KR20140026471A

KR20140026471A - 면외 이격체로 형성된 전극

Info

Publication number: KR20140026471A
Application number: KR1020137029831A
Authority: KR
Inventors: 앤드류 비. 그래함; 개리 야마; 개리 오브라이언
Original assignee: 로베르트 보쉬 게엠베하
Priority date: 2011-04-14
Filing date: 2012-04-13
Publication date: 2014-03-05
Also published as: EP2697159A1; US20120261822A1; US20140197713A1; CN103648967A; JP5913564B2; SG194478A1; US8673756B2; US9242850B2; KR101892776B1; WO2012142368A1; CN103648967B; EP2697159B1; JP2014517912A

Abstract

하나의 실시예에서, 면외 전극을 형성하는 방법이 장치 층의 상부 표면 위에 산화물 층을 제공하는 단계, 상기 산화물 층의 상부 표면 위에 제 1 캡 층 부분을 제공하는 단계, 상기 제 1 캡 층 부분을 통해서 연장하고 그리고 상기 산화물 층에서 중단되는 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 에칭 단계, 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 내에 제 1 재료 부분을 침착하는 단계, 상기 침착된 제 1 재료 부분 위에 제 2 캡 층 부분을 침착하는 단계, 상기 산화물 층의 부분을 증기 방출하는 단계, 상기 제 2 캡 층 부분 위에 제 3 캡 층 부분을 침착하는 단계, 상기 제 2 캡 층 부분과 상기 제 3 캡 층 부분을 통해서 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계, 및 제 1 재료 부분 및 제 2 재료 부분을 포함하는 이격부재가 면외 전극을 형성하도록 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 내에 제 2 재료 부분을 침착하는 단계를 포함한다.

Description

면외 이격체로 형성된 전극{OUTOFPLANE SPACER DEFINED ELECTRODE}

본원은 2011년 4월 14일자로 출원된 미국 가출원 제 61/475,461 호의 이익 향유를 주장한다.

본원 발명은 미세전자기계 시스템(MEMS) 장치들 또는 반도체 장치들에서 이용되는 것과 같은 웨이퍼들 및 기판들에 관한 것이다.

정전기적 MEMS 공진기들은, 보다 작은 크기, 보다 낮은 전력 소비 및 저비용의 실리콘 제조 잠재력으로 인해서, 통상적인 석영 결정 공진기들을 대체하기 위한 유망한 기술적 후보이다. 그러나, 그러한 장치들은 전형적으로 수용할 수 없는 큰 동적 임피던스(motional-impedance)(Rx)가 문제가 된다. 면외 방향으로 동작하는 즉, 장치가 형성되는 기판에 의해서 규정된 평면에 대해서 수직인 방향으로 동작하는 MEMS 장치들은 상단부 및 하단부 표면들 상의 큰 변환(transduction) 면적들이라는 장점을 가지고, 결과적으로 동적-임피던스의 감소를 초래한다. 결과적으로, 면외 장치들은 점점 더 관심을 받고 있으며, 결과적으로 디지털 마이크로-미러 장치들 및 간섭 변조기들(modulators)과 같은 분야들에서 상당한 진보를 초래하였다.

Rx에 영향을 미치는 인자들을 고려할 때 면외 전극들의 잠재적인 장점이 분명해진다. Rx를 기술하는 방정식은 다음과 같으며:

여기에서, "c_r"은 공진기의 유효 댐핑 상수이고,

"η"는 변환 효율이고,

"g"는 전극들 사이의 갭이며,

"A"는 변환 면적이고, 그리고

"V"는 바이어스 전압이다.

면내 장치들에서, "A"는 HxL로서 규정되고, "H"는 면내(in-plane) 성분이고 "L"은 면내 성분의 길이이다. 그에 따라, η는 H/g의 함수이고 그리고 H/g는, 전형적으로 약 20:1 로 제한되는 에칭 종횡비에 의해서 한정된다. 그러나, 면외 장치들에서, "A"는 LxW로서 규정되고, "W"는 장치의 폭이다. 따라서, "η"는 면외 장치의 높이의 함수가 되지 않는다. 그 대신에, η는 (LxW)/g의 함수가 된다. 따라서, 장치의 희망하는 풋프린트(footprint)가 변환 효율의 주요 인자가 된다. 그에 따라, 면외 장치들은 면내 장치들에 대비하여 상당히 큰 변환 효율을 달성할 수 있는 능력을 가진다.

통상적으로, 면외 전극들은 충분히(fully) 이용되지 않고 있는데, 이는 그러한 장치를 신뢰가능하게 제조하는 것이 어렵기 때문이다. 예를 들어, 면외 전극들이 패키징 프로세스 중에 쉽게 손상되기 때문에, 면외 장치들을 패키징하는 것이 곤란하다. 면외 전극들을 포함하는 MEMS 공진기들이 특히 난관이 되는데, 이는 그러한 장치들이 진공 캡슐화(encapsulation) 프로세스를 필요로 하기 때문이다.

그에 따라, 면외 전극을 가지는 단순하고 신뢰가능한 장치 및 그러한 장치의 제조 방법이 요구되고 있다. 캡슐화된 진공으로 용이하게 제조될 수 있는 면외 전극을 포함하는 장치가 더욱 유리할 것이다.

하나의 실시예에서, 면외 전극을 형성하는 방법이 장치 층의 상부 표면 위에 산화물 층을 제공하는 단계, 상기 산화물 층의 상부 표면 위에 제 1 캡 층 부분을 제공하는 단계, 상기 제 1 캡 층 부분을 통해서 연장하고 그리고 상기 산화물 층에서 중단되는 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부(perimeter) 에칭 단계, 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 내에 제 1 재료 부분을 침착(depositing)하는 단계, 상기 침착된 제 1 재료 부분 위에 제 2 캡 층 부분을 침착하는 단계, 상기 산화물 층의 부분을 증기 방출하는 단계(vapor releasing), 상기 제 2 캡 층 부분 위에 제 3 캡 층 부분을 침착하는 단계, 상기 제 2 캡 층 부분과 상기 제 3 캡 층 부분을 통해서 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계, 및 제 1 재료 부분 및 제 2 재료 부분을 포함하는 이격부재가 면외 전극의 주변부를 형성하도록, 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 내에 제 2 재료 부분을 침착하는 단계를 포함한다.

