KR20140035228A - 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 (A)광경화성 모노머 및 (B)화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머를 포함하는 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치에 관한 것이다.

Description

광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치{PHOTOCURABLE COMPOSITION, BARRIER LAYER COMPRISING THE SAME AND ENCAPSULATED APPARATUS COMPRISING THE SAME}
본 발명은 광경화 조성물, 이를 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치에 관한 것이다.
유기전계발광부(OLED, organic light emitting diode)는 양극과 음극 사이에 기능성 유기물 층이 삽입된 구조로서, 양극에 주입된 정공과 음극에 주입된 전자의 재결합에 의해 에너지가 높은 여기자(exiton)를 형성하게 된다. 형성된 여기자가 기저 상태(ground state)로 이동하면서 특정 파장의 빛을 발생하게 된다. 유기전계발광부는 자체 발광, 고속 응답, 광 시야각, 초박형, 고화질, 내구성의 장점을 갖고 있다.
그러나, 유기전계발광부는 밀봉하더라도 외부에서 유입되는 수분 또는 산소나, 외부 또는 내부에서 발생되는 아웃가스에 의해 유기 재료 및/또는 전극 재료의 산화가 일어나 성능과 수명이 저하되는 문제점이 있다. 이러한 문제점을 극복하기 위하여, 유기전계발광부가 형성된 기판에 광경화형 실링제를 도포하거나, 투명 또는 불투명 흡습제를 부착시키거나, 프릿(frit)을 형성하는 방법이 제안되고 있다.
관련 선행기술로는 한국공개특허 2005-0021054호(발명의 명칭:유기 전계 발광 소자 및 그 제조 방법) 등이 있다.
본 발명의 목적은 경화 후 투습도 및 아웃가스 발생량이 현저하게 낮고, 경화도가 높고, 경화 후 경화 수축 응력으로 인한 쉬프트(shift)가 발생되지 않는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 장치용 부재의 봉지 시에 장치용 부재의 수명을 연장시킬 수 있는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 또 다른 목적은 상기 광경화 조성물의 경화물을 포함하는 장벽층 및 이를 포함하는 봉지화된 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 일 관점인 광경화 조성물은 (A)광경화성 모노머 및 (B)하기 화학식 1의 모노머를 포함할 수 있다:
<화학식 1>
Figure pat00001
(상기 식에서, Y는 하기 화학식 2 내지 4 중 하나이고,
<화학식 2>
Figure pat00002
<화학식 3>
Figure pat00003
<화학식 4>
Figure pat00004
Z는 하기 화학식 5이다.
<화학식 5>
Figure pat00005
)
본 발명의 다른 관점인 봉지화된 장치는 장치용 부재, 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고,상기 유기 장벽층은 아웃가스 발생량이 2000ppm 이하가 될 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 봉지화된 장치는 장치용 부재, 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고, 상기 유기 장벽층은 두께 방향으로 도막 두께 5㎛에 대하여 37.8℃, 100% 상대 습도, 및 24시간 조건에서 측정된 투습도가 4.0g/m2ㆍ24hr 이하가 될 수 있다.
본 발명은 경화 후 투습도 및 아웃가스 발생량이 현저하게 낮은 층을 구현하여 소자 밀봉 시에 소자의 성능 저하를 막고 수명을 연장시킬 수 있는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하였다. 또한 본 발명은 경화도가 높아 소자 밀봉 시에 쉬프트가 발생되지 않는 층을 구현할 수 있는 광경화 조성물을 제공하였다.
도 1은 본 발명 일 구체예의 봉지화된 장치의 단면도이다.
도 2는 본 발명 다른 구체예의 봉지화된 장치의 단면도이다.
본 명세서에서 '치환된'은 별도의 정의가 없는 한, 본 발명의 작용기 중 하나 이상의 수소 원자가 할로겐(F, Cl, Br 또는 I), 히드록시기, 니트로기, 시아노기, 이미노기(=NH, =NR, R은 탄소수 1-10의 알킬기이다), 아미노기(-NH2, -NH(R'), -N(R")(R"'), R',R",R"'은 각각 독립적으로 탄소수 1-10의 알킬기이다), 아미디노기, 히드라진 또는 히드라존기, 카르복시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-20의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3-30의 시클로알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 3-30의 헤테로아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 2-30의 헤테로시클로알킬기로 치환되는 것을 의미할 수 있다.
본 명세서에서 '헤테로'는 탄소 원자가 N, O, S 및 P로 이루어진 군에서 선택되는 어느 하나의 원자로 치환된 것을 의미한다.
본 명세서에서, '*'은 원소의 연결 부위를 나타낸다.
본 발명의 일 관점인 광경화 조성물은 (A)광경화성 모노머 및 (B)하기 화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머를 포함할 수 있다.
(A) 광경화성 모노머
상기 광경화성 모노머는 헤테로사이클 또는 에폭시기를 포함하지 않는 비 헤테로사이클계 또는 비 에폭시계 모노머를 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 광경화성 모노머는 옥시란(oxirane)기를 포함하지 않는 비-옥시란계, 옥세탄(oxetane)기를 포함하지 않는 비-옥세탄계, 또는 에폭시시클로알킬기를 포함하지 않는 비-에폭시시클로알킬계 모노머가 될 수 있다.
