KR20140063858A - 플립칩 조립체 클리닝 방법 및 장치 - Google Patents

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Abstract

플립칩 조립체 클리닝 장치가 제공된다. 장치는, 척 조립체; 스핀들에 의해 척 조립체에 결합된 모터; 플립칩을 유지하는 적어도 하나의 캐리어; DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키는 적어도 하나의 분사 노즐을 포함한다. 본 발명의 장치는 플립칩 조립체 클리닝 방법을 더 제공한다. 방법은, 플립칩 캐리어로 적어도 하나의 플립칩을 로딩하는 단계; 회전 속도로 척 조립체를 회전시키는 단계; 플립칩을 세정하기 위하여 DIW를 흘리는 단계; 오염물을 제거하기 위해 클리닝 용액을 흘리는 단계; 플립칩에 초음파/메가소닉 에너지를 인가하는 단계; 플립칩을 건조시키기 위해 분사 노즐을 통해 가스 또는 증기를 송풍하는 단계; 플립칩을 플립칩 캐리어로분터 꺼내는 단계를 포함한다.

Description

플립칩 조립체 클리닝 방법 및 장치{METHODS AND APPARATUS FOR CLEANING FLIP CHIP ASSEMBLIES}
본 발명은 일반적으로 플립칩 조립체 클리닝 방법 및 장치에 관한 것이다. 더욱 상세하게는, 본 발명은 플립칩으로부터 플럭스 잔류물(flux residue) 및 다른 오염물을 제거하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
이른바 플립칩 조립체는 칩 본드 패드 상의 도전성 범프에 의한 기판, 회로 보드 또는 다른 캐리어 상으로의 아래를 마주보는(face down) 전자 부품의 직접적인 전기 연결이다. 더 크거나 더 작은 크기도 가능하지만, 범프는 통상적으로 30 내지 200 미크론의 직경 범위를 가지며, 일반적으로 구형이거나 거의 구형이다. 플립칩 조립체를 클리닝하는 것은 종래의 표면 실장 또는 쓰루홀 전자 조립체를 클리닝하는 것보다 더 복잡하다. 플립칩 조립체의 제조에서, 납땜 공정에서 전자 부품을 연결하기 위하여 플럭스가 종종 채용된다. 송진(rosin) 계열의 플럭스, 할로겐 함유 플럭스와 같은 다양한 종류의 플럭스가 이 공정에서 사용된다.
성능 및 신인성(dependability) 표준을 만족하기 위하여, 플립칩 조립체는 플럭스, 손기름(finger oil), 물 또는 다른 표면 오염물과 같은 오염물이 없어야 하며, 아니면, 남아 있는 이러한 잔류물은 이온성 오염 및 부식을 야기하고, 언더필링(underfilling)과 간섭하여 습기 퇴적, 과열 및 부품 불량을 촉진하는 보이드를 형성한다.
그러나, 잔류물을 완전히 제거하기 위하여는 다음의 2가지 중요한 문제가 있다: (1) 리플로우 솔더링 공정 동안의 고온은 제거하기 어려운 타거나 캐러멀화된 플럭스 잔류물을 형성할 것이다; (2) 범프 치수 및 피치의 수축이 계속되고, 범프 구조가 더욱 손상되기 쉽게 되고, 범프와 기판 사이의 갭이 훨씬 더 작게 됨에 따라, 플립칩 조립체의 작고 손상되기 쉬운 범프 상호 연결 구조는 클리닝될 칩 본드 패드들 사이에 매우 좁은 공간만을 허용하며, 이러한 작은 갭은 완전하고 일관된 플립칩 조립체의 클리닝을 큰 도전 과제로 만든다.
따라서, 플럭스 잔류물 및 다른 오염물의 완전하고 균일한 클리닝을 제공할 수 있는 개선된 플립칩 클리닝 시스템에 대한 요구가 있다.
본 발명의 일 실시예에 따라 플립칩 조립체 클리닝 장치가 제공된다. 장치는; 척 조립체; 스핀들에 의해 상기 척 조립체에 결합된 모터; 플립칩을 유지하는 적어도 하나의 캐리어를 포함하고, 각 플립칩 캐리어는 하나의 플립칩을 유지한다. 본 발명의 일 양태로서, 플립칩 캐리어는 척 조립체 상에 위치된다. 본 발명의 다른 양태로서, 플립칩 캐리어는 척 조립체에 의해 유지되는 로딩 플레이트 상이 위치된다. 본 발명의 다른 양태로서, 플립칩 캐리어는 척 조립체 또는 로딩 플레이트 상의 회전 중심에서 벗어나 위치된다. 플립칩 캐리어의 분포 패턴은, 원형, 정사각형, 소용돌이형, 동심원 또는 임의의 다른 적합한 패턴일 수 있다; 적어도 하나의 분사 노즐은 DIW(De-ionized Water), 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시킨다. 플립칩 캐리어에 의해 유지되는 플립칩은 척 조립체가 회전함에 따라 회전하고, 회전하는 동안, 척의 중심 영역 상으로 분사되는 DIW 및/또는 클리닝 용액은 원심력에 의해 척 또는 로딩 플레이트 주변부에서 플립칩 내로 더 회전된다.
본 발명의 제1 양태에서, 플립칩 조립체 클리닝 장치는 척 조립체 및/또는 플립칩 로딩 플레이트의 중심에 위치된 리세스를 더 포함하고, 리세스의 형상은, 원형, 정사각형 또는 임의의 다른 적합한 패턴일 수 있다; 가이드 채널은 중심 리세스로부터 플립칩 내로의 액체의 이동을 용이하게 하기 위하여 리세스를 각각의 플립칩 캐리어와 연결하고, 회전하는 동안, 척의 중심 영역 상으로 분사되는 DIW 및/또는 클리닝 용액은 원심력에 의해 척 또는 로딩 플레이트 주변부에서 플립칩 내로 더 회전된다.
본 발명의 제2 양태에서, 플립칩 조립체 클리닝 장치는 플립칩 캐리어의 측부에 배치된 적어도 하나의 분사 노들을 더 포함하고, DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기는 이 노즐로부터 플립칩 내로 직접 배출될 수 있다.
본 발명의 제3 양태에서, 플립칩 조립체 클리닝 장치는 각 캐리어를 유지하기 위한 리세스를 더 포함하고, 리세스의 형상은, 원형, 정사각형 또는 임의의 다른 적합한 패턴일 수 있다; 적어도 하나의 분사 노즐은 리세스 에지에 배치되고, DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기는 이 노즐로부터 플립칩 내로 직접 배출될 수 있다.
