KR20140123416A - 가공 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가공시에서의 가공 대상면의 높이 위치의 변동을 억제하고, 풀이나 접착제의 잔존을 막을 수 있는 판형상물의 가공 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
판형상물(11)을 지지 플레이트(20)상에 배치하는 위치 결정 단계와, 지지 플레이트상에 배치된 판형상물의 외주부(19)에 레이저 빔(26)을 조사하여 판형상물의 외주부에서 판형상물이 지지 플레이트에 용착한 용착 영역(30)을 형성하고, 판형상물을 지지 플레이트상에 고정하는 결합 단계와, 결합 단계를 실시한 후, 판형상물에 가공을 실시하는 가공 단계를 포함하는 구성으로 하였다.

Description

가공 방법{MACHINING METHOD}
본 발명은, 웨이퍼 등의 판형상물을 가공하는 가공 방법에 관한 것이다.
반도체 웨이퍼나 광디바이스 웨이퍼 등의 판형상물의 가공에서는, 표면측에 형성된 디바이스를 보호하기 위해 보호 테이프를 사용하는 경우가 있다(예컨대 특허문헌 1 참조). 보호 테이프는 예컨대 기재와, 기재상의 풀층으로 구성되어 있고, 풀층에 포함되는 풀의 점착력에 의해 판형상물의 표면측에 접착된다.
또한, 가공시의 균열, 이지러짐 등의 파손을 막기 위해 판형상물을 지지하는 지지 플레이트를 이용하는 경우도 있다(예컨대 특허문헌 2 참조). 지지 플레이트는, 판형상물의 지지에 필요한 강성을 갖추고 있고, 열가소성 또는 열경화성의 수지를 포함하는 접착제에 의해 가공 대상이 되는 판형상물의 표면측에 접착된다.
특허문헌 1: 일본 특허 공개 평5-198542호 공보 특허문헌 2: 일본 특허 공개 제2004-207606호 공보
보호 테이프를 구성하는 풀층의 두께는 어느 정도 변동되고 있기 때문에, 예컨대 판형상물의 표면에 보호 테이프의 표면을 접착하면, 보호 테이프의 이면부터 판형상물의 이면까지의 두께는 판형상물 면내에서 일정하지 않게 된다. 마찬가지로, 지지 플레이트와 판형상물에 개재하는 접착제의 두께를 균일하게 하는 것은 어렵고, 판형상물의 표면에 지지 플레이트의 표면을 접착하면, 지지 플레이트의 이면부터 판형상물의 이면까지의 두께는 판형상물 면내에서 일정하지 않게 된다.
보호 테이프의 이면 또는 지지 플레이트의 이면부터, 가공 대상면이 되는 판형상물의 이면까지의 두께가 판형상물 면내에서 일정하지 않으면, 가공 장치의 유지 수단에 유지된 상태로, 판형상물의 이면의 높이 위치에 변동이 나타나 버린다. 이와 같이, 가공 대상면이 되는 이면의 높이 위치에 변동이 있는 상태에서 판형상물을 연삭 가공하면, 판형상물의 마무리 두께를 균일하게 할 수 없다고 하는 문제가 발생한다.
또한, 가공 후의 판형상물로부터 보호 테이프나 지지 플레이트를 제거할 때에, 풀이나 접착제의 일부가 판형상물에 잔존해 버리는 경우도 있다. 특히, 디바이스가 형성된 표면측에 보호 테이프나 지지 플레이트를 접착하는 경우, 디바이스에 의해 형성된 미소한 요철에 풀이나 접착제가 잔존하여, 디바이스의 불량의 원인이 될 우려도 있었다.
본 발명은 이러한 문제점을 감안하여 이루어진 것으로, 그 목적으로 하는 것은, 가공 대상면의 높이 위치의 변동을 억제하고, 풀이나 접착제의 잔존을 막을 수 있는 판형상물의 가공 방법을 제공하는 것이다.