일 실시예에서, 상기 광경화성 모노머는 하기 화학식 2 내지 4 중 하나를 포함하지 않을 수 있다:
<화학식 2>
Figure pat00006
(상기에서, *는 원소의 연결 부위이고,
X1과 X2는 동일하거나 다르고, O, S, N-R, 또는 치환 또는 비치환된 R'-C-R"(R,R',R"은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
X1과 X2 중 하나 이상은 O, S, 또는 N-R이고,
R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7-30의 아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-20의 알콕실렌기이다)
<화학식 3>
Figure pat00007
(상기에서 *는 원소의 연결 부위이고,
X3,X4,X5는 동일하거나 다르고, O, S, N-R, 치환 또는 비치환된 R'-C-R"(R,R',R"은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
X3,X4,X5 중 하나 이상은 O, S, 또는 N-R이고,
R1은 상기에서 정의한 바와 같고,
R2는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬아민기 또는 디알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7-30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-20의 알콕시기이다)
<화학식 4>
Figure pat00008
(상기에서, *는 원소의 연결 부위이고,
X6은 O, S, N-R(R은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
R1과 R2는 상기에서 정의한 바와 같고,
n은 1-5의 정수이고, m은 0 내지 n+1의 정수이다).
상기 광경화성 모노머는 불포화기를 갖는 단관능 모노머, 다관능 모노머, 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다. 구체예에서, 상기 광경화성 모노머는 광경화성 작용기를 1-30개, 바람직하게는 1-20개, 더 바람직하게는 1-5개 갖는 모노머를 포함할 수 있다. 상기 광경화성 작용기는 치환 또는 비치환된 비닐기, 아크릴레이트기, 또는 메타아크릴레이트기를 포함할 수 있다.
상기 광경화성 모노머는 단관능 모노머와 다관능 모노머의 혼합물을 포함할 수 있다. 상기 혼합물 중 단관능 모노머:다관능 모노머는 1:0.1 내지 1:4의 중량비, 바람직하게는 1:1 내지 1:4, 더 바람직하게는 1:2 내지 1:4의 중량비로 포함될 수 있다.
상기 광경화성 모노머는 치환 또는 비치환된 비닐기를 갖는 탄소수 6-20의 방향족 탄화수소 화합물; 탄소수 1-20의 알킬기, 탄소수 3-20의 시클로알킬기, 탄소수 6-20의 방향족기, 또는 히드록시기 및 탄소수 1-20의 알킬기를 갖는 불포화 카르본산 에스테르; 탄소수 1-20의 아미노 알킬기를 갖는 불포화 카르본산 에스테르; 탄소수 1-20의 포화 또는 불포화 카르본산의 비닐 에스테르; 시안화 비닐 화합물; 불포화 아미드 화합물; 모노 알코올 또는 다가 알코올의 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 등이 될 수 있다. 상기 '다가 알코올'은 수산기를 2개 이상 갖는 알코올로서, 2-20개, 바람직하게는 2-10개, 더 바람직하게는 2-6개 갖는 알코올을 의미할 수 있다.
구체예에서, 상기 광경화성 모노머는 스티렌, α-메틸 스티렌, 비닐 톨루엔, 비닐 벤질 에테르, 비닐 벤질 메틸 에테르 등의 비닐기를 포함하는 알케닐기를 갖는 탄소수 6-20의 방향족 탄화수소 화합물; 메틸 (메타)아크릴레이트, 에틸 (메타)아크릴레이트, 부틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시에틸 (메타)아크릴레이트, 2-히드록시부틸 (메타)아크릴레이트, 헥실 (메타)아크릴레이트, 옥틸 (메타)아크릴레이트, 노닐 (메타)아크릴레이트, 데카닐 (메타)아크릴레이트, 운데카닐 (메타)아크릴레이트, 도데실 (메타)아크릴레이트, 시클로헥실 (메타)아크릴레이트, 벤질 (메타)아크릴레이트, 페닐 (메타)아크릴레이트 등의 (메타)아크릴산 에스테르를 포함하는 불포화 카르본산 에스테르; 2-아미노에틸 (메타)아크릴레이트, 2-디메틸아미노에틸 (메타)아크릴레이트 등의 불포화 카르본산 아미노 알킬 에스테르; 비닐 아세테이트, 비닐 벤조에이트 등의 포화 또는 불포화 카르본산 비닐 에스테르; (메타)아크릴로니트릴 등의 시안화 비닐 화합물; (메타)아크릴아미드 등의 불포화 아미드 화합물; 에틸렌 글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리메틸올프로판 트리(메타)아크릴레이트, 1,4-부탄디올 디(메타)아크릴레이트, 1,6-헥산디올 디(메타)아크릴레이트, 옥틸디올 디(메타)아크릴레이트, 노닐디올 디(메타)아크릴레이트, 데카닐디올 디(메타)아크릴레이트, 운데카닐디올 디(메타)아크릴레이트, 도데실디올 디(메타)아크릴레이트, 네오펜틸글리콜 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 디(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 트리(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 테트라(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 펜타(메타)아크릴레이트, 디펜타에리트리톨 헥사(메타)아크릴레이트, 비스페놀 A 디(메타)아크릴레이트, 노볼락에폭시 (메타)아크릴레이트, 디에틸렌글리콜 디(메타)아크릴레이트, 트리(프로필렌글리콜) 디(메타)아크릴레이트, 폴리(프로필렌글리콜) 디(메타)아크릴레이트 등을 포함하는 모노 알코올 또는 다가 알코올의 단관능 또는 다관능 (메타)아크릴레이트 등이 될 수 있고, 이에 한정되는 것은 아니다. 상기 '다가 알코올'은 수산기를 2개 이상 갖는 알코올로서, 2-20개, 바람직하게는 2-10개, 더 바람직하게는 2-6개 갖는 갖는 알코올을 의미할 수 있다.
바람직하게는, 상기 광경화성 모노머는 탄소수 1-20의 알킬기를 갖는 (메타)아크릴레이트, 탄소수 2-20의 디올의 디(메타)아크릴레이트, 탄소수 3-20의 트리올의 트리(메타)아크릴레이트, 탄소수 4-20의 테트라올의 테트라(메타)아크릴레이트 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 광경화성 모노머는 고형분 기준으로 상기 조성물의 (A) + (B) 100중량부 중 1-99중량부, 바람직하게는 50-90중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 보다 높은 광경화 효과로 낮은 아웃가스 및 투습도를 구현할 수 있다.
