 있는 산소의 일부를 제2 도전체(30)에 제공을 하게 된다. 이를 통해, 계면막(25)는 산화물 유전막(20) 및 제2 도전체(30)를 포함하는 구조체의 전기적인 특성을 향상시킨다.
구체적으로, 제2 도전체(30)가 금속 질화물일 경우, 제2 도전체(30)의 금속 원자는 산소와 결합되어 산화물을 형성할 경우 에너지적으로 안정화될 수 있으므로, 제2 도전체(30)는 계면막(25)으로부터 공급되는 산소를 받아들일 수 있다. 하지만, 제2 도전체(30)의 형성 조건에 의해, 계면막(25)으로부터 제2 도전체(30)에 공급된 산소 원자는 금속 원소와 금속 산화물막을 형성하지 못하고, 제2 도전체(30)로부터 빠져나갈 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
제조 공정 중, 계면막(25)은 금속 원소 하나 당 결합되는 산소 수가 감소됨으로써 형성된다. 다시 말하면, 제조 공정 중, 계면막(25)은 프리 계면막(도 9의 25a)으로부터 변화되어 형성된다. 즉, 프리 계면막이 계면막(25)으로 변화하면서 남는 산소 원자를 주변의 막, 즉 제2 도전체(30) 또는 산화물 유전막(20)에 제공할 수 있다. 산화물 유전막(20)은 화학양론(stoichiometry)를 맞춰 형성될 것이므로, 계면막(25)으로부터 발생하는 남는 산소 원자는 제2 도전체(30)에 공급될 수 있다.
또한, 계면막(25)이 형성되기 전의 프리 계면막은 화학양론 조성을 갖도록 형성된다. 따라서, 프리 계면막이 산소를 잃고 형성되는 계면막(25)은 비화학양론(nonstoichiometry) 조성을 갖는 화합물이 된다. 즉, 계면막(25)을 구성하는 물질들은 화학양론을 만족시키지 못하는 조성비로 결합된다.
다시 말하면, 계면막(25)에 포함된 산소 농도는 화학양론 조성을 갖도록 형성된 프리 계면막에 포함된 산소 농도보다 낮게 된다. 도 2b를 통해 구체적인 예를 들면, 프리 계면막은 화학양론 조성을 갖는 TiO2일 수 있지만, 프리 계면막이 산소 일부를 잃어 형성되는 계면막(25)은 화학양론 조성을 갖지 않는 TiOx(0〈x〈2)일 수 있다. TiO2와 TiOx에서의 산소 농도를 비교하면, 프리 계면막에 포함된 TiO2에서의 산소 농도가 계면막(25)에 포함된 TiOx에서의 산소 농도보다 높게 된다.
다음으로, 계면막(25)의 역할 중의 하나인 제2 도전체(30)에 포함되는 질소 원자가 제2 도전체(30)에서 산화물 유전막(20)으로 침투하는 것을 방지하는 것에 대해서 설명한다. 즉, 계면막(25)은 질소 확산 방지막의 역할을 할 수 있다.
상술한 것과 같이, 제2 도전체(30)는 금속 질화물을 포함할 수 있다. 제2 도전체(30)는 계면막(25)을 사용하지 않고, 산화물 유전막(20) 상에 제2 도전체(30)를 배치할 경우, 제2 도전체(30)에 포함되어 있는 질소 원자는 산화물 유전막(20)에 확산 침투되어, 산화물 유전막(20) 내에서 산질화물이 형성될 수 있다.
산화물 유전막(20) 내에 질소가 침투되어 산질화물막을 형성할 경우, 산화물 유전막(20)의 결정화 온도가 상승할 수 있다. 구체적으로, 산화물 유전막(20)의 결정화 온도보다 질소를 포함하는 산화물 유전막의 결정화 온도는 높다. 따라서, 제조 공정 중, 증착된 산화물 유전막(20)을 결정화 시키기 위해서 더 높은 온도로 산화물 유전막(20)을 열처리해줘야 한다. 만약, 질소를 포함하지 않은 산화물 유전막(20)이 결정화될 수 있는 온도에서, 질소가 침투된 산화물 유전막(20)을 결정화할 경우, 질소가 포함된 산화물 유전막(20)은 결정화가 잘 이뤄지지 않아 결정성이 나빠진다.
하지만, 산화물 유전막(20) 및 제2 도전체(30) 사이에 질소의 침투를 방지할 수 있는 계면막(25)을 삽입함으로써, 산화물 유전막(20)은 낮은 온도에서도 결정화가 잘 이뤄질 수 있다. 이를 통해, 산화물 유전막(20)의 결정성을 향상되게 된다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자에서, 계면막(25)은 산화물 유전막(20) 및 제2 도전체(30) 사이에만 형성이 되고, 산화물 유전막(20) 및 제1 도전체(10) 사이에는 형성되지 않는다. 이를 통해, 계면막(25)은 산화물 유전막(20)을 사이에 두고 대칭적으로 형성되지 않는다. 제1 도전체(10) 및 산화물 유전막(20) 사이에는 제2 형성 엔탈피(H2)를 갖는 계면막이 형성되지 않으므로, 산화물 유전막(20)에 포함된 산소가 제1 도전체(10)로 확산되는 것을 방지하는 못한다. 즉, 제1 도전체(10) 및 산화물 유전막(20) 사이에는 산소 확산 방지할 수 있는 배리어막이 형성되지 않는다.
도 3을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자에 대해서 설명한다. 본 실시예는 계면막과 산화물 유전막 사이에 삽입막을 더 포함하는 것을 제외하고는 전술한 제1 실시예와 실질적으로 동일하므로, 전술한 실시예와 중복되는 부분에 대하여는 동일한 도면부호를 기재하고 그에 대한 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.
