KR20140016986A - 공간광 변조 소자 및 노광 장치 - Google Patents

공간광 변조 소자 및 노광 장치 Download PDF

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요시히코 스즈키
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가부시키가이샤 니콘
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Abstract

공간광 변조 소자로서, 기판과, 기판에 대하여 초기 위치로부터 이동하는 반사경과, 반사경을 초기 위치로 향하게 하는 탄성력을 작용시키는 탄성 부재와, 탄성 부재를 지지하는 지지체와, 지지체를 기판에 대하여 탄성적으로 지지하는 탄성 지지부를 구비한다. 상기 공간광 변조 소자에 있어서, 지지체는, 기판의 표면으로부터 이간한 상태로 지지되더라도 좋다. 또한, 공간광 변조 소자에 있어서, 지지체를, 기판의 면 방향을 따라 이동 가능하게, 기판에 대하여 연결하는 연결부를 더 구비하더라도 좋다.

Description

공간광 변조 소자 및 노광 장치{SPATIAL LIGHT MODULATING ELEMENT AND EXPOSURE EQUIPMENT}
본 발명은, 공간광 변조 소자 및 노광 장치에 관한 것이다.
입사광을 반사하여 조사 광속에 패턴을 형성하는 공간광 변조기가 있다(특허 문헌 1 참조).
(특허 문헌 1) 일본 특허 공개 평 09-101467호 공보
공간광 변조기를 형성하는 부재는 개별적으로 온도 특성을 갖는다. 이 때문에, 전체의 온도가 안정되기까지의 사이에는 특성이 복잡하게 변화하여 제어 정확도가 저하하고, 공간광 변조기를 이용한 기기의 실효적 스루풋을 저하시킨다.
본 발명의 제 1 형태로서, 기판과, 기판에 대하여 초기 위치로부터 이동하는 반사경과, 반사경을 초기 위치로 향하게 하는 탄성력을 작용시키는 탄성 부재와, 탄성 부재를 지지하는 지지체와, 지지체를 기판에 대하여 탄성적으로 지지하는 탄성 지지부를 구비하는 공간광 변조 소자가 제공된다.
또한, 본 발명의 제 2 형태로서, 상기 공간광 변조 소자를 복수 구비하는 공간광 변조기가 제공된다.
또한, 본 발명의 제 3 형태로서, 상기 공간광 변조 소자를 구비하는 노광 장치가 제공된다.
상기 발명의 개요는, 본 발명의 필요한 특징의 전부를 열거한 것은 아니다. 또한, 이들의 특징군의 부조합(subcombination)도 발명이 될 수 있다.
도 1은 공간광 변조 소자(200)의 분해 사시도이다.
도 2는 지지부(220)의 평면도이다.
도 3은 공간광 변조 소자(200)의 단면도이다.
도 4는 공간광 변조 소자(200)의 단면도이다.
도 5는 공간광 변조 소자(200)의 단면도이다.
도 6은 공간광 변조 소자(200)의 단면도이다.
도 7은 공간광 변조기(100)의 외관을 나타내는 모식적 사시도이다.
도 8은 노광 장치(400)의 모식도이다.
도 9는 조명광 발생부(500)의 모식도이다.
도 10은 지지부(241)의 평면도이다.
도 11은 지지부(242)의 평면도이다.
도 12는 지지부(243)의 평면도이다.
도 13은 지지부(244)의 평면도이다.
도 14는 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203)의 온도 특성을 나타내는 그래프이다.
도 15는 공간광 변조 소자(200)의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 16은 공간광 변조 소자(200)의 도 15에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 17은 공간광 변조 소자(200)의 도 16에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 18은 공간광 변조 소자(200)의 도 17에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 19는 공간광 변조 소자(200)의 도 18에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 20은 공간광 변조 소자(200)의 도 19에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 21은 공간광 변조 소자(200)의 도 20에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 22는 공간광 변조 소자(200)의 도 21에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 23은 공간광 변조 소자(200)의 도 22에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 24는 공간광 변조 소자(200)의 도 23에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 25는 공간광 변조 소자(200)의 도 24에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 26은 공간광 변조 소자(200)의 도 25에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 27은 공간광 변조 소자(200)의 도 26에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 28은 공간광 변조 소자(200)의 도 27에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 29는 공간광 변조 소자(200)의 도 28에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 30은 공간광 변조 소자(200)의 도 29에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 31은 공간광 변조 소자(200)의 도 30에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 32는 공간광 변조 소자(200)의 도 31에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 33은 공간광 변조 소자(205)의 단면도이다.
도 34는 반사부(231)의 단면도이다.
도 35는 공간광 변조 소자(201)의 모식적인 사시도이다.
도 36은 공간광 변조 소자(201)의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 37은 공간광 변조 소자(201)의 도 36에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 38은 공간광 변조 소자(201)의 도 37에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 39는 공간광 변조 소자(201)의 도 38에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 40은 공간광 변조 소자(201)의 도 39에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 41은 공간광 변조 소자(201)의 도 40에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 42는 공간광 변조 소자(201)의 도 41에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 43은 공간광 변조 소자(201)의 도 42에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 44는 공간광 변조 소자(201)의 도 43에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 45는 공간광 변조 소자(201)의 도 44에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 46은 공간광 변조 소자(201)의 도 45에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 47은 공간광 변조 소자(201)의 도 46에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 48은 공간광 변조 소자(201)의 도 47에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 49는 공간광 변조 소자(203)의 모식적인 사시도이다.
도 50은 공간광 변조 소자(203)의 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 51은 공간광 변조 소자(203)의 도 50에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 52는 공간광 변조 소자(203)의 도 51에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 53은 공간광 변조 소자(203)의 도 52에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 54는 공간광 변조 소자(203)의 도 53에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 55는 공간광 변조 소자(203)의 도 54에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 56은 공간광 변조 소자(203)의 도 55에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 57은 공간광 변조 소자(203)의 도 55에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 58은 공간광 변조 소자(203)의 도 57에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 59는 공간광 변조 소자(203)의 도 58에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 60은 공간광 변조 소자(203)의 도 59에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 61은 공간광 변조 소자(203)의 도 60에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
도 62는 공간광 변조 소자(203)의 도 60에 계속되는 제조 과정을 나타내는 단면도이다.
이하, 발명의 실시의 형태를 통하여 본 발명을 설명하지만, 이하의 실시의 형태는 청구범위에 따른 발명을 한정하는 것은 아니다. 또한, 실시의 형태 중에서 설명되어 있는 특징의 조합의 전부가 발명의 해결 수단에 필수인 것으로는 한정되지 않는다.
도 1은 공간광 변조 소자(200)의 모식적인 분해 사시도이다. 공간광 변조 소자(200)는, 순차적으로 적층된 회로부(210), 지지부(220) 및 반사부(230)를 구비한다.
회로부(210)는, 기판(211) 및 전극(212, 213, 214, 215, 216)을 갖는다. 기판(211)은, CMOS 회로를 포함하고, 전극(212, 213, 214, 215, 216) 중 하나에 구동 전압을 인가한다.
2쌍의 전극(212, 213, 214, 215)은, 기판(211)의 표면에 평탄하게 형성되고, 서로 대향한 위치에 배치된다. 이들 2쌍의 전극(212, 213, 214, 215)에는, 기판(211)의 CMOS 회로로부터 구동 전압이 공급된다. 남는 전극(216)은, 기판(211)의 주변부를 전체적으로 덮고, 기준 전압, 예컨대 접지 전압에 결합된다.
또, 도면 중에 있어서 기판(211)의 표면에, 상층의 지지부(220)의 형상을 점선으로 나타낸다. 이것에 의해, 지지부(220)의 각 부와 전극(212, 213, 214, 215, 216)의 위치 관계를 알 수 있다.
지지부(220)는, 하부 포스트(222), 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)을 갖는다. 4개의 하부 포스트(222)는, 기판(211)의 네 구석에 각각 배치되고, 기판(211)의 표면에 직립하여 고정된다.
지지 프레임(224)(지지체)은, 하부 포스트(222) 및 지지 프레임(224)과 일체적으로 형성된 연결 부재(탄성 지지부)인 플렉셔(223)에 의해, 하부 포스트(222)의 상단에 네 구석에 연결된다. 하부 포스트(222)의 높이는, 지지 프레임(224)의 두께보다 크다.
요동 프레임(226)은, 지지 프레임(224)으로부터 지지된 한 쌍의 비틀림축(225)(탄성 부재)에 의해, 지지 프레임(224)의 내측에 지지된다. 한 쌍의 비틀림축(225)은, 서로 같은 굽힘 강성을 갖는다. 또한, 요동판(228)은, 상기 비틀림축(225)과 교차하는 방향으로 배치된 한 쌍의 비틀림축(227)에 의해 요동 프레임(226)의 내측에 지지된다. 한 쌍의 비틀림축(227)은, 서로 같은 굽힘 강성을 갖는다.
