KR20140115829A - 식각 장치 - Google Patents

식각 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20140115829A
KR20140115829A KR1020130031019A KR20130031019A KR20140115829A KR 20140115829 A KR20140115829 A KR 20140115829A KR 1020130031019 A KR1020130031019 A KR 1020130031019A KR 20130031019 A KR20130031019 A KR 20130031019A KR 20140115829 A KR20140115829 A KR 20140115829A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
substrate
injection member
injection
jetting
nozzles
Prior art date
Application number
KR1020130031019A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102094943B1 (ko
Inventor
함윤식
전재광
Original Assignee
삼성디스플레이 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성디스플레이 주식회사 filed Critical 삼성디스플레이 주식회사
Priority to KR1020130031019A priority Critical patent/KR102094943B1/ko
Priority to US14/219,640 priority patent/US20140283993A1/en
Publication of KR20140115829A publication Critical patent/KR20140115829A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102094943B1 publication Critical patent/KR102094943B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
    • H01L21/306—Chemical or electrical treatment, e.g. electrolytic etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Weting (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

본 발명의 일 측면에 따른 실시예에 따른 식각 장치는 기판을 경사지게 지지하는 지지부재와, 상기 기판에 식각액을 분사하는 제1 분사부재, 및 상기 제1 분사부재보다 더 많은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제2 분사부재를 포함하고, 상기 제1 분사부재는 상기 기판의 하단과 인접하게 배치되며, 상기 제2 분사부재는 상기 기판의 상단과 인접하게 배치된다.

