CN104517809B - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种基板处理装置和基板处理方法，其能够可靠地将基板正面的清洗水置换成挥发性溶剂，有效防止干燥基板时的图案崩塌，并且能够提高这种基板的生产性。基板处理装置(10)具有水分除去单元(110)，水分除去单元(110)在由溶剂供给部(58)对基板(W)的正面供给挥发性溶剂时，对基板(W)的正面供给水分除去剂，促进基板(W)的正面的清洗水置换成挥发性溶剂。

Description

基板处理装置和基板处理方法
技术领域
本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
基板处理装置是在半导体等的制造工序中向晶片、液晶基板等基板的正面供给处理液对该基板正面进行处理，然后向基板正面供给超纯水等清洗水将该基板正面清洗，进而将其干燥的装置。在该干燥工序中，随着近年的半导体的高度集成化和高容量化带来的微细化，发生例如在基板上的存储单元或栅极周围的图案崩塌的问题。这源于图案彼此的间隔或结构、清洗水的表面张力等原因。在干燥基板时因残留在图案间的清洗水的表面张力所导致的图案彼此的吸引，导致图案弹性变形地倒塌，产生图案崩塌。
于是，以抑制上述的图案崩塌为目的，提出了使用表面张力比超纯水小的IPA(2-丙醇：异丙醇)的基板干燥方法(例如参照专利文献1)，将基板正面上的超纯水置换成IPA进行基板干燥的方法在批量生产工厂等中被使用。
现有技术文献
专利文献
专利文献1：日本特开2008-34779号公报
发明内容
发明想要解决的技术问题
然而，在现有技术中，充分将供给到基板的正面的清洗水置换成表面张力低的IPA等挥发性溶剂存在困难，无法有效防止干燥基板时的图案崩塌。该图案崩塌随着半导体的微细化越发显著。
本发明的技术问题在于将基板正面的清洗水可靠地置换成挥发性溶剂，有效防止干燥基板时的图案崩塌。
用于解决技术问题的技术方案
本发明的基板处理装置，其特征在于，包括：
对基板的正面供给清洗水的清洗水供给部；和
对被供给了清洗水的基板的正面供给挥发性溶剂，将基板的正面的清洗水置换成挥发性溶剂的溶剂供给部，
上述基板处理装置具有水分除去单元，
上述水分除去单元在由溶剂供给部对基板的正面供给挥发性溶剂时，对基板的正面供给水分除去剂，促进基板的正面的清洗水置换成挥发性溶剂。
本发明的基板处理方法，其特征在于，包括：
对基板的正面供给清洗水的工序；和
对被供给了清洗水的基板的正面供给挥发性溶剂，将基板的正面的清洗水置换成挥发性溶剂的工序，
在对基板的正面供给挥发性溶剂时，利用水分除去单元对基板的正面供给水分除去剂，促进基板的正面的清洗水置换成挥发性溶剂。
发明效果
根据本发明的基板处理装置和基板处理方法，能够将基板正面的清洗水可靠地置换成挥发性溶剂，有效防止干燥基板时的图案崩塌。
附图说明
图1是表示基板处理装置的示意图。
图2是表示基板处理装置中的基板清洗室的结构的示意图。
图3是表示基板正面的清洗水的置换状况的示意图。
图4是表示基板处理装置中的基板干燥室的结构的示意图。
图5是表示基板处理装置中的搬送单元的结构的示意图。
图6是表示水分除去单元的变形例的示意图。
图7是表示水分除去单元的变形例的示意图。
图8是表示基板正面的挥发性溶液的干燥状况的示意图。
附图标记说明
10 基板处理装置
50 基板清洗室
57 清洗水供给部
58 溶剂供给部
70 基板干燥室
76 加热单元
77 吸引干燥单元(干燥单元)
101 溶剂供给罐
104 溶剂供给管路
110、120、130 水分除去单元
W 基板
具体实施方式
如图1所示，基板处理装置10包括基板给排部20、基板保管用缓冲部30和多个基板处理室40，在基板给排部20与基板保管用缓冲部30之间设置有搬送机器人11，在基板保管用缓冲部30与基板处理室40之间设置有搬送机器人12。此处，如后所述，基板处理室40由基板清洗室50和基板干燥室70的组构成。