추가적인 실시예에서, 면외 전극을 가지는 장치가 핸들 층 위에 배치된 장치 층, 상기 장치 층의 상부 표면으로부터 이격된 제 1 캡 층 부분을 가지는 캡 층, 그리고 이격부재에 의해서 상기 제 1 캡 층 부분 내에 형성되는 면외 전극을 포함한다.

또 다른 실시예에서, 면외 전극을 형성하는 방법은 장치 층의 상부 표면 위에 산화물 층을 제공하는 단계, 상기 산화물 층의 상부 표면 위에 제 1 캡 층 부분을 에피텍셜 침착하는 단계, 상기 제 1 캡 층 부분을 통해서 연장하고 그리고 상기 산화물 층에서 중단되는 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 에칭 단계, 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 내에 제 1 절연 재료 부분을 침착하는 단계, 상기 침착된 제 1 재료 부분 위에 제 2 캡 층 부분을 에피텍셜 침착하는 단계, 상기 산화물 층의 부분에서 HF 증기 에칭 방출(etch release)을 실시하는 단계, 상기 제 2 캡 층 부분 위에 제 3 캡 층 부분을 에피텍셜 침착하는 단계, 상기 제 2 캡 층 부분과 상기 제 3 캡 층 부분을 통해서 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계, 및 제 1 재료 부분 및 제 2 재료 부분을 포함하는 이격부재가 면외 전극의 주변부를 형성하도록, 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 내에 제 2 절연 재료 부분을 침착하는 단계를 포함한다.

도 1은 면외 전극을 형성하는 이격부재를 포함하는 센서 장치를 도시한 도면으로서, 상기 이격부재가 발명의 원리에 따라서 2개의 트렌치 부분들 및 가스켓 부분을 포함하는 것을 도시한 측방향 횡단면도이다.
도 2는 면내-전극을 형성하기 위해서 에칭된 장치 층을 가지는 웨이퍼의 측방향 횡단면도이다.
도 3은 도 2의 웨이퍼의 평면도이다.
도 4는 도 2의 웨이퍼를 도시한 도면으로서, 장치 층 위에 형성된 산화물 층 및 산화물 재료로 충진된 트렌치들을 함께 도시한 도면이다.
도 5는 도 4의 웨이퍼의 평면도이다.
도 6은 장치 층의 접촉 부분 위의 산화물 층 내에서 에칭된 개구부와 함께 도 4의 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 7은 도 6의 웨이퍼의 평면도이다.
도 8은 산화물 층 위에 형성된 제 1 캡 층 부분 및 산화물 층 내에 형성된 트렌치들과 함께 도시한 도 6의 웨이퍼의 도면이다.
도 9는 도 8의 웨이퍼의 평면도이다.
도 10은 제 1 캡 층 부분 위에 층을 형성하는 절연 재료로 충진된 트렌치들, 및 상기 절연 층 위에 형성된 에칭 중단 층과 함께 도 8의 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 11은 도 10의 웨이퍼의 평면도이다.
도 12는, 절연 층 및 에칭 중단 층을 에칭하여 면외 전극을 위한 가스켓들 및 장치 층 접촉을 형성한 후의, 도 10의 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 13은 도 12의 웨이퍼의 평면도이다.
도 14는, 제 2 캡 층 부분이 제 1 캡 층 부분 및 가스켓들 위에 침착되고, 그리고 제 2 캡 층 부분이 평탄화된 후의, 도 12의 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 15는 도 14의 웨이퍼의 평면도이다.
도 16은, 증기 에칭 벤트(vent) 홀들이 제 1 캡 층 부분 및 제 2 캡 층 부분을 통해서 에칭되고, 그리고 산화물 층의 부분, 장치 층 내의 산화물 재료, 및 매립된(buried) 산화물 층의 부분이 에칭되고, 그에 따라 면내 전극을 전기적으로 절연시키고 그리고 면내 전극 위의 제 1 캡 층 부분을 방출한 후의, 도 14의 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 17은 도 16의 웨이퍼의 평면도이다.
도 18은, 증기 에칭 벤트 홀들이 제 3 캡 층 부분에 의해서 밀봉된 후의, 도 16의 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 19는 도 18의 웨이퍼의 평면도이다.
도 20은 제 3 캡 층 부분 및 제 2 캡 층 부분을 통해서 가스켓들의 상부 표면들까지 형성된 트렌치들과 함께 도 18의 웨이퍼를 도시한다.
도 21은 도 20의 웨이퍼의 평면도이다.
도 22는 트렌치들 내에 그리고 제 3 캡 층 부분의 상부 표면을 따라서 침착된 절연 재료, 그리고 캡 층의 접촉 부분을 노출시키기 위해서 상기 절연 재료를 통해서 에칭된 접촉 개구부와 함께 도 20의 웨이퍼를 도시한 도면이다.
도 23은 도 22의 웨이퍼의 평면도이다.
도 24는 캡 층 부분을 통해서 산화물 층까지 연장하는 트렌치들 그리고 캡 층 부분 및 산화물 층을 통해서 장치 층의 상부 표면까지 연장하는 트렌치들을 형성하는 전극을 포함하는 웨이퍼의 측방향 횡단면도이다.
도 25는, 트렌치들을 형성하는 전극을 충진하는 질화물 트렌치 부분들, 에칭 중단 트렌치들을 충진하는 질화물 에칭 중단 부분들, 질화물 트렌치 부분들 및 질화물 에칭 중단 부분들 위에 형성된 가스켓들, 및 캡 층을 통해서 연장하는 에칭 벤트 홀들과 함께 도 24의 웨이퍼를 도시한 도면으로서, 상기 산화물 층의 에칭이 질화물 에칭 중단 부분들에 의해서 한정되는 것을 도시한, 측방향 횡단면도이다.
도 26-38은, 장치 층 및 캡 층으로부터 절연되는 한편, 장치의 핸들 층까지 연장하는 장치의 상부 표면 상에 전기 접촉을 제공하기 위해서 프로세싱되는 바에 따른 웨이퍼를 도시한 도면으로서, 상기 장치 층과 캡 층 사이의 산화물 층의 에칭이 질화물 에칭 중단 부분들에 의해서 한정되는 것을 도시한, 측방향 횡단면도들이다.
도 39는 도 26-38에 대해서 설명된 것과 실질적으로 동일한 프로세스를 이용하여 제조될 수 있는 프루프 매스(proof mass)를 가지는 MEMS 장치를 도시한 도면으로서, 상기 장치가 프루프 매스의 대향 측부들 상의 장치 층 내의 2개의 전기 절연된 접촉들을 포함하고 선택적으로 면외 전극을 포함하는 것을 도시한, 측방향 횡단면도이다.
도 40은 도 26-38에 대해서 설명된 것과 실질적으로 동일한 프로세스를 이용하여 제조될 수 있는 프루프 매스(proof mass)를 가지는 MEMS 장치를, 선택적인 면외 전극 및 프루프 매스의 대향 측부들 상의 장치 층 내의 2개의 전기 절연된 접촉들과 함께 도시한 도면으로서, 상기 장치 층과 핸들 층 사이의 매립된 산화물 층의 에칭이 질화물 에칭 중단 부분들에 의해서 한정되는 것을 도시한, 측방향 횡단면도이다.
도 41-62는 도 40의 장치를 형성하기 위해서 웨이퍼가 프로세싱되는 바에 따라 웨이퍼를 도시한 측방향 횡단면도들이다.