본 발명의 제4 양태에서, 플립칩 조립체 클리닝 장치는 척 조립체에 의해 유지된 플립칩을 사전에 담그기 위하여 클리닝 용액을 유지하기 위한 외부 탱크와, 탱크 하부에 위치된 펌프를 이용하는 액체 순환 루프를 더 포함한다; 탱크의 하부에 배치된 적어도 4개의 유출 포트는, 제1 출구로부터, 산(acid)을 위한 배수 라인 및 회수 라인을 연장시키고, 제2 출구로부터, 알칼리를 위한 배수 라인 및 회수 라인을 연장시키고, 제3 출구로부터, 용제를 위한 배수 라인 및 회수 라인을 연장시키고, 제4 출구로부터, 폐 DIW를 위한 배수 라인을 연장시킨다. 공정 동안, 척 상으로 분사되는 DIW 및 또는 클리닝 용액은 액체 레벨이 플립칩을 담글 때까지 탱크 내에 유지될 것이고, 장기간의 담금 공정은 오염물을 느슨하게 하고, 부드럽게 하여 이를 제거할 수 있고, 담금 공정 동안, 순환 루프 내의 펌프를 턴온하는 것은 펌프의 활성화로 액체가 탱크 내에 연속적으로 순환될 수 있고, 높은 클리닝 성능이 이 방법에 의해 획득될 수 있다.
본 발명의 제5 양태에서, 플립칩 조립체 클리닝 장치는 적어도 하나의 초음파/메가소닉 장치를 더 포함하고, 초음파/메가소닉 장치는 5 KHz 내지 10 MHz의 범위 내에서 동작하고, 클리닝 공정 동안 초음파/메가소닉 에너지를 인가하는 것은 질량 이송을 향상시킬 수 있고, 반응 표면 근처에서 음향 스트리밍 레이어를 형성함으로써, 그리고 국지적인 캐비테이션(cavitation) 버블 내파(implosion)에 의해 확산 2중층 두께를 감소시킬 수 있다. 높은 클리닝 성능은 초음파/메가소닉 교반에 의해 획득될 수 있다. 본 발명의 일 양태로서, 초음파/메가소닉 장치는 플립칩 캐리어 및 척 조립체 위에 있는 위치에 배치된다. 본 발명의 다른 양태에서, 초음파/메가소닉 장치는 외부 탱크의 벽에 부착된다.
본 발명의 일 실시예에 따르면, 플립칩 조립체 클리닝 방법이 제공된다. 장치는, 척 조립체에 의해 유지되는 플립칩 캐리어에 적어도 하나의 플립칩을 로딩하는 단계; 척 조립체를 회전 속도로 회전시키는 단계; 오염물을 제거하도록 액체(클리닝 용액, DIW, 클리닝 용액 등)를 흘리는 단계 - 척의 중심 영역 상으로의 클리닝 액체 분사는 원심력에 의해 척 및/또는 로딩 플레이트 주변부에서 플립칩 내로 더 회전될 것이다 -; 초음파/메가소닉 에너지를 플립칩에 인가하는 단계; 플립칩을 건조시키기 위하여 분사 노즐을 통해 가스 또는 증기를 송풍하는 단계; 및 플립칩을 플립칩 캐리어로부터 꺼내는 단계를 포함한다.
본 발명의 일 양태에서, 플립칩 조립체 클리닝 방법은, 클리닝 공정 동안 척 회전 속도를 변화시키는 단계를 더 포함하고, 낮은 회전 속도와 높은 회전 속도는 교대로 사용될 수 있다.
공정의 초기에, 액체가 척의 상부에서 지향될 때, 저속인 제1 회전 속도에서 척 조립체를 회전시킨다; 액체는 원심력에 의해 척 주변부로 외부를 향해 내몰리고, 플립칩 캐리어에 의해 유지되는 플립칩 내로 더 회전한다. 낮은 회전 속도에서, 표면 장력이 지배하고, 액체는 감속하여 외부를 향해 흩어지지 않으면서 플립칩 내에서 유지되는 경향이 있으며, 이는 플립칩의 완전한 사전 웨팅(pre-wetting) 및 담금(soaking)을 허용한다. 장기간의 담금 과정은 플립칩에 부착된 플럭스 잔류물 또는 다른 오염물을 부드럽게 하고 느슨하게 할 수 있다; 한편, 낮은 회전 속도가 더 두꺼운 경계층을 형성하지만, 이는 반응물이 확산하여 오염물과 반응할 수 있게 하도록 여전히 충분히 얇다.
사전 담금 공정이 완료한 후에, 액체를 공급을 중단하고 척을 고속인 제2 속도로 회전시킨다. 회전 속도의 증가는 원심력의 증가를 제공한다. 회전 속도가 증가함에 따라, 원심력이 균형을 맞출 것이고, 결국 플립칩 내의 필름을 유지하는 표면 장력을 극복할 것이며, 이는 내부에 갇힌 액체 및 오염물이 빠져나오게 한다. 한편, 척 조립체의 회전 속도를 증가시키는 것은 플립칩 표면의 확산 경계층뿐만 아니라 액체 필름 두께를 감소시킬 수 있다. 알려진 바와 같이, 오염물 제거 속도는, 픽의 법칙(Fick's law)에 의해, 플립칩 표면 근처의 고체 및 액체 계면에서 화학물의 질량 이송 속도에 의해 제어되어, 확산 경계층 두께를 감소시키는 것은 질량 이송 속도를 향상시킨다. 따라서, 이어지는 고속 회전은 클리닝 용액이 느슨해진 오염물과 완전히 반응할 수 있게 하고 원심력에 의해 오염물을 완전하게 폐기한다.
저속의 담금 공정과 고속의 폐기 공정을 적어도 한 번 반복하고, 높은 클리닝 성능이 이 방법에 의해 획득될 수 있다.
전술한 바와 같이, 폐기 공정을 위하여, 회전 속도는 액체 표면 장력을 극복하기 위한 원심력을 생성하도록 충분히 빨라야 하며, 이 원심력은 반경 방향으로 구심 가속도를 발생시킬 것이다. 뉴톤의 제2 법칙에 따라, 다음의 식을 얻을 수 있다.
[수학식 1]
Fc - Fs = mac
여기에서, Fc 는 원심력을 나타내고, Fs는 표면 장력을 나타내고, m은 액체 질량을 나타내고, ac는 구심 가속도를 나타낸다.
도 1은 플립칩 클리닝 이론의 일례를 도시하고, B는 플립칩(100)의 길이이고, A는 플립칩(100)의 폭이고, r은 척 조립체(101) 상의 플립칩 캐리어(102) 위치의 반경이고, h는 2개의 칩 본드 패드 사이의 간격이고, ω는 척 각속도이다. 수학식 1에 따라, 필요한 고속의 회전 속도 N은 다음과 같이 나타낼 수 있다:
[수학식 2]
Figure pct00001

여기에서, t는 척 회전 시간이고, ρ는 액체 밀도이고, σ는 액체 표면 장력 계수이다.
