KR101711923B1 - 절연막용 조성물, 절연막 및 전자 소자 - Google Patents

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Abstract

규소 함유 화합물, 실리콘 탄성체 및 용매를 포함하는 절연막용 조성물, 상기 절연막용 조성물로부터 형성된 절연막 및 상기 절연막을 포함하는 전자 소자에 관한 것이다.

Description

절연막용 조성물, 절연막 및 전자 소자{COMPOSITION FOR INSULATING FILM AND INSULATING FILM AND ELECTRONIC DEVICE}
절연막용 조성물, 절연막 및 전자 소자에 관한 것이다.
반도체 기술이 점점 발달함에 따라 더 작은 크기의 반도체 칩에 집적도를 높이고 성능이 개선된 고집적 및 고속화 반도체 메모리 셀에 대한 연구가 계속되고 있다. 　특히 반도체 메모리 셀 중에서 정보의 입력 및 출력이 자유롭고 대용량으로 구현될 수 있는 디램(dynamic random access memory, DRAM)이 널리 이용되고 있다.
디램은 하나의 모스 트랜지스터(MOS transistor)와 하나의 캐패시터(capacitor)를 포함하는 복수의 단위 셀로 이루어진다. 　이 중에서 캐패시터는 두 개의 전극과 그 사이에 위치하는 유전체층을 포함하는데, 캐패시터의 용량은 유전율, 유전체층의 두께 및 캐패시터를 형성하는 전극의 면적 등에 따라 결정될 수 있다. 　
한편, 반도체 칩의 크기가 점점 작아짐에 따라 캐패시터의 크기 또한 작아지고 이에 따라 축적 용량을 충분히 확보할 수 있는 캐패시터가 요구된다. 　이러한 캐패시터를 구현하기 위한 방안으로, 캐패시터의 수평 면적을 감소시키는 대신 수직 면적을 증가시킴으로써 캐패시터의 전체적인 유효 면적을 늘리는 방법이 있다. 　이 경우 좁은 패턴 사이를 공극없이 채울 수 있는 갭필 특성을 가지는 절연 물질이 요구된다.
이러한 절연 물질로 실록산 화합물, 실라잔과 같은 규소-질소 함유 화합물, 이들의 올리고머 또는 이들의 중합체를　적용하고 이를 경화하여 형성된 실리카를 들 수 있다. 　　상기 실리카는 반도체 장치 또는 표시 장치에 같은 전자 소자에서 예컨대 캐패시터용 유전층, 층간 절연막, 평탄화막, 패시베이션 막, 분리절연체 등으로 사용될 수 있다.
그러나 상기 실리카는 유리질이므로 유연성이 적다. 　따라서 외부 충격에 의해 크랙이 발생하거나 깨지기 쉽다.
일 구현예는 내충격성이 개선된 절연막을 형성할 수 있는 절연막용 조성물을 제공한다.
다른 구현예는 상기 절연막용 조성물로부터 형성된 절연막을 제공한다.
또 다른 구현예는 상기 절연막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
일 구현예에 따르면, 규소 함유 화합물, 실리콘 탄성체 및 용매를 포함하는 절연막용 조성물을 제공한다.
상기 규소 함유 화합물은 실록산 화합물, 실라잔 화합물, 실록사잔 화합물, 이들의 올리고머, 이들의 중합체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 실리콘 탄성체는 상기 용매보다 높은 비점을 가질 수 있다.
상기 실리콘 탄성체는 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함할 수 있다.
상기 폴리디메틸실록산(PDMS)은 500 내지 1,000,000의 중량평균분자량을 가질 수 있다.
상기 실리콘 탄성체는 상기 규소 함유 화합물 100 중량부에 대하여 0.001 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.
상기 규소 함유 화합물은 상기 용매 100 중량부에 대하여　0.1　내지 50　중량부로 포함될 수 있다.
상기 절연막용 조성물은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 상기　절연막용 조성물로부터 형성된 절연막을 제공한다.
상기 절연막은 표면에 자기 정렬 구조를 가질 수 있다.
상기 자기 정렬 구조는 라멜라 구조를 포함할 수 있다.
또 다른 구현예에 따르면, 상기　절연막을 포함하는 전자 소자를 제공한다.
실리카 막의 내충격성을 개선할 수 있다.
도 1은 실시예 1에 따른 실리카 막의 표면을 보여주는 사진이고,
도 2는 비교예 1에 다른 실리카 막의 표면을 보여주는 사진이다.