발명의 원리들의 이해를 촉진하기 위한 목적으로, 첨부 도면들에 도시되고 이하에 기술된 명세서에서 설명된 실시예들을 참조할 것이다. 그러한 참조에 의해서 발명의 범위가 제한되지 않는다는 것을 이해할 수 있을 것이다. 본원 발명이 설명된 실시예들에 대한 임의의 변형예들 및 수정예들을 포함하고 그리고 본원 발명과 관련된 당업자가 정상적으로 이해할 수 있는 발명들의 원리들의 추가적인 적용예들도 포함한다는 것을 이해할 수 있을 것이다.

도 1은 핸들 층(102), 매립된 산화물 층(104), 및 장치 층(106)을 포함하는 압력 센서(100)를 도시한다. 산화물 층(108)은 장치 층(106)을 캡 층(110)으로부터 분리시킨다. 부동태 층(112)이 상기 캡 층(110)의 위에 위치된다.

장치 층(106) 내에서, 면내 전극(114)이 2개의 에칭 부분들(116 및 118)에 의해서 형성된다. 면내 전극(114)은 산화물 층(108)의 에칭된 부분(120)에 의해서 캡 층(110)으로부터 격리된다. 에칭된 부분들(116, 118, 및 120)이 벤트 홀들(122)을 통해서 에칭되고, 상기 벤트 홀들은 캡 층(110)에 의해서 폐쇄된다.

면외 전극(124)이 상기 면내 전극(114) 위에 위치되고 그리고 에칭된 부분(120)에 의해서 상기 면내 전극(114)으로부터 전기적으로 격리된다. 면외 전극(124)이 2개의 이격부재들(126 및 128)에 의해서 캡 층(110)의 나머지로부터 격리된다. 이격부재들(126 및 128)은 에칭된 부분(120)으로부터 상향 연장하는 하부 질화물 부분(130), 및 질화물 부분(130)으로부터 캡 층(110)의 상부 표면까지 연장하는 상부 산화물 부분(132)을 포함한다.

이격부재들(126 및 128)과 같이 형성되는 이격부재들(134 및 136)이 캡 층(110) 내의 커넥터(138)를 캡 층(110)의 나머지로부터 전기적으로 격리시킨다. 커넥터(138)가 장치 층(106) 내의 커넥터(140)와 전기적으로 소통한다. 커넥터(140)는, 이하에서 보다 구체적으로 설명하는 바와 같이, 면내 전극(114)과 전기적으로 소통하고, 그리고 격리 포스트들(142 및 144)에 의해서 장치 층(106)의 나머지로부터 격리된다. 격리 포스트들(142 및 144)은 매립된 산화물 층(104)으로부터 산화물 층(108)까지 연장한다. 본드 패드 또는 트레이스(trace)(146)가 부동태 층(112) 위에 위치되고 커넥터(138)와 전기적으로 소통한다.

압력 센서(100)와 같은 센서를 형성하기 위한 프로세스에 대해서 도 2-23을 참조하여 설명한다. 도 2 및 3을 먼저 참조하면, 핸들 층(202), 매립된 산화물 층(204), 및 장치 층(206)을 포함하는 SOI 웨이퍼(200)가 초기에 에칭되어 면내 전극(208) 및 면내 전극(208)을 위한 하부 접촉 부분(210)을 형성한다. 커넥터(212)가 면내 전극(208)과 하부 접촉 부분(210) 사이에서 에칭된다. 면내 전극(208)이 트렌치 부분(214)에 의해서 형성되는 한편, 하부 접촉 부분(210)은 트렌치 부분(216)에 의해서 형성되고 그리고 커넥터(212)는 트렌치 부분(218)에 의해서 형성된다. 원하는 경우에, 구조적 또는 핸들 층(202)이 압력 화학적 증기 침착(LPCVD) 또는 에피(epi)-폴리실리콘 층이 될 수 있을 것이다.

이어서, 도 4 및 5에 도시된 바와 같이, 트렌치 부분들(214, 216, 및 218)이 등각적인(conformal) 산화물 침착을 이용하여 트렌치 산화물 부분(220)으로 충진된다. 산화물 침착은 장치 층(206)의 상부 표면 상에 산화물 층(222)을 추가적으로 초래한다. 산화물 층(222)의 두께는 이하에서 보다 구체적으로 설명하는 바와 같이 2개의 전극들 사이의 갭을 셋팅한다. 산화물 층(222)은 화학적 기계적 폴리싱(CMP)와 같은 임의의 희망하는 기술에 의해서 평탄화될 수 있을 것이다.

