KR20140109536A - 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 - Google Patents
선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20140109536A KR20140109536A KR1020130022049A KR20130022049A KR20140109536A KR 20140109536 A KR20140109536 A KR 20140109536A KR 1020130022049 A KR1020130022049 A KR 1020130022049A KR 20130022049 A KR20130022049 A KR 20130022049A KR 20140109536 A KR20140109536 A KR 20140109536A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- forming
- metal electrode
- solar cell
- deposition process
- copper
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 104
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 50
- 239000002184 metal Substances 0.000 title claims abstract description 50
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 50
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 46
- 238000005137 deposition process Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 22
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims abstract description 21
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 19
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 19
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 19
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract description 9
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 42
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 27
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 26
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims description 20
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 19
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 18
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims description 14
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims description 13
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 9
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 9
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 9
- JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N Pyridine Chemical compound C1=CC=NC=C1 JUJWROOIHBZHMG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims description 5
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 4
- PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L palladium(II) chloride Chemical compound Cl[Pd]Cl PIBWKRNGBLPSSY-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 4
- 238000005240 physical vapour deposition Methods 0.000 claims description 4
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 4
- UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N pyridine Natural products COC1=CC=CN=C1 UMJSCPRVCHMLSP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 4
- 235000011149 sulphuric acid Nutrition 0.000 claims description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N Tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CCN(CC(C)O)CC(C)O NSOXQYCFHDMMGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000013019 agitation Methods 0.000 claims description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 claims description 3
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 3
- 229910000366 copper(II) sulfate Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 3
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 claims description 3
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L potassium sodium L-tartrate Chemical compound [Na+].[K+].[O-]C(=O)[C@H](O)[C@@H](O)C([O-])=O LJCNRYVRMXRIQR-OLXYHTOASA-L 0.000 claims description 3
- 235000011006 sodium potassium tartrate Nutrition 0.000 claims description 3
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims description 3
- XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 6-(4-aminophenyl)sulfonylpyridin-3-amine Chemical compound C1=CC(N)=CC=C1S(=O)(=O)C1=CC=C(N)C=N1 XVMSFILGAMDHEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000012300 argon atmosphere Substances 0.000 claims description 2
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims description 2
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 claims description 2
- 239000000376 reactant Substances 0.000 claims description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910002666 PdCl2 Inorganic materials 0.000 claims 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 claims 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 5
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022408—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier
- H01L31/022425—Electrodes for devices characterised by at least one potential jump barrier or surface barrier for solar cells
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0224—Electrodes
- H01L31/022466—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers
- H01L31/022475—Electrodes made of transparent conductive layers, e.g. TCO, ITO layers composed of indium tin oxide [ITO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1884—Manufacture of transparent electrodes, e.g. TCO, ITO
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/18—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof
- H01L31/1804—Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment of these devices or of parts thereof comprising only elements of Group IV of the Periodic Table
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Sustainable Development (AREA)
- Sustainable Energy (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
본 발명은 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법.에 관한 것으로, 태양전지 소자에서 금속 전극 배선을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘 기판의 상부 표면에 형성된 에미터 확산영역을 형성하는 단계, 상기 기판의 하부 표면에 형성된 베이스 확산영역을 형성하는 단계, 상기 에미터 확산영역 및 상기 베이스 확산영역 위에 증착된 투명 전극층으로 TCO 계열의 ITO(인튬틴옥사이드)을 통해 투명 전극층을 형성하는 단계, 상기 ITO 형성 단계를 통해 형성된 투명 전극층 표면에 선택적으로 전극 seed 형성을 위한 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층이 형성된 표면으로 구리(Cu) 금속 전극을 형성하는 단계 및 상기 금속 전극 표면에 캡레이어층을 형성하는 단계를 포함하는 구성된다.
Description
본 발명은 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법에 관한 것으로, 좀 더 상사하게는 선택적 증착 공정을 통해 효율적인 금속 전극 배선을 형성할 수 있는 전극 배선 형성방법에 관한 것이다.
