KR20140081630A - 열전 발전 및 압전 발전을 이용한 하이브리드 발전기 - Google Patents
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Abstract
열전 발전 및 압전 발전을 이용한 하이브리드 발전기가 개시된다. 개시된 하이브리드 발전기는, 서로 이격된 제1 및 제2 절연층 사이에 마련되는 열전 구조물과, 상기 제2 절연층 상에 서로 이격된 제1 및 제2 전극 사이에 마련되는 압전 구조물과, 상기 압전 구조물과 상기 제2 전극 사이에 마련되는 제3 절연층을 포함한다.
Description
발전기에 관한 것으로, 상세하게는 열전 발전 및 압전 발전을 이용한 하이브리드 발전기에 관한 것이다.
최근에는 에너지를 하베스팅(harvesting)하는 기술이 이슈화로 떠오르고 있다. 이러한 에너지를 하베스팅 하는 소자들 중 압전 발전기는 주변 환경에 존재하는 바람이나 미세 진동 또는 인간의 움직임에 의해 발생되는 기계적 에너지를 전기 에너지로 변환하여 하베스팅할 수 있는 친환경 에너지 발전소자라 할 수 있다. 또한, 나노기술의 발달로 인해 나노 시스템을 이용한 플렉서블한 압전 나노발전기를 개발하는 연구가 진행되고 있다. 한편, 주변 환경에서는 기계적 에너지 뿐만 아니라 열 에너지도 많이 발생하고 있는 바, 이러한 기계적 에너지 및 열 에너지로부터 전기 에너지를 하베스팅하는 기술이 요구된다.
열전 발전 및 압전 발전을 이용한 하이브리드 발전기를 제공한다.
일 측면에 있어서,
서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층;
상기 제1 및 제2 절연층 사이에 마련되는 열전 구조물(thermoelectric structure);
상기 제2 절연층 상에 마련되는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 마련되는 압전 구조물(piezoelectric structure);
상기 압전 구조물 상에 마련되는 제3 절연층; 및
상기 제3 절연층 상에 마련되는 제2 전극;을 포함하는 하이브리드 발전기가 제공된다.
상기 하이브리드 발전기는 제1 절연층이 마련되는 열전도성 기판을 더 포함할 수 있다.
상기 제1, 제2 및 제3 절연층은 예를 들면, PMMA(Poly(methyl methacrylate)) 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 이러한 제1, 제2 및 제3 절연층은 예를 들면, 대략 2㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
상기 열전 구조물은 복수개의 p형 반도체 구조물 및 복수개의 n형 반도체 구조물을 포함할 수 있다. 여기서, 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들은 제1 절연층에 대하여 수직 또는 나란하게 배열될 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들은 도전체(conductor)에 의해 연결될 수 있다. 이 경우, 상기 도전체는 연성 솔더에 의해 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들에 접합될 수 있다.
상기 p형 및 n형 반도체 구조물들은 Bi, Sb, Se 및 Te 으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극은 유연하고 전도성이 있는 기판이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극은 금속 기판 또는 전도성 고분자 기판이 될 수 있다. 이러한 제1 전극은 예를 들면 대략 500㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다.
한편, 상기 제1 전극은 유연한 플라스틱 기판 상에 마련될 수도 있다. 여기서, 상기 제1 전극은 금속, 전도성 고분자 또는 그라핀(graphene)을 포함할 수 있다.
상기 압전 구조물은 복수의 압전 나노와이어를 포함할 수 있다. 상기 압전 나노와이어는 ZnO, ZnSnO3 또는 SnO를 포함할 수 있다. 상기 압전 나노와이어들과 상기 제1 전극 사이에는 제4 절연층이 더 마련될 수도 있다. 상기 제4 절연층은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 여기서, 상기 제4 절연층은 예를 들면, 대략 2㎛ 이하의 두께를 가질 수 있다. 상기 압전 나노와이어들과 상기 제1 절연층 사이에는 시드층(seed layer)이 더 마련될 수도 있다.
상기 압전 구조물은 압전 박막층을 포함할 수 있다. 상기 압전 박막층은 ZnO, ZnSnO3, SnO, BaTiO3, NaNbO3, PZT 또는 PVDF(Polyvinylidene fluoride)를 포함할 수 있다. 상기 압전 박막층과 상기 제1 전극 사이에는 제4 절연층이 더 마련될 수도 있다.
다른 측면에 있어서,
열전 발전기; 및
상기 열전 발전기 상에 마련되는 압전 발전기;를 포함하는 하이브리드 발전기가 제공된다.
상기 열전 발전기는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층과, 상기 제1 및 제2 절연층 사이에 마련되는 열전 구조물을 포함하고, 상기 압전 발전기는 상기 제2 절연층 상에 마련되는 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 마련되는 압전 구조물과, 상기 압전 구조물 상에 마련되는 제3 절연층과, 상기 제3 절연층 상에 마련되는 제2 전극을 포함할 수 있다.
실시예에 따른 하이브리드 발전기는 열전 발전기에 의해 온도차에 따른 열흐름을 이용하여 전기에너지를 얻을 수 있으며, 압전 발전기에 의해 기계적인 힘에 의한 변형을 이용하여 전기에너지를 얻을 수 있다. 이에 따라, 주변 환경에 존재하는 열에너지 및 기계적인 에너지로부터 전기에너지를 수확할 수 있다. 또한, 유연한 재질을 기판 및 전극을 사용함으로써 유연한 하이브리드 발전기를 구현할 수 있다. 그리고, 본 실시예에 따른 하이브리드 발전기는 열전 발전기의 특성과 압전 발전기의 특성의 상호 보완적인 효과(complementary effect)를 발생시켜 수확되는 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기를 도시한 사시도이다.
도 2는 도 1에 도시된 하이브리드 발전기의 일부를 절개하여 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 하이브리드 발전기의 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 제1 전극의 변형예를 도시한 것이다.
도 5는 도 1에 도시된 하이브리드 발전기에서 발생되는 전자 흐름(electron flow)을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기를 찍은 사진이다.
도 7a는 도 6에 도시된 하이브리드 발전기에서, 온도차 및 기계적 진동에 의해 발생되는 전류측정 결과를 도시한 것이다.
도 7b는 도 6에 도시된 하이브리드 발전기에서, 온도차 및 기계적 진동에 의해 발생되는 전압측정 결과를 도시한 것이다.
도 8은 인체의 온도 및 움직임에 의해 에너지 하베스팅을 확인하기 위한 도 6에 도시된 하이브리드 발전기가 팔의 피부에 부착된 모습을 찍은 모습을 도시한 것이다.
도 9a는 도 8에 도시된 상태에서, 팔의 움직임 및 피부의 온도에 의해 하이브리드 발전기로부터 발생되는 전류측정 결과를 도시한 것이다.