이하, 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '치환된'이란, 화합물 중의 수소 원자가 할로겐 원자(F, Br, Cl, 또는 I), 히드록시기, 알콕시기, 니트로기, 시아노기, 아미노기, 아지도기, 아미디노기, 히드라지노기, 히드라조노기, 카르보닐기, 카르바밀기, 티올기, 에스테르기, 카르복실기나 그의 염, 술폰산기나 그의 염, 인산이나 그의 염, 알킬기, C2 내지 C20의 알케닐기, C2 내지 C20 알키닐기, C6 내지 C30 아릴기, C7 내지 C30의 아릴알킬기, C1 내지 C4의 알콕시기, C1 내지 C20의 헤테로알킬기, C3 내지 C20의 헤테로아릴알킬기, 사이클로알킬기, C3 내지 C15의 사이클로알케닐기, C6 내지 C15의 사이클로알키닐기, 헤테로사이클로알킬기 및 이들의 조합에서 선택된 치환기로 치환된 것을 의미한다.
또한, 본 명세서에서 별도의 정의가 없는 한, '헤테로'란, N, O, S 및 P에서 선택된 헤테로 원자를 1 내지 3개 함유한 것을 의미한다.
이하 일 구현예에 따른 절연막용 조성물을 설명한다.
일 구현예에 따른 절연막용 조성물은 규소 함유 화합물, 실리콘 탄성체(silicone elastomer) 및 용매를 포함한다.
상기 규소 함유 화합물은 실리카를 형성할 수 있는 세라믹 전구체로, 예컨대 실록산 화합물, 실라잔 화합물, 실록사잔 화합물, 이들의 올리고머, 이들의 중합체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다. 　
상기 실록산 화합물은 구조 중에 -Si-O- 결합을 가지는 화합물로, 예컨대 실세스퀴옥산을 들 수 있다. 　상기 실세스퀴옥산은 예컨대 수소 실세스퀴옥산(hydrogen silsesquioxane), 수소 중의 적어도 하나가 치환된 형태의 실세스퀴옥산 또는 이들의 조합일 수 있으며, 실세스퀴옥산 모노머, 실세스퀴옥산 올리고머 또는 폴리실세스퀴옥산일 수 있다.
상기 실라잔 화합물은 구조 중에 -Si-N- 결합을 가지는 화합물로, 예컨대 실라잔 모노머, 실라잔 올리고머 또는 폴리실라잔일 수 있다.
예컨대 상기 폴리실라잔은 하기 하기 화학식 1로 표현되는 부분(moiety)을 포함할 수 있다.
[화학식 1]
　　　　　　　
Figure 112013091632021-pat00001
상기 화학식 1에서,
R1　내지 R3은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이다.
상기 실록사잔 화합물은 구조 중에 -Si-O- 결합 및 -Si-N- 결합을 가지는 화합물로, 예컨대 실록사잔 모노머, 실록사잔 올리고머 또는 폴리실록사잔일 수 있다.
예컨대 폴리실록사잔은 상기 화학식 1로 표현되는 부분 및 하기 화학식 2로 표현되는 부분을 포함한다.
[화학식 2]
Figure 112013091632021-pat00002
상기 화학식 2에서,
R4　내지 R7은 각각 독립적으로 수소, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 C3 내지 C30의 사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C6 내지 C30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 C7 내지 C30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 C1 내지 C30의 헤테로알킬기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 헤테로사이클로알킬기, 치환 또는 비치환된 C5 내지 C30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알케닐기, 치환 또는 비치환된 C2 내지 C30의 알키닐기, 치환 또는 비치환된 알콕시기, 치환 또는 비치환된 카르보닐기, 히드록시기 또는 이들의 조합이다
상기 폴리실라잔은 예컨대 말단이 수소로 캡핑되어 있는 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane)이거나 상기 R1　내지 R3　중 적어도 하나가 수소 이외의 작용기인 치환된 형태의 폴리실라잔일 수 있고, 상기 폴리실록사잔은 말단이 수소로 캡핑되어 있는 퍼하이드로폴리실록사잔(perhydropolysiloxazane)이거나 상기 R1　내지 R7　중 적어도 하나가 수소 이외의 작용기인 치환된 형태의 폴리실록사잔일 수 있다.
상기 규소 함유 화합물은 상기 용매 100 중량부에 대하여 0.1　내지 50　중량부로 포함될 수 있다.
상기 실리콘 탄성체는 탄성을 가지는 유기실리콘 화합물로, 예컨대 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함할 수 있다.