(B)화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머
상기 화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머는 광경화성 작용기를 갖는 광경화성 모노머 또는 그의 올리고머일 수 있다. 상기 광경화성 작용기는 치환 또는 비치환된 비닐기, 아크릴레이트기, 또는 메타아크릴레이트기를 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 화학식 1의 모노머는 하기 화학식 1로 표시될 수 있다:
<화학식 1>
Figure pat00009
(상기 식에서, Y는 하기 화학식 2 내지 4 중 하나이고,
<화학식 2>
Figure pat00010
(상기에서, *는 화학식 1의 Z의 -O-의 연결 부위이고,
X1과 X2는 동일하거나 다르고, O, S, N-R, 또는 치환 또는 비치환된 R'-C-R"(R,R',R"은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
X1과 X2 중 하나 이상은 O, S, 또는 N-R이고,
R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7-30의 아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-20의 알콕실렌기이다)
<화학식 3>
Figure pat00011
(상기에서 *는 화학식 1의 Z의 -O-의 연결 부위이고,
X3,X4,X5는 동일하거나 다르고, O, S, N-R, 치환 또는 비치환된 R'-C-R"(R,R',R"은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
X3,X4,X5 중 하나 이상은 O, S, 또는 N-R이고,
R1은 상기에서 정의한 바와 같고,
R2는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬아민기 또는 디알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7-30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-20의 알콕시기이다)
<화학식 4>
Figure pat00012
(상기에서, *는 화학식 1의 Z의 -O-의 연결 부위이고,
X6은 O, S, N-R(R은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
R1과 R2는 상기에서 정의한 바와 같고,
n은 1-5의 정수이고, m은 0 내지 n+1의 정수이다)
Z는 하기 화학식 5이다.
<화학식 5>
Figure pat00013
(상기에서, *는 R1의 탄소의 연결 부위이고,
R3은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬기이다)
바람직하게는, X1은 O이고, X2는 -CH2-이다.
바람직하게는, X4는 O이고, X3과 X5는 -CH2-이다.
바람직하게는 R1은 탄소수 1-10의 알킬렌기, 더 바람직하게는 탄소수 1-6의 알킬렌기이다.
바람직하게는, R2는 수소, 또는 탄소수 1-10, 탄소수 1-6의 알킬기이다.
바람직하게는, n은 1-2의 정수이다.
구체예에서, 상기 화학식 1의 모노머는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세탄일) 메틸 (메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 (메타)아크릴레이트 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머는 상기 광경화성 모노머와 함께 광경화 조성물에 포함되어, 경화 후 투습도와 아웃가스 발생량이 현저하게 낮은 층을 구현할 수 있고, 경화도를 높일 수 있다. 또한, 상기 화학식 1의 모노머는 유기 장벽층에 포함시 무기 장벽층의 증착시 사용되는 플라즈마로부터 장치용 부재가 받는 손상(damage)를 최소화할 수 있다.
상기 화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머는 고형분 기준으로 상기 조성물의 (A) + (B) 100중량부 중 1-99중량부, 바람직하게는 10-50중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위 내에서, 보다 높은 광경화 효과로 낮은 아웃가스 및 투습도를 구현할 수 있다.
상기 조성물은 개시제를 더 포함할 수 있다.
(C) 개시제
상기 개시제는 광중합 개시제, 광산 발생제(photo acid generator) 중 하나 이상을 포함할 수 있다.
상기 광중합 개시제는 광경화성 반응을 수행할 수 있는 통상의 광중합 개시제를 제한없이 포함할 수 있다. 예를 들면, 광중합 개시제는 트리아진계, 아세토페논계, 벤조페논계, 티오크산톤계, 벤조인계, 인계, 옥심계 또는 이들의 혼합물을 포함할 수 있다.
트리아진계로는 2,4,6-트리클로로-s-트리아진, 2-페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(3',4'-디메톡시 스티릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(4'-메톡시 나프틸)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(p-메톡시 페닐)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(p-톨릴)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-비페닐-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 비스(트리클로로 메틸)-6-스티릴-s-트리아진, 2-(나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2-(4-메톡시 나프토-1-일)-4,6-비스(트리클로로 메틸)-s-트리아진, 2,4-트리클로로 메틸(피페로닐)-6-트리아진, 2,4-(트리클로로 메틸(4'-메톡시 스티릴)-6-트리아진 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
아세토페논계로는, 2,2'-디에톡시 아세토페논, 2,2'-디부톡시 아세토페논, 2-히드록시-2-메틸 프로피오페논, p-t-부틸 트리클로로 아세토페논, p-t-부틸 디클로로 아세토페논, 4-클로로 아세토페논, 2,2'-디클로로-4-페녹시 아세토페논, 2-메틸-1-(4-(메틸티오)페닐)-2-모폴리노 프로판-1-온, 2-벤질-2-디메틸 아미노-1-(4-모폴리노 페닐)-부탄-1-온, 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
벤조페논계로는 벤조페논, 벤조일 안식향산, 벤조일 안식향산 메틸, 4-페닐 벤조페논, 히드록시 벤조페논, 아크릴화 벤조페논, 4,4'-비스(디메틸 아미노)벤조페논, 4,4'-디클로로 벤조페논, 3,3'-디메틸-2-메톡시 벤조페논 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
티오크산톤계로는 티오크산톤, 2-메틸 티오크산톤, 이소프로필 티오크산톤, 2,4-디에틸 티오크산톤, 2,4-디이소프로필 티오크산톤, 2-클로로 티오크산톤 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
벤조인계로는 벤조인, 벤조인 메틸 에테르, 벤조인 에틸 에테르, 벤조인 이소프로필 에테르, 벤조인 이소부틸 에테르, 벤질 디메틸 케탈 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
인계로는 비스벤조일페닐 포스핀옥시드, 벤조일디페닐 포스핀옥시드 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
옥심계로는 2-(o-벤조일옥심)-1-[4-(페닐티오)페닐]-1,2-옥탄디온 및 1-(o-아세틸옥심)-1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9H-카르바졸-3-일]에탄온, 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
상기 광중합 개시제는 조성물 중 고형분 기준으로 (A) + (B) 100중량부에 대하여 0.1-20중량부, 바람직하게는 1-10중량부, 더욱 바람직하게는 2-8중량부, 가장 바람직하게는 2-5중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 노광시 광중합이 충분히 일어날 수 있고, 광중합 후 남은 미반응 개시제로 인하여 투과율이 저하되는 것을 막을 수 있다.