도 3은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 3을 참고하면, 반도체 소자(2)는 제1 도전체(10), 산화물 유전막(20), 삽입막(23), 계면막(25) 및 제2 도전체(30)를 포함한다.
제1 도전체(10) 상에 산화물 유전막(20), 계면막(25) 및 제2 도전체(30)가 순차적으로 형성된다.
삽입막(23)은 산화물 유전막(20)과 계면막(25) 사이에 개재된다. 삽입막(23)은 계면막(25)과 접하여 형성된다. 즉, 계면막(25)는 삽입막(23)과 제2 도전체(30) 사이에서, 삽입막(23)과 제2 도전체(30)에 접하고 있다. 계면막(25)과 함께, 삽입막(23)은 산화물 유전막(20)에 포함된 산소가 제2 도전체(30)로 확산하는 것을 방지할 수 있다. 즉, 삽입막(23)은 계면막(25)을 보완하는 또 다른 산소 확산 방지막일 수 있다.
삽입막(23)은 산소를 포함하는 화합물일 수 있고, 구체적으로 알루미늄 산화물(Al2O3)을 포함할 수 있다. 삽입막(23)에 포함된 알루미늄은 Al3 +이온 상태로 삽입막(23) 내에 존재하기 때문에, 강한 산소 친화도(oxygen affinity)를 갖게 된다. 따라서, 삽입막(23)은 산화물 유전막(20)에 포함된 산소는 삽입막(23)을 통과하여 제2 도전체(30)로 확산하는 것을 방지하게 된다.
삽입막(23)에 의해, 삽입막(23)과 산화물 유전막(20)의 전체적인 유전 상수가 낮아질 수 있다. 유전 상수가 낮아지는 것을 방지하기 위해, 삽입막(23)이 유전막으로 역할하는 것이 최소화되어야 한다. 이를 위해, 삽입막(23)은 예를 들어 1Å 내지 5Å 사이의 두께를 가질 수 있다. 또한, 삽입막(23)의 두께는 계면막(25)의 두께보다 얇을 수 있다.
본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자에서, 산화물 유전막(20) 내의 산소 확산을 방지하는 산소 확산 방지막은 계면막(25) 및 삽입막(23)의 이중막 형태를 가질 수 있다.
산화물 유전막(20) 내의 산소 확산을 방지하는 산소 확산 방지막은 이중막 형태를 가지지만, 산소 확산 방지막 중 계면막(25)은 도전막이고, 산소 확산 방지막 중 삽입막(23)은 유전막이다.
도 4 내지 도 6을 통해, 도 1 및 도 3에서 설명한 반도체 소자(1, 2)가 메모리 소자의 정보 저장부에 사용되는 것에 대해서 설명한다. 정보 저장부는 캐패시터로 설명을 하지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
도 4를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 반도체 소자의 레이아웃을 설명한다.
도 4는 본 발명의 제3 실시예 및 제4 실시예에 따른 반도체 소자의 레이아웃도이다. 즉, 도 4는 정보 저장부가 형성되기 이전까지의 레이아웃을 보여준다.
도 4를 참고하면, 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자에서, 단위 활성 영역(103)은 기판(100) 내에 소자 분리 영역(105)을 형성함으로써 정의된다.
구체적으로 설명하면, 단위 활성 영역(103)은 제1 방향(DR1)으로 연장되어 형성되고, 게이트 전극(즉, 워드 라인)(130)은 제1 방향(DR1)과 예각을 이루는 제2 방향(DR2)으로 연장되어 형성되고, 비트 라인(170)은 제1 방향(DR1)과 예각을 이루는 제3 방향(DR3)으로 연장되어 형성된다.
여기서, "특정 방향과 다른 특정 방향이 소정 각도를 이룬다"고 할 경우의 각도는, 2개의 방향들이 교차됨으로써 생기는 2개의 각도들 중 작은 각도를 의미한다. 예를 들어, 2개의 방향들이 교차됨으로써 생길 수 있는 각이 120°와, 60°일 경우, 60°를 의미한다. 따라서, 도 4에 도시된 바와 같이, 제1 방향(DR1)과 제2 방향(DR2)이 이루는 각은 θ1이고, 제1 방향(DR1)과 제3 방향(DR3)이 이루는 각은 θ2가 된다.
이와 같이, θ1 및/또는 θ2가 예각을 이루도록 하는 이유는, 단위 활성 영역(103)과 비트 라인(170)을 연결하는 비트 라인 컨택(160)과, 단위 활성 영역(103)과 캐패시터를 연결하는 스토리지 노드 컨택(180)(도 5의 제2 컨택 플러그) 사이의 간격을 최대로 확보하기 위함이다. θ1, θ2는 예를 들어, 각각 45°, 45°이거나, 30°, 60°이거나, 60°, 30°일 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
도 5를 참조하여, 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 소자에 대해 설명한다.
도 5는 본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다. 도 5는 도 4의 AA를 자른 단면도로서, 캐패시터를 포함하는 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 5를 참고하면, 반도체 소자(3)은 기판(100), 트랜지스터(T), 비트 라인(170) 및 캐패시터(C)를 포함할 수 있다.
