KR20140031809A - Transparent electrode substrate, method for producing same and image display device - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은, 투명 전극 기판, 그의 제조방법 및 화상 표시 장치, 상세하게는, 투명 전극 기판의 제조방법, 그것에 의하여 얻어지는 투명 전극 기판, 및 그 투명 전극 기판을 구비하는 화상 표시 장치에 관한 것이다. The present invention relates to a transparent electrode substrate, a method for producing the same, and an image display device, in particular, a method for producing a transparent electrode substrate, a transparent electrode substrate obtained thereby, and an image display device including the transparent electrode substrate.
종래, 액정 표시 장치 등의 화상 표시 장치에, 투명 전극이 설치된 투명 전극 기판을 터치 패널로서 이용하는 것이 알려져 있다. Background Art Conventionally, it is known to use a transparent electrode substrate provided with a transparent electrode as a touch panel in an image display device such as a liquid crystal display device.
예컨대, 기판의 주면 전면(全面)에 형성된 투명 전극 상에, 니켈 도금을 실시하고, 추가로, 이 위에 구리 도금을 실시하는 것에 의해 얻어지는 표시 장치용 기판이 제안되어 있다(예컨대, 일본 특허공개 1994-148661호 공보 참조. ). For example, a substrate for a display device obtained by performing nickel plating on a transparent electrode formed on the entire main surface of the substrate and further copper plating thereon has been proposed (for example, Japanese Patent Laid-Open No. 1994). See -148661.
일본 특허공개 1994-148661호 공보의 표시 장치용 기판에서는, 구리층(구리 도금층)에 의해서, 그들 적층체의 전기 저항을 저감시키면서, 니켈층(니켈 도금층)에 의해서, 투명 전극과 구리층의 밀착력을 향상시키고 있다. In the substrate for display device of JP 1994-148661 A, the adhesion layer of a transparent electrode and a copper layer by a nickel layer (nickel plating layer), reducing the electrical resistance of these laminated bodies by a copper layer (copper plating layer). Is improving.
그러나, 표시 장치용 기판의 용도 및 목적에 따라서는, 투명 전극과 구리층의 밀착력을 더한층 향상시킬 것이 요망되고 있다. However, it is desired to further improve the adhesion between the transparent electrode and the copper layer, depending on the use and purpose of the display device substrate.
본 발명의 목적은, 투명 도체층과 저저항화층의 밀착력이 높여진 투명 전극 기판, 그의 제조방법, 및 그 투명 전극 기판을 구비하는 화상 표시 장치를 제공하는 것에 있다. An object of the present invention is to provide a transparent electrode substrate having a high adhesion between the transparent conductor layer and the low resistance layer, a manufacturing method thereof, and an image display device including the transparent electrode substrate.
본 발명의 투명 전극 기판은, 절연 기판과, 상기 절연 기판의 적어도 두께 방향 한쪽측에 형성되는 도체층을 구비하고, 상기 도체층은, 상기 절연 기판의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되는 투명 도체층과, 상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되고, 상기 도체층의 전기 저항을 저감시키는 저저항화층과, 상기 투명 도체층 및 상기 저저항화층의 사이에 개재되고, 인 함유 비율이 8질량% 이상인 밀착층을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. The transparent electrode substrate of this invention is equipped with the insulated substrate and the conductor layer formed in the at least one thickness direction side of the said insulated substrate, The said conductor layer is the transparent conductor layer formed in the said thickness direction one side of the said insulated substrate. And a low resistance layer formed on one side of the thickness direction of the transparent conductor layer to reduce electrical resistance of the conductor layer, interposed between the transparent conductor layer and the low resistance layer, and having a phosphorus content ratio of 8 It is characterized by including the adhesion layer which is mass% or more.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판에서는, 상기 투명 도체층이, 인듐 주석 산화물로부터 형성되고, 상기 저저항화층이, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로부터 형성되며, 상기 밀착층이, 니켈 및 인을 함유하는 조성물로부터 형성되는 것이 적합하다. In the transparent electrode substrate of the present invention, the transparent conductor layer is formed from indium tin oxide, and the low resistance layer is formed from one or more metals selected from the group consisting of copper, silver, and gold. It is suitable that the layer is formed from a composition containing nickel and phosphorus.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판에서는, 상기 도체층이, 상기 저저항화층의 상기 두께 방향 한쪽면에, 용이에칭 재료로부터 형성되는 보호층을 추가로 구비하는 것이 적합하다. Moreover, in the transparent electrode board | substrate of this invention, it is suitable for the said conductor layer to further provide the protective layer formed from the easy etching material on one side of the said thickness direction of the said low resistance layer.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판에서는, 상기 용이에칭 재료가, 니켈, 주석 및 니켈 구리 합금으로부터 선택되는 1종 이상의 금속인 것이 적합하다. Moreover, in the transparent electrode substrate of this invention, it is suitable that the said easy etching material is 1 or more types of metals chosen from nickel, tin, and a nickel copper alloy.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판에서는, 상기 투명 도체층은, 상기 절연 기판의 상기 두께 방향 한쪽측 전면에 형성되고, 상기 밀착층은, 상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽면 전면에 형성되며, 상기 저저항화층은, 상기 밀착층의 상기 두께 방향 한쪽면 전면에 형성되어 있는 것이 적합하다. Moreover, in the transparent electrode substrate of this invention, the said transparent conductor layer is formed in the whole surface of the said thickness direction one side of the said insulated substrate, and the said contact bonding layer is formed in the whole thickness direction one side surface of the said transparent conductor layer, It is suitable that the said low resistance layer is formed in the whole surface of the said thickness direction one side of the said contact | attachment layer.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판에서는, 상기 도체층은, 상기 절연 기판에 있어서, 도체 패턴으로서 형성되어 있는 것이 적합하다. Moreover, in the transparent electrode substrate of this invention, it is suitable that the said conductor layer is formed as a conductor pattern in the said insulated substrate.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판에서는, 상기 도체 패턴은, 상기 도체층으로 이루어지는 인출 배선과, 상기 인출 배선에 연속하여 형성되고, 상기 투명 도체층으로 이루어지는 투명 전극을 구비하는 것이 적합하다. Moreover, in the transparent electrode board | substrate of this invention, it is suitable that the said conductor pattern is provided continuously with the lead-out wiring which consists of the said conductor layer, and the said lead-out wiring, and is equipped with the transparent electrode which consists of the said transparent conductor layer.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판의 제조방법은, 절연 기판과, 상기 절연 기판의 적어도 두께 방향 한쪽측에 적층되는 투명 도체층을 구비하는 적층판을 준비하는 준비 공정, 밀착층을, 상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽면에, 상기 밀착층에 있어서의 인 함유 비율이 8질량% 이상이 되도록 적층하는 밀착층 적층 공정, 및 저저항화층을, 상기 밀착층의 상기 두께 방향 한쪽면에 적층하는 저저항화 공정을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. Moreover, the manufacturing method of the transparent electrode board | substrate of this invention is a preparatory process of preparing the laminated board which consists of an insulated substrate and the transparent conductor layer laminated | stacked on at least one side of the said thickness direction, and an adhesive layer is the said transparent conductor layer. The adhesion layer lamination process of laminating | stacking so that the phosphorus content ratio in the said adhesion layer may be 8 mass% or more, and the low resistance layer which laminates a low-resistance layer on the said thickness direction one side of the said adhesion layer It is characterized by including a resistance process.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 저저항화 공정 후에, 상기 투명 도체층과 상기 밀착층과 상기 저저항화층을 구비하는 도체층을 에칭하여 도체 패턴을 형성하는 패터닝 공정을 추가로 구비하는 것이 적합하다. Moreover, the manufacturing method of the transparent electrode substrate of this invention adds the patterning process which forms a conductor pattern by etching the conductor layer provided with the said transparent conductor layer, the said contact | attachment layer, and the said low resistance layer after the said low resistance process. It is suitable to provide with.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 도체 패턴의 일부로부터 상기 저저항화층 및 상기 밀착층을 제거하는 것에 의해, 상기 투명 도체층으로부터 투명 전극을 형성함과 더불어, 상기 도체 패턴의 잔부에 대응하는 상기 도체층을 인출 배선으로 하는 공정을 추가로 구비하는 것이 적합하다. Further, in the method for manufacturing a transparent electrode substrate of the present invention, a transparent electrode is formed from the transparent conductor layer by removing the low resistance layer and the adhesion layer from a part of the conductor pattern. It is suitable to further provide the process of making the said conductor layer corresponding to remainder into an outgoing wiring.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판의 제조방법은, 용이에칭 재료로 이루어지는 보호층을, 상기 저저항화층의 상기 두께 방향 한쪽면에 적층하는 공정을 추가로 구비하고, 상기 패터닝 공정에서는, 상기 투명 도체층과 상기 밀착층과 상기 저저항화층과 보호층을 구비하는 도체층을 에칭하여 도체 패턴을 형성하는 것이 적합하다. Moreover, the manufacturing method of the transparent electrode board | substrate of this invention further includes the process of laminating | stacking the protective layer which consists of an easy etching material on the said thickness direction one surface of the said low resistance layer, In the said patterning process, the said transparent conductor It is suitable to form a conductor pattern by etching the conductor layer including the layer, the adhesion layer, the low resistance layer and the protective layer.