基板给排部20能够搬入和搬出多个基板收纳盒21。基板收纳盒21收纳未处理的晶片、液晶基板等多个基板W并被搬入到基板给排部20。另外，基板收纳盒21收纳在基板处理室40中处理后的基板W并被从基板给排部20搬出。未处理的基板W由搬送机器人11从在基板给排部20内的基板收纳盒21中呈多层的各收纳架依次取出，并供给至基板保管用缓冲部30的后述的搬入专用缓冲部31。供给至搬入专用缓冲部31的未处理的基板W进而被搬送机器人12取出，供给至基板处理室40的基板清洗室50进行清洗处理。在基板清洗室50清洗处理后的基板W由搬送机器人12从基板清洗室50移载至基板干燥室70被干燥处理。经这样处理后的基板W由搬送机器人12从基板干燥室70取出，投入到基板保管用缓冲部30的后述的搬出专用缓冲部32暂时保管。在基板保管用缓冲部30的搬出专用缓冲部32内暂时保管的基板W由搬送机器人11取出，依次排出到基板给排部20内的基板收纳盒21的空的收纳架。由经处理后的基板W装满的基板收纳盒21被从基板给排部20搬出。
基板保管用缓冲部30中，如图5所示，保管未处理的基板W的多个搬入专用缓冲部31设置为呈多层的架状，并且保管在基板处理室40清洗和干燥处理后的基板W的多个搬出专用缓冲部32设置为呈多层的架状。在搬出专用缓冲部32的内部，还能够设置对暂时保管中的基板W进行冷却的冷却单元。另外，搬入专用缓冲部31和搬出专用缓冲部32也可以不是多层的。
基板处理室40在位于与基板保管用缓冲部30离开的靠近基板处理室40的移动端的搬送机器人12的周围(或两端)，配置有成为一组的基板清洗室50和基板干燥室70，将在同一组的基板清洗室50清洗处理后的基板W移载至该同一组的基板干燥室70进行干燥处理。在基板处理室40中，当令基板清洗室50的清洗作业时间为N时，基板干燥室70的干燥作业时间为1的情况下，成为一组的基板清洗室50和基板干燥室70的各设置个数i、j设定为i：j＝N：1。由此，当使在基板处理室40内呈一组的所有基板清洗室50和基板干燥室70在同一时间带并行工作时，使得将后续的基板W在这些基板清洗室50清洗的生产量和将在基板清洗室50已经清洗的先行的基板W在这些基板干燥室70干燥的生产量大致相等。
本实施例的基板处理室40在多个层级、例如三层中的各层，配置有成为一组的基板清洗室50和基板干燥室70，当令基板清洗室50的清洗作业时间为N＝3时，基板干燥室70的干燥作业时间为1，因此在各层级设置有i＝3个的基板清洗室50和j＝1个的基板干燥室70。
以下，对构成基板处理室40的基板清洗室50和基板干燥室70进行详述。
如图2所示，基板清洗室50包括：作为处理室的处理箱51；设置在该处理箱51内的杯52；在该杯52内以水平状态支承基板W的载置台53；使该载置台53在水平面内旋转的旋转机构54；和在该载置台53的周围升降的溶剂吸引排出部55。另外，基板清洗室50包括：对载置台53上的基板W的正面供给药液的药液供给部56；对载置台53上的基板W的正面供给清洗水的清洗水供给部57；供给挥发性溶液的溶液供给部58；和控制各部的控制部60。
处理箱51使基板出入口51A在周壁的一部分开口。基板出入口51A通过遮板51B开闭。
杯52形成为圆筒形状，将载置台53从周围包围而收纳在内部。杯52的周壁的上部向斜上方直径缩小，载置台53上的基板W以向上方露出的方式开口。该杯52接收从旋转的基板W流下的或飞散的药液、清洗水。另外，在杯52的底部设置有用于排出所接收的药液、清洗水的排出管(未图示)。
载置台53定位于杯52的中央附近，设置成能够在水平面内旋转。该载置台53具有多个销等支承部件53A，由这些支承部件53A可装卸地保持晶片、液晶基板等基板W。
旋转机构54具有与载置台53连结的旋转轴、作为使该旋转轴旋转的驱动源的电动机(均未图示)等，通过电动机的驱动经由旋转轴使载置台53旋转。该旋转机构54与控制部60电连接，其驱动由控制部60控制。