기판(100)에는 단위 활성 영역(103)과 소자 분리 영역(105)이 형성되어 있다. 기판(100)은 벌크 실리콘 또는 SOI(silicon-on-insulator)일 수 있다. 이와 달리, 기판(100)은 실리콘 기판일 수도 있고, 또는 다른 물질, 예를 들어, 실리콘게르마늄, 안티몬화 인듐, 납 텔루르 화합물, 인듐 비소, 인듐 인화물, 갈륨 비소 또는 안티몬화 갈륨을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다. 이하에서는, 예시적으로 실리콘 기판을 예로 든다. 소자 분리 영역(105)은 STI(Shallow Trench Isolation) 공정을 통하여 형성될 수 있다. 도 4에서 제1 방향(DR1)으로 연장된 단위 활성 영역(103)은 소자 분리 영역(105)에 의해 한정될 수 있다.
1개의 단위 활성 영역(103) 내에 2 개의 트랜지스터(T)가 형성될 수 있다. 두 개의 트랜지스터(T)는 단위 활성 영역(103)을 가로지르도록 형성된 2개의 게이트 전극(130)과 2개의 게이트 전극(130) 사이의 단위 활성 영역(103) 내에 형성된 제1 불순물 영역(107a)과 각각의 게이트 전극(130)과 소자 분리 영역(105) 사이에 형성된 제2 불순물 영역(107b)을 포함한다. 즉, 2개의 트랜지스터(T)는 제1 불순물 영역(107a)을 공유하고, 제2 불순물 영역(107b)을 공유하지 않는다.
각각의 트랜지스터(T)는 게이트 절연막(120), 게이트 전극(130) 및 캡핑 패턴(140)을 포함할 수 있다.
게이트 절연막(120)은 기판(100) 내에 형성된 트렌치(110)의 측면 및 바닥면을 따라 형성될 수 있다. 게이트 절연막(120)은 예를 들어, 실리콘 산화물 또는 실리콘 산화물보다 유전율이 높은 고유전율 유전체를 포함할 수 있다. 도 5에서, 게이트 절연막(120)은 트렌치(110)의 측면에 전체적으로 형성되는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 게이트 절연막(120)은 트렌치(110)의 측면 하부에 접하여 형성되고, 트렌치(110)의 측면 상부에는 이 후에 설명할 캡핑 패턴(140)이 접하여 형성될 수 있다.
게이트 전극(130)은 트렌치(110)를 완전히 채우지 않고, 트렌치(110)의 일부를 채우도록 형성될 수 있다. 즉, 게이트 전극(130)은 리세스된 형태일 수 있다. 게이트 전극(130)은 예를 들어, 도핑된 폴리 실리콘, 질화 티타늄(TiN), 질화 탄탈륨(TaN), 질화 텅스텐(WN), 티타늄(Ti), 탄탈륨(Ta) 및 텅스텐(W) 등을 이용하여 형성될 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 캡핑 패턴(140)은 게이트 전극(130) 상에, 트렌치(110)를 채우도록 형성될 수 있다. 캡핑 패턴(140)은 절연 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 도 5에서, 캡핑 패턴(140)은 게이트 전극(130)과 트렌치(110)의 측벽에 형성된 게이트 절연막(120) 사이를 채우는 것으로 도시되었으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 캡핑 패턴(140)은 기판(100) 즉, 제1 불순물 영역(107a) 및 제2 불순물 영역(107b)와 접하여 형성될 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 소자에서, 트랜지스터(T)는 매립된 채널을 갖는 트랜지스터(buried channel array transistor; BCAT)으로 설명하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 트랜지스터(T)는 플레나(planar) 구조의 트랜지스터 또는 기둥(pillar) 형상의 단위 활성 영역(103)에 형성된 수직 채널을 갖는 트랜지스터(vertical channel array transistor; VCAT) 구조 등의 다양한 구조를 가질 수 있다.
기판(100) 상에 층간 절연막(150)이 형성될 수 있다. 층간 절연막(150)은 예를 들어, 실리콘 산화물, 실리콘 질화물 및 실리콘 산질화물 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 층간 절연막(150)은 단일층 또는 다층일 수 있다.
층간 절연막(150) 내에 제1 불순물 영역(107a)과 전기적으로 연결되는 제1 콘택 플러그(비트 라인 컨택)(160)가 형성될 수 있다. 제1 콘택 플러그(160)는 도전 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 다결정 실리콘, 금속 실리사이드 화합물, 도전성 금속 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다. 제1 컨택 플러그(160) 상에, 제1 콘택 플러그(160)을 매개로 제1 불순물 영역(107a)와 전기적으로 연결되는 비트 라인(170)이 형성될 수 있다. 비트 라인(170)은 도전 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 다결정 실리콘, 금속 실리사이드 화합물, 도전성 금속 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
층간 절연막(150) 내에, 층간 절연막(150)을 관통하여, 제2 컨택 플러그(180)가 형성될 수 있다. 제2 컨택 플러그(180)은 제2 불순물 영역(107b)와 전기적으로 연결될 수 있다. 제2 컨택 플러그(180)은 스토리지 노드 컨택을 포함할 수 있다. 제2 컨택 플러그(180)는 도전 물질을 포함할 수 있고, 예를 들어, 다결정 실리콘, 금속 실리사이드 화합물, 도전성 금속 질화물 및 금속 중 적어도 하나를 포함할 수 있으나, 이에 제한되는 것은 아니다.
층간 절연막(150) 상에, 제2 불순물 영역(107b)와 전기적으로 연결되는 캐패시터(C)가 형성될 수 있다. 캐패시터(C)는 제2 컨택 플러그(180)를 매개로 제2 불순물 영역(107b)와 전기적으로 연결될 수 있다.
