KR20140037770A - 액자 발생 억제 장치 및 도포 장치 및 도포 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 기판상에 형성하는 도포막의 액자(커피 스테인) 현상을 간편하고 효율적으로 억제하여, 도포막의 막 두께 균일성을 향상시키는 것을 목적으로 한다.
이 도포 장치는, 장척형의 슬릿 노즐(10), 약액 공급부(12), 주사 기구(14), 스테이지(16), 용제 분위기 생성부(18) 및 제어부(20)를 구비하고 있고, 클린룸 내에 설치되어, 청정한 공기의 다운플로 하에서 가동한다. 용제 분위기 생성부(18)는, 스테이지(16)상의 기판(G) 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하도록 구성되어 있고, 스테이지(16)의 기판(G)을 배치하는 영역의 주위에 설치되는 용제 흡방습부(24)와, 이 용제 흡방습부(24)에 용제 공급 라인(26)을 통해 용제를 공급하기 위한 용제 공급부(28)를 갖고 있다.

Description

액자 발생 억제 장치 및 도포 장치 및 도포 방법{APPARATUS FOR SUPPRESSING FRAME GENERATION, COATING APPARATUS, AND COATING METHOD}
본 발명은, 기판상에 도포막을 형성하는 도포 장치 및 도포 방법 및 기판상에 형성된 도포막의 주연부가 건조 과정에서 높게 융기되는 액자 현상을 억제하는 액자 발생 억제 장치에 관한 것이다.
반도체 디바이스, 플랫 패널 디스플레이, 태양 전지 패널 등의 제조 프로세스에서는, 기판상에 일면의 피막을 형성하는 여러 가지 장면에서 도포법이 이용되고 있다. 일반적으로, 이 종류의 도포법은, 스핀 방식과 스캔 방식과 롤코트법으로 분류된다.
스핀 방식은, 전형적으로는, 스핀 스테이지, 디스펜서 타입의 노즐, 약액 공급원 및 컵 등을 가지며, 컵 내에서 스핀 스테이지상에 배치된 웨이퍼의 중심부에 일정량의 약액을 노즐로부터 적하하고, 스핀 스테이지와 일체로 웨이퍼를 고속 회전시켜, 웨이퍼상에 약액의 도포막을 형성한다. 스캔 방식은, 전형적으로는, 장척형의 슬릿 노즐, 약액 공급원 및 주사 기구 등을 가지며, 슬릿 노즐로부터 약액을 커튼형으로 토출시키면서, 주사 기구에 의해 슬릿 노즐과 기판 사이에 상대적인 주사이동을 행하게 하는 것에 의해, 주위에 약액을 비산시키지 않고 기판상에 약액의 도포막을 형성한다. 롤코트법은, 기판을 롤에 접촉시키면서 이동시키고, 롤로부터 기판에 약액을 이행시켜, 기판상에 도포막을 형성한다.
특허문헌 1 일본 특허 공개 제2007-208140호 특허문헌 2 일본 특허 공개 제2011-23669호
그러나, 상기와 같은 스핀 방식, 스캔 방식 및 롤코트법 중 어느 것을 이용하여도, 층간 절연막이나 패시베이션막과 같이 수십 ㎛∼백 ㎛ 또는 그 이상의 두꺼운 막 두께로 약액을 기판상에 도포하고 건조 후의 도포막을 기능성 막으로 하는 성막 처리에서는, 도포시에 도포막의 막 두께를 평탄하게 제어하여도, 건조 후의 도포막, 즉 기능성 막의 막 두께가 균일하게 되지 않고, 주연부(외주부)가 중심부에 비해 두꺼워지는 것이 과제로 되어 있다. 이것은, 기판상에 도포된 약액의 용제가 증발할 때에, 도포막의 중심부보다 외기에 접하는 표면적이 큰 주연부가 용제의 증발 속도가 높고, 그것에 의해 액상의 도포막내에서 중심부로부터 주연부를 향하는 액의 흐름이 발생하여 주연부의 용질 농도가 높아져, 결과적(건조 후)으로 중심부보다 주연부에서 고형분의 양이 많아져 두꺼워지기 때문이며, 소위 액자 현상(또는 커피 스테인 현상 또는 크라운 현상)으로 불리고 있다. 이러한 액자 현상이 발생하면, 도포막의 주연부를 기능성 막으로서 사용할 수 없게 되기 때문에, 도포막의 유효 면적이 좁아지고, 더 나아가서는 기판상의 제품 영역이 좁아진다.
상기와 같은 액자 현상을 보상하기 위해, 미리 액자 현상을 예상하여 기판상에서 중심부보다 주연부가 상대적으로 얇아지도록 약액을 도포하는 방법도 생각되지만, 이 방법은 실현 곤란하고 실용성이 없다. 또한, 액자 현상을 억제하도록 약액의 물성(점도, 표면 장력 등)을 개선하는 것도 생각되지만, 이 방법은 약액(기능성 용액)에 원래의 기능으로부터 떨어진 과대한 부담을 가하여, 역시 실현 곤란하다.
본 발명은, 상기와 같은 종래 기술의 문제점을 해결하는 것이며, 기판상에 형성하는 도포막의 주연부에 건조 과정에서 액자가 발생하는 것을 간편하고 효율적으로 억제하여, 도포막의 막 두께 균일성을 향상시키는 액자 발생 억제 장치, 도포 장치 및 도포 방법을 제공한다.
본 발명의 액자 발생 억제 장치는, 기판상에 형성된 약액의 도포막에 대하여, 그 주연부가 건조 과정에서 높게 융기되는 액자 현상을 억제하기 위한 처리를 실시하는 액자 발생 억제 장치로서, 상기 기판을 지지하는 지지부와, 상기 지지부에 지지되는 상기 기판의 외주를 둘러싸도록 설치되고, 상기 기판상에서 상기 도포막이 건조할 때에, 상기 기판의 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하는 용제 분위기 생성부를 갖는다.