상기 실리콘 탄성체는 상기 규소 함유 화합물과 친화성(compatibility)을 가지므로, 용액 상태에서 무색 투명하고 안정적인 균일 혼합물을 형성할 수 있다.
한편 상기 실리콘 탄성체는 상기 규소 함유 화합물과 혼합되어 도포됨으로써 실리카 막에 탄성을 부여하여 실리카 막의 내충격성을 개선할 수 있다. 　
예컨대 상기 규소 함유 화합물과 상기 실리콘 탄성체를 포함하는 조성물을 도포하고 열처리하는 경우, 상기 폴리디메틸실록산(PDMS)은 상기 규소 함유 화합물로부터 형성되는 유리질 패턴들 사이에 위치하여 탄성을 부여할 수 있다. 　예컨대 상기 폴리디메틸실록산(PDMS)은 자기 정렬(self assembly) 현상을 통해 자기 정렬 구조를 형성할 수 있고, 상기 자기 정렬 구조는 예컨대 라멜라(lamellar) 구조일 수 있다. 　이에 따라 상기 규소 함유 화합물만으로 이루어진 실리카 막과 비교할 때 탄성이 부여되어 실리카 막의 내충격성이 개선될 수 있다.
이때 상기 실리콘 탄성체는 실리카 막에 최종적으로 남아 탄성을 부여하여야 하므로, 공정 중에 휘발 등을 통해 제거되지 않아야 한다. 　이에 따라 상기 실리콘 탄성체의 비점은 공정 온도보다 높아야 하며, 상기 실리콘 탄성체의 비점은 상기 용매의 비점보다 높아야 한다.
예컨대 폴리디메틸실록산(PDMS)은 치환기에 따라 다양한 구조를 가질 수 있으며, 공정 중 제거되는 것을 방지하기 위하여 비교적 높은 중량평균분자량의 폴리디메틸실록산(PDMS)이 사용될 수 있다. 　예컨대 실리카 형성 온도가 약 150　내지 1,050　℃ 임을 고려할 때, 폴리디메틸실록산(PDMS)의 중량평균분자량은 500　내지 1,000,000　일 수 있다.
　상기 실리콘 탄성체는 상기 규소 함유 화합물 100 중량부에 대하여 0.001 내지 20 중량부로 포함될 수 있다.　　상기 범위로 포함됨으로써 실리카 막질을 열화시키지 않으면서 실리카 막의 내충격성을 개선할 수 있다.　구체적으로는 0.01 내지 10 중량부로 포함될 수 있으며, 보다 구체적으로는　　0.01 내지 5 중량부로 포함될 수 있다.
상기 용매는 상기 규소 함유 화합물 및 상기 실리콘 탄성체를 용해 또는 분산시킬 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 　상기 용매는 예컨대 메탄올, 에탄올 등의 알코올류; 디클로로에틸 에테르, n-부틸 에테르, 디부틸 에테르, 디이소아밀 에테르, 메틸페닐 에테르, 테트라히드로퓨란 등의 에테르류; 에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌 글리콜 모노에틸에테르 등의 글리콜 에테르류; 메틸 셀로솔브 아세테이트, 에틸 셀로솔브 아세테이트, 디에틸 셀로솔브 아세테이트 등의 셀로솔브 아세테이트류; 메틸에틸 카르비톨, 디에틸 카르비톨, 디에틸렌 글리콜 모노메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 모노에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디메틸에테르, 디에틸렌 글리콜 메틸에틸에테르, 디에틸렌 글리콜 디에틸에테르 등의 카르비톨류; 프로필렌 글리콜 메틸에테르 아세테이트, 프로필렌 글리콜 프로필에테르 아세테이트 등의 프로필렌 글리콜 알킬에테르 아세테이트류; 자일렌, 톨루엔, 크실렌 등의 방향족 탄화 수소류; 메틸에틸케톤, 사이클로헥사논, 4-히드록시-4-메틸-2-펜타논, 메틸-n-프로필케톤, 메틸-n-부틸케논, 메틸-n-아밀케톤, 2-헵타논 등의 케톤류; 초산 에틸, 초산-n-부틸, 초산 이소부틸 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 젖산 메틸, 젖산 에틸 등의 젖산 에스테르류; 옥시 초산 메틸, 옥시 초산 에틸, 옥시 초산 부틸 등의 옥시 초산 알킬 에스테르류; 메톡시 초산 메틸, 메톡시 초산 에틸, 메톡시 초산 부틸, 에톡시 초산 메틸, 에톡시 초산 에틸 등의 알콕시 초산 알킬 에스테르류; 3-옥시 프로피온산 메틸, 3-옥시 프로피온산 에틸 등의 3-옥시 프로피온산 알킬에스테르류; 3-메톡시 프로피온산 메틸, 3-메톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 에틸, 3-에톡시 프로피온산 메틸 등의 