KR20140018118A - 액정 패널의 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법 - Google Patents

액정 패널의 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법 Download PDF

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아쓰시 후지오카
아키히코 다우치
고키 히노
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도시바 라이텍쿠 가부시키가이샤
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Abstract

본 실시형태의 액정 패널의 제조 장치는, 탑재면을 구비하고, 내부에 냉각수를 유통시킴으로써, 탑재면에 탑재된 피처리 패널을 냉각시키는 것이 가능한 수냉(水冷) 스테이지와, 도입구와 배출구를 구비하고, 피처리 패널을 내부에 수용하도록 수냉 스테이지 상에 배치되고, 냉각풍을 도입구로부터 도입하고, 배출구로부터 배출시키는 것이 가능한 공냉(空冷) 박스와, 공냉 박스에, 탑재면과 대면하도록 설치된 창(窓)부재와, 공냉 박스 내에 배치되는 피처리 패널에, 창부재를 통하여, 광을 조사(照射)할 수 있도록 배치된 광 조사부를 구비한다.

Description

액정 패널의 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법{APPARATUS FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL PANEL AND METHOD FOR FABRICATING LIQUID CRYSTAL PANEL}
본 발명의 실시형태는, 액정 패널의 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법에 관한 것이다.
액정 패널의 제조에 있어서, 광 반응성을 가지는 고분자체를 구비한 피처리 패널에, 자외선 램프 등의 광원을 사용하여 소정 파장의 광을 조사(照射)함으로써, 고분자체를 화학 반응시켜 배향 기능을 갖게 하는 광 배향이라는 공정을 행하는 방식이 있다.
이 자외선 조사 시의 액정 패널의 온도는, 패널면에 있어서 균일할 것이 요구되고 있다. 특히, 액정의 블루상(Blue Phase)을 고분자로 안정시킨 상태, 즉 고분자 안정화 블루상(Polymer Stabilized Blue Phase)을 사용하는 구성에 있어서는, 광 조사 시의 패널면에서의 온도의 불균일 및 온도의 시간 경과의 변화가, 표시 특성의 불균일에 주는 영향이 크기 때문에, 온도 균일화가 강하게 요구되고 있다.
일본공개특허 제2008－116675호 공보 일본공개특허 제2009－251338호 공보
본 발명이 해결하려고 하는 과제는, 광 조사 시의 패널면에서의 온도를 균일화할 수 있는 액정 패널의 제조 장치 및 액정 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.
상기 문제점을 해결하기 위하여, 본 실시형태의 액정 패널의 제조 장치는, 탑재면을 구비하고, 내부에 냉각수를 유통시킴으로써, 상기 탑재면에 탑재된 상기 피처리 패널을 냉각시키는 것이 가능한 수냉(水冷) 스테이지와, 도입구와 배출구를 구비하고, 상기 피처리 패널을 내부에 수용하도록 상기 수냉 스테이지 상에 배치되고, 냉각풍을 상기 도입구로부터 도입하고, 상기 배출구로부터 배출시키는 것이 가능한 공냉(空冷) 박스와, 상기 공냉 박스에, 상기 탑재면과 대면하도록 설치된 창(窓)부재와, 상기 공냉 박스 내에 배치되는 상기 피처리 패널에, 상기 창부재를 통하여, 광을 조사할 수 있도록 배치된 광 조사부를 구비한다.
또한, 상기 문제점을 해결하기 위하여, 실시형태의 액정 패널의 제조 방법은, 상기 피처리 패널을 탑재 가능한 탑재면을 구비하는 수냉 스테이지와, 도입구와 배출구를 구비하고, 상기 피처리 패널을 덮도록 상기 수냉 스테이지 상에 배치되는 공냉 박스와, 상기 공냉 박스에, 상기 탑재면과 대면하도록 설치된 창부재와, 상기 공냉 박스 내에 배치되는 상기 피처리 패널에, 상기 창부재를 통하여, 광을 조사할 수 있도록 배치된 광 조사부를 사용한다. 그리고, 상기 수냉 스테이지 내에 냉각수를 유통시키는 동시에, 냉각풍을 상기 도입구로부터 도입하고, 상기 배출구로부터 배출시키면서, 상기 탑재면에 배치된 상기 피처리 패널에 상기 광을 조사한다.
