KR20140119948A - Line Processing System with Vacuum Buffer Chamber - Google Patents

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KR20140119948A
KR20140119948A KR20130034763A KR20130034763A KR20140119948A KR 20140119948 A KR20140119948 A KR 20140119948A KR 20130034763 A KR20130034763 A KR 20130034763A KR 20130034763 A KR20130034763 A KR 20130034763A KR 20140119948 A KR20140119948 A KR 20140119948A
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vacuum
chamber
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buffer chamber
vacuum buffer
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KR20130034763A
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김길원
이형진
박현찬
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주식회사 선익시스템
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Abstract

The present invention relates to a linear deposition system having vacuum buffer chambers. In the linear deposition system having a linear processing chamber in which substrates are processed, vacuum buffer chambers are additionally formed in one side of the processing chamber to buffer the vacuum degree difference with the processing chamber when a process is passed to the next process in the processing chamber. The present invention can maintain the internal vacuum degree of the processing chamber, can minimize the contamination of the processing chamber or peripheral devices and damage to the substrates, and can reduce processing hours in a vacuum process by installing the vacuum buffer chambers in one side of the processing chamber to buffer the vacuum degree difference when the process is passed to the next process in the processing chamber.

Description

진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템{Line Processing System with Vacuum Buffer Chamber}BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention [0001] The present invention relates to a linear deposition system with a vacuum buffer chamber,

본 발명은 선형 증착 시스템에 관한 것으로서, 특히 공정 챔버의 일측에 진공 완충 챔버를 설치하여 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때 진공도 차를 완충시켜, 비용을 절감시키면서 공정 시간을 단축시키기 위한 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템에 관한 것이다.The present invention relates to a linear deposition system, and more particularly, to a vacuum deposition chamber in which a vacuum buffer chamber is installed on one side of a process chamber to buffer a difference in vacuum degree when proceeding from a process chamber to a next process, And more particularly,

일반적으로 유기발광 다이오드(OLED)와 태양전지(Solar Cell) 등을 제조하는 경우에는 많은 단계의 제작 공정이 필요하다. 이러한 여러 단계의 제작 공정을 수행하기 위해서는 보통 별도의 공정을 위한 챔버들로 구성하고, 상기 챔버들 간에 기판을 이송하여 다양한 공정들을 수행하게 된다.In general, when manufacturing an organic light emitting diode (OLED) and a solar cell, a lot of manufacturing steps are required. In order to perform the manufacturing process of the various stages, the chambers are usually formed for separate processes, and the substrates are transferred between the chambers to perform various processes.

이러한 여러 단계의 제작 공정을 수행하기 위해 사용되는 종래의 이송 구조는 크게 두 가지로 구분할 수 있다.Conventional transport structures used to perform these various manufacturing processes can be roughly classified into two types.

첫째는 클러스터 타입(Cluster Type)으로 기판이 중앙에서 로봇에 의해 분배되어 각 챔버 혹은 모듈별로 공정을 실시하는 방식이며, 둘째는 연속 혹은 불연속 기판이 선형 형태의 각 공정 모듈을 지나면서 공정을 수행하는 방식이다.The first type is a cluster type, in which the substrate is distributed by the robot at the center, and the process is performed for each chamber or module. Second, a continuous or discontinuous substrate is processed through each linear process module Method.

상기 클러스터 타입은 챔버들이 원형을 이루도록 배치되고, 중앙측에 로봇암(Robot Arm)을 사용하여 기판의 이송이 이루어진다. 즉, 하나의 챔버에서 공정을 수행한 후에 이를 꺼내어, 다시 다른 챔버로 이송하여 그 공정을 수행하며, 이 과정을 반복함으로써 소자의 제작이 이루어진다.In the cluster type, the chambers are arranged so as to form a circle, and the substrate is transferred using a robot arm at the center side. That is, after a process is performed in one chamber, the process is taken out and transferred to another chamber to perform the process, and the process is repeated to fabricate the device.

그러나, 상기와 같은 클러스터 타입은, 한 챔버에 있는 기판을 다른 챔버로 이송한 후, 비어있는 챔버로 기판을 다시 이송하여 위치시켜야 하기 때문에, 두 번의 이송작업을 하여야만 기판의 이송이 이루어지므로 기판의 이송이 비효율적이고, 제작 시간도 오래 걸리는 단점이 있다.However, in the above-described cluster type, since the substrate in one chamber is transferred to another chamber and then the substrate is transferred again to the empty chamber, it is necessary to perform the transfer operation twice. Therefore, The transfer is inefficient, and the manufacturing time is long.

이에 비해 선형 형태의 각 공정 모듈을 지나면서 공정을 수행하는 방식은 상술한 클러스터 타입의 문제점을 해결할 수 있으나, 생산 효율과 단가를 낮추기 위해서 기판과 기판 사이의 간격을 각각의 공정에 최적화하여 최적의 선형 물류 공정을 진행하는 것이 요구된다.In contrast, the method of performing the process through each linear process module can solve the problem of the cluster type described above. However, in order to lower the production efficiency and the unit cost, the gap between the substrate and the substrate is optimized for each process, It is required to carry out the linear logistics process.

종래의 선형 증착 시스템에서는, 여러 개의 증착 유닛이 선형으로 배열되어 각 기판은 각 증착 유닛을 선형으로 통과하면서 여러 개의 물질을 증착하게 된다. 물질을 증착하는 동안에는 충분하고 균일한 물질의 증착을 위하여 일정 속도로 기판이 이동하여 증착원을 스캔하게 되며, 여러 물질의 증착이 끝난 후에는 정지 상태에서 수행되는 마스크 교체 공정, 얼라인 공정 및 봉지 공정 등 여러 공정이 수행 된다.In a conventional linear deposition system, a plurality of deposition units are linearly arranged, and each substrate linearly passes through each deposition unit to deposit a plurality of materials. During the deposition of the material, the substrate is moved at a constant rate for deposition of a sufficient and uniform material to scan the deposition source, and after the deposition of various materials is completed, the mask replacement process, alignment process, And the like.