Description

식각 장치{ETCHING APPARATUS}
본 발명은 식각 장치에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 습식 식각 장치에 관한 것이다.
평판 디스플레이 패널 및 반도체의 제작에 있어서 식각 방법이 널리 사용되고 있다.
식각 방법은 기판을 식각액에 담그어 식각하는 디핑 식각(Dipping Etching) 방식과, 기판에 식각액을 분사하여 식각하는 샤워 식각(Shower Etching) 방식을 예로 들 수 있다.
디핑 식각 방식은, 기판의 전체 면적에서 두께 균일도가 낮고, 초기 대비 식각율의 저하 속도가 크며, 식각액을 담는 액조가 크고, 이로 인하여 유지 보수가 어려우며, 발생된 슬러지의 제거가 어려운 단점을 가진다.
또한 샤워 식각 방식은, 식각액이 균일하게 분사되지 못할 때, 오버 식각(over etching)이 발생하거나 기판에 얼룩이 발생하는 문제점을 가진다. 특히 식각액이 분사된 후, 배출되는 경로 상의 위치에 따라서 식각액과 접촉하는 시간 및 면적이 달라지므로 일부 영역에서 식각이 제대로 이루어지지 못하는 문제가 발생한다.
본 발명은 균일한 식각을 수행할 수 있는 식각 장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 일 측면에 따른 실시예에 따른 식각 장치는 기판을 경사지게 지지하는 지지부재와, 상기 기판에 식각액을 분사하는 제1 분사부재, 및 상기 제1 분사부재보다 더 많은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제2 분사부재를 포함하고, 상기 제1 분사부재는 상기 기판의 하단과 인접하게 배치되며, 상기 제2 분사부재는 상기 기판의 상단과 인접하게 배치된다.
상기 제1 분사부재는 이어져 배치된 이송관과 이송관에 설치된 복수 개의 노즐들을 포함하고, 상기 제2 분사부재는 이어져 배치된 이송관과 이송관에 설치된 복수 개의 노즐들을 포함할 수 있다.
상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 개수는 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 개수보다 더 많게 형성될 수 있으며, 상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 개수는 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 개수의 1.2배 내지 3배로 이루어질 수 있다.
상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경은 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경보다 더 크게 형성될 수 있으며, 상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경은 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경의 1.1배 내지 3배로 이루어질 수 있다.
상기 제1 분사부재 및 상기 제2 분사부재에는 상기 제1 분사부재 및 상기 제2 분사부재로 식각액을 공급하는 분배관이 연결 설치되고, 상기 분배관에는 복수 개의 제2 분사부재가 연결 설치되며, 상기 제2 분사부재들은 상기 제1 분사부재보다 더 상기 기판의 상단과 인접하도록 배치될 수 있다.
상기 식각 장치는 상기 제2 분사부재 보다 더 적은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하며, 상기 제1 분사부재 보다는 더 많은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제3 분사부재를 더 포함하고, 상기 제3 분사부재는 상기 제2 분사부재와 상기 제1 분사부재 사이에 배치될 수 있다.
상기 제3 분사부재는 상기 제2 분사부재 보다 더 적은 개수의 노즐을 갖고, 상기 제1 분사부재 보다 더 많은 개수의 노즐을 갖도록 이루어질 수 있으며, 상기 식각 장치는 상기 제3 분사부재 보다 더 적은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제4 분사부재와 상기 제4 분사부재 보다 더 적은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제5 분사부재를 더 포함하고, 상기 제4 분사부재는 상기 제1 분사부재 보다는 더 많은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하며, 상기 제4 분사부재는 상기 제3 분사부재와 상기 제5 분사부재 사이에 배치되고, 상기 제5 분사부재는 상기 제4 분사부재와 상기 제1 분사부재 사이에 배치될 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 경사지게 배치된 기판에 대하여 식각액의 분사량을 달리 설정함으로써 식각 불량이 발생하는 것을 감소시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 사시도이다.
도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 측면도이다.
도 3a는 종래의 식각 장치를 이용하여 식각된 기판을 도시한 사진이고, 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 이용하여 식각된 기판을 도시한 사진이다.
도 4a는 종래의 식각 장치를 이용하여 식각된 기판의 임계 치수를 도시한 그래프이고, 도 4b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 이용하여 식각된 기판의 임계 치수를 도시한 그래프이다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 사시도이다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 사시도이다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 사시도이다.
도 8a는 본 발명의 제4 실시예에 따른 제1 노즐을 도시한 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 제2 노즐을 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
