KR20140101080A - 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조방법 - Google Patents

위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조방법 Download PDF

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KR20140101080A
KR20140101080A KR1020130014191A KR20130014191A KR20140101080A KR 20140101080 A KR20140101080 A KR 20140101080A KR 1020130014191 A KR1020130014191 A KR 1020130014191A KR 20130014191 A KR20130014191 A KR 20130014191A KR 20140101080 A KR20140101080 A KR 20140101080A
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Abstract

본 발명은 투명 기판 상에 위상반전막을 성막하고, 상기 위상반전막을 플라즈마 공정을 이용하는 표면처리 및 열처리 공정을 이용한 표면 처리 중 적어도 하나의 공정을 수행하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크를 제공한다.
이에 따라, 상기 표면 처리에 의해, 세정 공정에 사용되는 화학 약품 및 패터닝 공정에 사용되는 식각 물질에 대하여 내약품성, 내산화성 및 균일성이 향상되어 위상차 및 투과율의 변화량이 적은 위상반전막을 형성함으로써 미세 패턴을 갖는 FPD용 위상반전 포토마스크를 제조할 수 있다.

Description

위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조방법{Phase Shift Blankmask and method for fabricating of the same}
본 발명은 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 내화학성 및 내약품성이 뛰어난 위상반전막이 구비된 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조방법에 관한 것이다.
플랫 패널 디스플레이(Flat Panel Display: 이하, FPD라 함) 디바이스나 반도체 집적회로(Large Scale Integration: 이하, LSI라 함) 디바이스를 제조하기 위한 리소그래피 공정에서는 공통적으로 블랭크 마스크로부터 제조된 포토 마스크를 이용한 패턴의 전사가 행해지고 있다.
블랭크 마스크는 합성 석영 유리 등으로 이루어지는 투광성 기판의 주 표면 상에 금속 재료를 포함하는 박막이 형성되고, 박막 위에 레지스트막이 형성된 것으로서, 포토마스크는 이러한 블랭크 마스크로부터 박막이 패터닝된 형태를 갖는다. 여기서 박막은 광학적 특징에 따라 차광막, 반사방지막, 위상반전막, 반투광막, 반사막 등으로 나눌 수 있고, 이러한 박막들 중 둘 이상의 박막이 혼용되어 사용되기도 한다.
FPD 디바이스 제조용 포토 마스크는 한 변이 300㎜ 이상으로 LSI 디바이스 제조용 포토 마스크에 비해 상대적으로 대형이다.
최근에는 집적도가 큰 LSI 디바이스와 동일하게 FPD 디바이스 역시 고집적화에 따른 설계 룰이 미세화됨에 따라 미세패턴 형성에 사용되는 포토 마스크의 패턴도 고정밀도의 미세화가 요구되었다. FPD 디바이스에서 보다 미세한 패턴을 형성하기 위해서는 높은 패턴의 해상도가 필요하여, 이를 위하여 패턴 형성에 사용되는 광원의 파장을 짧게 하고 렌즈의 구경을 크게 하는 방법이 사용된다. 그러나, 광원의 파장을 짧게 하고 렌즈의 구경을 크게 하면 패턴의 해상도는 높일 수 있지만, 렌즈의 초점심도가 낮아 실용적인 패턴의 해상도를 얻는데 한계가 있다. 이러한 한계를 극복하기 위하여 개발된 위상반전막을 이용한 위상반전 포토 마스크는 바이너리 포토 마스크보다 패턴의 해상도를 높일 수 있었다.
위상반전 포토 마스크는 투명 기판 위에 투과율이 대략 3% ∼ 30%인 위상반전막이 형성되어 구성된다. 위상반전막을 투과한 노광광의 위상은 위상반전막을 투과하지 않은 노광광의 위상과 대략 180°의 위상차를 나타내어, 위상반전막의 경계에서 상쇄 간섭에 의해 해상도를 높일 수 있다. 그리고, 위상반전 포토 마스크는 바이너리 포토 마스크에 비해 미세 패턴을 높은 해상도로 노광시킬 수 있다.
그러나, 위상반전막은 세정공정 중 레지스트 제거에 사용되는 황산, 황산과수(황산과 과산화수소수와의 혼합액) 등의 화학 약품과, 크롬막 제거에 이용하는 산화성이 강한 크롬 식각제 등에 대한 내산성이 낮다.
이에 따라, 화학 약품 처리 및 크롬 식각 후에 위상반전막의 위상차 및 투과율이 변화되어 포토마스크 형성시 미세 패턴을 형성하기 어렵다.
본 발명은 세정 공정에 사용되는 화학 약품 및 패터닝 공정에 사용되는 식각 물질에 대하여 위상반전막의 내약품성, 내산화성 및 균일성이 향상된 FPD용 위상반전 블랭크 마스크 및 그의 제조 방법을 제공한다.
본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크 제조 방법은, 투명 기판 상에 위상반전막을 성막하는 단계 및 상기 위상반전막을 플라즈마 공정을 이용하는 표면처리 및 열처리 공정을 이용한 표면 처리 중 적어도 하나의 공정을 수행하는 단계를 포함한다.