溶剂吸引排出部55具有包围载置台53的周围环状地开口的溶剂吸引口55A。溶剂吸引排出部55具有使溶剂吸引口55A升降的升降机构(未图示)，使溶剂吸引口55A升降至将溶剂吸引口55A定位在比载置台53的载置台面靠下方的位置的待机位置、和将溶剂吸引口55A定位在保持于载置台53的基板W的周围的作业位置。溶剂吸引口55A吸引从旋转的基板W飞散来的挥发性溶剂并将其接收。另外，溶剂吸引口55A与用于吸引挥发性溶剂的排气风扇或真空泵(未图示)和用于将吸引而接收的挥发性溶剂排出的排出管(未图示)连接。
药液供给部56具有相对于载置台53上的基板W的正面从斜向排出药液的喷嘴56A，从该喷嘴56A向载置台53上的基板W的正面供给药液、例如有机物除去处理用的APM(氨水和双氧水的混合液)。喷嘴56A安装在杯52的周壁的上部，其角度和排出流速等调整成使得药液供给至基板W的正面中心附近。该药液供给部56与控制部60电连接，其驱动由控制部60控制。另外，药液供给部56具有贮留药液的罐、作为驱动源的泵、作为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等。
清洗水供给部57具有相对于载置台53上的基板W的正面从斜向排出清洗水的喷嘴57A，从该喷嘴57A向载置台53上的基板W的正面供给清洗水、例如清洗处理用的纯水(超纯水)。另外，清洗液供给部57供给的清洗液也可以为臭氧水等功能水。喷嘴57A安装在杯52的周壁的上部，其角度和排出流速等调整成使得清洗水供给至基板W的正面中心附近。该清洗水供给部57与控制部60电连接，其驱动由控制部60控制。另外，清洗水供给部57具有贮留清洗水的罐、作为驱动源的泵、作为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等。
溶剂供给部58具有相对于载置台53上的基板W的正面从斜向排出挥发性溶剂的喷嘴58A，从该喷嘴58A向载置台53上的基板W的正面供给挥发性溶剂、例如IPA。该溶剂供给部58对由清洗水供给部57供给的清洗水清洗后的基板W的正面供给挥发性溶剂，将基板W的正面的清洗水置换成挥发性溶剂。喷嘴58A安装在杯52的周壁的上部，其角度和排出流速等调整成使得挥发性溶剂供给至基板W的正面中心附近。该溶剂供给部58与控制部60电连接，其驱动由控制部60控制。另外，溶剂供给部58具有贮留挥发性溶剂的罐、作为驱动源的泵、作为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等。
此处，作为挥发性溶剂，除了IPA以外，例如能够使用乙醇等一元的醇类、和二乙醚、甲乙醚等醚类以及碳酸乙烯酯等。另外，挥发性溶剂优选为可溶于水。
另外，溶剂供给部58具有图2所示的溶剂供给罐101，例如IPA经由流量调整阀102、流量计103投入到溶剂供给罐101中。贮留在溶剂供给罐101中的IPA通过设置在溶剂供给管路104中的泵105的驱动，经由过滤器106、流量调整阀107、流量计108，从溶剂供给部58的喷嘴58A排出到基板W的正面。另外，109是IPA不从喷嘴58A排出时的回流阀。控制部60控制流量调整阀102、泵105、流量调整阀107等，适时地从喷嘴58A排出适量的IPA。
此处，溶剂供给部58附带具有水分除去单元110。水分除去单元110在由溶剂供给部58对基板W的正面供给挥发性溶剂时，对该基板W的正面供给水分除去剂，促进该基板W的正面的清洗水置换成该挥发性溶剂。
水分除去单元110供给的水分除去剂能够采用与水反应而发生水解的物质、例如磷酸三乙酯、磷酸三甲酯。当由水分除去单元110将水分除去剂通过后述的供给路径供给至基板W的正面时，如图3所示，水分除去剂与附着在基板W的图案P彼此的间隙的内部的水、和存在于基板W的周边的处理箱51内的气氛(大气)中的水蒸气反应而发生水解，生成分解产物。由此，例如磷酸三乙酯、磷酸三甲酯等水分除去剂一边除去这些水、水蒸气，一边生成酸性磷酸酯、醇等分解产物。酸性磷酯、醇等水分除去剂的分解产物容易混合或容易溶解于IPA等挥发性溶剂。
