KR101583227B1 - 실리카 막 및 그 형성 방법 - Google Patents

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Abstract

실록산 화합물을 적용하는 단계, 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계, 그리고 상기 실록산 화합물과 상기 규소-질소 함유 화합물을 동시에 열처리하여 상기 규소-질소 함유 화합물을 실리카로 변환하는 단계를 포함하는 실리카 막의 형성 방법, 상기 방법으로 형성된 실리카 막 및 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

Description

실리카 막 및 그 형성 방법{SILICA FILM AND METHOD OF FORMING THE SAME}
본 기재는 실리카 막 및 그 형성 방법에 관한 것이다.
반도체 기술이 점점 발달함에 따라 더 작은 크기의 반도체 칩에 집적도를 높이고 성능이 개선된 고집적 및 고속화 반도체 메모리 셀에 대한 연구가 계속되고 있다. 특히 반도체 메모리 셀 중에서 정보의 입력 및 출력이 자유롭고 대용량으로 구현될 수 있는 디램(dynamic random access memory, DRAM)이 널리 이용되고 있다.
디램은 하나의 모스 트랜지스터(MOS transistor)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 포함하는 복수의 단위 셀로 이루어진다. 이 중에서 캐패시터는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유전체층을 포함하는데, 캐패시터의 용량은 유전율, 유전체층의 두께 및 캐패시터를 형성하는 전극의 면적 등에 따라 결정될 수 있다.
한편, 반도체 칩의 크기가 점점 작아짐에 따라 캐패시터의 크기 또한 작아지고 이에 따라 축적 용량을 충분히 확보할 수 있는 캐패시터가 요구된다. 이러한 캐패시터를 구현하기 위한 방안으로, 캐패시터의 수평 면적을 감소시키는 대신 수직 면적을 증가시킴으로써 캐패시터의 전체적인 유효 면적을 늘리는 방법이 있다. 이 경우 좁은 패턴 사이를 공극없이 채울 수 있는 갭필 특성을 가지는 절연 물질이 요구된다.
이러한 절연 물질로 폴리실라잔과 같은 규소-질소 함유 화합물을 적용하고 이를 경화하여 형성된 실리카를 들 수 있다. 그러나 폴리실라잔과 같은 규소-질소 함유 화합물로부터 실리카를 형성하기 위해서는 수분을 공급하여 실리카로 전환시키기 위한 별도의 고온 가습 공정이 요구된다. 이 경우 공정 중에 다른 부품이 열화될 수 있다.
일 구현예는 고온 가습 공정 없이 규소-질소 함유 화합물로부터 실리카를 형성할 수 있는 실리카 막의 형성 방법을 제공한다.
다른 구현예는 상기 방법으로 형성된 실리카 막을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 실록산 화합물을 적용하는 단계, 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계, 그리고 상기 실록산 화합물과 상기 규소-질소 함유 화합물을 동시에 열처리하여 상기 규소-질소 함유 화합물을 실리카로 변환하는 단계를 포함하는 실리카 막의 형성 방법을 제공한다.
상기 열처리하는 단계에서 상기 실록산 화합물의 부산물로 발생한 H2O가 상기 규소-질소 함유 화합물의 상기 실리카로의 변환에 공급될 수 있다.
상기 실록산 화합물은 실세스퀴옥산을 포함할 수 있다.
상기 규소-질소 함유 화합물은 폴리실라잔, 폴리실록사잔 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는 상기 실록산 화합물을 용액 공정으로 도포하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는 상기 실록산 화합물을 도포하는 단계, 그리고 선경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 선경화하는 단계는 약 80℃ 내지 300℃에서 수행할 수 있다.
상기 열처리하는 단계는 약 250℃ 내지 1000℃에서 수행할 수 있다.
상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 전, 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 후 또는 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 전 및 후에 수행될 수 있다.
상기 방법은 상기 실리카를 표면 처리하는 단계를 더 포함할 수 있고, 상기 표면 처리는 가열처리, 자외선 조사, 전자빔 조사 및 오존 처리 중 적어도 하나로 수행될 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기 방법으로 형성된 실리카 막을 제공한다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기 실리카 막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
별도의 고온 가습 공정 없이도 규소-질소 함유 화합물로부터 실리카를 형성할 수 있어서 공정성을 개선하면서도 박막의 수축율, 모듈러스, 스트레스 등을 현저하게 개선할 수 있다.
도 1은 실시예 1과 비교예 1에 따른 박막의 적외선 분광 그래프이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, C1 내지 C20 알킬기, C2 내지 C20 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30 아릴알킬기, C1 내지 C4 알콕시기, C1 내지 C20 헤테로알킬기, C3 내지 C20 헤테로아릴알킬기, C3 내지 C30 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15의 사이클로알키닐기, C2 내지 C30 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 실리카 막의 형성 방법을 설명한다.