3-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시 프로피온산 메틸, 2-옥시 프로피온산 에틸, 2-옥시 프로피온산 프로필 등의 2-옥시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-메톡시 프로피온산 메틸, 2-메톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 에틸, 2-에톡시 프로피온산 메틸 등의 2-알콕시 프로피온산 알킬 에스테르류; 2-옥시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-옥시-2-메틸 프로피온산 에스테르류, 2-메톡시-2-메틸 프로피온산 메틸, 2-에톡시-2-메틸 프로피온산 에틸 등의 2-알콕시-2-메틸 프로피온산 알킬류의 모노옥시 모노카르복실산 알킬 에스테르류; 2-히드록시 프로피온산 에틸, 2-히드록시-2-메틸 프로피온산 에틸, 히드록시 초산 에틸, 2-히드록시-3-메틸 부탄산 메틸 등의 에스테르류; 피루브산 에틸 등의 케톤산 에스테르류 등의 화합물이 있으며, 또한, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아닐라드, N-메틸아세트아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸피롤리돈, 디메틸술폭시드, 벤질에틸에테르, 디헥실에테르, 아세트닐아세톤, 이소포론, 카프론산, 카프릴산, 1-옥탄올, 1-노난올, 벤질알코올, 초산 벤질, 안식향산 에틸, 옥살산 디에틸, 말레인산 디에틸, γ-부티로락톤, 탄산 에틸렌, 탄산 프로필렌, 페닐 셀로솔브 아세테이트 등의 고비점 용매를 첨가할 수도 있다. 　이 중에서 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜디에틸에테르, 에틸-3-에톡시 프로피오네이트, 메틸-3-메톡시 프로피오네이트, 사이클로펜타논, 사이클로헥사논, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 프로필렌글리콜디메틸에테르아세테이트, 1-메톡시-2-프로판올, 에틸 락테이트, 시클로펜타논 및 히드록시초산에틸에서 선택된 하나 이상을 선택할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 절연막용 조성물은 경화 촉매를 더 포함할 수 있다.
상기 경화 촉매는 경화를 촉진하여 낮은 온도에서 실리카로 형성될 수 있도록 하며, 예컨대 아민 화합물 또는 백금, 로듐, 팔라듐, 루테늄, 이리듐 또는 이들의 조합을 포함하는 금속 촉매일 수 있다. 　
상기 절연막용 조성물은 도포되고 열처리됨으로써 절연막으로 형성될 수 있다.
상기 도포는 예컨대 스핀 코팅, 슬릿 코팅, 잉크젯 인쇄 등의 용액 공정으로 수행될 수 있으며, 열처리는 150　내지 1,000℃에서 수행될 수 있다.
상기 절연막은 전술한 바와 같이 상기 실리콘 탄성체에 의해 라멜라 구조와 같은 자기 정렬 구조를 표면에 가질 수 있다. 　이에 따라 상기 절연막은 내충격성이 개선될 수 있으며, 예컨대 10g 금속구를 낙하시키는 Ball drop 측정기를 사용할 때를 기준으로 적어도 20cm의 내충격성을 가질 수 있으며, 바람직하게는 적어도 30cm의 내충격성을 가질 수 있다.
상기 절연막은 반도체 장치 및 표시 장치와 같은 절연막이 적용되는 모든 전자 소자에 적용될 수 있으며, 예컨대 전자 소자의 캐패시터용 유전층, 층간 절연막, 평탄화막, 패시베이션 막, 분리절연체 등으로 사용될 수 있다.
이하 실시예를 통하여 상술한 본 발명의 구현예를 보다 상세하게 설명한다. 　다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
조성물의 준비
제조예 1
크실렌(xylene)에 퍼하이드로폴리실록사잔을 20중량%의 농도로 첨가한 후 여기에 퍼하이드로폴리실록사잔 100중량부에 대하여 폴리디메틸실록산(PDMS) 1중량부를 첨가하고 혼합하여 조성물을 준비하였다.
　
제조예 2
크실렌에 퍼하이드로폴리실록사잔을 20중량%의 농도로 첨가한 후 여기에 퍼하이드로폴리실록사잔 100중량부에 대하여 폴리디메틸실록산(PDMS) 1중량부 및 트리펜틸아민(tripentylamine) 1중량부를 첨가하고 혼합하여 조성물을 준비하였다.