또한, 본 발명의 투명 전극 기판의 제조방법은, 상기 도체 패턴의 일부로부터 상기 보호층, 상기 저저항화층 및 상기 밀착층을 제거하는 것에 의해, 상기 투명 도체층으로부터 투명 전극을 형성함과 더불어, 상기 도체 패턴의 잔부에 대응하는 상기 도체층을 인출 배선으로 하는 공정을 추가로 구비하는 것이 적합하다. Moreover, the manufacturing method of the transparent electrode board | substrate of this invention forms a transparent electrode from the said transparent conductor layer by removing the said protective layer, the said low resistance layer, and the said contact | attachment layer from a part of the said conductor pattern, It is suitable to further provide the process of making the said conductor layer corresponding to the remainder of the said conductor pattern into outgoing wiring.
또한, 본 발명의 화상 표시 장치는, 상기한 투명 전극 기판을 구비하고, 상기 투명 전극 기판은, 절연 기판과, 상기 절연 기판의 적어도 두께 방향 한쪽측에 형성되는 도체층을 구비하며, 상기 도체층은, 상기 절연 기판의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되는 투명 도체층과, 상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되고, 상기 도체층의 전기 저항을 저감시키는 저저항화층과, 상기 투명 도체층 및 상기 저저항화층의 사이에 개재되고, 인 함유 비율이 8질량% 이상인 밀착층을 구비하는 것을 특징으로 하고 있다. Moreover, the image display apparatus of this invention is equipped with said transparent electrode board | substrate, The said transparent electrode board | substrate is equipped with the insulated substrate and the conductor layer formed in the at least one thickness direction side of the said insulated substrate, The said conductor layer The transparent conductor layer formed in the said thickness direction one side of the said insulated substrate, the low resistance layer formed in the said thickness direction one side of the said transparent conductor layer, and reducing the electrical resistance of the said conductor layer, and the said transparent conductor It is interposed between a layer and the said low resistance layer, It is characterized by including the adhesive layer whose phosphorus content rate is 8 mass% or more.
또한, 본 발명의 화상 표시 장치에서는, 상기 투명 전극 기판이, 터치 패널인 것이 적합하다. Moreover, in the image display apparatus of this invention, it is suitable that the said transparent electrode substrate is a touch panel.
또한, 본 발명의 화상 표시 장치는, 액정 표시 장치인 것이 적합하다. Moreover, it is suitable that the image display apparatus of this invention is a liquid crystal display device.
본 발명의 투명 전극 기판의 제조방법에 의해 얻어지는, 본 발명의 투명 전극 기판은, 투명 도체층 및 저저항화층의 사이에 개재되고, 인 함유 비율이 8질량% 이상인 밀착층을 구비하기 때문에, 투명 도체층과 저저항화층의 밀착력을 충분히 높일 수 있다. 그 때문에, 신뢰성을 향상시킬 수 있다. Since the transparent electrode substrate of this invention obtained by the manufacturing method of the transparent electrode substrate of this invention is interposed between a transparent conductor layer and a low resistance layer, and is provided with the adhesion layer whose phosphorus content rate is 8 mass% or more, it is transparent. The adhesion between the conductor layer and the low resistance layer can be sufficiently increased. Therefore, reliability can be improved.
따라서, 본 발명의 화상 표시 장치는, 신뢰성이 향상된 투명 전극 기판을 구비하기 때문에, 신뢰성이 우수하다. Therefore, since the image display apparatus of this invention is equipped with the transparent electrode substrate which improved reliability, it is excellent in reliability.
도 1은, 본 발명의 투명 전극 기판의 제조방법의 제 1 실시형태를 나타내는 공정도이며,
도 1(a)는, 절연 기판을 준비하고, 광학 조정막을 적층하는 공정,
도 1(b)는, 투명 도체층을 광학 조정막의 상면에 적층하는 공정,
도 1(c)는, 밀착층을 투명 도체층의 상면에 적층하는 공정,
도 1(d)는, 저저항화층을 밀착층의 상면에 적층하는 공정,
도 1(e)는, 보호층을 저저항화층의 상면에 적층하는 공정을 나타낸다.
도 2는, 도 1(e)에 나타내는 투명 전극 기판의 도체층으로부터 도체 패턴을 형성하는 공정도이며,
도 2(a)는, 제 1 에칭 레지스트를 보호층의 상면에 적층하는 공정,
도 2(b)는, 도체층을 에칭하고, 계속해서, 제 1 에칭 레지스트를 제거하는 공정,
도 2(c)는, 제 2 에칭 레지스트를, 도체 패턴에 있어서 인출 배선에 대응하는 부분을 피복하도록, 절연 기판 상에 적층하는 공정,
도 2(d)는, 제 2 에칭 레지스트로부터 노출하는 보호층, 저저항화층 및 밀착층을 에칭하고, 계속해서, 제 2 에칭 레지스트를 제거하는 공정을 나타낸다.
도 3은, 도 2(d)에 나타내는 투명 전극 기판이 터치 패널로서 설치되는 액정 표시 장치의 단면도를 나타낸다.
도 4는, 도 3에 나타내는 액정 표시 장치의 터치 패널을 분해했을 때의 확대 단면도를 나타낸다.
도 5는, 제 1 실시형태의 투명 전극 기판의 변형예(절연 기판의 양측에 도체층이 설치되는 태양)의 단면도를 나타낸다.
도 6은, 제 1 실시형태의 투명 전극 기판의 변형예(보호층이 설치되지 않는 태양)의 단면도를 나타낸다.
도 7은, 제 1 실시형태의 투명 전극 기판의 변형예(광학 조정막이 설치되지 않는 태양)의 단면도를 나타낸다.
도 8은, 제 1 실시형태의 투명 전극 기판의 변형예(광학 조정막이 설치되지 않는 태양)의 단면도를 나타낸다. 1 is a process chart showing a first embodiment of a method for manufacturing a transparent electrode substrate of the present invention,
1A is a step of preparing an insulating substrate and laminating an optical adjustment film;
1 (b) is a step of laminating the transparent conductor layer on the upper surface of the optical adjustment film,
1 (c) is a step of laminating an adhesive layer on the upper surface of the transparent conductor layer,
1 (d) is a step of laminating a low resistance layer on the upper surface of the adhesion layer,
1 (e) shows a step of laminating a protective layer on the upper surface of the low resistance layer.
FIG. 2 is a process chart for forming a conductor pattern from the conductor layer of the transparent electrode substrate shown in FIG. 1E,
2 (a) is a step of laminating the first etching resist on the upper surface of the protective layer,
2 (b) is a step of etching the conductor layer and subsequently removing the first etching resist;
2C is a step of laminating a second etching resist on an insulating substrate so as to cover a portion corresponding to the lead wiring in the conductor pattern;
FIG.2 (d) shows the process of etching the protective layer, the low resistance layer, and the contact bonding layer exposed from a 2nd etching resist, and then removing a 2nd etching resist.
FIG. 3: shows sectional drawing of the liquid crystal display device in which the transparent electrode substrate shown to FIG. 2 (d) is provided as a touch panel.
4 is an enlarged cross-sectional view when the touch panel of the liquid crystal display shown in FIG. 3 is disassembled.
FIG. 5: shows sectional drawing of the modification of the transparent electrode board | substrate of 1st Embodiment (the aspect in which a conductor layer is provided in the both sides of an insulated substrate).
FIG. 6: shows sectional drawing of the modification (the aspect in which a protective layer is not provided) of the transparent electrode substrate of 1st Embodiment.
FIG. 7: shows sectional drawing of the modification (the aspect in which an optical adjustment film is not provided) of the transparent electrode substrate of 1st Embodiment.
FIG. 8: shows sectional drawing of the modification (the aspect in which an optical adjustment film is not provided) of the transparent electrode substrate of 1st Embodiment.
<제 1 실시형태>≪ First Embodiment >
<투명 전극 기판><Transparent electrode substrate>
각 도면에 있어서, 지면 상하 방향(두께 방향)을 제 1 방향으로 하고, 지면 좌우 방향을 제 2 방향으로 하며, 지면 깊이 방향(전후 방향)을 제 3 방향으로 하는 경우가 있다. In each figure, the paper vertical direction (thickness direction) is made into a 1st direction, the paper left-right direction is made into a 2nd direction, and the paper depth direction (rear direction) may be made into a 3rd direction.