도 9b는 도 8에 도시된 상태에서, 팔의 움직임 및 피부의 온도에 의해 하이브리드 발전기로부터 발생되는 전압측정 결과를 도시한 것이다.
도 10은 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기의 단면도이다.
도 11은 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기의 단면도이다.
도 12는 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기의 단면도이다.
도 2는 도 1에 도시된 하이브리드 발전기의 일부를 절개하여 도시한 사시도이다.
도 3은 도 1에 도시된 하이브리드 발전기의 단면도이다.
도 4는 도 1에 도시된 제1 전극의 변형예를 도시한 것이다.
도 5는 도 1에 도시된 하이브리드 발전기에서 발생되는 전자 흐름(electron flow)을 개략적으로 나타낸 것이다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기를 찍은 사진이다.
도 7a는 도 6에 도시된 하이브리드 발전기에서, 온도차 및 기계적 진동에 의해 발생되는 전류측정 결과를 도시한 것이다.
도 7b는 도 6에 도시된 하이브리드 발전기에서, 온도차 및 기계적 진동에 의해 발생되는 전압측정 결과를 도시한 것이다.
도 8은 인체의 온도 및 움직임에 의해 에너지 하베스팅을 확인하기 위한 도 6에 도시된 하이브리드 발전기가 팔의 피부에 부착된 모습을 찍은 모습을 도시한 것이다.
도 9a는 도 8에 도시된 상태에서, 팔의 움직임 및 피부의 온도에 의해 하이브리드 발전기로부터 발생되는 전류측정 결과를 도시한 것이다.
도 9b는 도 8에 도시된 상태에서, 팔의 움직임 및 피부의 온도에 의해 하이브리드 발전기로부터 발생되는 전압측정 결과를 도시한 것이다.
도 10은 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기의 단면도이다.
도 11은 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기의 단면도이다.
도 12는 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기의 단면도이다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 실시예들을 상세히 설명한다. 아래에 예시되는 실시예는 본 발명의 범위를 한정하는 것은 아니며, 본 발명을 이 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 도면에서 동일한 참조부호는 동일한 구성요소를 지칭하며, 각 구성요소의 크기나 두께는 설명의 명료성을 위하여 과장되어 있을 수 있다. 또한, 소정의 물질층 기판이나 다른 층 상에 존재한다고 설명될 때, 그 물질층은 기판이나 다른 층에 직접 접하면서 존재할 수도 있고, 그 사이에 다른 제3의 층이 존재할 수도 있다. 그리고, 아래의 실시예에서 각 층을 이루는 물질은 예시적인 것이므로, 이외에 다른 물질이 사용될 수도 있다.
도 1은 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기(100)를 도시한 사시도이다. 도 2는 도 1에 도시된 하이브리드 발전기(100)의 일부를 절개하여 도시한 사시도이고, 도 3은 도 1에 도시된 하이브리드 발전기(100)의 단면도이다.
도 1 내지 도 3을 참조하면, 하이브리드 발전기(100)는 열전 발전기(110) 및 상기 열전 발전기(110) 상에 마련되는 압전 발전기(120)를 포함한다. 상기 열전 발전기(110)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층(112,113)과, 상기 제1 및 제2 절연층(112,113) 사이에 마련되는 열전 구조물(115)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 절연층(112)은 열전도성 기판(111) 상에 마련될 수 있다. 이러한 열전도성 기판(111)은 유연하고, 열전도성이 우수한 물질을 포함할 수 있다. 상기 열전도성 기판(111)은 예를 들면, Al, Cu, Au 또는 Ag 등과 같은 금속을 포함할 수 있으며, 이외에도 다양한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 절연층(112,113)은 유연한 재질을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 제1 및 제2 절연층(112,113)은 PMMA(Poly(methyl methacrylate)) 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 이러한 제1 절연층(112)은 예를 들면 대략 2㎛ 이하(보다 구체적인 예로는 대략 200nm 이하)의 두께를 가질 수 있지만, 반드시 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 열전 구조물(115)은 온도차에 의해 전기에너지를 발생시키는 물질을 포함할 수 있다. 상기 열전 구조물(115)은 복수개의 p형 반도체 구조물(115a)과 복수개의 n형 반도체 구조물(115b)을 포함할 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(115a,115b)은 예를 들면, Bi,Sb, Se 및 Te로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 p형 반도체 구조물(115a)은 BiSbTe3을 포함할 수 있고, 상기 n형 반도체 구조물(115b)은 Bi2Te2.7Se0.3을 포함할 수 있다. 그리고, 이러한 p형 및 n형 반도체 구조물들(115a,115b)은 도전체(conductor,118)에 의해 연결될 수 있다. 예를 들면, 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(115a,115b)은 직렬로 연결될 수 있다. 상기 도전체(118)의 표면에는 절연 물질이 코팅되어 있을 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(115a,115b)에는 상기 도전체(118)와의 접합을 위한 솔더(117)가 마련될 수 있다. 여기서, 상기 솔더(117)로는 유연하고 열전 특성이 우수한 열전 발전기(110)를 구현하기 위해 예를 들면 InSn 솔더 등과 같은 연성 솔더가 사용될 수 있다.
상기 압전 발전기(120)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 전극(121,122)과, 제1 전극(121) 상에 마련되는 압전 구조물과, 압전 구조물과 제2 전극(122) 사이에 마련되는 제3 절연층(125)을 포함한다. 상기 제1 전극(121)은 제2 절연층(113) 상에 마련되어 있다. 상기 제1 전극(121)은 압전 발전기(120)의 전극 역할을 하는 동시에 전술한 열전 발전기(110)의 열전도성 플레이트 역할도 할 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(121)은 전기전도성 및 열전도성을 가지는 물질을 포함하는 유연한 기판이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(121)은 금속 기판 또는 전도성 고분자 기판이 될 수 있다. 상기 금속 기판은 예를 들면, Al, Cu, Au 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 이는 단지 예시적인 것으로 이외에도 다양한 재질의 금속을 포함할 수 있다. 제1 전극(121)은 예를 들면 대략 500㎛ 이하(보다 구체적인 예로는 대략 50㎛ 이하)의 두께를 가질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 한편, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 전극(121')이 유연한 플라스틱 기판(121") 상에 마련될 수도 있다. 여기서, 상기 플라스틱 기판(121")은 대략 500㎛ 이하(보다 구체적인 예로는 대략 50㎛ 이하)의 두께를 가질 수 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(121')은 금속, 전도성 고분자 또는 그라핀(graphene) 등과 같은 전도성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(121) 상에는 압전 구조물이 마련되어 있다. 구체적으로, 제1 전극(121) 상에는 복수의 압전 나노와이어(126)가 배열되어 있다. 여기서, 상기 압전 나노와이어들(126)은 제1 전극(121) 상에 수직 또는 일정한 각도로 경사지게 배열될 수 있다. 상기 압전 나노와이어(126)는 변형에 의해 그 양단에 압전 포텐셜(piezoelectric potential)을 발생시키는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 압전 나노와이어(126)는 ZnO 나노와이어가 될 수 있으며, 이외에도 상기 압전 나노와이어(126)는 ZnSnO3 나노와이어 또는 SnO 나노와이어 등이 될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지는 않는다. 한편, 상기 압전 나노와이어들(126)이 형성된 제1 전극(121) 상에는 시드층(seed layer,도 11의 324)이 더 마련될 수 있다. 이러한 시드층은 압전 나노와이어들(126)의 성장을 용이하게 하기 위한 것으로, 예를 들면, ZnO, Zn, ZnSnO3, SnO, Sn 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있지만, 이에 한정되지는 않는다.