이러한 선형 증착 시스템에서는 물질의 사용 효율과 공정 시간의 단축이 중요한 관건인데, 이를 위한 선행기술로서, 등록특허 10-1025517호는 물질의 절약과 공정 시간의 단축으로 생산성을 높이기 위해서 다수의 공정 챔버와 정지 공정 챔버 사이에 별도의 스피드 버퍼 챔버를 위치하여, 상기 스피드 버퍼 챔버 내에서 기판의 가속 및 감속으로 증착 공정 챔버에서 기판들의 간격을 최소화하는 선형 증착 시스템이 개시되어 있다.In this linear deposition system, the use efficiency of the material and the shortening of the process time are important factors. As a prior art for this purpose, the registered patent 10-1025517 discloses a process chamber for reducing the material and shortening the process time, Disclosed is a linear deposition system that places a separate speed buffer chamber between stationary process chambers to minimize the spacing of substrates in the deposition process chamber by acceleration and deceleration of the substrate within the speed buffer chamber.

그러나, 상술한 선행기술은 별도의 스피드 버퍼 챔버를 구성하여 공정 챔버 혹은 정지 공정 챔버의 앞단과 뒷단에 위치시키는 구성이었으므로, 전체 시스템의 길이를 늘릴 뿐만 아니라, 속도 조절용 스피드 버퍼 챔버를 제작하고, 각 챔버에 별도의 진공시스템을 구축해야 하기 때문에 시스템 제작 비용이 매우 높아진다는 문제점이 있다.However, since the above-described prior art is constituted to constitute a separate speed buffer chamber and positioned at the front end and the rear end of the process chamber or the stop process chamber, not only the length of the entire system is increased but also the speed buffer buffer for speed control is manufactured, There is a problem in that a separate vacuum system is required to be installed in the chamber, resulting in a very high system manufacturing cost.

또한, 스피드 버퍼 챔버를 공정 챔버 혹은 정지 공정 챔버의 앞단과 뒷단에 위치시키는 것은 이론적으로는 가능하나, 실제로는 제작의 어려움과 아울러 제작비용의 상승 등으로 경제성이 없기 때문에 현실적으로 증착 시스템에 적용하기 어렵다.In addition, it is theoretically possible to position the speed buffer chamber at the front end and the rear end of the process chamber or the stop process chamber, but it is practically impossible to apply it to the deposition system because there is no economical efficiency due to difficulty in fabrication as well as increase in manufacturing cost .

한편, 선형 증착 시스템의 경우, 기판의 공정 진행을 위한 셔틀의 순환은 필수적인데, 종래의 경우 기판을 셔틀에 탈부착하는 어태치(attach) 모듈 또는 디태치(detach) 모듈과는 별도로 업다운 모듈을 제작하기 때문에 셔틀 순환의 병목 구간이 발생하고 공정 시간이 오래 걸리는 단점이 있었다.On the other hand, in the case of the linear deposition system, circulation of the shuttle for the process progress of the substrate is indispensable. However, in the conventional case, an up-down module is manufactured separately from an attach module or a detach module for detachably attaching the substrate to the shuttle The bottleneck section of the shuttle circulation occurs and the process takes a long time.

이러한 종래의 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 본 출원인은 기판에 대한 공정을 수행하며, 선형 형태의 각 공정 모듈이 구비되는 공정챔버와, 상기 기판이 셔틀에 안착되어 이송되면서 각 공정을 수행하도록 상기 공정챔버 내에 설치되는 공정라인과, 상기 기판에 공정이 진행된 후 상기 셔틀만을 회수하는 셔틀회수라인과, 상기 공정챔버의 양단에 위치하여 상기 기판과 셔틀을 탈부착하는 탈부착 모듈과, 상기 공정챔버의 공정라인과 셔틀회수라인을 연결하는 업다운 모듈을 포함하며, 상기 업다운 모듈과 상기 탈부착 모듈을 하나로 구성하여 빠른 택 타임의 제품 생산이 가능한 인라인 기판 처리를 통한 선형 증착 시스템을 출원(출원번호 : 10-2012-0155723)한 바 있다.In order to solve such a conventional problem, the applicant of the present invention has proposed a process chamber for carrying out a process for a substrate and including a process chamber having each process module in a linear form, A shuttle recovery line that recovers only the shuttle after the substrate has been processed; a detachable module positioned at both ends of the process chamber for detachably attaching the substrate and the shuttle to each other; And an up-down module connecting the shuttle recovery line, wherein the up-down module and the detachable module are integrated into one unit, and a linear deposition system using an in-line substrate processing capable of producing a product with a fast tack time is filed (Application No. 10-2012- 0155723).

이와 같이 인라인 방식의 선형 증착 시스템에서는 공정 시간을 단축하여 빠른 공정수행을 수행하는 것이 중요한데, 상기 종래기술에서도 기판과 셔틀을 탈부착하는 탈부착 모듈을 업다운 모듈과 하나로 구성하여 셔틀 순환의 병목 구간을 제거하여 공정시간을 단축하고자 한 것이다.In the above-described inline-type linear deposition system, it is important to shorten the process time to perform a rapid process. In the above-mentioned prior art, however, the detachable module for detaching and attaching the substrate and the shuttle is constituted as one with the up- Thereby shortening the process time.

최근에는 이러한 빠른 공정 수행을 위해 다각적으로 많은 연구들이 행해지고 있으나, 기본적으로 진공 하에서 공정이 수행되게 되므로, 공정 진공에 이르고, 이를 유지하기 위해서는 어느 정도 시간이 소요되어야 한다.Recently, a lot of studies have been carried out in order to perform such a rapid process, but since the process is basically performed under vacuum, it takes some time to reach the process vacuum and maintain it.

즉, 공정 진공까지의 도달을 위한 시간뿐만 아니라, 진공 상태에서 공정이 완료된 기판 또는 셔틀을 공정 챔버에서 회수하거나, 기판이나 셔틀을 진공 챔버에 투입할 때에도, 기판에 최대한 손상을 주지 않으면서, 공정 챔버의 진공을 깨트리지 않는 것이 공정 시간을 줄일 수 있는 중요한 요소가 된다.That is, not only the time for reaching the process vacuum but also the process for recovering the substrate or the shuttle which has been completed in the vacuum state in the process chamber or the introduction of the substrate or shuttle into the vacuum chamber, Not breaking the chamber vacuum is an important factor in reducing process time.