도 1은 제1 실시형태의 액정 패널의 제조 장치에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 제1 실시형태의 공냉 박스에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 3은 제1 실시형태의 광 조사부에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 4는 제1 실시형태의 각 필터의 파장-투과율 특성에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 5는 제1 실시형태의 자외선 램프에서 발생하는 광의 파장-휘도 특성에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 6은 제1 실시형태에 있어서, 피처리 패널에 조사되는 광의 파장-휘도 특성에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 7은 비교예 1의 액정 패널의 제조 장치에서의 광 조사 시의 패널 온도에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 8은 비교예 2의 액정 패널의 제조 장치에서의 광 조사 시의 패널 온도에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 9는 실시예의 액정 패널의 제조 장치에서의 광 조사 시의 패널 온도에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 10은 광 조사 시의 패널 온도의 측정 조건에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 11은 필터의 다른 예에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
이하, 발명을 실시하기 위한 실시형태에 대하여 설명한다.
(제1 실시형태)
제1 실시형태의 액정 패널의 제조 장치에 대하여, 도면을 참조하여 설명한다. 도 1은, 제1 실시형태의 액정 패널의 제조 장치에 대하여 설명하기 위한 도면이다.
도 1의 액정 패널의 제조 장치는, 액정 패널의 광 배향에 사용되는 장치이며, 주요한 부분으로서 케이스(1)와 수냉 스테이지(2)를 구비하고 있다. 케이스(1)는, 예를 들면, 스테인레스로 이루어지는 것이며, 메인 케이스(11)와 서브 케이스(12)를 구비하고 있다. 메인 케이스(11)는, 상벽과 경사 측벽을 구비하고 있고, 그 내측에서 발생한 광을 반사하는 리플렉터(reflector)로서도 기능하는 것이다. 서브 케이스(12)는, 경사 측벽을 구비하고 있고, 메인 케이스(11)와 마찬가지로 리플렉터로서도 기능하는 것이다. 또한, 메인 케이스(11)와 서브 케이스(12)의 사이에는, 셔터(13)가 배치되어 있다. 이 셔터(13)는, 필요에 따라 개폐 가능하며, 피(被)조사체인 피처리 패널(W)에 대하여 광을 조사하거나, 광을 차단하거나 할 수 있도록 되어 있다.
여기서, 피처리 패널(W)은, 예를 들면, 컬러 필터 기판과 대향 기판과 액정층을 구비한 패널이다. 컬러 필터 기판은, 컬러 필터가 설치된 기판이다. 대향 기판은, 컬러 필터 기판에 대향하는 기판이다. 이 대향 기판에는, 복수의 박막 트랜지스터(TFT; Thin Film Transistor)를 설치하고, 그 복수의 박막 트랜지스터에 화소 전극을 접속한 TFT 기판을 사용할 수 있다. 그리고, 컬러 필터는, 대향 기판측에 설치할 수도 있다. 액정층은, 컬러 필터 기판과 대향 기판 사이에 설치된 층이다. 액정층은, 액정 조성물과 고분자 재료를 구비하고 있다. 액정 조성물은, 예를 들면, 네마틱 액정과 카이럴제를 포함하고 있다. 고분자 재료는, 예를 들면, 아크릴계의 모노머 등의 자외선 경화형의 모노머를 포함하고 있다. 고분자 재료는, 또한 광 중합 개시재를 포함해도 된다. 그리고, 액정 조성물과 고분자 재료는, 이에 한정되지 않고, 임의의 것을 사용하거나, 다른 재료를 더 첨가하거나 할 수도 있다. 또한, 컬러 필터는 생략할 수도 있다.
수냉 스테이지(2)는, 예를 들면, 알루미늄으로 이루어지는 테이블이다. 수냉 스테이지(2)는, 피처리 패널(W)을 배치하기 위한 탑재면(21)과, 그 내부에 냉각수 CW1을 흐르게 하기 위한 냉각수로(22)를 구비하고 있다. 냉각수로(21)에 냉각수 CW1을 흐르게 했을 경우, 스테이지(2), 특히 탑재면(21)에 접촉하는 물체를 수냉 냉각시키는 것이 가능해진다. 그러므로, 수냉 스테이지(2)는, 탑재와 냉각의 기능을 겸하고 있다.