상기 압전 나노와이어들(126) 상에는 제3 절연층(125)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 제3 절연층(125)은 압전 나노와이어들(126)을 덮도록 코팅될 될 수 있다. 상기 제3 절연층(125)은 압전 나노와이어들(126) 사이를 채우도록 마련될 수도 있다. 도 3에는 제3 절연층(125)이 압전 나노와이어들(126) 사이의 상부를 채우도록 마련되는 경우가 예시적으로 도시되어 있으며, 상기 제3 절연층(125)은 압전 나노와이어들(126) 사이의 모든 공간을 채우도록 마련되는 것도 가능하다. 이러한 제3 절연층(125)은 제1 전극(121)과 제2 전극(122) 사이의 합선을 방지하는 역할을 한다. 상기 제3 절연층(125)은 예를 들면, PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 절연층(125)의 두께(구체적으로, 압전 나노와이어(126)의 상면과 제2 전극(122)의 하면 사이의 제3 절연층(125)의 두께)는 예를 들면 대략 2㎛ 이하(보다 구체적인 예로서, 대략 200nm 이하)가 될 수 있다. 상기 제3 절연층(125) 상에는 제2 전극(122)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 제2 전극(122)은 금속, 그라핀(graphene), 도전성 폴리머 등과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
도 5는 도 1에 도시된 하이브리드 발전기(100)에서 발생되는 전자 흐름(electron flow)을 개략적으로 나타낸 것이다. 도 5를 참조하면, 하이브리드 발전기(100)의 압전 발전기(120)에 압력이 가해지거나 압전 발전기(120)에 가해진 압력이 릴리즈(release)되면, 압전 발전기(120)로부터 전류가 발생하게 되고 이렇게 발생된 전류는 부하(150)에 인가될 수 있다. 또한, 하이브리드 발전기(100)의 열전 발전기(110)에 온도차가 발생하게 되면, 열전 발전기(110)로부터 전류가 발생하게 되고 이렇게 발생된 전류는 부하에 인가될 수 있다. 한편, 상기 압전 발전기(120) 및 열전 발전기(110)로부터 발생된 전류는 캐퍼시터(capacitor, 미도시)에 의해 축적되는 것도 가능하다.
이상과 같이, 본 실시예에 따른 하이브리드 발전기(100)는 열전 발전기(110)에 의해 온도차에 따른 열흐름을 이용하여 전기에너지를 얻을 수 있으며, 압전 발전기(120)에 의해 기계적인 힘에 의한 변형을 이용하여 전기에너지를 얻을 수 있다. 이에 따라, 주변 환경에 존재하는 열에너지 및 기계적인 에너지로부터 전기에너지를 수확할 수 있다. 또한, 유연한 재질을 기판 및 전극을 사용함으로써 유연한 하이브리드 발전기(100)를 구현할 수 있다. 일반적으로, 열전 발전기는 높은 출력 전류 및 낮은 출력 전압의 특성을 가지고 있는데 반해, 압전 발전기는 낮은 출력 전류 및 높은 출력 전압의 특성을 가지고 있다. 본 실시예에 따른 하이브리드 발전기(100)는 열전 발전기(110)의 특성과 압전 발전기(120)의 특성의 상호 보완적인 효과(complementary effect)를 발생시켜 수확되는 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 6은 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기(100)를 찍은 사진이다. 도 6에 도시된 하이브리드 발전기(100)에서는 열전도성 기판(111), 제1 및 제2 전극(121,122)의 물질로서 Al를 사용하였으며, 제1, 제2 및 제3 절연층(112,113,125)의 물질로서 PMMA를 사용하였다. 그리고, 압전 나노와이어(126)로는 ZnO 나노와이어를 사용하였다.
도 7a 및 도 7b는 도 6에 도시된 하이브리드 발전기(100)에서, 온도차 및 기계적 진동에 의해 발생되는 전류 측정 결과 및 전압 측정 결과를 각각 도시한 것이다. 도 7a 및 도 7b에는 제1 및 제2 절연층(112,113) 사이의 온도차를 3℃ 정도로 하고, 압전 나노와이어들(126)에 대략 10kPa 정도의 압력을 가했다가 놓았을 때 측정된 결과들이 도시되어 있다. 도 7a 및 도 7b에서, 'HC'는 하이브리드 발전기(100)를 나타내며, 'NG' 및 'TG'는 상기 하이브리드 발전기(100)를 구성하는 압전 발전기(120) 및 열전 발전기(110)를 나타낸다.
일반적으로, 열전 발전기는 "On" 상태에서 "Off" 상태로 되거나 또는 "Off" 상태에서 "On" 상태로 되면, 출력 전류는 급격히 변화하지만, 출력 전압은 그 변화가 미미하다. 즉, 열전 발전기는 높은 출력 전류 및 낮은 출력 전압의 특성을 가진다. 그리고, 압전 발전기는 "On" 상태에서 "Off" 상태로 되거나 또는 "Off" 상태에서 "On" 상태로 되면, 출력 전류는 그 변화가 미미하지만, 출력 전압은 급격히 변화한다. 즉, 압전 발전기는 낮은 출력 전류 및 높은 출력 전압의 특성을 가진다.