최근에는 이를 위해, 공정 챔버의 끝단에 별도의 패스 챔버를 두어 압력 차에 의한 문제점을 해소하고자 하나, 이러한 패스 챔버 또한 공정 진공 상태에 도달하기 위해서나, 대기압 상태로 해제하기 위해서는 많은 시간이 소요되어, 기판의 이송 시간 보다 진공 레벨을 변경하는 시간이 더 길게 되어 공정 속도의 단축에 지장을 초래하고 있다.In order to accomplish this, an attempt is made to solve the problem caused by the pressure difference by providing a separate pass chamber at the end of the process chamber. However, such a pass chamber also takes a long time to reach the process vacuum state or to release it to the atmospheric pressure state, The time for changing the vacuum level is longer than the transfer time of the substrate, which leads to a reduction in the process speed.

본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위한 것으로서, 공정 챔버의 일측에 진공 완충 챔버를 설치하여 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때 진공도 차를 완충시켜, 비용을 절감시키면서 공정 시간을 단축시키기 위한 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템의 제공을 그 목적으로 한다.SUMMARY OF THE INVENTION Accordingly, the present invention has been made keeping in mind the above problems occurring in the prior art, and it is an object of the present invention to provide a vacuum cushioning chamber for reducing the processing time by buffering the difference in vacuum degree when a vacuum buffer chamber is provided on one side of a process chamber, The present invention also provides a linear deposition system.

상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은, 선형 형태의 공정 챔버가 구비되어 기판에 대한 공정이 이루어지는 선형 증착 시스템에 있어서, 상기 공정 챔버의 일측에 상기 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때 상기 공정 챔버와의 진공도 차를 완충시키기 위한 진공 완충 챔버가 더 형성된 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템을 기술적 요지로 한다.According to an aspect of the present invention, there is provided a linear deposition system in which a linear process chamber is provided to process a substrate, wherein one side of the process chamber is connected to the process chamber And a vacuum buffer chamber for buffering the difference in vacuum degree is further formed on the surface of the vacuum buffer chamber.

또한, 상기 진공 완충 챔버는, 상기 공정 챔버에서부터 상기 공정 챔버의 진공도보다 상대적으로 낮은 진공도 순으로 고진공 완충 챔버, 중진공 완충 챔버 및 저진공 완충 챔버가 연속적으로 형성되는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that the vacuum buffer chamber is continuously formed from the process chamber to the vacuum buffer chamber, the vacuum buffer chamber and the vacuum buffer chamber in the order of vacuum degree relatively lower than the vacuum degree of the process chamber.

또한, 상기 고진공 완충 챔버, 중진공 완충 챔버 및 저진공 완충 챔버 내부에는 기판이송부가 형성되어, 상기 공정 챔버로부터 이송된 기판을 순차적으로 이송하는 것이 바람직하다.In addition, it is preferable that a substrate transfer is formed in the high vacuum buffer chamber, the heavy vacuum buffer chamber, and the low vacuum buffer chamber, and the substrate transferred from the process chamber is sequentially transferred.

또한, 상기 기판이송부는, 기판이 안착되는 기판이송벨트와, 상기 기판이송벨트를 구동시키는 기판이송롤러를 포함하며, 상기 기판이송부는 기판 물류 시간에 맞추기 위해서 복수 개가 형성되는 것이 바람직하다.The substrate transferring unit may include a substrate transferring belt on which the substrate is placed and a substrate transferring roller for driving the substrate transferring belt. A plurality of the substrate transferring units may be formed in order to match the substrate transfer time.

여기에서, 상기 기판이송부는, 승하강모듈에 의해 순차적으로 승하강되며, 진공 완충 챔버 하측에 위치하고, 상기 기판이송부 하부에 접촉하여 상기 기판이송부를 승하강시키는 샤프트에 의해 구동되는 것이 바람직하다.Preferably, the substrate transfer section is sequentially moved up and down by the elevating and lowering module and is driven by a shaft located below the vacuum buffer chamber, the substrate contacting the lower portion of the transfer section and causing the substrate to move up and down the transfer section Do.

그리고, 상기 공정 챔버와 고진공 완충 챔버 사이, 고진공 완충 챔버 및 중진공 완충 챔버 사이, 중진공 완충 챔버 및 저진공 완충 챔버 사이에는 각 챔버 간 진공도 유지를 위한 셔터가 더 구비되는 것이 바람직하다.It is further preferable that a shutter is provided between the process chamber and the high vacuum buffer chamber, between the high vacuum buffer chamber and the intermediate vacuum buffer chamber, between the intermediate vacuum buffer chamber and the low vacuum buffer chamber, for maintaining the degree of vacuum between the chambers.

한편, 상기 공정 챔버는, 기판에 유기 박막을 증착하기 위한 유기막 증착 챔버, 또는 기판에 금속 박막을 증착하기 위한 금속막 증착 챔버인 것이 바람직하여, 선형 증착 시스템 적용시 공정 시간을 현저히 단축시키게 된다.Meanwhile, the process chamber is preferably an organic film deposition chamber for depositing an organic thin film on a substrate, or a metal film deposition chamber for depositing a metal thin film on a substrate, which significantly shortens the process time in the application of the linear deposition system .

상기 과제 해결 수단에 의해 본 발명은, 공정 챔버의 일측에 진공 완충 챔버를 설치하여 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때 진공도 차를 완충시켜, 공정 챔버 내부의 진공도를 유지하면서도 공정 챔버나 그 주변 장치의 오염 및 기판의 손상을 최소화하고, 진공 공정에 있어서 공정 시간을 단축시키는 효과가 있다.According to the present invention, a vacuum buffer chamber is provided on one side of a process chamber to buffer a difference in vacuum degree when proceeding from a process chamber to a next process, thereby maintaining the degree of vacuum inside the process chamber, Thereby minimizing contamination and damage to the substrate, and shortening the processing time in the vacuum process.