수냉 스테이지(2)의 탑재면(21)에는, 공냉 박스(3)가 배치되어 있다. 공냉 박스(3)는, 도 2에 나타낸 바와 같이, 하우징(31)과 도입관(32)과 배출관(33)으로 구성되어 있다. 하우징(31)은, 바닥부가 없는 직사각형의, 예를 들면, 알루미늄으로 구성된 상자이다. 하우징(31)은, 도입구(3111)와 배출구(3112)를 구비하는 측벽부(311)와, 주면(主面)에 개구부(3121)를 구비하는 프레임부(312)로 구성되어 있다. 하우징(31)의 내부에는 공간(313)이 형성되어 있다. 공간(313)의 높이는, 예를 들면, 50㎜이며, 길이와 폭은, 예를 들면, 360㎜×60㎜이다. 단, 하우징(31)은, 피처리 패널(W)의 사이즈보다 다소 크게 설정되어 있으면 된다. 도입관(32)은, 예를 들면, 알루미늄으로 이루어지는 통이다. 도입관(32)은, 측벽부(311)의 한쪽 면에 설치되어 있다. 배출관(33)은, 도입관(32)과 마찬가지의 통이다. 배출관(33)은, 도입관(32)이 설치된 면에 대향하는 측벽부(311)의 다른 쪽 면에 설치되어 있다. 이로써, 공간(313)에 효율적으로, 냉각풍 CW2를 도입관(32)으로부터 도입하고, 배출관(33)으로부터 배출시키는 것이 가능해진다. 그리고, 본 실시형태에서는, 도입관(32)은, 등간격으로 4개 설치되고, 배출관(33)은 도입관(32)과 마찬가지로, 등간격으로 4개 설치되어 있다. 또한, 배출관(33)은, 도입관(32)의 통의 중심축에, 배출관(33)의 통의 중심이 대략 일치하도록 설치되어 있다.
개구부(3121)에는, 탑재면(21)과 대면하도록, 측벽부(311)와 프레임부(312)에 끼워지도록 하여 창부재(4)가 배치되어 있다. 창부재(4)는, 공냉 박스(3)의 내부에, 원하는 광을 투과시키기 위한 유리제의 창이다. 이 창부재(4)에는, 원하는 대로, 자외선 컷(ultraviolet ray cut) 및/또는 적외선 컷(infrared ray cut)의 필터 기능을 구비하게 할 수 있다. 예를 들면, 본 실시형태에서는, 창부재(4)는, 석영 유리에 TiO2 등의 자외선 컷 재료, 및 P2O5 등의 적외선 컷 재료를 혼합한 유리를 사용하고 있다. 이로써, 도 4에 나타낸 바와 같이, 300㎚ 이하 및 550㎚ 이상은 컷하고, 300㎚~550㎚, 특히 330㎚~450㎚는 투과시키는 밴드패스(band pass) 필터의 특성을 갖게 할 수 있다.
케이스(1)의 내부에는, 창부재(4)와 대면하도록, 또한 그 장축이 공냉 박스(3)의 도입관(32)과 배출관(33)을 연결하는 축, 환언하면 공간(313) 내에서의 냉각풍 CW2의 유통 방향에 대하여 직교하도록, 광 조사부(5)가 배치되어 있다. 광 조사부(5)는, 도 3에 나타낸 바와 같이, 수냉 쟈켓(51)과 자외선 램프(52)로 구성되어 있다. 수냉 쟈켓(51)은, 내관(511)과 외관(512)으로 구성된 이중관이며, 그 양단의 개구가 금속으로 이루어지는 한 쌍의 커버부(513)로 봉해짐으로써, 내부에 공간(514)이 형성되어 있다. 그 공간(514)은, 한 쌍의 커버부(513)가 구비하는 도입부(5131)와 배출부(5132)에 의해, 외부와 이어져 있다.