상기 플라즈마 공정을 이용한 표면처리는 산소(O2), 질소(N2), 염소(Cl)계 및 불소(F)계 가스 중 적어도 하나의 가스를 이용하여 수행한다.
상기 위상반전막의 표면처리는 플라즈마 공정을 이용하여 표면처리 후, 열처리 공정을 이용하는 표면처리를 수행한다.
상기 열처리 공정은 100℃ ∼ 300℃의 온도에서 10분 ∼ 60분 동안 수행한다.
상기 위상반전막은 노광광에 대하여 170° ∼ 190°의 위상차를 가지며, 4% ∼ 50%의 투과율을 갖도록 형성한다.
상기 위상반전막은 500Å ∼ 1,500Å의 두께를 갖도록 형성한다.
상기 위상반전막은 적어도 2층 이상의 다층막 또는 연속막의 형태로 형성한다.
상기 위상반전막은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si) 중 어느 하나 이상의 금속 물질들을 포함하여 형성한다.
상기 위상반전막은 상기 금속물질에 질소(N), 산소(O), 탄소(C) 중 하나 이상의 물질을 더 포함하여 형성한다.
상기 위상반전막은 적어도 2층 이상의 다층막 또는 연속막의 형태로 형성하며, 상기 위상반전막은 CrO, CrN, CrC, CrON, CrCO, CrCN, CrCON 중 적어도 하나로 형성한다.
상기 위상반전막의 상부 또는 하부에 배치되는 차광성막을 더 형성한다.
상기 차광성막은 차광막 및 반사방지막을 포함하여 형성한다.
상기 위상반전막은 FPD용 투명 기판 상에 형성한다.
상기 위상반전막을 성막하는 단계 후, 상기 위상반전막을 표면처리하는 단계 전, 상기 위상반전막을 베이킹하는 단계를 더 포함한다.
본 발명은 FPD용 위상반전 블랭크 마스크를 구성하는 위상반전막에 플라즈마 처리 및 열처리 공정 중 적어도 하나의 공정을 수행하여 위상반전막을 표면처리 함으로써, 세정 공정에 사용되는 화학 약품 및 패터닝 공정에 사용되는 식각 물질에 대하여 위상반전막의 내약품성, 내산화성 및 위상반전막의 균일성을 향상시킬 수 있다.
따라서, FPD용 블랭크 마스크를 이용한 포토마스크의 제조 공정 및 세정 공정에 대하여 내화학성 및 내산성이 향상되어 위상차 및 투과율의 변화량이 적은 위상반전막을 형성함으로써 미세 패턴을 갖는 FPD용 위상반전 포토마스크를 제조할 수 있다.
도 1은 본 발명에 제1실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도.
도 2는 본 발명에 제2실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도.
이하에서는, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예를 통하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 실시예는 단지 본 발명의 예시 및 설명을 하기 위한 목적에서 사용된 것이지 의미 한정이나 특허청구범위에 기재된 본 발명의 범위를 제한하기 위하여 사용된 것은 아니다. 그러므로, 본 발명의 기술 분야에서 통상의 지식을 가진자라면 실시예로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술력 보호범위는 특허청구범위의 기술적 사항에 의해 정해져야 할 것이다.
도 1은 본 발명의 제1실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크(100)는 액정 표시 장치(LCD), 플라즈마 디스플레이 패널(PDP), OLED 등을 포함하는 FPD용 위상반전 블랭크 마스크(100)이다. 위상반전 블랭크 마스크(100)는 투명 기판(102) 상에 구비된 위상반전막(106) 및 레지스트막(108)을 포함한다.
투명 기판(102)은 한 변이 300㎜ 이상인 사각형의 투명한 기판이고, 합성 석영 유리, 소다 라임 글래스 기판, 무알카리 글래스 기판, 저열 팽창 글래스 기판 등일 수 있다.
위상반전막(106)은 1층 이상의 박막으로 구성되며, 적어도 2층 이상의 박막이 적층된 구조를 갖는 것이 바람직하다. 위상반전막(106)이 2층 이상으로 구성되는 경우, 위상반전막(106)은 다층막의 형태 또는 연속막의 형태를 갖는다. 여기서, 연속막은 플라즈마(Plasma)가 켜진 상태에서 반응성 가스, 압력, 타겟에 인가되는 파워 등을 변경하여 연속적으로 형성된 막을 의미한다.
위상반전막(106)은, 예를 들어, 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si) 중 하나 이상의 금속 물질들을 포함한다. 또한, 위상반전막(106)은 상기 금속 물질 외에 질소(N), 산소(O), 탄소(C) 중 하나 이상의 물질을 더 포함할 수 있다. 위상반전막(106)은, 바람직하게, 크롬(Cr) 화합물로 구성되며, 이때, 상기 크롬(Cr) 화합물은 CrO, CrN, CrC, CrON, CrCO, CrCN, CrCON 일 수 있다. 아울러, 위상반전막(106)은 질소(N), 산소(O), 탄소(C) 중 하나 이상의 물질을 포함하는 몰리브덴 실리사이드(MoSi) 화합물로 구성될 수 있다.
위상반전막(106)은 500Å ∼ 1,500Å의 두께를 가지고, 노광광에 대하여 170° 내지 190°의 위상차를 가지며, 4% 내지 50%의 투과율을 갖는다. 상기 위상차는 위상반전막(106)을 투과하는 노광광과 투명기판(102)을 투과하는 노광광의 위상차를 말한다.