상기 광산 발생제는 광중합 개시제에 의한 라디칼 중합 반응과 동시에 산을 발생시켜 에폭시기를 경화시킴으로써 광경화 효과를 높일 수 있다.
상기 광산 발생제는 통상의 광산 발생제를 제한없이 포함할 수 있다. 예를 들면, 광산 발생제는 카바졸계, 디케톤계, 술포늄계, 요오드늄계, 디아조계, 비이미다졸계 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
상기 광산 발생제는 조성물 중 고형분 기준으로 (A) + (B) 100중량부에 대하여 0.001-10중량부, 바람직하게는 0.01-5중량부, 더욱 바람직하게는 0.1-2중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 노광시 광중합이 충분히 일어날 수 있고, 광중합 후 남은 미반응 광산 발생제로 인하여 투과율이 저하되는 것을 막을 수 있다.
상기 개시제는 조성물 중 고형분 기준으로 (A) + (B) 100중량부에 대해 0.1 내지 20중량부, 바람직하게는 0.5 내지 10중량부로 포함될 수 있다. 상기 범위에서, 노광시 광중합이 충분히 일어날 수 있고, 광중합 후 남은 미반응 광산 발생제로 인하여 투과율이 저하되는 것을 막을 수 있다.
상기 광경화 조성물은 상기 광경화성 모노머, 화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머를 혼합하거나, 개시제를 더 혼합하여 형성할 수 있다. 바람직하게는, 용제를 포함하지 않는 무용제 타입으로 형성할 수 있다.
상기 광경화 조성물은 경화도가 90% 이상, 바람직하게는 90-99%, 더 바람직하게는 92.5-98.5%가 될 수 있다. 상기 범위에서, 경화 후 경화 수축 응력이 낮아 쉬프트가 발생되지 않은 층을 구현함으로써, 소자의 밀봉 용도로 사용할 수 있게 한다.
장치용 부재 특히 디스플레이 장치용 부재는 주변 환경의 기체 또는 액체, 예를 들면 대기 중의 산소 및/또는 수분 및/또는 수증기와 전자제품으로 가공시 사용된 화학물질의 투과에 의해 분해되거나 불량이 될 수 있다. 이를 위해 장치용 부재는 봉지 또는 캡슐화될 필요가 있다.
이러한 장치용 부재는 유기발광소자(OLED), 조명 장치, 플렉시블(flexible) 유기발광소자, 금속 센서 패드, 마이크로디스크 레이저, 전기변색 장치, 광변색장치, 마이크로전자기계 시스템, 태양전지, 집적 회로, 전하 결합 장치, 발광 중합체, 발광 다이오드 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
본 발명의 광경화 조성물은 상기 장치용 부재 특히 유기발광소자 또는 플렉시블(flexible) 유기발광소자의 봉지 또는 캡슐화 용도로 사용되는 유기 장벽층을 형성할 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 장벽층(barrier layer)은 유기 장벽층으로서 도막 두께 5㎛에 대하여 37.8℃, 100% 상대 습도, 및 24시간 조건에서 측정된 투습도(수분투과도)가 4.0g/m2ㆍ24hr 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 장치용 부재의 밀봉용으로 사용될 수 있다. 바람직하게는, 투습도는 1.0-4.0g/m2ㆍ24hr, 더 바람직하게는 1.2-3.6g/m2ㆍ24hr가 될 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 장벽층은 유기 장벽층으로서 아웃가스 발생량이 2000ppm 이하가 될 수 있다. 상기 범위에서, 장치용 부재에 적용 시 영향이 미미하고, 장치용 부재의 수명을 장시간 유지할 수 있는 효과가 있을 수 있다. 바람직하게는 아웃가스 발생량은 10-1000ppm이 될 수 있다.
상기 장벽층은 상기 광경화 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 장벽층은 상기 광경화 조성물을 광 경화시켜 형성할 수 있다. 제한되지 않지만, 광경화 조성물을 0.1㎛-20㎛, 바람직하게는 1㎛-10㎛ 두께로 코팅하고, 10-500mW/cm2에서 1초-50초동안 조사하여 경화시킬 수 있다.
상기 장벽층은 상술한 투습도와 아웃가스발생량을 가져, 하기 무기 장벽층과 함께 장벽 스택을 형성하여 장치용 부재의 봉지 용도로 사용될 수 있다.
본 발명의 또 다른 관점인 장벽 스택(barrier stack)은 상기 유기 장벽층과 무기 장벽층을 포함할 수 있다.
상기 무기 장벽층은 상기 유기 장벽층과 구성 성분이 상이함으로써, 유기 장벽층의 효과를 보완할 수 있다.