도 7a 및 도 7b를 참조하면, 하이브리드 발전기(HC)의 열전 발전기(TG)는 높은 출력 전류 및 낮은 출력 전압의 특성을 가지고, 하이브리드 발전기(HC)의 압전 발전기(NG)는 낮은 출력 전류 및 높은 출력 전압의 특성을 가짐을 알 수 있다. 그리고, 본 실시예에 따른 하이브리드 발전기에서는 열전 발전기의 특성과 압전 발전기의 특성이 상쇄되지 않고, 상호 보완적인 효과를 나타내고 있음을 알 수 있다. 따라서, 상기 하이브리드 발전기로부터 수확되는 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 8은 인체의 온도 및 움직임에 의해 에너지 하베스팅을 확인하기 위한 도 6에 도시된 하이브리드 발전기가 팔의 피부에 부착된 모습을 찍은 모습을 도시한 것이다. 도 9a 및 도 9b는 도 8에 도시된 상태에서, 팔의 움직임 및 피부의 온도에 의해 하이브리드 발전기로부터 발생되는 전류 측정 결과 및 전압 측정 결과를 각각 도시한 것이다. 도 9a 및 도 9b에는 본 실시예에 따른 하이브리드 발전기가 팔의 피부에 부착된 상태에서 팔을 주기적으로 움직였을 때 측정된 결과들이 도시되어 있다. 도 9a 및 도 9b를 참조하면, 본 실시예에 따른 하이브리드 발전기는 팔의 움직임 및 피부와 주변 환경의 온도차에 의해 상호 보완적인 전류 및 전압을 발생시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 10은 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기의 단면도이다. 이하에서는 전술한 실시예와 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 10을 참조하면, 하이브리드 발전기(200)는 열전 발전기(210) 및 상기 열전 발전기(210) 상에 마련되는 압전 발전기(220)를 포함한다. 상기 열전 발전기(210)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층(212,213)과, 상기 제1 및 제2 절연층(212,213) 사이에 마련되는 열전 구조물(215)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 절연층(212)은 열전도성 기판(211) 상에 마련될 수 있으며, 열전도성 기판(211)은 유연하고, 열전도성이 우수한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 절연층(212,213)은 유연한 재질을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 제1 및 제2 절연층(212,213)은 PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 열전 구조물(215)은 복수개의 p형 반도체 구조물(215a)과 복수개의 n형 반도체 구조물(215b)을 포함할 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(215a,215b)은 예를 들면, Bi,Sb, Se 및 Te로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 이러한 p형 및 n형 반도체 구조물들(215a,215b)은 도전체(218)에 의해 연결될 수 있으며, 이 도전체(218)의 표면에는 절연 물질이 코팅되어 있을 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(215a,215b)에는 상기 도전체(218)와의 접합을 위한 솔더(217)가 마련될 수 있다. 여기서, 상기 솔더(217)로는 예를 들면 InSn 솔더 등과 같은 연성 솔더가 사용될 수 있다.
상기 압전 발전기(220)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 전극(221,222)과, 제1 전극(221) 상에 마련되는 압전 구조물과, 압전 구조물과 제2 전극(222) 사이에 마련되는 제3 절연층(225)을 포함한다. 상기 제1 전극(221)은 제2 절연층(213) 상에 마련되어 있다. 상기 제1 전극(221)은 압전 발전기(220)의 전극 역할을 하는 동시에 전술한 열전 발전기(210)의 열전도성 플레이트 역할도 할 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(221)은 전기전도성 및 열전도성을 가지는 물질을 포함하는 유연한 기판이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(221)은 금속 기판 또는 전도성 고분자 기판이 될 수 있다. 상기 금속 기판은 예를 들면, Al, Cu, Au 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 이는 단지 예시적인 것으로 이외에도 다양한 재질의 금속을 포함할 수 있다. 한편, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 전극(121')이 유연한 플라스틱 기판(121") 상에 마련될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(121')은 금속, 전도성 고분자 또는 그라핀(graphene) 등과 같은 전도성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(221) 상에는 압전 구조물이 마련되어 있다. 구체적으로, 제1 전극(221) 상에는 압전 박막층(226)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 압전 박막층(226)은 ZnO, ZnSnO3, SnO, BaTiO3, NaNbO3, PZT 또는 PVDF(Polyvinylidene fluoride) 등을 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니며 상기 압전 박막층(226)은 이외에도 다양한 압전 물질을 포함할 수 있다. 상기 압전 박막층(226) 상에는 제3 절연층(225)이 마련되어 있다. 이러한 제3 절연층(225)은 제1 전극(221)과 제2 전극(222) 사이의 합선을 방지하는 역할을 한다. 상기 제3 절연층(225)은 예를 들면, PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 절연층(225) 상에는 제2 전극(222)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 제2 전극(222)은 금속, 그라핀, 도전성 폴리머 등과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에 따른 하이브리드 발전기(200)도 전술한 실시예와 같이, 열전 발전기(210)에 의해 온도차에 따른 열흐름을 이용하여 전기에너지를 얻을 수 있으며, 압전 발전기(220)에 의해 기계적인 힘에 의한 변형을 이용하여 전기에너지를 얻을 수 있다. 이에 따라, 주변 환경에 존재하는 열에너지 및 기계적인 에너지로부터 전기에너지를 수확할 수 있다. 또한, 유연한 재질을 기판 및 전극을 사용함으로써 유연한 하이브리드 발전기(200)를 구현할 수 있다. 그리고, 열전 발전기(210)의 특성과 압전 발전기(220)의 특성의 상호 보완적인 효과를 발생시켜 수확되는 에너지의 효율을 향상시킬 수 있다.
도 11은 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기(300)의 단면도이다. 이하에서는 전술한 실시예들과 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 11을 참조하면, 하이브리드 발전기(300)는 열전 발전기(310) 및 상기 열전 발전기(310) 상에 마련되는 압전 발전기(320)를 포함한다. 상기 열전 발전기(310)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층(312,313)과, 상기 제1 및 제2 절연층(312,313) 사이에 마련되는 열전 구조물(315)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 절연층(312)은 열전도성 기판(311) 상에 마련될 수 있으며, 열전도성 기판(311)은 유연하고, 열전도성이 우수한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 절연층(312,313)은 유연한 재질을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 제1 및 제2 절연층(312,313)은 PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 열전 구조물(315)은 복수개의 p형 반도체 구조물(315a)과 복수개의 n형 반도체 구조물(315b)을 포함할 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(315a,315b)은 예를 들면, Bi,Sb, Se 및 Te로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 이러한 p형 및 n형 반도체 구조물들(315a,315b)은 도전체(318)에 의해 연결될 수 있으며, 이 도전체(318)의 표면에는 절연 물질이 코팅되어 있을 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(315a,315b)에는 상기 도전체(318)와의 접합을 위한 솔더(317)가 마련될 수 있다. 여기서, 상기 솔더(317)로는 예를 들면 InSn 솔더 등과 같은 연성 솔더가 사용될 수 있다.