자외선 램프(52)는, 석영 유리로 이루어지는 유리관(521)을 구비하고 있다. 유리관(521)은, 내부에 방전 공간을 구비하는 발광부와, 그 양단에 형성된 한 쌍의 실링부로 구성되어 있다. 방전 공간에는, 방전 공간에 있어서 아크 방전을 유지하기 위한 희가스, 수은, 금속 할로겐화물 등의 방전 매체가 봉입(封入)되어 있다. 방전 매체는, 예를 들면, 아르곤, 수은 및/또는 요오드화(沃化) 수은, 철 및/또는 요오드화 철, 주석 및/또는 요오드화 주석이다. 단, 방전 매체의 종류는 이들에 한정되지 않고, 탈륨 및/또는 요오드화 탈륨을 추가, 또는 철 대신에 첨가해도 된다. 실링부에는, 몰리브덴으로 이루어지는 금속박(522), 텅스텐을 주체로 하는 전극(523) 및 외부 리드선(524)이 봉착(封着)되어 있다.
본 실시형태에서는, 자외선 램프(52)는, 도 5에 나타낸 바와 같이, 350㎚~400㎚, 특히 365㎚ 부근에 발광의 피크를 가지고, 300㎚~400㎚의 파장역에 있어서 발광하는 램프이다. 자외선 램프(52)의 구체적인 사양은, 예를 들면, 아르곤을 1.3kPa, 수은을 0.9mg/cc, 요오드화 수은을 0.08mg/cc, 철을 0.01mg/cc, 주석을 0.005mg/cc 봉입한 메탈할라이드 램프로 할 수 있다. 요오드화 탈륨을 또한 0.012mg/cc 정도 첨가해도 된다. 이와 같은 구성의 자외선 램프(52)는, 램프 전압을 650V, 램프 전류를 9.3A, 전위 경도를 13V/cm에서 점등된다. 365㎚의 조도는, 오크사의 강도계(UV－35)에 있어서, 5mW/㎠이다. 그리고, 피처리 패널(W)에 실제로 조사되는 광은, 창부재(4)나 후술하는 열선 흡수 필터(54)에 의해, 도 6에 나타낸 바와 같이, 320㎚~400㎚의 파장의 광, 특히, 350㎚~380㎚ 부근이 상대적으로 강한 광으로 된다.
이와 같은 구성의 자외선 램프(52)는, 그 양 단부에 내열 수지 등으로 이루어지는 한 쌍의 지지 부재(53)를 설치함으로써, 수냉 쟈켓(51)의 내관(511)의 내측에 다소의 클리어런스를 유지하여 배치되어 있다. 또한, 수냉 쟈켓(51)의 내관(511)과 외관(512)의 사이에는, 통형의 열선 흡수 필터(54)가 배치되어 있다. 즉, 자외선 램프(52)는, 실질적으로 열선 흡수 필터(54)로 덮혀져 있으므로, 램프에서 발생하는 열선의 상당수는 이 필터에 의해 흡수되고, 외부로는 빠져나가지 않는다. 그리고, 점등 중에는, 수냉 쟈켓(51) 내에 냉각수 CW3가 도입부(5131)로부터 도입되고, 배출부(5132)로부터 배출되고 있으므로, 열을 흡수한 필터는 냉각수 CW3에 의해 수냉 냉각된다. 열선 흡수 필터(54)는, 본 실시형태에서는, P2O5 등의 재료로 이루어지는 것이며, 도 4에 나타낸 바와 같이, 260㎚ 이하 및 400㎚ 이상은 컷하고, 260㎚~400㎚, 특히 290㎚~380㎚는 투과시키는 특성의 필터이다.
본 실시형태의 액정 패널의 제조 장치에서의 피처리 패널(W)로의 광 조사 방법에 대하여 설명한다.
먼저, 피처리 패널(W)을 수냉 스테이지(2)에 배치한다. 이 때, 피처리 패널(W)은, 그 컬러 필터측 CF가 탑재면(21)과 접촉하도록 수냉 스테이지(2)에 배치하는 것이 바람직하다. 그리고, 피처리 패널(W)을 내부에 수용하도록, 공냉 박스(3)를 수냉 스테이지(2) 상에 배치한다.
다음에, 수냉 스테이지(2)의 냉각수로(22)에 냉각수 CW1, 공냉 박스(3)의 공간(313)에 냉각풍 CW2, 수냉 쟈켓(51)의 공간(514)에 냉각수 CW3를 유통시키면서, 광 조사부(5)로부터, 피처리 패널(W)의 대향 전극측 FE에 광을 조사한다. 이 때, 냉각수 CW1 및/또는 냉각풍 CW2를 제어하는 제어부(도시 없음)에 의해, 냉각수 CW1 및/또는 냉각풍 CW2의 유량 등을 제어함으로써, 피처리 패널(W)의 패널 온도가 미리 설정된 온도, 예를 들면, 30℃로 되도록 조정되는 것이 바람직하다.