산업의 발전에 따라 에너지의 사용량이 비약적으로 증가하고 있어, 앞으로도 더한 에너지 수요의 증대가 예상된다. 이와 같은 배경에서, 지구환경에 부하를 주지 않는, 경제적이고 고성능의 새로운 크린 에너지 생산기술의 개발에 기대가 모아지고 있다.
그 중에서도 태양전지는 무한히 있다고 해도 좋은 태양광을 이용하는 것이어서 새로운 에너지원으로서 주목받고 있다. 현재 실용화되고 있는 태양전지의 대부분은, 단결정 실리콘, 다결정 실리콘, 무정형 실리콘을 이용한 무기태양전지이다. 그러나 이들 무기 실리콘계 태양전지는, 그 제조 프로세스가 복잡해서 비용이 높다고 하는 결점을 가지고 있기 때문에, 널리 일반가정용으로 보급되기에는 이르지 않는다.
일반적으로 태양전지는 반도체의 광 기전력 효과를 이용한 것으로, p형 반도체와 n형 반도체를 조합하여 만든다. 태양전지의 구조와 원리를 살펴보면, p형 반도체와 n형 반도체가 하나의 단결정으로 접합이 되면 불순물의 농도차에 의하여 n형 반도체의 잉여전자(electron)가 p형의 반도체로 확산해 가고, 반대로 정공(hole)은 p형에서 n형으로 확산한다. 이에 따라 p형 반도체의 전도대(conduction band)내에 있는 전자의 에너지는 n형보다 좁아지고 n형 반도체의 가전자대(valence band)에 있는 정공이 갖는 에너지는 p형 반도체보다 높아지게 되므로, 이로 인해 내부 전위차가 발생된다.
실리콘 태양전지의 금속전극은 현재 상용화된 실버 페이스트(Silver paste)를 이용한 스크린 프린팅(Screen printing)방법이 대세를 이루고 있다. 현재 상용화 된 태양전지에 널리 쓰이고 있는 스크린 프린팅 기법은 다량의 제품을 대기 중에서 대면적으로 빠른 시간 내에 생산할 수 있고, 적합한 전극재료를 선택적으로 적용할 수 있다는 장점이 있다. 하지만, 이러한 실버 페이스트 스크린 프린팅 공정은 후속 소성(firing) 공정은 많은 장비를 사용하여야 하며 공정시간이 긴 단점을 가지고 있다. 스크린 프린팅에 주로 사용되는 실버 페이스트 적용 스크린 프린팅 방법은 열처리온도와 공정 시에 가스, 압력 등 공정 변수들에 매우 민감하고 프린팅(Printing)한 계산 태양전지의 버스바(Bus bar)나 핑거바(Fingerbar)의 디자인(Design)을 최소화 할 수 없는 문제에 직면하고 있다.
또한, 프린팅 및 고온 소성 시 실리콘 태양전지가 얇아지면서 불량률 발생이 높아질 위험이 있으며, 은(Ag) 전극 내에 글라스 프릿으로 인한 저항이 높아지면서고 효율화에 대한 장애요인이 되고 있고, 무엇보다도 원재료(은 ; Ag)의 단가가 급격히 상승하고 있어서 생산비용을 줄이기 위해서는 은(Ag)을 대체할 새로운 재료 및 공정, 장비기술이 절실히 필요한 사항이다.
따라서, 상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명은 선택적 전극도금공정을 이용한 구리 전극을 형성하여 공정의 단순화와 저비용, 고효율을 지향할 수 있도록 태양전지 전극 형성을 최적화 하며, 실리콘 태양전지 전체의 효율적인 측면과 비용적인 측면에서 매우 큰 개선을 이룰 수 있는 목적을 제공하고자 한다.
