KR20140125203A - 절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법 - Google Patents

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조연진
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Abstract

하기 화학식 1로 표현되는 용제를 포함하는 절연막용 린스액, 상기 린스액을 사용한 절연막의 린스 방법에 관한 것이다.
[화학식 1]
Figure pat00006

상기 화학식 1에서, R1　및 Ra　내지 Re는 명세서에서 정의된 바와 같다.

Description

절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법{RINSE LIQUID FOR INSULATING FILM AND METHOD OF RINSING INSULATING FILM}
절연막용 린스액 및 절연막의 린스 방법에 관한 것이다.
반도체 기술이 점점 발달함에 따라 더 작은 크기의 반도체 칩에 집적도를 높이고 성능이 개선된 고집적 및 고속화 반도체 메모리 셀에 대한 연구가 계속되고 있다. 　특히 반도체 메모리 셀 중에서 정보의 입력 및 출력이 자유롭고 대용량으로 구현될 수 있는 디램(dynamic random access memory, DRAM)이 널리 이용되고 있다.
디램은 하나의 모스 트랜지스터(MOS transistor)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 포함하는 복수의 단위 셀로 이루어진다. 　이 중에서 캐패시터는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유전체층을 포함하는데, 캐패시터의 용량은 유전율, 유전체층의 두께 및 캐패시터를 형성하는 전극의 면적 등에 따라 결정될 수 있다. 　
한편, 반도체 칩의 크기가 점점 작아짐에 따라 캐패시터의 크기 또한 작아지고 이에 따라 축적 용량을 충분히 확보할 수 있는 캐패시터가 요구된다. 　이러한 캐패시터를 구현하기 위한 방안으로, 캐패시터의 수평 면적을 감소시키는 대신 수직 면적을 증가시킴으로써 캐패시터의 전체적인 유효 면적을 늘리는 방법이 있다. 　이 경우 좁은 패턴 사이를 공극없이 채울 수 있는 갭필 특성을 가지는 절연 물질이 요구된다.
이러한 절연 물질로 폴리실라잔과 같은 규소-질소 함유 화합물을 적용하고 이를 경화하여 형성된 실리카를 들 수 있다. 　　상기 실리카는 반도체 장치 또는 표시 장치에 같은 전자 소자에서 예컨대 캐패시터용 유전층, 층간 절연막, 평탄화막, 패시베이션 막, 분리절연체 등으로 사용될 수 있다.
한편, 기판 위에 폴리실라잔과 같은 규소-질소 함유 화합물을 적용하여 박막을 형성할 때, 형성되지 않아야 하는 부분에 형성된 규소-질소 함유 화합물이나 기판의 측면 및 후면에 남아있는 규소-질소 함유 화합물의 잔여물을 제거할 필요가 있으며, 이 때 절연막용 린스액을 사용할 수 있다.
일 구현예는 절연막의 특성에 영향을 미치지 않으면서도 절연막의 잔여물을 효과적으로 린스할 수 있는 절연막용 린스액을 제공한다.
다른 구현예는 상기 절연막용 린스액을 사용한 절연막의 린스 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 하기 화학식 1로 표현되는 용제를 포함하는 절연막용 린스액을 제공한다.
[화학식 1]
Figure pat00001
상기 화학식 1에서,
R1은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
Ra　내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기, 할로겐기 또는 이들의 조합이다.
상기 용제는 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 프로필 벤조에이트, 이소프로필 벤조에이트, 부틸 벤조에이트, 벤질 벤조에이트 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 용제는 단일 용제 또는 2종 이상의 혼합 용제를 포함할 수 있다.
상기 절연막용 린스액은 상압에서 비점이 100℃ 내지 300℃인 보조 용제를 더 포함할 수 있다.
상기 보조 용제는 에테르, 테트라린, 아세테이트, 벤젠, 나프탈렌, 케톤, 니트릴, 파라핀, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 보조 용제는 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸 테트라린, 디메틸 테트라린, 트리메틸 테트라린, 테트라메틸 테트라린, 벤질 아세테이트, 1,2-디메틸나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 아세토페논, 아디포니트릴, 벤질에틸에테르, 부틸벤젠, 사이클로헥실벤젠, 디벤질에테르, 아세나프탈렌, 1-나프틸아세토니트릴, 디페닐에테르, 글리콜에테르, 파라핀 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 파리핀 및 그 유도체는 상압에서 비점이 190℃ 내지 220℃일 수 있다.
상기 보조 용제는 상기 린스액의 총 함량에 대하여 0중량% 초과 99중량% 이하로 포함될 수 있다.