또한, 기판 물류 시간에 대응하기 위해 단일 진공 완충 챔버 내에 복수 개의 기판이송부를 형성하여, 비용을 절감시키면서, 전체 공정 시간을 더욱 단축시키는 효과가 있다.Further, a plurality of substrates are formed in a single vacuum buffer chamber in order to cope with the substrate distribution time, thereby reducing the cost and further shortening the entire process time.

도 1 - 본 발명에 따른 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템의 주요부에 대한 모식도. FIG. 1 is a schematic view of a main portion of a linear deposition system having a vacuum buffer chamber according to the present invention. FIG.

본 발명은 선형 형태의 공정 챔버가 연속적으로 형성되어, 기판에 대한 공정이 인라인으로 이루어지는 선형 증착 시스템에 관한 것으로서, 특히 공정 챔버 간 또는 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때, 공정 챔버와의 진공도 차를 최소화시키기 위해 진공 완충 챔버가 더 구비된 선형 증착 시스템에 관한 것이다.
The present invention relates to a linear deposition system in which process chambers in a linear form are formed continuously and in which the process for the substrate is in-line. In particular, when proceeding from one process chamber to another, To a linear deposition system further comprising a vacuum buffer chamber for minimization.

이하에서는 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 대해 상세히 설명하고자 한다. 도 1은 본 발명에 따른 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템의 주요부에 대한 모식도이다.Hereinafter, the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a schematic view of a main portion of a linear deposition system having a vacuum buffer chamber according to the present invention; FIG.

도시된 바와 같이 본 발명은, 선형 형태의 공정 챔버(미도시)가 구비되어 기판에 대한 공정이 이루어지는 선형 증착 시스템에 있어서, 상기 공정 챔버의 일측에 상기 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때 공정 챔버와의 진공도 차를 완충시키기 위한 진공 완충 챔버가 더 형성된 것을 특징으로 한다.As shown, the present invention provides a linear deposition system in which a linear process chamber (not shown) is provided to process a substrate, wherein one side of the process chamber is provided with a process chamber And a vacuum buffer chamber for buffering the difference in vacuum degree of the vacuum chamber.

일반적으로 선형 증착 시스템은 다수개의 공정 챔버가 선형으로 배치 형성되어, 각 공정 챔버를 기판이 이동하면서, 기판에 대한 공정이 이루어지는 것으로서, 이러한 공정은 어느 정도의 고진공(10-4Torr 이상) 상태에서 이루어지게 된다.Generally, in a linear deposition system, a plurality of process chambers are linearly arranged, and a process is performed on a substrate while moving a substrate to each process chamber. This process is performed under a certain degree of high vacuum (10 -4 Torr or more) .

이러한 고진공 상태에 도달하기 위해서는 수십 분 또는 그 이상의 시간이 소요되게 되므로, 공정 시간의 상당한 부분이 일정 진공도에 다다르고, 이를 유지하는데 사용되게 되며, 이는 공정물류시간(Tact Time)의 많은 부분을 차지하게 된다.Since it takes several tens of minutes or more to reach such a high vacuum state, a considerable part of the process time reaches a certain degree of vacuum and is used to maintain it, which takes up a large part of the process time (tact time) .

그러나, 외부에서 공정 챔버로의 기판의 인입 및 공정 챔버에서 외부로의 기판 인출시에는 필연적으로 공정 챔버 내부의 진공 상태를 해제할 수 밖에 없으며, 이러한 상황에서는 공정 챔버 내부의 오염, 기판의 손상과 더불어 다시 일정한 공정 진공도에 도달하기 위해서는 많이 시간이 소요되게 된다.However, it is inevitably necessary to release the vacuum state inside the process chamber when the substrate is taken in from the outside to the process chamber and the substrate is taken out of the process chamber. In such a situation, contamination of the process chamber, In addition, it takes a lot of time to reach a certain process vacuum level again.

본 발명은 이러한 고진공 하에서 공정이 이루어지는 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때 진공도 차를 최대한 줄여서, 공정 챔버 내부의 진공도를 유지하면서도 공정 챔버나 그 주변 장치의 오염을 최소화하고, 기판의 손상을 줄이도록 하기 위한 것으로서, 공정 챔버 일측에 진공 완충 챔버를 더 설치한 것이다.The present invention minimizes the difference in vacuum degree when proceeding from the process chamber to the next process under such high vacuum to minimize contamination of the process chamber and its peripheral devices while maintaining the degree of vacuum within the process chamber, A vacuum buffer chamber is further provided on one side of the process chamber.

본 발명에 따른 상기 진공 완충 챔버는 공정 챔버와 연결되어 형성되는 것이 바람직하다.The vacuum buffer chamber according to the present invention is preferably connected to the process chamber.

여기에서 공정 챔버라 함은, 선형 증착 시스템에서는 일반적으로 기판에 유기 박막을 증착하기 위한 유기막 증착 챔버 또는 기판에 금속 박막을 증착하기 위한 금속막 증착 챔버를 말하는 것으로, 이러한 유기막 증착 챔버 및 금속막 증착 챔버가 기판에 증착시키고자 하는 박막의 종류에 따라 다수 개가 선형으로 배열되어 형성된 것이다.Here, the process chamber refers to a metal film deposition chamber for depositing a metal thin film on an organic film deposition chamber or a substrate for depositing an organic thin film on a substrate in a linear deposition system, A plurality of the film deposition chambers are linearly arranged according to the kind of the thin film to be deposited on the substrate.

그리고, 상기에서의 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행한다는 것은 여러 가지 경우가 있을 수 있다.There are many cases in which the process proceeds from the process chamber to the next process.

먼저, 선형으로 배열된 유기막 공정 챔버 간에도 기판에 증착되는 유기 박막의 물성에 따라 그 진공도 차이가 존재하게 되면, 유기막 공정 챔버 사이에 본 발명에 따른 진공 완충 챔버가 설치될 수 있다.First, a vacuum buffer chamber according to the present invention may be installed between the organic film processing chambers, if there is a difference in the degree of vacuum depending on the properties of the organic thin film deposited on the substrate even in the linearly arranged organic film processing chambers.