일 구현예에 따른 실리카 막의 형성 방법은 실록산 화합물을 적용하는 단계, 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계, 그리고 상기 실록산 화합물과 상기 규소-질소 함유 화합물을 동시에 열처리하여 상기 규소-질소 함유 화합물을 실리카로 변환하는 단계를 포함한다.
상기 실록산 화합물은 구조 중에 -Si-O- 결합을 가지는 화합물로, 예컨대 실세스퀴옥산을 들 수 있다. 상기 실세스퀴옥산은 예컨대 수소 실세스퀴옥산(hydrogen silsesquioxane), 수소 중의 적어도 하나가 치환된 형태의 실세스퀴옥산 또는 이들의 조합일 수 있으며, 모노머, 올리고머 또는 중합체 형태일 수 있다.
상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는 상기 실록산 화합물을 용액 공정으로 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우 상기 실록산 화합물을 용액 형태로 준비하고 예컨대 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄 등과 같은 방법으로 적용할 수 있다.
상기 용액은 용매를 포함할 수 있으며, 상기 용매는 상기 실록산 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 상기 용매는 예컨대 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 디클로로에틸 에테르, n-부틸 에테르, 디부틸 에테르, 디이소아밀 에테르, 메틸페닐 에테르, 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 디에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브 아세테이트류; 메틸에틸 카르비톨, 디에틸 카르비톨, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 자일렌, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화 수소류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케논, 메틸-n-아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 초산 에틸, 초산-n-부틸, 초산 이소부틸 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 젖산 메틸, 젖산 에틸 등의 젖산 에스테르류; 옥시 초산 메틸, 옥시 초산 에틸, 옥시 초산 부틸 등의 옥시 초산 알킬 에스테르류; 메톡시 초산 메틸, 메톡시 초산 에틸, 메톡시 초산 부틸, 에톡시 초산 메틸, 에톡시 초산 에틸 등의 알콕시 초산 알킬 에스테르류; 3-옥시 프로피온산 메틸, 3-옥시 프로피온산 에틸 등의 3-옥시 프로피온산 알킬에스테르류; 3-메톡시 프로피온산 메틸, 3-메톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 메틸 등의 3-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시 프로피온산 메틸, 2-옥시 프로피온산 에틸, 2-옥시 프로피온산 프로필 등의 2-옥시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-메톡시 프로피온산 메틸, 2-메톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 메틸 등의 2-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에스테르류, 2-메톡시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-알콕시-2-메틸 프로피온산 알킬류의 모노옥시 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 2-히드록시 프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 히드록시 초산 에틸, 2-히드록시-3-메틸 부탄산 메틸 등의 에스테르류; 피루브산 에틸 등의 케톤산 에스테르류 등의 화합물이 있으며, 또한, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세트닐아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 초산 벤질, 안식향산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐 셀로솔브 아세테이트 등의 고비점 용매를 첨가할 수도 있다. 이 중에서 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸-3-에톡시 프로피오네이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디메틸에테르아세테이트, 1-메톡시-2-프로판올, 에틸 락테이트, 시클로펜타논 및 히드록시초산에틸에서 선택된 하나 이상을 선택할 수 있다.
상기 용액 공정으로 도포된 실록산 화합물은 선경화(prebake)될 수 있다. 상기 선경화는 도포막 중에 용매를 제거하는 한편 도포막의 표면을 단단하게 할 수 있다. 상기 선경화는 실록산 화합물 용액에 사용된 용매의 비점보다 높은 온도에서 수행될 수 있으며, 예컨대 약 80℃ 내지 300℃에서 약 1초 내지 1시간 동안 수행될 수 있다.
상기 규소-질소 함유 화합물은 구조 중에 -Si-N- 결합을 가지는 화합물로, 예컨대 폴리실라잔(polysilazane), 폴리실록사잔(polysiloxazane) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 폴리실라잔은 하기 화학식 1로 표현되는 부분(moiety)을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
Figure 112013055207502-pat00001
상기 화학식 1에서,
R1 내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이다.
상기 폴리실록사잔은 상기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 포함한다.
[화학식 2]
Figure 112013055207502-pat00002
상기 화학식 2에서,
R4 내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이다.