상기와 같은 지지부(220)가 회로부(210)의 상면에 고정된 경우, 도면 중에서 기판(211)의 표면에 점선으로 나타내는 바와 같이, 요동 프레임(226)이 전극(213, 215)에 대향한다. 따라서, 전극(213, 215) 중 하나에 구동 전압이 인가된 경우에, 요동 프레임(226)과 해당 전극(213, 215)의 사이에서 정전력이 작용한다. 이것에 의해, 요동 프레임(226)은, 비틀림축(225)을 요동축으로 하여, 기판(211)에 대하여 요동한다.
마찬가지로, 요동판(228)은 전극(212, 214)과 대향한다. 따라서, 전극(212, 214) 중 하나에 구동 전압이 인가된 경우에, 요동판(228)과 해당 전극(212, 214)의 사이에서 정전력이 작용한다. 이것에 의해, 요동판(228)은, 비틀림축(227)을 요동축으로 하여, 기판(211)에 대하여 요동한다.
반사부(230)는, 반사경(234)과 상부 포스트(232)를 포함한다. 반사경(234)은, 도면 중 위쪽을 향한 평활한 평면을 이룬다. 상부 포스트(232)는, 반사경(234)의 하면으로부터 도면 중 아래쪽을 향해 돌출하여, 도면 중에 점선으로 나타내는 요동판(228)의 대략 중앙에 결합된다.
이것에 의해, 반사경(234)은, 지지부(220)로부터 위쪽으로 이간한 상태에서, 요동판(228)과 일체화된다. 따라서, 요동판(228)이 기판(211)에 대하여 요동한 경우는, 반사경(234)도 요동판(228)과 함께 요동한다.
도 2는 지지부(220)의 평면도이다. 도 1과 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
사각형의 지지 프레임(224)은, 플렉셔(223)에 의해 네 구석이 하부 포스트(222)에 결합된다. 따라서, 지지 프레임(224)은, 하부 포스트(222)의 내측에 위치가 정해진다.
요동 프레임(226)을 지지 프레임(224)에 결합하는 비틀림축(225)은, 지지 프레임(224) 및 요동 프레임(226)에 비교하면 가늘고 얇다. 따라서, 요동 프레임(226)과 전극(213, 215)의 사이에 정전력이 작용한 경우, 비틀림축(225)이 비틀려 변형하여, 요동 프레임(226)을 지지 프레임(224)에 대하여 요동 가능하게 한다.
요동판(228)을 요동 프레임(226)에 결합하는 비틀림축(227)은, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)과 비교하면 가늘고 얇다. 따라서, 요동판(228)과 전극(212, 214)의 사이에 정전력이 작용한 경우, 비틀림축(227)이 비틀려 변형하여, 요동판(228)을 요동 프레임(226)에 대하여 요동 가능하게 한다.
여기서, 요동 프레임(226)의 요동축이 되는 비틀림축(225)과, 요동판(228)의 요동축이 되는 비틀림축(227)은, 서로 직교하는 방향으로 배치된다. 따라서, 요동 프레임(226)의 요동과 요동판(228)의 요동을 조합하는 것에 의해, 요동판(228)의 요동 방향을 자유롭게 선택할 수 있다. 또, 도시한 예에서는 비틀림축(225)과 비틀림축(227)을 직교하는 방향으로 배치했지만, 서로 교차하는 방향이기만 하면 된다.
도 3은 공간광 변조 소자(200)의 모식적 단면도이고, 도 1 및 도 2에 화살표 B로 나타내는 단면을 나타낸다. 도 1 및 도 2와 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
도시한 단면에 있어서, 하부 포스트(222)의 하단은, 기판(211) 위의 전극(216)에 고정된다. 또한, 하부 포스트(222)의 상단은, 플렉셔(223)에 의해 지지 프레임(224)에 결합된다.
이것에 의해, 지지부(220)는 기판(211) 위에 고정되고, 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은, 모두 기판(211)의 표면으로부터 이간한 상태에서 위치가 정해진다. 또한, 전극(212, 214)은, 요동판(228)의 하면에 대향한 상태가 된다.
요동 프레임(226), 요동판(228) 및 반사경(234)의 각각의 가장자리에는, 아래쪽을 향해 돌출하는 리브(229, 239)가 마련된다. 이것에 의해, 요동 프레임(226), 요동판(228) 및 반사경(234)의 각각은, 높은 굽힘 강성을 갖는다.
또한, 지지 프레임(224)은, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)의 어느 쪽에 비해서도 두껍다. 따라서, 지지 프레임(224)은, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)에 대하여 상대적으로 강성이 높고, 변형하기 어렵다. 따라서, 플렉셔(223)가 변형한 경우도, 지지 프레임(224)은 거의 변형하지 않는다.
이것에 비하여, 플렉셔(223)는, 하부 포스트(222) 및 지지 프레임(224)의 어느 쪽에 비해서도 가늘고 얇고, 상대적으로 강성이 낮다. 따라서, 하부 포스트(222)와 지지 프레임(224)의 상대 위치가 기판(211)의 면 방향으로 변화한 경우, 플렉셔(223)는 용이하게 변형하여, 지지 프레임(224)의 기판(211)에 대한 변위를 허용한다.
단, 지지 프레임(224)이 변위한 경우, 플렉셔(223)는 탄성 변형 가능한 범위에서 변형한다. 따라서, 지지 프레임(224)에 작용한 힘이 해소된 경우, 플렉셔(223)의 탄성력에 의해, 지지 프레임(224)은 하부 포스트(222)의 중앙의 초기 위치로 복귀한다.
도 4는 공간광 변조 소자(200)의 모식적 단면도이고, 도 1 및 도 2에 화살표 C로 나타내는 단면을 나타낸다. 도 1 및 도 2와 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은, 기판(211)으로부터 이간한 상태에 있다. 전극(212, 214)은, 요동판(228)의 도면 중 양 측단에 대향하는 위치에 배치된다. 요동판(228)을 축지(軸支)하는 비틀림축(227)은, 도면의 지면에 수직으로 배치되므로, 전극(212, 214)에 인가한 구동 전압에서 생긴 정전력은, 요동판(228)에 효율적으로 작용한다.
또한, 이 단면에 있어서는, 지지 프레임(224)과 요동 프레임(226)이 비틀림축(225)에 의해 결합된 상태를 알 수 있다. 이미 설명한 것과 같이, 요동 프레임(226)은 리브(229)를 가지므로, 비틀림축(225)보다 굽힘 강성이 높다.
지지 프레임(224)은, 비틀림축(225) 및 요동 프레임(226)의 어느 쪽에 비해서도 두껍고, 상대적으로 높은 굽힘 강성을 갖는다. 따라서, 요동 프레임(226)에 정전력이 작용한 경우, 지지 프레임(224) 및 요동 프레임(226)은 변형하는 일 없이, 비틀림축(225)이 비틀려 변형하여 요동 프레임(226)의 요동을 허용한다.
단, 요동 프레임(226)이 요동한 경우, 비틀림축(225)은 탄성 변형 가능한 범위에서 변형한다. 따라서, 요동 프레임(226)에 작용하는 정전력이 해소된 경우는, 비틀림축(225)의 탄성력에 의해, 요동 프레임(226)은, 기판(211)과 평행한 초기 위치로 복귀한다.
도 5는 공간광 변조 소자(200)의 모식적 단면도이고, 도 1 및 도 2에 화살표 D로 나타내는 단면을 나타낸다. 도 1 및 도 2와 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은, 기판(211)으로부터 이간한 상태에 있다. 전극(213, 215)은, 요동 프레임(226)의 도면 중 양 측단에 대향하는 위치에 배치된다. 요동 프레임(226)을 축지하는 비틀림축(225)은, 도면의 지면에 수직으로 배치되므로, 전극(213, 215)에 인가한 구동 전압에서 생긴 정전력은, 요동 프레임(226)에 효율적으로 작용한다.
또한, 이 단면에 있어서는, 요동 프레임(226)과 요동판(228)이 비틀림축(227)에 의해 결합된 상태를 알 수 있다. 이미 설명한 것과 같이, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은 리브(229)를 가지므로, 비틀림축(227)보다 굽힘 강성이 높다. 따라서, 요동판(228)에 정전력이 작용한 경우, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은 변형하는 일 없이, 비틀림축(227)이 비틀려 변형하여 요동판(228)의 요동을 허용한다.
단, 요동판(228)이 요동한 경우, 비틀림축(227)은 탄성 변형 가능한 범위에서 변형한다. 따라서, 요동판(228)에 작용하는 정전력이 해소된 경우는, 비틀림축(227)의 탄성력에 의해, 요동판(228)은, 기판(211)과 평행한 초기 위치로 복귀한다.