본 발명에 의하면, 판형상물의 가공 방법으로서, 판형상물을 지지 플레이트상에 배치하는 위치 결정 단계와, 이 지지 플레이트상에 배치된 판형상물의 외주부에 레이저빔을 조사하여 판형상물의 외주부에서 이 판형상물이 상기 지지 플레이트에 용착한 용착 영역을 형성하고, 판형상물을 이 지지 플레이트상에 고정하는 결합 단계와, 이 결합 단계를 실시한 후, 판형상물에 가공을 실시하는 가공 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 판형상물의 가공 방법이 제공된다.
또한, 상기 가공 방법에서는, 상기 가공 단계를 실시한 후, 판형상물을 상기 용착 영역을 따라 분단하는 분단홈을 형성하고, 판형상물을 상기 지지 플레이트로부터 분리하는 분리 단계를 더 포함하며, 이 분리 단계에서는, 이 분단홈의 내주가 이 용착 영역의 내주 위치로부터 판형상물의 중앙측에 위치하도록, 이 분단홈이 형성되는 것이 바람직하다.
본 발명에 의하면, 지지 플레이트상에 배치된 판형상물의 외주부에 레이저 빔을 조사하여 판형상물과 지지 플레이트가 용착된 용착 영역을 형성하기 때문에, 풀층이나 접착제를 이용하지 않고 판형상물을 지지 플레이트상에 고정할 수 있다.
따라서, 풀층이나 접착제의 사용에 수반하는 가공 대상면의 높이 위치의 변동을 억제할 수 있다. 또한, 판형상물에의 풀이나 접착제의 잔존을 막을 수 있다.
도 1의 (A)는 본 실시형태의 가공 방법의 대상이 되는 웨이퍼의 구성예를 도시하는 사시도, 도 1의 (B)는 위치 결정 단계를 도시하는 사시도.
도 2의 (A) 및 도 2의 (B)는 결합 단계의 제1 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도, 도 2의 (C)는 제1 양태에 따른 결합 단계 실시 후의 웨이퍼의 사시도.
도 3은 가공 단계를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도.
도 4는 분리 단계의 제1 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도.
도 5의 (A) 및 도 5의 (B)는 결합 단계의 제2 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도, 도 5의 (C)는 제2 양태에 따른 결합 단계 실시 후의 웨이퍼의 사시도.
도 6은 분리 단계의 제2 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도.
도 7은 분리 단계의 제3 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도.
도 8은 분리 단계의 제4 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도.
이하, 첨부도면을 참조하여, 본 발명의 실시형태에 대해서 설명한다. 또한 본 실시형태에서는, 표면측에 디바이스가 형성된 웨이퍼를 가공 대상으로 하는 가공 방법에 대해서 설명하지만, 본 발명의 가공 대상이 되는 판형상물은 이것에 한정되지 않는다. 디바이스 형성 전의 웨이퍼 등을 가공 대상으로 하여도 좋다.
본 실시형태의 판형상물의 가공 방법은, 위치 결정 단계(도 1 참조)와, 결합 단계(도 2 참조)와, 가공 단계(도 3 참조)와, 분리 단계(도 4 참조)를 포함한다. 위치 결정 단계에서는, 지지 플레이트(20)에 대하여 가공 대상이 되는 웨이퍼(판형상물)(11)의 위치를 맞춰, 지지 플레이트(20)상에 웨이퍼(11)를 배치한다(도 1 참조).
결합 단계에서는, 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(외주부)(19)에 레이저빔(26)을 조사하여, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)를 용착시키고, 웨이퍼(11)를 지지 플레이트(20)에 고정한다(도 2 참조).
가공 단계에서는, 지지 플레이트(20)에 고정된 웨이퍼(11)를 가공한다(도 3 참조). 분리 단계에서는, 지지 플레이트(20)에 고정된 웨이퍼(11)를 분단하여, 지지 플레이트(20)로부터 웨이퍼(11)를 분리한다(도 4 참조). 이하, 본 실시형태에 따른 가공 방법의 각 단계 등에 대해서 상술한다.
