KR20140090754A - Ｍａｘ 상 박막의 제조방법 - Google Patents

Abstract

본 발명은, Ti₂AlN MAX 상 박막 제작에 관한 것으로, 스퍼터링 등으로 형성한 비정질 Ti₂AlN 박막을 800 ℃ 정도의 고온에서 후열 처리하여 결정질 화하는 종래 기술과 달리 비교적 저온에서 박막을 증착함과 동시에 바로 결정질 박막으로 제작하는 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, Ti₂AlN 타겟을 제작사용하고, 임펄스 전압을 인가하여 방전된 플라즈마를 이용하여 타겟으로부터 침식되어 나오는 금속 입자를 이온화시켜 400 내지 500 ℃ 정도의 비교적 저온에서 우수한 결정질 박막을 제작할 수 있어, 모재 선택의 폭을 넓혀 Ti₂AlN MAX 상 박막 적용의 폭을 넓혔다.

Description

ＭＡＸ 상 박막의 제조방법{MAX phase thin film Manufacturing Method}

본 발명은 M_{n +1}AX_n 형태의 화학식을 갖는 MAX 상(MAX phase) 박막의 제조방법에 관한 것으로 좀 더 상세하게는 Ti₂AlN MAX 상 박막의 제조방법에 관한 것이다.

MAX 상(MAX phase) 박막은 준 세라믹 특성의 MX 와, M과는 다른 금속원소 A가 조합된 결정질로 전기전도성, 내 산화성, 기계가공성 등의 물성이 우수하다. 특히, Ti₂AlN MAX 상 물질은 고온에서의 내 산화성이 우수하여, 고온 산화 방지를 필요로 하는 항공기 터빈 블레이드, 자동차 등의 내연기관 부품 등 내화성을 요하는 물품에 MAX 상(MAX phase) 물질을 이용하면, 안정된 동작과 수명연장에 매우 유리하다. 뿐만아니라 고온에 대한 내산화성과 더불어 저마찰성과 내마모성이 있어, 보호용 코팅재, 저마찰용 코팅재, 센서, 전기접촉점 형성재 등에 적용되는 것은 권장할 만한 일이다.

종래기술에 따르면, 이와 같은 Ti₂AlN MAX 상 물질은 TiN과 Al을 분말혼합하고 소결체로 소결하여 블록단위로 만든 후, 드릴 가공으로 원하는 형상체를 제작하여 왔다. 이러한 소결체를 이용한 Ti₂AlN MAX 상 물질의 응용성은 블록단위로 소결하고 이를 가공하여야만 한다는 점에서 매우 제한적일 수밖에 없었다. 따라서 응용성을 높이기 위한 대안으로서, Ti₂AlN MAX 상 물질의 특성을 요하는 모재에 Ti₂AlN MAX 상 물질을 박막으로 코팅하는 것이 제안되어, 스퍼터링 등의 방법으로 코팅되고 있다. 그러나, 스퍼터링 방법을 이용한 박막의 제작방법은, 증착으로 형성된 박막의 상태가 비정질이기 때문에 이에 대한 후열처리(post-annealing)를 필요로 한다. 즉, 증착된 박막을 진공 내 600 내지 800℃의 고온에서 후열처리하여 비정질을 결정질로 만드는 과정을 거쳐야 Ti₂AlN MAX 상 박막으로 코팅처리가 완료되게 된다.

이와 같은 후열처리 공정은 생산성을 떨어뜨리며, 후열처리 공정을 견딜 수 있는 모재에 한정하여 Ti₂AlN MAX 상 박막으로 코팅처리 할 수 있다는 점에서 응용성을 그다지 넓히지 못하며, 고온의 후열처리 도중 모재와 코팅 박막의 열팽창계수의 차이로 인한 박막의 균열 및/또는 박리문제가 발생한다는 단점을 지닌다.