도 6은 공간광 변조 소자(200)의 단면도이고, 도 5와 동일한 단면을 나타낸다. 도 5와 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
도시한 단면에 있어서는, 전극(213, 215) 중 하나와 요동 프레임(226)의 사이에 정전력이 작용하여, 요동 프레임(226)이 기판(211)에 대하여 경사하고 있다. 이것에 의해, 요동판(228)도, 요동 프레임(226)과 함께 경사한다. 또한, 상부 포스트(232)에 의해 요동판(228)에 결합된 반사경(234)도, 요동판(228)과 함께, 기판(211)에 대하여 기운다. 이와 같이, 공간광 변조 소자(200)에 있어서는, 전극(212, 213, 214, 215)에 인가하는 구동 전압을 제어하는 것에 의해, 반사경(234)의 기울기를 변화시킬 수 있다.
또, 경사한 요동 프레임(226)에는, 기판(211)과 평행한 초기 위치를 향해 힘을 가하는, 비틀림축(225)의 탄력성이 작용한다. 따라서, 요동 프레임(226)에 대한 정전력의 작용이 해제된 경우, 요동 프레임(226)은 기판(211)과 평행한 초기 위치로 되돌아간다. 또한, 이와 같은 요동 프레임(226)의 동작에 따라, 반사부(230)도 초기 위치로 복귀한다. 이와 같이, 비틀림축(225, 227)은, 탄성 부재로서도 작용한다.
도 7은 공간광 변조 소자(200)를 구비한 공간광 변조기(100)의 외관을 나타내는 모식적인 사시도이다. 도 1로부터 도 6까지와 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
공간광 변조기(100)는, 단일 기판(211)과, 그 기판(211) 위에 배치된 복수의 반사경(234)을 구비한다. 복수의 반사경(234)의 각각에 대하여, 기판(211) 위에 형성된 전극(212, 213, 214, 215, 216)과 지지부(220)가 마련되고, 기판(211) 위에는 다수의 공간광 변조 소자(200)가 매트릭스 형상으로 배열된다.
이것에 의해, 공간광 변조 소자(200)의 각각에 있어서 구동 전력을 개별적으로 제어하여, 개개의 반사경(234)의 기울기를 개별적으로 변화시킬 수 있다. 따라서, 예컨대, 평탄한 분포를 갖는 광원광을 공간광 변조기(100)에서 반사하는 것에 의해, 임의의 조사 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 불균일한 분포를 갖는 광원광을 공간광 변조기(100)에서 반사하는 것에 의해, 균일한 조사광을 형성할 수 있다. 따라서, 공간광 변조기(100)를 이용하여, 가변 광원, 노광 장치, 화상 표시 장치, 광스위치 등을 형성할 수 있다.
도 8은 공간광 변조기(100)를 포함하는 노광 장치(400)의 모식도이다. 이 노광 장치(400)는, 공간광 변조기(100)를 구비하고, 광원 마스크 최적화법을 실행하는 경우에, 조명 광학계(600)에 임의의 조도 분포를 갖는 조명광을 입사시킬 수 있다. 즉, 노광 장치(400)는, 조명광 발생부(500), 조명 광학계(600) 및 투영 광학계(700)를 구비한다.
조명광 발생부(500)는, 제어부(510), 광원(520), 공간광 변조기(100), 프리즘(530), 결상 광학계(540), 빔 스플리터(550) 및 계측부(560)를 포함한다. 광원(520)은, 조명광 L을 발생시킨다. 광원(520)이 발생시킨 조명광 L은, 광원(520)의 발광 기구의 특성에 따른 조도 분포를 갖는다. 이 때문에, 조명광 L은, 조명광 L의 광로와 직교하는 단면에 있어서 원화상 I1을 갖는다.
광원(520)으로부터 출사된 조명광 L은, 프리즘(530)에 입사한다. 프리즘(530)은, 조명광 L을 공간광 변조기(100)에 인도한 후, 다시 외부에 출사시킨다. 공간광 변조기(100)는, 제어부(510)의 제어에 의해 입사한 조명광 L을 변조한다. 공간광 변조기(100)의 구조와 동작에 대해서는, 이미 설명한 것과 같다.
공간광 변조기(100)를 거쳐서 프리즘(530)으로부터 출사된 조명광 L은, 결상 광학계(540)를 거쳐서, 후단의 조명 광학계(600)에 입사된다. 결상 광학계(540)는, 조명 광학계(600)의 입사면(612)에 조명광 화상 I3을 형성한다.
빔 스플리터(550)는, 결상 광학계(540) 및 조명 광학계의 사이에 있어서, 조명광 L의 광로상에 배치된다. 빔 스플리터(550)는, 조명 광학계(600)에 입사하기 전의 조명광 L의 일부를 분리하여 계측부(560)에 인도한다.
계측부(560)는, 조명 광학계(600)의 입사면(612)과 광학적으로 공역의 위치에서 조명광 L의 화상을 계측한다. 이것에 의해, 계측부(560)는, 조명 광학계(600)에 입사하는 조명광 화상 I3과 동일한 화상을 계측한다. 따라서, 제어부(510)는, 계측부(560)에 의해 계측되는 조명광 화상 I3을 참조하여, 공간광 변조기(100)를 귀환 제어할 수 있다.
조명 광학계(600)는, 플라이아이 렌즈(610), 콘덴서 광학계(620), 시야 조리개(630) 및 결상 광학계(640)를 포함한다. 조명 광학계(600)의 출사단에는, 마스크(710)를 유지한 마스크 스테이지(720)가 배치된다.
플라이아이 렌즈(610)는, 병렬적으로 치밀하게 배치된 다수의 렌즈 소자를 구비하고, 후측 초점면에 렌즈 소자의 수와 동수의 조명광 화상 I3을 포함하는 2차 광원을 형성한다. 콘덴서 광학계(620)는, 플라이아이 렌즈(610)로부터 출사된 조명광 L을 집광하여 시야 조리개(630)를 중첩적으로 조명한다.
시야 조리개(630)를 거친 조명광 L은, 결상 광학계(640)에 의해, 마스크(710)의 패턴면에, 시야 조리개(630)의 개구부의 상인 조사광 화상 I4를 형성한다. 이렇게 하여, 조명 광학계(600)는, 그 출사단에 배치된 마스크(710)의 패턴면을, 조사광 화상 I4에 의해 쾰러 조명한다.
또, 조명 광학계(600)의 입사면(612)이기도 한 플라이아이 렌즈(610)의 입사단에 형성되는 조도 분포는, 플라이아이 렌즈(610)의 출사단에 형성되는 2차 광원 전체의 대국적인 조도 분포와 높은 상관을 나타낸다. 따라서, 조명광 발생부(500)가 조명 광학계(600)에 입사시키는 조명광 화상 I3은, 조명 광학계(600)가 마스크(710)에 조사하는 조명광 L의 조도 분포인 조사광 화상 I4에도 반영된다.
투영 광학계(700)는 마스크 스테이지(720)의 직후에 배치되고, 개구 조리개(730)를 구비한다. 개구 조리개(730)는, 조명 광학계(600)의 플라이아이 렌즈(610)의 출사단과 광학적으로 공역의 위치에 배치된다. 투영 광학계(700)의 출사단에는, 감광성 재료가 도포된 기판(810)을 유지하는 기판 스테이지(820)가 배치된다.
마스크 스테이지(720)에 유지된 마스크(710)는, 조명 광학계(600)에 의해 조사된 조명광 L을 반사 또는 투과하는 영역과 흡수하는 영역으로 이루어지는 마스크 패턴을 갖는다. 따라서, 마스크(710)에 조명광 화상 I4를 조사하는 것에 의해, 마스크(710)의 마스크 패턴과 조명광 화상 I4 자체의 조도 분포의 상호 작용에 의해 투영광 화상 I5가 생성된다. 투영광 화상 I5는, 기판(810)의 감광성 재료에 투영되어, 요구된 패턴을 갖는 희생층을 기판(810)의 표면에 형성한다.
또, 도 8에서는 조명광 L의 광로를 직선 형상으로 그리고 있지만, 조명광 L의 광로를 굴곡시키는 것에 의해 노광 장치(400)를 소형화할 수 있다. 또한, 도 8은, 조명광 L이 마스크(710)를 투과하도록 그리고 있지만, 반사형 마스크(710)가 이용되는 경우도 있다.
도 9는 조명광 발생부(500)의 부분 확대도이고, 노광 장치(400)에 있어서의 공간광 변조기(100)의 역할을 나타내는 도면이다. 프리즘(530)은, 한 쌍의 반사면(532, 534)을 갖는다. 프리즘(530)에 입사한 조명광 L은, 한쪽의 반사면(532)에 의해, 공간광 변조기(100)를 향해 조사된다.