또한, 실리콘 태양전지의 분야에 있어서, 실버 페이스트를 적용한 스크린 프린팅 방법을 대체하여 실리콘 태양전지의 고 효율화를 제공할 수 있고, 실리콘 태양 전지에 현재 적용되고 있는 실버 페이스트 적용 스크린 프린팅 방식을 대체하고자 하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 태양전지 소자에서 금속 전극 배선을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘 기판의 상부 표면에 형성된 에미터(emitter) 확산영역을 형성하는 단계, 상기 기판의 하부 표면에 형성된 베이스(base) 확산영역을 형성하는 단계, 상기 에미터 확산영역 및 상기 베이스 확산영역 위에 증착된 투명 전극층으로 TCO 계열의 ITO[Indium Tin Oxide(인튬틴옥사이드)]을 통해 투명 전극층을 형성하는 단계, 상기 ITO 형성 단계를 통해 형성된 투명 전극층 표면에 선택적으로 전극 seed 형성을 위한 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층(seed layer)이 형성된 표면으로 구리(Cu) 금속 전극을 형성하는 단계 및 상기 금속 전극 표면에 캡레이어층(cap layer)을 형성하는 단계를 포함하는 구성된다.씨
또한, 상기 에미터 확산영역은, 상기 기판 표면으로부터 진성 비정질 실리콘 박막 및 상기 기판과 반대형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막이 순차적으로 증착되고, 상기 베이스 확산영역은 기판 표면으로부터 진성 비정질 실리콘 박막 및 상기 실리콘 기판과 동일형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막이 증착된다.
또한, 상기 진성 결정질 실리콘 박막 및 도핑된 비정질 실리콘 박막은 플라즈마 화학기상증착 공정에 의해 증착된다.
또한, 상기 플라즈마 화학기상증착 공정은, SiH4, Si2H6, 및 SiHCl3 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 가스와 H2 가스를 반응물로 이용하여 반응온도 150 ~ 500℃ 및 반응압력 10-6 ~ 10-3 Torr의 조건을 가지는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 진성 비정질 실리콘 박막은, 플라즈마 화학기상증착 공정으로 2 ~ 30nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 실리콘 기판과 반대형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막, 또는 상기 실리콘 기판과 동일형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막은 플라즈마 화학기상증착 공정으로 10 ~ 100nm 두께로 증착되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 투명 전극막은, 물리증착법이나 화학증착법이 가능한 TCO로서 인듐주석산화물(ITO) 및 알루미늄이 도핑된 아연산화물(AZO: aluminum-doped zinc oxide) 중에서 선택한 1종 이상으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 씨드층을 형성하는 단계는, 점도성 시드 프린팅 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 씨드층을 형성하는 단계는, 점도성 시드 스탬핑 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 씨드층을 형성하는 단계는, PR 마스킹을 적용한 습식 드롭 공정을 통해 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 씨드층 형성단계는, 염화팔라듐(PdCl2), 초순수(DI water), 염산(HCl), 황산(H2SO4)성분을 포함하며 이에 대한 조성은 PdCl2는 0.01 ~ 3g/L의 범위를 갖으며, HCl은 1 ~ 20ml/L의 범위를 갖으며, H2SO4는 1 ~ 20ml/L의 범위를 갖는 용액을 통해 씨드층을 형성하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 씨드층 형성단계는, 온도는 10 ~ 30도의 온도 범위를 가지며 처리 시간은 1초 ~ 30분의 조건에서 실시하는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 씨드층 형성단계는, 스퍼터링 공정으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구리 금속 전극 형성단계는, 카파설페이트(CuSO4), 수산화나트륨(NaOH),피리딘(C5H4N)2, 쿼드롤 또는 EDTA(ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 롯셀염, H2O 성분을 포함하며, 이에 대한 조성은 구리는 2 ~ 5/L의 범위를 갖으며, 수산화나트륨은 1 ~ 20g/L의 범위를 갖으며, 피리딘은 0.1 ~ 3%의 범위를 갖으며, 쿼드롤 또는 EDTA(ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 롯셀염은 0.1 ~ 2%의 범위로 조성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구리 금속 전극 형성단계는, 선택적 구리증착의 처리 온도는 30도 ~ 80도의 온도 범위를 가지며 처리 시간은 30분 ~ 60분로 실시하고, 구리층의 증착두께는 1um ~ 10um정도로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구리 금속 전극 형성단계는, 선택적 구리 증착은 공정 중 액 교반 또는 에지테이팅을 반복하는 방법으로 형성되는 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 구리 금속 전극 형성단계 후에는, 열처리 단계를 더 포함하며, 상기 열처리 단계는, 상온 ~ 600℃의 온도에서 1분 ~ 3시간 열처리 하고, 수소 환원 분위기는 수소만을 적용하는 경우와, 수소+아르곤 (1-95%), 수소+질소(1-95%)와 같은 수소혼합기체를 사용하는 것을 포함하며, 아르곤 분위기에서 열처리를 하거나 수소분위기에서 열처리하는 방법도 적용 가능한 것을 특징으로 한다.