본 시뮬레이션에서, 척 회전 시간은 t = 1s, 플립칩 폭 A = 1cm, 플립칩 길이 B = 1cm, 플립칩 간격 h = 100 um, 플립칩 위치 r = 척 중심으로부터 100 mm 떨어진 것을 가정한다.
액체가 DIW로서 모델링되고, 20℃에서 ρ = 1000 kg/m3의 밀도와, σ = 0.0727 N/m의 표면 장력 계수를 가진다면, 고속인 제2 속도는 515RPM보다 더 큰 범위에 있어야 한다. 액체가 에탄올로서 모델링되고, 20℃에서 ρ = 789 kg/m3, σ = 0.0236 N/m의 표면 장력 계수를 가진다면, 고속인 제2 속도는 330RPM보다 더 큰 범위에 있어야 한다.
본 발명은 플립칩으로부터 오염물을 완전하고 균일하게 제거할 수 있는 플립칩 클리닝 시스템 및 방법을 제공한다. 다른 목적 및 특징은 첨부된 도면과 관련한 이어지는 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용으로부터 명백하게 될 것이다. 그러나, 도면은 예시의 목적으로서만 제공되며, 본 발명의 한정에 대한 정의로서 의도되지 않는다.
도 1은 플립칩 클리닝 이론의 예시를 도시한다.
도 2a는 플립칩 조립체의 상면도를 도시한다.
도 2b는 도 2a 조립체의 단면도를 도시한다.
도 3a 내지 3c는 상부 고정 방식으로 플립칩을 유지하는 플립칩 캐리어의 일례를 도시한다.
도 4a 내지 4c는 하부 고정 방식으로 플립칩을 유지하는 플립칩 캐리어의 일례를 도시한다.
도 5a 및 5b는 플립칩 로딩 플레이트 조립체를 도시한다.
도 6은 전송 모듈 및 공정 챔버를 도시한다.
도 7a 및 7b는 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 장치를 도시한다.
도 8a 및 8b는 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
도 9는 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
도 10은 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
도 11은 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
도 12는 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
도 13은 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
도 14는 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
도 15a 내지 15d는 플립칩 조립체를 클리닝하는 예시적인 다른 장치를 도시한다.
본 발명의 바람직한 실시예가 도면을 참조하여 아래에서 상세히 설명될 것이다. 설명된 본 발명의 실시예 다음의 발명을 실시하기 위한 구체적인 내용에 개시된 정확한 형태로 본 발명을 제한하지 않는다.
도 2a 및 2b 공지된 종류의 플립칩 조립체(100)의 상면도 및 단면도를 도시한다. 일부 경우에, 도 2a 및 2b에서 나타낸 예시적인 구조는 단지 플립칩 조립체의 일부이다. 도시된 바와 같이, 칩(100)은 솔더 볼(203) 어레이에 의해 서로 아래로 마주보며 결합된 2개의 칩 본드 패드(201, 202)를 포함한다. 패드의 형상은, 구체적인 목적에 따라 정사각형, 직사각형, 원형 또는 다른 형상일 수 있다. 솔더링 동안, 솔더 볼(203)의 표면과 본딩 패드(201, 202)의 표면에 남아 있는 플럭스 잔류물 또는 다른 오염물(204)이 있을 것이다. 이러한 잔류물은 충분히 클리닝되어야 하며, 그렇지 않으며 솔더 범프 연결의 일부에서 개재물(inclusion)로서 남게 될 것이며, 이에 의해 접합 강도 및 신뢰성을 악화시키고 또한 미세 균열을 생성한다. 그러나, 모든 잔류물을 제거하기 위하여는 중요한 문제가 있다: (1) 솔더 볼(203)의 높은 배치 밀도는 연속하는 볼들 사이에서 매우 좁은 피치를 남기며, 솔더 범프들 사이의 작은 갭은 매우 가깝게 이격된 칩/구조 인테페이스만이 클리닝되게 하여, 플립칩 조립체의 완전하고 일관성있는 클리닝을 어렵게 한다; (2) 범프 치수의 수축이 계속됨에 따라, 범프 구조는 더욱 더 손상을 입기 쉽게 되어, 클리닝 동안 이러한 부서지기 쉬운 부분에 손상을 쉽게 야기할 것이다.
도 3a 내지 3c는 상부 고정 방식(top fixing manner)으로 플립칩을 유지하는 캐리어에 대한 하나의 예시적인 장치를 도시한다. 전술한 바와 같이, 플립칩을 유지하는데 사용되는 캐리어는 척 조립체 또는 플립칩 로딩 플레이트 상에 위치된다. 이는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기가 수용된 플립칩으로 방해받지 않고 액세스할 수 있게 하도록 최소 표면을 가진다. 도 3a 내지 3c에 도시된 바와 같이, 캐리어는 하부 플레이트(301) 및 상부 고정 바(302)를 구비한다. 하부 플레이트(301)는 플립칩(100)을 유지하기 위한 그루브(303)를 구비한다. 상부 고정 바(302)는 회전 가능하고, 중간 접촉 폴(pole)(304) 및 상부 접촉 폴(305)을 구비한다. 접촉 폴들은 바운스 범퍼(bounce bumper)이거나 가요성(flexible) 재료로 이루어질 수 있어, 회전하는 동안 안전 장치뿐만 아니라 고정기(fixer)로서 작용할 것이다.
전술한 플립칩 캐리어에 대하여, 플립칩을 유지하기 위한 상부 고정 방식이 제공되며, 하부 플레이트(301)에서의 전술한 그루브(303)로 플립칩이 로딩된다; 고정 바는 하부 플레이트 방향으로 회전된다. 도 3a에 도시된 바와 같이, 중간 접촉 폴의 초기 위치는 304a이고, 상부 접촉 폴의 초기 위치는 305a이다. 2개의 접촉 폴이 가요성이기 때문에, 플립칩이 로딩된 후, 상부 접촉 폴은 305b의 위치까지 잭으로 들어 올려질 것이다; 그리고, 중간 접촉 폴은 위치 304b에서 가압될 것이다. 이 장치로, 플립칩은 높은 회전 속도에서도 양호하게 고정될 수 있고, 중간 접촉 폴(304)과 상부 접촉 폴(305)은 회전하는 동안 안전 장치뿐만 아니라 고정기(fixer)로서 작용할 것이다. 전체 공정이 완료된 후, 고정 바는 하부 플레이트 방향의 반대로 회전될 것이고, 플립칩은 캐리어로부터 꺼내어질 것이다.