이상과 같이, 피처리 패널(W)은, 한쪽 면, 예를 들면, 컬러 필터측 CF의 면이, 내부에 냉각수 CW1이 유통되고 있는 수냉 스테이지(2)에 의해 수냉 냉각되고, 다른쪽 면, 예를 들면, 대향 기판측 FE의 면이, 내부에 냉각풍 CW2가 유통되고 있는 공냉 박스(3)에 의해 공냉 냉각되면서 광이 조사된다. 그러므로, 종래와 같이 피처리 패널(W)을 물 등에 담그는 일 없이, 광 조사 중의 피처리 패널(W)의 시간 경과에 따른 온도 변화가 적고, 또한 피처리 패널(W)의 부분적인 온도차를 작게 할 수 있다. 즉, 피처리 패널(W)의 온도를 용이하게 바람직한 온도로 유지하면서, 광 중합에 효과적이며, 또한 손상이 적은 광을 조사하는 것이 가능해진다.
그리고, 광 조사 중의 피처리 패널(W)을 소정의 온도로 제어할 수 있는 장점은, 고분자 안정화 블루상을 구비한 액정 패널을 제조하는 경우에 특히 크다. 피처리 패널에 고분자 안정화 블루상을 형성하는 경우, 광을 조사하고 있을 때의 패널 온도에 높은 정밀도가 요구되기 때문이다. 그 정밀도는, 설정 온도에 대하여, ±0.5℃라고 하고 있다. 본 실시형태의 방법에서는, 액정층에 블루상이 출현하는 온도를 설정 온도로 함으로써, 액정층 전체에, 또한 장시간에 걸쳐서 블루상이 출현한 상태에서 원하는 광을 조사할 수 있으므로, 고품질의 액정 패널을 얻을 수 있다.
피처리 패널(W)에 상기와 같은 광을 조사하는 경우에 있어서, 피처리 패널(W)의 냉각 조건을 바꾸었을 때의 피처리 패널(W)의 온도 변화에 대하여 시험을 행하였다. 그 결과를 도 7 ~ 도 9에 나타낸다. 도 7은 냉각 없음(비교예 1), 도 8은 수냉 냉각 만(비교예 2), 도 9는 수냉 냉각 및 공냉 냉각(실시예)의 경우이며, 비교예 2 및 실시예에서는, 패널 온도가 설정 온도인 30℃로 되도록 제어를 행하고 있다. 온도를 측정한 개소(箇所)는 피처리 패널(W) 상의 8개소(P1~P8)이며, 각 장소는 도 10에 나타낸 대로이다. 그리고, 비교예 2 및 실시예에서의 수냉 냉각의 냉각수 CW1의 온도는 설정 온도와 동일하게 30℃, 실시예에서의 공냉 냉각의 냉각풍 CW2의 온도는 설정 온도와 동일하게 30℃이며, 냉각풍 CW2의 풍량은 20L/min로 하였다.
도 7로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 1은, 최초는 온도가 26℃ 정도로 낮고, 그 후, 점등 시간의 경과와 함께 온도가 상승하여 설정 온도인 30℃에 가까워지지만, 패널 온도는 설정 온도로는 전혀 유지되고 있지 않다. 또한, 측정 개소(箇所)에 따라서 온도차가 1℃ 이상 생기고 있는 경우도 있어, 장소에 따른 온도 불균일이 크다.
도 8로부터 알 수 있는 바와 같이, 비교예 2는, 비교예 1의 경우보다는 개선되어 있을뿐, 시간의 경과에 따라 패널 온도는 설정 온도에 대하여 ±1℃ 정도 변화되어 있다. 또한, 측정 개소에 따라서 온도차가 1℃ 정도 생기고 있어, 설정 온도를 만족시킬 수는 없다.