도 1(e)에 있어서, 본 발명의 1실시형태로서의 투명 전극 기판(1)은, 평판 형상을 이루고, 절연 기판(2)과, 절연 기판(2) 상(두께 방향 한쪽측)에 형성되는 도체층(3)을 구비한다. In FIG. 1E, the
절연 기판(2)은, 평면시(平面視)에 있어서, 투명 전극 기판(1)의 외형 형상에 대응하는 필름상(또는 박판상)으로 형성되어 있다. 절연 기판(2)을 형성하는 재료로서는, 예컨대, 투명 재료를 들 수 있다. 투명 재료로서는, 예컨대, 유리 등의 무기 투명 재료, 예컨대, 폴리에틸렌 테레프탈레이트(PET), 폴리메타크릴레이트(PMMA), 폴리카보네이트(PC), 폴리에틸렌(PE), 사이클로올레핀 폴리머(COP) 등의 유기 투명 재료를 들 수 있다. 바람직하게는, 경박성(輕薄性)의 관점에서, 유기 투명 재료, 보다 바람직하게는, PET을 들 수 있다. 상기한 재료의 유리전이온도는, 예컨대 180℃ 이상이며, 또한, 예컨대 220℃ 이하이다. 절연 기판(2)의 두께는, 예컨대 10μm 이상, 바람직하게는 25μm 이상이며, 또한, 예컨대 300μm 이하, 바람직하게는 200μm 이하이다. The insulating board |
또한, 절연 기판(2)의 상면 전면에는, 광학 조정막(24)이 형성되어 있다. 광학 조정막(24)은, 예컨대, SiO2계 재료 등의 무기 광학 재료, 또는 유기 광학 재료 등으로 이루어지고, 유리전이온도가 180℃ 이상이며, 두께가, 예컨대 1nm 이상, 바람직하게는 5nm 이상이고, 또한, 예컨대 1000nm 이하, 바람직하게는 500nm 이하이기도 하다. In addition, an
도체층(3)은, 절연 기판(2) 상에 광학 조정막(24)의 간격을 사이에 두고 설치되어 있다. 즉, 도체층(3)은, 광학 조정막(24)의 상면 전면에 적층되어 있다. 도체층(3)은, 복수의 층으로 이루어지고, 구체적으로는, 광학 조정막(24)의 상면(두께 방향 한쪽면)에 형성되는 투명 도체층(4)과, 투명 도체층(4) 상(두께 방향 한쪽측)에 형성되는 저저항화층(5)과, 투명 도체층(4) 및 저저항화층(5)의 사이에 개재되는 밀착층(6)을 구비한다. 또한, 도체층(3)은, 저저항화층(5)의 상면(두께 방향 한쪽면)에 형성되는 보호층(7)을 구비한다. 즉, 도체층(3)으로서는, 광학 조정막(24) 상(두께 방향 한쪽측)에, 투명 도체층(4), 밀착층(6), 저저항화층(5) 및 보호층(7)이 순차적으로 적층되어 있다. The
투명 도체층(4)은, 후술하는 투명 전극(10)(도 2(d) 참조)에 있어서, 터치 입력을 위한 층이고, 도체층(3)에 있어서 최하층에 위치하고 있고, 광학 조정막(24)의 상면 전면에 형성되어 있다. 투명 도체층(4)을 형성하는 투명 도체로서는, 예컨대, 인듐 주석 산화물(ITO) 등의 산화물을 들 수 있다. 투명 도체층(4)의 두께는, 예컨대 5nm 이상, 바람직하게는 10nm 이상이며, 또한, 예컨대 200nm 이하, 바람직하게는 30nm 이하이기도 하다. The
저저항화층(5)은, 도체층(3)의 전기 저항을 저감시키는 층이고, 투명 도체층(4) 상에 밀착층(6)을 사이에 두고(통하여) 적층되어 있다. 저저항화층(5)을 형성하는 재료로서는, 예컨대, 구리, 은, 금, 그들의 합금 등 도전 재료(구체적으로는, 금속)를 들 수 있다. 바람직하게는, 구리, 은, 금을 들 수 있다. 이들 재료의 저저항화층(5)의 두께는, 도체층(3)에 요구되는 전기 저항치에 의해서 적절히 설정되고, 구체적으로는, 예컨대 50nm 이상, 바람직하게는 100nm 이상이며, 또한, 예컨대 3000nm 이하, 바람직하게는 1000nm 이하이기도 하다. The
밀착층(6)은, 투명 도체층(4)과 저저항화층(5)의 밀착력을 향상시키는 층이며, 투명 도체층(4)의 상면 전면 및 저저항화층(5)의 하면 전면에 형성되어 있다. 밀착층(6)을 형성하는 재료로서는, 예컨대, 니켈 및 인을 필수 성분으로서 함유하는 조성물 등을 들 수 있다. The
니켈은, 조성물에 있어서 주성분으로서 함유되어 있고, 그 함유 비율은, 인의 함유 비율의 잔부이다. Nickel is contained as a main component in a composition, and the content rate is remainder of the content rate of phosphorus.
인은, 조성물에 있어서 부성분으로서 함유되어 있고, 그 함유 비율(인 함유 비율)은, 8질량% 이상, 바람직하게는 9질량% 이상, 보다 바람직하게는 10질량% 이상이며, 또한, 예컨대 15질량% 이하, 바람직하게는 13질량% 이하이기도 하다. Phosphorus is contained as a subcomponent in the composition, and the content ratio (phosphorus content ratio) is 8 mass% or more, Preferably it is 9 mass% or more, More preferably, it is 10 mass% or more, For example, 15 mass It is% or less, Preferably it is 13 mass% or less.
인의 함유 비율이 상기 하한 이하이면, 투명 도체층(4)과 밀착층(6)의 밀착력을 충분히 높일 수 없다. 한편, 인의 함유 비율이 상기 상한을 상회하면, 안정한 도금를 할 수 없는 경우가 있다. If the content ratio of phosphorus is below the said minimum, the adhesive force of the
또한, 조성물은, 필요에 따라, 팔라듐, 로듐 등의 귀금속 등의 촉매를, 임의 성분으로서 적절한 비율로 함유한다. In addition, a composition contains catalysts, such as noble metals, such as palladium and rhodium, as an optional component in an appropriate ratio as needed.
밀착층(6)의 두께는, 예컨대 50nm 이상, 바람직하게는 100nm 이상이며, 또한, 예컨대 3000nm 이하, 바람직하게는 500nm 이하이다. The thickness of the
보호층(7)은, 저저항화층(5)을 보호하는 층이고, 도체층(3)에 있어서 최상층에 위치하고 있고, 저저항화층(5)의 상면 전면에 형성되어 있다. 보호층(7)은, 예컨대, 니켈, 주석, 니켈 구리 합금, 금 등의 보호 재료로부터 형성되어 있다. 바람직하게는, 보호층(7)은, 용이에칭 재료로부터 형성되어 있다. 용이에칭 재료는, 후술하는 에칭(도 2(b) 및 도 2(d) 참조)에 있어서 용이하게 에칭(제거)되는 재료이고, 구체적으로는, 니켈, 주석, 니켈 구리 합금 등의 금속을 들 수 있다. 한편, 상기한 각 재료는, 보호층(7)의 형성 공정에서 혼입되는 첨가물(예컨대, 인 등) 등을 포함하는 조성물로서 조제되어 있어도 좋다. 보호층(7)은, 단층 또는 재료가 다른 복수의 층으로서 형성된다. 바람직하게는, 단층으로서 형성된다. 보호층(7)의 두께는, 예컨대 20nm 이상이며, 또한, 후술하는 제 2 에칭에 있어서의 에칭 시간을 고려하면, 예컨대 100nm 이하이다. The
다음으로 도 1(a)∼도 1(e)를 참조하여 투명 전극 기판(1)의 제조방법에 대하여 설명한다. Next, the manufacturing method of the
이 방법에서는, 우선, 도 1(a)에 나타낸 바와 같이, 절연 기판(2)을 준비한다. 계속해서, 광학 조정막(24)을 절연 기판(2)의 상면 전면에 형성(적층)한다. In this method, first, as shown to Fig.1 (a), the insulating
이어서, 도 1(b)∼도 1(e)에 나타낸 바와 같이, 도체층(3)을 광학 조정막(24) 상에 형성한다. Subsequently, as shown in FIGS. 1B to 1E, the
즉, 도체층(3)을 광학 조정막(24) 상에 형성하기 위해서는, 우선, 도 1(b)에 나타낸 바와 같이, 투명 도체층(4)을 광학 조정막(24)의 상면에 적층한다. That is, in order to form the
구체적으로는, 투명 도체층(4)을 형성하기 위해서는, 예컨대, 진공 증착, 이온 플레이팅, 스퍼터링 등의 물리 증착이 사용된다. 바람직하게는, 스퍼터링이 사용된다. Specifically, in order to form the
이것에 의해서, 절연 기판(2) 및 광학 조정막(24)과, 광학 조정막(24)의 상면(두께 방향 한쪽면)에 적층되는 투명 도체층(4)을 구비하는 적층판(19)을 준비한다(준비 공정). Thereby, the
이어서, 도 1(c)에 나타낸 바와 같이, 밀착층(6)을 투명 도체층(4)의 상면에 형성한다(밀착층 적층 공정). Next, as shown in FIG.1 (c), the
구체적으로는, 밀착층(6)을, 예컨대, 도금, 물리 증착 등에 의해서, 투명 도체층(4)의 상면에 형성한다. 바람직하게는, 도금이 사용된다. Specifically, the
도금으로서는, 예컨대, 무전해 도금, 전해 도금을 들 수 있고, 바람직하게는 무전해 도금을 들 수 있다. As plating, electroless plating and electrolytic plating are mentioned, for example, Preferably electroless plating is mentioned.