　
제조예 3
크실렌에 퍼하이드로폴리실록사잔을 20중량%의 농도로 첨가한 후 여기에 퍼하이드로폴리실록사잔 100중량부에 대하여 폴리디메틸실록산(PDMS) 1중량부 및 백금 촉매(Karstedt's catalyst) 1중량부를 첨가하고 혼합하여 조성물을 준비하였다.
　
비교제조예 1
폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하지 않은 것을 제외하고는 제조예 1과 동일한 방법으로 조성물을 준비하였다.
　
실리카 막의 형성
실시예 1
실리콘웨이퍼 위에 제조예 1에 따른 조성물을 슬릿 코팅하고 H2O 분위기의 250℃ 퍼니스에서 1시간 동안 열처리하여 1㎛ 두께의 실리카 막을 형성하였다.
　
실시예 2
제조예 1에 따른 조성물 대신 제조예 2에 따른 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 1㎛ 두께의 실리카 막을 형성하였다.
　
실시예 3
제조예 1에 따른 조성물 대신 제조예 3에 따른 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 1㎛ 두께의 실리카 막을 형성하였다.
　
비교예 1
제조예 1에 따른 조성물 대신 비교제조예 1에 따른 조성물을 사용한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 1㎛ 두께의 실리카 막을 형성하였다.
　
평가 1
실시예 1과 비교예 1에 따른 실리카 막을 광학현미경으로 관찰하였다.
도 1은 실시예 1에 따른 실리카 막의 표면을 보여주는 사진이고, 도 2는 비교예 1에 다른 실리카 막의 표면을 보여주는 사진이다.
도 1 및 도 2를 참고하면, 실시예 1에 따른 실리카 막은 표면에 라멜라 구조가 형성된 것을 확인할 수 있는 반면 비교예 1에 따른 실리카 막은 라멜라 구조가 형성되지 않은 것을 확인할 수 있다.
　
평가 2
실시예 1 내지 3과 비교예 1에 따른 실리카 막의 내충격성을 평가하였다.
내충격성은 실시예 1 내지 3과 비교예 1에 따른 실리카 막의 중앙 부분에 10g 금속(SUS) 추를 소정 높이에서 낙하시켜 크랙이 발생하는 높이로부터 평가하였다.
　그 결과는 표 1과 같다.
　 크랙 발생 높이(cm)
실시예 1 　30
실시예 2 　32
실시예 3 　35
비교예 1 　15
표 1을 참고하면, 실시예 1 내지 3에 따른 실리카 막은 비교예 1에 따른 실리카 막과 비교하여 내충격성이 개선된 것을 확인할 수 있다.
　
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.

Claims (12)

  1. 규소 함유 화합물, 실리콘 탄성체 및 용매를 포함하고,
    상기 실리콘 탄성체는 상기 용매보다 높은 비점을 가지며,
    상기 실리콘 탄성체는 상기 규소 함유 화합물 100 중량부에 대하여 0.001 내지 20 중량부로 포함되어 있는 절연막용 조성물.
  2. 제1항에　있어서,
    상기 규소 함유 화합물은 실록산 화합물, 실라잔 화합물, 실록사잔 화합물, 이들의 올리고머, 이들의 중합체 또는 이들의 조합을 포함하는 절연막용 조성물.
  3. 삭제
  4. 제1항에　있어서,
    상기 실리콘 탄성체는 폴리디메틸실록산(PDMS)을 포함하는 절연막용 조성물.
  5. 제4항에서,
    상기 폴리디메틸실록산(PDMS)은 500 내지 1,000,000의 중량평균분자량을 가지는 절연막용 조성물.
  6. 삭제
  7. 제1항에　있어서,
    상기 규소 함유 화합물은 상기 용매 100 중량부에 대하여 0.1 내지　50　중량부로 포함되어 있는 절연막용 조성물.
  8. 제1항에　있어서,
    상기 절연막용 조성물은 경화 촉매를 더 포함하는 절연막용 조성물.
  9. 제1항, 제2항, 제4항, 제5항, 제7항 및 제8항 중 어느 한 항에 따른 절연막용 조성물로부터 형성된 절연막.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 절연막은 표면에 자기 정렬 구조를 가지는 절연막.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 자기 정렬 구조는 라멜라 구조를 포함하는 절연막.
  12. 제9항에 따른 절연막을 포함하는 전자 소자.
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