因此，由清洗水供给部57供给到基板W的正面的水一边与溶剂供给部58供给的IPA搅拌混合，一边被载置台53的旋转的离心力甩开除去，并且在水分除去单元110供给的水分除去剂的上述水解中消耗而被除去，结果是将基板W的正面的整个区域可靠地置换成表面张力比水低的IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)。
在本实施例中，如图2所示，水分除去单元110将水分除去剂(R)添加到溶剂供给罐101内的挥发性溶剂中。水分除去剂经由流量调整阀111、流量计112被投入到溶剂供给罐101，在溶剂供给罐101中与IPA良好地混合，并利用泵105与IPA一起通过溶剂供给管路104从喷嘴58A排出到基板W的正面。该水分除去单元110中，流量调整阀111等与控制部60电连接，其驱动由控制部60控制。因为使水分除去剂R和挥发性溶剂在溶剂供给罐101中充分混合，所以在流量调整阀107关闭、回流阀109打开的状态下，起动泵105，使罐溶剂供给101内的混合液循环即可。
水分除去单元110投入的水分除去剂在溶剂供给罐101内与IPA良好地混合，并与IPA一起遍及基板W的正面的各部，所以能够高效地使基板W的正面的整个区域置换成IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)。
控制部60包括集中控制各部的微型计算机、和存储关于基板处理的基板处理信息、各种程序等的存储部。该控制部60基于基板处理信息、各种程序控制旋转机构54、溶剂吸引排出部55、药液供给部56、清洗水供给部57、溶剂供给部58、水分除去单元110等，对旋转中的载置台53上的基板W的正面，进行由药液供给部56进行的药液的供给、由清洗水供给部57进行的清洗水的供给、由溶剂供给部58进行的挥发性溶剂的供给等控制。
如图4所示，基板干燥室70包括：作为处理室的处理箱71；设置在该处理箱71内的杯72；在该杯72内以水平状态支承基板W的载置台73；使该载置台73在水平面内旋转的旋转机构74；供给气体的气体供给部75；对被供给了挥发性溶剂的基板W的正面进行加热的加热单元76；用于对由加热单元76加热的基板W的正面进行干燥的吸引干燥单元77；和控制各部的控制部80。
处理箱71、杯72、载置台73、旋转机构74与基板清洗室50中的处理箱51、杯52、载置台53、旋转机构54一样。另外，在图4中，71A表示基板出入口，71B表示遮板，73A表示销等支承部件。
气体供给部75具有相对于载置台73上的基板W的正面从斜向排出气体的喷嘴75A，从该喷嘴75A向载置台73上的基板W的正面供给气体、例如氮气，在处理箱71内使基板W的正面上的空间成为氮气气氛。喷嘴75A安装在杯72的周壁的上部，其角度和排出流速等调整为使得气体供给到基板W的正面中心附近。该气体供给部75与控制部80电连接，其驱动由控制部80控制。另外，气体供给部75包括贮留气体的罐、作为调整供给量的调整阀的阀门(均未图示)等。
此处，作为供给的气体，能够使用氮气以外的不活泼气体、例如氩气、二氧化碳气、氦气等。该不活泼气体被供给到基板W的正面，所以能够除去基板W的正面上的氧，防止水印(watermark)(水痕)的产生。也可以是干燥空气。另外，供给的气体优选为加热了的气体。
加热单元76具有多个灯76A，设置在载置台73的上方，通过点亮各灯76A，将光照射到载置台73上的基板W的正面。该加热单元76构成为通过移动机构76B能够在上下方向(升降方向)移动，移动到接近杯72的照射位置(如图4中的实线所示，接近基板W的正面的位置)和距杯72规定距离的待机位置(如图4中的点划线所示，离开基板W的正面的位置)。当基板W设置在基板干燥室70的载置台73时，通过将加热单元76定位在待机位置，由此能够避免加热单元76妨碍基板W的搬入。加热单元76可以为在灯点亮后下降、在下降后点亮灯的任一种。该加热单元76与控制部80电连接，其驱动由控制部80控制。