무전해 도금에 의해 밀착층(6)을 투명 도체층(4)의 상면에 형성하기 위해서는, 우선, 필요에 따라, 미리, 예컨대 밀착층(6)의 상면을 전처리한다. In order to form the
전처리로서는, 예컨대, 탈지, 소프트 에칭, 산세 등을 들 수 있다. 탈지에서는, 중성의 탈지액에 적층판(19)을 침지한다. 소프트 에칭에서는, 예컨대, 과황산 나트륨 등의 과황산염의 수용액에 적층판(19)을 침지한다. As pretreatment, degreasing, soft etching, pickling, etc. are mentioned, for example. In degreasing, the
전처리 후, 필요에 따라, 투명 도체층(4)의 상면(표면)에 촉매 피막(도시하지 않음)을 적층한다. 촉매 피막(도시하지 않음)은, 적층판(19)을, 촉매액 중에 침지하는 것에 의해 형성된다. 촉매액으로서는, 예컨대, 촉매 또는 그것을 조성으로서 함유하는 촉매 화합물을 포함하는 액(분산액 또는 용액) 등을 들 수 있다. 촉매로서는, 예컨대, 팔라듐, 로듐 등의 귀금속을 들 수 있다. 촉매 화합물로서는, 예컨대, 귀금속 화합물(귀금속염) 등을 들 수 있다. 수용액에 있어서의 촉매 및/또는 촉매 화합물의 함유 비율은 적절히 설정된다. After the pretreatment, a catalyst film (not shown) is laminated on the upper surface (surface) of the
침지 온도는, 예컨대 15℃ 이상, 바람직하게는 20℃ 이상이며, 또한, 예컨대 50℃ 이하, 바람직하게는 40℃ 이하이기도 하다. Immersion temperature is 15 degreeC or more, Preferably it is 20 degreeC or more, and also 50 degrees C or less, Preferably it is 40 degrees C or less, for example.
침지 시간은, 예컨대 0.5분간 이상, 바람직하게는 1분간 이상이며, 또한, 예컨대 10분간 이하, 바람직하게는 5분간 이하이기도 하다. Immersion time is 0.5 minutes or more, for example, preferably 1 minute or more, and also 10 minutes or less, Preferably it is 5 minutes or less, for example.
이어서, 촉매 피막(도시하지 않음)이 표면에 적층된 적층판(19)을, 무전해 도금액에 침지한다. Subsequently, the
무전해 도금액은, 니켈 화합물, 인 화합물 및 물을 배합하는 것에 의해 조제된다. An electroless plating liquid is prepared by mix | blending a nickel compound, a phosphorus compound, and water.
니켈 화합물로서는, 예컨대, 황산 니켈, 질산 니켈 등의 니켈염 등을 들 수 있다. 니켈염은, 물에 배합되면 니켈 양이온(Ni2+)을 생성한다. As a nickel compound, nickel salts, such as nickel sulfate and nickel nitrate, etc. are mentioned, for example. Nickel salts, when combined with water, form nickel cations (Ni 2+ ).
인 화합물로서는, 예컨대, 차아인산, 차아인산염(예컨대, 차아인산 나트륨 등) 등의 인계 환원제를 들 수 있다. 인계 환원제는, 물에 배합되면, 인계 음이온(구체적으로는, 차아인산 음이온: HPO2 -)을 생성한다. As a phosphorus compound, phosphorus reducing agents, such as hypophosphorous acid and hypophosphite (for example, sodium hypophosphite etc.), are mentioned, for example. When the phosphorus-based reducing agent is blended with water, it forms a phosphorus anion (specifically, hypophosphite anion: HPO 2 − ).
또한, 무전해 도금액에, 착화제, 옥시카복실산, 염화암모늄 등의 첨가제를 적절한 비율로 함유시킬 수도 있다. The electroless plating solution may also contain additives such as complexing agents, oxycarboxylic acids, ammonium chloride and the like in an appropriate ratio.
무전해 도금액의 pH는, 예컨대 2 이상, 바람직하게는 3 이상, 또한, 예컨대 7 이하, 바람직하게는 5 이하로 조정된다. The pH of the electroless plating solution is, for example, 2 or more, preferably 3 or more, and for example, 7 or less, preferably 5 or less.
침지 온도, 즉, 무전해 도금액의 온도는, 예컨대 40℃ 이상, 바람직하게는 60℃ 이상이며, 또한, 예컨대 90℃ 이하, 바람직하게는 80℃ 이하이기도 하다. 침지 온도가 상기 범위 외에 있으면, 밀착층(6)의 두께를 원하는 범위로 설정할 수 없는 경우가 있다. The immersion temperature, that is, the temperature of the electroless plating solution is, for example, 40 ° C or higher, preferably 60 ° C or higher, and for example, 90 ° C or lower, preferably 80 ° C or lower. When the immersion temperature is outside the above range, the thickness of the
적층판(19)을 무전해 도금액에 침지하면, 밀착층(6)(상세하게는, 촉매 피막)의 표면에서, 인계 음이온(구체적으로는, 차아인산 음이온: HPO2 -)의 환원 작용에 의해서, 니켈 양이온(Ni2+)을 환원시켜, 니켈(Ni)을 생성하면서, 내부에 인(P)을 함유하면서 밀착층(6)을 형성한다. When the
그 후, 필요에 따라, 밀착층(6)을 가열(베이크)한다. Thereafter, the
가열 온도는, 절연 기판(2) 및 광학 조정막(24)의 유리전이온도 이하이며, 또한, 예컨대 100℃ 이상, 바람직하게는 120℃ 이상이다. 가열 시간은, 예컨대 1분간 이상, 바람직하게는 5분간 이상이며, 또한, 예컨대 90분간 이하, 바람직하게는 60분간 이하이다. Heating temperature is below the glass transition temperature of the
추가로 그 후, 필요에 따라, 밀착층(6)의 상면(표면)을 수세한다. Furthermore, after that, the upper surface (surface) of the
이어서, 도 1(d)에 나타낸 바와 같이, 저저항화층(5)을 밀착층(6)의 상면에 형성한다(저저항화 공정). Subsequently, as shown in FIG.1 (d), the
구체적으로는, 저저항화층(5)을, 예컨대, 도금, 물리 증착 등에 의해서, 밀착층(6)의 상면에 형성한다. 바람직하게는, 도금, 보다 바람직하게는, 밀착층(6)에 대한 밀착성을 향상시키는 관점에서, 전해 도금에 의해서, 저저항화층(5)을 형성한다. Specifically, the
그 후, 도 1(e)에 나타낸 바와 같이, 보호층(7)을 저저항화층(5)의 상면에 형성한다. Thereafter, as shown in FIG. 1E, the
보호층(7)은, 상기한 밀착층(6)과 마찬가지의 방법에 의해서 형성할 수 있다. 한편, 도금으로서는, 보호층(7)의 두께의 균일성 및 저저항화층(5)의 부식 방지의 관점에서, 바람직하게는 무전해 도금이 채용된다. The
이것에 의해서, 투명 전극 기판(1)을 얻는다. Thereby, the
이 투명 전극 기판(1)은, 도 1(e)에 나타낸 바와 같이, 도체층(3)을, 광학 조정막(24)의 상면 전면(투명 도체층(4)의 상측 전체)에 형성하고 있지만, 예컨대, 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 도체 패턴(8)으로서 형성할 수도 있다. As shown in FIG. 1E, the
즉, 도 2(a)∼(d)에 나타낸 바와 같이, 투명 전극 기판(1)에 있어서, 도체 패턴(8)은, 도체층(3)을 에칭에 의해서 패턴 가공하는 것에 의해 얻어진다. That is, as shown to Fig.2 (a)-(d), in the
도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 도체 패턴(8)은, 인출 배선(9)과, 인출 배선(9)에 연속하여 (도시하지 않지만) 형성되는 투명 전극(10)을 구비한다. As shown in FIG. 2 (d), the
인출 배선(9)은, 투명 전극 기판(1)의 주단부(周端部)에 서로 간격을 사이에 두고 복수 배치되어 있다. 인출 배선(9)은, 광학 조정막(24)의 상면(절연 기판(2) 상)에 있어서, 도체층(3)(구체적으로는, 투명 도체층(4), 밀착층(6), 저저항화층(5) 및 보호층(7))으로 이루어진다. The
투명 전극(10)은, 후술하는 액정 표시 장치(30)(도 3 참조)에 있어서, 검지부(센서)를 구성하고 있고, 투명 전극 기판(1)의 중앙에 있어서 서로 간격을 사이에 두고 복수 배치되어 있다. 투명 전극(10)의 패턴으로서는, 예컨대, 전후 방향으로 연장되고, 좌우 방향으로 서로 간격을 사이에 두고 형성되어 있다. 투명 전극(10)은, 광학 조정막(24) 상에 있고, 투명 도체층(4)으로 이루어진다. In the liquid crystal display device 30 (refer FIG. 3) mentioned later, the
다음으로, 투명 전극 기판(1)에 있어서, 도체층(3)을 에칭하여 도체 패턴(8)을 형성하는 방법(패터닝 공정)에 대하여 도 2(a)∼도 2(d)를 참조하여 설명한다. Next, a method (patterning step) of etching the
우선, 이 방법에서는, 도 2(a)에 나타낸 바와 같이, 제 1 에칭 레지스트(17)를, 도체층(3)의 상면에 형성한다. First, in this method, as shown in FIG. 2 (a), the first etching resist 17 is formed on the upper surface of the
구체적으로는, 우선, 드라이 필름 레지스트를 보호층(7)의 상면 전면에 적층하고, 계속해서, 노광 및 현상에 의해서, 제 1 에칭 레지스트(17)를 도체 패턴(8)과 동일 패턴으로 형성한다. Specifically, first, the dry film resist is laminated on the entire upper surface of the
그 후, 이 방법에서는, 도 2(b)에 나타낸 바와 같이, 제 1 에칭 레지스트(17)로부터 노출하는 도체층(3)을 에칭한다. 이 에칭에서는, 도체층(3)을 용해시키는 한편, 투명 도체층(4) 및 광학 조정막(24)을 용해시키지 않는 에칭액이 사용된다. Then, in this method, as shown in FIG.2 (b), the
이것에 의해서, 투명 도체층(4), 밀착층(6), 저저항화층(5) 및 보호층(7)으로 이루어지는 도체 패턴(8)을 형성한다. Thereby, the
그 후, 제 1 에칭 레지스트(17)를 박리에 의해 제거한다. Thereafter, the first etching resist 17 is removed by peeling.