한편, 도 9로부터 알 수 있는 바와 같이, 실시예는, 시간이 경과해도, 패널 온도는 설정 온도 ±0.5℃ 정도의 범위에 들어가 있다. 또한, 측정 개소에 따른 온도차도 매우 작으므로, 비교예 1, 비교예 2의 경우보다 광 조사 중에 피처리 패널(W)을, 소정의 온도로 제어하기 쉬운 것은 명백하다. 도 9에 의하면, 광 조사 시의 패널 온도는 설정 온도 ±0.5℃ 정도이므로, 피처리 패널(W)에 고품질의 고분자 안정화 블루상을 형성할 수 있다. 그리고, 광 조사 시의 피처리 패널(W)의 온도를 바람직한 온도로 유지하기 위해서는, 5L/min 이상의 냉각풍 CW2를 공냉 박스(3) 내에 공급하는 것이 바람직하다. 또한, 냉각풍 CW2를 직접, 다량으로 피처리 패널(W)에 분사하면 피처리 패널(W)의 온도가 설정 온도에 대하여 너무 저하하는 경우가 있다. 그래서, 공냉 박스(3) 내의 열기를 배출하기 위하여, 피처리 패널(W)의 표면이 퇴색될 수 있도록 냉각풍 CW2를 공급해도 된다.
이 실시형태에서는, 수냉 스테이지(2) 내에 냉각수 CW1을 유통시키는 동시에, 냉각풍 CW2를 도입구(3111)로부터 공냉 박스(3) 내에 도입하고, 배출구(3112)로부터 배출시키면서, 탑재면(21)에 배치된 피처리 패널(W)에 광을 조사함으로써, 광 조사 중의 피처리 패널(W)의 온도의 시간 경과에 따른 변화 및 피처리 패널(W)의 장소에서의 온도의 불균일을 작게 할 수 있다. 그러므로, 광 조사 중의 피처리 패널(W)의 온도를 대략 설정 온도로 유지할 수 있어, 고품질의 액정 패널을 제조할 수 있다. 또한, 냉각수 CW1 및/또는 냉각풍 CW2를 제어함으로써, 광 조사 시의 피처리 패널(W)의 온도를 설정 온도에 대하여 ±0.5℃ 이내로 할 수 있으므로, 고품질의 고분자 안정화 블루상을 구비한 액정 패널을 제조할 수도 있다.
또한, 창부재(4)는, 자외선 컷 및/또는 적외선 컷의 기능을 구비하므로, 광 조사부(5)와 창부재(4) 사이에, 별도의 필터 등을 설치할 필요가 없어져, 부품수를 감소시킬 수 있다. 그리고, 자외선 컷 및/또는 적외선 컷을 가지는 창부재(4)는, 소정 파장의 광의 컷에 의해 열을 가지는 것이 있지만, 창부재(4)는 냉각풍 CW2와 접하고 있으므로, 온도 상승을 억제할 수 있다.
또한, 컬러 필터측 CF가 탑재면(21)과 접촉하도록 수냉 스테이지(2)에 피처리 패널(W)을 배치하고, 대향 기판측 FE에 광 조사부(5)로부터 광을 조사하도록 하였으므로, 광 조사 시의 패널 온도를 더욱 설정 온도로 제어하기 쉽게 할 수 있다.
본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 각종 변형이 가능하다.
예를 들면, 공냉 박스(3)의 도입구(3111), 배출구(3112)의 개수는, 광 조사 시의 피처리 패널(W)의 설정 온도나 냉각풍 CW2의 유량 등에 의해 조정할 수 있다. 도입구(3111), 배출구(3112)의 구멍의 크기도 마찬가지이다.
광 조사부(5)의 광원으로서 사용한 자외선 램프(51)는, 형광 램프나 쇼트 아크 수은 램프를 사용해도 된다. 형광 램프를 사용하는 경우, 예를 들면, 외경 15.5㎜의 유리관 내벽에 LaPO4:Ce(세륨 활력 인산 랜턴) 등, 수은의 254㎚를 310㎚ 부근에 피크를 가지는 자외선으로 변환 가능한 형광체를 도포한 램프를 사용할 수 있다. 또한, 광 조사부(5)의 광원은, 발광 다이오드(LED)나 레이저 다이오드(LD) 등을 사용해도 된다.
자외선 컷이나 적외선 컷의 수단은, 창부재(4)와 광 조사부(5) 사이에, 별도의 필터 등을 설치하도록 해도 된다. 예를 들면, 도 11에 나타낸 바와 같은, 자외선 컷 특성을 가지는 필터 및/또는 열선 흡수 필터를 설치하고, 창부재(4)는 통상의 석영 유리라도 된다.