상기 무기 장벽층은 광투과성이 우수하고, 수분 및/또는 산소 차단성이 우수한 무기층이라면 특별히 제한되지 않는다.
예를 들면, 상기 무기 장벽층은 금속, 금속간 화합물 또는 합금, 금속 또는 혼합 금속의 산화물, 금속 또는 혼합 금속의 불화물, 금속 또는 혼합 금속의 질화물, 금속 탄화물, 금속 또는 혼합 금속의 산소질화물, 금속 또는 혼합 금속의 붕소화물, 금속 또는 혼합 금속의 산소붕소화물, 금속 또는 혼합 금속의 실리사이드 또는 이들의 혼합물이 될 수 있다.
구체예에서, 상기 금속은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 전이금속, 란탄족 금속, 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
구체적으로, 상기 무기 장벽층은 실리콘 산화물, 실리콘 질화물, 실리콘 산소 질화물, ZnSe, ZnO, Sb2O3, Al2O3, In2O3, SnO2가 될 수 있다.
상기 유기 장벽층은 상술한 투습도와 아웃가스 발생량을 확보할 수 있다. 그 결과, 유기 장벽층은 무기 장벽층과 교대로 증착시, 무기 장벽층의 평활화 특성을 확보할 수 있다. 또한, 유기 장벽층은 무기 장벽층의 결함이 또 다른 무기 장벽층으로 전파되는 것을 막을 수 있다.
상기 유기 장벽층은 상기 광경화 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
장벽 스택은 상기 유기 장벽층과 무기 장벽층을 포함하되, 장벽 스택의 수는 제한되지 않는다. 장벽 스택의 조합은 산소 및/또는 수분 및/또는 수증기 및/또는 화학 물질에 대한 투과 저항성의 수준에 따라 변경할 수 있다.
장벽 스택에서 유기 장벽층과 무기 장벽층은 교대로 증착될 수 있다. 이는 상술한 조성물이 갖는 물성으로 인해 생성된 유기 장벽층에 대한 효과 때문이다. 이로 인해, 유기 장벽층과 무기 장벽층은 장치용 부재의 봉지 효과를 보완 또는 강화할 수 있다.
바람직하게는, 유기 장벽층과 무기 장벽층은 각각 2층 이상 교대로 형성될 수 있고, 전체 10회 이하(예:2-10회), 바람직하게는 7회 이하(예:2-7회)로 형성될 수 있다.
장벽 스택에서, 유기 장벽층 하나의 두께는 0.1㎛-20㎛, 바람직하게는 1㎛-10㎛, 무기 장벽층 하나의 두께는 5nm-500nm, 바람직하게는 5nm-50nm가 될 수 있다.
장벽 스택은 박막 봉지제로서, 두께는 5㎛ 이하, 바람직하게는 1.5㎛-5㎛가 될 수 있다.
무기 장벽층은 진공 공정, 예를 들면 스퍼터링, 화학기상증착, 플라즈마화학기상증착, 증발, 승화, 전자사이클로트론공명-플라즈마증기증착 및 이의 조합으로 형성될 수 있다.
유기 장벽층은 상기 무기 장벽층과 동일한 방법으로 증착하거나, 광경화 조성물의 코팅 및 경화에 의해 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 관점인 봉지화된 장치는 장치용 부재, 및 상기 장치용 부재 위에 형성되고 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함할 수 있다.
구체예에서, 상기 유기 장벽층은 도막 두께 5㎛에 대하여 37.8℃, 100% 상대 습도, 및 24시간 조건에서 측정된 투습도가 4.0g/m2ㆍ24hr 이하가 될 수 있다.
다른 구체예에서, 상기 유기 장벽층은 아웃가스 발생량이 2000ppm 이하가 될 수 있다.
상기 유기 장벽층은 상기 광경화 조성물의 경화물을 포함할 수 있다.
상기 유기 장벽층은 유기전계발광부, 유기태양전지 등을 포함하는 장치용 부재를 보호하는 밀봉층을 의미할 수 있다. 상기 유기 장벽층은 상기 장치용 부재가 수분, 산소 등에 대한 외부 환경에 의해 분해되거나 산화되는 것을 막을 수 있다. 또한, 유기 장벽층은 고습 또는 고온 고습 하에서도 아웃가스 발생량이 현저하게 적어 장치용 부재에 대한 아웃가스 영향을 최소화함으로써 장치용 부재의 성능이 저하되고 수명이 단축되는 것을 막을 수 있다.
상기 유기 장벽층은 무기 장벽층의 상부 또는 하부에 형성될 수 있다.
상기 무기 장벽층은 유기전계발광부, 유기태양전지 등을 포함하는 장치용 부재를 보호하는 밀봉층을 의미할 수 있다. 무기 장벽층은 장치용 부재와 접촉함으로써 소자를 밀봉하거나, 장치용 부재와 접촉없이 장치용 부재가 수용된 내부 공간을 밀봉할 수도 있다. 무기 장벽층은 외부의 산소 또는 수분과 소자의 접촉을 차단함으로써, 장치용 부재가 분해 또는 손상되는 것을 예방할 수 있다.
상기 무기 장벽층은 장치용 부재 상부, 유기 장벽층의 상부, 또는 유기 장벽층의 하부에 형성될 수 있다.
봉지화된 장치는 서로 다른 성질을 갖는 장벽층인 무기 장벽층과 유기 장벽층에 의해 소자가 밀봉되어 있다. 무기 장벽층과 유기장벽층 중 하나 이상은 소자 밀봉을 위하여 기판과 결합되어 있을 수 있다.