한편, 대한민국공개특허제10-2004-0004091호에서는 마그네트론 스퍼터링 방법으로 Ti_{n +1}AlN_n MAX 상 박막을 제조하는 방법을 개시하며, 여기서는 Ti/Al 타깃과 N₂ 가스를 공급하여 700 내지 900℃ 공정온도에서 Ti_{n +1}AlN_n MAX 상 박막을 제조하고 있다. 이와 같은 고온 공정은 생산성 문제는 해결할 수 있다고 하여도, 여전히 모재 자체가 고온 내구성을 요하므로 적용성이 떨어지며, 고온 공정에서 일어날 수 있는 열 팽창 문제와 타깃으로 제공되는 Al의 증발로 인한 Al 분율의 저하 등이 문제될 수 있다.

따라서 본 발명의 목적은 Ti₂AlN MAX 상 박막을 좀 더 다양하게 적용할 수 있도록 코팅 공정의 온도를 낮추어 모재에 Ti₂AlN 박막을 증착하여 코팅하는 방법을 제공하고자 하며, 특히, 코팅단계에서 바로 결정질 박막을 형성하여 후열 처리 공정 없이 Ti₂AlN MAX 상 박막으로 코팅처리 할 수 있는 새로운 MAX 상 박막의 제조방법을 제공하고자 하는 것이다.

본 발명은,

모재에 Ti₂AlN MAX 상 박막으로 코팅처리함에 있어서,

진공 중에서 Ti₂AlN으로 된 하나의 타겟(target)을 설치하고, 불활성 가스를 불어넣고, 임펄스 전압을 인가하여 방전된 플라즈마(plasma)를 이용하여 타겟으로부터 금속원소를 이온상태로 방출시켜 모재에 직접 결정질의 Ti₂AlN MAX 상 박막으로 코팅 처리하는 것을 특징으로 하는 MAX 상(MAX phase) 박막 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 코팅 처리 중, 상기 모재는 300 내지 500 ℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 방법에 있어서, 플라즈마 운전중 진공도는 0.1 내지 1Pa로 유지하고, 플라즈마 제너레이터(plasma generator)의 전력은 0.5 내지 1kW로 유지하는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 방법에 있어서, 타겟 쪽에 -10 내지 -90 V의 바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막의 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 방법에 있어서, Ti₂AlN으로 된 타겟은 Ti:Al:TiN을 혼합하여 플라즈마로 소결하여 제작되는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막의 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 방법에 있어서, Ti₂AlN 타겟으로부터 생성되는 금속이온의 에너지는 50 내지 100eV 인 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막의 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 방법에 있어서, 상기 모재는 300 내지 500℃에서 내구성을 갖는 소재인 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법을 제공할 수 있다.

또한, 본 발명은, 상기 방법에 있어서, Ti₂AlN으로 된 타겟은 Ti:Al:N의 원자비가 2:1.1~1.2:1.8~2.0인 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법을 제공할 수 있다.

본 발명에 따르면, 별도의 후열 처리 공정 없이 박막 형성 단계에서 직접 결정질의 MAX 상 박막을 형성하므로, 생산성을 크게 향상시킬 수 있다.

또한, 본 발명에 따라 제작되는 결정질의 MAX 상 박막은 고에너지 플라즈마에 의하여 금속이온을 생성시켜 형성되므로, 후열 처리 온도에 비해 낮은 온도에서 결정질 박막을 형성하면서도 그레인 바운더리(grain boundary)가 적은 치밀한 결정질 박막을 얻을 수 있어 경도 및 고온에 대한 내 산화성을 향상시킬 수 있다.

또한, 후열 처리 온도에 비해 낮은 온도에서 결정질의 MAX 상 박막을 형성하므로 후열 처리 공정 중 모재와 코팅 박막의 열팽창 계수가 달라 일어날 수 있는 박막의 균열 내지는 박리 현상을 회피할 수 있다.

또한, 본 발명은 결정질의 MAX 상 박막 코팅을 상당히 낮은 온도에서 구현할 수 있어 적용할 수 있는 모재의 폭을 넓힐 수 있으며, 낮은 공정 온도로 인하여 오히려 Ti₂AlN 타깃으로부터 Al이 손실되는 비율이 적어 타깃의 원자비를 조절하여 더욱 우수한 조성의 Ti₂AlN MAX 상 박막을 코팅할 수 있다.