그리고, 위의 경우와 마찬가지로 금속막 증착 챔버 간에도 기판에 증착되는 금속 박막의 물성에 따라 그 진공도 차이가 존재하게 되면, 금속막 증착 챔버 사이에 본 발명에 따른 진공 완충 챔버가 설치될 수 있다.Also, as in the above case, if there is a difference in degree of vacuum between the metal film deposition chambers depending on the physical properties of the metal thin film deposited on the substrate, the vacuum buffer chamber according to the present invention can be installed between the metal film deposition chambers.

그리고, 대기압 상태에서 기판을 공정 챔버에 투입시키고자 할 때, 여기에서는 일반적으로 유기막 증착 챔버의 일측에 진공 완충 챔버가 설치될 수 있다.When a substrate is to be introduced into the process chamber at an atmospheric pressure, a vacuum buffer chamber may be provided at one side of the organic film deposition chamber.

또한, 박막의 증착이 완료된 기판을 외부로 인출하고자 할 때도, 여기에서는 일반적으로 금속막 증착 챔버의 일측에 진공 완충 챔버가 설치될 수 있다.Also, when a substrate on which a thin film is deposited is to be taken out, a vacuum buffer chamber may be provided on one side of the metal film deposition chamber.

이와 같이 진공도 차가 존재하는 공정 간에 진공도 차에 의한 기판 손상, 주변 장치 오염을 방지하고, 또 다시 공정 진공에 도달하기 위한 시간을 절약하기 위해서 진공 완충 챔버가 필요한 것이다.Thus, a vacuum buffer chamber is required to prevent damage to the substrate due to difference in vacuum degree between the processes in which the difference in vacuum degree exists and peripheral device contamination, and to save time for reaching the process vacuum again.

이러한 진공 완충 챔버는 상기 공정 챔버에서부터 상기 공정 챔버의 진공도보다 상대적으로 낮은 진공도 순으로 고진공 완충 챔버(100), 중진공 완충 챔버(200) 및 저진공 완충 챔버(300)가 연속적으로 형성된 것이다.The vacuum buffer chamber is continuously formed from the process chamber to the vacuum chamber 100, the vacuum chamber 200, and the vacuum chamber 300 in the order of vacuum degree relatively lower than the vacuum degree of the process chamber.

즉, 일반적으로 공정 챔버에서는 고진공(10-4Torr) 이상의 공정 진공도에서 공정이 이루어지게 되므로, 다음 공정에서는 이보다 낮은 공정 진공도를 가지는 경우가 대부분으로, 공정 챔버에서 순차적으로 고진공, 중진공, 그리고 저진공의 순으로 진공 완충 챔버가 형성되는 것이다.That is, generally, in a process chamber, a process is performed at a process vacuum of high vacuum (10 -4 Torr) or higher. Therefore, in the next process, the process chamber has a lower process vacuum, and a high vacuum, a medium vacuum, The vacuum buffer chamber is formed in this order.

이와 같이 본 발명에 따른 진공 완충 챔버는 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때, 다음 공정에서 공정 챔버와의 진공도 차를 완충시키기 위한 것으로, 이러한 진공도 차가 존재하는 공정 간에는 이를 적용할 수 있을 것이며, 다양한 실시예가 존재하게 된다.
As described above, the vacuum buffer chamber according to the present invention buffers the difference in vacuum degree between the process chamber and the process chamber in the next process when the vacuum chamber is moved from the process chamber to the next process. An example exists.

이하에서는 본 발명의 일실시예로, 기판에 대한 처리가 완료된 상태 즉, 기판에 유기 박막 및 금속 박막의 증착이 완료되어, 기판을 공정 챔버에서 외부로 인출하고자 하는 경우에 대해 설명하고자 한다. 일반적으로 이 경우엔 공정 챔버가 금속막 증착 챔버가 될 것이다.Hereinafter, an embodiment of the present invention will be described in which the substrate is completely processed, that is, the organic thin film and the metal thin film are completely deposited on the substrate, and the substrate is taken out of the process chamber. Generally, in this case, the process chamber will be the metal film deposition chamber.

본 발명에 따른 진공 완충 챔버는 상기 공정 챔버에서부터 상기 공정 챔버의 진공도보다 상대적으로 낮은 진공도 순으로 고진공 완충 챔버(100), 중진공 완충 챔버(200) 및 저진공 완충 챔버(300)가 연속적으로 형성되게 된다.The vacuum buffer chamber according to the present invention is configured such that the high vacuum buffer chamber 100, the heavy vacuum buffer chamber 200 and the low vacuum buffer chamber 300 are continuously formed from the process chamber to a vacuum degree relatively lower than the vacuum degree of the process chamber do.

여기에서, 통상 공정 챔버에서의 공정 진공도로서 고진공이라 함은 10-4Torr 이상의 진공도를 말하며, 따라서 고진공 완충 챔버(100)는 10-4Torr~10-2Torr, 중진공 완충 챔버(200)는 10-2Torr~10-1Torr, 저진공 완충 챔버(300)는 10-1Torr~대기압 정도의 진공도를 갖는 것이다.Here, as a high vacuum process, the vacuum degree in the normal process chamber also refers to a degree of vacuum of 10 -4 Torr or more, thus high vacuum buffer chamber 100 is 10 -4 Torr ~ 10 -2 Torr, Medium vacuum buffer chamber 200 10 -2 Torr to 10 -1 Torr, and the low vacuum buffer chamber 300 has a degree of vacuum of about 10 -1 Torr to atmospheric pressure.

즉, 공정 챔버의 공정 진공도에서 각각의 독립된 진공 완충 챔버를 순차적으로 대기압 상태와 가깝게 배치하여, 고진공 상태에서 대기압 상태인 공정 진행 과정에 있어서, 그 사이의 진공도를 가지는 진공 완충 챔버를 구비함으로써, 공정이 완료된 기판의 오염 및 공정 챔버의 오염을 최소화하고, 공정 챔버의 진공도를 최대한 유지하기 위한 것이다.That is, by providing the vacuum buffer chambers having a degree of vacuum therebetween in the course of the process of being in an atmospheric pressure state in a high vacuum state by disposing each independent vacuum buffer chamber in close proximity to the atmospheric pressure state in the process vacuum degree of the process chamber, To minimize contamination of the finished substrate and contamination of the process chamber, and to maintain the vacuum of the process chamber to a maximum.