본 발명의 도포 장치는, 기판상에 약액을 도포하여 도포막을 형성하는 도포부와, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 지지하는 지지부와, 상기 지지부에 지지되는 상기 기판의 외주를 둘러싸도록 설치되고, 상기 기판상에서 상기 도포막이 건조할 때에, 상기 기판의 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하는 용제 분위기 생성부를 갖는다.
본 발명의 도포 방법은, 기판상에 약액을 도포하여 도포막을 형성하는 도포 공정과, 상기 도포막이 형성된 상기 기판을 지지부에 의해 지지하고, 상기 지지부에 의해 지지되어 있는 상기 기판상에서 상기 도포막이 건조할 때에, 상기 기판의 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하는 건조 공정을 갖는다.
본 발명에서는, 도포 처리에 의해 기판상에 형성된 도포막의 각 부로부터 용제가 증발할 때에, 도포막의 주연부는 그 주위에 자욱한 용제의 증기에 노출되어, 도포막의 주연부로부터 용제가 증발하는 속도가 국소적으로 억제된다. 이것에 의해, 액상 상태의 도포막내에서 중심부로부터 주연부에의 액의 흐름이 억제되고, 더 나아가서는 액자 현상이 억제된다. 그 결과, 건조한 후의 도포막에서는, 주연부가 융기되지 않아, 막 두께의 균일성이 개선된다.
본 발명의 액자 발생 억제 장치, 도포 장치 또는 도포 방법에 의하면, 상기와 같은 구성 및 작용에 의해, 기판상에 형성된 도포막의 주연부에 건조 과정에서 액자가 발생하는 것을 간편하고 효율적으로 억제하여, 도포막의 막 두께 균일성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 일 실시형태에서의 도포 장치의 전체 구성을 도시하는 블록도.
도 2는 상기 도포 장치에서의 주사 기구의 구체적인 구성예와 도포 처리시의 상황을 도시하는 사시도.
도 3은 일 실시예에서의 용제 분위기 생성부의 구성을 도시하는 도면.
도 4a는 용제 분위기 생성부의 작용을 설명하기 위한 부분 확대 단면도.
도 4b는 용제 분위기 생성부의 효과를 설명하기 위한 부분 확대 단면도.
도 5a는 본 발명의 작용 효과에 유사한 현상을 설명하기 위한 실험에 이용한 도포막의 패턴을 도시하는 평면도.
도 5b는 상기 실험에 의해 관찰되는 건조한 도포막의 외측 주연부 부근의 막 두께 프로파일을 도시하는 부분 단면도.
도 5c는 상기 실험에 의해 관찰되는 건조한 도포막의 내측 주연부 부근의 막 두께 프로파일을 도시하는 부분 단면도.
도 6a는 용제 분위기 생성부에서 용제 흡방습부의 높이 위치를 가변시키기 위한 승강 기구를 구비하는 일 구성예를 도시하는 일부 단면 측면도.
도 6b는 도 6a의 주요부를 확대하여 도시하는 부분 확대 단면도.
도 7a는 용제 흡방습부 형상의 일 변형예를 도시하는 부분 확대 단면도.
도 7b는 용제 흡방습부 형상의 다른 변형예를 도시하는 부분 확대 단면도.
도 8은 용제 흡방습부를 주회 방향에서 복수의 구간으로 분할하는 일 구성예를 도시하는 평면도.
도 9a는 용제 분위기 생성부에서 용제 흡방습부에 용제를 공급하기 위해 용제 공급 노즐을 이용하는 일 구성예를 도시하는 평면도.
도 9b는 상기 용제 공급 노즐의 작용을 도시하는 측면도.
도 10a는 일 실시형태에서의 액자 발생 억제 장치의 구성을 도시하는 사시도.
도 10b는 상기 액자 발생 억제 장치의 작용(반도체 웨이퍼를 배치하고 있는 상태)을 도시하는 사시도.
도 11a는 다른 실시형태에서의 액자 발생 억제 장치의 구성을 도시하는 사시도.
도 11b는 상기 액자 발생 억제 장치의 작용(반도체 웨이퍼를 배치하고 있는 상태)을 도시하는 사시도.
도 12는 일 실시형태에서의 감압 건조 장치의 주요부의 구성을 도시하는 사시도.
도 13은 일 실시형태에서의 반송 장치의 구성을 도시하는 사시도.
도 1에, 본 발명의 일 실시형태에서의 도포 장치의 전체 구성을 도시한다. 이 도포 장치는, 스캔 방식에 의해, 예컨대 직사각형의 기판(G)상에 약액을 도포하여, 일면의 피막, 즉 도포막을 형성하는 도포 장치로서 구성되어 있다. 이 도포 장치에서 사용되는 약액은, 특별히 한정되지 않지만, 바람직하게는 수십 ㎛∼백 ㎛ 또는 그 이상의 막 두께를 요구할 수 있는 기능성 용액, 예컨대 층간 절연막용의 재료 용액, 패시베이션막용의 재료 용액, 고점도의 수지계 용액, 접착제 등이다. 이 도포 장치에서 도포 처리를 받을 수 있는 기판(G)도, 특별히 한정되지 않고, 예컨대 FPD용의 각종 기판, 태양 전지 패널용의 각종 기판, 포토마스크, 프린트 기판 등이다.
이 도포 장치는, 도 1에 도시하는 바와 같이, 장척형의 슬릿 노즐(10), 약액 공급부(12), 주사 기구(14), 스테이지(16), 용제 분위기 생성부(18) 및 제어부(20)를 구비하고 있고, 클린룸 내에 설치되어, 청정한 공기의 다운플로 하에서 가동한다. 제어부(20)는, CPU, 메모리 및 각종 인터페이스를 갖고 있고, 장치 내의 각 부, 특히 약액 공급부(12), 주사 기구(14) 및 용제 분위기 생성부(18)의 개개의 동작 및 장치 전체의 동작(시퀀스)을 제어한다.
