CN114472350B - 一种倒装芯片封装底部清洗方法 - Google Patents

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Abstract

本发明实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法，其包括以下步骤：利用超声波真空喷流装置对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗；对超声波真空喷流清洗后的倒装芯片进行化学喷洗或纯水喷洗；对喷洗后的倒装芯片进行除液风切处理；对除液风切后的倒装芯片进行纯水喷洗；对纯水喷洗后的倒装芯片进行烘干处理。本发明的实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法，其通过超声波真空喷流和群组微型增压喷嘴结合，并改进清洗参数，提高了清洗效果和清洗效率，使得清洗后的倒装芯片与基板间的污染，在200X电子显微镜下观察没有残留，离子污染度小于0.4μg per cm2，较现有清洗方式效率提升较高，清洗效果显著，洁净效果优良。

Description

一种倒装芯片封装底部清洗方法
技术领域
本发明涉及集成芯片清洗技术领域，尤其涉及一种倒装芯片封装底部清洗方法。
背景技术
电子元器件小型化高密度形式越来越多，小型化高密度的出现，对相关工艺设备的配合也变得相当关键，针对贴片完成后底部间隙里的助焊剂(flux)、有机物、无机物等污染物的清洗也极具有挑战，现有的清洗设备清洗效率低、洁净度差。
发明内容
本发明的实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法，旨在提高对倒装芯片封装底部的清洗效率和洁净度。
为达到上述目的，本发明所提出的技术方案为：
本发明实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法，其包括以下步骤：
步骤一、利用超声波真空喷流装置对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗；
步骤二、对超声波真空喷流清洗后的倒装芯片进行化学喷洗或纯水喷洗；
步骤三、对喷洗后的倒装芯片进行除液风切处理；
步骤四、对除液风切后的倒装芯片进行纯水喷洗；
步骤五、对纯水喷洗后的倒装芯片进行烘干处理。
其中，所述利用超声波真空喷流装置对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤包括以下步骤：
第一步、将待清洗的倒装芯片送入清洗室，所述清洗室被配置为真空超声波清洗环境；
第二步、启动循环加热箱，将清洗液加热至设定温度后送至所述清洗室；
第三步、在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗；
第四步、将所述清洗室内的清洗液回流至所述循环加热箱；
第五步、循环所述第三步和第四步至设定时间。
其中，所述启动循环加热箱，将清洗液加热至设定温度后送至清洗室的在步骤中还包括启动鼓泡管对清洗液进行鼓泡的步骤。
其中，所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中还包括启动旋转机构，同步带动待清洗的倒装芯片旋转的步骤。
其中，所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中采用群组微型增压喷嘴将清洗液喷洒至倒装芯片。
其中，所述群组微型增压喷嘴的流量为5-15L/min，压力为0.3-0.8Mpa。
其中，所述群组微型增压喷嘴距离倒装芯片的表面距离为5-100mm。
其中，所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗步骤中，清洗室内的真空值为-20000pa。
其中，所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤中超声波的功率为400-1500W，超声波的频率为40-80khz。
其中，所述启动循环加热箱，将清洗液加热至设定温度后送至所述清洗室的步骤中，清洗液被加热的温度为55-75℃。
与现有技术相比，本发明的实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法，其通过超声波真空喷流和群组微型增压喷嘴结合，并改进清洗参数，提高了清洗效果和清洗效率，使得清洗后的倒装芯片与基板间的污染，在200X电子显微镜下观察没有残留，离子污染度小于0.4μg per cm2，较现有清洗方式效率提升较高，清洗效果显著，洁净效果优良。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本发明实施例提供的倒装芯片封装底部清洗方法的主流程图；
图2为本发明实施例提供的倒装芯片封装底部清洗方法的子流程图；
图3为本发明实施例提供的倒装芯片封装底部清洗方法的超声波真空喷流装置功能框图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
应当理解，当在本说明书和所附权利要求书中使用时，术语“包括”和“包含”指示所描述特征、整体、步骤、操作、元素和/或组件的存在，但并不排除一个或多个其它特征、整体、步骤、操作、元素、组件和/或其集合的存在或添加。
还应当理解，在此本发明说明书中所使用的术语仅仅是出于描述特定实施例的目的而并不意在限制本发明。根据在本发明说明书和所附权利要求书中所使用的那样，除非上下文清楚地指明其它情况，否则单数形式的“一”、“一个”及“该”意在包括复数形式。
还应当进一步理解，在本发明说明书和所附权利要求书中使用的术语“和/或”是指相关联列出的项中的一个或多个的任何组合以及所有可能组合，并且包括这些组合。
请参阅附图1，附图1为本发明实施例提供的倒装芯片封装底部清洗方法的主流程图，该实施例提供的一种倒装芯片封装底部清洗方法，其包括以下步骤：
步骤一S100、利用超声波真空喷流装置对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗；其主要针对贴片底部与基板之间的清洗，清洗主要包括助焊剂、有机物、无机物等污染物。
步骤二S200、对超声波真空喷流清洗后的倒装芯片进行化学喷洗或纯水喷洗，也即倒装芯片在进行超声波真空喷流清洗后，从清洗室取出，静置2min左右，然后将倒装芯片送至喷淋清洗设备的传送带上，对倒装芯片进行二次清洗。其中，进行化学或纯水清洗过程中，先将化学喷洗剂或纯水加热至65℃，喷洗的压力值为0.3Mpa,当然，于其他实施例中，也可以设置其他温度和压力值。
步骤三S300、对喷洗后的倒装芯片进行除液风切处理；在本实施例中，风切除液的温度、压力值分别为RT/9Kpa，除液风切是指通过封刀将倒装芯片上的清洗液吹回至清洗室，同时清除倒装芯片表面的清洗液。
步骤四S400、对除液风切后的倒装芯片进行纯水喷洗；该步骤中，清洗速度为30cm/min，也即带动倒装芯片的传送带的传送速度为30cm/min。
步骤五S500、对纯水喷洗后的倒装芯片进行烘干处理，本实施例中，所述烘干温度为100℃。
请再次参阅图2，所述利用超声波真空喷流装置对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤S100包括以下步骤：
第一步S101、将待清洗的倒装芯片送入清洗室，所述清洗室被配置为真空超声波清洗环境；
其中,在本步骤中，所述清洗室内的真空值为-20000pa。
所述超声波的功率为400-1500W，超声波的频率为40-80khz。
第二步S102、启动循环加热箱，将清洗液加热至设定温度后送至所述清洗室；所述清洗液包括纯水(大于10兆欧)、水基溶剂(5％-15％)、纯溶剂(环保型)。其中，将清洗液加热至设定温度后清洗液被加热的温度为55-75℃。在对清洗液加热的过程中，同步启动鼓泡管对清洗液进行鼓泡，对清洗液鼓泡处理可以进一步提高清洗效率。
第三步S103、在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗；其中，与此步骤同时进行的还包括启动旋转机构，同步带动待清洗的倒装芯片旋转的步骤，旋转清洗，以致清洗无死角，全面立体清洗，以致清洗洁净度更高。
第四步S104、将所述清洗室内的清洗液回流至所述循环加热箱；清洗液输送管道以及清洗室会降低清洗液的温度，而清洗液的温度对清洗效果影响明显，因此在此过程中，清洗液在循环加热箱和清洗室多次循环，以保证清洗液的温度相对波动较小，同时还能对清洗液多次循环利用，避免浪费及污染。
第五步S105、循环所述第三步S103和第四步S104至设定时间，在本实施例中，循环清洗的时间设定为5-30min。
其中，所述在清洗室内对倒装芯片进行超声波真空喷流清洗的步骤S103中采用群组微型增压喷嘴将清洗液喷洒至倒装芯片。
所述群组微型增压喷嘴的流量为5-15L/min，压力为0.3-0.8Mpa。
优选的，所述群组微型增压喷嘴距离倒装芯片的表面距离为5-100mm。
请再次参阅图3，其为本实施例的超声波真空喷流装置的功能框图，该超声波真空喷流装置包括：清洗室1、循环加热箱8、旋转电机3、真空泵7以及控制清洗液在所述循环加热箱8及清洗室1之间的输送管道上的循环泵6和调节阀。其中，循环加热箱8内设有加热管5和鼓泡管4，循环加热箱8加热后的清洗剂通过循环泵输送给清洗室，群组微型增压喷嘴设置于清洗室1内，清洗室1侧壁设有超声波震板2，旋转电机3驱动旋转平台，旋转平台与用于放置待清洗的倒装芯片，真空泵7用于对清洗室1抽真空。
本实施例的群组微型增压喷嘴包括至少两圈若干呈圆形分布的外围微孔，以及呈矩阵分布于外围微孔内的内部微孔，且所述外围微孔和内部微孔均等间距分布。
与现有技术相比，本实施例提供了一种倒装芯片封装底部清洗方法，其通过超声波真空喷流和群组微型增压喷嘴结合，并改进清洗参数，提高了清洗效果和清洗效率，使得清洗后的倒装芯片与基板间的污染，在200X电子显微镜下观察没有残留，离子污染度小于0.4μg per cm2，较现有清洗方式效率提升较高，清洗效果显著，洁净效果优良。
上述内容，仅为本发明的较佳实施例，并非用于限制本发明的实施方案，本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神，可以十分方便地进行相应的变通或修改，故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。