이미 설명한 것과 같이, 공간광 변조기(100)는, 개별적으로 요동시킬 수 있는 복수의 반사부(230)를 갖는다. 따라서, 제어부(510)가 공간광 변조기(100)를 제어하는 것에 의해, 요구에 따른 임의의 광원 화상 I2를 형성할 수 있다.
공간광 변조기(100)로부터 출사된 광원 화상 I2는, 프리즘(530)의 다른 쪽의 반사면(534)에 의해 반사되고, 도면 중의 프리즘(530) 우단면으로부터 출사된다. 프리즘(530)으로부터 출사된 광원 화상 I2는, 결상 광학계(540)에 의해, 조명 광학계(600)의 입사면(612)에 조명광 화상 I3을 형성한다.
도 10은 다른 형상을 갖는 지지부(241)의 평면도이다. 도 2와 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
지지부(241)는, 하부 포스트(222)와 지지 프레임(224)을 결합하는 플렉셔(253)의 형상이, 지지부(220)와 다르다. 즉, 지지부(220)에 있어서는 플렉셔(223)가 직선 형상이었던 것에 비하여, 지지부(241)의 플렉셔(253)는 굴곡을 반복하는 형상을 갖는다.
이것에 의해, 플렉셔(253)의 탄성률이 작아지고, 같은 부하가 가해진 경우에 플렉셔(253)가 변형하기 쉬워진다. 따라서, 기판(211)과 일체가 되는 하부 포스트(222)의 변위와, 지지 프레임(224)의 변위 또는 변형을 보다 효과적으로 차단할 수 있다.
또, 플렉셔(253)의 강성은, 비틀림축(225, 227)의 강성보다 높게 하더라도 좋다. 이것에 의해, 반사부(230)의 요동에 대하여, 플렉셔(253)의 탄성 변형이 미치는 영향을 억제할 수 있다.
도 11은 또 다른 형상을 갖는 지지부(242)의 평면도이다. 도 10과 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
지지부(242)는, 지지부(220, 241)와 비교하면, 보다 작은 요동판(258)을 갖는 점에서 다르다. 또한, 요동 프레임(226)을 배제하고, 지지 프레임(224)의 각 변의 중앙과 요동판(258)을, 롱 플렉셔(255)에 의해 결합하고 있다. 또, 지지 프레임(224)이, 굴곡 형상을 갖는 플렉셔(253)에 의해 하부 포스트(222)에 결합되어 있는 점은, 지지부(241)와 동일하다.
상기와 같은 구조에 의해, 지지부(242)에 있어서는, 요동판(258)이, 지지 프레임(224)에 대하여 보다 요동하기 쉽다. 또, 지지부(242)는, 기판(211) 위의 전극(212, 213, 214, 215)과 정전력을 작용시키는 면을 갖고 있지 않다. 따라서, 지지부(242)를 구비한 공간광 변조 소자(200)에 있어서는, 요동판(258)에 탑재된 반사경(234)의 이면과 전극(212, 213, 214, 215)의 사이에서 정전력을 작용시켜 반사경(234)을 요동시킨다.
도 12는 지지부(243)의 평면도이다. 도 11과 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
지지부(243)는, 지지부(242)와 비교하면, 지지 프레임(224)의 내측에서 요동판(258)과 지지 프레임(224)을 결합하는 롱 플렉셔(257)가, 지지 프레임(224)의 대각 방향으로 배치되어 있는 점에서, 지지부(242)와 다르다. 이것에 의해, 롱 플렉셔(257)가 길어지므로, 탄성률은 한층 낮아지고, 요동판(228)이 요동하기 쉬워진다.
이 지지부(243)를 구비한 공간광 변조 소자(200)에 있어서도, 지지부(243)는, 기판(211) 위의 전극(212, 213, 214, 215)과 정전력을 작용시키는 면을 갖고 있지 않다. 따라서, 지지부(243)를 구비한 공간광 변조 소자(200)에 있어서는, 요동판(258)에 탑재된 반사경(234)의 이면과 전극(212, 213, 214, 215)의 사이에서 정전력을 작용시켜 반사경(234)을 요동시킨다.
도 13은 비교를 위해 제작한 지지부(244)의 평면도이다. 도 11과 공통의 요소에는 같은 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
지지부(244)는, 지지 프레임(224)을 배제하고, 하부 포스트(222)와 요동판(258)을 롱 플렉셔(257)에 의해 직결한 구조를 갖는다. 따라서, 이 지지부(244)를 구비한 공간광 변조 소자(200)에 있어서도, 요동판(258)에 탑재된 반사경(234)의 이면과 전극(212, 213, 214, 215)의 사이에서 정전력을 작용시켜 반사경(234)을 요동시킨다.
도 14는, 도 2, 도 10, 도 11, 도 12에 각각 나타낸 지지부(220, 241, 242, 243)를 구비한 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203)에 있어서의 온도와 컴플라이언스 비의 관계를 나타내는 그래프이다. 도 14에는, 비교의 대상으로서, 도 13에 나타낸 지지부(244)를 구비한 공간광 변조 소자(204)의 특성도 합쳐서 나타낸다.
도 14에 있어서는, 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203)의 각각에 대하여, 지지부(220, 241, 242, 243, 244)를 선택적으로 가열한 경우를 점선으로, 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203, 204) 전체를 가열한 경우를 실선으로, 각각 나타낸다. 도시한 바와 같이, 플렉셔(223, 253)로 지지한 지지 프레임(224)을 구비하는 지지부(220, 241, 242, 243)를 포함하는 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203)는, 부분적으로 가열한 경우(점선)와 전체를 가열한 경우(실선)의 온도 특성의 괴리가 적다.
즉, 플렉셔(223, 253) 및 지지 프레임(224)을 구비한 지지부(220, 241, 243)를 포함하는 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203)는, 예컨대 20℃에 있어서, 도면 중에 기재하는 바와 같이, 부분적으로 가열된 경우의 컴플라이언스 비와, 전체적으로 가열된 경우의 컴플라이언스 비의 상위가, 허용 범위인 ±0.15％를 대폭 하회한다. 그렇지만, 지지 프레임(224)을 갖고 있지 않은 지지부(244)를 구비하는 공간광 변조 소자(204)에서는, 그래프상의 실선 및 점선은 수평 방향으로 접근하고 있지만, 특성을 나타내는 직선의 경사가 급격하므로, 부분적으로 가열된 경우의 컴플라이언스 비와, 전체적으로 가열된 경우의 컴플라이언스 비의 상위가 현저하게 크다.
따라서, 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203)를 구비한 기기는, 시동한 직후에, 각 부의 온도가 안정되어 있지 않은 시기에 제어성을 저하시키는 일 없이 공간광 변조 소자(200)를 사용할 수 있다. 이것에 의해, 공간광 변조 소자(200, 201, 202, 203)를 이용한 공간광 변조기(100)와, 그와 같은 공간광 변조기(100)를 구비한 기기의 스루풋을 향상시킬 수 있다.
또한, 지지부(220, 241, 243)를 포함하는 공간광 변조 소자(200, 201, 203)는, 컴플라이언스 비의 온도 특성이 안정되어, 온도의 변화에 의한 제어성의 저하가 억제된다. 따라서, 공간광 변조 소자(200)를 구비한 기기를, 장기간에 걸쳐 안정적으로 동작시킬 수 있다.
도 15로부터 도 31까지는, 도 1로부터 도 6까지 나타낸 공간광 변조 소자(200)의 제조 과정을 나타내는 단면도이다. 도 15 및 도 16은 회로부(210)를 제작하는 과정을, 도 17로부터 도 23은 지지부(220)를 제작하는 과정을, 도 24로부터 도 32는 반사부(230)를 제작하는 과정을, 도 3에 나타낸 단면과 동일한 단면에 있어서 각각 나타낸다.
또, 도 15로부터 도 31까지 나타내는 것은 제작 과정이므로, 공간광 변조 소자(200)에 있어서 대응하는 요소가 다른 형상 또는 상태로 포함되어 있는 경우가 있다. 그래서, 이들의 도면에 대해서는, 각 요소에 고유의 참조 번호를 붙여서 설명한 후에, 요소 혹은 전체가 완성된 단계에서, 공간광 변조 소자(200)의 각 요소와의 대응 관계를 설명한다.
우선, 도 15에 나타내는 바와 같이, 공간광 변조 소자(200)를 형성하는 기판(211)을 준비하고, 전극(212, 213, 214, 215, 216)이 되는 도체층(310)을 전면에 형성한다. 기판(211)의 재료로서는, 실리콘 단결정 기판 외에, 화합물 반도체 기판, 세라믹스 기판 등, 평탄한 표면을 갖는 부재를 널리 사용할 수 있다. 기판(211)에는, 미리, 구동 전력을 공급하는 배선, CMOS 회로 등이 형성되어 있는 것으로 한다.