슬릿 노즐(10)은, 슬릿형의 토출구(10a)를 가지며, 이 토출구(10a)로부터 약액을 커튼형으로 토출하도록 되어 있다. 약액 공급부(12)는, 약액 공급 라인(22)을 통해 슬릿 노즐(10)에 약액을 공급한다. 주사 기구(14)는, 슬릿 노즐(10)과 기판(G) 또는 스테이지(16) 사이에서 도포 주사를 위한 상대적인 이동을 행한다. 용제 분위기 생성부(18)는, 스테이지(16)상의 기판(G) 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하도록 구성되어 있고, 스테이지(16)의 기판(G)을 배치하는 영역 주위에 설치되는 용제 흡방습부(24)와, 이 용제 흡방습부(24)에 용제 공급 라인(26)을 통해 용제를 공급하기 위한 용제 공급부(28)를 갖고 있다.
도 2에, 주사 기구(14)의 구체적인 구성예와 도포 처리시의 상황을 도시한다. 주사 기구(14)는, 도포 주사를 위해 슬릿 노즐(10)을 스테이지(16)의 위쪽에서 노즐 길이 방향(Y 방향)과 직교하는 수평 방향(X 방향)으로 이동시키는 갠트리형의 주사부(30)를 갖고 있다. 스테이지(16)에는, 복수의 리프트핀을 승강 이동시켜 기판(G)의 로딩/언로딩을 행하는 리프트핀 기구(도시 생략) 등도 구비되어 있다.
주사부(30)는, 슬릿 노즐(10)을 수평으로 지지하는 도어형의 지지체(32)와, 이 지지체(32)를 X 방향에서 쌍방향으로 직진 이동시키는 주사 구동부(34)를 갖고 있다. 이 주사 구동부(34)는, 예컨대 가이드를 갖는 리니어 모터 기구 또는 볼나사 기구로 구성되어 있어도 좋다. 지지체(32)와 슬릿 노즐(10)을 접속하는 조인트부(35)에는, 슬릿 노즐(10)의 높이 위치를 변경 또는 조절하기 위한 가이드를 갖는 승강 기구(도시 생략)가 설치되어 있다. 슬릿 노즐(10)의 높이 위치를 조절함으로써, 슬릿 노즐(10)의 하단면 또는 토출구(10a)와 스테이지(16)상의 기판(G)의 표면 사이의 거리 간격 또는 갭 간격을 임의로 설정 또는 조정할 수 있다.
도포 처리중에는, 제어부(20)의 제어 하에서 약액 공급부(12) 및 주사 기구(14)의 연계에 의한 도포 주사가 행해진다. 즉, 도 2에 도시하는 바와 같이, 기판(G)을 배치하고 있는 스테이지(16) 위에서, 슬릿 노즐(10)이 그 토출구(10a)로부터 약액을 커튼형으로 토출하면서 주사 방향(X 방향)으로 일정 속도로 이동함으로써, 기판(G)상에 융단이 깔리듯이 약액의 도포막(RM)이 일면에 형성된다. 그 때, 기판(G)상에 약액이 도포된 직후부터 약액에 포함되는 용제의 증발, 즉 도포막(RM)의 건조가 시작된다. 이 도포 장치에서는, 도포 주사의 시작 전, 시작 후 또는 종료 직후에, 제어부(20)의 제어 하에서 용제 분위기 생성부(18)가 작동하여, 스테이지(16)상의 기판(G) 주위에서 용제 증기의 분위기가 생성되도록 되어 있다.
도 3에, 일 실시예에서의 용제 분위기 생성부(18)의 구성을 도시한다. 용제 흡방습부(24)는, 흡습성과 방습성을 갖는 임의의 재질(바람직하게는 다공질체)로 이루어지고, 그 상면의 전부(또는 일부)를 노출시켜 기판(G)을 둘러싸듯이 스테이지(16)에 설치되어 있다. 용제 공급부(28)는, 용제를 저류하는 용제 용기(36)와 용제 흡방습부(24)를 연결하는 용제 공급 라인(26)상에, 송액용 펌프(38), 레귤레이터(40), 개폐 밸브(42), 1차 매니폴드(MH1)(44) 및 2차 매니폴드(MH2)(46)를 설치하고 있다.
용제 용기(36)는, 밀폐 상태로 용제를 저류하고, 액면 위의 공간에, 예컨대 N2 가스를 충전하는 것이 바람직하다. 펌프(38) 및 개폐 밸브(42)는, 용제 용기(36)로부터 용제 흡방습부(24)에 용제를 공급할 때에 각각 작동 상태 및 온 상태가 된다. 레귤레이터(40)는, 용제 공급 라인(26)상에서 용제의 공급 유량 또는 압력을 제어하기 위해 이용된다. 펌프(38)에 의해 용제 용기(36)로부터 퍼내어진 용제는, 레귤레이터(40) 및 온 상태의 개폐 밸브(42)를 통해 1차 매니폴드(MH1)(44)에 보내진다. 1차 매니폴드(MH1)(44)는, 펌프(38)로부터 수취한 용제를, 주회 방향에서 일렬로 나열한 용제 흡방습부(24)의 하면에 결합 또는 근접해 있는 복수의 2차 매니폴드(MH2)(46)에 분배한다. 각각의 2차 매니폴드(MH2)(46)는, 용제 흡방습부(24)와 대향하는 면(상면)에 일정 간격으로 다수의 용제 출구(도시 생략)를 갖고 있고, 1차 매니폴드(MH1)(44)로부터 수취한 용제의 압력을 주회 방향에서 고르게 하여, 이들 다수의 용제 출구로부터 용제를 용제 흡방습부(24)에 보내도록 되어 있다.