이어서, 이 방법에서는, 도 2(c)에 나타낸 바와 같이, 제 2 에칭 레지스트(18)를, 광학 조정막(24) 상에, 인출 배선(9)(도 2(d)참조)에 대응하는 도체층(3)을 피복하고, 투명 전극(10)(도 2(d) 참조)에 대응하는 도체층(3)을 노출시키도록 형성한다. Next, in this method, as shown in FIG. 2C, the second etching resist 18 corresponds to the lead wiring 9 (see FIG. 2D) on the
구체적으로는, 우선, 드라이 필름 레지스트를, 도체층(3)(도체 패턴(8))을 포함하는 광학 조정막(24)의 상면 전면에 적층하고, 계속해서, 노광 및 현상에 의해서, 제 2 에칭 레지스트(18)를 상기한 패턴으로 형성한다. Specifically, first, the dry film resist is laminated on the entire upper surface of the
이어서, 이 방법에서는, 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 제 2 에칭 레지스트(18)로부터 노출하는 도체층(3)의 일부, 즉, 보호층(7), 저저항화층(5) 및 밀착층(6)을, 에칭에 의해서 제거한다. Subsequently, in this method, as shown in FIG. 2 (d), part of the
에칭에서는, 보호층(7), 저저항화층(5) 및 밀착층(6)을 용해시키는 한편, 투명 도체층(4) 및 광학 조정막(24)을 용해시키지 않는 에칭액이 사용된다. In etching, the etching solution which dissolves the
그 후, 제 2 에칭 레지스트(18)를 박리에 의해 제거한다. Thereafter, the second etching resist 18 is removed by peeling.
이것에 의해서, 도체 패턴(8)의 일부로부터 보호층(7), 저저항화층(5) 및 밀착층(6)을 제거하는 것에 의해, 투명 도체층(4)으로부터 투명 전극(10)을 형성함 과 더불어, 도체 패턴(8)의 잔부에 대응하는 도체층(3)을 인출 배선(9)으로 한다. Thereby, the
한편, 투명 전극(10) 및 인출 배선(9)의 패턴 이외의 도체층(3)에서는, 도 2(b)에 나타내는 에칭에 의해서, 이미, 보호층(7), 저저항화층(5), 밀착층(6) 및 투명 도체층(4)이 에칭되어 있다. On the other hand, in the
이것에 의해서, 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 인출 배선(9) 및 투명 전극(10)을 구비하는 도체 패턴(8)이 광학 조정막(24)의 상면에 형성되는 투명 전극 기판(1)을 얻는다. Thereby, as shown in FIG.2 (d), the transparent electrode board |
그리고, 도 2(d)에 나타내는 투명 전극 기판(1)을, 예컨대, 터치 패널로서 이용할 수 있다. And the
그리고, 이 제조방법에 의해 얻어지는 투명 전극 기판(1)은, 투명 도체층(4) 및 저저항화층(5)의 사이에 개재되고, 인 함유 비율이 8질량% 이상인 밀착층을 구비하기 때문에, 투명 도체층(4)과 저저항화층(5)의 밀착력을 충분히 높일 수 있다. 그 때문에, 신뢰성을 향상시킬 수 있다. And since the transparent electrode board |
<터치 패널><Touch panel>
다음으로 도 2(d)에 나타내는 투명 전극 기판(1)이 사용되는 터치 패널(20)을 구비하는 액정 표시 장치(30)에 대하여, 도 3 및 도 4를 참조하여 설명한다. Next, the liquid
도 3에 있어서, 액정 표시 장치(30)는, 예컨대, 터치 패널식 휴대 전화이고, 판상의 LCD 모듈(14)과, LCD 모듈(14) 상에 간격을 사이에 두고 설치되는 편광판(12)과, 편광판(12)의 상면에 설치되는 터치 패널(20)과, 터치 패널(20)의 상면에 설치되는 보호 유리층(11)을 구비하고 있다. In FIG. 3, the liquid
또한, LCD 모듈(14)의 하측에는, 도시하지 않지만, 회로 기판 및 하우징 등이 설치되어 있다. Although not shown, a circuit board, a housing, and the like are provided below the
또한, 액정 표시 장치(30)의 좌우 방향 및 전후 방향의 중앙부에 있어서, LCD 모듈(14)과 편광판(12) 사이는, 공기층으로서의 갭층(13)으로 되어 있다. 한편, 갭층(13)은, 주단부에 있어서 프레임 형상으로 배치되는 스페이서(21)에 의해서 구획되어 있다. Moreover, in the center part of the left-right direction and the front-back direction of the liquid
도 4에 나타낸 바와 같이, 터치 패널(20)은, 2개의 투명 전극 기판(1)(상세하게는, 도체층(3)이 도체 패턴(8)으로서 형성되어 있는 투명 전극 기판(1))을 구비하고 있다. As shown in FIG. 4, the
구체적으로는, 터치 패널(20)은, 두께 방향에 간격을 사이에 두고 배치되는 복수(2개)의 투명 전극 기판(1)과, 그들 사이에 개재되는 투명 절연 필름(22)과, 복수(3개)의 점착제층(15)을 구비하고 있다. Specifically, the
2개의 투명 전극 기판(1) 각각에 있어서, 도체층(3)은, 상측(두께 방향)으로 향하도록 배치되어 있다. 또한, 2개의 투명 전극 기판(1)에 있어서, 투명 전극(10)이 연장되는 방향은, 두께 방향으로 투영했을 때에, 서로 교차(구체적으로는, 직교)하도록 설정되어 있고, 예컨대, 상측의 투명 전극(10)은, 전후 방향으로 연장되고, 좌우 방향으로 서로 간격을 사이에 두고 배치되는 한편, 하측의 투명 전극(10)은, 좌우 방향으로 연장되고, 전후 방향으로 서로 간격을 사이에 두고 배치된다. In each of the two
투명 절연 필름(22)은, 상기한 투명 전극 기판(1)에 있어서의 절연 기판(2)과 마찬가지의 재료 및 치수로 형성되어 있다. The transparent insulating
점착제층(15)은, 하측의 투명 전극 기판(1)과 투명 절연 필름(22) 사이, 투명 절연 필름(22)과 상측의 투명 전극 기판(1) 사이, 및 상측의 투명 전극 기판(1)의 상면에 설치되고 있다. The pressure-
이 액정 표시 장치(30)에서는, 보호 유리층(11)의 상면에 손가락 등이 접촉 또는 근접하면, 접촉 또는 근접하지 않는 경우와 비교하여 정전 용량의 차이를 생기게 하여, 그것이, 검지 신호로서, 인출 배선(9)을 통해서, 도시하지 않는 회로 기판에 전달된다. In the liquid
한편, 입력 신호는, 회로 기판으로부터 LCD 모듈(14)에 입력되어, LCD 모듈(14)이 화상을 표시한다. 그 화상은, 편광판(12), 터치 패널(20) 및 보호 유리층(11)을 통해서, 조작자(또는 시인자)에게 시인된다. On the other hand, the input signal is input from the circuit board to the
그리고, 이 액정 표시 장치(30)는, 신뢰성이 향상된 투명 전극 기판(1)을 구비하기 때문에, 신뢰성이 우수하다. And since this liquid
<변형예><Modifications>
도 3 및 도 4의 설명에서는, 본 발명의 화상 표시 장치를 액정 표시 장치(30)로서 설명하고 있지만, 예컨대, 도시하지 않지만, 유기 전기발광 장치(유기 EL 장치) 등으로서 이용할 수도 있다. Although the image display apparatus of this invention is demonstrated as the liquid
또한, 이후의 각 도면에 있어서, 도 1∼도 4와 마찬가지의 부재에 대해서는, 동일한 참조 부호를 붙이고, 그 상세한 설명을 생략한다. In addition, in each subsequent figure, the same code | symbol is attached | subjected about the member similar to FIGS. 1-4, and the detailed description is abbreviate | omitted.