상기 압전 발전기(320)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 전극(321,322)과, 제1 전극(321) 상에 마련되는 압전 구조물과, 압전 구조물과 제2 전극(322) 사이에 마련되는 제3 절연층(325)과, 상기 제1 전극(321)과 압전 구조물 사이에 마련되는 제4 절연층(323)을 포함한다. 상기 제1 전극(321)은 제2 절연층(313) 상에 마련되어 있다. 상기 제1 전극(321)은 압전 발전기(320)의 전극 역할을 하는 동시에 전술한 열전 발전기(310)의 열전도성 플레이트 역할도 할 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(321)은 전기전도성 및 열전도성을 가지는 물질을 포함하는 유연한 기판이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(321)은 금속 기판 또는 전도성 고분자 기판이 될 수 있다. 상기 금속 기판은 예를 들면, Al, Cu, Au 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 하지만, 이는 단지 예시적인 것으로 이외에도 다양한 재질의 금속을 포함할 수 있다. 한편, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 전극(121')이 유연한 플라스틱 기판(121") 상에 마련될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(121')은 금속, 전도성 고분자 또는 그라핀 등과 같은 전도성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(321) 상에는 제4 절연층(323)이 마련되어 있다. 이러한 제4 절연층(323)은 제1 전극(321)과 제2 전극(322) 사이의 합선(short circuit)을 방지하고, 상기 제4 절연층(323) 상에 후술하는 압전 나노와이어들(326)이 균일하게 성장하게 하는 역할을 할 수 있다. 이러한 제4 절연층(323)은 높은 절연상수를 가지는 유연한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제4 절연층(323)은 PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 하지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 이러한 제4 절연층(323)은 대략 2㎛의 두께(대략 200nm 이하의 두께)를 가질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제4 절연층 상에는 압전 구조물이 마련되어 있다. 구체적으로, 상기 제4 절연층(323) 상에는 복수의 압전 나노와이어(326)가 배열되어 있다. 여기서, 상기 압전 나노와이어들(326)은 제4 절연층(323) 상에 수직 또는 일정한 각도로 경사지게 배열될 수 있다. 예를 들면, 상기 압전 나노와이어(326)는 ZnO 나노와이어, ZnSnO3 나노와이어 또는 SnO 나노와이어 등이 될 수 있다. 하지만, 이에 한정되지는 않는다. 상기 압전 나노와이어들(326)이 형성된 제4 절연층(323) 상에는 시드층(324)이 더 마련될 수 있다. 이러한 시드층(324)은 압전 나노와이어들(326)의 성장을 용이하게 하기 위한 것으로, 예를 들면, ZnO, Zn, ZnSnO3, SnO, Sn 및 Au 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
상기 압전 나노와이어들(326) 상에는 제3 절연층(325)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 제3 절연층(325)은 압전 나노와이어들(326)을 덮도록 코팅될 될 수 있다. 이러한 제3 절연층(325)은 제1 전극(321)과 제2 전극(322) 사이의 합선을 방지하는 역할을 한다. 상기 제3 절연층(325)은 예를 들면, PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 절연층(325)의 두께(구체적으로, 압전 나노와이어(326)의 상면과 제2 전극(322)의 하면 사이의 제3 절연층(325)의 두께)는 예를 들면 대략 2㎛ 이하(보다 구체적인 예로서, 대략 200nm 이하)가 될 수 있다. 상기 제3 절연층(325) 상에는 제2 전극(322)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 제2 전극(322)은 금속, 그라핀, 도전성 폴리머 등과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
본 실시예에서는 압전 나노와이어들(326)의 양단에 제3 및 제4 절연층(325,323)을 비교적 얇은 두께로 형성함으로써 제1 및 제2 전극(321.322) 사이의 합선을 방지하는 동시에 압전 발전기(320)의 발전 성능을 보다 향상시킬 수 있다.
도 12는 다른 예시적인 실시예에 따른 하이브리드 발전기(400)의 단면도이다. 이하에서는 전술한 실시예들과 다른 점을 중심으로 설명한다.
도 12를 참조하면, 하이브리드 발전기(400)는 열전 발전기(410) 및 상기 열전 발전기(410) 상에 마련되는 압전 발전기(420)를 포함한다. 상기 열전 발전기(410)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층(412,413)과, 상기 제1 및 제2 절연층(412,413) 사이에 마련되는 열전 구조물(415)을 포함한다. 여기서, 상기 제1 절연층(412)은 열전도성 기판(411) 상에 마련될 수 있으며, 열전도성 기판(411)은 유연하고, 열전도성이 우수한 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 및 제2 절연층(412,413)은 유연한 재질을 포함할 수 있다. 구체적인 예로서, 상기 제1 및 제2 절연층(412,413)은 PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 상기 열전 구조물(415)은 복수개의 p형 반도체 구조물(415a)과 복수개의 n형 반도체 구조물(415b)을 포함할 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(415a,415b)은 예를 들면, Bi,Sb, Se 및 Te로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함할 수 있다. 그리고, 이러한 p형 및 n형 반도체 구조물들(415a,415b)은 도전체(418)에 의해 연결될 수 있으며, 이 도전체(418)의 표면에는 절연 물질이 코팅되어 있을 수 있다. 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들(415a,415b)에는 상기 도전체(418)와의 접합을 위한 솔더(417)가 마련될 수 있다. 여기서, 상기 솔더(417)로는 예를 들면 InSn 솔더 등과 같은 연성 솔더가 사용될 수 있다.
상기 압전 발전기(420)는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 전극(421,421)과, 제1 전극(421) 상에 마련되는 압전 구조물과, 압전 구조물과 제2 전극(422) 사이에 마련되는 제3 절연층(425)과, 상기 제1 전극(421)과 압전 구조물 사이에 마련되는 제4 절연층(423)을 포함한다. 상기 제1 전극(421)은 제2 절연층(413) 상에 마련되어 있다. 상기 제1 전극(421)은 압전 발전기(420)의 전극 역할을 하는 동시에 전술한 열전 발전기(410)의 열전도성 플레이트 역할도 할 수 있다. 따라서, 상기 제1 전극(421)은 전기전도성 및 열전도성을 가지는 물질을 포함하는 유연한 기판이 될 수 있다. 예를 들면, 상기 제1 전극(421)은 금속 기판 또는 전도성 고분자 기판이 될 수 있다. 상기 금속 기판은 예를 들면, Al, Cu, Au 및 Ag 중 적어도 하나를 포함할 수 있다. 한편, 도 4에 도시된 바와 같이 제1 전극(121')이 유연한 플라스틱 기판(121") 상에 마련될 수도 있다. 이 경우, 상기 제1 전극(121')은 금속, 전도성 고분자 또는 그라핀 등과 같은 전도성 물질을 포함할 수 있다.