캐패시터(C)는 하부 전극(200), 캐패시터 유전막(210), 캐패시터 계면막(220) 및 상부 전극(230)을 포함한다. 도 1 및 도 3을 참고하면, 하부 전극(200)은 제1 도전체(10)일 수 있고, 캐패시터 유전막(210)은 산화물 유전막(20)일 수 있고, 상부 전극(230)은 제2 도전체(30)일 수 있다. 또한, 캐패시터 계면막(220)은 계면막(25)일 수 있고, 또는 계면막(25)과 삽입막(23)의 이중막일 수 있다.
하부 전극(200)은 기판(100) 상에 돌출되어 형성되고, 제2 컨택 플러그(180)와 전기적으로 연결된다. 기판(100) 상에 돌출되어 형성되는 하부 전극(200)은 일 방향 즉, 기판(100)의 두께 방향으로 길게 연장될 수 있다.
본 발명의 제3 실시예에 따른 반도체 소자에서, 하부 전극(200)은 내벽과 외벽을 포함하는 실린더 형상일 수 있다. 도 5에 도시되는 실린더 형상은 설명의 편이를 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것이므로, 하부 전극(200)은 다양한 형상의 실린더 형상을 가질 수 있음은 물론이다.
캐패시터 유전막(210)은 하부 전극(200) 상에 형성된다. 캐패시터 유전막(210)은 실린더 형상의 하부 전극(200)의 내벽 및 외벽을 따라 형성될 수 있다.
캐패시터 계면막(220)은 캐패시터 유전막(210) 상에 형성된다. 도 1 및 도 3에서 설명한 것과 같이, 캐패시터 계면막(220)은 금속 산화물로 구성된 계면막(25)이 될 수 있고, 제2 형성 엔탈피(H2)를 가질 수 있다. 만약 캐패시터 계면막(220)이 도 3의 계면막(25) 및 삽입막(23)의 이중막 구조로 형성된다면, 캐패시터 계면막(220)은 캐패시터 유전막(210)쪽에 형성된 Al2O3막을 더 포함할 수 있다.
상부 전극(230)은 캐패시터 계면막(220) 상에서, 캐패시터 계면막(220)과 접하여 형성된다. 상부 전극(230)은 예를 들어, 금속 질화물을 포함할 수 있다. 상부 전극(230)에 포함되는 금속 질화물은 캐패시터 계면막(220)을 이루는 금속 산화물의 형성 엔탈피(H2)보다 높은 제1 형성 엔탈피(H1)을 갖는다.
도 5에서, 상부 전극(230)은 층간 절연막(150) 상에 판상 형태로 형성되는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 상부 전극(230)은 실린더 형상의 하부 전극(200)의 내벽 및 외벽을 따라 형성될 수 있음은 물론이다.
도 6을 참조하여, 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 소자에 대해 설명한다. 본 실시예는 하부 전극의 형상을 제외하고는 전술한 제3 실시예와 실질적으로 동일하므로, 전술한 실시예와 중복되는 부분에 대하여는 동일한 도면부호를 기재하고 그에 대한 설명은 간략히 하거나 생략하기로 한다.
도 6은 본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다. 도 6는 도 4의 AA를 자른 단면도로서, 캐패시터를 포함하는 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 6을 참고하면, 반도체 소자(4)는 기판(100), 트랜지스터(T), 비트 라인(170) 및 캐패시터(C)를 포함할 수 있다.
하부 전극(200)은 기판(100) 상에 돌출되어 형성되고, 제2 컨택 플러그(180)와 전기적으로 연결된다. 기판(100) 상에 돌출되어 형성되는 하부 전극(200)은 일 방향 즉, 기판(100)의 두께 방향으로 길게 연장될 수 있다.
본 발명의 제4 실시예에 따른 반도체 소자에서, 하부 전극(200)은 필라(pillar) 형상일 수 있다. 도 6에 도시되는 필라 형상은 설명의 편이를 위한 것일 뿐, 이에 제한되는 것이므로, 하부 전극(200)은 다양한 형상의 필라 형상을 가질 수 있음은 물론이다.
캐패시터 유전막(210) 및 캐패시터 계면막(220)은 하부 전극(200)의 외벽을 따라 형성된다.
도 7을 참조하여, 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 소자에 대해서 설명한다. 도 7은 도 1 및 도 3에서 설명한 반도체 소자(1, 2)가 트랜지스터의 구성 요소로 사용되는 것에 대해서 설명한다.
도 7은 본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 소자를 설명하기 위한 도면이다.
도 7을 참고하면, 반도체 소자(5)는 기판(300), 게이트 절연막(310), 게이트 계면막(320) 및 게이트 전극(330)을 포함할 수 있다.
기판(300)에는 활성 영역(303)과 소자 분리 영역(305)이 형성되어 있다. 기판(300)은 벌크 실리콘 또는 SOI(silicon-on-insulator)일 수 있다. 이와 달리, 기판(300)은 실리콘 기판일 수도 있고, 또는 다른 물질, 예를 들어, 실리콘게르마늄, 안티몬화 인듐, 납 텔루르 화합물, 인듐 비소, 인듐 인화물, 갈륨 비소 또는 안티몬화 갈륨을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
기판(300)의 활성 영역(303)에 형성되는 트랜지스터의 채널 영역은 제1 도전체(10)일 수 있고, 게이트 절연막(310)은 산화물 유전막(20)일 수 있고, 게이트 전극(330)은 제2 도전체(30)일 수 있다. 또한, 게이트 계면막(320)은 계면막(25)일 수 있고, 또는 계면막(25)과 삽입막(23)의 이중막일 수 있다.