도 4a 내지 4c는 하부 고정 방식(bottom fixing manner)으로 플립칩을 유지하는 캐리어에 대한 다른 예시적인 장치를 도시한다. 도 4a 및 4b에 도시된 바와 같이, 캐리어는 하부 플레이트(401)와 4개의 하부 측부 고정 바(402)를 구비한다. 하부 플레이트는 플립칩(100)을 유지하기 위한 그루브(403)를 구비하고, 하부 측부 고정 바(402)는 푸시풀 로드(push- and pull- rod)이다. 눌러져 들어가고 당겨 빠지도록 그루브(403)를 매칭시킬 수 있는 각 측부 고정 바 내에 하브 슬롯(404)이 더 있다.
전술한 플립칩 캐리어에 대하여, 하부 플레이트(301)에서의 전술한 그루브(303)로 플립칩(100)이 로딩되는, 플립칩을 유지하기 위한 하부 고정 방식이 제공되고, 그루브(403)와 하부 슬롯(404)와의 초기 접촉 위치는 403a이다; 고정 바(402)는 플립칩 방향을 향하여 눌러지고, 그루브(403)는 하부 슬롯(404) 내로 미끄러져서 위치 403b에서 단단히 잡힌다. 이 장치로, 플립칩은 높은 회전 속도에서도 양호하게 고정될 수 있다. 전체 공정이 완료된 후, 고정 바는 플립칩 방향의 반대로 당겨질 것이고, 플립칩은 캐리어로부터 꺼내어질 것이다.
도 5a 및 5b는 플립칩 로딩 플레이트 조립체(500)를 도시한다. 로딩 플레이트는 적어도 하나의 플립칩 캐리어(503)를 유지한다. 각각의 캐리어는 하나의 플립칩(100)을 유지한다. 캐리어는 로딩 플레이트 상에서 회전 중심에서 벗어나 위치된다. 플립칩의 분포 패턴은 원형, 정사각형, 소용돌이형, 동심원 또는 임의의 다른 적합한 패턴일 수 있다. 공정이 개시되기 전에, 적어도 하나의 플립칩(100)이 로딩 플레이트에 의해 유지되는 캐리어(503) 내로 사전 로딩된다; 로딩 플레이트는 수동으로 또는 자동으로 공정 챔버로 전송된다; 로딩 플레이트는 여러 장착 요소(502)에 의해 척(501) 상으로 고정된다. 본 발명의 일 양태에 따라, 플립칩 캐리어도 척 조립체 상에 위치될 수 있다. 캐리어는 척 조립체 상에서 회전 중심을 벗어나 위치된다. 플립칩의 분포 패턴은 원형, 정사각형, 소용돌이형, 동심원 또는 임의의 다른 적합한 패턴일 수 있다.
도 6은 전송 모듈(601)과 공정 챔버(602)를 도시한다. 전송 모듈은 전술한 바와 같이 적어도 하나의 플립칩 로딩 플레이트(605)를 유지하기 위한 적어도 하나의 카세트(604)와 로봇(603)을 구비한다. 적어도 하나의 플립칩은 로딩 플레이트(605) 상으로 사전 로딩된다; 플레이트는 카세트 내에 배치되다. 공정 동안, 로봇(603)은 로딩 플레이트를 카세트(604)와 공정 챔버(602) 사이에 전송한다. 대량 생산이 플립칩 사전 로딩 방법에 의해 쉽게 실현될 수 있다.
도 7a 및 7b는 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 예시적인 장치(700)의 상면도와 단면도를 각각 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩 캐리어(705)를 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(702)를 구비하고, 각각의 캐리어는 플립칩(100)을 유지하며, 로딩 플레이트(702)는 여러 장착 요소(703)에 의해 척(701)에 고정된다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(704)에 의해 척 조립체에 결합된다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 하나의 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(fix nozzle)(706), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(707)일 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 플립칩 캐리어(705)에 의해 유지되는 플립칩(100)은 척 조립체(701)가 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트(702)의 중심 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력 때문에 로딩 플레이트(702)의 외부 주변부에서 플립칩 캐리어(705)에 의해 유지되는 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(702)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(705)에 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트를 카세트 내로 배치;
단계 3: 카세트로부터 공정 챔버(700) 내로 로딩 플레이트(702)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm의 저속인 제1 속도로 척 조립체(701)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(702) 상으로 DIW를 흘리고, 액체는 원심력 때문에 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(702) 상으로 저속인 제1 속도로 클리닝 용액을 흘리고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본(chlorofluorocarbon) 용제, 하이드로카본(Hydrocarbon) 용제 또는 염소화(chlorinated) 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력 때문에 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 8: 클리닝 용액을 계속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전. 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 단계 7 및 단계 8을 적어도 한 번 반복;
단계 10: 단계 5를 반복;
단계 11: 1000 내지 3000rpm의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 12: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 13: 로딩 플레이트를 공정 챔버(700)로부터 카세트로 전송;
단계 14: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 8a 및 8b는 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(800)의 상면도와 단면도를 각각 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩 캐리어(805)를 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(802)를 구비하고, 각각의 캐리어는 플립칩(100)을 유지하며, 로딩 플레이트(802)는 여러 장착 요소(803)에 의해 척(801)에 고정된다; 리세스(810)는 로딩 플레이트(802)와 척(801)의 중심에 위치되고, 리세스의 형상은 원형, 정사각형 또는 임의의 다른 적합한 패턴일 수 있다; 가이드 채널(811)은 중심의 리세스로부터 플립칩 내로 액체의 이동을 용이하게 하기 위하여 리세스를 각각의 플립칩 캐리어와 연결시킨다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(804)에 의해 척 조립체에 결합된다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 하나의 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(806), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(807)일 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 플립칩 캐리어(805)에 의해 유지되는 플립칩(100)은 척(801)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트의 중심 리세스(810) 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력 때문에 로딩 플레이트(802)의 외부 주변부에서 가이드 채널(811)을 통해 플립칩 캐리어(705)에 의해 유지되는 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(802)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(805) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트를 카세트 내로 배치;
단계 3: 카세트로부터 공정 챔버(800) 내로 로딩 플레이트(802)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm의 저속인 제1 속도로 척 조립체(801)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 중심 리세스(810)로 DIW를 흘리고, 액체는 원심력에 의해 가이드 채널(811)을 통해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 중심 리세스(810)로 저속인 제1 속도로 클리닝 용액을 흘리고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본 용제, 하이드로카본 용제 또는 염소화 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력에 의해 가이드 채널(811)을 통해 플립칩(100) 내로 더 회전g할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 8: 클리닝 용액을 계속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전. 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 단계 7 및 단계 8을 적어도 한 번 반복;
단계 10: 단계 5를 반복;
단계 11: 1000 내지 3000rpm의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 12: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 13: 로딩 플레이트를 공정 챔버(800)로부터 카세트로 전송;
단계 14: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 9는 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(900)의 상면도를 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩(100)을 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(902)를 구비하고, 로딩 플레이트(902)는 여러 장착 요소(903)에 의해 척(901)에 고정된다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(도면에서는 미도시)에 의해 척 조립체에 결합된다; 적어도 하나의 초음파/메가소닉 장치(906)는 칩 캐리어와 척 조립체 위에 있는 위치에 배치되고, 초음파/메가소닉 장치는 5 KHz 내지 10 MHz의 범위에서 동작된다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 하나의 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(904), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(905)일 수 있거나, 초음파/메가소닉 장치(906) 내에 조립될 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 로딩 플레이트(902)는 척(801)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(902)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(907) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트(902)를 카세트 내로 배치;