도 6 및 7을 참조하면, 이어서 접촉 개구부(224)가 산화물 층(222)을 통해서 에칭되어 하부 접촉 부분(210)의 상부 표면을 노출시킨다. 도 8 및 9에 도시된 바와 같이, 에피-폴리 침착은 접촉 개구부(224)를 에피-폴리의 하부 중간 접촉 부분(226)으로 충진하는 한편 산화물 층(222) 위에 하부 캡 층 부분(228)을 침착시킨다. 그에 따라, 하부 중간 접촉 부분(226)이 하부 접촉 부분(210)의 상부 표면으로부터 하부 캡 층 부분(228)의 상부 표면까지 연장한다. 대안적인 실시예에서, 하부 캡 층 부분(228)은, 본딩된 웨이퍼의 벌크(bulk)를 분리시키기 위해서 연마/폴리싱 또는 SmartCut 기술이 후속되는 융합(fusion) 본딩 프로세스를 이용하여 형성된, 단결정 실리콘일 수 있을 것이다. 이러한 대안적인 실시예에서, 전기 접촉들은 융합 후에 형성되어야 한다. 추가적인 실시예에서, 폴리싱된 폴리실리콘 장치 층이 이용될 수 있을 것이다.

도 8 및 9는 하부 캡 층 부분(228)의 CMP 후에 에칭될 수 있는 트렌치들(230 및 232)을 추가적으로 도시한다. 트렌치(230)가 하부 캡 층 부분(228)의 상부 표면으로부터 산화물 층(222)의 상부 표면까지 연장하여 하부 중간 접촉 부분(226)을 형성한다. 트렌치(232)는 하부 면외 전극 부분(236)을 형성하는 트렌치 부분(234), 커넥터(240)를 형성하는 트렌치 부분(238), 및 하부 면외 전극 부분(236)을 위한 하부 접촉 부분(244)을 형성하는 트렌치 부분(242)을 포함한다.

이어서, 도 10 및 11에 도시된 바와 같이, 저응력(low stress) 질화물을 이용하여 트렌치 질화물 부분들(250 및 252)로 트렌치들(230 및 232)을 충진하는 한편, 저응력 질화물 층(254)이 하부 캡 층 부분(228)의 상부 표면 상에 침착된다. 얇은 산화물 층(256)이 저응력 질화물 층(254)의 상부 표면 상에 제공된다. 얇은 산화물 층(256) 및 질화물 층(254)이 이어서 패터닝되고 그리고 에칭되어, 도 12 및 13의 구성을 초래한다. 도 12 및 13에서, 산화물 층(256)의 나머지(258) 및 질화물 층(254)의 나머지(260)가 이하에서 보다 구체적으로 설명하는 면외 전극을 위한 가스켓(262)을 형성한다. 산화물 층(256)의 나머지(264) 및 질화물 층(254)의 나머지(266)는 면내 전극(208)의 접촉을 위한 가스켓(268)을 형성한다. 형성되는 성분들에 대한 희망 격리 특성들을 제공하도록, 횡단면에서 볼 때의, 가스켓들(262 및 268)의 측방향 범위가 선택될 수 있을 것이다.

이어서, 얇은 에피-폴리 침착 층(270)이 하부 캡 부분(228)의 상부 표면 및 가스켓들(262 및 268)의 상부 표면 상에 형성되어 중간 캡 층 부분(272)을 형성한다(도 14 및 15 참조). 에피-폴리 침착 층이 [Candler et al., "Long-Term and Accelerated Life Testing of a Novel Single-Wafer Vacuum Encapsulation for MEMS Resonators", Journal of Microelectricalmechanical Systems, vol. 15, no. 6, December 2006]에 개시된 방식으로 침착될 수 있을 것이다. 희망하는 경우에, 중간 캡 층 부분(272)이 평탄화될 수 있을 것이다.

도 16 및 17을 참조하면, 벤트 홀들(274)이 형성된 후에, HF 증기 에칭 방출이 실시되고, 그러한 방출은 중간 캡 층 부분(272)을 면내 전극(208)으로부터 방출시킨다. 그에 따라, 면내 전극(208)의 상부 표면과 중간 캡 층 부분(272)의 하부 표면 사이의 산화물 층(222)의 에칭된 부분이 면내 전극(208)과 면외 전극이 될 하부 표면 사이에 갭을 셋팅한다. 이어서, 청정한(clean) 고온 밀봉이 에피 반응기 내에서 실시되어 벤트 홀들(274)을 밀봉한다. 그 대신에, 벤트 홀들(274)이 산화물, 질화물, 실리콘 이동(migration) 등을 이용하여 밀봉될 수 있을 것이다. 결과적인 구성이 도 18 및 19에 도시되어 있으며, 여기에서 층 부분(276)이 중간 캡 층 부분(272) 위에 형성된다.

이어서, 트렌치(280) 및 트렌치(282)가 도 20 및 21에 도시된 바와 같이 에칭된다. 트렌치(280)가 하부 층(276)의 상부 표면으로부터 가스켓(262)의 상부 표면까지 연장하고, 상기 가스켓은 에칭 중단부로서 작용한다. 트렌치(282)가 층 부분(276)의 상부 표면으로부터 에칭 중단부로서 작용하는 가스켓(268)의 상부 표면까지 연장한다. 도 22-23에 도시된 바와 같이, 산화물, 질화물 등이 될 수 있는 부동태 층(284)이 이어서 층 부분(276)의 상부 표면 상에 침착된다. 침착된 부동태 재료가 또한 부동태 부분들(286 및 288)로 트렌치들(280 및 282)을 충진한다. 그에 따라, 부동태 부분(286), 가스켓(262), 및 트렌치 질화물 부분(250)이 면외 전극(290)을 규정하는 이격부재를 형성한다.

이어서 부동태 층(284)을 에칭하여 개구부들(292 및 294)을 생성한다. 이어서, 금속 층이 부동태 층(284) 상으로 침착될 수 있고, 본드 패드들 또는 트레이스들을 생성하도록 에칭될 수 있으며, 결과적으로 도 1의 압력 센서(100)의 구성과 같은 구성을 초래한다. 원하는 경우에, 압전저항들(piezoresistors)이 또한 부동태 층(284) 상에 침착될 수 있을 것이다.