또한, 도체층(310)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해 형성할 수 있다. 또한, 알루미늄, 구리 등의 다른 금속을 이용하더라도 좋다. 도체층(310)의 성막 방법으로서는, 도체층(310)의 재료에 따라, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로부터 적절히 선택할 수 있다.
다음으로, 도 16에 나타내는 바와 같이, 도체층(310)을 패터닝한다. 이것에 의해, 공간광 변조 소자(200)에 있어서의 전극(212, 214, 216)이 형성된다. 또, 전극(212, 214, 216)으로서 패터닝된 도체층(310)의 표면을, 절연층으로 더 피복하더라도 좋다. 이것에 의해, 전극(212, 213, 214, 215)에 대한 단락을 방지할 수 있다.
절연층의 재료로서는, 예컨대, 기판(211)의 재료의 산화물, 질화물 등을 사용할 수 있다. 또한, 절연층은, 유전율이 높은 다공질체이더라도 좋다. 절연 재료층의 성막 방법으로서는, 재료에 따라, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법으로부터 적절히 선택할 수 있다.
다음으로, 도 17에 나타내는 바와 같이, 기판(211)의 표면과 도체층(310)의 표면을 희생층(322)에 의해 평탄화한 후, 금속층(332)을 적층한다. 희생층(322)은, 예컨대 산화규소에 의해 형성된다. 또한, 금속층(332)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로 형성할 수 있다.
계속하여, 도 18에 나타내는 바와 같이, 금속층(332)을 건식 에칭 등에 의해 패터닝한다. 이것에 의해, 공간광 변조 소자(200)에 있어서 지지 프레임(224)의 일부가 되는 금속 패턴(334)이 형성된다.
다음으로, 공간광 변조 소자(200)에 있어서의 지지부(220)를 형성할 목적으로, 성막 베이스가 되는 희생층을 형성한다. 단, 포토리소그래피에 의한 패터닝은 평면적인 것으로 한정된다. 그래서, 입체적 구조를 형성하는 경우는 복수의 희생층을 단계적으로 형성하여 입체적인 성막 베이스를 형성한다.
우선, 도 19에 나타내는 바와 같이, 금속 패턴(334)의 주위에 희생층(324)이 더 퇴적되고, 높이가 조정된다. 희생층(324)의 재료 및 성막법은, 최초의 희생층(322)과 같더라도 좋다.
다음으로, 도 20에 나타내는 바와 같이, 패터닝에 제공하는 다른 희생층(326)이, 기존의 희생층(324)에 적층되어, 금속 패턴(334)과 동일한 높이까지 퇴적된다. 예컨대 산화규소에 의해 형성되는 희생층(324)은, HF 증기법에 의해 패터닝할 수 있다.
계속하여, 도 21에 나타내는 바와 같이, 2층의 희생층(324, 326)을 함께 패터닝하여, 콘택트홀(321)이 형성된다. 콘택트홀(321)은, 예컨대, 건식 에칭에 의해 형성되고, 기판(211) 바로 위의 도체층(310)에 도달한다. 이렇게 하여, 기판(211) 위에는, 입체적인 형상을 갖는 성막 베이스가 형성된다.
다음으로, 도 22에 나타내는 바와 같이, 희생층(324, 326) 및 도체층(310)의 표면 전체에, 금속층(336)을 형성한다. 금속층(336)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해 형성할 수 있고, 성막 방법으로서는, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로부터 적절히 선택할 수 있다.
또한, 도 23에 나타내는 바와 같이, 금속층(336)을 패터닝하여, 지지부(220)가 형성된다. 금속층(336)은, 예컨대 건식 에칭에 의해 패터닝할 수 있다.
도 3을 참조하면 알 수 있는 바와 같이, 금속층(336)에는, 외측으로부터 차례로, 하부 포스트(222), 플렉셔(223), 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)이 순차적으로 형성된다. 또한, 입체적인 성막 베이스를 형성한 후에 금속층(336)을 형성한 것에 의해, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)의 가장자리에는, 아래쪽으로 돌출한 리브(229)가 형성된다. 이것에 의해, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은, 높은 단면 이차 모멘트를 갖는다.
다음으로, 도 24에 나타내는 바와 같이, 금속층(336)의 표면과, 그 사이에 노출된 희생층(326)의 표면을, 새로운 희생층(342)에 의해 평탄화한다. 또한, 도 25에 나타내는 바와 같이, 희생층(342)의 표면이 트리밍되어, 희생층(342)와 금속층(336)의 상면이 평탄하게 된다.
이렇게 하여, 지지부(220)보다 아래쪽의 기존의 구조를 보호함과 아울러, 반사부(230)를 형성하는 성막 베이스가 형성된다. 또, 도면을 간결하게 할 목적으로, 이후의 기재에 있어서 복수의 희생층(322, 324, 326)을 합쳐서 희생층(320)이라고 기재하는 경우가 있다.
다음으로, 다시 2층 구조의 희생층(344, 346)에 의해 성막 베이스를 형성한다. 우선, 도 26에 나타내는 바와 같이, 희생층(342) 및 금속층(336)의 표면에, 2층 구조 중 아래쪽의 희생층(344)이 형성된다. 또한, 도 27에 나타내는 바와 같이, 희생층(344)이 패터닝되고, 금속층(336)에 도달하는 홀 패턴(343)이 대략 중앙에 형성된다.
계속하여, 도 28에 나타내는 바와 같이, 2층째의 희생층(346)이 적층되고, 또한, 희생층(344)의 홀 패턴과 연속한 홀 패턴과, 측단부를 깎은 고유의 트림 패턴을 포함하도록 하여, 반사부(230)의 성막 베이스가 형성된다. 또, 희생층(344, 346)의 재료, 성막법, 패터닝 방법은, 다른 희생층(320)과 동일한 것을 사용할 수 있다.
다음으로, 도 29에 나타내는 바와 같이, 희생층(344, 346)의 표면에, 금속층(350)이 형성된다. 금속층(350)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해 형성할 수 있다. 성막 방법으로서는, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로부터 적절히 선택할 수 있다.
계속하여, 도 30에 나타내는 바와 같이, 금속층(350)의 위에, 반사층(360)이 퇴적된다. 반사층(360)은, 예컨대 알루미늄 박막과 같이, 반사율이 높은 재료에 의해 형성된다.
또, 반사층(360)은, 공간광 변조 소자(200)에 있어서 입사광을 반사하는 면이 된다. 따라서, 반사층(360)의 형성에 앞서, 그 베이스가 되는 금속층(350)의 표면을 화학 기계 연마하여 경면화(鏡面化)하더라도 좋다. 또한, 반사층(360) 그 자체의 표면을 화학 기계 연마하여 경면화하더라도 좋다. 또한, 금속층(350) 및 반사층(360)의 양쪽을 화학 기계 연마하더라도 좋다.
또한, 반사층(360)의 재료로서 알루미늄 등을 이용한 경우, 산화 등에 의한 표면 성상의 변화를 방지할 목적으로, 반사층(360)의 표면에 보호막을 더 적층하더라도 좋다. 보호막으로서는, 알루미나 등의 무기 재료의 치밀한 박막을 예시할 수 있다. 또, 보호층은, 반사층(360)에 있어서 반사되는 광에 대하여 투명해야 한다는 것은 말할 필요도 없다.
다음으로, 도 31에 나타내는 바와 같이, 금속층(350) 및 반사층(360)의, 도면 중 측단부가 트리밍된다. 이것에 의해, 도면 중 아래쪽으로 돌출하는 리브 형상 부분을 갖는 반사부(230)가 형성된다. 마지막으로, 도 32에 나타내는 바와 같이, 희생층(320, 342, 344, 346)을 제거한다.
여기서, 반사층(360)의 양 측단에 있어서 희생층(344)의 표면이 노출되어 있다. 금속층(336)의 내측에 남는 희생층(326)은 희생층(324)의 위에 적층되어 있으므로, 양자는 연속한다. 희생층(324)은, 희생층(322)의 위에 적층되어 있으므로 양자는 연속한다. 이와 같이, 희생층(324)은 연속하여 형성되어 있으므로, HF 증기법 등에 의해 일괄하여 제거할 수 있다.
희생층(324)을 제거하면, 공간광 변조 소자(200)가 완성된다. 즉, 기판(211)의 표면에는, 도체층(310)에 의해 형성된 전극(212, 214, 216)이 배치되고, 회로부(210)를 형성한다.