도 1(e)의 실시형태에서는, 도체층(3)을, 절연 기판(2)의 상측(두께 방향 한쪽측)에만 설치하고 있지만, 예컨대, 도 5에 나타낸 바와 같이, 절연 기판(2)의 양측(상측 및 하측, 두께 방향 한쪽측 및 다른 쪽측)에 설치할 수도 있다. In the embodiment of FIG. 1E, the
즉, 도 5에 있어서, 투명 전극 기판(1)은, 절연 기판(2)과, 그 상면 및 하면에 각각 형성되는 광학 조정막(24)과, 2개의 광학 조정막(24)의 표면에 형성되는 도체층(3)을 구비한다. That is, in FIG. 5, the
절연 기판(2)은, 2개의 광학 조정막(24)에 의해서, 두께 방향으로 끼워져 있다. The insulating
2개의 도체층(3)은, 상측의 광학 조정막(24)에 상면에 형성됨과 더불어, 하측의 광학 조정막(24)의 하면에 형성되어 있다. The two
하측의 도체층(3)은, 광학 조정막(24)의 하면 전면에 적층되어 있다. 하측의 도체층(3)에서는, 광학 조정막(24)의 아래(두께 방향 다른 쪽측)에, 투명 도체층(4), 밀착층(6), 저저항화층(5) 및 보호층(7)이 순차적으로 적층되어 있다. The
또한, 도 5에 나타내는 투명 전극 기판(1)에 있어서, 도시하지 않지만, 도체층(3)을 도체 패턴(8)으로서 형성할 수 있다. In addition, in the
그와 같은 투명 전극 기판(1)을 터치 패널(20)로서 이용하는 경우에는, 하나의 투명 전극 기판(1)으로부터 터치 패널(20)을 구성할 수 있다. 상하 양측의 도체 패턴(8)에 있어서의 투명 전극(10)은, 두께 방향으로 투영했을 때에, 서로 교차(구체적으로는, 직교)하는 패턴으로 형성되어 있다. When using such a
또한, 도 1(e)의 실시형태에서는, 보호층(7)을 도체층(3)에 설치하고 있지만, 예컨대, 도 1(d)에 나타낸 바와 같이, 보호층(7)을 설치하지 않고, 도체층(3)을 구성할 수도 있다. In addition, although the
도 1(d)에 있어서, 도체층(3)은, 투명 도체층(4), 밀착층(6) 및 저저항화층(5)으로부터 형성되어 있다. In FIG. 1D, the
또한, 도 1(d)에 나타내는 투명 전극 기판(1)의 도체층(3)을, 도 6에 나타낸 바와 같이, 인출 배선(9) 및 투명 전극(10)을 구비하는 도체 패턴(8)으로서 형성할 수도 있다. In addition, as shown in FIG. 6, the
도 6에 있어서, 인출 배선(9)은, 투명 도체층(4), 밀착층(6) 및 저저항화층(5)으로 이루어진다. In FIG. 6, the
도 6에 나타내는 투명 전극 기판(1)을 얻기 위해서는, 도 2(a)∼도 2(d)가 참조되는 바와 같이, 우선, 제 1 에칭 레지스트(17)를 저저항화층(5)의 상면에 형성하고, 이어서, 제 1 에칭 레지스트(17)로부터 노출하는 도체층(3)(투명 도체층(4), 밀착층(6) 및 저저항화층(5))을 에칭(패터닝)하고, 계속해서, 제 1 에칭 레지스트(17)를 박리한다. 그 후, 제 2 에칭 레지스트(18)를, 광학 조정막(24) 상에, 인출 배선(9)에 대응하는 도체층(3)을 피복하고, 투명 전극(10)에 대응하는 도체층(3)을 노출시키도록 형성하고, 그 후, 제 2 에칭 레지스트(18)로부터 노출하는 저저항화층(5) 및 밀착층(6)을 에칭에 의해서 제거한다. 그 후, 제 2 에칭 레지스트(18)를 제거한다. In order to obtain the
바람직하게는, 도 1(e)에 나타낸 바와 같이, 보호층(7)을 도체층(3)에 설치하고, 또한, 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 보호층(7)을 인출 배선(9)에 설치한다. 이것에 의해서, 도 1(e)에 나타내는 도체층(3)에 있어서의 저저항화층(5)의 손상이나 부식, 또한 도 2(d)에 나타내는 인출 배선(9)에 있어서의 저저항화층(5)의 손상이나 부식 등을 유효하게 방지할 수 있다. Preferably, as shown in FIG. 1 (e), the
도 1(e) 및 도 2(d)의 실시형태에서는, 절연 기판(2)의 상면에 광학 조정막(24)을 설치하고 있지만, 예컨대, 도 7 및 도 8에 나타낸 바와 같이, 광학 조정막(24)을 설치하지 않고, 절연 기판(2)의 상면에 투명 도체층(4)을 직접 형성할 수도 있다. In the embodiment of FIGS. 1E and 2D, the
바람직하게는, 광학 특성의 향상을 꾀하는 관점에서, 도 1(e) 및 도 2(d)에 나타낸 바와 같이, 광학 조정막(24)을 절연 기판(2)의 상면에 설치한다. Preferably, from the viewpoint of improving the optical characteristics, as shown in Fig. 1 (e) and Fig. 2 (d), the
실시예Example
이하에 실시예 및 비교예를 나타내어, 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 한편, 본 발명은, 전혀 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다. EXAMPLES Hereinafter, the present invention will be described in more detail with reference to Examples and Comparative Examples. In addition, this invention is not limited to an Example and a comparative example at all.
<투명 전극 기판의 제작><Production of Transparent Electrode Substrate>
실시예 1Example 1
PET(유리전이온도: 180℃ 이상)로 이루어지는 두께 50μm의 절연 기판을 준비했다(도 1(a) 참조). 계속해서, SiO2계(유리전이온도: 200℃ 이상)로 이루어지는 두께 25nm의 광학 조정막을 절연 기판의 상면 전면에 적층했다. An insulating substrate having a thickness of 50 μm made of PET (glass transition temperature: 180 ° C. or more) was prepared (see FIG. 1 (a)). Subsequently, an optical adjusting film having a thickness of 25 nm made of SiO 2 system (glass transition temperature: 200 ° C. or more) was laminated on the entire upper surface of the insulating substrate.
이어서, 도체층을 절연 기판(광학 조정막) 상에 형성했다(도 1(b)∼도 1(e) 참조). Next, the conductor layer was formed on the insulated substrate (optical adjustment film) (refer FIG. 1 (b)-FIG. 1 (e)).
구체적으로는, 우선, ITO로 이루어지는 투명 도체층을, 스퍼터링에 의해서, 광학 조정막의 상면에 형성했다. 투명 도체층의 두께는 25nm였다. 이것에 의해서, 절연 기판과 광학 조정막과 투명 도체층을 구비하는 적층판을 준비했다. Specifically, first, the transparent conductor layer made of ITO was formed on the upper surface of the optical adjustment film by sputtering. The thickness of the transparent conductor layer was 25 nm. Thereby, the laminated board provided with the insulated substrate, the optical adjustment film, and the transparent conductor layer was prepared.
계속해서, 밀착층을, 투명 도체층의 상면에 형성했다(도 1(c) 참조). Then, the adhesion layer was formed in the upper surface of the transparent conductor layer (refer FIG. 1 (c)).
구체적으로는, 우선, 적층판을, 45℃의 중성 탈지액에 5분간 침지하고, 계속해서, 25℃의 과황산 나트륨 수용액에 5분간 침지하여, 소프트 에칭했다. Specifically, first, the laminate was immersed in a 45 ° C. neutral degreasing solution for 5 minutes, then immersed in 25 ° C. aqueous sodium persulfate solution for 5 minutes, and soft etched.
이어서, 적층판을, 팔라듐을 포함하는 25℃의 촉매액에 5분간 침지하는 것에 의해, 촉매 피막을 투명 도체층의 표면에 적층했다. Subsequently, the catalyst film was laminated | stacked on the surface of the transparent conductor layer by immersing a laminated board for 5 minutes in 25 degreeC catalyst liquid containing palladium.
별도로, 황산 니켈 및 차아인산(환원제)을 함유하는 무전해 도금액을 조제했다. 무전해 도금액에 있어서, 니켈 양이온(Ni2+)의 질량 비율을 2.5질량%로, 차아인산 음이온(HPO2 -)의 질량 비율을 2질량%로 조정했다. 또한, 무전해 도금액의 pH는 4.6이었다. Separately, an electroless plating solution containing nickel sulfate and hypophosphorous acid (reducing agent) was prepared. In the electroless plating solution, the mass ratio of nickel cations (Ni 2+ ) was adjusted to 2.5 mass%, and the mass ratio of hypophosphite anion (HPO 2 − ) to 2 mass%. In addition, the pH of the electroless plating solution was 4.6.
그리고, 촉매 피막이 투명 도체층의 표면에 적층된 적층판을, 70℃의 무전해 도금액에 5분간 침지했다. 이것에 의해서, 니켈 및 인을 함유하는 조성물로 이루어지는 두께 500nm의 밀착층을, 투명 도체층의 상면 전면에 (촉매 피막을 통해서) 형성했다. And the laminated board in which the catalyst film was laminated | stacked on the surface of the transparent conductor layer was immersed for 5 minutes in 70 degreeC electroless plating liquid. Thereby, the adhesion layer of thickness 500nm which consists of a composition containing nickel and phosphorus was formed (through a catalyst film) on the whole upper surface of a transparent conductor layer.
그 후, 밀착층을 1분간 수세했다. Thereafter, the adhesive layer was washed with water for 1 minute.
이어서, 저저항화층을 밀착층의 상면에 형성했다(도 1(d) 참조). Next, the low resistance layer was formed on the upper surface of the adhesion layer (see FIG. 1 (d)).