부가적인 특징들을 제공하기 위해서 전술한 프로세스가 수많은 방식들로 수정될 수 있을 것이다. 예로서, 도 24는 도 8의 웨이퍼(200)와 대략적으로 동일한 프로세스 단계에서 웨이퍼(300)를 도시한다. 웨이퍼(300)는 핸들 층(302), 매립된 산화물 층(304), 및 장치 층(306), 산화물 층(308), 및 하부 중간 캡 층 부분(310)을 포함한다. 도 24는 면외 전극 부분(316)을 하부 중간 캡 층 부분(310)의 나머지로부터 격리시키기 위해서 이용되는 전극 격리 트렌치들(312 및 314)을 추가적으로 도시한다. 웨이퍼(300)는 방출 중단 트렌치들(318 및 320)을 더 포함한다. 트렌치들(312 및 314)이 형성된 후에 산화물 층(308)을 통해서 에칭함으로써 트렌치들(318 및 320)이 형성된다. 트렌치들(318 및 320)을 이용하여 시간-독립적인 캡 풋프린트를 제공한다.

예로서, 도 25는 하부 중간 캡 층 부분(310)의 방출 후의 웨이퍼(300)를 도시한다. 도 25에서, 실리콘 부화(rich) 질화물을 침착시키고 그리고 에칭하여 방출 중단 질화물 부분들(322 및 324) 및 전극 격리 질화물 부분들(326 및 328)을 형성하였다. 부가적으로, 벤트 홀들(330)이 하부 중간 캡 층 부분(310)을 통해서 에칭되었고, 그리고 산화물 층(308)의 부분이 에칭되었다. 전술한 단계들은 도 10-17에 대해서 설명한 유사한 단계들과 실질적으로 동일한 방식으로 달성된다.

그러나, 웨이퍼(200)와 웨이퍼(300) 사이의 주요 차이점은, 산화물 층(308) 내에 형성된 방출 중단 질화물 부분들(322 및 324)이 에칭 중단부로서 기능한다는 것이다. 따라서, 산화물 층(308)의 에칭이 방출 중단 질화물 부분들(322 및 324)에 일단 도달하면, 매립된 산화물 층(304)이 계속적으로 에칭되더라도, 산화물 층(308)의 추가적인 에칭은 발생되지 않게 된다. 그에 따라, 웨이퍼(200)에서 하부 캡 층 부분(228)을 장치 층(206)으로부터 방출하기 위해서 에칭되는 산화물 층(222)의 면적이 벤트 홀들(274)의 배치(positioning)(도 16-17 참조) 및 상대적으로 제어되지 않은 에칭 프로세스의 함수인 반면, 웨이퍼(300)는 하부 중간 캡 층 부분(310)의 방출된 부분에 대한 정밀한 풋프린트를 제공하는 방출 중단 질화물 부분들(322 및 324)을 포함한다.

도 2-23을 참조하여 설명된 프로세스의 추가적인 수정이 도 26-37에 도시되어 있다. 도 26은 도 6 내의 웨이퍼(200)와 대략적으로 동일한 프로세스에서 웨이퍼(350)를 도시한다. 웨이퍼(350)는 핸들 층(352), 매립된 산화물 층(354), 장치 층(356), 및 산화물 층(358)을 포함한다. 그러나, 산화물 층(358), 장치 층(356), 및 매립된 산화물 층(354)을 통해서 트렌치(360)를 완전히 에칭함으로써, 기판 전기 접촉을 제공하도록 웨이퍼(300)가 수정된다. 이어서, 하부 캡 층 부분(362)(도 27 참조)의 형성이, 핸들 층(352)까지 연장하는 에피-폴리 접촉 부분(364)을 추가적으로 형성한다. CMP가 하부 캡 층 부분(362)에서 실시될 수 있을 것이다.

이어서, 도 28에 도시된 바와 같이, 방출 중단 트렌치들(366 및 368)이 하부 캡 층 부분(362) 및 산화물 층(358)을 통해서 에칭되고, 전극 격리 트렌치들(370 및 372) 및 접촉 격리 트렌치들(374 및 376)의 에칭이 후속된다(도 29 참조). 격리 트렌치들(370, 372, 374, 및 376)이 하부 캡 층 부분(362)을 통해서만 연장한다.

이어서, 도 30에 도시된 바와 같이, 저응력 질화물을 이용하여 방출 중단 질화물 부분들(378 및 380), 전극 격리 질화물 부분들(382 및 384), 및 접촉 격리 부분들(368 및 388)로 트렌치들(366, 368, 370, 372, 374, 및 376)을 충진하는 한편, 저응력 질화물 층(390)이 하부 캡 층 부분(362)의 상부 표면 상에 침착된다. 얇은 산화물 층(392)이 저응력 질화물 층(390)의 상부 표면 상에 제공된다(도 31). 이어서, 얇은 산화물 층(392) 및 질화물 층(390)이 패터닝되고 에칭되어, 결과적으로 도 32의 구성을 초래한다. 도 32는 전극 가스켓(394), 접촉 가스켓(396), 및 에칭 중단 가스켓(398)을 도시한다.

이어서, 얇은 에피-폴리 침착 층(410)이 하부 캡 부분(362)의 상부 표면 및 가스켓들(394, 396, 및 398)의 상부 표면 상에 형성되어, 중간 캡 층 부분(412)을 형성한다. 희망하는 경우에, 중간 캡 층 부분(412)이 평탄화될 수 있을 것이다.

도 34를 참조하면, 벤트 홀들(414)이 형성된 후에, HF 증기 에칭 방출이 실시되고, 그러한 방출은 중간 캡 층 부분(412)을 면내 전극(416)으로부터 방출시킨다. 면내 전극(416)의 상부 표면과 중간 캡 층 부분(412)의 하부 표면 사이의 산화물 층(358)의 에칭된 부분이 방출 중단 질화물 부분들(378 및 380)에 의해서 한정된다. 이어서, 청정한 고온 밀봉이 에피 반응기 내에서 실시되어 벤트 홀들(414)을 밀봉한다. 결과적인 구성이 도 35에 도시되어 있고, 여기에서 층 부분(418)이 중간 캡 층 부분(412) 위에 형성된다.