결론적으로 본 발명에 따르면 생산공정을 단순화하고 공정 온도를 낮춰 적용성을 넓히면서도 종래공정에 비해 우수한 물성의 박막 코팅을 할 수 있다.

도 1a는 MAX 상 물질의 조성원소를 나타내는 테이블이다.
도 1b는 MAX 상 물질에 대한 이해를 돕기 위한 결정 구조 모형도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 박막 형성공정에서 금속 이온 생성을 설명하는 개요도이다.
도 3은 본 발명에 사용되는 타겟의 제작을 설명하는 도면이다.
도 4는 본 발명에서 제작된 타겟의 특성을 나타내는 XRD 그래프이다.
도 5는 본 발명의 실시예에 따라 제작된 Ti₂AlN(110) MAX 상 코팅 박막의 XRD 결과를 종래 기술에 의한 박막에 대한 것과 대비하여 나타낸 그래프이다.
도 6은 본 발명의 실시예에 따라 서로 다른 기판에 대하여 제작된 Ti₂AlN MAX 상 코팅 박막의 XRD 결과를 나타낸 그래프이다.
도 7은 본 발명의 실시예에 따라 바이어스 전압을 차등 인가하여 그에 대한 XRD 결과를 나타낸 그래프이다.
도 8은 본 발명의 실시예에서 증착 온도를 달리하여 제작된 Ti₂AlN MAX 상 코팅 박막의 SEM 사진이다.
도 9는 본 발명의 실시예에서 제작된 Ti₂AlN MAX 상 코팅 박막의 TEM 사진이다.
도 10은 본 발명의 실시예에서 제작한 Ti₂AlN MAX 상 코팅 박막의 SAED(Selected Area Electron Diffraction) 패턴의 사진이다.
도 11은 본 발명의 실시예에서 HIPIMS 펄스 파라미터들을 나타낸 표이다.
도 12는 본 발명의 실시예에서 Ti₂AlN 타깃과 그로부터 제작된 Ti-Al-N 코팅막의 EPMA(Electro Probe Micro Analyzer) 결과를 나타내는 표이다.

이하, 본 발명의 바람직한 실시예에 대해 첨부도면을 참조하여 상세히 설명한다.

도 1a는 MAX 상 물질에 대한 조성원소를 나타내는 테이블이고, 도 1b는 MAX 상 물질에 대한 이해를 돕기 위한 결정 구조 모형도로, 본 실시예의 경우, 도 1a에 나열된 MAX 상 물질 중 특별히 Ti₂AlN MAX 상 코팅 박막을 제작하는 것이다. M으로 표시된 전이금속원소와 비금속원소 X간의 결합은 매우 강한 반면, A로 표시되는 비 전이금속과 MX와의 결합은 약한 편으로, 도 1b에서와 같이 MX층은 나노미터 수준의 간격으로 적층 되며, 그 사이사이 원소 A 가 높은 활성을 지닌 채 존재하게된다. 이러한 MAX 상 물질은, 금속과 세라믹의 물성을 골고루 갖춘 준 세라믹으로, 연성, 전성, 기계가공성, 열 및 전기전도성, 저 마찰성, 내마모성, 내 산화성, 내 부식성 등을 갖는다. 이와 같은 우수한 물성으로 인하여 고온에 적용되는 물품의 보호용 코팅재, 저마찰용 코팅재, 센서, 전기접촉점 형성재 등으로 응용될 수 있다. 특히, Ti₂AlN의 경우, Al원자의 높은 활성으로 Ti₂AlN 표면에 Al₂O₃ 보호층을 형성하게 되어 800℃ 내외의 고온에서도 장시간 견딜 수 있다. 따라서, 항공기 터빈 블레이드에 보호코팅 박막을 Ti₂AlN으로 형성하거나 전극체를 형성할 수 있다.

이러한 결정질의 Ti₂AlN 코팅 박막을 직접적으로 제작하기 위해 먼저 모재와 타겟을 준비한다.