용제 흡방습부(24)는, 2차 매니폴드(MH2)(46)로부터 보내진 용제를 흡수하여 일시적으로 유지하고, 그 노출된 상면으로부터 용제를 대기중에 증발(휘발)시킨다. 이렇게 하여, 용제 흡방습부(24)의 바로 위, 즉 기판(G) 주위에 용제 증기의 분위기가 형성된다.
따라서, 도 4a에 도시하는 바와 같이, 도포 처리에 의해 기판(G)상에 형성된 도포막(RM)의 각 부로부터 용제가 증발할 때에, 도포막(RM)의 주연부는 그 주위[그것과 인접하는 용제 흡방습부(24)의 바로 위 및 그 부근]에서 자욱한 용제의 증기에 노출되어, 도포막(RM)의 주연부로부터 용제가 증발하는 속도가 국소적으로 억제된다. 이것에 의해, 액상 상태의 도포막(RM)내에서 중심부로부터 주연부에의 액의 흐름이 발생하기 어려워져, 중심부보다 주연부에서 용질의 농도가 높아지는 경우나 고형 분량이 많아지는 경우도 없어지고, 또는 그 정도가 대폭 저감된다. 즉, 도포막(RM)의 액자(커피 스테인) 현상이 억제된다. 그 결과, 건조한 후의 도포막(RM)에서는, 도 4b에 도시하는 바와 같이, 주연부가 융기되지 않아, 막 두께의 균일성이 개선된다.
또한, 상기한 바와 같이 용제 분위기 생성부(18)를 이용하여 도포막(RM)을 건조시키는 공정은, 도포 약액에 함유되는 용제의 일정한 비율(예컨대 15%∼30%)이 증발한 단계까지 충분하다. 통상은, 상기와 같은 액자 발생 억제 처리 후에, 프리베이킹 장치(도시 생략)에서 기판(G)에 100℃∼180℃의 가열 온도에서 프리베이킹 처리가 실시되어, 도포막(RM)에 잔존하고 있던 용매의 대부분이 제거된다. 그리고, 마지막에 소성 장치의 가열로 안에서 기판(G)이 고온(예컨대 300℃∼400℃)으로 가열되는 것에 의해, 도포막(RM)이 베이킹되어 기능성 막으로 마무리된다.
이 때, 프리베이킹 장치에 반입된 기판(G)상의 도포막(RM)은, 이전 공정의 액자 발생 억제 처리에 의해, 그 주연부 부근이 생건조 또는 반건조 상태로 되어 있기 때문에, 프리베이킹 처리중에 도포막(RM)내에서 중심부로부터 주연부에 액의 흐름이 발생하지 않고, 따라서 액자 현상이 발생하지 않아, 도포막(RM)의 평탄성이 유지된다. 마찬가지로, 소성 장치에 의해 기판(G)상의 도포막(RM)이 베이킹될 때도, 액자 현상이 발생하지 않아, 도포막(RM) 또는 기능성 막의 평탄성이 유지된다.
그런데, 본 발명의 상기와 같은 작용 효과에 유사한 현상을, 신변에서도 간단한 실험에 의해 확인할 수 있다. 예컨대 도 5a에 도시하는 바와 같이, 평탄한 판 또는 대 위에 용액을 늘어 뜨려, "C"형상의 도포막(RM2) 안에 "●"형상의 도포막(RM1)이 대략 절반 들어가도록 양 도포막(RM1, RM2)을 대략 동시에 형성하고, 그대로 대기중에 방치하여 자연 건조시킨다. 그러면, 도 5b(도 5a의 I-I선 단면도)에 도시하는 바와 같이, 도포막(RM1)의 도포막(RM2)에 인접하지 않는 외측의 주연부(a)에서는, 액자 현상이 현저히 발현되어, 막 두께가 크게 융기된다. 한편, 도 5c(도 5a의 II-II선 단면도)에 도시하는 바와 같이, 도포막(RM1) 및 도포막(RM2)의 서로 인접하는 내측의 주연부(b, c)에서는, 액자 현상이 발현하는 정도가 약하여, 막 두께의 융기가 작다. 또한, 도포막(RM2)의 도포막(RM1)에 인접하지 않는 외측의 주연부(d)에서는, 역시 액자 현상이 현저히 발현되어, 막 두께가 크게 융기된다.
이 실시형태에서는, 상기한 예에서 도포막(RM1)의 내측 주연부(b)가 그것과 근접하는 도포막(RM2)의 내측 주연부(c)로부터 자욱한 용제 증기의 영향을 받는 것과 마찬가지로, 도포막(RM)의 주연부가 그것과 근접하는 용제 흡방습부(24)로부터 자욱한 용제 증기의 영향을 받아, 액자 현상의 발현이 억제된다. 또한 이 실시형태의 용제 분위기 생성부(18)에서는, 용제 흡방습부(24)에 공급하는 용매의 유량을 조절함으로써, 용제 흡방습부(24)에서의 용제 증기의 생성률을 임의로 제어할 수 있어, 도포막(RM)의 주연부에 대한 용제 흡방습부(24)의 작용 효과, 즉 증발 억제 효과를 임의로 강화할 수 있다. 이것에 의해, 액자 현상의 발현을 효과적이고 완전하게 억제할 수 있다.
