KR20140007041A - 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 및 태양 전지 셀 - Google Patents

태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 및 태양 전지 셀 Download PDF

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KR20140007041A
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나오 사토
가즈노리 이시카와
가즈오 아라카와
오사무 가지타
히로시 모리모토
유지 스기타니
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요코하마 고무 가부시키가이샤
후쿠다 킨조쿠 하쿠훈 코교 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명의 목적은, 인쇄성이 우수하고, 애스펙트비가 높은 전극을 형성할 수 있는 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 및 그것을 사용한 태양 전지 셀을 제공하는 것이다. 본 발명의 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물은, 평균 입자 직경이 0.5 ∼ 5.0 ㎛ 인 구상 은 분말 (A) 과, 평균 두께가 0.05 ∼ 0.2 ㎛ 이고, 또한, 겉보기 밀도가 0.4 ∼ 1.1 g/㎤ 인 플레이크상 은 분말 (B) 을 함유하는 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물이다.

Description

태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 및 태양 전지 셀{CONDUCTIVE COMPOSITION FOR MAKING CURRENT COLLECTING ELECTRODE FOR SOLAR CELL AND SOLAR CELL}
본 발명은 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 및 태양 전지 셀에 관한 것이다.
종래, 은 입자 등의 도전성 입자에 열가소성 수지 (예를 들어, 아크릴 수지, 아세트산비닐 수지 등) 나 열경화성 수지 (예를 들어, 에폭시 수지, 불포화 폴리에스테르 수지 등) 등으로 이루어지는 바인더, 유기 용제, 경화제, 촉매 등을 첨가하고 혼합하여 얻어지는 은 페이스트 (도전성 조성물) 를, 합성 수지 기재 위 (예를 들어, 폴리에스테르 필름 등) 에 소정의 회로 패턴이 되도록 인쇄하고, 이것들을 가열하여 도체 회로를 이루는 도전성 배선을 형성하고, 회로 기판을 제조하는 방법이 알려져 있다.
예를 들어, 특허문헌 1 에는, 「레이저 회절법 50 ％ 입경이 3 ∼ 8 ㎛ 이고, 겉보기 밀도가 0.4 ∼ 1.1/㎤ 이고, 또한 BET 법 비표면적치가 1.5 ∼ 4.0 ㎡/g 인 플레이크상 은 분말, 및 수지로 이루어지는 도체 페이스트로서, 상기 도체 페이스트는, 150 ∼ 200 ℃ 사이에 전기 저항값의 피크를 갖는 것을 특징으로 하는 도체 페이스트.」 가 기재되어 있다 (［청구항 5］).
또, 특허문헌 2 에는, 「3 ∼ 8 ㎛ 의 평균 입경, 1.5 ∼ 4.0 ㎡/g 의 비표면적 및 0.4 ∼ 1.1 g/㎤ 의 겉보기 밀도를 갖는 박편상 은 분말 A, 3 ∼ 10 ㎛ 의 평균 입경, 0.6 ∼ 1.2 ㎡/g 의 비표면적 및 1.5 ∼ 2.1 g/㎤ 의 겉보기 밀도를 갖는 박편상 은 분말 B, 그리고 수지를 함유하는 도전성 페이스트 조성물로서, 박편상 은 분말 A 를 박편상 은 분말 A 와 박편상 은 분말 B 의 합계 중량 100 부에 대해 30 ∼ 95 중량부가 되는 비율로 함유하고, 그리고 박편상 은 분말 A 와 박편상 은 분말 B 의 합계를 도전성 페이스트의 고형분에 대해 35 ∼ 85 중량％ 가 되도록 함유하는 도전성 페이스트 조성물.」 이 기재되어 있다 (［청구항 1］).
또한, 특허문헌 3 에는, 「전기 저항률이 20 × 10-6 Ω·㎝ 이하인 금속 재료 (A) 와, 수산기를 1 개 이상 갖는 지방산 은염 (B) 과, 비점이 200 ℃ 이하인 2 급 지방산을 사용하여 얻어지는 2 급 지방산 은염 (C) 을 함유하는 도전성 조성물.」 이 기재되어 있고 (［청구항 1］), 임의 성분으로서 에폭시 수지 등의 조막성 (造膜性) 수지가 기재되어 있고 (［0061］), 금속 재료 (A) 로서 실시예에서는 은 분말이 사용되고 있다 (［0071］).
일본 공개특허공보 2003-55701호 일본 특허 제3955805호 일본 공개특허공보 2010-92684호
그러나, 본 발명자가 특허문헌 1 ∼ 3 에 기재된 페이스트 재료에 대하여 검토한 결과, 선 폭이 좁은 회로 패턴이 많이 존재하는 태양 전지 집전 전극을 형성하면, 단선이나 사행 (蛇行), 번짐 등의 발생에 의해 인쇄성이 떨어지고, 또, 전극의 단면 (斷面) 의 높이와 폭의 비율 (높이/폭) (이하, 「애스펙트비」라고 한다) 도 작아지는 것을 알 수 있었다.
특히, 실리콘형 태양 전지의 실리콘 웨이퍼의 표면에는 피라미드상의 미세 텍스처 구조가 형성되어 있는데, 텍스처의 형상에 따라서는, 인쇄된 페이스트 재료가 텍스처의 홈을 따라 젖어 퍼지는 현상 (번짐) 이 발생하기 쉬워지는 경우가 있는 것을 알 수 있었다.
그래서, 본 발명은 인쇄성이 우수하고, 애스펙트비가 높은 전극을 형성할 수 있는 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 및 그것을 사용한 태양 전지 셀을 제공하는 것을 과제로 한다.
본 발명자는 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토한 결과, 소정의 평균 입자 직경을 갖는 구상 은 분말과 소정의 평균 두께 및 겉보기 밀도를 갖는 플레이크상 은 분말을 병용하여 조제한 조성물이, 양호한 인쇄성을 갖고, 애스펙트비가 높은 전극을 형성할 수 있는 것을 알아내어 본 발명을 완성시켰다. 즉, 본 발명은 하기 (1) ∼ (11) 을 제공한다.