상기 무기 장벽층과 유기 장벽층은 상기 장치에 2회 이상 복수 회 포함될 수 있다. 일 구체예에서, 무기 장벽층과 유기 장벽층은 무기 장벽층/유기 장벽층/무기 장벽층/유기 장벽층과 같이 교대로 증착될 수 있다. 바람직하게는, 무기 장벽층과 유기 장벽층은 전체 10회 이하(예:2-10회), 더 바람직하게는 7회 이하(예:2-7회)로 포함될 수 있다.
유기 장벽층과 무기 장벽층에 대한 상세 내용은 상기에서 상술한 바와 같다.
장치용 부재의 종류에 따라 기판이 포함될 수 있다.
상기 기판은 장치용 부재가 적층될 수 있는 기판이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 기판은 투명 유리, 플라스틱 시트, 실리콘 또는 금속 기판 등과 같은 물질로 이루어질 수 있다.
도 1은 본 발명 일 구체예의 봉지화된 장치의 단면도이다.
도 1에 따르면, 봉지화된 장치(100)는 기판(10), 상기 기판(10) 위에 형성된 장치용 부재(20), 장치용 부재(20) 위에 형성되고, 무기 장벽층(31)과 유기 장벽층(32)을 포함하는 장벽 스택(30)으로 구성되어 있고, 무기 장벽층(31)은 장치용 부재(20)와 접촉하는 상태로 되어 있다.
도 2는 본 발명 다른 구체예의 봉지화된 장치의 단면도이다.
도 2에 따르면, 봉지화된 장치(200)는 기판(10), 상기 기판(10) 위에 형성된 장치용 부재(20), 장치용 부재(20) 위에 형성되고, 무기 장벽층(31)과 유기 장벽층(32)을 포함하는 장벽 스택(30)으로 구성되어 있고, 무기 장벽층(31)은 장치용 부재(20)가 수용된 내부 공간(40)을 밀봉할 수 있다.
도 1과 2는 무기 장벽층과 유기 장벽층이 각각 단일층으로 형성된 구조를 도시하였으나, 무기 장벽층과 유기 장벽층은 복수회 형성될 수 있다. 또한, 무기 장벽층과 유기 장벽층으로 구성되는 복합 장벽층 측면 및/또는 상부에는 실란트 및/또는 기판이 더 형성될 수 있다(도 1과 도 2에서는 도시하지 않았음).
봉지화된 장치는 통상의 방법으로 제조될 수 있다. 기판 위에 장치용 부재를 형성하고 무기 장벽층을 형성한다. 광경화 조성물을 스핀 도포, 슬릿 도포 등의 방법을 사용하여 1-5㎛의 두께로 도포하고 광을 조사하여 유기 장벽층을 형성할 수 있다. 무기 장벽층과 유기 장벽층의 형성 과정은 반복될 수 있다(바람직하게는 10회 이하).
구체예에서, 봉지화된 장치는 유기전계발광부를 포함하는 유기전계발광표시장치, 액정표시장치 등을 포함하는 디스플레이 장치, 태양 전지 등이 될 수 있지만, 이에 제한되지 않는다.
이하, 본 발명의 바람직한 실시예를 통해 본 발명의 구성 및 작용을 더욱 상세히 설명하기로 한다. 다만, 이는 본 발명의 바람직한 예시로 제시된 것이며 어떠한 의미로도 이에 의해 본 발명이 제한되는 것으로 해석될 수는 없다.
하기 실시예와 비교예에서 사용한 성분의 구체적인 사양은 다음과 같다.
(A)광경화성 모노머: (A1)헥실 아크릴레이트, (A2)헥산디올 디아크릴레이트, (A3)펜타에리트리톨 테트라아크릴레이트(이상, Aldrich사)
(B)화학식 1의 모노머:(B1)글리시딜 메타아크릴레이트(Aldrich, 화학식 2 포함), (B2) (3-Ethyl-3-oxetanyl)methyl Acrylate OXE-10(Osaka Yuki사, 화학식 3 포함), (B3) 7-Oxabicyclo[4,1,0]hept-3-ylmethyl methacrylate, Cyclomer M100(Daicel사, 화학식 4 포함)
(C)개시제:(C1)광중합 개시제 Darocur TPO(BASF사), (C2)광산 발생제:Irgacure PAG 121(BASF사)
실시예와 비교예
용매 없이 (A)광경화성 모노머, (B)화학식 1의 모노머, (C)개시제를 하기 표 2에 기재된 함량(단위:중량부)으로 125ml 갈색 폴리프로필렌병에 넣고, 쉐이커를 이용하여 3시간 동안 혼합하여 조성물을 제조하였다.
상기 실시예와 비교예에서 제조한 조성물에 대해 하기의 물성을 평가하고 그 결과를 하기 표 1에 나타내었다.
물성 평가 방법
1.투습도: 투습도 측정기(PERMATRAN-W 3/33, MOCON사)를 이용한다. Al 샘플 홀더(sample holder)위에 광경화 조성물을 스프레이로 도포하고 100mW/cm2으로 10초동안 조사하여 UV 경화시켜 도막 두께 5㎛의 경화된 시편을 형성한다. 도막 두께 5㎛에 대해 투습도 측정기(PERMATRAN-W 3/33, MOCON사)를 이용하고, 37.8℃ 및 100% 상대 습도 조건에서 24시간 동안 투습도를 측정한다.