도 1의 (A)는, 본 실시형태의 가공 방법의 대상이 되는 웨이퍼의 구성예를 도시하는 사시도이며, 도 1의 (B)는, 본 실시형태에 따른 가공 방법의 위치 결정 단계를 도시하는 사시도이다. 도 1의 (A)에 도시하는 바와 같이, 본 실시형태의 가공 방법의 대상이 되는 웨이퍼(판형상물)(11)는, 원반형상의 외형을 갖는 반도체 웨이퍼이며, 중앙의 디바이스 영역(17)과, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 외주 잉여 영역(19)을 구비하고 있다.
웨이퍼(11)의 표면(11a)측의 디바이스 영역(17)은, 격자형으로 배열된 스트리트(분할 예정 라인)(13)로 복수개 영역으로 구획되어 있고, 각 영역에는 IC 등의 디바이스(15)가 형성되어 있다. 웨이퍼(11)의 외주(측면)(11e)는 모따기 가공되어 있고, 단면 형상은 원호형으로 되어 있다(도 2 등 참조).
본 실시형태의 가공 방법에서는, 우선, 지지 플레이트(20)상에 웨이퍼(11)를 배치하는 위치 결정 단계를 실시한다. 도 1의 (B)에 도시하는 바와 같이, 지지 플레이트(20)는, 웨이퍼(11)와 동등한 외경을 갖는 원반형상으로 형성되어 있고, 웨이퍼(11)를 지지하기 위해 필요한 강성을 구비하고 있다. 또한, 지지 플레이트(20)는, 충분히 평탄한 표면(20a) 및 이면(20b)을 갖고 있다.
지지 플레이트(20)로서는, 웨이퍼(11)와 같은 반도체 웨이퍼를 이용할 수 있다. 예컨대 웨이퍼(11)로서 실리콘 웨이퍼를 이용하는 경우, 지지 플레이트(20)에도 실리콘 웨이퍼를 이용할 수 있다. 이와 같이, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 재질을 공통으로 함으로써, 가공 비용을 대폭 증가시키지 않고, 뒤의 결합 단계에서 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 적절한 용착이 가능해진다.
단, 지지 플레이트(20)의 구성은 이것에 한정되지 않는다. 평탄한 표면 및 이면을 가지며, 뒤의 결합 단계에서 웨이퍼(11)와 적절히 용착할 수 있는 강체판이면, 지지 플레이트(20)로서 사용할 수 있다. 예컨대 유리 기판 등을 지지 플레이트(20)로서 이용하여도 좋다.
위치 결정 단계에서는, 전술한 웨이퍼(11)의 표면(11a)측과 지지 플레이트(20)의 표면(20a)측을 대향시키도록, 지지 플레이트(20)의 위쪽에 웨이퍼(11)를 위치시킨다. 그리고, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)를 근접시켜, 지지 플레이트(20)상에 웨이퍼(11)를 배치한다. 즉, 위치 결정 단계의 종료시에는, 웨이퍼(11)의 표면(11a)과 지지 플레이트(20)의 표면(20a)이 접촉한다.
위치 결정 단계 후에는, 웨이퍼(11)를 지지 플레이트(20)에 고정하는 결합 단계를 실시한다. 도 2의 (A) 및 도 2의 (B)는, 본 실시형태에 따른 가공 방법의 결합 단계를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이며, 도 2의 (C)는, 결합 단계 실시 후의 웨이퍼의 사시도이다. 또한 결합 단계에는, 도 2에 도시하는 결합 단계의 제1 양태 대신에, 후술하는 결합 단계의 제2 양태를 적용할 수도 있다.