此处，作为加热单元76，例如能够使用并列设置有多个直管型的灯76A的加热单元或阵列状地设置有多个电灯型的灯76A的加热单元。另外，作为灯76A例如能够使用卤素灯、氙气闪光灯等。
在使用加热单元76的基板W的加热工序中，通过该加热单元76的加热，如图8(A)所示，与基板W的正面上的图案P接触的挥发性溶剂的液体A1相比于其它部分的挥发性溶剂的液体A1更早开始气化。即，迅速加热使得仅供给到基板W的正面的挥发性溶剂的液体A1中与基板W的正面接触的部分成为气相。由此，在基板W的正面上的图案P的周围，通过挥发性溶剂的液体A1的气化(沸腾)，气体的层(气泡的集合)、即挥发性溶剂的气层A2形成为薄膜。因此，相邻的图案P之间的挥发性溶剂的液体A1一边被该气层A2挤出到基板W的正面一边因自身的表面张力形成许多液珠。另外，图8(B)表示在液体干燥的过程中，基板正面的各部的干燥速度产生不均，在一部分的图案P间残留有液体A1时，该部分的液体A1的表面张力导致图案崩塌的现象。
吸引干燥单元77与基板清洗室50中的上述溶剂吸引排出部55实质上相同，将朝向载置台73的周围呈环状地开口的溶剂吸引口77A设定在定位在保持于载置台73的基板W的周围的作业位置而发挥功能。溶剂吸引口77A吸引并接收从旋转的基板W上飞散出的挥发性溶剂。该吸引干燥单元77与控制部80电连接，其驱动由控制部80控制。另外，溶剂吸引口77A与用于吸引挥发性溶液的液珠的真空泵(未图示)和用于将吸引而接收的挥发性溶剂的液珠排出的排出管(未图示)连接。
控制部80包括集中控制各部的微型计算机、和存储关于基板处理的基板处理信息、各种程序等的存储部。该控制部80基于基板处理信息、各种程序控制旋转机构74、气体供给部75、加热单元76、吸引干燥单元77等，对旋转中的载置台73上的基板W的正面，进行由气体供给部75进行的气体的供给、由加热单元76进行的加热、由吸引干燥单元77进行的吸引等控制。
以下，对基板处理装置10的基板W的清洗和干燥处理步骤进行说明。
(1)由搬送机器人12取出搬送机器人11从基板给排部20的基板收纳盒21供给到基板保管用缓冲部30的搬入专用缓冲部31的基板W，在将该基板W设置在基板处理室40中的基板清洗室50的载置台53上的状态下，基板清洗室50的控制部60控制旋转机构54，使载置台53以规定的转速旋转，接着，在将溶剂吸引排出部55定位在待机位置的状态下，控制药液供给部56，在规定时间内从喷嘴56A向旋转的载置台53上的基板W的正面供给药液即APM。作为药液的APM从喷嘴56A向旋转的载置台53上的基板W的中央排出，利用基板W的旋转产生的离心力，向基板W的正面整体扩散。由此，载置台53上的基板W的正面被APM覆盖而被处理。
另外，控制部60使载置台53从上述(1)至后述(3)为止持续地旋转。此时，载置台53的转速、规定时间等的处理条件是预先设定的，但可以由操作者任意地变更。
(2)然后，控制部60停止药液的供给，然后控制清洗水供给部57，在规定时间内从喷嘴57A向旋转的载置台63上的基板W的正面供给清洗水即超纯水。作为清洗水的超纯水从喷嘴57A向旋转的载置台53上的基板W的中央排出，利用基板W的旋转产生的离心力向基板W的正面整体扩散。由此，载置台53上的基板W的正面被超纯水覆盖而被清洗。
(3)接着，控制部60停止清洗水供给部57的清洗水供给，然后将溶剂吸引排出部55定位在作业位置，控制溶剂供给部58，在规定时间内从喷嘴58A向旋转的载置台53上的基板W的正面供给挥发性溶剂即IPA。在溶剂供给部58的IPA供给经过了规定时间的时刻，停止溶剂供给部58的IPA供给，停止利用载置台53进行的基板W的旋转。作为挥发性溶剂的IPA从喷嘴58A向旋转的载置台53上的基板W的中央排出，利用基板W的旋转产生的离心力，向基板W的正面整体扩散。此时，从旋转的基板W飞散的IPA被吸引到溶剂吸引排出部55。由此，载置台53上的基板W的正面从超纯水置换成IPA。另外，此时的载置台53即基板W的转速设定成使得挥发性溶剂的膜在基板W的正面上形成基板W的正面不露出的程度的薄膜。