(1) 평균 입자 직경이 0.5 ∼ 5.0 ㎛ 인 구상 은 분말 (A) 과,
평균 두께가 0.05 ∼ 0.2 ㎛ 이고, 또한, 겉보기 밀도가 0.4 ∼ 1.1 g/㎤ 인 플레이크상 은 분말 (B) 을 함유하는 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(2) 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 함유량이, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 질량에 대해 30 질량％ 이하인 상기 (1) 에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(3) 추가로, 에폭시 수지 (C) 를 함유하는 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(4) 추가로, 지방산 은염 (D) 을 함유하는 상기 (1) ∼ (3) 중 어느 하나에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(5) 상기 에폭시 수지 (C) 가, 적어도, 에폭시 당량이 1500 ∼ 4000 g/eq 인 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (C1) 및 에폭시 당량이 1000 g/eq 이하인 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 (C2) 인 상기 (3) 또는 (4) 에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(6) 상기 지방산 은염 (D) 이, 카르복시 은염기 (-COOAg) 와 수산기 (-OH) 를 각각 1 개 이상 갖는 지방산 은염 (D1), 및/또는 카르복시 은염기 (-COOAg) 를 3 개 이상 갖는 폴리카르복실산 은염 (D2) 인 상기 (4) 또는 (5) 에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(7) 상기 지방산 은염 (D1) 이, 2,2-비스(하이드록시메틸)-n-부티르산 은염 및/또는 2-하이드록시이소부티르산 은염인 상기 (6) 에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(8) 상기 폴리카르복실산 은염 (D2) 이, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 은염인 상기 (6) 또는 (7) 에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(9) 상기 에폭시 수지 (C) 의 함유량이, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 100 질량부에 대해 2 ∼ 20 질량부인 상기 (3) ∼ (8) 중 어느 하나에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(10) 상기 지방산 은염 (D) 의 함유량이, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 10 질량부인 상기 (4) ∼ (9) 중 어느 하나에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
(11) 수광면측의 표면 전극, 반도체 기판 및 이면 (裏面) 전극을 구비하고,
상기 표면 전극 및/또는 상기 이면 전극이, 상기 (1) ∼ (10) 중 어느 하나에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물을 사용하여 형성되는 태양 전지 셀.
이하에 나타내는 바와 같이, 본 발명에 의하면, 인쇄성이 우수하고, 애스펙트비가 높은 전극을 형성할 수 있는 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 및 그것을 사용한 태양 전지 셀을 제공할 수 있다.
특히, 본 발명의 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물 (이하, 「본 발명의 도전성 조성물」이라고 한다) 은, 세선부 (선 폭 ： 50 ∼ 100 ㎛ 정도) 의 인쇄성도 우수하기 때문에, 스크린 인쇄에 바람직하게 사용할 수 있다.
또, 본 발명의 도전성 조성물을 사용하면, 저온 (150 ∼ 500 ℃ 정도) 소성이어도, 단선이나 번짐의 발생을 억제하여 전극을 형성할 수 있기 때문에, 태양 전지 셀 기판 (예를 들어, 실리콘 기판 등) 에 대한 열에 의한 데미지를 경감시킬 수 있는 효과도 가져, 매우 유용하다.
도 1 은, 태양 전지 셀의 바람직한 실시형태의 일례를 나타내는 단면도이다.
도 2 는, 실시예에서 사용한 구상 은 분말 (AgC-103, 후쿠다 금속박분 공업사 제조) 을 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 촬영한 사진이다.
도 3 은, 실시예에서 사용한 플레이크상 은 분말 (Ag-XF301K, 후쿠다 금속박분 공업사 제조) 을 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 촬영한 사진이다.
도 4 는, 비교예에서 사용한 플레이크상 은 분말 (AgC-A, 후쿠다 금속박분 공업사 제조) 을 주사형 전자 현미경 (SEM) 으로 촬영한 사진이다.
[태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물]
본 발명의 도전성 조성물은, 평균 입자 직경이 0.5 ∼ 5.0 ㎛ 인 구상 은 분말 (A) 과, 평균 두께가 0.05 ∼ 0.2 ㎛ 이고, 또한, 겉보기 밀도가 0.4 ∼ 1.1 g/㎤ 인 플레이크상 은 분말 (B) 을 함유하는 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물이다.
이하에, 구상 은 분말 (A) 및 플레이크상 은 분말 (B), 그리고 원하는 바에 따라 함유해도 되는 다른 성분 등에 대하여 상세히 서술한다.
＜구상 은 분말 (A)＞
본 발명의 도전성 조성물에서 사용하는 구상 은 분말 (A) 은, 평균 입자 직경이 0.5 ∼ 5 ㎛ 인 은 분말이다.
여기에서, 구상이란, 장경/단경의 비율이 2 이하인 입자의 형상을 말한다.
또, 평균 입자 직경이란, 구상의 은 분말의 입자 직경의 평균값을 말하며, 레이저 회절식 입도 분포 측정 장치를 사용하여 측정된 50 ％ 체적 누적 직경 (D50) 을 말한다. 또한, 평균값을 산출하는 기초가 되는 입자 직경은, 구상의 은 분말의 단면이 타원형인 경우는 그 장경과 단경의 합계값을 2 로 나눈 평균값을 말하며, 정원형 (正圓形) 인 경우는 그 직경을 말한다.