또한, 상기 캡레이어층 형성단계는, 은(Ag), 주석(Sn), 은(Ag)-주석(Sn), 납(Pb), 니켈(Ni) 중 어느 하나 또는 혼합된 용액을 통해 형성되는 것을 특징으로 한다.
상기와 같이 구성되는 본 발명의 태양전지 전극 배선 형성 방법에 따르면, 별도의 소성 공정을 거치지 않고 무전해 도금법을 실시하여 씨드층이 기준으로 구리 금속 도금층을 형성할 수 있으며, 실버 스크린 프린팅공정 전극 형성기술을 선택적 구리 전극 공정으로 대체함에 따라 80% 이상의 전극형성 생산비용 절감시킬 수 있는 장점이 있다.
특히, 본 발명에서는 구리 전극 패턴을 형성하기 위해 투명 전극 표면으로 씨드층(seed layer)을 다양한 기법으로 비교적 용이하게 형성시킨 후 상기 씨드층 표면으로 무전해 도금 공정을 통해 전극을 형성할 수 있어 전극 형성을 용이성과 생산비 절감 등 전반적으로 태양전지 제조 산업에 이바지할 수 있는 효과가 있다.
도 1은 본 발명에 따른 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법을 나타낸 순서도,
도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법을 통해 제조된 금속 전극 배선이 형성된 태양전지의 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 금속 전극 배선 형성방법을 통해 형성된 씨드층과 전극층 그리고 캡레이어층을 나타낸 확대도,
도 4는 본 발명에 따른 공정을 통해 패턴이 형성된 실제 사진.
도 2는 본 발명에 따른 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법을 통해 제조된 금속 전극 배선이 형성된 태양전지의 단면도,
도 3은 본 발명에 따른 금속 전극 배선 형성방법을 통해 형성된 씨드층과 전극층 그리고 캡레이어층을 나타낸 확대도,
도 4는 본 발명에 따른 공정을 통해 패턴이 형성된 실제 사진.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법의 바람직한 실시예를 상세히 설명하면 다음과 같다.
본 발명에 따른 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법은, 태양전지 소자에서 금속 전극 배선을 형성하는 방법에 있어서, 실리콘 기판의 상부 표면에 형성된 에미터 확산영역을 형성하는 단계, 상기 기판의 하부 표면에 형성된 베이스 확산영역을 형성하는 단계, 상기 에미터 확산영역 및 상기 베이스 확산영역 위에 증착된 투명 전극층으로 TCO 계열의 ITO(인튬틴옥사이드)을 통해 투명 전극층을 형성하는 단계, 상기 ITO 형성 단계를 통해 형성된 투명 전극층 표면에 선택적으로 전극 seed 형성을 위한 씨드층을 형성하는 단계, 상기 씨드층이 형성된 표면으로 구리(Cu) 금속 전극을 형성하는 단계 및 상기 금속 전극 표면에 캡레이어층을 형성하는 단계를 포함하는 구성된다.
본 발명에 따른 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법은, 선택적인 증착법을 통해 전극 배선을 형성을 위해 선택적 어드헤젼 어쎄스(Selective Adhesion Acess)처리, 선택적 구리(Cu)증착, 선택적 캡 증착 단계를 포함하는 구성되는 것을 주요 기술적 요지로 한다.