명세서 전체에서, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 또한, 본 기재에 있어서 “~상에”라 함은 대상부재의 위 또는 아래에 위치함을 의미하는 것이며, 반드시 중력방향을 기준으로 상부에 위치하는 것을 의미하는 것은 아니다.
도 1은 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 구성도이고 도 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 측면도이다.
도 1 및 도 2를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 식각 장치(101)는 기판(10)에 식각액을 분사하는 제1 분사부재(21)와 제2 분사부재(31) 및 기판(10)을 지지하는 지지부재(16)를 포함한다.
기판(10)은 유기 발광 표시 장치, 액정 표시 장치 등의 평판 디스플레이에 적용되는 기판일 수 있으며, 반도체 웨이퍼 등 다양한 종류의 기판이 적용될 수 있다. 기판(10)은 사각판, 원판 등 다양한 형태로 이루어질 수 있다.
기판(10)과 지지부재(16) 및 분사부재들(21, 31)은 챔버(15) 내에 설치되는데, 챔버(15)는 대략 사각형상의 방으로 이루어진다. 또한, 챔버(15)에는 기판(10)이 유입 또는 배출될 수 있도록 개구가 형성된다.
지지부재(16)는 기판(10)을 지지 및 이송하며, 기판(10)의 일측 측단이 타측 측단보다 더 하부에 위치하도록 기판(10)을 경사지게 지지한다. 기판(10)은 하부 측단(10a)이 상부 측단(10b) 보다 더 아래에 위치하도록 지면에 대하여 경사각(θ)을 갖는다. 상기한 바와 같이 기판(10)이 경사지게 배치되면 공급된 식각액의 배출이 용이하게 기판(10)이 부분적으로 과도하게 식각되는 것을 방지할 수 있다. 즉 기판(10)을 지면과 평행하게 배치하면 기판(10)의 일부에 식각액이 고여서 부분적으로 식각액과 과도하게 접촉할 수 있으며 이 경우 과도한 식각으로 패턴이 정밀하게 형성되지 못하는 문제가 발생한다.
지지부재(16)는 원통형 막대로 이루어지며, 지지부재(16)에는 복수 개의 롤러(16a)가 설치될 수 있다. 기판(10)의 아래에는 기판(10)을 이송시키는 복수 개의 지지부재(16)가 설치되는 바, 지지부재들(16)의 회전에 따라 기판(10)이 챔버(15) 내부로 유입되거나 챔버(15)의 외부로 배출될 수 있다.
제1 분사부재(21)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(21a)과 이송관(21a)에 설치된 복수 개의 노즐들(21b)을 포함한다. 이송관(21a)은 원통형상의 관으로 이루어지며, 이송관(21a)의 하부에 복수 개의 노즐들(21b)이 이격 배치된다. 노즐들(21b)을 통해서 식각액이 기판(10)으로 분사되며 분사된 식각액은 노광된 기판(10)을 식각하여 패턴을 형성한다. 식각 장치(101)는 복수 개의 제1 분사부재(21)을 포함하며, 제1 분사부재들(21)은 기판(10)의 상부 측단(10b)보다 하부 측단(10a)에 더 인접하도록 배치된다.
제2 분사부재(31)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(31a)과 이송관(31a)에 설치된 복수 개의 노즐들(31b)을 포함한다. 이송관(31a)은 원통형상의 관으로 이루어지며, 이송관(31a)의 하부에 복수 개의 노즐들(31b)이 이격 배치된다. 노즐들(31b)을 통해서 식각액이 기판(10)으로 분사되며 분사된 식각액은 노광된 기판(10)을 식각하여 패턴을 형성한다. 식각 장치(101)는 하나의 제2 분사부재(31)을 포함하며, 제2 분사부재는 제2 분사부재(31)는 기판(10)의 상부 측단(10b)과 인접하도록 배치된다.
제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(31)에는 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(31)에 식각액을 공급하는 분배관(50)이 연결 설치되며, 분배관(50)은 복수 개의 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(31)와 연결되어 각 분사부재들(21, 31)로 식각액을 공급한다.
제2 분사부재(31)는 제1 분사부재(21)보다 더 많은 양의 식각액을 기판(10)으로 분사한다. 이를 위해서 제2 분사부재(31)에는 제1 분사부재(21) 보다 더 많은 개수의 노즐(31b)이 설치된다. 제2 분사부재(31)에 설치된 노즐(31b)의 개수는 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 개수의 1.2배 내지 3배로 이루어질 수 있다. 제2 분사부재(31)에 설치된 노즐(31b)의 개수와 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 개수의 비율은 기판(10)의 크기와 경사각 등 식각이 이루어지는 환경에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
제2 분사부재(31)에 설치된 노즐(31b)의 개수가 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 개수의 1.2배 보다 더 적으면 기판의 상부를 적정하게 식각하지 못하는 문제가 있으며, 제2 분사부재(31)에 설치된 노즐(31b)의 개수가 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 개수의 3배 보다 더 크면 과도한 양의 식각액이 분사되어 기판이 과도하게 식각되는 문제가 발생한다.
상기한 바와 같이 본 실시예에 따르면 기판(10)이 경사지게 배치된 상태에서 기판(10)의 상부로 더 많은 양의 식각액을 공급하면 기판(10)의 상부를 적정하게 식각할 수 있다. 기판(10)을 경사지게 배치한 경우, 기판(10)의 상부로 공급된 식각액이 기판(10)의 하부로 이동하므로 기판(10)의 하부는 기판(10)의 상부에 비하여 상대적으로 식각액과 접촉하는 시간이 길어진다. 이에 따라 기판(10)의 하부에 비하여 기판(10)의 상부가 제대로 식각되지 못하는 문제가 발생한다. 그러나 본 실시예에 따르면 기판(10)의 하부에 비하여 기판(10)의 상부에 더 많은 양의 식각액을 공급하므로 기판(10)을 경사지게 배치하더라도 기판(10)을 균일하게 식각할 수 있다.