용제 분위기 생성부(18)의 바람직한 일 변형예로서, 도 6a에 도시하는 바와 같이, 스테이지(16)상에서 용제 흡방습부(24)의 높이 위치를 전환 또는 조정할 수 있게 구성할 수도 있다. 도시한 구성예에서는, 예컨대 실린더 등을 갖는 승강 구동부(50)의 승강 구동축(52)을 중공으로 하여 이것을 용제 흡방습부(24) 또는 2차 매니폴드(MH2)(46)에 물리적으로 결합하고, 1차 매니폴드(MH1)(44)와 2차 매니폴드(MH2)(46)를 연결하는 용제 공급 라인(26)을 승강 구동축(52) 안에 통하게 하고 있다. 이러한 승강 기구를 구비하는 것에 의해, 도 6b에 확대하여 도시하는 바와 같이, 용제 흡방습부(24)의 상면을 기판(G)상의 도포막(RM)의 상면에 맞출 수도 있고, 또는 용제 흡방습부(24)의 상면을 기판(G)상의 도포막(RM)의 상면보다 임의로 높일 수도 있다(또는 임의로 낮출 수도 있다). 또한, 건조의 진행에 수반하여 도포막(RM)의 막 두께가 점차 감소하는 데 맞춰, 용제 흡방습부(24)의 높이 위치를 서서히 내릴 수도 있다.
용제 흡방습부(24)의 형상, 특히 그 상면의 형상은 평탄면에 한정되지 않고, 예컨대 도 7a 및 도 7b에 도시하는 바와 같은 경사면이나, 도시하지 않지만 만곡 형상(예컨대 볼록면 형상 등)으로 설계할 수도 있다. 또한, 이 실시형태에서는, 용제 흡방습부(24)의 하면에 결합되어 있는 2차 매니폴드(MH2)(46)가 기판(G)상의 도포막(RM)에 대하여 측벽을 형성하고 있다. 이러한 측벽이 기판(G) 주위에 존재함으로써, 도포막(RM) 내지 기판(G)의 단부(端部)와 용제 흡방습부(24) 사이의 간극에 다운플로의 공기류가 들어오지 않는다. 이것에 의해, 도포막(RM)의 주연부가 분위기적으로 용제 흡방습부(24)와 연결되는 효과, 즉 용제의 증발에 관해서는 외관상 주연부가 아니라 중심부에 들어가는 효과가 안정적으로 확실하게 보증된다.
또한, 도 8에 도시하는 바와 같이, 주회 방향에서 용제 흡방습부(24)를 복수의 구간 24A, (24BL, 24BR), (24CL, 24CR), …(24EL, 24ER), 24F로 분할하여, 각 구간에의 용제의 공급을 독립적으로 제어할 수도 있다. 이 경우는, 용제 흡방습부(24)의 분할에 대응시켜, 2차 매니폴드(MH2)(46)에서도 주회 방향에서 복수의 구간 46A, (46BL, 46BR),(46CL, 46CR), …(46EL, 46ER), 46F로 분할하여, 1차 매니폴드(MH1)(44)와 2차 매니폴드(MH2)(46)를 연결하는 각 분기관에 개폐 밸브(54)를 설치하는 것이 바람직하다. 이와 같이 용제 흡방습부(24)를 복수의 구간으로 분할하는 구성에 의하면, 예컨대 도포 처리중에 기판(G)상에 형성되는 도포막(RM)의 진전에 따라 도포 주사의 상류측으로부터 순서대로 각 구간에서의 용제 증발 분위기의 생성을 시작할 수 있다. 예컨대 약액에 사용되는 용제의 휘발성이 매우 높은 경우에, 이 방식은 적합하게 사용할 수 있다.
또한, 예컨대 기판상의 직사각형의 영역에 약액을 도포하는 경우는, 도포한 영역의 코너부에서는, 이 도포 영역의 다른 주연부와 비교하여 용제의 휘발 속도가 상이한 경우가 있다. 그 경우는, 휘발 속도의 차에 따라 코너부와 다른 주연부에서 공급하는 용제의 양을 상이하게 할 수도 있다.
전술한 용제 흡방습부(24)의 용제 공급부(28)에서는, 펌프(38)에 의해 용제 용기(36)로부터 퍼올리는 용제를, 스테이지(16) 주위에 설치된 1차 매니폴드(MH1)(44) 및 2차 매니폴드(MH2)(46)를 통해 스테이지(16)의 용제 흡방습부(24)에 공급하도록 되어 있다. 용제 공급부(28)의 다른 실시예로서, 도 9a 및 도 9b에 도시하는 바와 같이, 펌프(38)에 의해 용제 용기(36)로부터 퍼올리는 용제를 주사 기구(14)의 가동 지지체(32)(도 2)에 부착되는 하나 또는 복수의 용제 공급 노즐, 예컨대 제1 용제 공급 노즐(56)과 제2 용제 공급 노즐(58)을 통해 위쪽으로부터 용제 흡방습부(24)에 공급하는 방식도 가능하다.
도 9a 및 도 9b의 구성예에서, 제1 용제 공급 노즐(56)은, 예컨대 장척형 또는 파이프형의 노즐을 포함하고, 슬릿 노즐(10)과 나란히 주사 방향의 옆에 설치되어, 도포 주사의 시작 직전 및 종료 직후에 용제 흡방습부(24)의 전단 구간(24F) 및 후단 구간(24B)을 향해 용제를 띠형으로 토출(공급)한다. 한편, 제2 용제 공급노즐(58)은, 예컨대 건형 노즐을 포함하고, 슬릿 노즐(10)의 좌우 양측에 설치되어, 도포 주사중에 용제 흡방습부(24)의 좌우 양측 구간(24L, 24R)을 향해 용제를 실형으로 토출(공급)한다.
용제 공급부(28)는, 펌프(38) 또는 레귤레이터(40)로부터 노즐(56, 58)에 이르는 용제 공급 라인(26A, 26B) 도중에 각각 개폐 밸브(42A, 42B)를 설치하고 있다. 제1 용제 공급 노즐(56)로부터 용제 흡방습부(24)의 전단 구간(24F) 또는 후단 구간(24B)에 용제를 공급할 때는 개폐 밸브(42A)가 온이 되고, 제2 용제 공급 노즐(58)로부터 용제 흡방습부(24)의 좌우 양측 구간(24L, 24R)에 용제를 공급할 때는 개폐 밸브(42B)가 온이 된다.