예를 들어, 후술하는 실시예에서 사용하는 은 분말 (AgC-103, 후쿠다 금속박분 공업사 제조) 의 사진 (도 2) 으로 나타내는 것은 구상의 은 분말에 해당하지만, 후술하는 실시예에서 병용하는 은 분말 (Ag-XF301K, 후쿠다 금속박분 공업사 제조) 의 사진 (도 3) 이나 비교예에서 병용하는 은 분말 (AgC-A, 후쿠다 금속박분 공업사 제조) 의 사진 (도 4) 으로 나타내는 것은 구상의 은 분말에는 해당하지 않고, 플레이크 (비늘 조각) 상의 은 분말에 해당하는 것이다.
또, 상기 구상 은 분말 (A) 의 평균 입자 직경은, 인쇄성이 보다 양호해지는 이유로부터 0.7 ∼ 5 ㎛ 인 것이 바람직하고, 소결 속도가 적당해져 작업성이 우수한 이유로부터 1 ∼ 3 ㎛ 인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 구상 은 분말 (A) 로서 시판품을 사용할 수 있으며, 그 구체예로서는, AgC-102 (평균 입자 직경 ： 1.5 ㎛, 후쿠다 금속박분 공업사 제조), AgC-103 (평균 입자 직경 ： 1.5 ㎛, 후쿠다 금속박분 공업사 제조), AG4-8F (평균 입자 직경 ： 2.2 ㎛, DOWA 엘렉트로닉스사 제조), AG2-1C (평균 입자 직경 ： 1.0 ㎛, DOWA 엘렉트로닉스사 제조), AG3-11F (평균 입자 직경 ： 1.4 ㎛, DOWA 엘렉트로닉스사 제조), EHD (평균 입자 직경 ： 0.5 ㎛, 미츠이 금속사 제조) 등을 들 수 있다.
＜플레이크상 은 분말 (B)＞
본 발명의 도전성 조성물에서 사용하는 플레이크상 은 분말 (B) 은, 평균 두께가 0.05 ∼ 0.2 ㎛ 이고, 또한, 겉보기 밀도가 0.4 ∼ 1.1 g/㎤ 인 은 분말이다.
여기에서, 플레이크상이란, 장경/단경의 비율이 2 초과인 형상을 말하며, 상기 서술한 바와 같이, 예를 들어, 도 3 및 도 4 로 나타내는 은 분말이 해당되지만, 그 중 도 3 으로 나타내는 은 분말이 플레이크상 은 분말 (B) 에 해당하는 것이다.
또, 평균 두께 (d) 란, BET 법 (기체 흡착법) 에 의해 측정한 은 분말의 비표면적을 S (㎡/g) 로 하여, 하기 식 (i) 로부터 산출한 값을 말한다.
d = 0.19/S … (i)
또, 겉보기 밀도란, JIS Z 2504 : 2000 의 「금속 분말-겉보기 밀도 측정 방법」에 기재된 방법으로 측정한 값을 말한다.
또, 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 평균 두께는, 인쇄성이 보다 양호해져, 페이스트화되기 쉽다는 이유로부터 0.05 ∼ 0.1 ㎛ 인 것이 바람직하다.
마찬가지로, 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 겉보기 밀도는, 0.4 ∼ 1.1 g/㎤ 인 것이 바람직하고, 0.5 ∼ 1.0 g/㎤ 인 것이 보다 바람직하다.
본 발명에 있어서는, 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 조제 방법은 특별히 한정되지 않지만, 예를 들어, 특허문헌 1 의［0007］∼［0015］단락에 기재된 방법 등에 의해 조제할 수 있다.
또, 상기 플레이크상 은 분말 (B) 로서 시판품을 사용할 수 있으며, 그 구체예로서는, Ag-XF301K (평균 두께 ： 0.1 ㎛, 겉보기 밀도 ： 0.82 g/㎤, 후쿠다 금속박분 공업사 제조) 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 서술한 구상 은 분말 (A) 과 플레이크상 은 분말 (B) 을 병용함으로써, 얻어지는 본 발명의 도전성 조성물의 인쇄성이 양호해지고, 애스펙트비가 높은 전극을 형성할 수 있다.
이것은, 상세하게는 분명하지 않지만, 본 발명자는 이하와 같이 추측하고 있다.
먼저, 일반적인 페이스트 재료에서는, 내재하는 분말체의 표면적이 클수록 틱소성이 향상되는 것으로 생각되고 있다. 그리고, 본 발명에서 사용하는 플레이크상 은 분말 (B) 은, 통상의 플레이크상 은 분말에 비해 표면적이 매우 커, 틱소성을 부여하는 효과가 높기 때문에, 인쇄성이 양호해지는 것으로 생각된다. 또, 구상 은 분말 (A) 과 플레이크상 은 분말 (B) 을 병용함으로써, 구상 은 분말 (A) 이 플레이크상 은 분말 (B) 에 끼워져 움직이기 어려워지고, 나아가서는 후술하는 임의 성분 (에폭시 수지, 지방산 은염, 용매 등) 을 플레이크상 은 분말 (B) 끼리의 사이에 내포하기 때문에, 인쇄 후의 형상 유지성이 우수하고, 애스펙트비가 높은 전극을 형성할 수 있는 것으로 생각된다.
또, 본 발명에 있어서는, 틱소성 및 점도가 적당해져, 인쇄성이 보다 양호해지는 이유로부터, 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 함유량이, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 질량에 대해 30 질량％ 이하인 것이 바람직하고, 1 ∼ 20 질량％ 인 것이 보다 바람직하고, 5 ∼ 20 질량％ 인 것이 더욱 바람직하다.
＜에폭시 수지 (C)＞
본 발명의 도전성 조성물은, 필요에 따라, 추가로, 조막성 수지로서 에폭시 수지 (C) 를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 에폭시 수지 (C) 로서는, 종래 공지된 에폭시 수지를 사용할 수 있다.