또한, 금속층(332, 336)은, 지지부(220)를 형성한다. 지지부(220)에 있어서, 플렉셔(223) 및 비틀림축(225, 227)은 얇고, 지지 프레임(224)은 두껍다. 또한, 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은, 각각 리브(229)를 갖는다.
또한, 반사부(230)는, 상부 포스트(232)에 의해 요동판(228)에 결합된다. 또한, 반사부(230)는, 반사층(360)에 의해 형성된 반사율이 높은 반사경(234)을 갖는다.
또, 리브(229)의 하단에는, 수평으로 연장되는 플랜지의 부분이 생기는 경우가 있다. 이것은, 금속층(336)을 패터닝하는 경우에 남은 버(burr)이고, 의도적으로 형성한 것은 아니다. 그렇지만, 요동 프레임(226) 또는 요동판(228)의 강성을 저하시키는 것이 아니고, 오히려 향상시키는 경우도 있으므로 남기더라도 좋다.
또한, 상기의 예에서는, 단일 공간광 변조 소자(200)를 제작하는 경우에 대하여 설명했다. 그렇지만, 단일 기판(211)에 복수의 공간광 변조 소자(200)를 일괄하여 형성하는 것에 의해, 공간광 변조기(100)를 제조할 수도 있다.
도 33은 다른 구조를 갖는 공간광 변조 소자(205)의 단면도이다. 도면 중, 이백번대의 참조 번호는, 도 1의 공간광 변조 소자(200)에 있어서 공통의 요소와 동일한 참조 번호를 붙였다. 또한, 도면 중 삼백번대의 참조 번호는, 도 15로부터 도 32까지 나타낸 제조 프로세스에 있어서의 요소에 대응하여, 공통의 요소와 동일한 참조 번호를 붙였다.
도시한 바와 같이, 공간광 변조 소자(205)는, 공간광 변조 소자(200)와 동일하게, 회로부(210), 지지부(220) 및 반사부를 구비한다. 단, 공간광 변조 소자(205)의 각 요소는, 도체층(310) 및 금속층(336, 350)과, 절연층(370) 또는 화합물층(380)의 적층 구조를 갖는다. 이것에 의해, 도체층(310) 및 금속층(336, 350)을, 알루미늄, 구리 등의, 경량이고 취급이 용이한 재료에 의해 형성할 수 있다.
또한, 도체층(310) 및 금속층(336, 350)의 표면을, 화학적으로 안정한 절연층(370) 또는 화합물층(380)에 의해 피복하므로, 내구성도 높다. 또한, 지지부(220) 및 반사부(230)는, 금속층(336, 350)의 표리를 화합물층(380)으로 피복하므로, 금속 및 화합물의 바이메탈 효과에 의한 변형을 방지할 수 있다. 절연층(370) 및 화합물층(380)의 재료로서는, 기판 재료의 산화물, 질화물, 탄화물 등으로부터 널리 선택할 수 있다.
도 34는 다른 구조를 갖는 반사부(231)를 단독으로 나타내는 단면도이다. 반사부(231)는, 입체 구조부(236) 및 평탄부(238)를 구비한다. 입체 구조부(236)의 상부는, 정육면체의 상자 형상을 이룬다. 또한, 상부 포스트(232)는, 중간에 단을 형성하는 습곡부(237)를 갖는다. 이것에 의해, 입체 구조부(236)는 높은 굽힘 강성을 갖는다.
입체 구조부(236)의 위에 형성된 평탄부(238)는, 단차, 함몰부 등의 기복이 전혀 없는, 전체에 평탄한 형상을 갖는다. 따라서, 평탄부(238)의 상면에 반사층(360)을 형성하는 것에 의해, 반사부(231)의 상면 전체를 평탄한 반사경(234)으로서 이용할 수 있다. 따라서, 공간광 변조 소자(200)의 반사 효율을 향상시킬 수 있다.
또, 평탄부(238)는, 굽힘 강성이 높은 입체 구조부(236)에 의해 지지되어 있으므로, 변형이 적다. 또한, 입체 구조부(236)는 중공(中空)이므로, 반사부(231) 전체의 질량이 커지는 일은 없다. 또한, 입체 구조부(236)를 형성하는 과정에서 저부에 드레인(235)을 마련하는 것에 의해, 평탄부(238)를 형성하는 경우의 베이스가 된 희생층을 제거할 수 있다.
도 35는 도 10에 나타낸 지지부(241)를 구비하는 공간광 변조 소자(201)의 모식적인 분해 사시도이다. 공간광 변조 소자(201)는, 이후에 설명하는 부분을 제외하면, 도 1에 나타낸 공간광 변조 소자(200)와 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 동일한 요소에는 공통의 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
공간광 변조 소자(201)에 있어서는, 지지부(241)의 지지 프레임(224)이, 굴곡한 플렉셔(253)에 의해 하부 포스트(222)로부터 지지되는 점에서, 공간광 변조 소자(200)와 다르다. 이것에 의해, 이미 설명한 것과 같이, 하부 포스트(222)를 포함하는 기판(211)측과, 지지 프레임(224)의 사이의 기계적인 영향이 보다 효과적으로 차단되어, 공간광 변조 소자(201)의 온도 특성이 안정된다.
또한, 공간광 변조 소자(201)에 있어서는, 지지 프레임(224), 요동 프레임(226), 요동판(228) 및 반사부(230)에 있어서의 리브(229, 239)가 기능을 잃어, 각각의 막 두께에 의해 강성을 얻고 있다. 이것에 의해, 지지 프레임(224), 요동 프레임(226), 요동판(228) 및 반사부(230)의 막 두께는 일정하게 되고, 후술하는 바와 같이 제조 수순을 간략화할 수 있다.
도 36으로부터 도 47까지는, 도 35에 나타낸 공간광 변조 소자(201)의 제조 과정을 수순마다 나타내는 단면도이다. 이들의 도면은, 도 35에 화살표 E로 나타내는 단면에 의해 그려진다. 도 37로부터 도 42에는 지지부(241)를 형성하는 과정이, 도 43으로부터 도 47에는 반사부(230)를 형성하는 과정이, 각각 나타난다.
또, 도 35로부터 도 47까지에 있어서도, 공간광 변조 소자(201)에 있어서 대응하는 요소가 다른 형상 또는 상태로 포함되어 있는 경우가 있다. 그래서, 이들의 도면에 관해서는 각 요소에 고유의 참조 번호를 붙여서 설명한 후에, 공간광 변조 소자(201)의 각 요소와의 대응 관계를 별도 설명한다.
도 36은, 기판(211)의 표면에 전극(214, 216)을 형성한 후에 희생층(322)에 의해 평탄화하고, 또한, 희생층(322)의 표면 전체에 금속층(332)을 성막한 단계를 나타낸다. 여기까지의 수순은, 도 15로부터 도 17까지 나타낸 공간광 변조 소자(200)의 제조 과정과 동일한 수순이 된다. 금속층(332)으로서는 TiAl 합금을, 희생층(322)으로서는 산화규소를 각각 이용했다.
그 다음에, 도 37에 나타내는 바와 같이, 금속층(332)을 건식 에칭 등에 의해 패터닝한다. 이것에 의해, 공간광 변조 소자(201)에 있어서 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)의 일부가 되는 금속 패턴(334)이 형성된다.
다음으로, 도 38에 나타내는 바와 같이, 기존의 희생층(322) 및 금속 패턴(334)의 위에 새로운 희생층(324)을 퇴적시켜, 전체를 평탄화한다. 계속하여, 도 39에 나타내는 바와 같이, 희생층(324)의 표면을 HF 증기법에 의해 두께 방향으로 일부 제거하여, 금속 패턴(334)을 노출시킨다. 이것에 의해, 기판(211) 위에는, 금속 패턴(334) 또는 희생층(324) 중 하나에 의한 평탄한 표면이 형성된다.
다음으로, 도 40에 나타내는 바와 같이, 2층의 희생층(324, 326)을 함께 패터닝하여, 콘택트홀(321)이 형성된다. 콘택트홀(321)은, 예컨대, 건식 에칭에 의해 형성되고, 기판(211) 바로 위의 도체층(310)에 도달한다. 이렇게 하여, 기판(211) 위에는, 입체적인 형상을 갖는 성막 베이스가 형성된다.
다음으로, 도 41에 나타내는 바와 같이, 희생층(324) 및 금속 패턴(334)의 표면 전체에, 금속층(336)이 퇴적된다. 퇴적된 금속층(336)의 일부는, 금속 패턴(334)과 일체화하여 두께가 다른 부분이 된다. 금속층(336)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해 형성할 수 있고, 성막 방법으로서는, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로부터 적절히 선택할 수 있다.