도 3a는 종래의 식각 장치를 이용하여 식각된 기판을 도시한 사진이고, 도 3b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 이용하여 식각된 기판을 도시한 사진이다.
도 3a에 도시된 바와 같이 종래에는 기판의 상부에 공급되는 식각액의 양이 기판의 하부에 공급되는 식각액의 양에 비하여 많으므로 기판 하부를 기준으로 식각할 경우, 상부가 제대로 식각되지 못하는 문제가 발생한다. 그러나 도 3b에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따르면 동일한 시간을 식각하더라도 상부와 하부가 균일하게 식각된 것을 확인할 수 있다.
도 4a는 종래의 식각 장치를 이용하여 식각된 기판의 임계 치수를 도시한 그래프이고, 도 4b는 본 발명의 제1 실시예에 따른 식각 장치를 이용하여 식각된 기판의 임계 치수를 도시한 그래프이다.
도 4a에 도시된 바와 같이 기판의 상부를 적정하게 식각하기 위해서 식각하는 시간을 연장할 경우, 기판 하부의 임계 치수가 나빠지는 것을 알 수 있다. 그러나 도 4b에 도시된 바와 같이 본 실시예에 따르면 기판의 상부와 하부의 임계 치수가 균일하게 나타나는 것을 확인할 수 있다.
도 5는 본 발명의 제2 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 사시도이다.
도 5를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 식각 장치(102)는 기판(10)에 식각액을 분사하는 제1 분사부재(21)와 제2 분사부재(31) 및 기판(10)을 지지하는 지지부재(16)를 포함한다.
본 실시예에 따른 식각 장치(102)는 제2 분사부재(31)의 개수를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 식각 장치와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구조에 대한 중복 설명은 생략한다.
식각 장치(102)에는 복수 개의 제1 분사부재(21)가 설치되며 제1 분사부재(21)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(21a)과 이송관(21a)에 설치된 복수 개의 노즐들(21b)을 포함한다. 또한, 제2 분사부재(31)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(31a)과 이송관(31a)에 설치된 복수 개의 노즐들(31b)을 포함한다. 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(31)에는 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(31)에 식각액을 공급하는 분배관(50)이 연결 설치되며, 분배관(50)은 복수 개의 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(31)와 연결되어 각 분사부재들(21, 31)로 식각액을 공급한다.
식각 장치(102)는 3 개의 제2 분사부재(31)를 구비한다. 다만 본 발명이 이에 제한되는 것은 아니며 식각 장치(102)는 복수 개의 제2 분사부재(31)를 구비하면 충분하다. 제2 분사부재(31)의 개수는 기판의 크기와 기판(10)의 재질, 식각 시간 등 식각 조건에 따라 다양하게 설정될 수 있다.
제2 분사부재들(31)은 제1 분사부재(21) 보다 더 많은 개수의 노즐(31b)을 포함하며, 이에 따라 제2 분사부재들(31)은 제1 분사부재(21) 보다 더 많은 양의 식각액을 기판(10)으로 분사한다. 또한, 제2 분사부재들(31)은 기판(10)의 하부 측단(10a)보다 상부 측단(10b)에 더 인접하도록 배치된다.
상기한 바와 같이 본 실시예에 따르면 경사지게 배치된 기판(10)의 상부에 더 많은 양의 식각액을 분사하여 기판(10)을 전체적으로 균일하게 식각할 수 있다. 기판(10)의 면적이 매우 큰 경우 또는 기판(10)의 경사각이 큰 경우에는 하나의 제2 분사부재만으로는 상부를 균일하게 식각하기 어려운 바, 기판(10)의 크기 및 경사각 등의 식각 조건을 고려하여 복수 개의 제2 분사부재들(31)을 설치하면 기판을 더욱 균일하게 식각할 수 있다.
도 6은 본 발명의 제3 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 사시도이다.
도 6을 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 식각 장치(103)는 기판(10)에 식각액을 분사하는 제1 분사부재(21)와 제2 분사부재(31), 제3 분사부재(32), 제4 분사부재(34), 제5 분사부재(35), 및 기판(10)을 지지하는 지지부재(16)를 포함한다.
본 실시예에 따른 식각 장치(103)는 제3 분사부재(32), 제4 분사부재(34), 및 제5 분사부재(35)가 설치된 것을 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 식각 장치와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구조에 대한 중복 설명은 생략한다.
식각 장치(103)에는 복수 개의 제1 분사부재(21)가 설치되며 제1 분사부재(21)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(21a)과 이송관(21a)에 설치된 복수 개의 노즐들(21b)을 포함한다.
제2 분사부재(31)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(31a)과 이송관(31a)에 설치된 복수 개의 노즐들(31b)을 포함한다. 제3 분사부재(32)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(32a)과 이송관(32a)에 설치된 복수 개의 노즐들(32b)을 포함하며, 제4 분사부재(34)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(34a)과 이송관(34a)에 설치된 복수 개의 노즐들(34b)을 포함한다. 또한, 제5 분사부재(35)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(35a)과 이송관(35a)에 설치된 복수 개의 노즐들(35b)을 포함한다.