구체적으로는, 예를 들어, 비스페놀 A 형, 비스페놀 F 형, 브롬화 비스페놀 A 형, 수첨 비스페놀 A 형, 비스페놀 S 형, 비스페놀 AF 형 등의 비스페놀형 에폭시 수지 ；
에틸렌글리콜글리시딜에테르, 에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 1,6-헥산디올디글리시딜에테르, 네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 폴리네오펜틸글리콜디글리시딜에테르, 1,4-부탄디올디글리시딜에테르, 트리메틸올프로판폴리글리시딜에테르, 트리프로필렌글리콜디글리시딜에테르, 디에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 폴리글리세린폴리글리시딜에테르, 폴리옥시에틸렌글리콜디글리시딜에테르, 디글리세롤폴리글리시딜에테르, 폴리글리세롤폴리글리시딜에테르, 소르비톨폴리글리시딜에테르, 폴리테트라메틸렌글리콜디글리시딜에테르, 펜타에리트리톨디글리시딜에테르, 펜타에리트리톨트리글리시딜에테르, 폴리펜타에리트리톨폴리글리시딜, 트리메틸프로판디글리시딜에테르, 테트라키스(글리시딜옥시페닐)에탄, 트리스(글리시딜옥시)메탄 등의 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 ；
다이머산 등의 합성 지방산의 글리시딜에스테르계 에폭시 수지 ；
N,N,N',N'-테트라글리시딜디아미노디페닐메탄 (TGDDM), 테트라글리시딜디아미노디페닐술폰 (TGDDS), 테트라글리시딜-m-자일릴렌디아민 (TGMXDA), 트리글리시딜-p-아미노페놀, 트리글리시딜-m-아미노페놀, N,N-디글리시딜아닐린, 테트라글리시딜1,3-비스아미노메틸시클로헥산 (TG1,3-BAC), 트리글리시딜이소시아누레이트 (TGIC) 등의 글리시딜아민계 에폭시 수지 등을 들 수 있고, 이것들을 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
본 발명에 있어서는, 상기 에폭시 수지 (C) 는, 납땜성이 양호한 전극을 형성할 수 있는 이유로부터, 에폭시 당량이 1500 ∼ 4000 g/eq 인 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (C1) 및 에폭시 당량이 1000 g/eq 이하인 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 (C2) 를 병용하는 것이 바람직하다.
(비스페놀 A 형 에폭시 수지 (C1))
상기 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (C1) 는, 에폭시 당량이 1500 ∼ 4000 g/eq 인 비스페놀 A 형 에폭시 수지이다.
상기 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (C1) 의 에폭시 당량이 상기 범위이면, 본 발명의 도전성 조성물의 경화 후의 경도가 양호해져, 경화물 (전극) 에 대한 우수한 납땜성을 유지할 수 있다.
또, 상기 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (C1) 의 에폭시 당량은, 전극에 대한 납땜성이 보다 양호해져, 경화 수축의 비율이 작아 태양 전지 셀 기판의 휨을 억제할 수 있는 이유로부터, 2000 ∼ 4000 g/eq 인 것이 바람직하고, 2000 ∼ 3500 g/eq 인 것이 보다 바람직하다.
(다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 (C2))
상기 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 (C2) 는, 에폭시 당량이 1000 g/eq 이하인 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지이다.
상기 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 (C2) 의 에폭시 당량이 상기 범위이면, 본 발명의 도전성 조성물의 점도가 양호해져, 인쇄성이 보다 양호해진다.
또, 상기 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 (C2) 의 에폭시 당량은, 스크린 인쇄를 할 때의 점도가 적당해지는 이유로부터, 100 ∼ 400 g/eq 인 것이 바람직하고, 100 ∼ 300 g/eq 인 것이 보다 바람직하다.
또, 본 발명에 있어서는, 상기 에폭시 수지 (C) 는, 태양 전지 셀 기판과의 밀착성이 양호한 전극을 형성할 수 있는 이유로부터, 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드가 부가된 에폭시 수지 (C3) 인 것이 바람직하다.
여기에서, 에틸렌옥사이드 및/또는 프로필렌옥사이드에 의한 부가는, 예를 들어, 비스페놀 A, 비스페놀 F 등을 에피클로로하이드린과 반응시켜 에폭시 수지를 조제할 때, 에틸렌 및/또는 프로필렌을 첨가함으로써 부가 (변성) 할 수 있다.
상기 에폭시 수지 (C3) 로서는 시판품을 사용할 수 있으며, 그 구체예로서는, 에틸렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (BEO-60E, 신닛폰 리카사 제조), 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (BPO-20E, 신닛폰 리카사 제조), 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (EP-4010S, ADEKA 사 제조), 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (EP-4000S, ADEKA 사 제조) 등을 들 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 에폭시 수지 (C) 를 함유하는 경우의 함유량은, 태양 전지 셀 기판과의 밀착성이 보다 양호한 전극을 형성할 수 있는 이유로부터, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 2 ∼ 20 질량부인 것이 바람직하고, 2 ∼ 10 질량부인 것이 보다 바람직하다.
＜지방산 은염 (D)＞
본 발명의 도전성 조성물은, 보다 저온 (150 ∼ 200 ℃ 정도) 의 소성이어도 전극을 형성할 수 있고, 태양 전지 셀 기판에 대한 열에 의한 데미지를 보다 경감시킬 수 있는 이유로부터, 추가로 지방산 은염 (D) 을 함유하는 것이 바람직하다.
상기 지방산 은염 (D) 은, 유기 카르복실산의 은염이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어, 일본 공개특허공보 2008-198595호의［0063］∼［0068］단락에 기재된 지방산 금속염 (특히 3 급 지방산 은염), 일본 특허 제4482930호의［0030］단락에 기재된 지방산 은, 일본 공개특허공보 2010-92684호의［0029］∼ [0045］단락에 기재된 수산기를 1 개 이상 갖는 지방산 은염, 일본 공개특허공보 2010-92684호의［0046］∼［0056］단락에 기재된 2 급 지방산 은염 등을 사용할 수 있다.