게이트 계면막(320)은 게이트 절연막(310) 상에 형성된다. 도 1 및 도 3에서 설명한 것과 같이, 게이트 계면막(320)은 금속 산화물로 구성된 계면막(25)이 될 수 있다. 만약 게이트 계면막(320)이 도 3의 계면막(25) 및 삽입막(23)의 이중막 구조로 형성된다면, 게이트 계면막(320)은 게이트 절연막(310)쪽에 형성된 Al2O3막을 더 포함할 수 있다.
트랜지스터가 PMOS인 경우, 활성 영역(303)에는 n형의 불순물이 도핑되어 있고, 트랜지스터가 NMOS인 경우, 활성 영역(303)에는 p형의 불순물이 도핑되어 있다.
본 발명의 제5 실시예에 따른 반도체 소자에서, 트랜지스터는 플레나 구조의 트랜지스터로 설명하고 있으나, 이에 제한되는 것은 아니며, 트랜지스터는 매립된 채널을 갖는 트랜지스터 또는 수직 채널을 갖는 트랜지스터 구조 등의 다양한 구조를 가질 수 있다.
또한, 도 7에서, 게이트 절연막(310) 및 게이트 계면막(320)은 기판(100)의 상면과 평행하게 형성되는 것으로 도시하였지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 게이트 절연막(310) 및/또는 게이트 계면막(320) 각각의 일부는 기판(300)의 두께 방향으로 길게 연장될 수 있다.
도 1, 도 2a, 도 8 내지 도 10을 참조하여, 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법에 대해서 설명한다.
도 8 및 도 9는 본 발명의 제1 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하는 중간 단계 도면들이다. 도 10은 제2 도전체 형성 중 계면막에서 발생하는 형성 엔탈피의 변화를 나타내는 다이어그램이다.
도 8을 참고하면, 제1 도전체(10) 및 산화물 유전막(20)을 순차적으로 형성한다. 즉, 제1 도전체(10) 상에 산화물 유전막(20)을 형성한다.
제1 도전체(10)는 정보 저장장부의 하부 전극일 수 있고, 예를 들어, 도핑된 폴리 실리콘, 도전성 금속 질화물(예를 들어, 티타늄 질화물, 탄탈륨 질화물 또는 텅스텐 질화물 등), 금속(예를 들어, 루세늄, 이리듐, 티타늄 또는 탄탈륨 등), 및 도전성 금속 산화물(예를 들어, 산화 이리듐 등) 등에서 선택된 적어도 하나를 포함할 수 있다. 또는, 제1 도전체(10)는 트랜지스터의 채널 영역으로 사용될 수 있고, 불순물이 도핑된 기판으로 예를 들어, P형 기판 또는 N형 기판일 수 있다.
산화물 유전막(20)은 예를 들어, 고유전율 유전막을 포함할 수 있고, 지르코늄 산화물(ZrO2), 하프늄 산화물(HfO2), 지르코늄 실리콘 산화물(ZrSiOx), 하프늄 실리콘 산화물(HfSiOx), 지르코늄 하프늄 실리콘 산화물(ZrHfSiOx), 알루미늄 산화물(Al2O3) 및 이들의 조합 중 하나를 포함할 수 있다. 산화물 유전막(20)은 예를 들어, 원자층 증착법(ALD), 화학 기상 증착법(CVD) 또는 스퍼터링(sputtering) 방법 등으로 형성할 수 있다.
도 9를 참고하면, 산화물 유전막(20) 상에 프리 계면막(25a)을 형성한다. 프리 계면막(25a)은 제3 형성 엔탈피(H3)를 가질 수 있다.
프리 계면막(25a)은 예를 들어, 티타늄 산화물(TiOy, 0〈y〈2), 알루미늄 산화물(AlOy, 1〈y〈2), 티타늄 알루미늄 산화물(TiAlOy) 및 망간 산화물(MnOy, 0〈y〈2) 중 하나일 수 있다. 프리 계면막(25a)이 티타늄 알루미늄 산화물일 경우, 프리 계면막(25a)에 포함되는 금속 원소에 대한 알루미늄 원소에 대한 비율은 예를 들어, 0.001 내지 0.5 이내일 수 있다.
프리 계면막(25a)은 예를 들어, 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD) 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 1 및 도 10을 참고하면, 프리 계면막(25a) 상에, 프리 계면막(25a)과 접하는 제2 도전체(30)를 형성한다.
제2 도전체(30)는 도전성 금속 질화물을 포함할 수 있고, 예를 들어, 티타늄 질화물(TiN), 지르코늄 질화물(ZrN), 알루미늄 질화물(AlN), 하프늄 질화물(HfN), 탄탈륨 질화물(TaN), 질화 나이오븀(NbN), 질화 이트륨(YN), 란타늄 질화물(LaN), 질화 바나듐(VN) 및 질화 망간(Mn4N) 중 하나를 포함할 수 있다.
제2 도전체(30)는 예를 들어, 원자층 증착법 또는 화학적 기상 증착법 등을 이용하여 형성될 수 있다.
제2 도전체(30)가 형성되는 동안, 프리 계면막(25a)은 계면막(25)으로 변화하여, 제2 도전체(30)와 산화물 유전막(20) 사이에 계면막(25)이 형성된다.
계면막(25)의 형성 엔탈피(H2)는 프리 계면막(25a)의 형성 엔탈피(H3)보다 낮다. 즉, 제2 도전체(30)가 형성되는 동안, 프리 계면막(25a)은 프리 계면막(25a)보다 형성 엔탈피가 낮은 계면막(25)으로 변화한다.
또한, 프리 계면막(25a)이 변화되어 형성되는 계면막(25)의 형성 엔탈피(H2)는 제2 도전체(30)의 형성 엔탈피(H1)보다 낮다. 즉, 제2 도전체(30)의 형성 엔탈피(H1)는 계면막(25)의 형성 엔탈피(H2)보다 높다.