이어서, 도 36에 도시된 바와 같이, 트렌치(420) 및 트렌치(422)가 에칭된다. 트렌치(420)가 층 부분(418)의 상부 표면으로부터 에칭 중단부로서 작용하는 가스켓(394)의 상부 표면으로 연장한다. 트렌치(422)가 층 부분(418)의 상부 표면으로부터 에칭 중단부로서 작용하는 가스켓(396)의 상부 표면까지 연장한다. 도 37에 도시된 바와 같이, 산화물, 질화물 등이 될 수 있는 부동태 층(424)이 층 부분(418)의 상부 표면 상에 침착된다. 부동태 층(418)이 에칭되어 면외 전극 개구부(미도시) 및 개구부(426)를 생성한다. 이어서, 도 38에 도시된 바와 같이, 금속 층 부동태 층(424) 상에 침착될 수 있고, 그리고 에칭되어 본드 패드 또는 트레이스(428)를 생성할 수 있을 것이다. 도 38에서, 본드 패드(428)가 에피 컬럼(column)(430)을 통해서 핸들 층(352)과 전기적으로 소통된다.

전술한 여러 가지 프로세스들은 다양한 장치들이 동일한 기판 상에서 동시에 제조될 수 있게 한다. 예로서, 도 39는 핸들 층(452), 매립된 산화물 층(454), 장치 층(456), 산화물 층(458), 캡 층(460), 및 부동태 층(462)을 포함하는 센서 장치(450)를 도시한다. 센서 장치(450)는 전극 격리 부분(464), 접촉 격리 부분들(466), 및 방출 또는 에칭 중단 질화물 부분들(468)을 더 포함한다. 그에 따라, 전술한 것과 동일한 시퀀스를 이용하여 센서 장치(450)를 형성할 수 있을 것이다.

센서 장치(450)가, 예를 들어, 도 1의 압력 센서(100)에서와 동일한 프로세스를 이용하여 제조되지만, 그러한 센서 장치(450)는 전술한 실시예들과 상이하다. 예를 들어, 장치(450)는 장치 층(456)과의 전기적 소통을 제공하는 2개의 패드들(470 및 472)을 포함한다. 그에 따라, 프루프 매스(474)의 면내 운동이 검출될 수 있을 것이다. 면외 전극(478)이 요구되는 경우에, 선택적인 제 3 패드(476)가 제공될 수 있을 것이다. 센서 장치(450)에서의 다른 차이점은, 전극 격리 질화물 부분들(464)이 연장된 가림막(apron)(480)을 포함한다는 것이다.

전술한 프로세스에 중간 단계를 부가함으로써, 도 40의 가속도계(490)가 전술한 장치들과 함께 동시에 제조될 수 있을 것이다. 매립된 산화물 층(494) 내의 에칭량을 보다 정밀하게 제어하기 위해서 방출 또는 에칭 중단 질화물 부분(492)이 포함된다는 점에서, 가속도계(490)는 도 39의 센서 장치(450)와 상이하다.

도 41-62를 참조하여, 그러한 가속도계(490)와 같은 센서를 형성하기 위한 프로세스를 설명한다. 먼저 도 41을 참조하면, 핸들 층(502), 매립된 산화물 층(504), 및 장치 층(506)을 포함하는 SOI 웨이퍼(500)가 산화물 층(508)으로 먼저 커버된다. 다음에, 포토레지스트 층(510)이 산화물 층(508)의 상부 표면 상에 제공된다(도 42). 이어서, 웨이퍼(500)를 에칭하여 포토레지스트 층(510), 산화물 층(508), 및 장치 층(506)을 통해서 에칭 중단 트렌치들(512)을 형성한다. 이어서, 도 43에 도시된 바와 같이, 트렌치들(512)이 매립된 산화물 층(504)을 통해서 핸들 층(502)의 상부 표면까지 연장된다. 산소를 함유하는 플라즈마를 이용하여 포토레지스트 층(510)을 산화("애시(ash)")시킬 수 있을 것이다.

이어서, 도 44에 도시된 바와 같이, 질화물 층(514)이 산화물 층(508)의 상부 표면 상에 침착된다. 질화물 침착은 질화물 에칭 중단 컬럼(516)으로 트렌치들(512)을 충진하는 결과를 추가적으로 초래한다. 이어서, 산화물 층(508)을 에칭 중단부로서 이용하여 질화물 층(514)을 에칭하여, 결과적으로 도 45의 구성을 초래하며, 후속하여, 실리콘 장치 층(506)을 에칭 중단부로서 이용하여 산화물 층(508)을 에칭하여, 결과적으로 도 46의 구성을 초래한다.

다음에, 도 47에 도시된 바와 같이, 트렌치들(518)을 형성하는 구조물이 장치 층(506)을 통해서 에칭된다. 트렌치들(518)은 프루프 매스(524)와 함께 장치 층 접촉 부분들(520 및 522)을 형성한다. 희생(sacrificial) 에칭 홀들(526)이 도 48에 도시된 바와 같이 프루프 매스(524) 내로 에칭된다. 도 49를 참조하면, 이어서, 등각적인 산화물 층(530)이 장치 층(506)의 상부 표면 상에 침착된다. 등각적인 산화물의 침착이 또한 트렌치들(518) 및 에칭 홀들(526)을 충진한다. 이어서, 개구부들(532 및 534)(도 50 참조)이 산화물 층(530)을 통해서 에칭되어, 장치 층 접촉 부분들(520 및 522)을 노출시킨다.

도 51에 도시된 바와 같이, 에피-폴리 침착은 에피-폴리의 하부 중간 접촉 부분들(536 및 538)로 접촉 개구부들(532 및 534)을 충진하는 한편, 산화물 층(530) 위에 하부 캡 층 부분(540)을 침착시킨다. CMP가 하부 캡 층 부분(540) 상에서 실시될 수 있을 것이다. 다음에, 도 52에 도시된 바와 같이, 에칭 중단 트렌치들(542)이 하부 캡 층 부분(540) 및 산화물 층(530)을 통해서 형성된다. 희망하는 경우에, 면외 전극 트렌치들(544)이 하부 캡 층 부분(540)을 통해서 형성될 수 있을 것이다(도 53 참조).