이들 중, 카르복시 은염기 (-COOAg) 와 수산기 (-OH) 를 각각 1 개 이상 갖는 지방산 은염 (D1), 및/또는 카르복시 은염기 (-COOAg) 를 3 개 이상 갖는 폴리카르복실산 은염 (D2) 을 사용하는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 예를 들어, 상기 지방산 은염 (D1) 으로서는, 2,2-비스(하이드록시메틸)-n-부티르산 은염, 2-하이드록시이소부티르산 은염을 바람직하게 사용할 수 있으며, 상기 폴리카르복실산 은염 (D2) 으로서는, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 은염을 바람직하게 사용할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 상기 지방산 은염 (D) 의 함유량은, 인쇄성이 보다 양호해지는 이유로부터, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 0.1 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 10 질량부인 것이 보다 바람직하다.
＜카티온계 경화제 (E)＞
본 발명의 도전성 조성물은, 원하는 바에 따라 상기 에폭시 수지 (C) 를 함유하는 경우, 에폭시 수지의 경화제로서 카티온계 경화제 (E) 를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 카티온계 경화제 (E) 는, 특별히 한정되지 않고, 아민계, 술포늄계, 암모늄계, 포스포늄계의 경화제가 바람직하다.
상기 카티온계 경화제 (E) 로서는, 구체적으로는, 예를 들어, 3 불화 붕소 에틸아민, 3 불화 붕소 피페리딘, 3 불화 붕소 페놀, p-메톡시벤젠디아조늄헥사플루오로포스페이트, 디페닐이오도늄헥사플루오로포스페이트, 테트라페닐술포늄, 테트라-n-부틸포스포늄테트라페닐보레이트, 테트라-n-부틸포스포늄-o,o-디에틸포스포로디티오에이트, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 술포늄염 등을 들 수 있고, 이것들을 1 종 단독으로 사용해도 되고, 2 종 이상을 병용해도 된다.
이것들 중, 경화 시간이 짧아진다는 이유로부터, 하기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 술포늄염을 사용하는 것이 바람직하다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(식 중, R1 은, 수소 원자, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기 또는 할로겐 원자를 나타내고, R2 는, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기로 치환되어 있어도 되는 벤질기 또는 α-나프틸메틸기를 나타내고, R3 은, 탄소수 1 ∼ 4 의 알킬기를 나타낸다. 또, Q 는, 하기 식 (a) ∼ (c) 중 어느 것으로 나타내는 기를 나타내고, X 는, SbF6, PF6, CF3SO3, (CF3SO2)2N, BF4, B(C6F5)4 또는 Al(CF3SO3)4 를 나타낸다)
[화학식 2]
Figure pat00002
(식 (a) 중, R 은, 수소 원자, 아세틸기, 메톡시카르보닐기 또는 벤질옥시카르보닐기를 나타낸다)
상기 식 (Ⅰ) 로 나타내는 술포늄염 중, 납땜성이 양호한 전극을 형성할 수 있는 이유로부터, 상기 식 (Ⅰ) 중의 X 가 SbF6 으로 나타내는 술포늄염인 것이 바람직하고, 그 구체예로서는, 하기 식 (1) 및 (2) 로 나타내는 화합물을 들 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
또, 본 발명에 있어서는, 상기 카티온계 경화제 (E) 의 함유량은, 열에 의해 활성화하여 에폭시기의 개환 반응을 충분히 진행시킬 수 있다는 이유로부터, 상기 에폭시 수지 (C) 100 질량부에 대해 1 ∼ 10 질량부인 것이 바람직하고, 1 ∼ 5 질량부인 것이 보다 바람직하다.
＜용매 (F)＞
본 발명의 도전성 조성물은, 인쇄성 등의 작업성의 관점에서, 추가로 용매 (F) 를 함유하는 것이 바람직하다.
상기 용매 (F) 는, 본 발명의 도전성 조성물을 기재 위에 도포할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 그 구체예로서는, 부틸카르비톨, 메틸에틸케톤, 이소포론, α-테르피네올 등을 들 수 있고, 이것들을 1 종 단독으로 사용해도 되고 2 종 이상을 병용해도 된다.
또, 상기 용매 (F) 를 함유하는 경우의 함유량은, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 100 질량부에 대해, 2 ∼ 20 질량부인 것이 바람직하고, 5 ∼ 15 질량부인 것이 보다 바람직하다.
＜첨가제＞
본 발명의 도전성 조성물은, 필요에 따라, 상기 서술한 구상 은 분말 (A) 및 플레이크상 은 분말 (B) 이외의 금속 분말, 환원제 등의 첨가제를 함유하고 있어도 된다.
상기 금속 분말로서는, 구체적으로는, 예를 들어, 구리, 알루미늄 등을 들 수 있고, 그 중에서도 구리인 것이 바람직하다. 또, 0.01 ∼ 10 ㎛ 의 입경의 금속 분말인 것이 바람직하다.
상기 환원제로서는, 구체적으로는, 예를 들어, 에틸렌글리콜류 등을 들 수 있다.
한편, 애스펙트비를 보다 높게 할 수 있고, 또, 상기 서술한 에폭시 수지 (C) 의 분해를 억제하는 이유로부터, 산화 은의 함유량은 상기 서술한 용매 (F) 100 질량부에 대해 5 질량부 이하인 것이 바람직하고, 1 질량부 이하인 것이 보다 바람직하고, 실질적으로 산화 은을 함유하고 있지 않은 양태가 가장 바람직하다.
본 발명의 도전성 조성물의 제조 방법은 특별히 한정되지 않고, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B), 그리고 원하는 바에 따라 함유해도 되는 상기 에폭시 수지 (C), 상기 지방산 은염 (D), 상기 카티온계 경화제 (E), 상기 용매 (F) 및 첨가제를, 롤, 니더, 압출기, 만능 교반기 등에 의해 혼합하는 방법을 들 수 있다.