另外，从溶剂供给部58的喷嘴58A排出的IPA的温度设为不到其沸点，使IPA可靠地以液体状态供给至基板W的正面，由此在基板W的正面的整个区域，将超纯水可靠且均匀地置换成IPA。在本例中，IPA以液体状态连续供给至基板W。
此处，控制部60在溶剂供给部58的喷嘴58A向基板W的正面排出IPA时，利用水分除去单元110，如上所述，对该基板W的正面供给水分除去剂，促进该基板W的正面的清洗水置换成IPA(混合或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)。
(4)接着，控制部60使基板清洗室50的载置台53的旋转停止，搬送机器人12从基板清洗室50将停止了旋转的载置台53上的基板W取出，将该基板W设置在基板处理室40中的基板干燥室70的载置台73上。基板干燥室70的控制部80控制旋转机构74使载置台73旋转并且控制气体供给部75，在规定时间内从喷嘴75A向旋转的喷嘴73上的基板W的正面供给气体即氮气。氮气从喷嘴75A向载置台73上的基板W的整个区域排出。由此，包围载置台73上的基板W的空间成为氮气气氛。将该空间设为氮气气氛，由此使氧浓度减少，能够抑制基板W的正面的水印的发生。
另外，控制部80使载置台73从上述(4)至后述(6)为止持续地旋转。此时，载置台73的转速、规定时间等的处理条件是预先设定的，但可以由操作者任意地变更。
(5)接着，控制部80控制加热单元76，将至今位于待机位置的加热单元76定位在照射位置，将加热单元76的各灯76A点亮，对旋转的载置台73上的基板W加热规定时间。此时，加热单元76能够进行能够使基板W的温度用10秒达到100℃以上的加热。由此，能够使与基板W的正面上的图案P接触的挥发性溶剂的液体A1(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的液体)瞬间气化，使基板W的正面上的其它部分的挥发性溶剂的液体A1立即变成液珠。
此处，在由加热单元76进行的加热干燥中，与基板W的图案P接触的作为挥发性溶剂的IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)瞬间气化，所以使基板W用数秒加热至数百℃的高温很重要。另外，IPA也需要仅加热基板W，而不加热IPA。因此，优选使用在波长500～3000nm处具有峰值强度的灯76A。另外，为了进行可靠的干燥，基板W的最终温度(通过加热到达的最终温度)优选为比处理液或溶剂在大气压下的沸点高20℃以上的加热温度，而且，达到最终温度的时间优选为10秒以内，例如数10msec～数秒的范围内。
(6)在加热单元76的加热作用下，在基板W的正面生成的IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)的液珠利用基板W的旋转产生的离心力向外周飞散，到达吸引干燥单元77。此时，溶剂吸引口77A被施加有吸引力，所以到达吸引干燥单元77的IPA的液珠经由溶剂吸引口77A被吸引而除去。接着，停止旋转载置台73的旋转，干燥结束。因此，在本实施例中，旋转载置台73、旋转机构74、吸引干燥单元77等构成将在加热单元76的加热作用下在基板的正面生成的挥发性溶剂的液珠除去、对基板的正面进行干燥的干燥单元。
(7)接着，控制部80使载置台73的旋转停止，搬送机器人12从基板干燥室70取出在停止了旋转的载置台73上干燥完毕的基板W，将该基板W投入到基板保管用缓冲部30的搬出专用缓冲部32。另外，如上所述，在搬出专用缓冲部32的内部设置有冷却单元的情况下，由该冷却单元强制冷却基板W。
另外，在取出上述(7)的基板W前，控制部80使加热单元76的灯76A熄灭，并且定位在待机位置。由此，在取出基板W时，加热单元76并不妨碍取出。
(8)搬送机器人11将基板W从基板保管用缓冲部30的搬出专用缓冲部32取出，排出到基板给排部20的基板收纳盒21。