다음으로, 도 42에 나타내는 바와 같이, 금속층(336)을 건식 에칭 등에 의해 패터닝하여, 지지부(241)의 각 요소를 형성한다. 도면 중에 이백번대의 참조 번호에 의해 나타내는 바와 같이, 금속층(336)에 의해, 하부 포스트(222), 플렉셔(253), 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)이 각각 형성된다. 또한, 도시한 단면에는 나타나지 않지만, 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)의 사이에는 비틀림축(225, 227)도 형성된다.
여기서, 금속층(336)은, 금속 패턴(334)과 일체화하고 있으므로, 상기 지지부(241)의 요소 중, 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은, 플렉셔(253), 비틀림축(225, 227)보다 막 두께가 크다. 따라서, 지지 프레임(224), 요동 프레임(226) 및 요동판(228)은 높은 강성을 갖는다. 이렇게 하여, 지지부(241)에 상당하는 부분이 형성된다.
다음으로, 도 43에 나타내는 바와 같이, 기판(211)의 표면 전체에 새로운 희생층(326)이 퇴적되고, 평탄화된다. 또한, 도 44에 나타내는 바와 같이, 희생층(326)의 일부가 제거되고, 금속층(336)에 도달하는 홀 패턴(343)이 형성된다.
계속하여, 도 45에 나타내는 바와 같이, 희생층(326) 및 금속층(336)의 표면 전체에 금속층(350)이 퇴적된다. 금속층(350)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해 형성할 수 있다. 성막 방법으로서는, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로부터 적절히 선택할 수 있다.
계속하여, 도 46에 나타내는 바와 같이, 금속층(350)의 위에, 반사층(360)이 퇴적된다. 반사층(360)은, 예컨대 알루미늄 박막과 같이 반사율이 높은 재료에 의해 형성된다.
다음으로, 도 47에 나타내는 바와 같이, 금속층(350) 및 반사층(360)의, 도면 중 측단부가 트리밍된다. 이것에 의해, 연속한 금속층(350) 및 반사층(360)이 공간광 변조 소자(201)마다 절단되고, 소자마다 독립한 반사부(230)가 형성된다.
마지막으로, 도 48에 나타내는 바와 같이, 희생층(322, 324, 326)이 일괄하여 제거된다. 희생층(324)은 연속하여 형성되어 있으므로, HF 증기법 등에 의해 일괄하여 제거할 수 있다. 이렇게 하여, 공간광 변조 소자(201)가 완성된다.
즉, 기판(211)의 표면에는, 도체층(310)에 의해 형성된 전극(212, 214, 216)이 배치되고, 회로부(210)를 형성한다. 또한, 금속 패턴(334) 및 금속층(336)은, 지지부(241)를 형성한다. 지지부(241)에 있어서, 플렉셔(253) 및 비틀림축(225, 227)은 얇고, 지지 프레임(224)은 두껍다.
또한, 반사부(230)는, 상부 포스트(232)에 의해 요동판(228)에 결합된다. 또한, 반사부(230)는, 반사층(360)에 의해 형성된 반사율이 높은 반사경(234)을 갖는다. 상기 예에서는 단일 공간광 변조 소자(200)에 착안하여 제작 과정을 설명했지만, 단일 기판(211)에 복수의 공간광 변조 소자(200)를 일괄하여 형성하는 것에 의해, 공간광 변조기(100)를 제조할 수도 있다.
또한, 상기 구조 및 제작 과정은 일례에 지나지 않고, 다른 구조, 수순, 재료에 의해서도, 공간광 변조 소자(201)를 제작할 수 있다. 즉, 지지 프레임(224), 요동 프레임(226), 요동판(228) 및 반사경(234)의 어느 하나 또는 전부에 되접어 꺾은 형상, 상자 형상 등의 부분을 마련하여 강성을 보충하더라도 좋다. 또한, 산화물, 질화물, 탄화물 등의 층과 금속층을 번갈아 적층한 복합 재료에 의해 공간광 변조 소자(201)를 형성하더라도 좋다.
도 49는 도 12에 나타낸 지지부(243)를 구비한 공간광 변조 소자(203)의 모식적인 분해 사시도이다. 공간광 변조 소자(203)는, 이후에 설명하는 부분을 제외하면, 도 1에 나타낸 공간광 변조 소자(200)와 동일한 구조를 갖는다. 따라서, 같은 요소에는 공통의 참조 번호를 붙이고 중복하는 설명을 생략한다.
공간광 변조 소자(203)에 있어서는, 지지부(243)의 지지 프레임(224)이, 굴곡한 플렉셔(253)에 의해 하부 포스트(222)로부터 지지되는 점에서, 공간광 변조 소자(200)와 다르다. 이것에 의해, 이미 설명한 것과 같이, 하부 포스트(222)를 포함하는 기판(211)측과, 지지 프레임(224)의 사이의 기계적인 영향이 보다 효과적으로 차단되고, 공간광 변조 소자(201)의 온도 특성이 안정된다.
또한, 공간광 변조 소자(203)에 있어서는 요동 프레임(226)이 기능을 잃어, 요동판(258)은, 복수의 롱 플렉셔(257)에 의해 지지 프레임(224)으로부터 직접 지지된다. 지지 프레임(224)은, 지지부(243)의 다른 부분보다 큰 두께를 갖고, 상대적으로 높은 강성을 갖는다.
요동판(258)은, 롱 플렉셔(257)와 동일한 두께를 갖고, 반사부(230)의 상부 포스트(232) 하단과 대략 같은 형상을 갖는다. 이것에 의해, 요동판(228)과 비교하면, 요동판(258)은, 대폭으로 소형 경량화되어 있다.
롱 플렉셔(257)는, 지지 프레임(224)을 외측으로부터 지지하는 플렉셔(253)와 마찬가지로 굴곡을 반복하는 형상을 갖고, 지지 프레임(224)의 내측 구석으로부터 대각선 방향으로 요동판(258)을 향해 배치된다. 이미 설명한 바와 같이, 롱 플렉셔(257)의 면적은 작으므로, 롱 플렉셔(257)에 대하여 정전력을 작용시키더라도 요동판(258)을 구동할 수 없다.
그래서, 공간광 변조 소자(203)에 있어서는, 기판(211) 위의 전극(213, 215, 217, 219)과, 반사부(230)의 반사경(234)의 사이에서 정전력을 작용시키는 것에 의해, 반사경(234)을 요동시킨다. 이 때문에, 전극(213, 215, 217, 219)은, 롱 플렉셔(257)를 피한 위치에 배치된다.
도 50으로부터 도 62까지는, 도 49에 나타낸 공간광 변조 소자(203)의 제조 과정을 수순마다 나타내는 단면도이다. 이들의 도면은, 도 49에 화살표 F로 나타내는 단면에 의해 그려진다. 도 50으로부터 도 56에는 지지부(243)를 형성하는 과정이, 도 57로부터 도 62에는 반사부(230)를 형성하는 과정이, 각각 나타난다.
또, 도 50으로부터 도 62까지에 있어서도, 공간광 변조 소자(203)에 있어서 대응하는 요소가 다른 형상 또는 상태로 포함되어 있는 경우가 있다. 그래서, 이들의 도면에 관해서는 각 요소에 고유의 참조 번호를 붙여서 설명한 후에, 공간광 변조 소자(203)의 각 요소와의 대응 관계를 별도 설명한다.
도 50은 기판(211)의 표면에 전극(216)을 형성한 후에 희생층(322)에 의해 평탄화하고, 또한, 희생층(322)의 표면 전체에 금속층(332)을 성막한 단계를 나타낸다. 이들의 단계는, 도 10으로부터 도 17에 나타낸 수순과 마찬가지로 실행된다.
또, 기판(211) 위에는, 전극(213, 215, 217, 219)도 전극(216)과 동시에 형성되어 있지만, 도시한 단면에는 나타나지 않는다. 금속층(332)으로서는 TiAl 합금을, 희생층(322)으로서는 산화규소를 각각 이용했다.
그 다음에, 도 51에 나타내는 바와 같이, 건식 에칭 등에 의해 금속층(332)을 패터닝한다. 이것에 의해, 공간광 변조 소자(203)에 있어서 지지 프레임(224)의 일부가 되는 금속 패턴(334)이 형성된다.
다음으로, 도 52에 나타내는 바와 같이, 기존의 희생층(322) 및 금속 패턴(334)의 위에 새로운 희생층(324)을 퇴적시켜, 금속 패턴(334)을 묻는다. 계속하여, 도 53에 나타내는 바와 같이, 희생층(324)의 표면을 HF 증기법에 의해 두께 방향으로 일부 제거하여, 금속 패턴(334)을 노출시킨다. 이것에 의해, 기판(211) 위에는, 금속 패턴(334) 또는 희생층(324) 중 하나에 의한 평탄한 표면이 형성된다.