또한, 제1 분사부재(21)들, 제2 분사부재(31), 제3 분사부재(32), 제4 분사부재(34), 제5 분사부재(35)에는 식각액을 공급하는 분배관(50)이 연결 설치되며, 분배관(50)은 각 분사부재들(21, 31, 32, 34, 35)로 식각액을 공급한다.
제3 분사부재(32)는 제2 분사부재(31) 보다 더 적은 양의 식각액을 기판(10)에 분사하며, 제4 분사부재(34) 보다는 더 많은 양의 식각액을 기판(10)에 분사한다. 또한, 제4 분사부재(34)는 제3 분사부재(32) 보다 더 적은 양의 식각액을 기판(10)에 분사하며, 제5 분사부재(35) 보다는 더 많은 양의 식각액을 기판(10)에 분사한다. 또한, 제5 분사부재(35)는 제4 분사부재(34) 보다 더 적은 양의 식각액을 기판(10)에 분사하며, 제1 분사부재(21) 보다는 더 많은 양의 식각액을 기판(10)에 분사한다.
이를 위해서 제3 분사부재(32)는 제2 분사부재(31) 보다 더 적은 개수의 노즐(32b)을 갖고, 제4 분사부재(34) 보다 더 많은 개수의 노즐(32b)을 갖는다. 또한, 제4 분사부재(34)는 제3 분사부재(32) 보다 더 적은 개수의 노즐(34b)을 갖고, 제5 분사부재(35) 보다 더 많은 개수의 노즐(34b)을 갖는다. 또한, 제5 분사부재(35)는 제4 분사부재(34) 보다 더 적은 개수의 노즐(35b)을 갖고, 제1 분사부재(21) 보다 더 많은 개수의 노즐(35b)을 갖는다.
즉, 도 6에 도시된 바와 같이 제1 분사부재(21)가 10개의 노즐(21b)을 갖는 경우, 제2 분사부재(31)는 20개의 노즐(31b)을 갖고, 제3 분사부재(32)는 18개의 노즐(32b)을 구비하며, 제4 분사부재(34)는 16개의 노즐(34b)을 갖고, 제5 분사부재(35)는 제14개의 노즐(35b)을 갖도록 형성될 수 있다.
또한, 제3 분사부재(32)는 제2 분사부재(31)와 상기 제4 분사부재(34) 사이에 배치되고, 제4 분사부재(34)는 제3 분사부재(32)와 제5 분사부재(35) 사이에 배치되고, 제5 분사부재(35)는 제4 분사부재(34)와 제1 분사부재(21) 사이에 배치된다.
이에 따라 기판(10)의 상부 측단에서 아래로 내려올수록 분사부재의 노즐의 개수는 점진적으로 감소하며, 기판(10)의 하부에 배치된 분사부재의 노즐의 개수보다 기판(10)의 상부에 배치된 분사부재의 노즐의 개수가 더 많다.
상기한 바와 같이 본 실시예에 따르면 기판(10)의 상부에서 하부로 갈수록 분사되는 식각액의 양이 점진적으로 감소하므로 기판(10)의 상부를 더욱 효율적으로 식각하여 기판을 전체적으로 균일하게 식각할 수 있다.
도 7은 본 발명의 제4 실시예에 따른 식각 장치를 도시한 사시도이며, 도 8a는 본 발명의 제4 실시예에 따른 제1 노즐을 도시한 단면도이고, 도 8b는 본 발명의 제4 실시예에 따른 제2 노즐을 도시한 단면도이다.
도 7, 도 8a, 및 도 8b를 참조하여 설명하면, 본 실시예에 따른 식각 장치(104)는 기판(10)에 식각액을 분사하는 제1 분사부재(21)와 제2 분사부재(41) 및 기판(10)을 지지하는 지지부재(16)를 포함한다.
본 실시예에 따른 식각 장치(104)는 제2 분사부재(41)의 구조를 제외하고는 상기한 제1 실시예에 따른 식각 장치와 동일한 구조로 이루어지므로 동일한 구조에 대한 중복 설명은 생략한다.
식각 장치(104)에는 복수 개의 제1 분사부재(21)가 설치되며 제1 분사부재(21)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(21a)과 이송관(21a)에 설치된 복수 개의 노즐들(21b)을 포함한다. 또한, 제2 분사부재(41)는 일 방향으로 길게 이어져 형성된 이송관(41a)과 이송관(41a)에 설치된 복수 개의 노즐들(41b)을 포함한다. 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(41)에는 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(41)에 식각액을 공급하는 분배관(50)이 연결 설치되며, 분배관(50)은 복수 개의 제1 분사부재(21) 및 제2 분사부재(41)와 연결되어 각 분사부재들(21, 41)로 식각액을 공급한다.
제2 분사부재(41)에 설치된 노즐(41b)의 출구 직경(D2)은 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 출구 직경(D1)보다 더 크게 형성된다. 여기서 출구 직경이라 함은 노즐 하단의 내경을 의미한다.
제2 분사부재(41)에 설치된 노즐(41b)의 출구 직경(D2)은 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 출구 직경(D1)의 1.1배 내지 3배로 이루어진다.
제2 분사부재(41)에 설치된 노즐(41b)의 출구 직경(D2)이 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 출구 직경(D1)의 1.1배 보다 더 작으면 기판의 상부를 적정하게 식각하지 못하는 문제가 있으며, 제2 분사부재(41)에 설치된 노즐(41b)의 출구 직경(D2)이 제1 분사부재(21)에 설치된 노즐(21b)의 출구 직경(D1)의 3배 보다 더 크면 과도한 양의 식각액이 분사되어 기판이 과도하게 식각되는 문제가 발생한다.
상기한 바와 같이 본 실시예에 따르면 경사지게 배치된 기판(10)의 상부에 더 많은 양의 식각액이 분사하여 기판(10)을 전체적으로 균일하게 식각할 수 있다.
상기에서는 본 발명의 바람직한 실시예에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 에 한정되는 것이 아니고 특허청구범위와 발명의 상세한 설명 및 첨부한 도면의 범위 안에서 여러 가지로 변형하여 실시하는 것이 가능하고 이 또한 본 발명의 범위에 속하는 것은 당연하다.
101, 102, 103, 104: 식각 장치 10: 기판
10a: 하부 측단 10b: 상부 측단
15: 챔버 16: 지지부재
21: 제1 분사부재
21a, 31a, 32a, 34a, 35a, 41a: 이송관
21b, 31b, 32b, 34b, 35b, 41b: 노즐
31, 41: 제2 분사부재 제3 분사부재(32)
34: 제4 분사부재 35: 제5 분사부재
41: 제2 분사부재 50: 분배관