본 발명의 몇 가지의 실시형태를 설명하였으나, 이들의 실시형태는, 예로서 제시한 것이며, 발명의 범위를 한정하는 것은 의도하고 있지 않다. 이들 신규한 실시형태는, 그 외의 다양한 형태로 실시되는 것이 가능하며, 발명의 요지를 벗어나지 않는 범위에서, 각종 생략, 치환, 변경을 행할 수 있다. 이들 실시형태나 그 변형은, 발명의 범위나 요지에 포함되고, 또한 특허 청구의 범위에 기재된 발명과 그 균등의 범위에 포함된다. 또한, 전술한 각각의 실시형태는, 서로 조합하여 실시할 수 있다.
1: 케이스
2: 수냉 스테이지
3: 공냉 박스
4: 창부재
5: 광 조사부
21: 탑재면
51: 자외선 램프
CW1: 냉각수
CW2: 냉각풍

Claims (7)

  1. 탑재면을 구비하고, 내부에 냉각수를 유통시킴으로써, 상기 탑재면에 탑재된 피처리 패널을 냉각시키는 것이 가능한 수냉(水冷) 스테이지;
    도입구와 배출구를 구비하고, 상기 피처리 패널을 내부에 수용하도록 상기 수냉 스테이지 상에 배치되고, 냉각풍을 상기 도입구로부터 도입하여, 상기 배출구로부터 배출시키는 것이 가능한 공냉(空冷) 박스;
    상기 공냉 박스에, 상기 탑재면과 대면하도록 설치된 창(窓)부재; 및
    상기 공냉 박스 내에 배치되는 상기 피처리 패널에, 상기 창부재를 통하여, 광을 조사(照射)할 수 있도록 배치된 광 조사부;
    를 포함하는, 액정 패널의 제조 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 창부재는, 자외선 컷(ultraviolet ray cut) 및/또는 적외선 컷(infrared ray cut)의 기능을 구비하는, 액정 패널의 제조 장치.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 피처리 패널은, 컬러 필터를 가지는 컬러 필터 기판과, 상기 컬러 필터 기판에 대향하는 대향 기판과, 상기 컬러 필터 기판과 대향 기판 사이에 설치된 액정층을 구비하고 있고, 상기 피처리 패널은, 상기 컬러 필터측이 상기 탑재면과 접촉하도록 상기 수냉 스테이지에 배치되고, 상기 광 조사부는, 상기 대향 기판의 측으로부터 상기 피처리 패널에 상기 광을 조사하는, 액정 패널의 제조 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 액정층은, 적어도 액정 조성물, 고분자 재료 및 광 중합 개시재를 포함하고 있고, 상기 광의 조사에 의해, 고분자 안정화 블루상(Blue Phase)화하는, 액정 패널의 제조 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 광 조사부는, 수은, 철 및 주석을 포함하는 메탈할라이드 램프이며, 365㎚의 조도(照度)는, 15mW/㎠ 이하인, 액정 패널의 제조 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 피처리 패널에 상기 광이 조사될 때의 상기 피처리 패널에서의 온도가 설정 온도에 대하여 ±0.5℃ 이내로 되도록, 상기 냉각수 및/또는 상기 냉각풍이 제어되는, 액정 패널의 제조 장치.
  7. 피처리 패널을 탑재 가능한 탑재면을 구비하는 수냉 스테이지;
    도입구와 배출구를 구비하고, 상기 피처리 패널을 덮도록 상기 수냉 스테이지 상에 배치되는 공냉 박스;
    상기 공냉 박스에, 상기 탑재면과 대면하도록 설치된 창부재; 및
    상기 공냉 박스 내에 배치되는 상기 피처리 패널에, 상기 창부재를 통하여, 광을 조사할 수 있도록 배치된 광 조사부;
    를 사용하여,
    상기 수냉 스테이지 내에 냉각수를 유통시키는 동시에, 냉각풍을 상기 도입구로부터 상기 공냉 박스 내에 도입하고, 상기 배출구로부터 배출시키면서, 상기 탑재면에 배치된 상기 피처리 패널에 상기 광을 조사하는,
    액정 패널의 제조 방법.
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