2.유기 장벽층의 아웃가스 발생량:유리 기판 위에 광경화 조성물을 스프레이로 도포하고 100mW/cm2으로 10초동안 조사하여 UV 경화시켜, 20cm x 20cm x 3㎛(가로 x 세로 x 두께)의 유기 장벽층 시편을 얻는다. 시편에 대하여, GC/MS 기기(Perkin Elmer Clarus 600)을 이용한다. GC/MS는 칼럼으로 DB-5MS 칼럼(길이:30m, 지름:0.25mm, 고정상 두께:0.25㎛)을 사용하고, 이동상으로 헬륨 가스(플로우 레이트:1.0mL/min, average velocity = 32 cm/s)를 이용하고, split ratio는 20:1, 온도 조건은 40도에서 3분 유지하고, 그 다음에 10도/분의 속도로 승온한 후 320도에서 6분 유지한다. 아웃 가스는 glass size 20 cm x 20cm, 포집 용기는 Tedlar bag, 포집 온도는 90도, 포집 시간은 30분, N2 퍼지(purge) 유량은 300mL/분, 흡착제는 Tenax GR(5% 페닐메틸폴리실록산)을 이용하여 포집한다. 표준 용액으로 n-헥산 중 톨루엔 용액 150ppm, 400ppm, 800ppm으로 검량선을 작성하고 R2값을 0.9987로 얻는다. 이상의 조건을 요약하면 하기 표 1과 같다.
구분
 세부사항
포집조건





 Glass size : 20cm*20cm
포집 용기 : Tedlar bag
포집 온도 : 90 ℃
포집 시간 : 30 min
N2 purge 유량 : 300 mL/min
흡착제 : Tenax GR(5% phenylmethylpolysiloxane )
검량선 작성 조건


 표준용액 : Toluene in n-Hexane
농도 범위(reference) : 150 ppm, 400 ppm, 800 ppm
R2 : 0.9987
GC/MS 조건



 Column DB-5MS→30m 0.25㎜ 0.25㎛
(5% phenylmethylpolysiloxane)
이동상 He
Flow 1.0 mL/min (Average velocity = 32 ㎝/s)
Split Split ratio = 20:1
method 40 ℃(3 min) -10 ℃/min→ 320 ℃(6 min)
3.경화도:광경화 조성물에 대하여 FT-IR(NICOLET 4700, Thermo사)을 사용하여 1635cm-1 부근(C=C), 1720cm-1 부근(C=O)에서의 흡수 피크의 강도를 측정한다. 유리 기판 위에 광경화 조성물을 스프레이로 도포하고 100mW/cm2으로 10초 동안 조사하여 UV 경화시켜, 20cm x 20cm x 3㎛(가로 x 세로 x 두께)의 시편을 얻는다. 경화된 필름을 분취하고, FT-IR(NICOLET 4700, Thermo사)를 이용하여 1635cm-1 부근(C=C), 1720cm-1 부근(C=O)에서의 흡수 피크의 강도를 측정한다. 경화도는 하기 식 1에 따라 계산한다.
<식 1>
경화도(%)= ｜1-(A/B)｜ x 100
(상기에서, A는 경화된 필름에 대해 1720cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도에 대한 1635cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도의 비이고,
B는 광경화 조성물에 대해 1720cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도에 대한 1635cm-1 부근에서의 흡수 피크의 강도의 비이다).
실시예 비교예
1 2 3 4 5 6 1 2
(A) (A1) 20 20 20 - - - 50 30
(A2) 60 60 60 40 40 40 40 60
(A3) 10 10 10 10 10 10 10 10
(B) (B1) 10 - - 50 - - - -
(B2) - 10 - - 50 - - -
(B3) - - 10 - - 50 - -
(C) (C1) 5 5 5 5 5 5 5 -
(C2) 1 1 1 1 1 1 1 6
투습도
(g/m2ㆍ24hr)		 3.6 3.2 2.2 2.3 2.1 1.2 12.5 7.9
아웃가스 발생량(ppm) 830 880 320 630 540 180 8540 2450
경화도(%) 92.5 94 93 95 98 94 83 88
상기 표 2에서 나타난 바와 같이, 본 발명의 광경화 조성물로 형성되는 도막은 투습도가 낮았고, 아웃가스 평가시 아웃가스 발생량이 현저하게 낮았고, 경화도가 현저하게 높았다.
반면에, 상기 화학식 1의 모노머를 포함하지 않는 비교예 1의 광경화 조성물로 형성된 도막은 투습도가 본 발명에 비해 현저하게 높았고 아웃가스 발생량도 높았으며 경화도도 본 발명에 비해 낮았다. 또한, 상기 화학식 1의 모노머와 광중합 개시제를 포함하지 않는 비교예 2의 조성물로 형성된 도막 역시 투습도가 본 발명에 비해 현저하게 높았고 아웃가스 발생량도 높았으며 경화도도 본 발명에 비해 낮았다.
본 발명은 상기 실시예 및 도면에 의해 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태가 될 수 있고, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명의 기술적 사상이나 필수적인 특징을 변경하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 그러므로, 이상에서 기술한 실시예와 도면은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적이 아닌 것으로 이해해야 한다.

Claims (19)

  1. (A)광경화성 모노머 및 (B)하기 화학식 1의 모노머 또는 그의 올리고머를 포함하는 광경화 조성물:
    <화학식 1>
    Figure pat00014

    (상기 식에서, Y는 하기 화학식 2 내지 4 중 하나이고,
    <화학식 2>
    Figure pat00015

    (상기에서, *는 화학식 1 중 Z에 대한 연결 부위이고,
    X1과 X2는 동일하거나 다르고, O, S, N-R, 또는 치환 또는 비치환된 R'-C-R"(R,R',R"은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
    X1과 X2 중 하나 이상은 O, S, 또는 N-R이고,
    R1은 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬렌옥시기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-30의 아릴렌기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7-30의 아릴알킬렌기 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-20의 알콕실렌기이다)
    <화학식 3>
    Figure pat00016

    (상기에서 *는 화학식 1 중 Z에 대한 연결 부위이고,
    X3,X4,X5는 동일하거나 다르고, O, S, N-R, 치환 또는 비치환된 R'-C-R"(R,R',R"은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
    X3,X4,X5 중 하나 이상은 O, S, 또는 N-R이고,
    R1은 상기에서 정의한 바와 같고,
    R2는 수소, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬에테르기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬아민기 또는 디알킬아민기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬티오기, 치환 또는 비치환된 탄소수 6-30의 아릴기, 치환 또는 비치환된 탄소수 7-30의 아릴알킬기, 치환 또는 비치환된 탄소수 1-20의 알콕시기이다)
    <화학식 4>
    Figure pat00017

    (상기에서, *는 화학식 1중 Z에 대한 연결 부위이고,
    X6은 O, S, N-R(R은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-5의 알킬기이다)이고,
    R1과 R2는 상기에서 정의한 바와 같고,
    n은 1-5의 정수이고, m은 0 내지 n+1의 정수이다)
    Z는 하기 화학식 5이다.