이어서, 도 54에 도시된 바와 같이, 트렌치들(542 및 544)을 트렌치 질화물 부분들(546 및 548)로 충진하기 위해 저응력 질화물이 이용되는 한편, 저응력 질화물 층(550)을 하부 캡 층 부분(540)의 상부 표면 상에 침착시킨다. 질화물 부분들(546)이 추후의 에칭에 대한 에칭 중단부를 형성한다. 얇은 산화물 층(552)이 저응력 질화물 층(550)의 상부 표면 상에 제공된다. 이어서, 에칭 중단부로서 이용될 얇은 산화물 층(552), 및 질화물 층(550)이 패터닝되고 에칭되어, 도 56의 가스켓(554)을 초래한다.

이어서, 얇은 에피-폴리 침착 층(560)이 하부 캡 부분(540)의 상부 표면과 가스켓(554)의 상부 표면 상에 형성되어, 중간 캡 층 부분(562)을 형성한다(도 57 참조). 희망하는 경우에, 중간 캡 층 부분(562)이 평탄화될 수 있을 것이다.

도 58 및 59를 참조하면, 벤트 홀들(564)이 형성된 후에, HF 증기 에칭 방출이 실시되고, 그러한 방출은 중간 캡 층 부분(562)을 프루프 매스(524)로부터 방출한다. 산화물 층(530)의 수평 에칭은 에칭 중단 질화물 부분들(546)에 의해서 제한된다. 희생 에칭 홀(526)은, 매립된 산화물 층(504)의 에칭에 의한, 핸들 층(502)으로부터 프루프 매스(524)를 방출하기 위한 에칭을 허용한다. 매립된 산화물 층(534)의 수평 에칭이 에칭 중단 질화물 컬럼들(516)에 의해서 제한된다.

이어서, 청정한 고온 밀봉이 에피 반응기 내에서 실시되어 벤트 홀들(564)을 밀봉한다. 결과적인 구성이 도 60에 도시되어 있으며, 여기에서 층 부분(566)이 중간 캡 층 부분(562) 위에 형성된다.

이어서, 트렌치들(568) 및 트렌치들(570)이 도 61에 도시된 바와 같이 에칭된다. 트렌치들(570)이 층 부분(566)의 상부 표면으로부터 가스켓(554)의 상부 표면까지 연장되고, 그 산화물 층 부분이 에칭 정지부로서 작용한다. 트렌치들(568)이 층 부분(566)의 상부 표면으로부터 에칭 중단부로서 작용하는 산화물 층(530)의 상부 표면까지 연장한다. 이어서, 산화물, 질화물 등이 될 수 있는 부동태 층(572)이 도 62에 도시된 바와 같이 층 부분(566)의 상부 표면 상에 침착된다. 부동태 층(572)이 에칭되어 개구부들(574 및 576, 그리고 선택적으로 578)을 생성한다. 이어서, 금속 층이 부동태 층(572) 상에 침착될 수 있고, 그리고 에칭되어 본드 패드들 또는 트레이스들을 생성할 수 있을 것이며, 결과적으로 도 40의 가속도계(490)의 구성과 같은 구성을 초래할 수 있을 것이다.

전술한 공정 및 그 변형예들에 의해서, 공진기들, 관성 센서들, 및 다른 그러한 장치들이 웨이퍼 레벨에서 패키지화될 수 있게 되는 한편, 전기적으로 격리된, 면외 전극들을 얇은-필름 캡 내에 통합시킬 수 있게 된다. 전술한 원리들에 따라서 제조될 수 있는 다른 센서들이 실리콘 캡 압력 센서들을 포함한다.

도면들 및 전술한 설명에서 발명을 구체적으로 도시하고 설명하였지만, 그러한 것이 설명적인 것이고 특성을 제한하지 않는다는 것을 이해하여야 할 것이다. 바람직한 실시예들만이 제시되었고 그리고 발명의 사상 내에 포함되는 그러한 모든 변경예들, 수정예들 및 추가적인 적용예들에 대해서도 보호받고자 한다는 것을 이해하여야 할 것이다.