본 발명에 따른 선택적 증착 특성을 이용한 태양전지의 전극 배선 형성 방법은, 선택적 증착법을 이용한 태양전지 소자에서 금속전극배선을 형성하는 방법에 있어서, 도핑된 단결정 실리콘 기판의 상부 표면에 형성된 에미터 확산영역을 형성하는 단계, 상기 기판의 하부 표면에 형성된 베이스 확산영역을 형성하는 단계, 상기 에미터 확산영역 및 상기 베이스 확산영역 위에 증착된 투명 전극층으로 TCO 계열의 ITO(인튬틴옥사이드)를 형성하는 단계, 전극형성을 위한 씨드층을 형성하는 단계 선택적 어드헤젼 어쎄스(Selective Adhesion Acess)처리, 선택적 구리(Cu)증착, 선택적 캡 증착 단계를 포함하는 선택적 증착공정을 적용하여 ITO상에서 선택적 부위에만 전극을 형성하는 선택적 증착 공정을 적용한 태양전지의 금속전극배선 형성방법을 포함하는 것을 특징으로 한다.
본 발명에 의하면, ITO상에 금속전극 형성부분을 씨드(seed) 형성 후에 무전해 도금법을 이용하여 구리층을 형성을 제어하여 금속전극 형성부분만을 선택적 증착함으로써 저항이 낮은 구리를 선택적으로 증착함으로써 태양전지의 전극면적 감소를 통한 효율 향상과 저 저항으로 인한 효율개선을 할 수 있는 새로운 전극배선 형성 공정에 관한 것이다. 따라서, 본 발명은 종래의 실버 스크린 프린팅 방법의 종래 기술의 문제점을 해결하고 저비용, 고효율을 통한 태양전지의 성능을 향상시킬 수 있다.
이하, 첨부도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시형태에 관해 상세하게 설명한다.
도 1은 본 발명에 따른 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법을 나타낸 순서도이다. 우선, 준비된 실리콘 기판(100)상에 P타입 또는 N타입을 형성하기 위하여 불순물인 N doped 와 P doped를 확산(110, 120)한다. 상기 N doped와 P doped를 형성하는 단계는 아모포스 실리콘을 증착 (N doping,P doping)을 실시하는 방법이 가능하다. TCO를 위한 ITO(인듐틴옥사이드)를 증착(130)하여 광포획의 효율성을 최대화 한다. TCO형성 방법으로는 물리 증착법(PVD)이나 화학 증착법(CVD) 적용이 가능하다.
이어서, 증착된 TCO에 전면 전극을 형성하기 위한 전단계로 태양전지 전극 씨드층(140) 형성 방법이 가능하고, 습식 프린팅 하는 방법, 스탬핑법을 적용하여 형성하는 방법, PR 마스킹을 통한 형성이나 스퍼터링법을 적용하여 형성하는 태양전지 전극 패턴을 형성 방법이 가능하다.
다음으로 선택적 구리(150) 증착 하는 단계를 나타낸다. 선택적 구리증착 방법에 있어서 증착용액은 카파설페이트(CuSO4), 수산화나트륨(NaOH),피리딘(C5H4N)2, 쿼드롤 또는 EDTA(ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 롯셀염, H2O 성분을 포함하며 이에 대한 조성은 구리는 2 ~ 5/L의 범위를 갖으며, 수산화나트륨은 1 ~ 20g/L의 범위를 갖으며, 피리딘은 0.1 ~ 3%의 범위를 갖으며, 쿼드롤 또는 EDTA 또는 롯셀염은 0.1 ~ 2%의 범위를 갖는다.
선택적 구리층의 증착 두께는 1um ~ 10um정도의 범위로 증착하며, 선택적 구리증착의 처리 온도는 30도에서 80도의 온도 범위를 가지며 처리 시간은 30분 ~ 60분의 온도 범위를 가진다. 선택적 구리층의 증착두께는 1um ~ 10um정도의 범위로 증착하는 공정을 포함한다. 선택적 구리 증착은 공정 중 액 교반 또는 에지테이팅을 반복하는 방법으로 증착한다.