상기 절연막용 린스액은 상기 린스액 1ml에 포함된 0.5㎛ 이상의 미립자가 50개 이하일 수 있다.
상기 절연막용 린스액은 상기 린스액 1ml에 포함된 0.2㎛ 이상의 미립자가 200개 이하일 수 있다.
상기 절연막용 린스액은 수분 함유율이 150ppm 이하일 수 있다.
상기 절연막용 린스액은 폴리실라잔 또는 폴리실록사잔을 린스하는데 사용될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 기판 위에 절연막을 적용하는 단계, 그리고 상기 절연막 위에 상기 절연막용 린스액을 절연막의 전면부, 후면부, 에지부 또는 이들의 조합에 공급하는 단계를 포함하는 절연막의 린스 방법을 제공한다.
절연막의 특성에 영향을 미치지 않으면서도 절연막의 잔여물을 효과적으로 린스할 수 있다.
도 1은 실시예 1 내지 8에 따른 방법으로 린스된 절연막의 말단부 뭉친 정도 및 잔막 평가 기준을 보여주는 개략도이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30의 아릴알킬기, C1 내지 C4의 알콕시기, C1 내지 C20의 헤테로알킬기, C3 내지 C20의 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15의 사이클로알키닐기, C3 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 절연막용 린스액을 설명한다.
일 구현예에 따른 절연막용 린스액은 하기 화학식 1로 표현되는 용제를 포함한다.
[화학식 1]
Figure pat00002
상기 화학식 1에서,
R1은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
Ra　내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기, 할로겐기 또는 이들의 조합이다.
상기 화학식 1로 표현되는 용제는 벤조에이트(benzoate) 용제로, 절연 물질과 반응하지 않아 절연막의 특성에 영향을 미치지 않으면서도 절연 물질의 잔여물을 용이하게 린스할 수 있다.
상기 화학식 1로 표현되는 용제는 예컨대 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 프로필 벤조에이트, 이소프로필 벤조에이트, 부틸 벤조에이트, 벤질 벤조에이트 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 용제는 1종의 단일 용제이거나 2종 이상의 혼합 용제일 수 있다.
상기 용제는 상기 린스액의 총 함량에 대하여 1 내지 100중량%로 포함될 수 있다.
상기 린스액은 상압에서 비점이 100℃ 내지 300℃인 보조 용제를 더 포함할 수 있다. 　상기 범위의 비점을 가지는 보조 용제를 더 포함함으로써, 박막이 완전히 용해되기 전에 용매가 증발하여 박리하고자 하는 부분이 남아있게 되는 문제점을 개선할 수 있다.
상기 보조 용제는 예컨대 에테르, 테트라린, 아세테이트, 벤젠, 나프탈렌, 케톤, 니트릴, 파라핀, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 구체적으로 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸 테트라린, 디메틸 테트라린, 트리메틸 테트라린, 테트라메틸 테트라린, 벤질 아세테이트, 1,2-디메틸나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 아세토페논, 아디포니트릴, 벤질에틸에테르, 부틸벤젠, 사이클로헥실벤젠, 디벤질에테르, 아세나프탈렌, 1-나프틸아세토니트릴, 디페닐에테르, 글리콜에테르, 파라핀 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 　
상기 보조 용제로서 파라핀을 포함하는 경우, 상기 파라핀은 상압에서 비점이 190℃ 내지 220℃인 지방족 탄화수소, 고리형 지방족 탄화수소 또는 이들의 조합에서 선택될 수 있다. 　상기 범위의 비점을 가지는 파라핀을 사용함으로써 기판과의 경계부분의 박막이 볼록해 지거나 깨끗하게 제거되지 않는 문제점을 해결할 수 있다.
상기 린스액이 상기 보조 용제를 포함하는 경우, 상기 보조 용제는 상기 린스액의 총 함량에 대하여 0중량% 초과 99중량% 이하로 포함될 수 있다.
상기 린스액은 상기 린스액 1ml에 포함된 0.5㎛ 이상의 미립자가 50개 이하일 수 있다. 　상기 미립자의 개수가 50개를 초과하는 경우 상기 미립자가 절연막의 표면에 잔류하여 절연막의 특성을 저하시키거나 절연막이 적용된 소자의 특성 및 생산 수율에 영향을 미칠 수 있다. 　상기 미립자의 개수가 50개를 초과하는 경우 예컨대 여과 또는 증류를 통하여 상기 범위로 미립자의 개수를 줄일 수 있다. 　또한 동일한 이유로 상기 린스액은 상기 린스액 1ml에 포함된 0.2㎛ 이상의 미립자가 200개 이하일 수 있다. 　