본 실시예의 경우, 모재는 Si과 Ti6242 합금 기판을 각각 준비하였고, Ti6242 합금은 Ti₆Al₂Sn₄ZrMo를 뜻한다. 그러나 모재는 이에 한정되지 않고 다른 소재를 선택할 수 있으며, 특히 본 발명은 제작공정의 온도가 상당히 낮고 고온의 후열 처리를 행하지 않으므로 고온 열변성을 우려하지 않을 수 있어 모재 선택의 폭이 넓으며, 스테인레스스틸(SUS)도 모재로 선택하여 Ti₂AlN 코팅 박막을 올릴 수 있다.

상술한 바와 같이, Ti₂AlN 코팅 박막을 박막 증착 단계에서부터 결정질로 만들어 후열 처리 공정을 없애기 위하여는 증착 공정에서 박막 형성에 기여하는 금속 입자들의 에너지가 높아야 하고, 무엇보다, 도 2에서와 같이 타겟으로부터 침식되어 튀어나오는 금속 입자들이 이온화되어야 한다. 이를 위해, 본 실시예에서는 타겟을 Ti₂AlN으로 제작하여 사용하였다. 타겟의 제작은 Ti:Al:TiN을 원자비로 1:1~2:1로 혼합하고, 습식 밀링으로 2 시간 정도 가공한 후, 40MPa의 고압 및 1230℃ 내외의 온도에서 10 분 정도 플라즈마 소결하여 제작할 수 있으며, 타겟 제작 장치를 도 3에 도시하였다. 본 실시예에서는 Ti:Al:TiN을 원자비로 1:1:1로 하여 제작되었고, 이러한 타겟은 밀도가 4.36으로 비교적 내부 기공이 없는 우수한 밀도를 가지며, 이는 제작시 가압한 효과이기도 하다. 타겟에 대한 XRD 검사 결과와 SEM 사진 및 이에 따라 분석된 타겟 조성을 나타낸 그래프가 도 4에 도시되어 있다. 즉, 50 % 내외의 Ti, 24 % 내외의 Al, 26 % 내외의 N로 이루어져 Ti₂AlN로 조성된 타겟 임을 알 수 있으며, 이를 진공 챔버에 넣고 Ar등의 비활성 가스를 이용하여 플라즈마를 방전시켜 타겟을 침식하고, 이로 인해 튀어나오는 금속 입자를 이온화하여 모재에 Ti₂AlN 박막을 코팅하는 것이다.

도 2에 나타낸 바와 같이, 금속 입자의 이온화 도가 높아야만 박막이 증착 단계에서 바로 결정질 박막으로 형성된다. 이를 위해, 본 발명의 실시예에서는 임펄스 전압 및 전류를 인가하여 고에너지 플라즈마를 고밀도로 생성하게 하며, 바람직하게는 HIPIMS(본 실시예의 경우 Hauzer사제 사용) 장치를 이용할 수 있다.

진공 챔버 내에 모재와 타겟을 장착하고, 기저 압력을 10^-3 Pa 내지 10^-2 Pa 로 한 후, 아르곤 가스를 도입하여 운전 압력을 0.1 내지 1Pa로 유지한다.

플라즈마 제너레이터의 전력은 0.5 내지 1kW로 유지하고, 전류는 약 1 A/cm² 정도로 흘려주었다.

특히, 발생한 플라즈마를 타겟 쪽으로 강하게 유인하는 인력을 미치도록 타겟에 바이어스 전압을 걸어주는 것이 바람직하며, 본 실시예의 경우, -10 내지 -90 V, 더욱 바람직하게는, -30 내지 -60 V의 바이어스 전압을 걸어주었다.

또한, 형성되는 Ti₂AlN 박막이 증착 단계에서부터 결정질로 형성되기 위해서는 증착을 수행하는 이온의 에너지와 이에 조합되는 온도가 중요 인자로 작용하며, 증착 공정 중 모재는 400 내지 500 ℃로 유지되게 하는 것이 바람직하며, 이는 결정질 형성에 필요한 에너지의 상당부분을 금속 이온이 제공함에 따라 종래 기술에 비해 매우 낮은 온도에서 결정질의 MAX 상 박막이 형성되는 것이다.