도 2의 (A)에 도시하는 바와 같이, 결합 단계에서는, 우선, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 위치 관계를 유지한 채, 지지 플레이트(20)의 이면(20b)측을 척테이블(22)에 흡착시킨다. 다음에, 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(19)의 위쪽에 레이저 가공 헤드(24)를 위치시키고, 척테이블(22)을 회전시키면서, 웨이퍼(11)를 향해 레이저빔(26)을 조사한다.
레이저빔(26)은, 예컨대 YAG, YVO4, Er/Yb/Tm 도핑 파이버 등을 레이저 매질로서 발진되어, 웨이퍼(11)의 노출면인 이면(11b)에 조사된다. 또한, 레이저빔(26)의 집광점(28)은, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 계면[표면(11a) 및 표면(20a)] 근방에 위치한다. 레이저빔(26)을 집광하는 광학계는, 장초점 거리를 가능하게 하는 것이 바람직하다.
레이저빔(26)의 파장은 특별히 한정되지 않지만, 웨이퍼(11)에 흡수되기 어려운 파장으로 하는 것이 바람직하다. 예컨대 웨이퍼(11)로서 실리콘 웨이퍼를 이용하는 경우에는, 적외 영역의 파장(예컨대 700 ㎚보다 장파장)의 레이저빔(26)을 이용한다.
레이저빔(26)을 이러한 파장으로 하면, 웨이퍼(11)의 내부에서의 레이저빔(26)의 흡수를 억제하여, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 계면 근방에 충분한 강도의 레이저빔(26)을 도달시킬 수 있다.
도 2의 (B) 및 도 2의 (C)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 계면 근방에 충분한 강도의 레이저빔(26)이 조사되면, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측의 일부와, 지지 플레이트(20)의 표면(20a)측의 일부가 용융한다.
그 결과, 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(19)에서, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)를 용착하는 용착 영역(30)이 형성되고, 웨이퍼(11)는, 용착 영역(30)을 통해 지지 플레이트(20)상에 고정된다.
이 결합 단계에서는, 척테이블(22)을 회전시키면서 레이저빔(26)을 조사하기 때문에, 용착 영역(30)은, 디바이스 영역(17)을 둘러싸는 원환형으로 형성된다. 단, 용착 영역(30)의 형상 등은 이것에 한정되지 않는다. 용착 영역(30)은, 적어도 외주 잉여 영역(19)에서, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)를 용착하도록 형성되면 된다.
결합 단계 후에는, 지지 플레이트(20)에 고정된 웨이퍼(11)를 가공하는 가공 단계를 실시한다. 도 3은 본 실시형태에 따른 가공 방법의 가공 단계를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다. 또한 본 실시형태에서는, 가공 단계의 일례로서, 연삭 단계를 도시하고 있다.
도 3에 도시하는 바와 같이, 가공 단계(연삭 단계)에서는, 지지 플레이트(20)의 이면(20b)측을 척테이블(32)에 흡착시키고, 웨이퍼(11)의 이면(11b)에 연삭휠(34)의 연삭 지석(36)을 접촉시킨다. 이 상태에서, 척테이블(32)과 연삭휠(34)을 상대 회전시키면, 웨이퍼(11)의 이면(11b)측이 연삭된다.
본 실시형태의 가공 방법에서는, 결합 단계에서, 풀층이나 접착제를 이용하지 않고 웨이퍼(11)를 지지 플레이트(20)상에 고정하고 있기 때문에, 웨이퍼(11)의 가공 대상면이 되는 이면(11b)의 높이 위치의 변동을 충분히 억제할 수 있다. 따라서, 연삭 단계의 마무리 두께를 균일하게 할 수 있다.
또한, 연삭 단계 이외의 가공 단계를 실시하여도 좋다. 예컨대 연삭 단계 대신에, TSV(스루 실리콘 비아)를 형성하는 TSV 형성 단계나, 웨이퍼(11)의 내부에 개질층을 형성하는 레이저 가공 단계 등을 실시할 수 있다. 연삭 단계에 더하여, TSV 형성 단계나 레이저 가공 단계 등을 실시하여도 좋다.