위상반전막(106)은 불활성 가스와 반응성 가스를 주입한 챔버내에서 금속을 함유하는 타겟에 전압을 인가하여 플라즈마를 발생시키는 스퍼터링법에 의해 형성한다. 이때, 상기 반응성 가스는 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 메탄(CH4), 일산화탄소(NO), 산소(O2), 일산화질소(N2O) 등이 사용될 수 있다. 위상반전막(106)의 성막 공정 후, 필요에 따라 위상반전막(106)에 베이킹(Baking) 공정을 수행할 수 있으며, 이때, 상기 베이킹 공정은 50℃ ∼ 200℃의 온도로 10분 ∼ 60분 동안 진행된다.
본 발명에 따른 위상반전막(106)은 상기 스퍼터링 공정을 이용하여 성막이 완료된 후, 플라즈마 처리 공정 및 열처리 공정 중 적어도 하나의 공정을 거치게 된다. 상기 플라즈마 처리 공정 및 열처리 공정은 세정 공정에 사용되는 화학 약품 및 패터닝 공정에 사용되는 식각 물질에 대하여 위상반전막(106)의 내약품성 및 내산화성을 향상시키는 역할을 한다.
자세하게, 상기 플라즈마 처리 공정은 CCP(Conductively coupled plasma) 타입, ICP(Inductively coupled plasma) 타입, RIE(Reactive ion etching) 타입, ECR(Electron cyclotron resonance) 타입, 대기압(Atmospheric plasma) 타입의 플라즈마 발생장치를 포함하여 거의 모든 플라즈마 발생 장치를 이용하여 수행할 수 있다. 상기 플라즈마 처리 공정은 위상반전막(106) 표면의 유기물을 제거, 자연 산화막 제거 및 표면 개질을 위하여 수행되며, 산소(O2)와 질소(N2)와 같은 반응성 가스뿐만 아니라 경우에 따라, 염소(Cl)계 및 불소(F)계 가스를 함께 사용하여 수행할 수 있다.
상기 열처리 공정은 상기 플라즈마 처리 공정 후 필요에 따라 수행되며, 100℃ ∼ 300℃의 온도로 10분 ∼ 60분 동안 진행된다. 상기 열처리 공정은 위상반전막의 그레인 사이즈(Grain size)를 작게하여 위상반전막의 균일도를 향상시키기 위해 수행한다. 상기 열처리 공정을 통하여 위상반전막(106)의 균일도가 증가하게 된다.
상기 플라즈마 처리 공정 및 열처리 공정은 위상반전막(106)을 구성하는 물질의 원자간 결합을 안정화시켜, 위상반전막(106) 표면의 에너지 상태를 매우 안정한 상태로 유지시킨다. 이에 따라, 위상반전막(106)은 세정 공정에 사용되는 화학 약품 및 패터닝 공정에 사용되는 식각 물질에 대하여 내약품성 및 내산화성이 향상된다.
도 2는 본 발명의 제2실시예에 따른 위상반전 블랭크 마스크를 도시한 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크는 투명 기판(102) 상에 구비된 차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a), 위상반전막(106) 및 레지스트막(108)을 포함한다. 차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a)은 위상반전막(106)의 상부 또는 하부에 배치되며, 광을 차광하는 기능을 갖는 차광막 및 광의 반사를 방지하는 기능을 갖는 반사방지막을 포함하는 다층막의 형태를 가지며, 상기 기능들을 모두 갖는 단일막의 형태를 가질 수 있다.
차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a)은, 예를 들어, 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si) 중 어느 하나 이상의 물질을 포함하여 형성된다. 또한, 차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a)은 상기 금속 물질들에 질소(N), 산소(O), 탄소(C) 중 하나 이상의 물질을 더 포함하여 형성할 수 있다. 차광성막(104)은 위상반전막(106)과 동일한 식각 물질에 대하여 유사한 식각 특성을 갖는 물질로 형성하거나 또는 식각 선택비를 갖는 물질로 형성할 수 있다.
차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a)은 300Å ∼ 1,500Å의 두께를 가지며, 800Å 이하의 두께를 갖는 것이 바람직하며, 500Å 이하의 두께를 갖는 것이 더욱 바람직하다. 차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a)은 불활성 가스와 반응성 가스를 주입한 챔버내에서 금속을 함유하는 타겟에 전압을 인가하여 스퍼터링법에 의해 형성하는 스퍼터링법에 의해 성막되는 것이 바람직하다.
도시하지는 않았지만, 필요에 따라 본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크(100)는 투명 기판(102)과 차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a), 투명 기판(102)과 위상반전막(106) 및 차광성막(104) 및 차광성막 패턴(104a)과 위상반전막(106) 사이에 식각 선택비를 고려하여 형성된 식각저지막을 더 포함할 수 있다.
아울러, 상술한 본 발명에 따른 블랭크 마스크를 이용하여 위상반전 포토마스크를 형성할 수 있다.
(실시예)
위상반전막 형성
본 발명에 따른 위상반전 블랭크 마스크의 위상반전막을 평가하기 위하여 투명 기판 상에 다층의 위상반전막을 형성하였다.
위상반전막(106)은 크롬(Cr) 타겟을 스퍼터링 타겟으로 이용하며, 공정 가스로 아르곤(Ar), 질소(N2), 이산화탄소(CO2), 메탄(CH4) 중 적어도 하나 이상의 가스를 이용한 스퍼터링 방법으로 형성하였다.