플라즈마를 이용한 증착 공정은 원하는 코팅 박막의 두께에 따라 달라질 수 있으며, 항공기 터빈 블레이드 등, 고온 내 산화성을 구비하게 할 경우, μm 단위까지 코팅막을 형성할 수 있으나, 센서나 전기접촉점 형성 등, 저마찰 성을 요하는 용도이면 nm 수준의 박막으로 형성할 수도 있다.

도 5는 본 발명의 실시예에 따라 모재를 Si로 하여 제작된 Ti₂AlN MAX 상 코팅 박막의 XRD 결과를 종래 기술에 의한 박막에 대한 것과 대비하여 나타낸 그래프이며, (a)로 표시된 그래프는 종래 DC 펄스를 이용하여 Ti₂AlN 박막을 제작한 것으로 AlTi, fcc의 TiN 및 Ti₂AlN이 혼재함을 알 수 있다. 이에 비해, 본 실시예에 의한 Ti₂AlN 박막은 실온, 300 ℃, 450 ℃의 온도 변인에 따라 각각 차이가 있으나, 450 ℃ 온도에서 제작한 것은 결정면이 (110)인 Ti₂AlN 박막이 형성되었음을 확인할 수 있고, 이로써 박막 제작 단계에서 바로 결정질의 Ti₂AlN 박막을 얻을 수 있음을 확인할 수 있다. 온도가 실온이거나 300 ℃ 이하 정도이면, AlTi, AlTi₃ 등의 상태로 존재하게되어, 원하는 결정질 박막을 얻으려면 금속이온화 도가 높은 경우에도 온도를 적정 수준으로 유지하여 함을 알 수 있다. 상기에서 결정면의 방향은 조건에 따라 달리 형성하게 할 수 있어, 한정적인 것은 아니다.

도 6에서는 모재 기판을 각각 Si과 Ti6242 합금을 사용하였을 경우에 대한 XRD 그래프로 모재 성분이 박막에서도 나타나며 이는 기판에 대해 박막이 매우 얇게 형성되어 있음을 뜻하며, 박막과 모재 간의 밀착성이 강함을 예측할 수 있다. 이는 비교적 저온에서 결정질을 만들기 때문에 열 팽창계수의 차이에 의한 균열 박리 등이 없는 우수한 품질의 박막이 형성될 수 있음을 뜻한다.

도 7은 바이어스 전압을 최적화한 실험 데이터를 포함하며, -30 내지 -90 V, 바람직하게는, -50 V 내외가 최적 바이어스임을 알 수 있다.

도 8은 모재 기판을 각각 Si로 하여, 상온과 450℃에서 형성한 Ti₂AlN 박막의 SEM 사진으로 450℃에서 형성한 박막은 성장방향을 알 수 있는 모폴로지를 보여, 상온에서보다는 450℃에서 결정질 박막이 성장하기에 유리함을 알 수 있다.

도 9는 모재 기판을 Si로 한 Ti₂AlN 박막의 TEM 사진으로 박막의 결정성장 방향을 도 8에 비해 훨씬 뚜렷하게 알 수 있다.

*도 10은 모재 기판을 Si로 한 Ti₂AlN 박막의 SAED 패턴으로 박막이 결정질로 성장하였음을 더욱 명백히 보여준다.

이와 같이 하여, 후열 처리 공정 없이 Ti₂AlN MAX 상 박막을 증착 단계에서 바로 결정질로 제작할 수 있다.

본 발명은 Ti₂AlN MAX 상 박막을 500 ℃ 이하의 비교적 낮은 온도에서 형성하므로 상기 온도 범위 내에서 변형되지 않는 것이면 모재로 사용할 수 있다.

따라서 모재는 Si, Ti6242 합금 기판, 스테인레스스틸 등 종래에 비해 다양화 될 수 있다.