이 구성예에서는, 스테이지(16) 주위에 1차 매니폴드(MH1)(44)나 2차 매니폴드(MH2)(46)를 부착할 필요가 없어진다. 또한, 도포 처리중에 기판(G)상에 형성되는 도포막(RM)의 진전에 따라, 도포 주사의 상류측으로부터 순서대로 각 구간에서의 용제 증발 분위기의 생성을 시작할 수 있다.
[다른 실시형태 또는 변형예]
전술한 실시형태에서는, 도포 장치에 도포 처리부[슬릿 노즐(10), 약액 공급부(12), 주사 기구(14) 등]와 함께 용제 분위기 생성부(18)를 탑재하고 있다. 그러나, 도포 처리부를 구비하지 않고, 용제 분위기 생성부(18)를 탑재하여 액자 발생을 억제하는 기능에 특화된 유닛, 즉 액자 발생 억제 장치도, 본 발명의 일 양태로서 가능하다.
도 10a 및 도 10b에, 일 실시형태에서의 액자 발생 억제 장치의 주요부의 구성을 도시한다. 이 액자 발생 억제 장치는, 드럼 형상의 스테이지(60)를 사용하고, 스테이지(60)의 상면에서 원형의 기판, 예컨대 반도체 웨이퍼(W)를 배치하는 영역 주위에 용제 흡방습부(24)를 원환형으로 설치하고 있다. 이 용제 흡방습부(24)는, 용제 공급 라인(26)을 통해 용제 공급부(28)에 접속되어 있다. 스테이지(60)의 상면에는, 리프트핀 기구의 리프트핀(도시 생략)이 출몰하는 복수개의 구멍(62)이 형성되어 있다(도 10a).
반도체 웨이퍼(W)는, 이 도포막 평탄화 장치 근처에서, 예컨대 스핀 방식의 도포 장치(도시 생략)에 의해 약액을 일면에 도포하면, 즉시 외부 반송 로봇(도시 생략) 및 리프트핀 기구에 의해 스테이지(60)의 상면에 배치된다(도 10b). 그리고, 상기 실시형태와 마찬가지로, 제어부(20)의 제어 하에서 용제 분위기 생성부(18)가 작동한다. 이것에 의해, 반도체 웨이퍼(W)상의 도포막(RM)의 각 부로부터 용제가 증발할 때에, 도포막(RM)의 주연부가 그것과 인접하는 용제 흡방습부(24)의 바로 위 및 그 부근에서 자욱한 용제의 증기에 노출되어, 이것에 의해 도포막(RM)의 주연부에서의 용제의 증발이 국소적으로 억제되고, 더 나아가서는 도포막(RM)의 액자 현상이 억제된다. 그 결과, 건조 후의 반도체 웨이퍼(W)상의 도포막(RM)에서는, 주연부가 융기되지 않아, 막 두께의 균일성이 개선된다.
도 11a 및 도 11b에, 다른 실시형태에서의 액자 발생 억제 장치의 주요부의 구성을 도시한다. 이 액자 발생 억제 장치는, XY 주사 기구(64)에 의해 스테이지(60) 위에서 2차원 방향(X 방향/Y 방향)으로 이동할 수 있는 제3 용제 공급 노즐(66)을 가지며, 펌프(38)에 의해 용제 용기(36)(도 3)로부터 퍼 올리는 용제를 제3 용제 공급 노즐(66)을 통해 위쪽으로부터 스테이지상의 용제 흡방습부(24)에 공급하도록 되어 있다.
XY 주사 기구(64)에서는, X 방향으로 연장되는 한 쌍의 X 가이드 레일(68, 68)이 스테이지(60)의 좌우 양측에 배치되고, 스테이지(60)의 위쪽을 횡단하여 Y 방향으로 연장되는 하나의 Y 가이드 레일(70)이, 예컨대 전기 모터를 갖는 X 방향 구동부(72)에 의해 X 가이드 레일(68, 68)상에서 X 방향으로 이동할 수 있게 되어 있다. 또한 Y 가이드 레일(70)에는 Y 방향으로, 예컨대 자주식 또는 외부 구동식으로 이동할 수 있는 캐리지(반송체)(74)가 탑재되어 있고, 이 캐리지(74)에 제3 용제 공급 노즐(66)이 부착되어 있다. X 방향 구동부(72)에 의한 X 방향의 이동과 캐리지(74)에 의한 Y 방향의 이동의 조합에 의해, 스테이지(60) 위쪽의 XY면상에서 제3 용제 공급 노즐(66)을 임의의 2점간에서, 또는 임의의 직선 또는 곡선 루트로 이동시킬 수 있다.
이 액자 발생 억제 장치에서는, 도 11a에 도시하는 바와 같이, 도포 처리 완료된 반도체 웨이퍼(W)가 스테이지(60)상에 로딩되기 직전에, XY 주사 기구(64) 및 용제 공급부(28)가 연계 동작하여, 제3 용제 공급 노즐(66)이 용제를 바로 아래의 용제 흡방습부(24)를 향해 토출하면서 용제 흡방습부(24) 위를 일주한다. 용제 흡방습부(24)는, 제3 용제 공급 노즐(66)로부터 공급된 용제를 흡수하여 일시적으로 유지하고, 그 노출된 상면으로부터 용제를 대기중에 증발(휘발)시킨다. 이렇게 하여, 용제 흡방습부(24)의 바로 위, 즉 기판(G) 주위에 용제 증기의 분위기가 형성된다.
그리고, 도 11b에 도시하는 바와 같이, 도포 처리를 받은 직후의 반도체 웨이퍼(W)가 스테이지(60)에 로딩되면, 반도체 웨이퍼(W)상의 도포막(RM)의 각 부로부터 용제가 증발하는 한편, 도포막(RM)의 주연부가 그것과 인접하는 용제 흡방습부(24)의 바로 위에서 자욱한 용제의 증기에 노출되어, 이것에 의해 도포막(RM)의 주연부로부터의 용제의 증발이 국소적으로 억제되고, 더 나아가서는 도포막(RM)의 액자 현상이 억제된다. 그 결과, 건조 후의 반도체 웨이퍼(W)상의 도포막(RM)에서는, 주연부가 융기되지 않아, 막 두께의 균일성이 개선된다.