상기 폴리실라잔은 예컨대 말단이 수소로 캡핑되어 있는 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane)이거나 상기 R1 내지 R3 중 적어도 하나가 수소 이외의 작용기인 치환된 형태의 폴리실라잔일 수 있고, 상기 폴리실록사잔은 말단이 수소로 캡핑되어 있는 퍼하이드로폴리실록사잔(perhydropolysiloxazane)이거나 상기 R1 내지 R7 중 적어도 하나가 수소 이외의 작용기인 치환된 형태의 폴리실록사잔일 수 있다.
상기 폴리실라잔 및 상기 폴리실록사잔은 미세한 패턴 사이를 공극 없이 채우는 갭필 특성이 우수하다. 또한 상기 폴리실라잔 및 상기 폴리실록사잔은 실세스퀴옥산과 같은 실록산 화합물만을 사용하는 경우와 비교하여 공정 중 발생하는 아웃개싱(outgassing)이 적어 박막의 수축률을 줄일 수 있다.
상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계는 상기 규소-질소 함유 화합물을 용액 공정으로 도포하는 단계를 포함할 수 있다. 이 경우 상기 규소-질소 함유 화합물을 용액 형태로 준비하고 예컨대 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄 등과 같은 방법으로 적용할 수 있다.
상기 용액은 용매를 포함할 수 있으며, 상기 용매는 상기 실록산 화합물을 용해 또는 분산시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 상기 용매는 예컨대 전술한 용매 중에서 선택될 수 있다.
상기 용액 공정으로 도포된 규소-질소 함유 화합물은 선경화될 수 있다. 상기 선경화는 도포막 중에 용매를 제거하는 한편 도포막의 표면을 단단하게 할 수 있다. 상기 선경화는 규소-질소 함유 화합물 용액에 사용된 용매의 비점보다 높은 온도에서 수행될 수 있으며, 예컨대 약 80℃ 내지 300℃에서 약 1초 내지 1시간 동안 수행될 수 있다.
상기 열처리하는 단계는 상기 실록산 화합물과 상기 규소-질소 함유 화합물이 경화되는 단계로, 특히 상기 규소-질소 함유 화합물의 구조 중의 -Si-N-이 -Si-O-로 전환되어 실리카로 변환되는 단계이다. 이 때 상기 실록산 화합물의 경화시 탈수 반응에 의해 발생한 부산물인 H2O가 상기 규소-질소 함유 화합물의 상기 실리카로의 변환에 공급될 수 있다. 따라서 상기 규소-질소 함유 화합물은 별도의 가습 공정 없이도 상기 실리카로의 변환이 가능하다.
상기 열처리하는 단계는 예컨대 약 250℃ 내지 1000℃에서 약 1분 내지 3시간 동안 수행될 수 있으며, 대기(air) 또는 불활성 분위기에서 수행될 수 있다.
상기와 같이 열처리 단계에서 상기 실록산 화합물의 경화시 탈수 반응에 의해 발생한 부산물인 H2O가 상기 규소-질소 함유 화합물의 상기 실리카로의 변환에 공급되므로, 상기 실록산 화합물은 상기 규소-질소 함유 화합물의 일면에 위치하면 되고, 이에 따라 상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 전, 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 후 또는 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 전 및 후에 수행될 수 있다. 또한 상기 규소-질소 함유 화합물과 상기 실록산 화합물이 교대로 반복 형성될 수도 있다.
상기 실리카 막의 형성 방법은 상기 실리카를 표면 처리하는 단계를 더 포함할 수 있다. 상기 표면 처리에 의해 상기 실리카의 막 밀도를 높여 치밀한 박막으로 형성될 수 있다. 상기 표면 처리는 예컨대 자외선 조사, 전자 빔(E-beam) 조사 및 오존 처리 중 적어도 하나로 수행될 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상술한 방법으로 얻어진 실리카 막은 규소-질소 함유 화합물을 사용하여 형성함으로써 실록산 화합물만을 사용하여 실리카를 형성하는 경우와 비교하여 공정 중 발생하는 아웃개싱(outgassing)을 줄여 박막의 수축률을 현저하게 개선할 수 있다.
또한 상술한 방법으로 얻어진 실리카 막은 규소-질소 함유 화합물의 전 및/또는 후에 적용된 실록산 화합물에 의해 H2O를 공급받음으로써 별도의 고온 가습 단계 없이도 박막 내의 Si-N 결합의 Si-O 결합으로의 변환율을 충분히 높일 수 있다. 따라서, 열악한 경화조건에서도 보다 순수한 실리카를 얻을 수 있다. 또한 Si-N과 Si-O 비율에 따라 굴절율 등이 달라질 수 있으며, 순수한 실리카일수록 굴절률이 낮고, 우수한 절연특성을 가질 수 있다.