단계 3: 공정 챔버(900) 내로 로딩 플레이트(902)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm 범위의 저속인 제1 속도로 척 조립체(901)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(902)로 DIW를 흘리고, 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(902) 상으로 저속인 제1 속도로 클리닝 용액을 공급하고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본 용제, 하이드로카본 용제 또는 염소화 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다;
단계 8: 초음파/메가소닉 장치를 5 KHz 내지 10 MHz, 바람직하게는 1 MHz 내지 3 MHz의 동작 주파수로 턴온. 액체 레벨이 초음파/메가소닉 장치의 하면을 덮을 수 있도록 한다. 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 초음파/메가소닉 장치를 턴오프하고, 클리닝 용액을 계속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전시키고, 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 10: 단계 7 내지 단계 9를 적어도 한 번 반복;
단계 11: 단계 5를 반복;
단계 12: 1000 내지 3000rpm 범위의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 13: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 14: 로딩 플레이트를 공정 챔버(900)로부터 카세트로 다시 전송;
단계 15: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 10은 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(1000)의 상면도를 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩(100)을 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(1002)를 구비하고, 로딩 플레이트(1002)는 여러 장착 요소(1003)에 의해 척(901)에 고정된다; 리세스(1006)는 로딩 플레이트(1002)와 척 조립체(1001)의 중심에 위치되고, 리세스의 형상은 원형, 정사각형 또는 임의의 다른 적합한 패턴일 수 있다; 가이드 채널(1007)은 중심의 리세스로부터 플립칩 내로 액체의 이동을 용이하게 하기 위하여 리세스를 각각의 플립칩 캐리어와 연결시킨다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(도면에서는 미도시)에 의해 척 조립체에 결합된다; 적어도 하나의 초음파/메가소닉 장치(1008)는 칩 캐리어와 척 조립체 위에 있는 위치에 배치되고, 초음파/메가소닉 장치는 5 KHz 내지 10 MHz의 범위에서 동작된다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 하나의 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(1004), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(1005)일 수 있거나, 초음파/메가소닉 장치(1008) 내에 조립될 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 플립칩(100)은 척(1001)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트의 중심 리세스(1006) 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력에 의해 가이드 채널(1007)을 통해 로딩 플레이트 외부 주변부에서 플립칩 캐리어(1009)에 의해 유지되는 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(1002)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(1009) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트(902)를 카세트 내로 배치;
단계 3: 공정 챔버(1000) 내로 로딩 플레이트(1002)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm 범위의 저속인 제1 속도로 척 조립체(1001)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 중심 리세스(1006)로 DIW를 흘리고, 액체는 원심력에 의해 가이드 채널(1007)을 통해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 중심 리세스(1006)로 저속인 제1 속도로 클리닝 용액을 공급하고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본 용제, 하이드로카본 용제 또는 염소화 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력에 의해 가이드 채널(1007)을 통해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다;
단계 8: 초음파/메가소닉 장치를 5 KHz 내지 10 MHz, 바람직하게는 1 MHz 내지 3 MHz의 동작 주파수로 턴온. 액체 레벨이 초음파/메가소닉 장치의 하면을 덮을 수 있도록 한다. 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 초음파/메가소닉 장치를 턴오프하고, 클리닝 용액을 계속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전시키고, 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 10: 단계 7 내지 단계 9를 적어도 한 번 반복;
단계 11: 단계 5를 반복;
단계 12: 1000 내지 3000rpm 범위의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 13: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 14: 로딩 플레이트를 공정 챔버(1000)로부터 카세트로 다시 전송;
단계 15: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 11은 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(1000)의 상면도를 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩(100)을 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(1102)를 구비하고, 로딩 플레이트(1102)는 여러 장착 요소(1103)에 의해 척(1101)에 고정된다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(도면에서는 미도시)에 의해 척 조립체에 결합된다; 적어도 하나의 분사 노즐(1106)이 각 플립칩 캐리어의 측부에 있고, 복수의 배출 노즐(1107)이 서로 평행하게 선형으로 배치되고, 공정 동안에, 액체 또는 가스가 이 노즐로부터 플립칩 내로 배출될 수 있다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 다른 종류의 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(1104), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(1105)일 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 로딩 플레이트(1102)는 척(1101)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력 때문에 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(1102)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(1108) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트(1102)를 카세트 내로 배치;
단계 3: 공정 챔버(1100) 내로 로딩 플레이트(1102)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm 범위의 저속인 제1 속도로 척 조립체(1101)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 캐리어 측부에서 배출 노즐(1107)로부터 플립칩(100) 내로 직접 DIW를 분사하고, 고정 노즐(1104) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1105)을 통해 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1102)로 DIW를 공급하고, 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 캐리어 측부에서 배출 노즐(1107)로부터 플립칩(100) 내로 직접 클리닝 용액을 분사하고, 고정 노즐(1104) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1105)로부터 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1102)로 클리닝 용액을 공급하고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본 용제, 하이드로카본 용제 또는 염소화 용제와 같은 유기 용제일 수 있고, 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 8: 클리닝 용액을 연속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전. 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 단계 7 및 단계 8을 적어도 한 번 반복;
단계 10: 단계 5를 반복;
단계 11: 1000 내지 3000rpm 범위의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 12: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 13: 로딩 플레이트를 공정 챔버(1100)로부터 카세트로 다시 전송;
단계 14: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 12는 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(1200)의 상면도를 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩 캐리어(1209)에 의해 유지되는 적어도 하나의 플립칩(100)을 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(1202)를 구비하고, 로딩 플레이트(1202)는 여러 장착 요소(1203)에 의해 척(1201)에 고정된다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(도면에서는 미도시)에 의해 척 조립체에 결합된다; 적어도 하나의 초음파/메가소닉 장치(1208)는 칩 캐리어와 척 조립체 위에 있는 위치에 배치되고, 초음파/메가소닉 장치는 5 KHz 내지 10 MHz의 범위에서 동작된다; 적어도 하나의 분사 노즐(1206)이 각 플립칩 캐리어의 측부에 있고, 복수의 배출 노즐(1207)이 서로 평행하게 선형으로 배치되고, 액체 또는 가스가 이 노즐로부터 플립칩 내로 배출될 수 있다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 다른 종류의 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(1204), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(1205)일 수 있거나, 초음파/메가소닉 장치(1208) 내에 조립될 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 플립칩(1202)은 척(1201)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트의 중심 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력 때문에 플립칩 캐리어(1209)에 의해 유지되는 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(1202)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(1209) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트(1202)를 카세트 내로 배치;