가공 단계 후에는, 지지 플레이트(20)로부터 웨이퍼(11)를 분리하는 분리 단계를 실시한다. 도 4는 본 실시형태에 따른 가공 방법의 분리 단계를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다. 또한, 분리 단계에는, 도 4에 도시하는 분리 단계의 제1 양태 대신에, 후술하는 분리 단계의 제2 양태, 제3 양태, 또는 제4 양태를 적용할 수도 있다.
분리 단계에서는, 도 4의 (A)에 도시하는 바와 같이, 우선, 지지 플레이트(20)의 이면(20b)측을 척테이블(38)에 흡착시킨다. 그리고, 고속 회전하는 절삭 블레이드(40)를, 용착 영역(30)의 내측에 위치시켜 웨이퍼(11)의 이면(11b)측에 절입시키고, 척테이블(38)을 회전시킨다.
절삭 블레이드(40)의 절입 깊이는, 가공 단계 후의 웨이퍼(11)의 두께 이상으로 한다. 이것에 의해, 지지 플레이트(20)에 도달하는 깊이의 분단홈(42)이 형성된다. 절삭 블레이드(40)는, 적어도 분단홈(42)의 내주가 용착 영역(30)의 내주로부터 웨이퍼(11)의 중앙측에 형성되도록 위치한다.
분단홈(42)을 경계로, 웨이퍼(11)의 중앙측[디바이스 영역(17)측]과 외주측[외주 잉여 영역(19)측]은 분단된다. 이 때문에 도 4의 (B)에 도시하는 바와 같이, 지지 플레이트(20)로부터 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)측을 용이하게 분리할 수 있다.
본 실시형태의 가공 방법에서는, 결합 단계에서, 풀층이나 접착제를 이용하지 않고 웨이퍼(11)를 지지 플레이트(20)상에 고정하고 있기 때문에, 분리 단계에서, 웨이퍼(11)에의 풀이나 접착제의 잔존을 막을 수 있다.
이상과 같이, 본 실시형태의 가공 방법에서는, 레이저빔(26)의 조사에 의해 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)를 용착함으로써, 풀층이나 접착제를 이용하지 않고 웨이퍼(11)를 지지 플레이트(20)상에 고정할 수 있다. 따라서, 풀층이나 접착제의 사용에 수반하는 웨이퍼(11)의 가공 대상면이 되는 이면(11b)의 높이 위치의 변동을 억제할 수 있다. 또한, 웨이퍼(11)에의 풀이나 접착제의 잔존을 막을 수 있다.
또한, 상기 실시형태의 결합 단계 또는 분리 단계를, 다른 양태로 변경할 수도 있다. 도 5의 (A) 및 도 5의 (B)는, 결합 단계의 제2 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이며, 도 5의 (C)는, 제2 양태에 따른 결합 단계 실시 후의 웨이퍼의 사시도이다. 도 6, 도 7, 및 도 8은, 각각 분리 단계의 제2 양태, 제3 양태, 및 제4 양태를 모식적으로 도시하는 일부 단면 측면도이다.
결합 단계의 제2 양태에서는, 도 5의 (A)에 도시하는 바와 같이, 지지 플레이트(20)의 이면(20b)측을 척테이블(22)에 흡착시킨 후, 웨이퍼(11)의 외주(11e)의 외측에 레이저 가공 헤드(24)를 위치시킨다. 그리고, 척테이블(22)을 회전시키면서, 레이저빔(26)을 조사한다.
레이저빔(26)은, 예컨대 YAG, YVO4, Er/Yb/Tm 도핑 파이버 등을 레이저 매질로서 발진되어, 웨이퍼(11)의 측방에서 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 계면을 향해 조사된다. 레이저빔(26)의 집광점(28)은, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 계면 근방에 위치한다.