상기 린스액은 수분 함유율이 150ppm 이하일 수 있다. 　상기 범위의 수분 함유율을 가짐으로써 린스액과 접촉하는 폴리실라잔 또는 폴리실록사잔과 같은 절연 물질의 겔화를 늦출 수 있고 스핀 코팅기의 폐액 라인의 폐색 및 장치에 부착된 절연물질의 제거에 효과적이다. 　상기 범위 내에서 100ppm 이하일 수 있다.
상기 린스액은 전자 소자용 절연막을 린스하는데 사용될 수 있다.
상기 전자 소자는 예컨대 반도체 장치 및 표시 장치를 포함하며, 절연막을 포함하는 모든 소자에 적용될 수 있다. 　
상기 절연막은 상기 전자 소자의 캐패시터용 유전층, 층간 절연막, 평탄화막, 패시베이션 막, 분리 절연체 등일 수 있다.
상기 린스액은 예컨대 폴리실라잔 또는 폴리실록사잔으로부터 형성된 절연막을 린스하는데 사용될 수 있다.
상기 폴리실라잔은 하기 화학식 2로 표현되는 부분(moiety)을 포함할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00003
　　　　　　　상기 화학식 2에서,
R2　내지 R4는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이다.
상기 폴리실록사잔은 상기 화학식 2로 표현되는 부분 및 하기 화학식 3으로 표현되는 부분을 포함한다.
[화학식 3]
Figure pat00004
상기 화학식 3에서,
R5　내지 R8은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이다.
상기 폴리실라잔은 예컨대 말단이 수소로 캡핑되어 있는 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane)이거나 상기 R2　내지 R4　중 적어도 하나가 수소 이외의 작용기인 치환된 형태의 폴리실라잔일 수 있고, 상기 폴리실록사잔은 말단이 수소로 캡핑되어 있는 퍼하이드로폴리실록사잔(perhydropolysiloxazane)이거나 상기 R5　내지 R8　중 적어도 하나가 수소 이외의 작용기인 치환된 형태의 폴리실록사잔일 수 있다.
상기 폴리실라잔 또는 상기 폴리실록사잔은 예컨대 총 중량에 대하여 0.2 내지 3중량%의 산소함유량을 가질 수 있다. 　상기 범위로 함유되는 경우 구조 중의 규소-산소-규소(Si-O-Si) 결합에 의한 응력 완화가 충분하여 열처리시 수축을 방지할 수 있으며 이에 따라 형성된 충전 패턴에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 폴리실라잔 또는 상기 폴리실록사잔은 예컨대 말단부가 수소로 캡핑되어 있는 구조(-SiH3)일 수 있으며, 여기서 상기 -SiH3로 표현되는 부분이 구조 중의 Si-H 결합의 총 함량에 대하여 15 내지 35%로 포함될 수 있다. 　상기 범위로 포함되는 경우, 열처리시 산화반응이 충분히 일어나면서도 열처리시 SiH3　부분이 SiH4로 되어 비산되는 것을 방지하여 수축을 방지하고 이로부터 형성된 충전 패턴에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
상기 폴리실라잔 또는 상기 폴리실록사잔은 예컨대 중량평균분자량이 1,000 내지 30,0000일 수 있다. 　상기 범위인 경우, 열처리시 증발하는 성분을 줄이면서도 50nm 이하의 미세한 갭을 치밀하게 채울 수 있어 갭필 특성을 개선할 수 있다.
상기 폴리실라잔 또는 상기 폴리실록사잔은 예컨대 염소함유량이 1ppm 이하일 수 있다.
이하 일 구현예에 따른 절연막의 린스 방법을 설명한다.
일 구현예에 따른 절연막의 린스 방법은 기판 위에 절연막을 적용하는 단계, 그리고 상기 절연막 위에 전술한 절연막용 린스액을 공급하는 단계를 포함한다.
기판은 예컨대 실리콘웨이퍼, 금속 기판, 유리 기판, 고분자 기판일 수 있으며, 상기 기판 위에 단일 또는 복수 층의 도전층, 절연층 및/또는 반도체층이 적층되어 있을 수도 있다.
절연막은 전술한 바와 같으며, 예컨대 폴리실라잔, 폴리실록사잔 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 절연막용 린스액을 공급하는 단계는 상기 절연막의 전면부, 후면부, 에지부 또는 이들의 조합에 공급될 수 있으며, 한번에 또는 순차적으로 공급될 수 있다. 　상기 린스액을 공급하는 단계는 예컨대 분사(spray), 침지(dipping), 스핀코팅, 슬릿코팅 등일 수 있으며, 특별히 한정되지 않는다.