Claims (10)

  1. 기판을 경사지게 지지하는 지지부재;
    상기 기판에 식각액을 분사하는 제1 분사부재; 및
    상기 제1 분사부재보다 더 많은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제2 분사부재;
    를 포함하고,
    상기 제1 분사부재는 상기 기판의 하단과 인접하게 배치되며, 상기 제2 분사부재는 상기 기판의 상단과 인접하게 배치된 식각 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 제1 분사부재는 이어져 배치된 이송관과 이송관에 설치된 복수 개의 노즐들을 포함하고,
    상기 제2 분사부재는 이어져 배치된 이송관과 이송관에 설치된 복수 개의 노즐들을 포함하는 식각 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 개수는 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 개수보다 더 많은 식각 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 개수는 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 개수의 1.2배 내지 3배인 식각 장치.
  5. 제2항에 있어서,
    상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경은 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경보다 더 큰 식각 장치.
  6. 제5항에 있어서,
    상기 제2 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경은 상기 제1 분사부재에 설치된 노즐의 출구 직경의 1.1배 내지 3배인 식각 장치.
  7. 제2항에 있어서,
    상기 제1 분사부재 및 상기 제2 분사부재에는 상기 제1 분사부재 및 상기 제2 분사부재로 식각액을 공급하는 분배관이 연결 설치되고,
    상기 분배관에는 복수 개의 제2 분사부재가 연결 설치되며,
    상기 제2 분사부재들은 상기 제1 분사부재보다 더 상기 기판의 상단과 인접하도록 배치된 식각 장치.
  8. 제2항에 있어서,
    상기 식각 장치는 상기 제2 분사부재 보다 더 적은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하며, 상기 제1 분사부재 보다는 더 많은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제3 분사부재를 더 포함하고,
    상기 제3 분사부재는 상기 제2 분사부재와 상기 제1 분사부재 사이에 배치된 식각 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제3 분사부재는 상기 제2 분사부재 보다 더 적은 개수의 노즐을 갖고, 상기 제1 분사부재 보다 더 많은 개수의 노즐을 갖는 식각 장치.
  10. 제8항에 있어서,
    상기 식각 장치는 상기 제3 분사부재 보다 더 적은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제4 분사부재와 상기 제4 분사부재 보다 더 적은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하는 제5 분사부재를 더 포함하고, 상기 제4 분사부재는 상기 제1 분사부재 보다는 더 많은 양의 식각액을 상기 기판에 분사하며,
    상기 제4 분사부재는 상기 제3 분사부재와 상기 제5 분사부재 사이에 배치되고, 상기 제5 분사부재는 상기 제4 분사부재와 상기 제1 분사부재 사이에 배치된 식각 장치.
KR1020130031019A 2013-03-22 2013-03-22 식각 장치 KR102094943B1 (ko)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130031019A KR102094943B1 (ko) 2013-03-22 2013-03-22 식각 장치
US14/219,640 US20140283993A1 (en) 2013-03-22 2014-03-19 Etching apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020130031019A KR102094943B1 (ko) 2013-03-22 2013-03-22 식각 장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200035648A Division KR102179464B1 (ko) 2020-03-24 2020-03-24 식각 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20140115829A true KR20140115829A (ko) 2014-10-01
KR102094943B1 KR102094943B1 (ko) 2020-03-31