단계 3: 공정 챔버(1200) 내로 로딩 플레이트(1202)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm 범위의 저속인 제1 속도로 척 조립체(1201)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 캐리어 측부에서 배출 노즐(1207)로부터 플립칩(100) 내로 직접 DIW를 분사하고, 고정 노즐(1204) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1205)을 통해 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1202)로 DIW를 공급하고, 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 캐리어 측부에서 배출 노즐(1207)로부터 플립칩(100) 내로 직접 클리닝 용액을 분사하고, 고정 노즐(1204) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1205)로부터 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1202)로 클리닝 용액을 공급하고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본 용제, 하이드로카본 용제 또는 염소화 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다;
단계 8: 초음파/메가소닉 장치를 5 KHz 내지 10 MHz, 바람직하게는 1 MHz 내지 3 MHz의 동작 주파수로 턴온. 액체 레벨이 초음파/메가소닉 장치의 하면을 덮을 수 있도록 한다. 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 초음파/메가소닉 장치를 턴오프하고, 클리닝 용액을 계속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전시키고, 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 10: 단계 7 내지 단계 9를 적어도 한 번 반복;
단계 11: 단계 5를 반복;
단계 12: 1000 내지 3000rpm의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 13: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 14: 로딩 플레이트를 공정 챔버(1200)로부터 카세트로 다시 전송;
단계 15: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 13은 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(1300)의 상면도를 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩 캐리어를 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(1302)를 구비하고, 각각의 캐리어는 하나의 플립칩(100)을 유지하고, 리세스(1306)는 각각의 캐리어를 유지하도록 구성된다; 적어도 하나의 분사 노즐(1307)이 리세스 에지에 배치되고, 공정 동안, 액체 또는 가스가 이 노즐로부터 플립칩 내로 배출될 수 있다; 로딩 플레이트(1302)는 여러 장착 요소(1303)에 의해 척(1301)에 고정된다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(도면에서는 미도시)에 의해 척 조립체에 결합된다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 하나의 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(1304), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(1305)일 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 로딩 플레이트(1302)는 척(1301)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트의 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력에 의해 플립칩 캐리어(1308)에 의해 유지되는 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(1302)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(1308) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트(1302)를 카세트 내로 배치;
단계 3: 공정 챔버(1300) 내로 로딩 플레이트(1302)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm 범위의 저속인 제1 속도로 척 조립체(1201)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 리세스에서 배출 노즐(1307)로부터 플립칩(100) 내로 직접 DIW를 분사하고, 고정 노즐(1304) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1305)을 통해 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1302)로 DIW를 공급하고, 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 리세스의 에지에서 배출 노즐(1307)로부터 플립칩(100) 내로 직접 클리닝 용액을 분사하고, 고정 노즐(1304) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1305)로부터 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1302)로 클리닝 용액을 공급하고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본(chlorofluorocarbon) 용제, 하이드로카본(Hydrocarbon) 용제 또는 염소화(chlorinated) 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 8: 클리닝 용액을 연속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전. 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 단계 7 및 단계 8을 적어도 한 번 반복;
단계 10: 단계 5를 반복;
단계 11: 1000 내지 3000rpm 범위의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 12: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 13: 로딩 플레이트를 공정 챔버(1300)로부터 카세트로 다시 전송;
단계 14: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속 하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 14는 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(1400)의 상면도를 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩 캐리어를 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(1402)를 구비하고, 각각의 캐리어는 하나의 플립칩(100)을 유지하고, 리세스(1406)는 각각의 캐리어를 수용하도록 구성된다; 적어도 하나의 분사 노즐(1407)이 리세스 에지에 배치되고, 공정 동안, 액체 또는 가스가 이 노즐로부터 플립칩 내로 배출될 수 있다; 로딩 플레이트(1402)는 여러 장착 요소(1403)에 의해 척(1401)에 고정된다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(도면에서는 미도시)에 의해 척 조립체에 결합된다; 적어도 하나의 초음파/메가소닉 장치(1408)는 플립칩 캐리어와 척 조립체 위에 있는 위치에 배치되고, 초음파/메가소닉 장치는 5 KHz 내지 10 MHz의 범위에서 동작된다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 하나의 다른 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(1404), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(1405)일 수 있거나, 초음파/메가소닉 장치(1408) 내에 조립될 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 로딩 플레이트(1402)는 척(1401)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트의 중심 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 원심력에 의해 로딩 플레이트에서 플립칩 캐리어(1409)에 의해 유지되는 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(1402)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(1409) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트(1402)를 카세트 내로 배치;
단계 3: 공정 챔버(1400) 내로 로딩 플레이트(1402)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm 범위의 저속인 제1 속도로 척 조립체(1401)를 회전;
단계 5: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 리세스 에지에서 배출 노즐(1407)로부터 플립칩(100) 내로 직접 DIW를 분사하고, 고정 노즐(1404) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1405)을 통해 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1402)로 DIW를 공급하고, 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있다;
단계 6: DIW 공급을 정지;
단계 7: 0.5LPM 내지 3LPM, 바람직하게는 1LPM 내지 2LPM의 유량으로 리세스 에지에서 배출 노즐(1407)로부터 플립칩(100) 내로 직접 클리닝 용액을 분사하고, 고정 노즐(1404) 및/또는 스캔/스윙 노즐(1405)로부터 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트(1402)로 클리닝 용액을 공급하고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본 용제, 하이드로카본 용제 또는 염소화 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이다;
단계 8: 초음파/메가소닉 장치를 5 KHz 내지 10 MHz, 바람직하게는 1 MHz 내지 3 MHz의 동작 주파수로 턴온. 액체 레벨이 초음파/메가소닉 장치의 하면을 덮을 수 있도록 한다. 공정 시간은 20 내지 300s의 범위에 있을 수 있다;
단계 9: 초음파/메가소닉 장치를 턴오프하고, 클리닝 용액을 계속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전시키고, 이 공정 시간은 20 내지 100s의 범위에 있을 수 있다;
단계 10: 단계 7 내지 단계 9를 적어도 한 번 반복;
단계 11: 단계 5를 반복;
단계 12: 1000 내지 3000rpm 범위의 미리 정의된 높은 속도 범위로 척 조립체를 회전;
단계 13: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 14: 로딩 플레이트를 공정 챔버(1400)로부터 카세트로 다시 전송;
단계 15: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.