다음으로, 도 54에 나타내는 바와 같이, 2층의 희생층(324, 326)을 함께 패터닝하여, 콘택트홀(321)이 형성된다. 콘택트홀(321)은, 예컨대, 건식 에칭에 의해 형성되고, 기판(211) 바로 위의 도체층(310)에 도달한다. 이렇게 하여, 기판(211) 위에는, 입체적인 형상을 갖는 성막 베이스가 형성된다.
다음으로, 도 55에 나타내는 바와 같이, 희생층(324) 및 금속 패턴(334)의 표면 전체에, 금속층(336)이 퇴적된다. 금속층(336)의 일부는, 금속 패턴(334)과 일체화하여 두께가 다른 부분이 된다. 금속층(336)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해 형성할 수 있고, 성막 방법으로서는, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로부터 적절히 선택할 수 있다.
다음으로, 도 56에 나타내는 바와 같이, 건식 에칭 등에 의해 금속층(336)을 패터닝하여, 지지부(243)의 각 요소를 형성한다. 즉, 도면 중에 이백번대의 참조 번호에 의해 나타내는 바와 같이, 금속층(336)에 의해, 하부 포스트(222), 플렉셔(253), 지지 프레임(224), 롱 플렉셔(257) 및 요동판(258)이 각각 형성된다.
여기서, 금속층(336)은, 금속 패턴(334)과 일체화하고 있으므로, 지지 프레임(224)은, 플렉셔(253), 롱 플렉셔(257) 및 요동판(258)보다 막 두께가 크다. 따라서, 지지 프레임(224)은 높은 강성을 갖는다. 이렇게 하여, 기판(211) 위에는, 지지부(243)에 상당하는 부분이 형성된다.
다음으로, 도 57에 나타내는 바와 같이, 기판(211)의 표면 전체에 새로운 희생층(326)이 퇴적되고, 평탄화된다. 또한, 도 58에 나타내는 바와 같이, 희생층(326)의 일부가 제거되고, 금속층(336)의 표면에 도달하는 홀 패턴(343)이 형성된다.
계속하여, 도 59에 나타내는 바와 같이, 희생층(326) 및 금속층(336)의 표면 전체에 금속층(350)이 퇴적된다. 금속층(350)은, 예컨대 TiAl 합금에 의해 형성할 수 있다. 성막 방법으로서는, 각종 물리 기상 석출법, 화학 기상 석출법, 도금법 등으로부터 적절히 선택할 수 있다.
계속하여, 도 60에 나타내는 바와 같이, 금속층(350)의 위에, 반사층(360)이 퇴적된다. 반사층(360)은, 예컨대 알루미늄 박막과 같이 반사율이 높은 재료에 의해 형성된다.
다음으로, 도 61에 나타내는 바와 같이, 금속층(350) 및 반사층(360)의, 도면 중 측단부 근방의 일부가 트리밍된다. 이것에 의해, 연속한 금속층(350) 및 반사층(360)이 공간광 변조 소자(203)마다 절단되고, 소자마다 독립한 반사부(230)가 형성된다.
마지막으로, 도 62에 나타내는 바와 같이, 희생층(322, 324, 326)이 일괄하여 제거된다. 희생층(324)은 연속하여 형성되어 있으므로, HF 증기법 등에 의해 일괄하여 제거할 수 있다. 이렇게 하여, 공간광 변조 소자(203)가 완성된다.
즉, 기판(211)의 표면에는, 도체층(310)에 의해 형성된 전극(216)이 배치되고, 회로부(210)를 형성한다. 또한, 금속 패턴(334) 및 금속층(336)은, 지지부(243)를 형성한다. 지지부(243)에 있어서, 플렉셔(253) 및 롱 플렉셔(257)는 얇고, 지지 프레임(224)은 두껍다.
또한, 반사부(230)는, 상부 포스트(232)에 의해 요동판(258)에 결합된다. 또한, 반사부(230)는, 반사층(360)에 의해 형성된 반사율이 높은 반사경(234)을 갖는다. 상기 예에서는 단일 공간광 변조 소자(200)에 착안하여 제작 과정을 설명했지만, 단일 기판(211)에 복수의 공간광 변조 소자(200)를 일괄하여 형성하는 것에 의해, 공간광 변조기(100)를 제조할 수도 있다.
또한, 상기 구조 및 제작 과정은 일례에 지나지 않고, 다른 구조, 수순, 재료에 의해서도, 공간광 변조 소자(203)를 제작할 수 있다. 즉, 지지 프레임(224) 및 반사경(234)에 되접어 꺾은 형상, 상자 형상 등의 부분을 마련하여 강성을 보충하더라도 좋다. 또한, 산화물, 질화물, 탄화물 등의 층과 금속층을 번갈아 적층한 복합 재료에 의해 공간광 변조 소자(203)를 형성하더라도 좋다.
이상, 본 발명을 실시의 형태를 이용하여 설명했지만, 본 발명의 기술적 범위는 상기 실시의 형태에 기재된 범위로는 한정되지 않는다. 상기 실시의 형태에, 다양한 변경 또는 개량을 가할 수 있는 것이 당업자에게 명백하다. 그와 같은 변경 또는 개량을 가한 형태도 본 발명의 기술적 범위에 포함될 수 있는 것이, 청구범위의 기재로부터 명백하다.
청구범위, 명세서, 및 도면 중에 있어서 나타낸 장치 및 시스템의 동작, 수순, 스텝 및 단계 등의 실행 순서는, 특별히 「보다 앞에」, 「앞서」 등으로 명시하고 있지 않고, 앞의 처리의 출력을 뒤의 처리에서 이용하는 경우가 아닌 한, 임의의 순서로 실현할 수 있다. 청구범위, 명세서 및 도면에 있어서, 편의상 「우선」, 「다음으로」 등을 이용하여 설명했다고 하더라도, 이 순서로 실시하는 것이 필수인 것을 의미하는 것은 아니다.
100 : 공간광 변조기
200, 201, 202, 203, 204, 205 : 공간광 변조 소자
210 : 회로부 211 : 기판
212, 213, 214, 215, 216, 217, 219 : 전극
220, 241, 242, 243, 244 : 지지부
222 : 하부 포스트 223, 253 : 플렉셔
224 : 지지 프레임 225, 227 : 비틀림축
226 : 요동 프레임 228, 258 : 요동판
229, 239 : 리브 230, 231 : 반사부
232 : 상부 포스트 234 : 반사경
235 : 드레인 236 : 입체 구조부
237 : 습곡부 238 : 평탄부
255, 257 : 롱 플렉셔 310 : 도체층
320, 322, 324, 326, 342, 344, 346 : 희생층
321 : 콘택트홀 332, 336, 350 : 금속층
334 : 금속 패턴 343 : 홀 패턴
360 : 반사층 370 : 절연층
380 : 화합물층 400 : 노광 장치
500 : 조명광 발생부 510 : 제어부
520 : 광원 530 : 프리즘
532, 534 : 반사면 540, 640 : 결상 광학계
550 : 빔 스플리터 560 : 계측부
600 : 조명 광학계 612 : 입사면
610 : 플라이아이 렌즈 620 : 콘덴서 광학계
630 : 시야 조리개 700 : 투영 광학계
710 : 마스크 720 : 마스크 스테이지
730 : 개구 조리개 810 : 기판
820 : 기판 스테이지

Claims (9)

  1. 기판과,
    상기 기판에 대하여 초기 위치로부터 이동하는 반사경과,
    상기 반사경을 초기 위치로 향하게 하는 탄성력을 작용시키는 탄성 부재와,
    상기 탄성 부재를 지지하는 지지체와,
    상기 지지체를 상기 기판에 대하여 탄성적으로 지지하는 탄성 지지부
    를 구비하는 공간광 변조 소자.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 지지체는, 상기 기판의 표면으로부터 이간한 상태에서 지지되는 공간광 변조 소자.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 지지체를, 상기 기판의 면 방향을 따라 이동 가능하게, 상기 기판에 대하여 연결하는 연결부를 더 구비하는 공간광 변조 소자.

  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 지지체는, 상기 탄성 부재와 동일한 재료에 의해 형성되고, 또한, 상기 탄성 부재보다 높은 굽힘 강성을 갖는 공간광 변조 소자.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는, 굽힘 강성이 같은 한 쌍의 탄성체를 갖는 공간광 변조 소자.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄성 부재는, 서로 교차하는 방향으로 배치되는 두 쌍의 탄성체를 갖는 공간광 변조 소자.
  7. 제 1 항 내지 제 6 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탄성 지지부는, 상기 탄성 부재의 강성보다 높은 강성을 갖는 공간광 변조 소자.
  8. 청구항 1 내지 청구항 7 중 어느 한 항에 기재된 공간광 변조 소자를 복수 구비하는 공간광 변조기.
  9. 청구항 8에 기재된 공간광 변조기를 구비하는 노광 장치.
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