[태양 전지 셀]
본 발명의 태양 전지 셀은, 수광면측의 표면 전극, 반도체 기판 및 이면 전극을 구비하고, 상기 표면 전극 및/또는 상기 이면 전극이, 상기 서술한 본 발명의 도전성 조성물을 사용하여 형성되는 태양 전지 셀이다.
여기에서, 본 발명의 태양 전지 셀은, 상기 서술한 본 발명의 도전성 조성물이 전체 이면 전극형 (이른바 백 컨택트형) 태양 전지의 이면 전극의 형성에도 적용할 수 있기 때문에 전체 이면 전극형의 태양 전지에도 적용할 수 있다.
이하에, 본 발명의 태양 전지 셀의 구성에 대하여 도 1 을 이용하여 설명한다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 태양 전지 셀 (1) 은, 수광면측의 표면 전극 (4) 과, p 층 (5) 및 n 층 (2) 이 접합한 pn 접합 실리콘 기판 (7) 과, 이면 전극 (6) 을 구비하는 것이다.
또, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 본 발명의 태양 전지 셀 (1) 은, 반사율 저감을 위해, 예를 들어, 웨이퍼 표면에 에칭을 실시하여, 피라미드상의 텍스처를 형성하고, 반사 방지막 (3) 을 구비하는 것이 바람직하다.
＜표면 전극/이면 전극＞
본 발명의 태양 전지 셀이 구비하는 표면 전극 및 이면 전극은, 어느 일방 또는 양방이 본 발명의 도전성 조성물을 사용하여 형성되어 있으면, 전극의 배치 (피치), 형상, 높이, 폭 등은 특별히 한정되지 않는다. 또한, 전극의 높이는, 통상, 수 ∼ 수십 ㎛ 로 설계되지만, 본 발명의 도전성 조성물을 사용하여 형성한 전극의 애스펙트비는 0.4 이상으로 조정하는 것이 가능해진다.
여기에서, 표면 전극 및 이면 전극은, 도 1 에 나타내는 바와 같이, 통상, 복수 개 갖는 것이지만, 본 발명에 있어서는, 예를 들어, 복수의 표면 전극의 일부만이 본 발명의 도전성 조성물로 형성된 것이어도 되고, 복수의 표면 전극의 일부와 복수의 이면 전극의 일부가 본 발명의 도전성 조성물로 형성된 것이어도 된다.
＜반사 방지막＞
본 발명의 태양 전지 셀이 구비하고 있어도 되는 반사 방지막은, 수광면의 표면 전극이 형성되어 있지 않은 부분에 형성되는 막 (막두께 ： 0.05 ∼ 0.1 ㎛ 정도) 으로서, 예를 들어, 실리콘 산화막, 실리콘 질화막, 산화 티탄막, 이들의 적층막 등으로 구성되는 것이다.
＜실리콘 기판＞
본 발명의 태양 전지 셀이 구비하는 실리콘 기판은 특별히 한정되지 않고, 태양 전지를 형성하기 위한 공지된 실리콘 기판 (판 두께 ： 100 ∼ 450 ㎛ 정도) 을 사용할 수 있고, 또한, 단결정 또는 다결정 중 어느 실리콘 기판이어도 된다.
또, 상기 실리콘 기판은 pn 접합을 갖는데, 이것은 제 1 도전형 반도체 기판의 표면측에 제 2 도전형 수광면 불순물 확산 영역이 형성되어 있는 것을 의미한다. 또한, 제 1 도전형이 n 형인 경우에는, 제 2 도전형은 p 형이며, 제 1 도전형이 p 형인 경우에는, 제 2 도전형은 n 형이다.
여기에서, p 형을 부여하는 불순물로서는 붕소, 알루미늄 등을 들 수 있고, n 형을 부여하는 불순물로서는 인, 비소 등을 들 수 있다.
본 발명의 태양 전지 셀은, 표면 전극 및/또는 이면 전극이 본 발명의 도전성 조성물을 사용하여 형성되어 있기 때문에, 전극의 애스펙트비가 0.4 이상이 되어, 수광에 의해 발생한 기전력을 전류로서 효율적으로 취출할 수 있다.
본 발명의 태양 전지 셀의 제조 방법은 특별히 한정되지 않지만, 본 발명의 도전성 조성물을 실리콘 기판 위에 도포하여 배선을 형성하는 배선 형성 공정과, 얻어진 배선을 열 처리하여 전극 (표면 전극 및/또는 이면 전극) 을 형성하는 열 처리 공정을 갖는 방법을 들 수 있다.
또한, 본 발명의 태양 전지 셀이 반사 방지막을 구비하는 경우, 반사 방지막은, 플라즈마 CVD 법 등의 공지된 방법에 의해 형성할 수 있다.
이하에, 배선 형성 공정, 열처리 공정에 대하여 상세히 서술한다.
＜배선 형성 공정＞
상기 배선 형성 공정은, 본 발명의 도전성 조성물을 실리콘 기재 위에 도포하여 배선을 형성하는 공정이다.
여기에서, 도포 방법으로서는, 구체적으로는, 예를 들어, 잉크젯, 스크린 인쇄, 그라비아 인쇄, 오프셋 인쇄, 볼록판 인쇄 등을 들 수 있다.
＜열 처리 공정＞
상기 열 처리 공정은, 상기 배선 형성 공정에서 얻어진 배선을 열 처리하여 도전성의 배선 (전극) 을 얻는 공정이다.
여기에서, 상기 열 처리는 특별히 한정되지 않지만, 150 ∼ 800 ℃ 의 온도에서, 수 초 ∼ 수 십분간, 가열 (소성) 하는 처리인 것이 바람직하다. 온도 및 시간이 이 범위이면, 실리콘 기판 위에 반사 방지막을 형성한 경우에도, 파이어 스루법에 의해 용이하게 전극을 형성할 수 있다.