另外，在上述(4)中由气体供给部75供给规定时间的氮气也可以设定为与上述(5)的利用加热单元76的各灯76A的加热处理的开始一起停止供给，或者还可以设定为结束了上述(6)的干燥处理的基板W在上述(7)中从基板干燥室70取出时停止供给。
因此，在基板处理装置10中，基板处理室40具有基板清洗室50和基板干燥室70，并且在基板清洗室50与基板干燥室70之间设置有作为基板搬送单元的搬送机器人12。由此，在基板清洗室50中，进行：对基板W的正面供给清洗水的工序；和对被供给了清洗水的基板W的正面供给挥发性溶剂并利用水分除去单元110促进基板W的正面的清洗水置换成挥发性溶剂的工序，在基板清洗室50中被供给了挥发性溶剂的基板W由搬送机器人12搬送至基板干燥室70。然后，在基板干燥室70中，进行：对在基板清洗室50中被供给了挥发性溶剂的基板W加热的工序；和通过基板W的加热除去在基板W的正面生成的挥发性溶剂的液珠，对基板W的正面进行干燥的工序。
根据本实施例，起到如下的作用效果。
在由清洗水供给部57对基板W的正面供给清洗水后，由溶剂供给部58对基板W的正面供给IPA时，水分除去单元110与该IPA混合而供给的水分除去剂与附着在基板W的图案间隙的内部的水、以及存在于基板W的周边的处理箱51内的气氛(大气)中的水蒸气反应而发生水解，将这些水、水蒸气除去。由此，减少基板W的正面，尤其是附着在图案间隙的清洗水的残存量，而且将该清洗水可靠地置换成表面张力低的IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)，能够有效防止在干燥基板W时图案崩塌。
利用水分除去单元110的清洗水的除去效果，通过供给较少量的挥发性溶剂，能够将基板W的正面的清洗水高效地置换成挥发性溶剂，能够减少挥发性溶剂的消耗量。另外，能够将挥发性溶剂顺畅地送入清洗水的残存量因使用水分除去剂而变少了的基板W的图案间隙，能够缩短溶剂置换工序的执行时间。由此，能够提高基板W的生产性。
水分除去单元110投入的水分除去剂在溶剂供给罐101内与IPA良好地混合，与IPA一起遍及基板W的正面的各部，因此能够使基板W的正面的整个区域高效地置换成IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)。
图6表示图1～图5的实施例中，作为溶剂供给部58所附带的水分除去单元110的变形例的水分除去单元120。水分除去单元120将水分除去剂(R)添加到溶剂供给部58的溶剂供给管路104内的挥发性溶剂。水分除去剂经由流量调整阀121、流量计122、过滤器123投入到溶剂供给管路104，在溶剂供给管路104中被积极地取入由泵105加压输送而来的IPA的液流中而混合，与IPA一起从喷嘴58A排出到基板W的正面。该水分除去剂120中，流量调整阀121等与控制部60电连接，其驱动由控制部60控制。
水分除去单元120投入的水分除去剂积极混合到在溶剂供给管路104内加压输送的IPA的液流中，与IPA一起遍及基板W的正面的各部，因此能够使基板W的正面的整个区域高效地置换成IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)。
图7表示作为溶剂供给部58所附带的水分除去单元110的变形例的水分除去单元130。水分除去单元13具有经由流量调整阀131、流量计132、过滤器133将水分除去剂排出到载置台53上的基板W的正面的喷嘴130A。水分除去单元130将水分除去剂(R)以不通过与溶剂供给罐101连通的溶剂供给管路104的方式直接供给到基板W的正面，能够添加到溶剂供给部58的喷嘴58A排出的挥发性溶剂中。喷嘴130A设置在处理箱51的顶部下，其设置角度、排出流速等调整成使得水分除去剂供给到基板W的正面中心附近。该水分除去单元130中，流量调整阀131等与控制部60直接连接，其驱动由控制部60控制。