이어서, 밀착층이 형성된 적층판을, 첨가제를 함유하는 황산 구리 도금액에 침지하여, 평균 전류 밀도 1A/dm2로 1분 20초간, 전해 구리 도금했다. 이것에 의해서, 구리로 이루어지는 두께 200nm의 저저항화층을, 밀착층의 상면 전면에 형성했다. Subsequently, the laminated plate in which the adhesion layer was formed was immersed in the copper sulfate plating solution containing an additive, and it electrolytic-copper-plated for 1 minute and 20 second with the average current density of 1 A / dm <2> . Thereby, the low-resistance layer of thickness 200nm which consists of copper was formed in the whole upper surface of an adhesion layer.
그 후, 니켈 및 인을 함유하는 조성물로 이루어지는 두께 30nm의 보호층을 저저항화층의 상면에 형성했다(도 1(e) 참조). Thereafter, a protective layer having a thickness of 30 nm consisting of a composition containing nickel and phosphorus was formed on the upper surface of the low resistance layer (see FIG. 1 (e)).
저저항화층은, 밀착층의 형성에 준하여 형성했다. The low resistance layer was formed in accordance with the formation of the adhesion layer.
이것에 의해서, 광학 조정막 상에, 투명 도체층, 밀착층, 저저항화층 및 보호층이 순차적으로 적층된 투명 전극 기판을 얻었다. This obtained the transparent electrode substrate in which the transparent conductor layer, the contact bonding layer, the low resistance layer, and the protective layer were laminated | stacked sequentially on the optical adjustment film.
실시예 2∼5 및 비교예 1∼5Examples 2-5 and Comparative Examples 1-5
밀착층, 저저항화층 및 보호층의 형성 조건 등을 표 1 및 표 2의 기재에 따라서 변경한 것 이외는, 실시예 1과 마찬가지로 처리하여, 투명 전극 기판을 얻었다. The transparent electrode substrate was obtained in the same manner as in Example 1 except that the conditions for forming the adhesion layer, the low resistance layer, the protective layer, and the like were changed in accordance with Table 1 and Table 2.
실시예 1로부터의 변경점의 상세를 이하에 기재한다. The detail of the change point from Example 1 is described below.
실시예 3에 대해서는, 보호층을, 전해 니켈에 의해서 형성했다. 전해 니켈의 상세한 조건을 하기에 나타낸다. In Example 3, the protective layer was formed of electrolytic nickel. Detailed conditions of the electrolytic nickel are shown below.
전해 니켈 도금액: 황산 니켈, 염화니켈, 붕산, 첨가제로 이루어진다. Electrolytic Nickel Plating Solution: It consists of nickel sulfate, nickel chloride, boric acid and additives.
전해 조건: 0.5A/dm2 Electrolytic Condition: 0.5A / dm 2
시간: 30초간Time: 30 seconds
온도: 40℃Temperature: 40 ° C
실시예 4에 대해서는, 저저항화층을 무전해 구리 도금에 의해서 형성했다. 무전해 구리 도금의 상세한 조건을 하기에 나타낸다. In Example 4, the low resistance layer was formed by electroless copper plating. The detailed conditions of electroless copper plating are shown below.
전해 구리 도금액: 황산구리, 포르말린을 포함한다. Electrolytic Copper Plating Solution: Contains copper sulfate and formalin.
시간: 15초간Time: 15 seconds
온도 40℃Temperature 40 ° C
실시예 5 및 비교예 1에 대해서는, 보호층을 형성하지 않았다. For Example 5 and Comparative Example 1, no protective layer was formed.
비교예 1에 대해서는, 밀착층을 스퍼터링에 의해서 구리로부터 형성했다. About the comparative example 1, the contact bonding layer was formed from copper by sputtering.
비교예 3∼5에 대해서는, 황산 니켈 및 붕소를 함유하는 무전해 도금액을 이용하여, 니켈 및 붕소로 이루어지는 조성물로부터 밀착층을 형성했다. For Comparative Examples 3 to 5, an adhesion layer was formed from a composition composed of nickel and boron using an electroless plating solution containing nickel sulfate and boron.
비교예 3∼5의 각각의 피막 중 붕소 농도는, 도금액 중의 다이메틸아민보레인 농도와 황산 니켈 농도의 비, pH, 첨가제 등에 의해 조정을 적절히 실시했다. The boron concentration in each of the films of Comparative Examples 3 to 5 was appropriately adjusted by the ratio of the dimethylamine borane concentration and the nickel sulfate concentration, the pH, and the additives in the plating solution.
<화상 표시 장치의 제작><Production of image display device>
실시예 1∼5 및 비교예 1 및 5의 투명 전극 기판에 대하여, 도체층을 도체 패턴으로 가공하고(도 2(a)∼도 2(d)참조), 그 후, 상기 실시형태에 따라서, 투명 전극 기판을 터치 패널로서 이용한 액정 표시 장치를 제작했다. For the transparent electrode substrates of Examples 1 to 5 and Comparative Examples 1 and 5, the conductor layer was processed into a conductor pattern (see Figs. 2 (a) to 2 (d)), and then according to the above embodiment, The liquid crystal display device which used the transparent electrode substrate as a touch panel was produced.
<평가><Evaluation>
· 밀착력Adhesion
보호층을 형성하기 전(실시예 5에 대해서는 얻어진 투명 전극 기판)의 투명 전극 기판에 대하여, 밀착력 시험(테이프 크로스컷 시험)을 실시했다. Adhesion test (tape cross-cut test) was performed with respect to the transparent electrode board | substrate before forming a protective layer (transparent electrode board | substrate obtained in Example 5).
즉, 상기한 투명 전극 기판의 도체층의 1cm 사방의 영역에, 전후 방향 및 좌우 방향에 따르는 칼집을, 커터 나이프를 사용하여, 간격 1mm로 넣었다. 그 후, 점착 테이프를 도체층에 접착하고, 점착 테이프를 도체층으로부터 박리했을 때에, 저저항화층이 투명 도체층으로부터 박리되지 않은 것을 「○」라고 평가하고, 저저항화층이 투명 도체층으로부터 박리된 것을 「×」라고 평가했다. That is, the sheath which followed the front-back direction and the left-right direction in the 1 cm square area | region of the conductor layer of the said transparent electrode board | substrate was put in space | interval 1mm using a cutter knife. Then, when an adhesive tape is adhered to a conductor layer and the adhesive tape is peeled from a conductor layer, the thing which low resistance layer did not peel from a transparent conductor layer is evaluated as "(circle)", and a low resistance layer peels from a transparent conductor layer. What was evaluated was evaluated as "x".
· 저항치(표면 저항)Resistance value (surface resistance)
실시예 2∼5 및 비교예 1∼5의 투명 전극 기판의 도체층의 표면 저항을 저항률계(로레스타 AX MCP-370형 미쓰비시화학아날리테크제)에 의해 측정했다. The surface resistance of the conductor layer of the transparent electrode substrate of Examples 2-5 and Comparative Examples 1-5 was measured with the resistivity meter (made by Lorestar AX MCP-370 type Mitsubishi Chemical Analyst).
· 방청성(부식성)Antirust (corrosive)
실시예 1∼5 및 비교예 1∼5의 투명 전극 기판을 구비하는 화상 표시 장치를, 85℃, 85%의 항온 고습기에 500시간 투입했다. 그 후, 인출 배선에 변색 부식이 없는 것을 「○」라고 평가하고, 변색 부식이 있었던 것을 「×」라고 평가했다. The image display apparatus provided with the transparent electrode board | substrate of Examples 1-5 and Comparative Examples 1-5 was thrown into 85 degreeC and 85% of constant temperature high humidity for 500 hours. Then, the thing with no discoloration corrosion in the lead-out wiring was evaluated as "(circle)", and the thing with discoloration corrosion was evaluated as "x".
· 인 함유 비율 및 붕소 함유 비율Phosphorus content and boron content
밀착층 및 보호층에 있어서의 인 함유 비율 또는 붕소 함유 비율을, 피막을 용해시켜 ICP 측정하는 것에 의해 산출했다. The phosphorus content ratio or boron content ratio in an adhesion layer and a protective layer was computed by melt | dissolving a film and measuring ICP.
그 결과를, 밀착층란 및 보호층란에 각각 나타낸다. The results are shown in the adhesion layer column and the protective layer column, respectively.
표 중 「%」는 「질량%」인 것을 나타낸다. "%" In a table | surface shows that it is "mass%."
한편, 상기 설명은, 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공했지만, 이것은 단순한 예시에 지나지 않고, 한정적으로 해석하여서는 안 된다. 상기 기술분야의 당업자에 의해서 분명한 본 발명의 변형예는, 후기의 특허청구범위에 포함되는 것이다. In addition, although the said description was provided as embodiment of an illustration of this invention, this is only a mere illustration and it must not interpret it limitedly. Modifications of the present invention apparent to those skilled in the art are included in the following claims.
Claims (15)
상기 도체층은,
상기 절연 기판의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되는 투명 도체층과,
상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되고, 상기 도체층의 전기 저항을 저감시키는 저저항화층과,
상기 투명 도체층 및 상기 저저항화층의 사이에 개재되고, 인 함유 비율이 8질량% 이상인 밀착층을 구비하는 것을 특징으로 하는, 투명 전극 기판. An insulating substrate and a conductor layer formed on at least one side of the insulating substrate in a thickness direction;
Wherein the conductor layer comprises:
A transparent conductor layer formed on one side of the insulating substrate in the thickness direction;
A low resistance layer formed on one side of the thickness direction of the transparent conductor layer to reduce electrical resistance of the conductor layer;
A transparent electrode substrate, which is interposed between the transparent conductor layer and the low resistance layer, and has an adhesion layer having a phosphorus content ratio of 8% by mass or more.