또한, 선택적 구리 증착 후, 공정 지체 없이 후속 세정 공정이 진행되어야 한다. 공정지체가 있을 경우, 선택적 구리 증착 후 세정처리를 진행한다. 선택적 구리 증착 후 세정 처리를 진행 후 열처리를 상온 ~ 600 ℃의 온도에서 1분 ~ 3시간 진행한다. 이때의 수소 환원 분위기는 수소만을 적용하는 경우와, 수소+아르곤(3%-97%), 수소+질소(3%-97%) 등과 같은 수소혼합기체를 사용하여 진행한다.
마지막으로 상기 구리 전극층이 형성된 표면에 캡레이어층(160)을 형성하는 단계이다. 선택적 캡 증착 방법에 있어서 증착 캡 소재로는 은(Ag), 주석(Sn), 은(Ag)-주석(Sn), 납(Pb), 니켈(Ni)등의 증착이 가능하다.
도 2는 도 1의 공정을 통해 최종적으로 완성된 태양전지의 단면도, 도 3은 본 발명에 따른 금속 전극 배선 형성방법을 통해 형성된 씨드층과 전극층 그리고 캡레이어층을 나타낸 확대도이다.
도시된 바와 같이 본 발명에서는 선택적인 증착 공정을 통해 투명 전극층(130) 표면으로 구리 재료로 구성되는 전극을 형성하기 위해 습식 프린팅 하는 방법, 스탬핑법을 적용하여 형성하는 방법, PR 마스킹을 통한 형성이나 스퍼터링법 중 선택된 어느 공정을 통해 씨드층을 형성한다.
그리고 씨드층 위에 구리층을 무전해 도금 또는 전해 도금으로 형성시킬 수 있는데, 본 발명의 바람직한 실시예로는 앞서 언급한 도금 조성용액을 이용하여 무전해 도금을 실행함으로써, 씨드층에 형성된 영역에 구리 도금을 생성할 수 있는 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 공정을 통해 패턴이 형성된 실제 사진이다. 도 1에서 진행된 공정들에 대한 실제 실험결과를 나타낸 것이다. 실리콘 웨이퍼 기판의 전극형성 부분에만 선택적으로 구리만 증착시킨 그림이다. 그림에서 보는 바와 핑거바(Finger bar)에만 선택적으로 증착된 구리의 증착 사진을 보여준다. 그림에서 보는 바와 같이 TCO에는 구리가 증착되지 않고 태양전지의 전극 부위인 핑거바에만 선택적으로 증착된 것을 보여주는 것으로 본 발명의 핵심인 선택적 구리 증착에 대한 실증결과를 나타낸 것이다.
이처럼 핑거바 부분에만 전극이 형성되어 있고, 검게 나타난 부분을 TCO 부분으로 선택적 전극 형성이 잘 된 것으로 구현됨을 알 수 있다.
이상, 본 발명의 원리를 예시하기 위한 바람직한 실시예와 관련하여 설명하고 도시하였지만, 본 발명은 그와 같이 도시되고 설명된 그대로의 구성 및 작용으로 한정되는 것이 아니다. 오히려, 첨부된 청구범위의 사상 및 범주를 일탈함이 없이 본 발명에 대한 다수의 변경 및 수정이 가능함을 당업자들은 잘 이해할 수 있을 것이다. 따라서 그러한 모든 적절한 변경 및 수정과 균등물들도 본 발명의 범위에 속하는 것으로 간주되어야 할 것이다.