도 5의 (B) 및 도 5의 (C)에 도시하는 바와 같이, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)의 계면 근방에 충분한 강도의 레이저빔(26)이 조사되면, 웨이퍼(11)의 표면(11a)측의 일부와, 지지 플레이트(20)의 표면(20a)측의 일부가 용융한다. 그 결과, 웨이퍼(11)의 외주 잉여 영역(19)에서, 웨이퍼(11)와 지지 플레이트(20)를 용착하는 용착 영역(44)이 형성되고, 웨이퍼(11)는, 용착 영역(44)을 통해 지지 플레이트(20)상에 고정된다.
분리 단계의 제2 양태에서는, 도 6의 (A)에 도시하는 바와 같이, 지지 플레이트(20)의 이면(20b)측을 척테이블(38)에 흡착시킨다. 그리고, 고속 회전하는 절삭 블레이드(40)를, 용착 영역(30)의 내측의 가장자리(30a)와 중첩되도록 위치시켜 웨이퍼(11)의 이면(11b)측에 절입시키고, 척테이블(38)을 회전시킨다.
절삭 블레이드(40)의 절입 깊이는, 가공 단계 후의 웨이퍼(11)의 두께 이상으로 한다. 이것에 의해, 지지 플레이트(20)에 도달하는 깊이의 분단홈(42)이 형성된다. 분단홈(42)을 경계로, 웨이퍼(11)의 중앙측과 외주측은 분단되고, 도 6의 (B)에 도시하는 바와 같이, 지지 플레이트(20)로부터 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)측을 용이하게 분리할 수 있다.
분리 단계의 제3 양태에서는, 도 7의 (A)에 도시하는 바와 같이, 우선, 지지 플레이트(20)에 고정된 웨이퍼(11)의 이면(11b)측에, 원환형의 프레임(46)에 깔린 다이싱 테이프(48)를 접착한다.
다이싱 테이프(48)를 통해 웨이퍼(11)의 이면(11b)측을 척테이블(38)에 흡착시킨 후에, 척테이블(38)을 회전시킨다. 그리고, 고속 회전하는 절삭 블레이드(40)를 용착 영역(30)의 내측에 위치시켜, 지지 플레이트(20)의 이면(20b)측에 절입시킨다.
절삭 블레이드(40)의 절입 깊이는, 지지 플레이트(20)의 두께와 가공 단계 후의 웨이퍼(11)의 두께의 합 이상으로 한다. 이것에 의해, 다이싱 테이프(48)에 도달하는 깊이의 분단홈(42)이 형성된다. 절삭 블레이드(40)는, 적어도 분단홈(42)의 내주가 용착 영역(30)의 내주로부터 웨이퍼(11)의 중앙측에 형성되도록 위치한다.
분단홈(42)을 경계로, 웨이퍼(11)의 중앙측과 외주측은 분단된다. 이 때문에 도 7의 (B)에 도시하는 바와 같이, 지지 플레이트(20)로부터 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)측을 용이하게 분리할 수 있다. 분리 단계의 제3 양태에서는, 지지 플레이트(20)로부터 분리된 웨이퍼(11)는 다이싱 테이프(48) 및 프레임(46)에 지지되기 때문에, 핸들링시에서의 웨이퍼(11)의 파손 리스크를 낮출 수 있다.
분리 단계의 제4 양태에서는, 도 8의 (A)에 도시하는 바와 같이, 우선, 지지 플레이트(20)에 고정된 웨이퍼(11)의 이면(11b)측에, 원환형의 프레임(46)에 깔린 다이싱 테이프(48)를 접착한다.
다이싱 테이프(48)를 통해 웨이퍼(11)의 이면(11b)측을 척테이블(38)에 흡착시킨 후에, 척테이블(38)을 회전시킨다. 그리고, 고속 회전하는 절삭 블레이드(40)를 용착 영역(30)과 중첩되도록 위치시켜, 지지 플레이트(20)의 이면(20b)측에 절입시킨다.