본 발명에 의하면, 기판상에 도포막이 형성된 직후로부터 그 도포막이 절반 건조 또는 대부분 건조할 때까지, 이 기판에 정해진 처리를 실시하는 임의의 처리 장치 또는 이 기판을 반송하는 임의의 반송 장치에 상기와 같은 용제 분위기 생성부(18)를 내장할 수 있다.
예컨대 도 12에 도시하는 바와 같이, 도포 처리 직후에 기판상의 도포막을 감압하에서 건조시키기 위한 감압 건조 장치에 용제 분위기 생성부(18)를 내장할 수 있다. 이 감압 건조 장치는, 상면이 개구되어 있는 트레이 또는 바닥이 얕은 용기형의 하부 챔버(80)와, 이 하부 챔버(80)의 상면에 기밀하게 밀착 또는 끼워 맞출 수 있게 구성된 덮개형의 상부 챔버(도시 생략)를 갖고 있다. 하부 챔버(80)는, 예컨대 사각형으로 만들어지고, 중심부에는 기판(G)을 수평으로 배치하여 지지하기 위한 스테이지(82)가 배치되며, 바닥면의 네 코너에는 배기구(84)가 형성되어 있다. 각 배기구(84)는 배기관(86)을 통해 진공 펌프(도시 생략)에 통해 있다. 하부 챔버(80)에 상부 챔버를 씌운 상태로, 양 챔버 내의 밀폐된 처리 공간을 이 진공 펌프에 의해 정해진 진공도까지 감압할 수 있도록 되어 있다.
이 감압 건조 장치는, 스테이지(82)의 직사각형의 기판(도시 생략)을 배치하는 영역 주위에 사변형의 용제 흡방습부(24)를 설치하고 있다. 이 용제 흡방습부(24)는, 용제 공급 라인(26)을 통해 용제 공급부(28)(도 12에서는 도시 생략)에 접속되어 있다.
이 감압 건조 장치에서는, 도포 장치(도시 생략)에서 도포 처리를 받은 직후의 기판(G)이 스테이지(82)에 로딩되면, 하부 챔버(80)에 상부 챔버가 기밀하게 씌워지고, 진공 펌프에 의해 실내가 정해진 진공도까지 감압된다. 그리고, 이 감압하에서의 건조 처리중에 용제 분위기 생성부(18)도 작동한다. 이것에 의해, 감압 공간 내에서 기판(G)상의 도포막(RM)의 각 부로부터 용제가 증발할 때에, 도포막(RM)의 주연부가 그것과 인접하는 용제 흡방습부(24)의 바로 위 및 그 부근에서 자욱한 용제의 증기에 노출되어, 이것에 의해 도포막(RM)의 주연부로부터의 용제의 증발이 국소적으로 억제되고, 더 나아가서는 도포막(RM)의 액자 현상이 억제된다. 그 결과, 감압 건조 종료 후의 기판(G)상의 도포막(RM)에서는, 주연부가 융기되지 않아, 막 두께의 균일성이 개선된다.
또한, 도 13에 도시하는 바와 같이, 반송 장치에 용제 분위기 생성부(18)를 내장하는 경우도 가능하다. 이 반송 장치는, 도포 처리 직후의 기판(G)을 배치하여 회전자 반송로(90)상을 이동하는 펠릿(92)에 용제 분위기 생성부(18)를 탑재하고 있다. 즉, 펠릿(92)의 기판(G)을 배치하는 영역 주위에 용제 흡방습부(24)를 설치하고 있다. 펠릿(92)의 기판 배치면에는, 기판(G)을 흡착 고정하기 위한 진공 홈(도시 생략)이 형성되어 있다.
이 반송 장치에서, 용제 흡방습부(24)에 용제를 공급하기 위해서는, 도 11a에 도시하는 바와 같은 XY 주사 기구(64) 및 제3 용제 공급 노즐(66)을 적합하게 이용할 수 있다. 따라서, 이 반송 장치에서도, 펠릿(92)이 회전자 반송로(90)상을 이동하는 동안에, 기판(G)상의 도포막(RM)의 각 부로부터 용제가 증발할 때에, 도포막(RM)의 주연부가 그것과 인접하는 용제 흡방습부(24)의 바로 위에서 자욱한 용제의 증기에 노출되어, 이것에 의해 도포막(RM)의 주연부로부터 용제의 증발이 국소적으로 억제되고, 더 나아가서는 도포막(RM)의 액자 현상이 억제된다.
10: 슬릿 노즐, 12: 약액 공급부, 14, 64: 주사 기구, 16, 60: 스테이지, 18: 용제 분위기 생성부, 20: 제어부, 24: 용제 흡방습부, 26: 용제 공급 라인, 28: 용제 공급부, 38: 펌프, 44: 1차 매니폴드, 46: 2차 매니폴드, 50: 승강 구동부, 56, 58: 용제 공급 노즐

Claims (16)

  1. 기판상에 형성된 약액의 도포막에 대하여, 그 주연부가 건조 과정에서 높게 융기되는 액자 현상을 억제하기 위한 처리를 실시하는 액자 발생 억제 장치로서,
    상기 기판을 지지하는 지지부와,
    상기 지지부에 지지되는 상기 기판의 외주를 둘러싸도록 설치되고, 상기 기판상에서 상기 도포막이 건조할 때에, 상기 기판의 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하는 용제 분위기 생성부
    를 포함하는 액자 발생 억제 장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 용제 분위기 생성부는, 상면의 일부 또는 전부가 노출된 상태로 용제를 일시적으로 유지하고 증발시키는 용제 흡방습부와, 상기 용제 흡방습부에 용제를 공급하기 위한 용제 공급부를 포함하는 것인 액자 발생 억제 장치.