도 15a 내지 15d는 플립칩 조립체를 클리닝하기 위한 다른 예시적인 장치(1500)의 상면도를 도시한다. 본 발명에 따르면, 장치는, 적어도 하나의 플립칩 캐리어(1505)를 유지하는 플립칩 로딩 플레이트(1502)를 구비하고, 각각의 캐리어는 하나의 플립칩(100)을 유지하고, 로딩 플레이트(1502)는 여러 장착 요소(1503)에 의해 척(1501)에 고정된다; 모터(도면에서는 미도시)는 스핀들(1504)에 의해 척 조립체에 결합된다; 본 발명의 일 양태에서, 도 15a 내지 15c에 도시된 바와 같이, 스핀들은 척 조립체의 하부에 배치된다; 본 발명의 다른 양태에서, 도 15d에 도시된 바와 같이, 스핀들은 척 조립체의 상부에 배치된다; 외부 탱크(1506)는 플립칩을 사전에 담그기 위하여 클리닝 용액을 유지한다; 적어도 하나의 초음파/메가소닉 장치(1509)는 외부 탱크(1506)의 벽에 부착되고, 초음파/메가소닉 장치(1509)는 (도 15a에 도시된 바와 같이) 척 조립체 위에 있는 위치에, (도 15b에 도시된 바와 같이) 탱크 측벽에, 또는 (도 15c 및 15d에 도시된 바와 같이) 탱크 하부 벽에 배치될 수 있고, 초음파/메가소닉 장치는 5 KHz 내지 10 MHz의 범위에서 동작된다. 장치는 DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키기 위한 적어도 하나의 다른 분사 노즐을 더 구비한다. 분사 노즐은 고정 노즐(1507), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐(1508)일 수 있거나, 초음파/메가소닉 장치(1509) 내에 조립될 수 있다. 분사 노즐의 개수와 배치는 실제 요건에 따라 가변될 수 있다. 적어도 4개의 유출(outflow) 포트(1515, 1521, 1524, 1525)가 탱크의 하부에 배치되고, 제1 출구(1515)로부터, 배수 라인(1517) 및 회수 라인(1518)이 용제를 위하여 연장되고, 출구(1515), 배수 라인(1516) 및 회수 라인(1518)을 연결하는 튜브(1514)는 도관 조인트로부터 분리되고, 온-오프 밸브(1517)가 배수 라인 내에 배치되고, 온-오프 밸브(1519)와 필터(1520)가 회수 라인 내에 배치된다. 공정 동안, 회수 라인을 통과한 배출된 용제는 필터(1520)에 의해 처리될 것이고, 그 다음, 재사용을 위해 회수 탱크로 흐를 것이다; 제2 출구(1524)로부터, 배수 라인 및 회수 라인(도면에는 미도시)이 알칼리를 위하여 연장된다; 제3 출구(1525)로부터, 배수 라인 및 회수 라인(도면에는 미도시)이 산(acid)을 위하여 연장된다; 제4 출구로부터, 배수 라인(1522)이 폐 DIW를 위하여 연장되고, 온-오프 밸브(1523)가 배수 라인 내에 배치된다; 펌프(1513)와 필터(1526)를 포함하는 순환 루프(1510)는 탱크(1506)를 유출 포트(1511) 및 유입(inflow) 포트(1512)와 연결하고, 로딩 플레이트(1502)는 척(1501)이 회전함에 따라 회전한다. 회전하는 동안, 로딩 플레이트 상으로 분사되는 DIW 또는 클리닝 용액은 액체 레벨이 플립칩을 담글때까지 외부 탱크 내에 유지될 것이다. 장기간의 담금 과정은 오염물을 느슨하게 하고, 부드럽게 하여 이를 제거할 수 있다. 담금 공정 동안, 초음파/메가소닉 장치(1508)와 순환 펌프(1503)가 턴온되고, 펌프의 작동에 따라, 초음파/메가소닉 교반과 결합되어, 액체는 탱크 내에서 연속으로 순환될 수 있고, 그 다음, 높은 클리닝 성능이 획득될 수 있다.
전술한 실시예에 따라, 플립칩 조립체를 클리닝하는 방법은 다음과 같이 설정될 수 있다:
공정 시컨스
단계 1: 로딩 플레이트(1502)에 의해 유지되는 플립칩 캐리어(1505) 내로 적어도 하나의 플립칩(100)을 로딩;
단계 2: 로딩 플레이트(1502)를 카세트 내로 배치;
단계 3: 공정 챔버(1500) 내로 로딩 플레이트(1502)를 전송;
단계 4: 10 내지 500rpm 범위의 저속인 제1 속도로 척 조립체(1501)를 회전;
단계 5: 탱크(1506) 내에 유지되는 액체 레벨이 플립칩을 담글 때까지 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 3LPM의 유량으로 로딩 플레이트 상으로 DIW를 흘림;
단계 6: 순환 펌프(1503) 및 초음파/메가소닉 장치(1508)를 5 KHz 내지 10 MHz, 바람직하게는 1 MHz 내지 3 MHz의 동작 주파수로 턴온.
단계 7: 10 내지 300s 동안 액체 배스(bath) 내에 플립칩을 담금;
단계 8: 초음파/메가소닉 장치(1508) 및 순환 펌프(1503)를 턴오프;
단계 9: DIW 배수 라인을 개방하고, 폐 DIW를 탱크로부터 방출;
단계 10: 폐 DIW 배수 라인을 폐쇄;
단계 11: 0.5LPM 내지 5LPM, 바람직하게는 1.5LPM 내지 5LPM의 유량으로 저속의 제1 속도로 로딩 플레이트 상으로 클리닝 용액 공급하고, 클리닝 용액은 클로로플루오르카본 용제, 하이드로카본 용제 또는 염소화 용제와 같은 유기 용제일 수 있다. 액체는 원심력에 의해 플립칩(100) 내로 더 회전할 것이고, 이 공정 시간은 10 내지 60s의 범위에 있을 수 있다.