상기 제1 전극(421) 상에는 제4 절연층(423)이 마련되어 있다. 이러한 제4 절연층(423)은 제1 전극(421)과 제2 전극(422) 사이의 합선을 방지하는 역할을 한다. 이러한 제4 절연층(423)은 높은 절연상수를 가지는 유연한 물질을 포함할 수 있다. 예를 들면, 상기 제4 절연층(423)은 PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있다. 이러한 제4 절연층(423)은 대략 2㎛의 두께(대략 200nm 이하의 두께)를 가질 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 제4 절연층(423) 상에는 압전 구조물이 마련되어 있다. 구체적으로, 제4 절연층(423) 상에는 압전 박막층(426)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 압전 박막층(426)은 ZnO, ZnSnO3, SnO, BaTiO3, NaNbO3, PZT 또는 PVDF 등을 포함할 수 있다. 상기 압전 박막층(426) 상에는 제3 절연층(425)이 마련되어 있다. 이러한 제3 절연층(425)은 제1 전극(421)과 제2 전극(422) 사이의 합선을 방지하는 역할을 한다. 상기 제3 절연층(425)은 예를 들면, PMMA 등과 같은 절연성 폴리머를 포함할 수 있지만, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 제3 절연층(425) 상에는 제2 전극(422)이 마련되어 있다. 여기서, 상기 제2 전극(422)은 금속, 그라핀, 도전성 폴리머 등과 같은 도전성 물질을 포함할 수 있다.
이상에서 예시적인 실시예들을 통하여 기술적 내용을 설명하였으나, 당해 분야에서 통상적 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시예가 가능하다는 점을 이해할 것이다.
100,200,300,400... 하이브리드 발전기 110,210,310,410... 열전 발전기
111,211,311,411... 열전도성 기판 112,212,312,412... 제1 절연층
113,213,313,413... 제2 절연층 115,215,315,415... 열전 구조물
115a,215a,315a,415a... p형 반도체 구조물
115b,215b,315b,415b... p형 반도체 구조물
117,217,317,417... 솔더 118,218,318,418... 도전체
120,220,320,420... 압전 발전기 121,221,321,421... 제1 전극
122,222,322,422... 제2 전극 125,225,325,425... 제3 절연층
323,423... 제4 절연층 126,326... 압전 나노와이어
226,426... 압전 박막층
111,211,311,411... 열전도성 기판 112,212,312,412... 제1 절연층
113,213,313,413... 제2 절연층 115,215,315,415... 열전 구조물
115a,215a,315a,415a... p형 반도체 구조물
115b,215b,315b,415b... p형 반도체 구조물
117,217,317,417... 솔더 118,218,318,418... 도전체
120,220,320,420... 압전 발전기 121,221,321,421... 제1 전극
122,222,322,422... 제2 전극 125,225,325,425... 제3 절연층
323,423... 제4 절연층 126,326... 압전 나노와이어
226,426... 압전 박막층
Claims (35)
- 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층;
상기 제1 및 제2 절연층 사이에 마련되는 열전 구조물(thermoelectric structure);
상기 제2 절연층 상에 마련되는 제1 전극;
상기 제1 전극 상에 마련되는 압전 구조물(piezoelectric structure);
상기 압전 구조물 상에 마련되는 제3 절연층; 및
상기 제3 절연층 상에 마련되는 제2 전극;을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 절연층이 마련되는 열전도성 기판을 더 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제3 절연층은 절연성 폴리머를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 3 항에 있어서,
상기 절연성 폴리머는 PMMA(Poly(methyl methacrylate))를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제3 절연층은 2㎛ 이하의 두께를 가지는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 열전 구조물은 복수개의 p형 반도체 구조물 및 복수개의 n형 반도체 구조물을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 6 항에 있어서,
상기 복수개의 p형 및 n형 반도체 구조물은 상기 제1 절연층에 대하여 수직 또는 나란하게 배열되는 하이브리드 발전기. - 제 6 항에 있어서,
상기 p형 및 n형 반도체 구조물들은 도전체(conductor)에 의해 연결되는 하이브리드 발전기. - 제 6 항에 있어서,
상기 도전체는 연성 솔더에 의해 상기 p형 및 n형 반도체 구조물들에 접합되는 하이브리드 발전기. - 제 6 항에 있어서,
상기 p형 및 n형 반도체 구조물들은 Bi, Sb, Se 및 Te 으로 이루어진 그룹에서 선택된 적어도 하나의 물질을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 유연하고 전도성이 있는 기판인 하이브리드 발전기. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1 전극은 금속 기판 또는 전도성 고분자 기판인 하이브리드 발전기. - 제 11 항에 있어서,
상기 제1 전극은 500㎛ 이하의 두께를 가지는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 제1 전극은 유연한 플라스틱 기판 상에 마련되는 하이브리드 발전기. - 제 14 항에 있어서,
상기 제1 전극은 금속, 전도성 고분자 또는 그라핀(graphene)을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 압전 구조물은 복수의 압전 나노와이어를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 16 항에 있어서,
상기 압전 나노와이어는 ZnO, ZnSnO3 또는 SnO를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 16 항에 있어서,
상기 압전 나노와이어들과 상기 제1 전극 사이에는 제4 절연층이 더 마련되는 하이브리드 발전기. - 제 18 항에 있어서,
상기 제4 절연층은 절연성 폴리머를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 18 항에 있어서,
상기 제4 절연층은 2㎛ 이하의 두께를 가지는 하이브리드 발전기. - 제 18 항에 있어서,
상기 압전 나노와이어들과 상기 제1 절연층 사이에는 시드층(seed layer)이 더 마련되는 하이브리드 발전기. - 제 1 항에 있어서,
상기 압전 구조물은 압전 박막층을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 22 항에 있어서,
상기 압전 박막층은 ZnO, ZnSnO3, SnO, BaTiO3, NaNbO3, PZT 또는 PVDF(Polyvinylidene fluoride)를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 22 항에 있어서,
상기 압전 박막층과 상기 제1 전극 사이에는 제4 절연층이 더 마련되는 하이브리드 발전기. - 제 24 항에 있어서,
상기 제4 절연층은 절연성 폴리머를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 24 항에 있어서,
상기 제4 절연층은 2㎛ 이하의 두께를 가지는 하이브리드 발전기. - 열전 발전기; 및
상기 열전 발전기 상에 마련되는 압전 발전기;를 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 27 항에 있어서,
상기 열전 발전기는 서로 이격되게 마련되는 제1 및 제2 절연층과, 상기 제1 및 제2 절연층 사이에 마련되는 열전 구조물을 포함하고,
상기 압전 발전기는 상기 제2 절연층 상에 마련되는 제1 전극과, 상기 제1 전극 상에 마련되는 압전 구조물과, 상기 압전 구조물 상에 마련되는 제3 절연층과, 상기 제3 절연층 상에 마련되는 제2 전극을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 28 항에 있어서,
상기 제1 절연층이 마련되는 열전도성 기판을 더 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 28 항에 있어서,
상기 열전 구조물은 복수개의 p형 반도체 구조물 및 복수개의 n형 반도체 구조물을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 28 항에 있어서,
상기 압전 구조물은 복수의 압전 나노와이어 또는 압전 박막층을 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 28 항에 있어서,
상기 압전 구조물과 상기 제1 전극 사이에 마련되는 제4 절연층을 더 포함하는 하이브리드 발전기. - 제 28 항에 있어서,
상기 제1 전극은 유연하고 전도성이 있는 기판인 하이브리드 발전기. - 제 28 항에 있어서,
상기 제1 전극은 유연한 플라스틱 기판 상에 마련되는 하이브리드 발전기. - 제 28 항에 있어서,
상기 제1, 제2 및 제3 절연층은 절연성 폴리머를 포함하는 하이브리드 발전기.