Claims

면외 전극을 형성하는 방법으로서:
장치 층의 상부 표면 위에 산화물 층을 제공하는 단계;
상기 산화물 층의 상부 표면 위에 제 1 캡 층 부분을 제공하는 단계;
상기 제 1 캡 층 부분을 통해서 연장하고 그리고 상기 산화물 층에서 중단되는 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 에칭 단계;
트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 내에 제 1 재료 부분을 침착하는 단계;
상기 침착된 제 1 재료 부분 위에 제 2 캡 층 부분을 침착하는 단계;
상기 산화물 층의 부분을 증기 방출하는 단계;
상기 제 2 캡 층 부분 위에 제 3 캡 층 부분을 침착하는 단계;
상기 제 2 캡 층 부분과 상기 제 3 캡 층 부분을 통해서 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계; 및
상기 제 1 재료 부분 및 상기 제 2 재료 부분을 포함하는 이격부재가 면외 전극의 주변부를 형성하도록, 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 내에 제 2 재료 부분을 침착하는 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 캡 층 부분 및 상기 산화물 층을 통해서 연장하는 트렌치를 형성하는 에칭 중단 주변부를 에칭하는 단계; 및
트렌치를 형성하는 에칭 중단 주변부 내에서 제 3 재료 부분을 침착하는 단계로서, 상기 산화물 층의 부분을 증기 방출하는 단계가 상기 산화물 층의 부분을 제 3 재료 부분에 의해서 형성된 경계부로 증기 방출하는 단계를 포함하는, 제 3 재료 부분을 침착하는 단계를 더 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 2 항에 있어서,
상기 침착된 제 1 재료 부분 상에 에칭 중단 층 부분을 침착하는 단계를 더 포함하고,
트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부를 에칭하는 단계가:
상기 제 2 캡 층 부분을 통해서 상기 에칭 중단 층까지 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 캡 층 부분, 제 2 캡 층 부분, 및 제 3 캡 층 부분이 에피텍셜 침착 프로세스에 의해서 침착되는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 재료 부분 및 제 2 재료 부분이 실리콘 질화물을 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 증착된 제 1 재료 부분 상에 에칭 중단 층 부분을 침착하는 단계를 더 포함하고,
트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부를 에칭하는 단계가:
상기 제 2 캡 층 부분을 통해서 상기 에칭 중단 층까지 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 캡 층 및 제 2 캡 층을 통해서 벤트 홀들을 에칭하는 단계를 더 포함하고,
상기 산화물 층의 부분을 증기 방출하는 단계가:
상기 벤트 홀들을 통해서 산화물 층의 부분을 증기 방출하는 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
면외 전극을 가지는 장치로서:
핸들 층 위에 배치된 장치 층;
상기 장치 층의 상부 표면으로부터 이격된 제 1 캡 층 부분을 가지는 캡 층; 및
이격부재에 의해서 상기 제 1 캡 층 부분 내에 형성되는 면외 전극을 포함하는, 면외 전극을 가지는 장치.
제 8 항에 있어서,
상기 캡 층이 에피텍셜 침착된 캡 층인, 면외 전극을 가지는 장치.
제 8 항에 있어서,
상기 이격부재가 실리콘 질화물을 포함하는, 면외 전극을 가지는 장치.
제 10 항에 있어서,
상기 이격부재가:
상기 캡 층의 하부 표면으로부터 상향 연장하는 제 1 실리콘 질화물 부분;
상기 캡 층의 상부 표면으로부터 하향 연장하는 제 2 실리콘 질화물 부분; 및
상기 제 1 실리콘 질화물 부분과 상기 제 2 실리콘 질화물 부분 사이에 위치된 에칭 중단 부분을 포함하는, 면외 전극을 가지는 장치.
제 8 항에 있어서,
제 2 캡 층 부분과 상기 장치 층의 상부 표면 사이에 위치된 산화물 층 부분; 및
상기 캡 층 내로부터 하향 연장하고 상기 산화물 층 부분의 경계부를 형성하는 에칭 중단부를 더 포함하는, 면외 전극을 가지는 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 이격부재가:
상기 캡 층의 하부 표면으로부터 상향 연장하는 제 1 실리콘 질화물 부분;
상기 캡 층의 상부 표면으로부터 하향 연장하는 제 2 실리콘 질화물 부분; 및
상기 제 1 실리콘 질화물 부분과 상기 제 2 실리콘 질화물 부분 사이에 위치된 에칭 중단 부분을 포함하는, 면외 전극을 가지는 장치.
제 12 항에 있어서,
상기 장치 층의 하부 표면과 핸들 층의 상부 표면 사이에 위치된 매립된 산화물 층 부분; 및
상기 장치 층의 상부 표면으로부터 하향 연장하고 상기 매립된 산화물 층 부분의 경계부를 형성하는 에칭 중단부를 더 포함하는, 면외 전극을 가지는 장치.
면외 전극을 형성하는 방법으로서:
장치 층의 상부 표면 위에 산화물 층을 제공하는 단계;
상기 산화물 층의 상부 표면 위에 제 1 캡 층 부분을 에피텍셜 침착하는 단계;
상기 제 1 캡 층 부분을 통해서 연장하고 그리고 상기 산화물 층에서 중단되는 트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 에칭 단계;
트렌치를 형성하는 제 1 전극 주변부 내에 제 1 절연 재료 부분을 침착하는 단계;
상기 침착된 제 1 재료 부분 위에 제 2 캡 층 부분을 에피텍셜 침착하는 단계;
상기 산화물 층의 부분에서 HF 증기 에칭 방출을 실시하는 단계;
상기 제 2 캡 층 부분 위에 제 3 캡 층 부분을 에피텍셜 침착하는 단계;
상기 제 2 캡 층 부분과 상기 제 3 캡 층 부분을 통해서 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계; 및
상기 제 1 재료 부분 및 상기 제 2 재료 부분을 포함하는 이격부재가 면외 전극의 주변부를 형성하도록, 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 내에 제 2 절연 재료 부분을 침착하는 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 캡 층 부분 및 상기 산화물 층을 통해서 연장하는 트렌치를 형성하는 에칭 중단 주변부를 에칭하는 단계; 및
트렌치를 형성하는 에칭 중단 주변부 내에서 제 3 재료 부분을 침착하는 단계로서, 상기 산화물 층의 부분에서 HF 증기 에칭 방출을 실시하는 단계가 상기 제 3 재료 부분에 의해서 형성된 경계부에 대한 HF 증기 에칭 방출을 실시하는 단계를 포함하는, 제 3 재료 부분을 침착하는 단계를 더 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 16 항에 있어서,
상기 침착된 제 1 절연 재료 부분 상에 에칭 중단 층 부분을 침착하는 단계를 더 포함하고,
트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부를 에칭하는 단계가:
상기 제 2 캡 층 부분을 통해서 상기 에칭 중단 층까지 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 절연 재료 부분 및 상기 제 2 절연 재료 부분이 실리콘 질화물을 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 15 항에 있어서,
상기 침착된 제 1 재료 부분 상에 에칭 중단 층 부분을 침착하는 단계를 더 포함하고,
트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부를 에칭하는 단계가:
상기 제 2 캡 층 부분을 통해서 상기 에칭 중단 층까지 연장하는 트렌치를 형성하는 제 2 전극 주변부 에칭 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.
제 15 항에 있어서,
상기 제 1 캡 층 및 상기 제 2 캡 층을 통해서 벤트 홀들을 에칭하는 단계를 더 포함하고,
상기 산화물 층의 부분에서 HF 증기 에칭 방출을 실시하는 단계가:
상기 벤트 홀들을 통해서 상기 산화물 층의 부분에서 HF 증기 에칭 방출을 실시하는 단계를 포함하는, 면외 전극을 형성하는 방법.