단계 12: 클리닝 용액을 연속 공급하고, 500 내지 2000rpm 범위의 고속인 제2 속도로 척 조립체를 회전. 이 공정 시간은 10 내지 60s의 범위에 있을 수 있다;
단계 13: 탱크(1506) 내에 유지된 액체 레벨이 플립칩을 담글 때까지 단계 11 및 단계 12를 반복;
단계 14: 10 내지 500rpm의 범위에 있는 저속인 제1 속도로 척 속도를 감속;
단계 15: 순환 펌프(1513) 및 초음파/메가소닉 장치(1509)를 5 KHz 내지 10 MHz, 바람직하게는 1 MHz 내지 3 MHz의 동작 주파수로 턴온;
단계 16: 10 내지 300s 동안 액체 배스(bath) 내에 플립칩을 담금;
단계 17: 초음파/메가소닉 장치(1509) 및 순환 펌프(1513)를 턴오프;
단계 18: 특정 회수 라인을 개방하고, 사용된 액체를 재사용을 위해 탱크로부터 회수 탱크로 재순환;
단계 19: 특정 회수 라인을 폐쇄;
단계 20: 단계 5 내지 단계 10을 반복;
단계 21: 1000 내지 3000rpm의 범위에 있는 미리 정해진 고속으로 척 조립체를 회전;
단계 22: 1slm 내지 10slm, 바람직하게는 4slm 내지 6slm의 유량으로 플립칩을 건조하기 위하여 가스 또는 증기를 송풍. 이 공정 시간은 20 내지 200s의 범위에 있을 수 있다;
단계 23: 로딩 플레이트를 공정 챔버(1500)로부터 카세트로 다시 전송;
단계 24: 플립칩을 로딩 플레이트로부터 꺼냄.
발명이 소정의 실시예, 예시 및 적용례에 대하여 설명되었지만, 다양한 수정 및 변경이 본 발명을 벗어나지 않으면서 이루어질 수 있다는 것이 본 발명에 속 하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명할 것이다.

Claims (26)

  1. 척 조립체;
    스핀들에 의해 상기 척 조립체에 결합된 모터;
    플립칩을 유지하는 적어도 하나의 캐리어; 및
    DIW, 클리닝 용액, 가스 또는 증기를 지향시키는 적어도 하나의 분사 노즐
    을 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 플립칩은 상기 척 조립체 상의 회전 중심에서 벗어나 위치되는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    로딩 플레이트를 더 포함하고,
    상기 플립칩 캐리어는 상기 로딩 플레이트 상에 위치되고,
    상기 로딩 플레이트는 상기 척 조립체에 의해 유지되는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  4. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어는 상부 고정 방식으로 플립칩을 유지하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 캐리어는 하부 고정 방식으로 플립칩을 유지하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 플립칩 캐리어는 상기 척 조립체 상의 회전 중심에서 벗어나 위치되고, 상기 플립칩 캐리어의 분포 패턴은, 원형, 정사각형, 소용돌이형 또는 동심원인,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 분사 노즐은 고정 노즐(fix nozzle), 스캔 노즐 또는 스윙 노즐인,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 분사 노즐은 상기 척 조립체의 상부에 배치되는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 분사 노즐은 상기 플립칩 캐리어의 하나의 측부에 배치되는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 척 조립체의 중심에 위치된 리세스를 더 포함하고, 가이드 채널은 상기 리세스를 각각의 플립칩 캐리어와 연결하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    각각의 캐리어를 유지하기 위하여 에지에서 분사 노즐을 갖는 리세스를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 척 조립체에 의해 유지되는 상기 플립칩을 사전에 담그기 위하여 클리닝 용액을 유지하는 외부 탱크를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 외부 탱크의 벽에 부착된 초음파/메가소닉 장치를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 스핀들은 상기 척 조립체의 하부에 배치되는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  15. 제1항에 있어서,
    상기 스핀들은 상기 척 조립체의 상부에 배치되는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  16. 제1항에 있어서,
    적어도 하나의 초음파/메가소닉 장치를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 초음파/메가소닉 장치는 5 KHz 내지 10 MHz 범위에서 동작하는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 초음파/메가소닉 장치는 상기 캐리어 및 상기 척 조립체의 위에 있는 위치에 배치되는,
    플립칩 조립체 클리닝 장치.
  19. 척 조립체에 의해 유지되는 플립칩 캐리어에 적어도 하나의 플립칩을 로딩하는 단계;
    오염물을 제거하도록 클리닝 용액을 흘리는 단계; 및
    상기 척 조립체를 회전 속도로 회전시키는 단계
    를 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
  20. 제19항에 있어서,
    클리닝 공정 동안 척 회전 속도를 가변시키는 단계를 더 포함하고,
    저회전 속도와 고회전 속도가 교대로 사용되며,
    상기 저회전 속도(Nl)는
    Figure pct00002
    보다 더 작은 범위에 있고,
    상기 고회전 속도(Nh)는
    Figure pct00003
    보다 더 큰 범위에 있고,
    B는 상기 플립칩의 길이를 나타내고, A는 상기 플립칩의 폭을 나타내고, r은 상기 척 상의 상기 플립칩 캐리어의 위치의 반경을 나타내고, h는 2개의 칩 본드 패드 사이의 간격을 나타내고, t는 척 회전 시간을 나타내고, ρ는 액체 밀도를 나타내고, σ는 액체 표면 장력 계수를 나타내는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
  21. 제19항에 있어서,
    클리닝 공정 동안 상기 플립칩에 초음파/메가소닉 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
  22. 제19항에 있어서,
    상기 플립칩을 건조시키기 위하여 상기 분사 노즐을 통해 가스 또는 증기를 송풍하는 단계를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
  23. 로딩 플레이트에 의해 유지되는 플립칩 캐리어에 적어도 하나의 플립칩을 로딩하는 단계;
    상기 로딩 플레이트를 카세트에 배치하는 단계;
    공정 챔버 내에서 카세트로부터 척 조립체로 로딩 플레이트를 전송하는 단계;
    오염물을 제거하도록 클리닝 용액을 상기 플립칩 상으로 흘리는 단계; 및
    상기 척 조립체를 회전 속도로 회전시키는 단계
    를 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
  24. 제23항에 있어서,
    클리닝 공정 동안 척 회전 속도를 가변시키는 단계를 더 포함하고,
    저회전 속도와 고회전 속도가 교대로 사용되며,
    상기 저회전 속도(Nl)는
    Figure pct00004
    보다 더 작은 범위에 있고,
    상기 고회전 속도(Nh)는
    Figure pct00005
    보다 더 큰 범위에 있고,
    B는 상기 플립칩의 길이를 나타내고, A는 상기 플립칩의 폭을 나타내고, r은 상기 척 상의 상기 플립칩 캐리어의 위치의 반경을 나타내고, h는 2개의 칩 본드 패드 사이의 간격을 나타내고, t는 척 회전 시간을 나타내고, ρ는 액체 밀도를 나타내고, σ는 액체 표면 장력 계수를 나타내는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
  25. 제23항에 있어서,
    클리닝 공정 동안 상기 플립칩에 초음파/메가소닉 에너지를 공급하는 단계를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 플립칩을 건조시키기 위하여 상기 분사 노즐을 통해 가스 또는 증기를 송풍하는 단계를 더 포함하는,
    플립칩 조립체 클리닝 방법.
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