적층수
물질
두께
(Å)
플라즈마
처리
열처리
(℃)
내화학성 평가
@405nm
변화량
위상반전막
성막후		 화학용액
처리 후
실시예1

2층
이상

Cr
화합물		 1,380
 처리


 100
 위상차 177.8° 176.2° -1.6°
투과율 6.52 6.84% +0.32%
실시예2 1,450 250
 위상차 186.9° 185.1° -1.8°
투과율 6.12 6.37% +0.25%
실시예3 1,470
 300
 위상차 189.4° 188.1° -1.3°
투과율 5.92% 6.31% 0.41%
비교예 1,390
 미처리
 미처리
 위상차 179.1° 170.4° -8.7°
투과율 5.39% 7.24% +1.85%
표 1은 본 발명의 실시예에 따른 위상반전막의 내화학성 평가 수치를 나타내고 있다.
자세하게, 본 발명의 실시예 1 내지 실시예 3에서는 1,380Å 내지 1,470Å의 두께를 갖는 Cr 화합물로 위상반전막을 성막하였다.
그런 다음, 후, 위상반전막에 반응성 가스인 질소(N2)를 사용하여 플라즈마 처리 공정을 수행하고, 각각 100℃ 내지 300℃의 온도에서 열처리 공정을 진행하였으며, 패터닝 공정을 위한 화학 약품을 이용하여 처리한 위상반전막의 위상차 변화 및 투과율의 변화를 측정하였다.
표 1에 도시된 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 내지 3에서는 화학 용액을 이용하여 위상반전막을 처리 후 위상차가 1.6° 내지 1.8°변화되었고, 투과율은 0.25% 내지 0.41% 변화되어 화학용액에 대하여 양호한 내화학성을 갖는 것을 확인하였다.
비교예는 1,390Å의 두께를 갖는 Cr 화합물로 위상반전막을 성막하였고, 플라즈마 처리 공정 및 열처리 공정을 수행하지 않은 위상반전막을 패터닝 공정을 위한 화학 약품을 이용하여 처리한 위상차 변화 및 투과율의 변화를 측정하였다.
표 1에 도시된 바와 같이, 비교에에서는 화학용액을 이용하여 위상반전막을 처리 후 위상차가 8.7°변화되었고, 투과율은 1.85% 변화되어 화학용액에 대하여 내화학성이 열화된 것을 확인하였다.
이상에서와 같이, 본 발명은 FPD용 위상반전 블랭크 마스크를 구성하는 위상반전막에 플라즈마 처리 및 열처리 공정 중 적어도 하나의 공정을 수행하여 위상반전막을 표면처리 함으로써, 세정 공정에 사용되는 화학 약품 및 패터닝 공정에 사용되는 식각 물질에 대하여 위상반전막의 내약품성 및 내산화성을 향상시킬 수 있다.
이에 따라, FPD용 블랭크 마스크를 이용한 포토마스크의 제조 공정 및 세정 공정에 대하여 내화학성 및 내산성이 향상되어 위상차 및 투과율의 변화량이 적은 위상반전막을 형성함으로써 미세 패턴을 갖는 FPD용 위상반전 포토마스크를 제조할 수 있다.
이상, 본 발명을 가장 바람직한 실시예를 이용하여 설명하였지만, 본 발명의 기술적 범위는, 상기 실시예에 기재된 범위에 한정되지 않는다. 상기 실시예에 다양한 변경 또는 개량을 가하는 것이 가능하다는 것은 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있다는 것이 특허 청구 범위의 기재로부터 분명하다.
100 : FPD용 위상반전 블랭크 마스크
102 : 투명 기판
104 : 차광성막
106 : 위상반전막
108 : 레지스트막