또한 상술한 방법은 폴리실라잔을 사용하여 실리카를 형성할 때 필요한 고온 가습 단계를 생략함으로써 공정 중 다른 부품이 수분에 의해 산화되어 열화되는 것을 방지할 수 있어서 공정성을 개선할 수 있다.
상술한 실리카 막의 형성 방법은 전자 소자용 절연막의 형성 단계에서 사용될 수 있다. 상기 절연막은 예컨대 캐패시터용 유전층, 층간 절연막, 평탄화막, 패시베이션 막, 분리절연체 등일 수 있다.
구체적으로, 반도체 장치, 표시 장치의 기판 위에 실록산 화합물을 적용하는 단계, 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계 및 상기 실록산 화합물과 상기 규소-질소 함유 화합물을 동시에 열처리하여 상기 규소-질소 함유 화합물을 실리카로 변환하는 단계로부터 실리카로 만들어진 절연막을 형성할 수 있다.
상기 전자 소자는 예컨대 반도체 장치 및 표시 장치를 포함하며, 절연막이 적용되는 모든 소자가 포함될 수 있다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 기재한다. 다만, 하기의 실시예는 본 발명의 바람직한 일 실시예일 뿐, 본 발명이 하기 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
실리콘 웨이퍼 위에 하이드로실세스퀴옥산 용액을 스핀 코팅하고 150℃에서 1분간 선경화하였다. 이어서 폴리실라잔 용액을 스핀 코팅하고 150℃에서 1분간 선경화하였다. 이어서 상기 실리콘 웨이퍼를 300℃에서 1시간 동안 가열하여 박막을 형성하였다.
비교예 1
실리콘 웨이퍼 위에 폴리실라잔 용액을 스핀 코팅하여 150℃에서 1분간 선경화하였다. 이어서 상기 실리콘 웨이퍼를 300℃에서 1시간 동안 가열하여 박막을 형성하였다.
평가
실시예 1과 비교예 1에 따른 박막을 적외선 분광기(FT-IR)를 사용하여 분석하였다.
그 결과는 도 1과 같다.
도 1은 실시예 1과 비교예 1에 따른 박막의 적외선 분광 그래프이다.
도 1을 참고하면, 실시예 1에 따른 박막은 폴리실라잔의 Si-N 결합이 Si-O로 대부분 변환되어 Si-O 결합 피크가 크게 나타나는 반면, 비교예 1에 따른 박막은 Si-O로의 변환이 거의 이루어지지 않았음을 확인할 수 있다.
이로부터 실시예 1에 따른 박막은 비교예 1에 따른 박막과 비교하여 실리카로의 변환율이 높은 것을 확인할 수 있다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (12)

  1. 실세스퀴옥산을 포함하는 실록산 화합물을 적용하는 단계,
    규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계, 그리고
    상기 실록산 화합물과 상기 규소-질소 함유 화합물을 동시에 열처리하여 상기 규소-질소 함유 화합물을 실리카로 변환하는 단계
    를 포함하고,
    상기 열처리하는 단계에서 상기 실록산 화합물의 부산물로 발생한 H2O가 상기 규소-질소 함유 화합물의 상기 실리카로의 변환에 공급되는 실리카 막의 형성 방법.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에서,
    상기 규소-질소 함유 화합물은 폴리실라잔, 폴리실록사잔 또는 이들의 조합을 포함하는 실리카 막의 형성 방법.
  5. 제1항에서,
    상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는 상기 실록산 화합물을 용액 공정으로 도포하는 단계를 포함하는 실리카 막의 형성 방법.
  6. 제5항에서,
    상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는
    상기 실록산 화합물을 도포하는 단계, 그리고
    선경화하는 단계
    를 포함하는 실리카 막의 형성 방법.
  7. 제6항에서,
    상기 선경화하는 단계는 80℃ 내지 300℃에서 수행하는 실리카 막의 형성 방법.
  8. 제1항에서,
    상기 열처리하는 단계는 250℃ 내지 1000℃에서 수행하는 실리카 막의 형성 방법.
  9. 제1항에서,
    상기 실록산 화합물을 적용하는 단계는 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 전, 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 후 또는 상기 규소-질소 함유 화합물을 적용하는 단계의 전 및 후에 수행되는 실리카 막의 형성 방법.
  10. 제1항에서,
    상기 실리카를 표면 처리하는 단계를 더 포함하고,
    상기 표면 처리는 자외선 조사, 전자빔 조사 및 오존 처리 중 적어도 하나로 수행되는 실리카 막의 형성 방법.
  11. 제1항 및 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 따른 방법으로 형성된 실리카 막.
  12. 제11항에 따른 실리카 막을 포함하는 전자 소자.
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