한편, 공정 챔버에서 이송된 기판은 고진공 완충 챔버(100)에 먼저 이송된 후, 중진공 완충 챔버(200) 그리고 저진공 완충 챔버(300)를 거쳐 대기압 상태의 외부로 인출되게 된다. 이러한 기판 이송은 공정 챔버에서와 마찬가지로 인라인 형태로 기판이 연속적으로 이송되는 것이 바람직하다.Meanwhile, the substrate transferred from the process chamber is first transferred to the high vacuum buffer chamber 100, and then is drawn out to the outside of the atmospheric pressure state through the high vacuum buffer chamber 200 and the low vacuum buffer chamber 300. Such substrate transfer is preferably carried out in a continuous manner in an in-line manner as in a process chamber.

이를 위해 상기 고진공 완충 챔버(100), 중진공 완충 챔버(200) 및 저진공 완충 챔버(300) 내부에는 기판이송부(400)가 형성되어, 상기 공정 챔버로부터 이송된 기판을 순차적으로 이송되도록 한다.A substrate transfer section 400 is formed in the high vacuum buffer chamber 100, the heavy vacuum buffer chamber 200 and the low vacuum buffer chamber 300 to sequentially transfer substrates transferred from the process chamber.

상기 기판이송부(400)는 일반적으로 선형 증착 시스템에서의 기판이송라인과 비슷한 원리에 의해 작동하는데, 기판이 안착되는 기판이송벨트(410)와, 상기 기판이송벨트(410)를 구동시키는 기판이송롤러(420)에 의해 작동되게 된다.The substrate transferring part 400 generally operates by a principle similar to that of the substrate transferring line in a linear deposition system. The transferring part 400 includes a substrate transferring belt 410 on which the substrate is placed, a substrate transferring belt 410 for driving the substrate transferring belt 410, And is operated by the roller 420.

즉, 상기 공정 챔버로부터 이송된 기판은 먼저 고진공 완충 챔버(100) 내부의 기판이송벨트(410)에 안착되어 기판이송롤러(420)의 회전 방향으로 이동하게 되면서, 다음 중진공 완충 챔버(200) 그 다음 저진공 완충 챔버(300)로 이동한 후 최종적으로 외부로 인출되게 된다.That is, the substrate transferred from the process chamber is first placed on the substrate transfer belt 410 inside the high-vacuum buffer chamber 100 and moved in the rotating direction of the substrate transfer roller 420, Then moved to the next vacuum buffer chamber 300, and finally taken out to the outside.

한편, 이러한 기판이송부(400)는 진공 완충 챔버 내부에서 복수 개가 배치될 수도 있는데, 이는 공정 챔버로부터 이송되는 기판의 속도보다 각 진공 완충 챔버의 진공도를 변경하는 시간이 더 많이 소요되는 경우에, 기판이송부(400)를 복수 개 구비하여 더 많은 기판의 이송을 한꺼번에 실현시키기 위한 것이다.Alternatively, a plurality of such substrate transfer sections 400 may be disposed inside the vacuum buffer chamber, which may require more time to change the vacuum degree of each vacuum buffer chamber than the speed of the substrate transferred from the process chamber, A plurality of substrate transfer sections 400 are provided so that more substrates can be transferred at once.

도 1에 도시된 바와 같이 2단으로 수직으로 기판이송부(400)가 형성된 경우를 살펴보면, 공정 챔버에서 공정이 완료된 기판의 이송이 이루어지면 공정 챔버와 바로 연결되어 있는 고진공 완충 챔버(100)의 셔터(600)가 열리면서 기판이송부(400)의 기판이송벨트(410)에 기판이 안착된 후 이 기판이송부(400)는 밑으로 내려오고, 나머지 기판이송부(400)가 상승하여 공정 챔버로부터 이송된 기판을 안착시키게 된다.As shown in FIG. 1, when the substrate transfer unit 400 is formed vertically in two stages, when the substrate is completely transferred in the process chamber, the high vacuum buffer chamber 100 After the shutter 600 is opened and the substrate is placed on the substrate transfer belt 410 of the substrate transfer unit 400, the transfer unit 400 is lowered and the transfer unit 400 is moved upward, Thereby restricting the substrate conveyed therefrom.

이는 앞서 설명한 바와 같이 공정 챔버에서 이송되는 기판의 속도보다 중진공 완충 챔버(200)가 일정 레벨의 진공도로 변경되는 시간 동안 최대한 많은 기판을 고진공 완충 챔버(100) 내부로 이송받기 위함으로, 본 발명의 일실시예에서는 두개의 기판이송부(400)가 형성된 것을 설명하였지만, 실험 조건에 따라서 더 많은 수의 기판이송부(400)를 설치할 수 있다.This is because as many substrates as possible are transferred to the inside of the high vacuum buffer chamber 100 during the time when the vacuum chamber 200 is changed to a vacuum level of a certain level than the speed of the substrate transferred in the process chamber as described above, Although two substrate transfer sections 400 are illustrated in the embodiment, a larger number of substrate transfer sections 400 may be provided according to experimental conditions.

이 경우 고진공 완충 챔버(100)는 공정 진공도와 거의 동일한 고진공도에서 기판의 이송이 이루어지게 되며, 중진공 완충 챔버(200)에서 중진공으로의 진공도가 변경되면, 중진공 완충 챔버(200)의 셔터(600)가 열리면서 순차적으로 기판이송부(400)에 안착된 기판이 중진공 완충 챔버(200)의 기판이송부(400)로 이동하게 된다.In this case, the substrate is transported in the high vacuum buffer chamber 100 at a high vacuum degree almost equal to the process vacuum degree. When the degree of vacuum from the vacuum buffer chamber 200 to the vacuum chamber is changed, the shutter 600 of the vacuum buffer chamber 200 The substrate on which the substrate is sequentially placed on the transfer unit 400 is moved to the transfer unit 400 of the vacuum chamber 200.