Claims (4)

1.一种倒装芯片封装底部清洗方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤一、将待清洗的倒装芯片封装送入清洗室，所述清洗室被配置为真空超声波清洗环境；
步骤二、启动循环加热箱，启动鼓泡管对清洗液进行鼓泡，将清洗液加热至设定温度后送至所述清洗室；
步骤三、启动旋转机构，同步带动待清洗的倒装芯片封装旋转，并采用群组微型增压喷嘴将清洗液喷洒至倒装芯片封装底部，在清洗室内对倒装芯片封装底部进行超声波真空喷流清洗，所述群组微型增压喷嘴的流量为5-15L/min，压力为0.3-0.8Mpa，所述群组微型增压喷嘴距离倒装芯片封装底部的表面距离为5-100mm；
步骤四、将所述清洗室内的清洗液回流至所述循环加热箱；
步骤五、循环执行所述步骤三和步骤四至设定时间；
步骤六、对超声波真空喷流清洗后的倒装芯片封装底部进行化学喷洗或纯水喷洗；
步骤七、对喷洗后的倒装芯片封装底部进行除液风切处理；
步骤八、对除液风切后的倒装芯片封装底部进行纯水喷洗；
步骤九、对纯水喷洗后的倒装芯片封装底部进行烘干处理。
2.根据权利要求1所述的倒装芯片封装底部清洗方法，其特征在于，所述在清洗室内对倒装芯片封装底部进行超声波真空喷流清洗步骤中，清洗室内的真空值为-20000pa。
3.根据权利要求2所述的倒装芯片封装底部清洗方法，其特征在于，所述在清洗室内对倒装芯片封装底部进行超声波真空喷流清洗的步骤中超声波的功率为400-1500W，超声波的频率为40-80khz。
4.根据权利要求3所述的倒装芯片封装底部清洗方法，其特征在于，所述启动循环加热箱，将清洗液加热至设定温度后送至所述清洗室的步骤中，清洗液被加热的温度为55-75℃。
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