절삭 블레이드(40)의 절입 깊이는, 지지 플레이트(20)의 두께와 가공 단계 후의 웨이퍼(11)의 두께의 합 이상으로 한다. 이것에 의해, 다이싱 테이프(48)에 도달하는 깊이의 분단홈(42)이 형성되고, 도 8의 (B)에 도시하는 바와 같이, 지지 플레이트(20)로부터 웨이퍼(11)의 디바이스 영역(17)측을 용이하게 분리할 수 있다.
분리 단계의 제4 양태에서는, 분리 단계의 제3 양태와 마찬가지로, 지지 플레이트(20)로부터 분리된 웨이퍼(11)는 다이싱 테이프(48) 및 프레임(46)에 지지되기 때문에, 핸들링시에서의 웨이퍼(11)의 파손 리스크를 낮출 수 있다.
또한, 본 발명은 상기 실시형태의 기재에 한정되지 않고, 여러 가지 변경하여 실시 가능하다. 예컨대 상기 실시형태에서는, 절삭 블레이드(40)로 분단홈(42)을 형성함으로써 지지 플레이트(20)로부터 웨이퍼(11)를 분리하는 분리 단계를 나타냈지만, 레이저빔의 조사에 의한 애블레이션 가공으로 분단홈(42)을 형성하여도 좋다.
그 외, 상기 실시형태에 따른 구성, 방법 등은, 본 발명의 원하는 범위를 일탈하지 않는 한 적절하게 변경하여 실시할 수 있다.
본 발명은, 웨이퍼 등의 판형상물을 가공할 때에 유용하다.
11: 웨이퍼(판형상물) 11a: 표면
11b: 이면 11e: 외주(측면)
13: 스트리트(분할 예정 라인) 15: 디바이스
17: 디바이스 영역 19: 외주 잉여 영역(외주부)
20: 지지 플레이트 20a: 표면
20b: 이면 22: 척테이블
24: 레이저 가공 헤드 26: 레이저빔
28: 집광점 30: 용착 영역
32: 척테이블 34: 연삭휠
36: 연삭 지석 38: 척테이블
40: 절삭 블레이드 42: 분단홈
44: 용착 영역 46: 프레임
48: 다이싱 테이프

Claims (4)

  1. 판형상물의 가공 방법으로서,
    판형상물을 지지 플레이트상에 배치하는 위치 결정 단계와,
    상기 지지 플레이트상에 배치된 판형상물의 외주부에 레이저 빔을 조사하여 판형상물의 외주부에서 상기 판형상물이 상기 지지 플레이트에 용착된 용착 영역을 형성하고, 판형상물을 상기 지지 플레이트상에 고정하는 결합 단계와,
    상기 결합 단계를 실시한 후, 판형상물에 가공을 실시하는 가공 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 판형상물의 가공 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 가공 단계를 실시한 후, 판형상물을 상기 용착 영역을 따라 분단하는 분단홈을 형성하고, 판형상물을 상기 지지 플레이트로부터 분리하는 분리 단계를 더 포함하며,
    상기 분리 단계에서는, 상기 분단홈의 내주가 상기 용착 영역의 내주 위치로부터 판형상물의 중앙측에 위치하도록, 상기 분단홈이 형성되는 것을 특징으로 하는 판형상물의 가공 방법.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 용착 단계에서는, 상기 지지 플레이트상에 배치된 판형상물의 노출면으로부터 레이저 빔의 집광점을 판형상물과 지지 플레이트의 계면에 위치시켜 상기 레이저 빔을 조사함으로써 판형상물의 외주 가장자리의 내측에 상기 용착 영역을 형성하는 것을 특징으로 하는 판형상물의 가공 방법.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 용착 영역은 상기 지지 플레이트상에 배치된 판형상물의 측면을 포함하는 영역인 것을 특징으로 하는 판형상물의 가공 방법.
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