따라서, 고진공 완충 챔버(100)는 처음엔 10-4Torr의 진공도를 가지게 되나, 중진공 완충 챔버(200)의 셔터(600)가 열리면 10-2Torr의 진공도까지 진공도가 떨어지게 되므로, 고진공 완충 챔버(100)는 10-4Torr~10-2Torr 범위의 진공도를 가지게 된다.Accordingly, the high vacuum buffer chamber 100 initially has a vacuum degree of 10 -4 Torr. However, when the shutter 600 of the vacuum buffer chamber 200 is opened, the degree of vacuum drops to 10 -2 Torr. 100) has a degree of vacuum ranging from 10 -4 Torr to 10 -2 Torr.

그리고, 저진공 완충 챔버(300)의 진공도가 변경될 때까지, 중진공 완충 챔버(200)의 기판이송부(400)로 기판을 순차적으로 이송시킨 후, 저진공 완충 챔버(300)의 진공도가 어느 레벨까지 도달하면 저진공 완충 챔버(300)의 셔터(600)가 열리면서 저진공 완충 챔버(300) 내부로 기판이 이송되게 된다.The substrate of the heavy vacuum buffer chamber 200 is sequentially transferred to the transfer section 400 until the degree of vacuum of the low vacuum buffer chamber 300 is changed so that the degree of vacuum of the low vacuum buffer chamber 300 The substrate 600 is transferred to the inside of the low vacuum buffer chamber 300 while the shutter 600 of the low vacuum buffer chamber 300 is opened.

따라서, 저진공 완충 챔버(300)의 셔터(600)가 열리기 전에는 10-2Torr의 진공도를 갖다고 이 셔터(600)가 열리게 되면 10-1Torr의 진공도로 떨어지게 되므로, 중진공 완충 챔버(200)는 10-2Torr~10-1Torr 범위의 진공도를 가지게 된다.Therefore, when the shutter 600 of the low-vacuum buffer chamber 300 is opened to a degree of vacuum of 10 -2 Torr before the shutter 600 is opened, the vacuum 600 is lowered to a vacuum degree of 10 -1 Torr, Has a vacuum degree in the range of 10 -2 Torr to 10 -1 Torr.

저진공 완충 챔버(300) 내부로 이송된 기판은 어느 정도 기판의 이송이 완료되면 셔터(600)를 열어 기판을 인출하게 된다. 따라서, 기판의 외부 인출을 위한 셔터(600)가 열리기 전에는 10-1Torr의 진공도를 갖다고 이 셔터(600)가 열리게 되면 대기압으로 진공도가 떨어지게 되므로, 저진공 완충 챔버(300)는 10-1Torr~대기압 범위의 진공도를 가지게 된다.The substrate transferred to the inside of the vacuum buffer chamber 300 is opened to open the shutter 600 when the transfer of the substrate is completed to some extent. Therefore, when the shutter 600 for the external extension of the substrate and take the degree of vacuum of 10-1 Torr prior to open the shutter 600 is open, so the degree of vacuum falls to atmospheric pressure, low vacuum buffer chamber 300 10-1 Torr to atmospheric pressure.

이와 같이, 각각의 진공 완충 챔버들은 인접하는 진공 완충 챔버들 간에 진공도의 영향을 주지 않도록 독립된 챔버를 이루는 것이 바람직하며, 이를 위해 공정 챔버와 고진공 완충 챔버(100) 사이, 고진공 완충 챔버(100) 및 중진공 완충 챔버(200) 사이, 중진공 완충 챔버(200) 및 저진공 완충 챔버(300) 사이에는 챔버 간 진공도 유지를 위한 셔터(600)가 형성되는 것이 바람직하다. 따라서, 기판을 이송하는 경우에만 셔터(600)가 오픈되도록 하여 최대한 각 챔버들의 진공도를 변경시키지 않도록 한다.As such, it is preferred that each of the vacuum buffer chambers be a separate chamber so as not to affect the degree of vacuum between adjacent vacuum buffer chambers, and for this purpose, between the process chamber and the high vacuum buffer chamber 100, between the high vacuum buffer chamber 100 and Between the vacuum chamber 200 and the vacuum chamber 200, a shutter 600 for maintaining the degree of vacuum between chambers is preferably formed between the vacuum chamber 200 and the vacuum chamber 300. Accordingly, only when the substrate is transferred, the shutter 600 is opened so that the vacuum degree of each of the chambers is not changed as much as possible.

상기의 예는 공정 챔버의 고진공 공정 진공에서 대기압으로의 순차적인 분위기 전환을 위한 것이나, 기판을 공정 챔버로 인입시키는 경우에는 대기압에서 고진공 공정 진공으로의 순차적인 분위기 전환을 수행하도록 한다.The above example is for sequentially changing the atmosphere from the high vacuum process chamber to the atmospheric pressure in the process chamber, but in order to switch the atmosphere from the atmospheric pressure to the vacuum process chamber sequentially when the substrate is introduced into the process chamber.

한편, 기판이송부(400)는 승하강모듈에 의해 순차적으로 승하강되는데, 상기 승하강 모듈은 진공 완충 챔버 하측에 위치하고, 상기 기판이송부(400) 하부에 접촉하여 상기 기판이송부(400)를 승하강시키는 샤프트(510)에 의해 구현된다.The substrate transferring unit 400 is sequentially moved up and down by an elevating and lowering module. The elevating and lowering module is located below the vacuum buffering chamber. The substrate contacts the lower part of the transferring unit 400, And a shaft 510 for raising and lowering the shaft.