본 발명에 있어서는, 본 발명의 도전성 조성물을 사용하고 있기 때문에, 저온 (150 ∼ 500 ℃ 정도) 이어도, 양호한 열 처리 (소성) 를 실시할 수 있다.
또한, 본 발명에 있어서는, 상기 배선 형성 공정에서 얻어진 배선은, 자외선 또는 적외선의 조사로도 전극을 형성할 수 있기 때문에, 상기 열처리 공정은, 자외선 또는 적외선의 조사에 의한 것이어도 된다.
실시예
이하, 실시예를 사용하여, 본 발명의 도전성 조성물에 대하여 상세하게 설명한다. 단, 본 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1 ∼ 15, 비교예 1 ∼ 3)
교반기에, 하기 제 1 표에 나타내는 구상 은 분말 등을 하기 제 1 표 중에 나타내는 조성비가 되도록 첨가하고, 이것들을 혼합함으로써 도전성 조성물을 조제하였다.
＜스크린 인쇄성＞
조제한 도전성 조성물을, 실리콘 기판 (단결정 실리콘 웨이퍼, LS-25TVA, 156 ㎜ × 156 ㎜ × 200 ㎛, 신에츠 화학 공업사 제조) 위에, 스크린 인쇄로 도포하여 배선 (선 폭 ： 80 ㎛, 길이 ： 5 ㎝) 을 형성하였다.
스크린 인쇄로 형성한 건조 (소성) 전의 배선을 광학 현미경으로 관찰하였다.
그 결과, 단선, 사행, 번짐 및 메시 자국 모두 확인되지 않는 경우를 인쇄성이 매우 양호한 것으로 하여 「◎」로 평가하고, 단선은 확인되지 않지만, 사행, 번짐 및 메시 자국 중 어느 하나가 확인된 경우를 인쇄성이 양호한 것으로 하여 「○」로 평가하고, 단선은 확인되지 않지만, 사행, 번짐 및 메시 자국 중 어느 2 개 이상이 확인된 경우를 인쇄성이 떨어지는 것으로 하여 「△」로 평가하고, 단선이 확인된 경우를 인쇄성이 매우 떨어지는 것으로 하여 「×」로 평가하였다. 이들의 결과를 하기 제 1 표에 나타낸다.
＜체적 저항률 (비저항)＞
스크린 인쇄로 배선을 형성한 후, 오븐으로 200 ℃ 에서 30 분간 건조시켜, 도전성의 배선 (전극) 을 형성시킨 태양 전지 셀의 샘플을 제작하였다.
제작한 각 태양 전지 셀의 샘플에 대하여, 전극의 체적 저항률을 저항률계(로레스타 GP, 미츠비시 화학사 제조) 를 사용한 4 단자 4 탐침법에 의해 측정하였다. 그 결과를 하기 제 1 표에 나타낸다.
＜애스펙트비 (소성 후)＞
상기와 동일하게 제작한 각 태양 전지 셀의 샘플에 대하여, 전극을 레이저 현미경으로 관찰하여, 높이와 폭을 측정하고, 애스펙트비 (높이/폭) 를 구하였다.
여기에서, 애스펙트비가 0.4 이상 0.8 미만인 샘플을 애스펙트비가 높다 (만족할 수 있다) 고 평가하고, 0.4 미만인 샘플을 애스펙트비가 낮다 (만족할 수 없다) 고 평가하였다. 이들의 결과를 하기 제 1 표에 나타낸다.
Figure pat00004
Figure pat00005
Figure pat00006
제 1 표 중의 각 성분은, 이하의 것을 사용하였다.
·구상 은 분말 A-1 ： Ag2-1C (평균 입자 직경 ： 1.0 ㎛, DOWA 엘렉트로닉스사 제조)
·구상 은 분말 A-2 ： AgC-103 (평균 입자 직경 ： 1.5 ㎛, 후쿠다 금속박분 공업사 제조)
·플레이크상 은 분말 B-1 ： Ag-XF301K (평균 두께 ： 0.1 ㎛, 겉보기 밀도 ： 0.82 g/㎤, 후쿠다 금속박분 공업사 제조)
·플레이크상 은 분말 X ： AgC-A (평균 두께 ： 0.3 ㎛, 겉보기 밀도 ： 1.82 g/㎤, 후쿠다 금속박분 공업사 제조)
·비스페놀 A 형 에폭시 수지 C1-1 ： YD-019 (에폭시 당량 ： 2400 ∼ 3300 g/eq, 신닛테츠 화학사 제조)
·다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 C2-1 ： 폴리에틸렌글리콜디글리시딜에테르 (EX-821, 에폭시 당량 ： 185 g/eq, 나가세켐텍스사 제조)
·PO 부가 에폭시 수지 C3-1 ： 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (에폭시 당량 ： 260 g/eq, EP-4000S, ADEKA 사 제조)
·PO 부가 에폭시 수지 C3-2 ： 350 g/eq, 프로필렌옥사이드 부가 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (EP-4010S, ADEKA 사 제조)
·이소부티르산 은염 ： 먼저, 산화 은 (토요 화학 공업사 제조) 50 g, 이소부티르산 (칸토 화학사 제조) 38 g 및 메틸에틸케톤 (MEK) 300 g 을 볼 밀에 투입하고, 실온에서 24 시간 교반시킴으로써 반응시켰다. 이어서, 흡인 여과에 의해 MEK 를 제거하고, 얻어진 분말을 건조시킴으로써, 백색의 이소부티르산 은염을 조제하였다.
·네오데칸산 은염 ： 먼저, 산화 은 (토요 화학 공업사 제조) 50 g, 네오데칸산 (토요 합성사 제조) 74.3 g 및 메틸에틸케톤 (MEK) 300 g 을 볼 밀에 투입하고, 실온에서 24 시간 교반시킴으로써 반응시켰다. 이어서, 흡인 여과에 의해 MEK 를 제거하고, 얻어진 분말을 건조시킴으로써, 백색의 네오데칸산 은염을 조제하였다.