상기 절연막 위에 상기 린스액을 공급함으로써 원하는 부분 이외의 영역에 형성된 절연막을 제거하거나 기판의 측면 및 후면에 남아있는 절연막의 잔여물을 효과적으로 제거할 수 있다.
상기 린스액을 사용하여 절연막을 린스한 후 열처리를 수행할 수 있다.
　
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 　다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
폴리실라잔의 합성
합성예 1
교반장치 및 온도제어장치가 부착된 2L의 반응기 내부를 건조 질소로 치환했다. 　그리고 건조피리딘 1,500g을 주입하여 충분히 혼합한 후에 이를 반응기에 넣고 20℃로 보온했다. 　이어서 여기에 디클로로실란 100ｇ을 １시간에 걸쳐서 서서히 주입했다. 　그리고 교반하면서 여기에 암모니아 70ｇ을 ３시간에 걸쳐서 서서히 주입했다. 　다음으로 건조질소를 30분간 주입하고 반응기 내에 잔존하는 암모니아를 제거했다. 　
얻어진 백색의 슬러리 상의 생성물을 건조질소 분위기 중에서 １um의 테프론제 여과기를 사용하여 여과하고 여액 1,000g을 얻었다. 여기에 건조자일렌 1,000g을 첨가한 후, 로터리 이베포레이터(evaporator)를 사용하여 용매를 피리딘에서 자일렌으로 치환하는 조작을 총３회 반복하면서 고형분 농도를 20%로 조정하고, 마지막으로 포어 사이즈 0.03um의 테프론제 여과기로 여과했다. 　
얻어진 퍼하이드로폴리실라잔의 산소함유량은 0.5%, SiH3/SiH(total)는 0.22, 중량 평균 분자량은 4,000, 염소 함유량은 0.9ppm 이었다.
여기서 산소함유량은 FlashEA 1112 (Thermo Fisher Scientific Inc. 제조)를 사용하여 측정하였으며, SiH3/SiH(total) 은 200MHz의 프로톤 NMR: AC-200 (Bruker 사 제조)를 사용하여 측정하였으며, 중량평균분자량은 GPC; HPLC Pump 1515, RI Detector 2414 (Waters 사 제조) 및 Column: KF801, KF802, KF803 (Shodex 사 제조)를 사용하여 측정하였다.
　
절연막의 린스
실시예 1
합성예 1에서 얻은 퍼하이드로폴리실라잔을 디-n-부틸에테르 용액 3cc에 넣고 교반하여 퍼하이드로폴리실라잔 용액을 준비하였다. 　이어서 실리콘웨이퍼 위에 상기 퍼하이드로폴리실라잔 용액을 1500rpm으로 20초간 스핀코팅하여 절연막을 형성하였다. 　이어서 실리콘웨이퍼의 외주부에서 3mm 떨어진 상부에서 메틸 벤조에이트(ZOUPING MINGXING CHEMICAL社)　100중량%로 포함된 린스액을 유량 10ml/min으로 5초간 분사하였다. 　이어서 150℃에서 3분간 열처리하여 절연막을 린스하였다.
　
실시예 2
메틸 벤조에이트 100중량% 대신 에틸　벤조에이트(ZOUPING MINGXING CHEMICAL社) 100중량%로 포함된 린스액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연막을 린스하였다.
　
실시예 3
메틸 벤조에이트 100중량% 대신 메틸 벤조에이트 10중량%와 파라핀(나프테루 200, 고도社)　90중량%로 포함된 린스액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연막을 린스하였다.
　
실시예 4
메틸 벤조에이트 100중량% 대신 메틸 벤조에이트 20중량%와 파라핀 80중량%로 포함된 린스액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연막을 린스하였다.
　
실시예 5
메틸 벤조에이트 100중량% 대신 메틸 벤조에이트 30중량%와 파라핀 70중량%로 포함된 린스액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연막을 린스하였다.
　
실시예 6
메틸 벤조에이트 100중량% 대신 에틸 벤조에이트 10중량%와 파라핀 90중량%로 포함된 린스액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연막을 린스하였다.
　
실시예 7
메틸 벤조에이트 100중량% 대신 에틸 벤조에이트 20중량%와 파라핀 80중량%로 포함된 린스액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연막을 린스하였다.
　
실시예 8
메틸 벤조에이트 100중량% 대신 에틸 벤조에이트 30중량%와 파라핀 70중량%로 포함된 린스액을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 절연막을 린스하였다.
　
평가
실시예 1 내지 8에 따른 방법으로 린스된 절연막의 말단부 뭉친 정도, 잔막 평가 및 수분 함유량을 평가하였다.