제2 도전체(30)가 형성되는 동안, 프리 계면막(25a)은 프리 계면막(25a)에 내에 포함되어 있던 산소 원자 일부는 제2 도전체(30)로 제공한다. 이와 동시에, 프리 계면막(25a)은 산화물 유전막(20)에 내에 포함되어 있는 산소 원자가 제2 도전체(30)로 확산되지 않도록 막아준다. 또한, 프리 계면막(25a)은 제2 도전체(30)를 형성할 때 제공되는 질소 원자가 산화물 유전막(20)에 침투되지 않도록 막아준다.
프리 계면막(25a)에 포함된 산소의 일부가 제2 도전체(30)에 제공되므로, 프리 계면막(25a)에서 금속 원자 하나당 결합된 산소의 수는 계면막(25)에서 금속 원자 하나당 결합된 산소의 수보다 많다. 즉, 프리 계면막(25a)이 계면막(25)으로 변화하는 것은 환원 반응이고, 프리 계면막(25a)이 계면막(25)으로 변화하는 반응의 산화 엔탈피는 양의 값을 갖게 된다.
프리 계면막(25a)에서 산소 원자가 제2 도전체로 제공됨으로써 계면막(25)이 형성되므로, 계면막(25) 내부에는 산소 공격자점이 포함되게 된다. 계면막(25) 내에 포함된 산소 공격자점은 일종의 결함으로, 전류가 흐를 수 있는 경로 역할을 할 수 있다. 따라서, 계면막(25)은 금속 산화물로 구성되지만, 계면막(25)은 전기가 통하는 도전성막이 될 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자 제조 방법에서, 프리 계면막(25a)은 화학양론(stoichiometry)가 성립되는 화합물로 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 즉, 프리 계면막(25a)은 화학양론이 성립되는 금속 산화물에 산소를 과하게 포함시킨 과 산소 금속 산화물(oxygen rich metal oxide)일 수 있다.
도 2a, 도 3 및 도 11을 참조하여, 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법에 대해서 설명한다. 본 실시예는 삽입막을 더 형성하는 것을 제외하고 전술한 반도체 소자 제조 방법과 실질적으로 동일하므로, 중복되는 설명은 생략하거나 간략히 한다.
도 11은 본 발명의 제2 실시예에 따른 반도체 소자 제조 방법을 설명하기 위한 중간단계 도면이다.
도 11을 참고하면, 제1 도전체(10), 산화물 유전막(20), 삽입막(23) 및 프리 계면막(25a)을 순차적으로 형성한다. 프리 계면막(25a)과 삽입막(23)은 서로 접하여 형성된다.
삽입막(23)은 산소를 포함하는 화합물일 수 있고, 구체적으로 알루미늄 산화물(Al2O3)을 포함할 수 있다. 삽입막(23)은 예를 들어, 원자층 증착법(ALD) 또는 화학 기상 증착법(CVD) 등을 이용하여 형성될 수 있다.
도 3 및 도 10을 참고하면, 프리 계면막(25a) 상에, 프리 계면막(25a)과 접하는 제2 도전체(30)를 형성한다.
제2 도전체(30)가 형성되는 동안, 프리 계면막(25a)은 계면막(25)으로 변화하여, 제2 도전체(30)와 삽입막(23) 사이에 계면막(25)이 형성된다.
제2 도전체(30)가 형성되는 동안, 삽입막(23)은 프리 계면막(25a)과 함께 산화물 유전막(20)에 내에 포함되어 있는 산소 원자가 제2 도전체(30)로 확산되지 않도록 막아준다. 또한, 프리 계면막(25a)과 함께 삽입막(23)은 제2 도전체(30)를 형성할 때 제공되는 질소 원자가 산화물 유전막(20)에 침투되지 않도록 막아준다.
도 12는 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 포함하는 전자 시스템의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 12를 참고하면, 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 전자 시스템(1100)은 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120, I/O), 기억 장치(1130), 인터페이스(1140) 및 버스(1150, bus)를 포함할 수 있다. 컨트롤러(1110), 입출력 장치(1120), 기억 장치(1130) 및/또는 인터페이스(1140)는 버스(1150)를 통하여 서로 결합 될 수 있다. 버스(1150)는 데이터들이 이동되는 통로(path)에 해당한다.
컨트롤러(1110)는 마이크로프로세서, 디지털 신호 프로세스, 마이크로 컨트롤러, 및 이들과 유사한 기능을 수행할 수 있는 논리 소자들 중에서 적어도 하나를 포함할 수 있다. 입출력 장치(1120)는 키패드(keypad), 키보드 및 디스플레이 장치 등을 포함할 수 있다. 기억 장치(1130)는 데이터 및/또는 명령어 등을 저장할 수 있다. 기억 장치(1130)는 본 발명의 몇몇 실시예에 따른 반도체 소자를 포함할 수 있다. 기억 장치(1130)는 DRAM을 포함할 수 있다. 인터페이스(1140)는 통신 네트워크로 데이터를 전송하거나 통신 네트워크로부터 데이터를 수신하는 기능을 수행할 수 있다. 인터페이스(1140)는 유선 또는 무선 형태일 수 있다. 예컨대, 인터페이스(1140)는 안테나 또는 유무선 트랜시버 등을 포함할 수 있다.
전자 시스템(1100)은 개인 휴대용 정보 단말기(PDA, personal digital assistant) 포터블 컴퓨터(portable computer), 웹 태블렛(web tablet), 무선 전화기(wireless phone), 모바일 폰(mobile phone), 디지털 뮤직 플레이어(digital music player), 메모리 카드(memory card), 또는 정보를 무선환경에서 송신 및/또는 수신할 수 있는 모든 전자 제품에 적용될 수 있다.