·2-하이드록시이소부티르산 은염 ： 먼저, 산화 은 (토요 화학 공업사 제조) 50 g, 2-하이드록시이소부티르산 (토쿄 화성사 제조) 45 g 및 메틸에틸케톤 (MEK) 300 g 을 볼 밀에 투입하고, 실온에서 24 시간 교반시킴으로써 반응시켰다. 이어서, 흡인 여과에 의해 MEK 를 제거하고, 얻어진 분말을 건조시킴으로써, 백색의 2-하이드록시이소부티르산 은염을 조제하였다.
·2,2-비스(하이드록시메틸)-n-부티르산 은염 ： 먼저, 산화 은 (토요 화학 공업사 제조) 50 g, 2,2-비스(하이드록시메틸)-n-부티르산 (토쿄 화성사 제조) 64 g 및 메틸에틸케톤 (MEK) 300 g 을 볼 밀에 투입하고, 실온에서 24 시간 교반시킴으로써 반응시켰다. 이어서, 흡인 여과에 의해 MEK 를 제거하고, 얻어진 분말을 건조시킴으로써, 백색의 2,2-비스(하이드록시메틸)-n-부티르산 은염을 조제하였다.
·1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 은염 ： 먼저, 산화 은 (토요 화학 공업사 제조) 50 g, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 (신닛폰 리카사 제조) 25.29 g 및 메틸에틸케톤 (MEK) 300 g 을 볼 밀에 투입하고, 실온에서 24 시간 교반시킴으로써 반응시켰다. 이어서, 흡인 여과에 의해 MEK 를 제거하고, 얻어진 분말을 건조시킴으로써, 백색의 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 은염을 조제하였다.
·경화제 ： 상기 식 (1) 로 나타내는 방향족 술포늄염 (Sl-100L, 산신 화학 공업사 제조)
·용매 ： α-테르피네올
제 1 표에 나타내는 결과로부터, 플레이크상 은 분말 (B) 만을 사용하여 조제한 비교예 1 은, 단선을 확인할 수 있는 것으로부터 인쇄성이 매우 나쁘고, 애스펙트비도 측정 불능일 정도로 작고, 체적 저항률도 높아지는 것을 알 수 있었다.
또, 구상 은 분말 (A) 과, 플레이크상 은 분말 (B) 에 해당하지 않는 플레이크상 은 분말을 병용한 비교예 2 는, 비교예 1 보다 전체적으로 개선되었지만, 여전히 인쇄성이 떨어지고, 애스펙트비도 낮고, 체적 저항률도 높아지는 것을 알 수 있었다.
또, 구상 은 분말 (A) 만을 사용하여 조제한 비교예 3 은, 인쇄성이 양호하고, 체적 저항률도 낮아지지만, 애스펙트비가 낮아지는 것을 알 수 있었다.
이에 대해, 구상 은 분말 (A) 과 플레이크상 은 분말 (B) 을 병용하여 조제한 실시예 1 ∼ 15 는, 인쇄성이 양호하고, 애스펙트비도 높고, 체적 저항률도 낮아지는 것을 알 수 있었다.
또, 지방산 은염을 첨가하여 조제한 실시예 4 ∼ 15 는, 실시예 1 과 비교하여, 체적 저항률이 낮아지고, 또, 약간 애스펙트비도 커지는 것을 알 수 있었다.
1 : 태양 전지 셀
2 : n 층
3 : 반사 방지막
4 : 표면 전극
5 : p 층
6 : 이면 전극
7 : 실리콘 기판

Claims (11)

  1. 평균 입자 직경이 0.5 ∼ 5.0 ㎛ 인 구상 은 분말 (A) 과,
    평균 두께가 0.05 ∼ 0.2 ㎛ 이고, 또한, 겉보기 밀도가 0.4 ∼ 1.1 g/㎤ 인 플레이크상 은 분말 (B) 을 함유하는, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 함유량이, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 질량에 대해 30 질량％ 이하인, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서,
    추가로, 에폭시 수지 (C) 를 함유하는, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서,
    추가로, 지방산 은염 (D) 을 함유하는, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  5. 제 3 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지 (C) 가, 적어도 에폭시 당량이 1500 ∼ 4000 g/eq 인 비스페놀 A 형 에폭시 수지 (C1) 및 에폭시 당량이 1000 g/eq 이하인 다가 알코올계 글리시딜형 에폭시 수지 (C2) 인, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 지방산 은염 (D) 이, 카르복시 은염기 (-COOAg) 와 수산기 (-OH) 를 각각 1 개 이상 갖는 지방산 은염 (D1), 및 카르복시 은염기 (-COOAg) 를 3 개 이상 갖는 폴리카르복실산 은염 (D2) 중 어느 일방 또는 양방인, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 지방산 은염 (D1) 이, 2,2-비스(하이드록시메틸)-n-부티르산 은염 및 2-하이드록시이소부티르산 은염 중 어느 일방 또는 양방인, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 폴리카르복실산 은염 (D2) 이, 1,2,3,4-부탄테트라카르복실산 은염인, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  9. 제 3 항에 있어서,
    상기 에폭시 수지 (C) 의 함유량이, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 100 질량부에 대해 2 ∼ 20 질량부인, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  10. 제 4 항에 있어서,
    상기 지방산 은염 (D) 의 함유량이, 상기 구상 은 분말 (A) 및 상기 플레이크상 은 분말 (B) 의 합계 100 질량부에 대해 0.1 ∼ 10 질량부인, 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물.
  11. 수광면측의 표면 전극, 반도체 기판 및 이면 (裏面) 전극을 구비하고,
    상기 표면 전극 및 상기 이면 전극 중 어느 일방 또는 양방이, 제 1 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 기재된 태양 전지 집전 전극 형성용 도전성 조성물을 사용하여 형성되는, 태양 전지 셀.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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