  3. 제2항에 있어서, 상기 용제 공급부는, 용제를 저류하는 용제 용기와, 상기 용제 용기와 상기 용제 흡방습부를 연결하는 용제 공급 라인과, 상기 용제 용기로부터 용제를 퍼내어 상기 용제 흡방습부에 보내기 위해 상기 용제 공급 라인에 설치되는 펌프를 포함하는 것인 액자 발생 억제 장치.
  4. 제3항에 있어서, 상기 용제 공급부는, 상기 용제 공급 라인으로부터 상기 용제 흡방습부에 공급되는 용제를 주회 방향에서 균등하게 분배하기 위한 매니폴드를 포함하는 것인 액자 발생 억제 장치.
  5. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용제 흡방습부는, 주회 방향에서 복수의 구간으로 분할되고, 각각의 구간마다 독립적으로 상기 용제 공급부로부터 용제를 공급받는 것인 액자 발생 억제 장치.
  6. 제2항에 있어서, 상기 용제 공급부는, 위쪽으로부터 용제를 토출하여 상기 용제 흡방습부에 공급하기 위한 노즐과, 용제를 저류하는 용제 용기와, 상기 용제 용기와 상기 노즐을 연결하는 용제 공급 라인과, 상기 용제 용기로부터 용제를 퍼내어 상기 노즐에 보내기 위해 상기 용제 공급 라인에 설치되는 펌프와, 상기 용제 흡방습부의 위쪽에서 상기 노즐을 이동시키기 위한 주사 기구를 포함하는 것인 액자 발생 억제 장치.
  7. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용제 흡방습부는, 다공질체를 포함하는 것인 액자 발생 억제 장치.
  8. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 용제 분위기 생성부는, 상기 용제 흡방습부의 높이 위치를 전환 또는 조절하기 위한 승강 기구를 포함하는 것인 액자 발생 억제 장치.
  9. 제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지부는, 상기 기판보다 면적이 큰 스테이지를 포함하고,
    상기 용제 흡방습부는, 상기 스테이지의 상기 기판을 배치하는 영역의 주위에 설치되는 것인 액자 발생 억제 장치.
  10. 제9항에 있어서, 상기 용제 분위기 생성부는, 상기 스테이지상에서 상기 기판과 상기 용제 흡방습부 사이의 간극에 기류가 유입되는 것을 막는 벽부를 포함하는 것인 액자 발생 억제 장치.
  11. 기판상에 약액을 도포하여 도포막을 형성하는 도포부와,
    상기 도포막이 형성된 상기 기판을 지지하는 지지부와,
    상기 지지부에 지지되는 상기 기판의 외주를 둘러싸도록 설치되고, 상기 기판상에서 상기 도포막이 건조할 때에, 상기 기판의 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하는 용제 분위기 생성부
    를 포함하는 도포 장치.
  12. 기판상에 약액을 도포하여 도포막을 형성하는 도포 공정과,
    상기 도포막이 형성된 상기 기판을 지지부에 의해 지지하고, 상기 지지부에 의해 지지되어 있는 상기 기판상에서 상기 도포막이 건조할 때에, 상기 기판의 주위에서 용제 증기의 분위기를 생성하는 건조 공정
    을 포함하는 도포 방법.
  13. 제12항에 있어서, 상기 건조 공정은, 대기중에서 상기 기판을 정지시키고 행해지는 것인 도포 방법.
  14. 제12항에 있어서, 상기 건조 공정은, 대기중에서 상기 기판을 이동시키면서 행해지는 것인 도포 방법.
  15. 제13항 또는 제14항에 있어서, 상기 건조 공정은, 청정 공기의 다운플로 하에서 행해지는 것인 도포 방법.
  16. 제12항에 있어서, 상기 건조 공정은, 감압 공간 중에서 행해지는 것인 도포 방법.
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Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003245582A (ja) * 2002-02-22 2003-09-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成装置と薄膜形成方法、液晶装置の製造装置と液晶装置の製造方法と液晶装置、及び薄膜構造体の製造装置と薄膜構造体の製造方法と薄膜構造体、及び電子機器
JP2004186419A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
JP2007208140A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd 塗布方法及び塗布装置及び塗布処理プログラム
JP2010056375A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR20110023669A (ko) 2009-08-31 2011-03-08 조한결 웹 사이트 회원정보 및 웹에서 회원이 자주 쓰는 단어를 분석하여, 공통점 및 상호협력과 보완을 할 수 있는 회원들 간의 인물정보를 제공하고 서로 연결되는 수단을 제공하는 시스템

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003245582A (ja) * 2002-02-22 2003-09-02 Seiko Epson Corp 薄膜形成装置と薄膜形成方法、液晶装置の製造装置と液晶装置の製造方法と液晶装置、及び薄膜構造体の製造装置と薄膜構造体の製造方法と薄膜構造体、及び電子機器
JP2004186419A (ja) * 2002-12-03 2004-07-02 Tokyo Electron Ltd 減圧乾燥装置、塗布膜形成装置及び減圧乾燥方法
JP2007208140A (ja) 2006-02-03 2007-08-16 Tokyo Electron Ltd 塗布方法及び塗布装置及び塗布処理プログラム
JP2010056375A (ja) * 2008-08-29 2010-03-11 Tokyo Electron Ltd 処理システム
KR20110023669A (ko) 2009-08-31 2011-03-08 조한결 웹 사이트 회원정보 및 웹에서 회원이 자주 쓰는 단어를 분석하여, 공통점 및 상호협력과 보완을 할 수 있는 회원들 간의 인물정보를 제공하고 서로 연결되는 수단을 제공하는 시스템

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