도 13은 본 발명의 실시예들에 따른 반도체 소자를 포함하는 메모리 카드의 일 예를 도시한 블록도이다.
도 13을 참고하면, 본 발명의 다양한 실시예들에 따른 반도체 소자를 포함하는 메모리(1210)는 메모리 카드(1200)에 채용될 수 있다. 메모리 카드(1200)는 호스트(1230)와 메모리(1210) 사이에서 데이터 교환을 컨트롤하는 메모리 컨트롤러(1220)를 포함할 수 있다. SRAM(1221)은 중앙 처리 장치(1222)의 동작 메모리로 사용될 수 있다. 호스트 인터페이스(1223)은 호스트(1230)가 메모리 카드(1200)에 접속하여 데이터를 교환하기 위한 프로토콜을 포함할 수 있다. 에러 정정 코드(1224)는 메모리(1210)로부터 리드된 데이터의 에러를 탐지하고 정정할 수 있다. 메모리 인터페이스(1225)는 메모리(1210)와 인터페이싱할 수 있다. 중앙 처리 장치(1222)는 메모리 컨트롤러(1220)의 데이터 교환과 관련된 전체적인 컨트롤 동작을 수행할 수 있다.
이상 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 설명하였지만, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 그러므로 이상에서 기술한 실시예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야만 한다.
10: 제1 도전체 20: 산화물 유전막
23: 삽입막 25: 계면막
25a: 프리 계면막 30: 제2 도전체
23: 삽입막 25: 계면막
25a: 프리 계면막 30: 제2 도전체
Claims (20)
- 제1 도전체;
상기 제1 도전체 상에 형성되는 산화물 유전막;
상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 제1 형성 엔탈피(formation enthalpy)를 갖고, 산소를 공여하는 계면막; 및
상기 계면막 상에 접하여 형성되고, 상기 제1 형성 엔탈피보다 높은 제2 형성 엔탈피를 갖는 제2 도전체를 포함하는 반도체 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 계면막은 금속 산화물로 구성되고,
상기 계면막은 TiOx, AlOx, TiAlOx 및 MnOx 중 하나를 포함하는 반도체 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 계면막은 도전성막인 반도체 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 산화물 유전막과 상기 계면막 사이에서, 상기 계면막과 접하여 형성되는 삽입막을 더 포함하고,
상기 삽입막은 Al2O3을 포함하는 반도체 소자. - 제1 항에 있어서,
상기 제2 도전체는 금속 질화물을 포함하고,
상기 제2 도전체는 TiN, ZrN, AlN, HfN, TaN, NbN, YN, LaN, VN 및 Mn4N 중 하나를 포함하는 반도체 소자. - 제1 도전체;
상기 제1 도전체 상의 산화물 유전막;
상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 상기 산화물 유전막으로부터 산소 확산을 방지하는 삽입막;
상기 삽입막 상에 형성되고, 제1 형성 엔탈피를 갖는 제2 도전체; 및
상기 계면막과 상기 제2 도전체 사이에서 상기 삽입막 및 상기 제2 도전체와 접하고, 상기 제1 형성 엔탈피보다 낮은 제2 형성 엔탈피를 갖고, 상기 제2 도전체에 산소를 공여하는 계면막을 포함하는 반도체 소자. - 제1 및 제2 불순물 영역을 포함하는 트랜지스터;
제1 컨택 플러그를 매개로 상기 제1 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 비트 라인;
상기 트랜지스터 상에서 일방향으로 돌출되어 연장되고, 제2 컨택 플러그를 매개로 상기 제2 불순물 영역과 전기적으로 연결되는 하부 전극;
상기 하부 전극 상의 산화물 유전막;
상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 금속 산화물로 구성되는 계면막으로, 제1 형성 엔탈피를 갖는 계면막;
상기 계면막 상에 접하여 형성되고, 금속 질화물을 포함하는 상부 전극으로, 상기 제1 형성 엔탈피보다 높은 제2 형성 엔탈피를 갖는 상부 전극을 포함하는 반도체 소자. - 제7 항에 있어서,
상기 하부 전극의 형상은 실린더 형상 및 필라(pillar) 형상 중 하나인 반도체 소자. - 하부 도전체;
상기 하부 도전체 상에 형성되는 금속 산화물 유전막;
상기 금속 산화물 유전막 상에 형성되고, 상기 금속 산화물 유전막으로부터 산소의 확산을 막는 티타늄 산화물막;
상기 티타늄 산화물막 상에 접하여 형성되는 상부 도전체를 포함하는 반도체 소자. - 제9 항에 있어서,
상기 티타늄 산화물막은 TiOx의 화학식을 가지고,
상기 x는 0보다 크고 2보다 작은 값을 갖는 반도체 소자. - 제10 항에 있어서,
상기 티타늄 산화물막은 비화학양론(nonstoichiometry) 조성을 갖는 반도체 소자. - 제9 항에 있어서,
상기 티타늄 산화물막과 상기 산화물 유전막 사이에서, 상기 티타늄 산화물막과 접하여 형성되는 Al2O3막을 더 포함하는 반도체 소자. - 제12 항에 있어서,
상기 티타늄 산화물막의 두께는 상기 Al2O3막의 두께보다 두꺼운 반도체 소자. - 제13 항에 있어서,
상기 Al2O3막의 두께는 2Å 내지 3Å 사이인 반도체 소자. - 제13 항에 있어서,
상기 티타늄 산화물막의 두께는 3Å 내지 10Å 사이인 반도체 소자. - 제12 항에 있어서,
상기 티타늄 산화물막은 도전막이고, 상기 Al2O3막은 유전막인 반도체 소자. - 제9 항에 있어서,
상기 상부 도전체는 TiN을 포함하는 반도체 소자. - 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 형성되는 산화물 유전막;
상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 금속 질화물을 포함하는 상부 전극;
상기 산화물 유전막과 상기 상부 전극 사이에서, 상기 상부 전극에 접하여 형성되고, 상기 상부 전극에서 상기 산화물 유전막으로 질소의 침투를 막는 티타늄 산화물막을 포함하는 반도체 소자. - 하부 전극;
상기 하부 전극 상에 형성되는 산화물 유전막;
상기 산화물 유전막 상에 형성되고, 전기가 통하는 티타늄 산화물을 포함하는 제1 상부 전극; 및
상기 제1 상부 전극과 접하여 형성되는 제2 상부 전극을 포함하는 반도체 소자. - 제1 도전체를 형성하고,
상기 제1 도전체 상에 산화물 유전막을 형성하고,
상기 산화물 유전막 상에 제1 형성 엔탈피를 갖는 프리 계면막을 형성하고,
상기 프리 계면막 상에 상기 프리 계면막과 접하는 제2 도전체를 형성하는 것을 포함하는 반도체 소자 제조 방법.