Claims (15)

  1. 투명 기판 상에 위상반전막을 성막하는 단계; 및
    상기 위상반전막을 플라즈마 공정을 이용하는 표면처리 및 열처리 공정을 이용한 표면 처리 중 적어도 하나의 공정을 수행하는 단계;
    를 포함하는 위상반전 블랭크 마스크 제조 방법.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플라즈마 공정을 이용한 표면처리는 산소(O2), 질소(N2), 염소(Cl)계 및 불소(F)계 가스 중 적어도 하나의 가스를 이용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막의 표면처리는 플라즈마 공정을 이용하여 표면처리 후, 열처리 공정을 이용하는 표면처리를 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 열처리 공정은 100℃ ∼ 300℃의 온도에서 10분 ∼ 60분 동안 수행하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 노광광에 대하여 170° ∼ 190°의 위상차를 가지며, 4% ∼ 50%의 투과율을 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 500Å ∼ 1,500Å의 두께를 갖도록 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 적어도 2층 이상의 다층막 또는 연속막의 형태로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  8. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 크롬(Cr), 알루미늄(Al), 코발트(Co), 텅스텐(W), 몰리브데늄(Mo), 바나듐(V), 팔라듐(Pd), 티타늄(Ti), 플랫티늄(Pt), 망간(Mn), 철(Fe), 니켈(Ni), 카드뮴(Cd), 지르코늄(Zr), 마그네슘(Mg), 리튬(Li), 셀렌(Se), 구리(Cu), 이트륨(Y), 황(S), 인듐(In), 주석(Sn), 보론(B), 베릴륨(Be), 나트륨(Na), 탄탈륨(Ta), 하프늄(Hf), 니오븀(Nb), 실리콘(Si) 중 어느 하나 이상의 금속 물질들을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 상기 금속물질에 질소(N), 산소(O), 탄소(C) 중 하나 이상의 물질을 더 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 적어도 2층 이상의 다층막 또는 연속막의 형태로 형성하며, 상기 위상반전막은 CrO, CrN, CrC, CrON, CrCO, CrCN, CrCON 중 적어도 하나로 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막의 상부 또는 하부에 배치되는 차광성막을 더 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 차광성막은 차광막 및 반사방지막을 포함하여 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 위상반전막을 성막하는 단계 후, 상기 위상반전막을 표면처리하는 단계 전, 상기 위상반전막을 베이킹하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  14. 제 1 항 내지 제 13 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 위상반전막은 FPD용 투명 기판 상에 형성하는 것을 특징으로 하는 위상반전 블랭크 마스크의 제조방법.
  15. 위상반전막이 구비된 FPD용 위상반전 블랭크 마스크로서,
    상기 위상반전막은 플라즈마를 이용하여 표면처리된 FPD용 위상반전 블랭크 마스크.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR102554083B1 (ko) * 2022-06-23 2023-07-10 에스케이엔펄스 주식회사 블랭크 마스크 및 이를 이용한 포토마스크

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