도 1은 실시예 1 내지 8에 따른 방법으로 린스된 절연막의 말단부 뭉친 정도 및 잔막 평가 기준을 보여주는 개략도이다.
절연막의 말단부 뭉친 정도는 도 1의 ΔT를 반사분광막두께계(ST-4000, K-MAC 사 제조) 및 전자주사현미경(S-4800 Type-2, Hitachi사 제조)를 사용하여 측정하였고, 잔막 평가는 광학 현미경(LV100D, Nikon 사 제조)을 통하여 관찰하였다.
수분 함유량은 산화환원 반응을 이용한 Karl Fisher 수분측정기로 측정하였다.
그 결과는 표 1과 같다.
　 ΔT (nm) 잔막 수분함유량(ppm)
실시예 1 10.49 없음 116.5
실시예 2 4.64 없음 114
실시예 3 176.59 없음 117.3
실시예 4 56.31 없음 107.1
실시예 5 46.92 없음 118
실시예 6 90.75 없음 112.2
실시예 7 77.44 없음 117
실시예 8 74.98 없음 109
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 8에 따른 방법으로 린스된 절연막은 효과적으로 린스되어 말단부 뭉친 정도 및 잔막이 거의 남지 않음을 확인할 수 있다. 　아울러, 실시예 1 내지 8에 따른 방법으로 린스된 절연막은 150ppm 이하의 수분 함유량을 가지는 것을 확인할 수 있다.
　
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (13)

  1. 하기 화학식 1로 표현되는 용제를 포함하는 절연막용 린스액:
    [화학식 1]
    Figure pat00005

    상기 화학식 1에서,
    R1은 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이고,
    Ra　내지 Re는 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기, 할로겐기 또는 이들의 조합이다.
  2. 제1항에서,
    상기 용제는 메틸 벤조에이트, 에틸 벤조에이트, 프로필 벤조에이트, 이소프로필 벤조에이트, 부틸 벤조에이트, 벤질 벤조에이트 또는 이들의 조합을 포함하는 절연막용 린스액.
  3. 제1항에서,
    상기 용제는 단일 용제 또는 2종 이상의 혼합 용제인 절연막용 린스액.
  4. 제1항에서,
    상압에서 비점이 100℃ 내지 300℃인 보조 용제를 더 포함하는 절연막용 린스액.
  5. 제4항에서,
    상기 보조 용제는 에테르, 테트라린, 아세테이트, 벤젠, 나프탈렌, 케톤, 니트릴, 파라핀, 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함하는 절연막용 린스액.
  6. 제5항에서,
    상기 보조 용제는 에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜디메틸에테르, 디에틸렌글리콜 디에틸에테르, 디에틸렌글리콜 디부틸에테르, 트리에틸렌글리콜 디메틸에테르, 에틸 테트라린, 디메틸 테트라린, 트리메틸 테트라린, 테트라메틸 테트라린, 벤질 아세테이트, 1,2-디메틸나프탈렌, 1-메틸나프탈렌, 아세토페논, 아디포니트릴, 벤질에틸에테르, 부틸벤젠, 사이클로헥실벤젠, 디벤질에테르, 아세나프탈렌, 1-나프틸아세토니트릴, 디페닐에테르, 글리콜에테르, 파라핀 또는 이들의 조합을 포함하는 절연막용 린스액.
  7. 제5항에서,
    상기 파리핀 및 그 유도체는 상압에서 비점이 190℃ 내지 220℃인 절연막용 린스액.
  8. 제4항에서,
    상기 보조 용제는 상기 린스액의 총 함량에 대하여 0중량% 초과 99중량% 이하로 포함되어 있는 절연막용 린스액.
  9. 제1항에서,
    상기 린스액 1ml에 포함된 0.5㎛ 이상의 미립자가 50개 이하인 절연막용 린스액.
  10. 제1항에서,
    상기 린스액 1ml에 포함된 0.2㎛ 이상의 미립자가 200개 이하인 절연막용 린스액.
  11. 제1항에서,
    수분 함유율이 150ppm 이하인 절연막용 린스액.
  12. 제1항에서,
    상기 절연막은 폴리실라잔, 폴리실록사잔 또는 이들의 조합을 포함하는 절연막용 린스액.
  13. 기판 위에 절연막을 적용하는 단계, 그리고
    상기 절연막 위에 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 따른 절연막용 린스액을 절연막의 전면부, 후면부, 에지부 또는 이들의 조합에 공급하는 단계
    를 포함하는 절연막의 린스 방법.
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