    <화학식 5>
    Figure pat00018

    상기에서, *는 R1의 탄소의 연결 부위이고,
    R3은 수소, 또는 치환 또는 비치환된 탄소수 1-30의 알킬기이다).
  2. 제1항에 있어서, 상기 화학식 1의 모노머는 글리시딜 (메타)아크릴레이트, (3-에틸-3-옥세탄일) 메틸 (메타)아크릴레이트, 3,4-에폭시시클로헥실메틸 (메타)아크릴레이트 중 하나 이상을 포함하는 광경화 조성물.
  3. 제1항에 있어서, 상기 (A)광경화성 모노머는 치환 또는 비치환된 비닐기, 아크릴레이트기, 또는 메타아크릴레이트기를 1-30개 갖는 모노머를 포함하는 광경화 조성물.
  4. 제1항에 있어서, 상기 (A)광경화성 모노머는 탄소수 1-20의 알킬기를 갖는 (메타)아크릴레이트, 탄소수 2-20의 디올의 디(메타)아크릴레이트, 탄소수 3-20의 트리올의 트리(메타)아크릴레이트, 탄소수 4-20의 테트라올의 테트라(메타)아크릴레이트 중 하나 이상을 포함하는 광경화 조성물.
  5. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 고형분 기준으로 상기 (A)와 (B)의 합 (A) + (B) 100중량부 중 상기 (A) 1-99중량부, 상기 (B) 1-99중량부를 포함하는 광경화 조성물.
  6. 제1항에 있어서, 상기 조성물은 (C)개시제를 더 포함하는 광경화 조성물.
  7. 제6항에 있어서, 상기 (C)개시제는 광중합 개시제, 광산 발생제 중 하나 이상을 포함하는 광경화 조성물.
  8. 제6항에 있어서, 상기 조성물은 고형분 기준으로 상기 (A)와 (B)의 합 (A) + (B) 100중량부 중 상기 (A) 1-99중량부, 상기 (B) 1-99중량부, 및 상기 (A) + (B) 100중량부에 대하여 상기 (C) 0.1 내지 20중량부를 포함하는 광경화 조성물.
  9. 제7항에 있어서, 상기 광중합 개시제는 상기 (A)와 (B)의 합 (A) + (B) 100중량부에 대해 0.05-19중량부로 포함되는 광경화 조성물.
  10. 제7항에 있어서, 상기 광산 발생제는 상기 (A)와 (B)의 합 (A) + (B) 100중량부에 대해 0.001-10중량부로 포함되는 광경화 조성물.
  11. 제1항 내지 제10항 중 어느 한 항의 광경화 조성물을 사용하여 밀봉된 장치용 부재.
  12. 장치용 부재, 및
    상기 장치용 부재 위에 형성되고, 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고,
    상기 유기 장벽층은 아웃가스 발생량이 2000ppm 이하인 봉지화된 장치.
  13. 장치용 부재, 및
    상기 장치용 부재 위에 형성되고, 무기 장벽층과 유기 장벽층을 포함하는 장벽 스택을 포함하고,
    상기 유기 장벽층은 두께 방향으로 도막 두께 5㎛에 대하여 37.8℃, 100% 상대 습도, 및 24시간 조건에서 측정된 투습도가 4.0g/m2ㆍ24hr 이하인 봉지화된 장치.
  14. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 무기 장벽층은 금속, 금속 산화물, 금속 질화물, 금속 탄화물, 금속 산소질화물, 금속 산소붕소화물, 또는 이들의 혼합물을 포함하고, 상기 금속은 실리콘(Si), 알루미늄(Al), 셀레늄(Se), 아연(Zn), 안티몬(Sb), 인듐(In), 게르마늄(Ge), 주석(Sn), 비스무트(Bi), 전이금속, 란탄족 금속 중 하나 이상을 포함하는 봉지화된 장치.
  15. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 장벽 스택 중 상기 유기 장벽층과 상기 무기 장벽층은 교대로 형성되는 봉지화된 장치.
  16. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 장벽 스택 중 상기 무기 장벽층과 상기 유기 장벽층은 전체 10회 이하로 형성된 봉지화된 장치.
  17. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 유기 장벽층 하나의 두께는 0.1㎛-20㎛, 상기 무기 장벽층 하나의 두께는 5nm-500nm인 봉지화된 장치.
  18. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 장치용 부재는 플렉시블(flexible) 유기발광소자, 유기발광소자, 조명 장치, 금속 센서 패드, 마이크로디스크 레이저, 전기변색 장치, 광변색장치, 마이크로전자기계 시스템, 태양전지, 집적 회로, 전하 결합 장치, 발광 중합체 또는 발광 다이오드를 포함하는 봉지화된 장치.
  19. 제12항 또는 제13항에 있어서, 상기 유기 장벽층은 제1항의 광경화 조성물의 경화물을 포함하는 봉지화된 장치.
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