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160142452A (ko) * | 2015-06-02 | 2016-12-13 | 삼성전자주식회사 | 커패시터의 제조 방법 |
| US9978753B2 (en) | 2016-06-02 | 2018-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10453913B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device |
| US11043553B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit device |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102117409B1 (ko) * | 2013-12-12 | 2020-06-01 | 삼성전자 주식회사 | 반도체 소자 및 그 제조 방법 |
| KR102322960B1 (ko) | 2015-07-15 | 2021-11-05 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조 방법 |
| CN108281424B (zh) * | 2017-01-06 | 2021-09-14 | 联华电子股份有限公司 | 半导体元件以及其制作方法 |
| US20190237629A1 (en) | 2018-01-26 | 2019-08-01 | Lumileds Llc | Optically transparent adhesion layer to connect noble metals to oxides |
| KR102449895B1 (ko) | 2018-05-18 | 2022-09-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치와 그 제조 방법 |
| KR102629425B1 (ko) | 2018-07-13 | 2024-01-26 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 그 제조 방법 |
| KR20200145871A (ko) * | 2019-06-11 | 2020-12-31 | 삼성전자주식회사 | 집적회로 소자 및 그 제조 방법 |
| KR20220014997A (ko) | 2020-07-30 | 2022-02-08 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960319A (en) * | 1995-10-04 | 1999-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication method for a semiconductor device |
| US20020115252A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-08-22 | Haukka Suvi P. | Dielectric interface films and methods therefor |
| JP2011044577A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| US20120064689A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Elpida Memory, Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5173215A (en) * | 1991-02-21 | 1992-12-22 | Atraverda Limited | Conductive titanium suboxide particulates |
| US6417537B1 (en) * | 2000-01-18 | 2002-07-09 | Micron Technology, Inc. | Metal oxynitride capacitor barrier layer |
| US6407435B1 (en) * | 2000-02-11 | 2002-06-18 | Sharp Laboratories Of America, Inc. | Multilayer dielectric stack and method |
| JP4005805B2 (ja) * | 2001-12-17 | 2007-11-14 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
| US7588988B2 (en) * | 2004-08-31 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition |
| KR100728962B1 (ko) * | 2004-11-08 | 2007-06-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지르코늄산화막을 갖는 반도체소자의 캐패시터 및 그 제조방법 |
| US8551809B2 (en) * | 2008-05-01 | 2013-10-08 | Intermolecular, Inc. | Reduction of forming voltage in semiconductor devices |
| US7977152B2 (en) * | 2008-05-10 | 2011-07-12 | Intermolecular, Inc. | Non-volatile resistive-switching memories formed using anodization |
| US8310807B2 (en) * | 2009-06-12 | 2012-11-13 | Micron Technology, Inc. | Capacitors having dielectric regions that include multiple metal oxide-comprising materials |
-
2013
- 2013-05-03 KR KR1020130050114A patent/KR102148338B1/ko active IP Right Grant
- 2013-11-06 US US14/073,354 patent/US20140327062A1/en not_active Abandoned
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5960319A (en) * | 1995-10-04 | 1999-09-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Fabrication method for a semiconductor device |
| US20020115252A1 (en) * | 2000-10-10 | 2002-08-22 | Haukka Suvi P. | Dielectric interface films and methods therefor |
| JP2011044577A (ja) * | 2009-08-21 | 2011-03-03 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 半導体装置の製造方法 |
| US20120064689A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Elpida Memory, Inc. | Method for manufacturing semiconductor device |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160142452A (ko) * | 2015-06-02 | 2016-12-13 | 삼성전자주식회사 | 커패시터의 제조 방법 |
| US9978753B2 (en) | 2016-06-02 | 2018-05-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10297600B2 (en) | 2016-06-02 | 2019-05-21 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10636795B2 (en) | 2016-06-02 | 2020-04-28 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US11177263B2 (en) | 2016-06-02 | 2021-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor device and method of manufacturing the same |
| US10453913B2 (en) | 2017-04-26 | 2019-10-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device |
| US10658454B2 (en) | 2017-04-26 | 2020-05-19 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Capacitor, semiconductor device and methods of manufacturing the capacitor and the semiconductor device |
| US11043553B2 (en) | 2018-09-19 | 2021-06-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Integrated circuit device |
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