즉, 복수 개로 형성된 기판이송부(400)에 있어서, 하나의 기판이송부(400)에 기판의 안착이 완료되면 승하강모듈의 작동으로 이를 밑으로 내리고, 밑에 있는 다른 기판이송부(400)가 위로 올려져 다음번 이송된 기판을 안착시키게 된다. 이 경우 진공 완충 챔버의 공간의 효율성을 고려하여 기판이송부(400)를 수직으로 승하강시키는 것 뿐만 아니라 수평으로도 움직이도록 하여, 복수 개의 기판이송부(400)가 순차적으로 기판을 안착하고 물러나고 다음 기판이송부(400)가 기판을 안착할 수 있도록 작동이 이루어지도록 한다.That is, when the substrate is placed on one of the plurality of substrate transfer sections 400, the substrate is lowered by the operation of the up / down module, and the other substrate below the transfer section 400 So that the next transferred substrate is seated. In this case, considering the efficiency of the space in the vacuum buffer chamber, the substrate moves not only vertically up and down but also horizontally, so that a plurality of substrate transfer units 400 sequentially seats and moves the substrate So that the next substrate transfer section 400 is operated so that the substrate can be seated.

상기 승하강모듈은 도 1에서는 고진공 완충 챔버(100)에만 도시하였지만, 필요에 의해서는 다른 진공 완충 챔버에도 설치할 수 있다.Although the upward / downward module is shown only in the high vacuum buffer chamber 100 in FIG. 1, it may be installed in other vacuum buffer chambers as needed.

이러한 방식은 더 빠른 기판 물류 시간에 대응하기 위해 단일 진공 완충 챔버 내에 복수 개의 기판이송부를 형성한 것으로서, 단일 진공 완충 챔버를 구성하고 하나의 진공 펌프에 의해 작동되도록 하여 비용을 절감시키면서, 전체 공정 시간을 단축시키기 위함이다.This method is a method in which a plurality of substrates are formed in a single vacuum buffer chamber in order to cope with a faster substrate transportation time, and a single vacuum buffer chamber is constituted and operated by a single vacuum pump, This is to shorten the time.

100 : 고진공 완충 챔버 200 : 중진공 완충 챔버
300 : 저진공 완충 챔버 400 : 기판이송부
410 : 기판이송벨트 420 : 기판이송롤러
510 : 샤프트 600 : 셔터100: high vacuum buffer chamber 200: heavy vacuum buffer chamber
300: low vacuum buffer chamber 400: substrate transfer
410: substrate transfer belt 420: substrate transfer roller
510: Shaft 600: Shutter

Claims (9)

선형 형태의 공정 챔버가 구비되어 기판에 대한 공정이 이루어지는 선형 증착 시스템에 있어서,
상기 공정 챔버의 일측에 상기 공정 챔버에서 다음 공정으로 진행될 때 상기 공정 챔버와의 진공도 차를 완충시키기 위한 진공 완충 챔버가 더 형성된 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.1. A linear deposition system in which a linear process chamber is provided to process a substrate,
Wherein a vacuum buffer chamber for buffering a difference in vacuum degree between the process chamber and the process chamber is further formed on one side of the process chamber. 제 1항에 있어서, 상기 진공 완충 챔버는,
상기 공정 챔버에서부터 상기 공정 챔버의 진공도보다 상대적으로 낮은 진공도 순으로 고진공 완충 챔버, 중진공 완충 챔버 및 저진공 완충 챔버가 연속적으로 형성된 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.The vacuum cushioning apparatus according to claim 1,
Wherein a vacuum buffer chamber, a vacuum chamber, and a vacuum chamber are continuously formed from the process chamber to a vacuum degree relatively lower than a vacuum level of the process chamber. 제 2항에 있어서, 상기 고진공 완충 챔버, 중진공 완충 챔버 및 저진공 완충 챔버의 내부에는 기판이송부가 형성되어, 상기 공정 챔버로부터 이송된 기판을 순차적으로 이송하는 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.The vacuum cushioning apparatus as claimed in claim 2, wherein a substrate transfer section is formed in the high vacuum buffer chamber, the heavy vacuum buffer chamber and the low vacuum buffer chamber, and the substrate transferred from the process chamber is sequentially transferred. ≪ / RTI > 제 3항에 있어서, 상기 기판이송부는,
기판이 안착되는 기판이송벨트와, 상기 기판이송벨트를 구동시키는 기판이송롤러를 포함하는 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.4. The apparatus according to claim 3,
A substrate transfer belt on which a substrate is placed, and a substrate transferring roller for driving the substrate transferring belt. 제 3항에 있어서, 상기 기판이송부는
복수 개가 배치되는 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.4. The apparatus according to claim 3,
And a plurality of vacuum evaporation chambers are disposed in the vacuum evaporation chamber. 제 5항에 있어서, 상기 고진공 완충 챔버에 형성된 기판이송부는,
승하강모듈에 의해 순차적으로 승하강되는 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.6. The apparatus of claim 5, wherein the substrate transfer section formed in the high-
And wherein the substrate is sequentially moved up and down by the ascending / descending module. 제 6항에 있어서, 상기 승하강모듈은,
고진공 완충 챔버 하측에 위치하고, 상기 기판이송부 하부에 접촉하여 상기 기판이송부를 승하강시키는 샤프트에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.7. The apparatus of claim 6, wherein the ascending /
Wherein the substrate is driven by a shaft located below the high vacuum buffer chamber and contacting the substrate with the lower portion of the transfer portion to cause the substrate to move up and down the transfer portion. 제 3항에 있어서, 상기 공정 챔버와 고진공 완충 챔버 사이, 고진공 완충 챔버 및 중진공 완충 챔버 사이, 중진공 완충 챔버 및 저진공 완충 챔버 사이에는 각 챔버 간 진공도 유지를 위한 셔터가 더 구비되는 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.4. The apparatus of claim 3, further comprising a shutter between the process chamber and the high vacuum buffer chamber, between the high vacuum buffer chamber and the medium vacuum buffer chamber, between the medium vacuum buffer chamber and the low vacuum buffer chamber, A linear deposition system with a vacuum buffer chamber. 제 1항 내지 제 8항 중의 어느 한 항에 있어서, 상기 공정 챔버는,
기판에 유기 박막을 증착하기 위한 유기막 증착 챔버,
또는 기판에 금속 박막을 증착하기 위한 금속막 증착 챔버인 것을 특징으로 하는 진공 완충 챔버가 구비된 선형 증착 시스템.9. The process chamber according to any one of claims 1 to 8,
An organic film deposition chamber for depositing an organic thin film on a substrate,
Or a metal film deposition chamber for depositing a metal thin film on a substrate.
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