100: 실리콘기판
110: P 도핑층
120: N 도핑층
130: 투명 전극층
140: 씨드층
150: 구리 전극층
160: 캡레이어층
110: P 도핑층
120: N 도핑층
130: 투명 전극층
140: 씨드층
150: 구리 전극층
160: 캡레이어층
Claims (18)
- 태양전지 소자에서 금속 전극 배선을 형성하는 방법에 있어서,
실리콘 기판의 상부 표면에 형성된 에미터 확산영역을 형성하는 단계;
상기 기판의 하부 표면에 형성된 베이스 확산영역을 형성하는 단계;
상기 에미터 확산영역 및 상기 베이스 확산영역 위에 증착된 투명 전극층으로 TCO 계열의 ITO(인튬틴옥사이드)을 통해 투명 전극층을 형성하는 단계;
상기 ITO 형성 단계를 통해 형성된 투명 전극층 표면에 선택적으로 전극 seed 형성을 위한 씨드층을 형성하는 단계;
상기 씨드층이 형성된 표면으로 구리(Cu) 금속 전극을 형성하는 단계; 및
상기 금속 전극 표면에 캡레이어층을 형성하는 단계;를 포함하는 구성되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 에미터 확산영역은,
상기 기판 표면으로부터 진성 비정질 실리콘 박막 및 상기 기판과 반대형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막이 순차적으로 증착되고, 상기 베이스 확산영역은 기판 표면으로부터 진성 비정질 실리콘 박막 및 상기 실리콘 기판과 동일형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막이 증착되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
상기 진성 결정질 실리콘 박막 및 도핑된 비정질 실리콘 박막은 플라즈마 화학기상증착 공정에 의해 증착되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 3 항에 있어서, 상기 플라즈마 화학기상증착 공정은,
SiH4, Si2H6, 및 SiHCl3 로 이루어진 군에서 선택된 하나 이상의 가스와 H2 가스를 반응물로 이용하여 반응온도 150 ~ 500℃ 및 반응압력 10-6 ~ 10-3 Torr의 조건을 가지는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 진성 비정질 실리콘 박막은,
플라즈마 화학기상증착 공정으로 2 ~ 30nm 두께로 증착되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 2항에 있어서,
상기 실리콘 기판과 반대형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막, 또는 상기 실리콘 기판과 동일형으로 도핑된 비정질 실리콘 박막은 플라즈마 화학기상증착 공정으로 10 ~ 100nm 두께로 증착되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 투명 전극막은,
물리증착법이나 화학증착법이 가능한 TCO로서 인듐주석산화물(ITO) 및 알루미늄이 도핑된 아연산화물(AZO: aluminum-doped zinc oxide) 중에서 선택한 1종 이상으로 형성되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 씨드층을 형성하는 단계는,
점도성 프린팅 공정을 통해 형성하는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 씨드층을 형성하는 단계는,
점도성 스탬핑 공정을 통해 형성하는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 씨드층을 형성하는 단계는,
PR 마스킹을 적용한 습식 드롭 공정을 통해 형성하는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 씨드층 형성단계는,
염화팔라듐(PdCl2), 초순수(DI water), 염산(HCl), 황산(H2SO4)성분을 포함하며 이에 대한 조성은 PdCl2는 0.01 ~ 3g/L의 범위를 갖으며, HCl은 1 ~ 20ml/L의 범위를 갖으며, H2SO4는 1 ~ 20ml/L의 범위를 갖는 용액을 통해 씨드층을 형성하는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 11항에 있어서, 상기 씨드층 형성단계는,
온도는 10 ~ 30도의 온도 범위를 가지며 처리 시간은 1초 ~ 30분의 조건에서 실시하는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1 항에 있어서, 상기 씨드층 형성단계는,
스퍼터링 공정으로 형성되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 구리 금속 전극 형성단계는,
카파설페이트(CuSO4), 수산화나트륨(NaOH),피리딘(C5H4N)2, 쿼드롤 또는 EDTA(ethylenediaminetetraacetic acid) 또는 롯셀염, H2O 성분을 포함하며,
이에 대한 조성은 구리는 2 ~ 5/L의 범위를 갖으며, 수산화나트륨은 1 ~ 20g/L의 범위를 갖으며, 피리딘은 0.1 ~ 3%의 범위를 갖으며, 쿼드롤 또는 EDTA 또는 롯셀염은 0.1 ~ 2%의 범위로 조성되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 구리 금속 전극 형성단계는,
선택적 구리증착의 처리 온도는 30도 ~ 80도의 온도 범위를 가지며 처리 시간은 30분 ~ 60분로 실시하고, 구리층의 증착두께는 1um ~ 10um정도로 형성되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 구리 금속 전극 형성단계는,
선택적 구리 증착은 공정 중 액 교반 또는 에지테이팅을 반복하는 방법으로 형성되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 구리 금속 전극 형성단계 후에는,
열처리 단계를 더 포함하며,
상기 열처리 단계는, 상온 ~ 600℃의 온도에서 1분 ~ 3시간 열처리 하고, 수소 환원 분위기는 수소만을 적용하는 경우와, 수소+아르곤 (1-95%), 수소+질소(1-95%)와 같은 수소혼합기체를 사용하는 것을 포함하며, 아르곤 분위기에서 열처리를 하거나 수소분위기에서 열처리하는 방법도 적용 가능한 것을 특징으로 하는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법. - 제 1항에 있어서, 상기 캡레이어층 형성단계는,
은(Ag), 주석(Sn), 은(Ag)-주석(Sn), 납(Pb), 니켈(Ni) 중 어느 하나 또는 혼합된 용액을 통해 형성되는 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130022049A KR20140109536A (ko) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020130022049A KR20140109536A (ko) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020140092166A Division KR20140109840A (ko) | 2014-07-21 | 2014-07-21 | 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20140109536A true KR20140109536A (ko) | 2014-09-16 |
Family
ID=51756020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020130022049A KR20140109536A (ko) | 2013-02-28 | 2013-02-28 | 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR20140109536A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114447152A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-06 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
| CN115700927A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-02-07 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池 |
| CN115799399A (zh) * | 2022-12-22 | 2023-03-14 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种太阳电池片的制备方法 |
-
2013
- 2013-02-28 KR KR1020130022049A patent/KR20140109536A/ko active IP Right Grant
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN114447152A (zh) * | 2022-01-24 | 2022-05-06 | 苏州迈为科技股份有限公司 | 异质结太阳能电池及其制备方法 |
| CN115700927A (zh) * | 2022-11-14 | 2023-02-07 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池 |
| CN115700927B (zh) * | 2022-11-14 | 2024-04-02 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池 |
| CN115799399A (zh) * | 2022-12-22 | 2023-03-14 | 通威太阳能（成都）有限公司 | 一种太阳电池片的制备方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US9876135B2 (en) | Method for forming copper metallization over TCO of solar cells | |
| CN108987488B (zh) | 硅异质结太阳电池及其制备方法 | |
| CN102299200B (zh) | 一种晶体硅太阳能电池金属电极的制备方法 | |
| JP2012164961A (ja) | 太陽電池およびその製造方法 | |
| WO2022142343A1 (zh) | 太阳能电池及其制备方法 | |
| KR20090057205A (ko) | 박막 태양전지 | |
| JP5656330B2 (ja) | 光電変換装置の作製方法 | |
| CN108963013A (zh) | 太阳能电池及其制造方法 | |
| US20150059842A1 (en) | Solar cell | |
| CN103797589A (zh) | 光伏器件 | |
| WO2013062825A1 (en) | Back-contact for thin film solar cells optimized for light trapping for ultrathin absorbers | |
| JP2014504035A (ja) | 太陽光発電装置及びその製造方法。 | |
| Kaupmees et al. | Study of composition reproducibility of electrochemically co-deposited CuInSe2 films onto ITO | |
| KR20140109536A (ko) | 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 | |
| JP2012023348A (ja) | 光電変換装置及びその作製方法 | |
| CN208806263U (zh) | 一种钝化接触电极结构及其适用的太阳能电池 | |
| KR101476120B1 (ko) | 박막형 태양전지 및 그 제조방법 | |
| JP2012023347A (ja) | 光電変換装置及びその作製方法 | |
| KR20140109840A (ko) | 선택적 증착 공정을 통한 태양전지의 금속 전극 배선 형성방법 | |
| JP2012023342A (ja) | 光電変換装置及びその作製方法 | |
| KR20200125067A (ko) | 이종 접합 태양 전지 제조 방법 | |
| TWI447919B (zh) | 具有異質接面之矽基太陽能電池及其製程方法 | |
| US20160240708A1 (en) | Solar cell with a hetero-junction structure and method for manufacturing the same | |
| CN104115282A (zh) | 太阳能电池装置及其制造方法 | |
| KR101288189B1 (ko) | 이종접합 태양전지의 전극 형성 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| E701 | Decision to grant or registration of patent right |