상기 투명 도체층이 인듐 주석 산화물로부터 형성되고,
상기 저저항화층이, 구리, 은 및 금으로 이루어지는 군으로부터 선택되는 1종 이상의 금속으로부터 형성되며,
상기 밀착층이, 니켈 및 인을 함유하는 조성물로부터 형성되는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판. The method of claim 1,
The transparent conductor layer is formed from indium tin oxide,
The low resistance layer is formed from at least one metal selected from the group consisting of copper, silver and gold,
The adhesion layer is formed from a composition containing nickel and phosphorus.
상기 도체층이, 상기 저저항화층의 상기 두께 방향 한쪽면에, 용이에칭 재료로부터 형성되는 보호층을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판. The method of claim 1,
The transparent electrode substrate, wherein the conductor layer further includes a protective layer formed from an easy etching material on one side of the thickness direction of the low resistance layer.
상기 용이에칭 재료가, 니켈, 주석 및 니켈 구리 합금으로부터 선택되는 1종 이상의 금속인 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판. The method of claim 3, wherein
The easy-etching material is at least one metal selected from nickel, tin and nickel copper alloys.
상기 투명 도체층은, 상기 절연 기판의 상기 두께 방향 한쪽측 전면에 형성되고,
상기 밀착층은, 상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽면 전면에 형성되며,
상기 저저항화층은, 상기 밀착층의 상기 두께 방향 한쪽면 전면에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판. The method of claim 1,
The said transparent conductor layer is formed in the whole surface in the said thickness direction one side of the said insulated substrate,
The adhesion layer is formed on the entire surface of the thickness direction one side of the transparent conductor layer,
The low resistance layer is formed on an entire surface of the one side in the thickness direction of the adhesion layer.
상기 도체층은, 상기 절연 기판에 있어서, 도체 패턴으로서 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판. The method of claim 1,
The said conductor layer is formed as a conductor pattern in the said insulated substrate, The transparent electrode substrate characterized by the above-mentioned.
상기 도체 패턴은,
상기 도체층으로 이루어지는 인출 배선과,
상기 인출 배선에 연속하여 형성되고, 상기 투명 도체층으로 이루어지는 투명 전극을 구비하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판. The method according to claim 6,
The conductor pattern is,
A lead wire formed of the conductor layer;
A transparent electrode substrate, formed in succession to said lead-out wiring, comprising a transparent electrode made of said transparent conductor layer.
밀착층을, 상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽면에, 상기 밀착층에 있어서의 인 함유 비율이 8질량% 이상이 되도록 적층하는 밀착층 적층 공정, 및
저저항화층을, 상기 밀착층의 상기 두께 방향 한쪽면에 적층하는 저저항화 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는, 투명 전극 기판의 제조방법. A preparatory step of preparing a laminated plate having an insulated substrate and a transparent conductor layer laminated on at least one side in the thickness direction of the insulated substrate,
An adhesion layer lamination step of laminating an adhesion layer on one side of the thickness direction of the transparent conductor layer so that the phosphorus content ratio in the adhesion layer is 8% by mass or more, and
A low-resistance step of laminating a low-resistance layer on one side in the thickness direction of the adhesion layer is provided. The method of manufacturing a transparent electrode substrate.
상기 저저항화 공정 후에, 상기 투명 도체층과 상기 밀착층과 상기 저저항화층을 구비하는 도체층을 에칭하여 도체 패턴을 형성하는 패터닝 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조방법. The method of claim 8,
And a patterning step of etching the conductor layer including the transparent conductor layer, the adhesion layer, and the low resistance layer after the low resistance step to form a conductor pattern. .
상기 도체 패턴의 일부로부터 상기 저저항화층 및 상기 밀착층을 제거하는 것에 의해, 상기 투명 도체층으로부터 투명 전극을 형성함과 더불어, 상기 도체 패턴의 잔부에 대응하는 상기 도체층을 인출 배선으로 하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조방법. The method of claim 9,
Removing the low resistance layer and the adhesion layer from a part of the conductor pattern to form a transparent electrode from the transparent conductor layer and to use the conductor layer corresponding to the remainder of the conductor pattern as lead wires; Method for producing a transparent electrode substrate characterized in that it further comprises.
용이에칭 재료로 이루어지는 보호층을, 상기 저저항화층의 상기 두께 방향 한쪽면에 적층하는 공정을 추가로 구비하고,
상기 패터닝 공정에서는, 상기 투명 도체층과 상기 밀착층과 상기 저저항화층과 보호층을 구비하는 도체층을 에칭하여 도체 패턴을 형성하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조방법. The method of claim 9,
A step of laminating a protective layer made of an easy etching material on one side of the thickness direction of the low resistance layer is further provided.
In the patterning step, a conductor pattern comprising the transparent conductor layer, the adhesion layer, the low resistance layer and the protective layer is etched to form a conductor pattern.
상기 도체 패턴의 일부로부터 상기 보호층, 상기 저저항화층 및 상기 밀착층을 제거하는 것에 의해, 상기 투명 도체층으로부터 투명 전극을 형성함과 더불어, 상기 도체 패턴의 잔부에 대응하는 상기 도체층을 인출 배선으로 하는 공정을 추가로 구비하는 것을 특징으로 하는 투명 전극 기판의 제조방법. The method of claim 11,
By removing the protective layer, the low resistance layer and the adhesion layer from a part of the conductor pattern, a transparent electrode is formed from the transparent conductor layer and the conductor layer corresponding to the remainder of the conductor pattern is drawn out. A process for producing a transparent electrode substrate, further comprising a step of forming a wiring.
상기 투명 전극 기판은,
절연 기판과, 상기 절연 기판의 적어도 두께 방향 한쪽측에 형성되는 도체층을 구비하며,
상기 도체층은,
상기 절연 기판의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되는 투명 도체층과,
상기 투명 도체층의 상기 두께 방향 한쪽측에 형성되고, 상기 도체층의 전기 저항을 저감시키는 저저항화층과,
상기 투명 도체층 및 상기 저저항화층의 사이에 개재되고, 인 함유 비율이 8질량% 이상인 밀착층을 구비하는 것을 특징으로 하는, 화상 표시 장치. A transparent electrode substrate,
The transparent electrode substrate,
An insulating substrate and a conductor layer formed on at least one side in the thickness direction of the insulating substrate,
Wherein the conductor layer comprises:
A transparent conductor layer formed on one side of the insulating substrate in the thickness direction;
A low resistance layer formed on one side of the thickness direction of the transparent conductor layer to reduce electrical resistance of the conductor layer;
An image display device, comprising an adhesion layer interposed between the transparent conductor layer and the low resistance layer and having a phosphorus content ratio of 8% by mass or more.
상기 투명 전극 기판이 터치 패널인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치. 14. The method of claim 13,
And the transparent electrode substrate is a touch panel.
액정 표시 장치인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.14. The method of claim 13,
It is a liquid crystal display device, The image display apparatus characterized by the above-mentioned.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2012195418A JP2014052435A (en) | 2012-09-05 | 2012-09-05 | Transparent electrode substrate, method of producing the same, and image display device |
JPJP-P-2012-195418 | 2012-09-05 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20140031809A true KR20140031809A (en) | 2014-03-13 |
Family
ID=50315175
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020130105966A KR20140031809A (en) | 2012-09-05 | 2013-09-04 | Transparent electrode substrate, method for producing same and image display device |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2014052435A (en) |
KR (1) | KR20140031809A (en) |
CN (1) | CN103677396A (en) |
TW (1) | TW201411449A (en) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP6560208B2 (en) * | 2014-06-24 | 2019-08-14 | 株式会社Vtsタッチセンサー | Touch sensor substrate, touch panel, display device, and method of manufacturing touch sensor substrate |
JP2023093144A (en) * | 2021-12-22 | 2023-07-04 | 田中貴金属工業株式会社 | Conductive laminate and manufacturing method thereof |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06148661A (en) * | 1992-11-12 | 1994-05-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Production of substrate for display device |
JP2009099533A (en) * | 2007-09-25 | 2009-05-07 | Hitachi Maxell Ltd | Heat radiating member, reflecting member, and illumination unit |
CN101930804A (en) * | 2008-12-01 | 2010-12-29 | 日立电线株式会社 | Surface-treated metal material and manufacturing method of the same |
JP5913809B2 (en) * | 2011-01-05 | 2016-04-27 | リンテック株式会社 | Transparent electrode substrate, method for producing the same, electronic device having the transparent electrode substrate, and solar cell |
-
2012
- 2012-09-05 JP JP2012195418A patent/JP2014052435A/en active Pending
-
2013
- 2013-09-03 TW TW102131697A patent/TW201411449A/en unknown
- 2013-09-04 KR KR1020130105966A patent/KR20140031809A/en not_active Application Discontinuation
- 2013-09-05 CN CN201310400043.4A patent/CN103677396A/en active Pending
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN103677396A (en) | 2014-03-26 |
JP2014052435A (en) | 2014-03-20 |
TW201411449A (en) | 2014-03-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
WITN | Withdrawal due to no request for examination |