Family

ID=51568253

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020130031019A KR102094943B1 (ko) 2013-03-22 2013-03-22 식각 장치

Country Status (2)

Country Link
US (1) US20140283993A1 (ko)
KR (1) KR102094943B1 (ko)

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104888996B (zh) * 2015-06-29 2017-08-11 深圳市华星光电技术有限公司 喷淋组件以及具有该喷淋组件的湿刻设备

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145109A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20030038110A1 (en) * 2001-08-17 2003-02-27 Bachrach Robert Z. Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures
KR100860294B1 (ko) * 2008-01-09 2008-09-25 주식회사 이코니 유리기판 에칭 장치와 상기 에칭 장치에 의하여 제조된유리박판
KR20110067482A (ko) * 2009-12-14 2011-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 식각 장치

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3597639B2 (ja) * 1996-06-05 2004-12-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP3535707B2 (ja) * 1997-08-28 2004-06-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US20060011222A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-19 Samsung Electronics Co., Ltd. Apparatus for treating substrates
JP2007180426A (ja) * 2005-12-28 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
US8177993B2 (en) * 2006-11-05 2012-05-15 Globalfoundries Singapore Pte Ltd Apparatus and methods for cleaning and drying of wafers
US9120700B2 (en) * 2010-03-26 2015-09-01 Corning Incorporated Non-contact etching of moving glass sheets
KR102092702B1 (ko) * 2011-06-14 2020-05-28 삼성디스플레이 주식회사 기판 세정 장치

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11145109A (ja) * 1997-11-07 1999-05-28 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US20030038110A1 (en) * 2001-08-17 2003-02-27 Bachrach Robert Z. Method and apparatus for chemical-mechanical jet etching of semiconductor structures
KR100860294B1 (ko) * 2008-01-09 2008-09-25 주식회사 이코니 유리기판 에칭 장치와 상기 에칭 장치에 의하여 제조된유리박판
KR20110067482A (ko) * 2009-12-14 2011-06-22 삼성모바일디스플레이주식회사 식각 장치

Also Published As

Publication number Publication date
US20140283993A1 (en) 2014-09-25
KR102094943B1 (ko) 2020-03-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101217371B1 (ko) 기판 처리 장치
US20110073035A1 (en) Die head and liquid coater
KR101218449B1 (ko) 기판 처리 장치
KR102179464B1 (ko) 식각 장치
KR20140115829A (ko) 식각 장치
KR200482218Y1 (ko) 노즐 간격 조절이 가능한 나이프
KR101741806B1 (ko) 리니어 분사체 및 이를 포함하는 증착장치
KR101856197B1 (ko) 약액 공급 장치
KR20100059235A (ko) 유체 분사 장치
JP2009279477A (ja) 処理液除去装置、基板処理装置およびノズル間隔設定方法
KR20170033563A (ko) 기판 처리 장치
KR20200043908A (ko) 현상장치
KR20070045674A (ko) 기판세정용 분사노즐 및 세정액 분사방법
KR102550649B1 (ko) 습식 식각 방법
JP5785454B2 (ja) 基板処理装置
KR101013138B1 (ko) 기판 식각장치
KR101205599B1 (ko) 반도체 제조장치
KR101287112B1 (ko) 습식 식각 장치
KR20090005177U (ko) 기판 에칭용 분사노즐
US20190179178A1 (en) Substrate processing device
KR101158353B1 (ko) 대면적 기판의 도포액 도포장치
KR102389078B1 (ko) 기판 처리장치에 구비되는 샤워헤드
KR20090042767A (ko) 기판이송장치
KR20120029493A (ko) 기판 처리 장치
KR102181781B1 (ko) 기판 처리 장치

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant