CN115700927B - 表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池 - Google Patents

表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池 Download PDF

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Abstract

本发明提供了一种表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池，表面具有铜种子层的硅片的制备方法包括如下步骤：提供硅片衬底；在所述硅片衬底的表面依次形成非晶硅层和透明导电薄膜；通过物理气相沉积法在所述透明导电薄膜上沉积铜种子层，所述物理气相沉积的温度为20℃～35℃。本发明通过将物理气相沉形成铜种子层的沉积温度控制在20℃～35℃，有效减少了物理气相沉积过程对硅片上的膜层的破坏，降低了太阳电池EL测试出现黑点的情况，提高了电池良率，降低了太阳电池的生产成本。

Description

表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池
技术领域
本发明涉及太阳电池技术领域，特别是涉及一种表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池。
背景技术
异质结电池，又称HJT电池(Hereto-junction with Intrinsic Thin-layer)，被誉为PERC(Passivated Emitter and Rear Cell)之后最有前景的太阳能电池技术。相对于传统的晶硅太阳电池技术，由于非晶硅薄膜的引入，硅异质结太阳电池的晶硅衬底前后表面实现了良好的钝化，因而其表面钝化更趋完善。且非晶硅薄膜隔绝了金属电极与硅材料的直接接触，其载流子复合损失进一步降低，可以提升转换效率。
在异质结电池片制备过程中，电池片通常需要经过制绒清洗→CVD镀膜→PVD镀膜→制作电极栅线等步骤，其制造工艺流程较短，电池片一般只需要2.5h左右即可完成生产，较常规PERC和TOPCon(Tunnel Oxide Passivated Contact solar cell，隧穿氧化层钝化接触太阳能电池)需要8h～10h节省时间较多。
HJT电池技术有着高效率和高发电量的天然优势，和目前主流的PERC技术相比，HJT电池目前最大的问题是成本较高。目前产业在持续努力不断提升HJT转换效率的同时，降低制造成本以提升投产性价比已经成为首要任务。
在HJT电池生产过程中，在TCO(透明导电氧化物)薄膜上PVD沉积(Physical VaporDeposition，物理气相沉积)形成铜种子层后常常会出现电池片EL测试出现黑点的情况，影响电池片的良率，进而增加了HJT电池片的生产成本。
因此，如何减少HJT电池片沉积铜种子层后出现EL黑点的比例，提升电池片的良率，是本领域亟需解决的问题。
发明内容
基于此，有必要提供一种能够降低沉积铜种子层后电池片EL黑点比例，提升电池片良率的表面具有铜种子层的硅片及其制备方法、太阳电池。
根据本发明的第一方面，提供了一种表面具有铜种子层的硅片的制备方法，包括如下步骤：
提供硅片衬底；
在所述硅片衬底的表面依次形成非晶硅层和透明导电薄膜；以及
通过物理气相沉积法在所述透明导电薄膜上沉积铜种子层，所述物理气相沉积的温度为20℃～35℃。
在其中一些实施例中，所述物理气相沉积的温度为29℃～30℃。进一步优选地，物理气相沉积的温度为30℃。
在其中一些实施例中，所述铜种子层的厚度为80μm～100μm。
在其中一些实施例中，所述通过物理气相沉积法在所述透明导电薄膜上沉积铜种子层的步骤在密封腔体中进行，所述密封腔体上安装有空气过滤装置。
在其中一些实施例中，所述空气过滤装置包括FFU空气过滤器和化学过滤器中的一种或多种。
在其中一些实施例中，所述密封腔体上设有除静电装置。
在其中一些实施例中，在沉积铜种子层的步骤之后，还包括对所述硅片进行包装的步骤。
在其中一些实施例中，对所述硅片进行包装，包括如下步骤：
将所述硅片与无硫纸交替叠放；
以70片～80片叠放后的所述硅片为一组，在每组所述硅片的两端放置中空板，且在所述中空板与所述硅片之间设置无硫纸；
用防锈袋对每组所述硅片分别进行装袋并塑封；以及
将塑封后的各组所述硅片装箱。
在其中一些实施例中，将塑封后的各组所述硅片装箱，包括如下步骤：
将塑封后的各组所述硅片装入包装箱中，所述包装箱中设有多个内槽，一个所述内槽中装入两组所述硅片，且两组所述硅片之间放置真空盒。
根据本发明的第二方面，提供了一种表面具有铜种子层的硅片，该表面具有铜种子层的硅片由本发明第一方面的表面具有铜种子层的硅片的制备方法制备得到。
根据本发明的第三方面，提供了一种太阳电池，包括：
本发明第二方面的表面具有铜种子层的硅片；以及
铜栅线，设于所述硅片表面的所述铜种子层上。
与现有技术相比，本发明具有如下有益效果：
通过对硅片的制备方法中的物理气相沉积形成铜种子层的工艺条件进行改进，将物理气相沉形成铜种子层的沉积温度控制在20℃～35℃，有效减少了物理气相沉积过程对硅片上的膜层的破坏，降低了太阳电池EL测试出现黑点的情况，提高了电池良率，降低了太阳电池的生产成本。
此外，通过将沉积铜种子层的物理气相沉积腔体置于密封腔体中，并设置空气过滤装置和除静电装置，有效减少了透明导电薄膜上吸附的有机物和粉尘杂质含量，进一步降低太阳电池EL测试出现黑点的情况，提高了电池良率。
再者，通过对沉积铜种子层后的硅片的包装工艺进行改进，减少了运输过程中硅片之间的接触摩擦，更进一步降低太阳电池EL测试出现黑点的情况，提高了电池良率。
附图说明
图1为本发明一实施例的制备方法在密封腔体内进行物理气相沉积的示意图；
图2为本发明一实施例的制备方法中对沉积铜种子层后的硅片进行包装的流程图；
图3为本发明一实施例的制备方法中对沉积铜种子层后的硅片进行包装的示意图；
图4为有黑点不良的太阳电池片的EL测试照片；
图5为正常太阳电池片的EL测试照片。
附图标记说明：
10、密封腔体；20、物理气相沉积腔体；30、FFU空气过滤器；40、化学过滤器；50、无硫纸；60、中空板；70、防锈袋；80、；真空盒；90、包装箱；100、表面具有铜种子层的硅片。
具体实施方式
为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面对本发明的具体实施方式做详细的说明。在下面的描述中阐述了很多具体细节以便于充分理解本发明。但是本发明能够以很多不同于在此描述的其它方式来实施，本领域技术人员可以在不违背本发明内涵的情况下做类似改进，因此本发明不受下面公开的具体实施例的限制。
此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是至少两个，例如两个，三个等，除非另有明确具体的限定。
在本发明中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通或两个元件的相互作用关系，除非另有明确的限定。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本发明中的具体含义。
除非另有定义，本文所使用的所有的技术和科学术语与属于本发明的技术领域的技术人员通常理解的含义相同。本文中在本发明的说明书中所使用的术语只是为了描述具体的实施例的目的，不是旨在于限制本发明。本文所使用的术语“和/或”包括一个或多个相关的所列项目的任意的和所有的组合。
传统的采用铜栅线电极的HJT电池生产过程中，在TCO薄膜上通过物理气相沉积法沉积形成铜种子层之后，常常会出现电池片EL测试时出现黑点的情况，严重影响了电池片的良率，进而显著增加了HJT电池片的生产成本。
为了解决上述问题，本发明一实施方式提供了一种表面具有铜种子层的硅片100的制备方法，该制备方法包括如下步骤S100至步骤S400：
步骤S100：提供硅片衬底。
该硅片衬底可以为N型硅片或P型硅片。进一步地，还可以对该硅片衬底进行制绒清洗，以在硅片衬底的表面形成金字塔形状的绒面结构。
步骤S200：在硅片衬底的表面依次形成非晶硅层和透明导电薄膜。
在其中一些实施例中，在硅片衬底的正面和背面均沉积形成非晶硅层，在硅片衬底正面和背面的非晶硅层上分别沉积形成透明导电薄膜。具体地，可以通过化学气相沉积方法在硅片衬底上沉积形成上述的非晶硅层，通过物理气相沉积方法在非晶硅层上沉积形成上述的透明导电薄膜。在本发明中不对非晶硅层和透明导电薄膜的形成方法和工艺参数进行具体限定。
步骤S300：通过物理气相沉积法在透明导电薄膜上沉积铜种子层。
其中，在物理气相沉积过程中，控制沉积的温度为20℃～35℃。
传统的采用铜栅线电极的HJT电池生产过程中，通过物理气相沉积法在透明导电薄膜上沉积形成铜种子层时，其物理气相沉积的温度一般为180℃左右。然而，在此物理气相沉积温度下沉积形成铜种子层后，常常发生电池片EL测试时出现黑点的情况，电池片的不良隔离比例较高。
发明人研究发现，传统方法在沉积形成铜种子层后，发生电池片EL测试时出现黑点的情况的原因之一是：铜种子层物理气相沉积的温度较高，使得铜种子层与硅片衬底之间不能形成良好的欧姆接触，当硅片放置一段时间后即会出现EL测试黑点。本申请的发明人通过反复试验发现，当在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度在20℃～35℃之间，可以有效减小物理气相沉积过程中对硅片衬底上的膜层结构造成的破坏，有效地改善铜种子层与硅片衬底之间的欧姆接触，有效降低电池片EL测试时出现黑点的比例，从而提高电池片的良率。
可以理解的是，物理气相沉积法在透明导电薄膜上沉积形成铜种子层的沉积温度可以为20℃、22℃、24℃、26℃、28℃、30℃、32℃、35℃，以及上述温度点值之间的任意温度值。
在其中一些实施例中，物理气相沉积的温度控制在29℃～30℃。进一步优选为30℃。如此，可以更好地降低电池片EL测试时出现黑点的比例，进一步提高电池片的良率。
在其中一些实施例中，铜种子层的厚度为80μm～100μm。本发明中形成的铜种子层的厚度相比于传统制备方法形成的铜种子层更厚。这样，可以在后续的清洗过程中避免铜种子层的过渡减薄，有利于提高太阳电池的电性能。
在其中一些实施例中，在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制物理气相沉积的环境洁净度为10000级或更高标准，环境湿度为27％～33％。
在其中一些实施例中，通过物理气相沉积法在透明导电薄膜上沉积铜种子层的步骤是在密封腔体中进行的；并且，在该密封腔体上还安装有空气过滤装置，用于过滤密封腔体空气中的有机物和粉尘颗粒等。
通过研究发现，传统方法在沉积形成铜种子层后，发生电池片EL测试时出现黑点的情况的另一个原因是：在形成透明导电薄膜之后，透明导电薄膜(通常为ITO薄膜)具有一定的静电吸附作用，可以吸附环境空气中的一些有机物和粉尘颗粒，而在沉积铜种子层后这些有机物和粉尘颗粒并不能被去除，而是保留在透明导电薄膜与铜种子层之间，导致出现EL黑点；同时会影响太阳电池片的导电性能，导致太阳电池的转换效率偏低。
为了解决上述问题，本发明通过将沉积铜种子层的物理气相沉积腔体20置于密封腔体10中，并在密封腔体10上安装空气过滤装置对密封腔体10中的空气进行净化处理，可以有效地去除环境中的有机物和粉尘颗粒，有效减少透明导电薄膜上有机物和粉尘颗粒杂质含量，进而减少电池片出现EL黑点的情况。
在其中一些实施例中，该空气过滤装置包括FFU空气过滤器30和化学过滤器40中的一种或多种。换句话说，该空气过滤装置可以只包括FFU空气过滤器30，也可以至包括化学过滤器40，还可以同时包括FFU空气过滤器30和化学过滤器40。
请参阅图1，在其中一个具体示例中，该空气过滤装置同时采用FFU空气过滤器30和化学过滤器40。并且，FFU空气过滤器30和化学过滤器40均为多个，多个FFU空气过滤器30和化学过滤器40间隔设置。如此，通过FFU空气过滤器30可以有效地过滤去除掉环境中的粉尘颗粒杂质，通过化学过滤器40可以有效过滤掉环境中的有机物小液滴，从而提高物理气相沉积铜种子层时环境的洁净度，减少透明导电薄膜上有机物和粉尘颗粒杂质含量，减少电池片出现EL黑点的情况。
在其中一些实施例中，在该密封腔体10内还设置有除静电装置。通过设置静电除尘装置，可以降低透明导电薄膜的静电吸附作用，从而进一步减少透明导电薄膜上吸附的有机物和粉尘颗粒杂质含量。
在其中一个具体示例中，该除静电装置为设置在密封腔体10内的离子风刀。通过设置离子风刀，可以有效地降低透明导电薄膜的静电吸附作用，对透明导电薄膜起到良好的除静电和除尘作用。具体来说，该离子风刀可以安装在密封腔体10的上料门入口处。
步骤S400：在沉积铜种子层之后，对硅片进行包装。
请参阅图2和图3，在其中一些实施例中，对表面具有铜种子层的硅片进行包装，包括如下步骤：
步骤S401：将沉积铜种子层之后的硅片与无硫纸50进行交替叠放。
传统的制备方法中，通常是将沉积铜种子层之后的硅片通过普通的纸张进行交替叠放，普通的纸张由于其粗糙度较大，在硅片的装箱和运输过程中纸张容易与铜种子层进行摩擦，会对铜种子层造成划伤。本发明中通过采用无硫纸50与硅片交替叠放，无硫纸50的表面比较光滑，可以有效避免对铜种子层造成划伤。而且，将硅片与无硫纸50进行交替叠放，也可以避免相邻的硅片的铜种子层直接接触产生摩擦而影响铜种子层质量。
步骤S402：以70片～80片叠放后的硅片为一组，在每一组硅片的两端均放置一块中空板60，且在该中空板60与相邻的硅片之间设置无硫纸50进行隔开。如此设置，可以进一步避免不同的硅片上的铜种子层之间发生接触造成EL黑点不良。
步骤S403：用防锈袋70对每组硅片分别进行装袋并塑封。
在其中一些实施例中，在将叠放后的硅片进行分组，并在每组硅片的两端放置中空板60之后，采用防锈袋70对每组硅片分别进行包装处理，然后对每一组硅片进行热缩塑封。如此，可以更好地保证硅片的洁净度和铜种子层的完整性。
步骤S304：将塑封后的各组硅片进行装箱。
在其中一些实施例中，将塑封后的各组硅片装入包装箱90中，该包装箱90中设置有多个内槽，在每一个内槽中均装入两组上述的硅片，并且在两组硅片之间放置一个真空盒80。这样设置，可以进一步避免在运输过程中硅片之间发生接触而造成太阳电池EL黑点不良。
总体而言，本发明通过对硅片制备方法中的物理气相沉积形成铜种子层的工艺条件、沉积铜种子层的密封腔体10设计以及包装工艺进行改进，可以有效减少物理气相沉积过程对硅片上的膜层的破坏、减少透明导电薄膜上吸附的有机物和粉尘杂质含量、减少运输过程中硅片之间的接触摩擦，从而从多个方面降低太阳电池EL测试出现黑点的情况，提高电池良率，降低太阳电池的生产成本。EL测试出现黑点的不良太阳电池片的EL测试照片如图4所示，正常太阳电池片的EL测试照片如图5所示。
本发明另一实施方式还提供了一种通过上述表面具有铜种子层的硅片100的制备方法制备得到的硅片。该硅片包括硅片衬底，在硅片衬底的正面和背面均沉积形成有非晶硅层，在非晶硅层上沉积形成有透明导电薄膜，在透明导电薄膜上沉积形成有铜种子层。
在其中一些实施例中，硅片衬底可以为N型硅片或P型硅片。
在其中一些实施例中，非晶硅层包括本征非晶硅层和掺杂非晶硅层。其中，本征非晶硅层设置在硅片衬底的正面和背面上，掺杂非晶硅层设置在本征非晶硅层背离硅片衬底的表面上。该本征非晶硅层和掺杂非晶硅层均可通过化学气相沉积方法制备得到。
在其中一些实施例中，硅片衬底正面和背面的掺杂非晶硅层的掺杂类型不相同。也就是说，若硅片衬底正面的掺杂非晶硅层为N型掺杂非晶硅层，则硅片衬底背面的掺杂非晶硅层为P型掺杂非晶硅层；若硅片衬底正面的掺杂非晶硅层为P型掺杂非晶硅层，则硅片衬底背面的掺杂非晶硅层为N型掺杂非晶硅层。
在其中一些实施例中，透明导电薄膜可以为ITO(氧化铟锡)薄膜。该透明导电薄膜可以通过物理气相沉积法制备得到。
本发明另一实施方式还提供了一种太阳电池，该太阳电池包括本发明上述的表面具有铜种子层的硅片100，并且在该硅片表面的铜种子层上通过电镀铜的方式形成有铜栅线电极。其中，该太阳电池中的表面具有铜种子层的硅片采用本发明上述的制备方法制备得到。由此，本发明的太阳电池出现EL黑点不良的比例相比于传统的太阳电池显著下降，同时电池效率损失也大幅减少。
下面将结合具体实施例和对比例对本发明作进一步说明，但不应将其理解为对本发明保护范围的限制。
实施例1：
一种表面具有铜种子层的硅片100的制备方法，包括如下步骤：
1)提供硅片衬底。
对该硅片衬底的表面进行制绒清洗。
2)在硅片衬底的表面依次形成非晶硅层和透明导电薄膜。
在该硅片衬底的正面和背面均沉积有非晶硅层，在硅片衬底正面和背面的非晶硅层上沉积有透明导电薄膜。
3)通过物理气相沉积法在透明导电薄膜上沉积铜种子层。
在物理气相沉积过程中，控制沉积的温度为20℃，铜种子层的沉积厚度为90μm，沉积功率为3.5kw。物理气相沉积过程中将物理气相沉积腔体20置于密封腔体10中，在密封腔体10的上料口设置离子风刀，在密封腔体10上安装有间隔设置的FFU空气过滤器30和化学过滤器40。在太阳电池基片进入密封腔体10是通过离子风刀进行除静电和除尘处理；在沉积过程中通过FFU空气过滤器30和化学过滤器40对密封腔体10内的环境空气进行净化。
4)对沉积铜种子层后的硅片进行包装。
将表面沉积铜种子层后的硅片与无硫纸50进行交替叠放；以75片叠放后的硅片为一组，在每组硅片的两端放置中空板60，且在中空板60与硅片之间设置无硫纸50；用防锈袋70对每组硅片分别进行装袋并塑封；将塑封后的各组硅片装入包装箱90中，包装箱90中设置有多个内槽，一个内槽中装入两组硅片，且两组硅片之间放置真空盒80。
在本实施例制备的表面具有铜种子层的硅片100的铜种子层上电镀形成铜栅线电极，从而形成太阳电池。对该太阳电池进行EL测试，并采用分选测试机测试其电池效率。测试结果如表1所示。
实施例2：
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，区别仅在于：在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度为30℃。
在本实施例制备的表面具有铜种子层的硅片100的铜种子层上电镀形成铜栅线电极，从而形成太阳电池。对该太阳电池进行EL测试，并与实施例1相同的方法测试其电池效率。测试结果如表1所示。
实施例3：
本实施例的制备方法与实施例1基本相同，区别仅在于：在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度为35℃。
在本实施例制备的表面具有铜种子层的硅片100的铜种子层上电镀形成铜栅线电极，从而形成太阳电池。对该太阳电池进行EL测试，并与实施例1相同的方法测试其电池效率。测试结果如表1所示。
对比例1：
本对比例的制备方法与实施例1基本相同，区别仅在于：在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度为15℃。
在本实施例制备的表面具有铜种子层的硅片100的铜种子层上电镀形成铜栅线电极，从而形成太阳电池。对该太阳电池进行EL测试，并与实施例1相同的方法测试其电池效率。测试结果如表1所示。
对比例2：
本对比例的制备方法与实施例1基本相同，区别仅在于：在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度为90℃。
在本实施例制备的表面具有铜种子层的硅片100的铜种子层上电镀形成铜栅线电极，从而形成太阳电池。对该太阳电池进行EL测试，并与实施例1相同的方法测试其电池效率。测试结果如表1所示。
对比例3：
本对比例的制备方法与实施例1基本相同，区别仅在于：在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度为155℃。
在本实施例制备的表面具有铜种子层的硅片100的铜种子层上电镀形成铜栅线电极，从而形成太阳电池。对该太阳电池进行EL测试，并与实施例1相同的方法测试其电池效率。测试结果如表1所示。
对比例4：
本对比例的制备方法与实施例1基本相同，区别仅在于：在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度为180℃。
在本实施例制备的表面具有铜种子层的硅片100的铜种子层上电镀形成铜栅线电极，从而形成太阳电池。对该太阳电池进行EL测试，并与实施例1相同的方法测试其电池效率。测试结果如表1所示。
表1各实施例和对比例中太阳电池的测试结果
由表1中的测试结果可知，在物理气相沉积形成铜种子层的过程中，控制沉积的温度在20℃～35℃范围之内，可以有效地降低太阳电池片的EL黑点不良比例，并提高太阳电池的电池效率。通过数据对比发现，物理气相沉积铜种子层时温度越高，对产线电池片不良以及电池片效率的影响越大；而当沉积的温度过低时EL黑点不良比例明显升高；当温度达到20℃～35℃时为产线最优值。
以上所述实施例的各技术特征可以进行任意的组合，为使描述简洁，未对上述实施例中的各个技术特征所有可能的组合都进行描述，然而，只要这些技术特征的组合不存在矛盾，都应当认为是本说明书记载的范围。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准，说明书及附图可以用于解释权利要求的内容。

Claims (10)

1.一种表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
提供硅片衬底；
在所述硅片衬底的表面依次形成非晶硅层和透明导电薄膜；以及
通过物理气相沉积法在所述透明导电薄膜上沉积铜种子层，所述物理气相沉积的温度为20℃～35℃。
2.根据权利要求1所述的表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，所述物理气相沉积的温度为29℃～30℃。
3.根据权利要求1所述的表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，所述铜种子层的厚度为80μm～100μm。
4.根据权利要求1至3任一项所述的表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，所述通过物理气相沉积法在所述透明导电薄膜上沉积铜种子层的步骤在密封腔体中进行，所述密封腔体上安装有空气过滤装置。
5.根据权利要求4所述的表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，所述空气过滤装置包括FFU空气过滤器和化学过滤器中的一种或多种。
6.根据权利要求4所述的表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，所述密封腔体上设有除静电装置。
7.根据权利要求1、2、3、5、6任一项所述的表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，在沉积铜种子层的步骤之后，还包括如下步骤：
将所述硅片与无硫纸交替叠放；
以70片～80片叠放后的所述硅片为一组，在每组所述硅片的两端放置中空板，且在所述中空板与所述硅片之间设置无硫纸；
用防锈袋对每组所述硅片分别进行装袋并塑封；以及
将塑封后的各组所述硅片装箱。
8.根据权利要求7所述的表面具有铜种子层的硅片的制备方法，其特征在于，将塑封后的各组所述硅片装箱，包括如下步骤：
将塑封后的各组所述硅片装入包装箱中，所述包装箱中设有多个内槽，一个所述内槽中装入两组所述硅片，且两组所述硅片之间放置真空盒。
9.一种表面具有铜种子层的硅片，其特征在于，根据权利要求1至8任一项所述的制备方法制备得到。
10.一种太阳电池，其特征在于，包括：
权利要求9所述的表面具有铜种子层的硅片；以及
铜栅线，设于所述硅片表面的所述铜种子层上。
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