从喷嘴130A开始供给水分除去剂的时刻可以与从喷嘴58A开始供给挥发性溶剂的时刻相同，但也可以比从喷嘴58A开始供给挥发性溶剂的时刻早，也可以比其晚。另外，停止从喷嘴130A供给水分除去剂的时刻可以与停止从喷嘴58A供给挥发性溶剂的时刻相同，也可以比其早。
水分除去单元130投入的水分除去剂在基板W的正面上与溶剂供给部58供给的IPA直接混合，与IPA一起遍及基板W的正面的各部，所以能够使基板W的正面的整个区域高效地置换成IPA(混合有或溶解有水分除去剂的分解产物的IPA)。
以上，利用附图对本发明的实施方式进行了详细说明，但本发明的具体结构不限于这些实施例，本发明还包括不脱离本发明的主旨的范围内的设计的变更等。
气体供给部75的氮气等不活泼气体或干燥空气的供给动作是在基板W设置在供给位置后开始的，但也可以从设置前开始进行供给。
在实施例中，加热单元76对基板W的加热也可以在对处理箱1内进行了减压的状态下进行。处理箱71内的IPA等挥发性溶剂的沸点下降，在比大气压下低的温度沸腾，所以能够减轻对基板带来的热损伤。
在实施例中，对基板W停止供给清洗水之后，开始供给IPA等挥发性溶剂，但也可以在利用清洗水进行清洗的末期，还在对基板W供给清洗水时起，开始供给挥发性溶剂。
工业上的可利用性
根据本发明，能够可靠地将基板正面的清洗水置换成挥发性溶剂，有效地防止干燥基板时的图案崩塌。

Claims (7)

1.一种基板处理装置，其特征在于，包括：
对基板的形成有图案的正面供给清洗水的清洗水供给部；
对被供给了所述清洗水的所述基板的正面供给挥发性溶剂，将所述基板的正面的所述清洗水置换成所述挥发性溶剂的溶剂供给部；
对供给了所述清洗水的所述基板的正面供给作为与所述清洗水反应而发生水解的物质的水分除去剂的水分除去单元；和
控制所述清洗水供给部、所述溶剂供给部和所述水分除去单元的控制部，
所述控制部进行控制，使得从所述溶剂供给部对存在由所述清洗水供给部所供给的所述清洗水的所述基板的正面供给所述挥发性溶剂，并且在由所述溶剂供给部对所述基板的正面供给所述挥发性溶剂时，从所述水分除去单元将所述水分除去剂供给至所述基板的正面，促进所述基板的正面的所述清洗水置换成所述挥发性溶剂。
2.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于，包括：
加热干燥单元，其对被供给了所述挥发性溶剂的基板的正面进行加热，利用加热作用除去在所述基板的正面生成的挥发性溶剂的液珠，对基板的正面进行干燥。
3.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述溶剂供给部具有贮留所述挥发性溶剂的溶剂供给罐，
所述水分除去单元对所述溶剂供给罐内的挥发性溶剂添加水分除去剂。
4.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述溶剂供给部具有贮留所述挥发性溶剂的溶剂供给罐，
所述水分除去单元对加压输送所述溶剂供给罐内的挥发性溶剂的溶剂供给管路内的挥发性溶剂添加水分除去剂。
5.如权利要求1所述的基板处理装置，其特征在于：
所述溶剂供给部具有贮留所述挥发性溶剂的溶剂供给罐，
所述水分除去单元将水分除去剂供给至所述基板的正面，而不使水分除去剂通过与所述溶剂供给罐连通的溶剂供给管路。
6.一种基板处理方法，其特征在于，包括：
对基板的形成有图案的正面供给清洗水的工序；和
对被供给了所述清洗水的所述基板的正面供给挥发性溶剂，将所述基板的正面的所述清洗水置换成所述挥发性溶剂的工序，
在对所述基板的正面供给所述挥发性溶剂时，利用水分除去单元对存在所述清洗水的所述基板的正面供给作为与所述清洗水反应而发生水解的物质的水分除去剂，促进所述基板的正面的所述清洗水置换成所述挥发性溶剂。
7.如权利要求6所述的基板处理方法，其特征在于，包括：
对被供给了所述挥发性溶剂的基板的正面进行加热，利用加热作用除去在所述基板的正面生成的挥发性溶剂的液珠，对所述基板的正面进行干燥的工序。
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