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160105614A (ko) * | 2015-02-27 | 2016-09-07 | 고려대학교 산학협력단 | 플렉서블 열전발전모듈 및 그 제조방법 |
KR20180027181A (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-14 | 재단법인대구경북과학기술원 | 고통 감지 방법 및 이를 위한 전자 기기 |
KR20180121601A (ko) * | 2016-03-09 | 2018-11-07 | 웨이크 포리스트 유니버시티 | 열전 압전 발전기 |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5880578B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2016-03-09 | 富士通株式会社 | 発電装置 |
WO2014045353A1 (ja) * | 2012-09-19 | 2014-03-27 | 富士通株式会社 | 発電装置、測定装置及び測定システム |
KR20140126607A (ko) * | 2013-04-23 | 2014-10-31 | 삼성전자주식회사 | 터치입력 모듈과 에너지 발생소자를 포함하는 스마트 장치 및 이 스마트 장치의 동작 방법 |
CN104485850B (zh) * | 2015-01-07 | 2017-01-25 | 浙江师范大学 | 一种人体运动激励的压电发电机 |
KR102391307B1 (ko) | 2015-02-11 | 2022-04-28 | 삼성전자주식회사 | 에너지 하베스터 |
US10298152B2 (en) * | 2015-04-20 | 2019-05-21 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Harvesting mechanical and thermal energy by combining nanowires and phase change materials |
EP3340322A1 (en) * | 2016-12-20 | 2018-06-27 | Vestel Elektronik Sanayi ve Ticaret A.S. | Energy harvesting unit, outdoor air conditioning unit comprising an energy harvesting unit and method |
CN106685045A (zh) * | 2016-12-27 | 2017-05-17 | 元拓工业设计咨询(天津)有限公司 | 一种手握式温差发电装置 |
US10312705B2 (en) | 2017-02-15 | 2019-06-04 | At&T Intellectual Property I, L.P. | Flexible battery |
CN107171597B (zh) * | 2017-06-14 | 2019-04-02 | 浙江理工大学 | 一种热电压电装置控制系统 |
GB2569637A (en) * | 2017-12-21 | 2019-06-26 | Sumitomo Chemical Co | Electronic device |
CN108448939B (zh) * | 2018-05-02 | 2020-01-31 | 厦门大学 | 一种复合压电-热电的汽车尾气微型能量收集器 |
CN109326587B (zh) * | 2018-10-11 | 2020-08-11 | 西安电子科技大学 | 一种三合一复合自驱动的光电探测器及其制备方法 |
CN111554793B (zh) * | 2020-03-23 | 2021-10-15 | 中国农业大学 | 一种复合式全柔性发电单元体和人体可穿戴电子设备 |
WO2022147096A1 (en) * | 2020-12-30 | 2022-07-07 | Breakthrough Technologies, Llg | Material containing thermoelectric generators |
KR20220108627A (ko) * | 2021-01-27 | 2022-08-03 | 삼성전자주식회사 | 열전 소자를 구비한 수직형 비휘발성 메모리 소자, 그 메모리 소자를 구비한 반도체 패키지, 및 그 메모리 소자의 방열 방법 |
CN112928199B (zh) * | 2021-01-29 | 2022-09-06 | 上海交通大学 | 一种高灵敏柔性传感器及其制备方法和应用 |
CN114133273B (zh) * | 2021-12-06 | 2022-10-18 | 湖北大学 | 核壳结构压电材料的制备方法和压电纳米发电机 |
KR20240141412A (ko) | 2023-03-20 | 2024-09-27 | 경북대학교 산학협력단 | 열전-압전 하이브리드 에너지 하베스터 및 그 제조방법 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070219375A1 (en) * | 2004-03-29 | 2007-09-20 | Mitsui Chemicals, Inc. | Novel Compound and Organic Electronic Device Using the Same |
KR20110047860A (ko) * | 2009-10-30 | 2011-05-09 | 삼성전자주식회사 | 압전 나노와이어 구조체 및 이를 포함하는 전기 기기 |
KR20110119334A (ko) * | 2010-04-27 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | 열전 모듈 및 이의 제조방법 |
KR20120059037A (ko) * | 2010-11-30 | 2012-06-08 | 한국전자통신연구원 | 혼성 에너지 변환 장치 및 이를 포함하는 휴대용 기기 |
Family Cites Families (36)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100317749B1 (ko) * | 1996-07-12 | 2001-12-24 | 기무라 미치오 | 압전 트랜스포머 소자 |
US6586095B2 (en) | 2001-01-12 | 2003-07-01 | Georgia Tech Research Corp. | Semiconducting oxide nanostructures |
WO2003080732A1 (fr) * | 2002-03-26 | 2003-10-02 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | Materiau semi-conducteur organique, structure semi-conductrice organique et dispositif semi-conducteur organique |
JP2004304704A (ja) * | 2003-04-01 | 2004-10-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 薄膜音響共振子、及び、薄膜音響共振子回路 |
US7308103B2 (en) | 2003-05-08 | 2007-12-11 | Current Technologies, Llc | Power line communication device and method of using the same |
US7560640B2 (en) * | 2004-11-22 | 2009-07-14 | Intel Corporation | Densely packed thermoelectric cooler |
US8330154B2 (en) | 2005-12-20 | 2012-12-11 | Georgia Tech Research Corporation | Piezoelectric and semiconducting coupled nanogenerators |
US8003982B2 (en) * | 2005-12-20 | 2011-08-23 | Georgia Tech Research Corporation | Stacked mechanical nanogenerator comprising piezoelectric semiconducting nanostructures and Schottky conductive contacts |
US8039834B2 (en) * | 2006-06-13 | 2011-10-18 | Georgia Tech Research Corporation | Nanogenerator comprising piezoelectric semiconducting nanostructures and Schottky conductive contacts |