한편, Ti₂AlN MAX 상 박막은 플라즈마 소결로 제작한 Ti₂AlN 타겟을 HIPIMS(High Power Impulse Magnetron Sputtering)을 이용하여 형성하여 결과를 분석해 본 결과 및 제작된 타깃에 대해 EPMA로 분석한 결과 도 12에서와 같이 Ti:Al:N:O=0.47:0.22:0.25:0.06임을 알 수 있으며, 이러한 타깃으로 제작된 Ti₂AlN MAX 상 박막의 조성도 도 12에서와 같이 나타났다. 이는 평균자유행정이 Ti에 비해 1.3 배 더 긴 Al의 충돌 횟수가 더 적어진다는 점과 Al이 증발(evaporation)되어 Al이 결핍되는 원인이 된다고 볼 수 있다. N의 경우도 확산속도가 빨라 비슷하게 결핍이 일어날 수 있다. 그 결과 Ti₂AlN MAX 상 박막에 소량의 Ti₂N이 공존하는 나노복합체가 형성될 수 있다. Ti₂N의 생성은 Al의 결핍이 원인이므로, 이를 개선허기 위해 Ti₂AlN 타깃 제작에서 그 조성비를 조절할 수 있다. 즉, Ti:Al:N의 원자비를 2:1.1~1.2:1.8~2.0, 바람직하게는 2:1.12:1.9로 할 수 있다.

이를 진공 챔버에 넣고 Ar등의 비활성 가스를 이용하여 플라즈마를 방전시켜 타겟을 침식하고, 이로 인해 튀어나오는 금속 입자를 이온화하여 모재에 Ti₂AlN 박막을 코팅하는 것이다.

본 발명의 실시예에서는 임펄스 전압 및 전류를 인가하여 고에너지 플라즈마를 고밀도로 생성하게 하며, 이는 HIPIMS(Hauzer사제) 장치를 이용할 수 있다. HIPIMS의 바람직한 일실시예로서 파라미터들을 도 11에 나타내었다.

기저 압력은 4×10^-3 Pa, 아르곤과 같은 비활성 가스를 타깃 근처에 불어넣어 운전압력은 0.5Pa로 유지하고, 온도는 상온에서부터 300 내지 450℃로 변화시켜가며 박막코팅을 실시하였으며, 바이어스 전압은 0 내지 -70 V로 하였다. 타깃과 기판 간 거리는 8cm 내외로 유지하였고, 증착율은 0.9 내지 1.2μm/h 였다. 따라서 박막 두께는 증착 시간으로 제어한다.

이와 같이 하여 Ti₂AlN MAX 상 박막을 상대적으로 낮은 온도에서 제작할 수 있다.

본 발명의 권리는 위에서 설명된 실시예에 한정되지 않고 청구범위에 기재된 바에 의해 정의되며, 본 발명의 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 청구범위에 기재된 권리범위 내에서 다양한 변형과 개작을 할 수 있다는 것은 자명하다.

도면부호 없음.

Claims (8)

1. 모재에 Ti₂AlN MAX 상 박막으로 코팅처리함에 있어서,
   진공 중에서 Ti₂AlN으로 된 하나의 타겟(target)을 설치하고, 불활성 가스를 불어넣고, 임펄스 전압을 인가하여 방전된 플라즈마(plasma)를 이용하여 타겟으로부터 금속원소를 이온상태로 방출시켜 모재에 직접 결정질의 Ti₂AlN MAX 상 박막으로 코팅 처리하는 것을 특징으로 하는 MAX 상(MAX phase) 박막 제조방법.
2. 제1항에 있어서, 상기 코팅 처리 중, 상기 모재는 300 내지 500 ℃로 유지되는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법.
3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 플라즈마 운전중 진공도는 0.1 내지 1Pa로 유지하고, 플라즈마 제너레이터(plasma generator)의 전력은 0.5 내지 1kW로 유지하는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법.
4. 제3항에 있어서, 타겟 쪽에 -10 내지 -90 V의 바이어스 전압을 인가하는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법.
5. 제1항에 있어서, Ti₂AlN으로 된 타겟은 Ti:Al:TiN을 혼합하여 플라즈마로 소결하여 제작되는 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법.
6. 제1항에 있어서, Ti₂AlN 타겟으로부터 생성되는 금속이온의 에너지는 50 내지 100eV 인 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법.
7. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 모재는 300 내지 500℃에서 내구성을 갖는 소재인 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법.
8. 제5항에 있어서, Ti₂AlN으로 된 타겟은 Ti:Al:N의 원자비가 2:1.1~1.2:1.8~2.0인 것을 특징으로 하는 MAX 상 박막 제조방법.

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