JP4895293B2 (ja) | 2007-01-26 | 2012-03-14 | 新日鐵化学株式会社 | フレキシブル熱電変換素子及びその製造方法 |
US7982370B2 (en) | 2007-09-12 | 2011-07-19 | Georgia Tech Research Corporation | Flexible nanogenerators |
US7871847B2 (en) * | 2007-10-05 | 2011-01-18 | Marlow Industries, Inc. | System and method for high temperature compact thermoelectric generator (TEG) device construction |
US8227955B1 (en) | 2008-01-28 | 2012-07-24 | The Boeing Company | Temperature-activated voltage generator |
KR100934957B1 (ko) | 2008-02-22 | 2010-01-06 | 한국과학기술연구원 | 압전 폴리머 기판을 이용한 하이브리드 전기소자와 그제조방법 |
US8022601B2 (en) * | 2008-03-17 | 2011-09-20 | Georgia Tech Research Corporation | Piezoelectric-coated carbon nanotube generators |
US7705523B2 (en) | 2008-05-27 | 2010-04-27 | Georgia Tech Research Corporation | Hybrid solar nanogenerator cells |
KR101400287B1 (ko) | 2008-06-17 | 2014-05-30 | 삼성전자주식회사 | 나노 와이어를 이용한 터치 패널 |
US8310134B2 (en) | 2009-01-22 | 2012-11-13 | William Marsh Rice University | Composition for energy generator, storage, and strain sensor and methods of use thereof |
US20100298720A1 (en) | 2009-04-16 | 2010-11-25 | Potkay Joseph Allen | In Situ Energy Harvesting Systems for Implanted Medical Devices |
KR101539670B1 (ko) | 2009-10-13 | 2015-07-27 | 삼성전자주식회사 | 전기에너지 발생장치 |
JP2011134741A (ja) | 2009-12-22 | 2011-07-07 | Kiyotaka Mizuno | ゼーベック効果による廃熱(排熱)発電シール(シート) |
JP5609967B2 (ja) * | 2010-02-26 | 2014-10-22 | 富士通株式会社 | 発電装置、発電方法及び発電装置の製造方法 |
JP2011192533A (ja) | 2010-03-15 | 2011-09-29 | Hitachi Cable Ltd | 耐屈曲ケーブル |
KR20110135293A (ko) | 2010-06-10 | 2011-12-16 | 삼성전자주식회사 | p형 Zn 산화물 나노 와이어의 제조 방법 및 p형 Zn 산화물을 포함하는 전자 소자 |
KR101146439B1 (ko) | 2010-06-18 | 2012-05-18 | 연세대학교 산학협력단 | 인체-환경간 에너지 수집 장치 |
KR20120020423A (ko) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 삼성전자주식회사 | 태양 전지 및 압전 나노 구조물을 이용한 물 분해 소자 |
KR20120020422A (ko) | 2010-08-30 | 2012-03-08 | 삼성전자주식회사 | 나노 포어를 이용한 압전 소자 및 그 제조 방법 |
KR101135878B1 (ko) | 2010-09-02 | 2012-04-13 | 한국생산기술연구원 | 미세압전진동자와 열전소자를 포함하는 하이브리드 구조의 에너지 하베스팅 시스템 및 이를 제조하는 방법 |
KR101602458B1 (ko) | 2010-10-08 | 2016-03-28 | 삼성전자주식회사 | 패킷 라우팅 장치 및 방법 |
JP4960490B2 (ja) | 2010-11-16 | 2012-06-27 | 住友化学株式会社 | ハニカム構造体の製造方法 |
WO2012105800A2 (ko) | 2011-01-31 | 2012-08-09 | 성균관대학교 산학협력단 | 나노전력발전소자 및 이의 제조방법 |
KR20120092466A (ko) | 2011-02-11 | 2012-08-21 | 성균관대학교산학협력단 | 종이 기반 나노전력발전소자 |
KR101920730B1 (ko) | 2011-08-08 | 2018-11-22 | 삼성전자주식회사 | 코어-셸 구조의 ZnSnO3/ZnO 나노와이어, ZnSnO3/ZnO 나노와이어의 그 형성방법 및 ZnSnO3/ZnO 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자와, ZnSnO3 나노와이어의 그 형성방법 및 ZnSnO3 나노와이어를 포함하는 나노 발전소자 |
KR101946013B1 (ko) | 2011-12-23 | 2019-02-11 | 삼성전자주식회사 | 전기에너지 발생 및 저장장치 |
KR101861148B1 (ko) | 2012-02-23 | 2018-05-25 | 삼성전자주식회사 | 나노 압전 발전 소자 및 그 제조방법 |
KR101998339B1 (ko) | 2012-11-16 | 2019-07-09 | 삼성전자주식회사 | 금속 산화물 반도체의 성장 결정면 제어방법 및 제어된 성장 결정면을 가지는 금속 산화물 반도체 구조물 |
-
2012
- 2012-12-21 US US13/723,458 patent/US20140174496A1/en not_active Abandoned
-
2013
- 2013-01-07 KR KR1020130001787A patent/KR102134818B1/ko active IP Right Grant
-
2016
- 2016-06-28 US US15/195,282 patent/US10541358B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20070219375A1 (en) * | 2004-03-29 | 2007-09-20 | Mitsui Chemicals, Inc. | Novel Compound and Organic Electronic Device Using the Same |
KR20110047860A (ko) * | 2009-10-30 | 2011-05-09 | 삼성전자주식회사 | 압전 나노와이어 구조체 및 이를 포함하는 전기 기기 |
KR20110119334A (ko) * | 2010-04-27 | 2011-11-02 | 삼성전기주식회사 | 열전 모듈 및 이의 제조방법 |
KR20120059037A (ko) * | 2010-11-30 | 2012-06-08 | 한국전자통신연구원 | 혼성 에너지 변환 장치 및 이를 포함하는 휴대용 기기 |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20160105614A (ko) * | 2015-02-27 | 2016-09-07 | 고려대학교 산학협력단 | 플렉서블 열전발전모듈 및 그 제조방법 |
KR20180121601A (ko) * | 2016-03-09 | 2018-11-07 | 웨이크 포리스트 유니버시티 | 열전 압전 발전기 |
KR20180027181A (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-14 | 재단법인대구경북과학기술원 | 고통 감지 방법 및 이를 위한 전자 기기 |
WO2018047992A1 (ko) * | 2016-09-06 | 2018-03-15 | 재단법인 대구경북과학기술원 | 고통 감지 방법 및 이를 위한 전자 기기 |
US10935442B2 (en) | 2016-09-06 | 2021-03-02 | Daegu Gyeongbuk Institute Of Science And Technology | Pain detection method and electronic device therefor |
Also Published As
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